JPH10285695A - 超音波トランスデューサ及びその製造方法 - Google Patents
超音波トランスデューサ及びその製造方法Info
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- JPH10285695A JPH10285695A JP9092397A JP9092397A JPH10285695A JP H10285695 A JPH10285695 A JP H10285695A JP 9092397 A JP9092397 A JP 9092397A JP 9092397 A JP9092397 A JP 9092397A JP H10285695 A JPH10285695 A JP H10285695A
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Abstract
波画像の画質の向上を実現し得る超音波トランスデュー
サを提供する。 【解決手段】 両面に電極が形成されているとともに、
一方の電極に個々の駆動リード線が接続され、他方の電
極に共通の接地リード線48が接続される複数の圧電素
子23と、前記圧電素子23を配設する背面制動材4
と、前記圧電素子23に設ける少なくとも1層の音響整
合層とを有する超音波トランスデューサ18において、
各圧電素子23間に設ける電気的絶縁部材9と、前記電
気的絶縁部材9に、少なくとも接地リード線48が接続
される圧電素子23の電極側が開口する状態で、かつ、
圧電素子の厚み方向に設けた成膜用溝10と、この成膜
用溝10の内面と接地リード線が接続される圧電素子の
電極とに気相法によって連続に形成した導体薄膜とを有
するものである。
Description
検査用超音波診断装置に用いられる超音波トランスデュ
ーサ及びその製造方法に関するものである。
は、「医用超音波機器ハンドブック」,コロナ社(初版
昭和60年4月20日),p187等に示されるよう
に、背面制動材の上に両面に電極を形成した圧電セラミ
ックス板からなる、微小な圧電素子(単位素子)を、数
十乃至数百個配列し、更に音響整合層及び音響レンズを
一体化して構成している。
配列された単位素子に選択的に、且つ、任意の遅延時間
を持ってパルサ(図示せず)から百乃至数百ボルト程度
の電圧の駆動パルスを印加することで該単位素子を逆圧
電効果により急速に形成し、これにより、励起された超
音波パルスを音響整合層及び音響レンズを経て発振させ
ることにより行われる。
途に関しては体内の各組織の界面において、また非破壊
検査用に関しては被測定物内部の傷等の非連続部から反
射された後に、該音響レンズ及び音響整合層を経て単位
素子に再入射し、これを機械的に振動させる。
電気信号に変換され、観測装置(図示せず)に送られ
る。超音波パルスの送受の際、前記単位素子の自由振動
が前記背面制動材により規制されることにより、超音波
の進行方向に関する分解能を向上させている。
に対して順次に切り替えて行うことにより被測定物等の
対象部位を走査し、これにより超音波断層像を得る。
数百μm)×(幅 数十乃至数百μm)×(長さ 数m
m)程度の極めて微小なものとなっており、これらの単
位素子間の間隙である分割溝の寸法も、数十μm程度と
極めて微小となっている。
波トランスデューサにおける課題の一つとして、各単位
素子間のクロストーク(干渉)が挙げられる。クロスト
ークが大きいと、選択的に駆動しても選択外の単位素子
が微弱ながら超音波を発信してしまったり、受信時に受
信信号以外の超音波振動が重畳されて見掛けのパルス幅
が伸びてしまったり、本来なら受信されないはずの信号
を受信してしまって虚像(アーティファクト)を形成し
てしまう等、分解能低下や画像の信頼性劣化、画質の劣
化等という問題を生じる。
の単位素子間で機械的な振動が送受されてしまうという
音響的クロストークと、単位素子の振動から圧電効果に
より発生する電磁波を他の単位素子が受信して逆圧電効
果により振動してしまうことによる電磁的クロストーク
とがある。
溝に、超音波減衰性が高い樹脂や、樹脂とフィラーのマ
トリックス等を充填することにより、振動を減衰させて
低減することが一般的に行われている。しかし、これだ
けでは電磁的なクロストークを低減することはできず、
画質の劣化を完全には防止することは困難である。
め、ここに再度、導体封埋用溝を形成し、この導体封埋
用溝に導体膜、具体的には導電性接着剤や金属箔を挿入
し接地電位とすることにより電磁的クロストークを阻止
する方法が、実公平5−4397号公報に開示されてい
る。
磁的なノイズを遮蔽できることは、コンピュータや家電
製品等の一般的な電子機器においても広く行われてお
り、効果があることが確認されている。
ューサにおいては、上記の通り分割溝が、幅数十μm、
深さ百乃至数百であるため、厚さがこれにより小となる
導体封埋用溝内への導体膜の形成は極めて困難である。
おいて開示されている方法の内、導電性樹脂を封埋する
方法については、導電性を持たせるために樹脂内に多量
に分散されている導電性のフィラーが、幅数十μm以下
である該導体封埋用溝内で凝集して樹脂全体の流れを塞
ぎ止めてしまい、空隙の残存によるヒートサイクルやヒ
ートショックへの耐性の低下や、十分な大きさの導体膜
を形成できないという問題が挙げられる。
する樹脂と導電性フィラーの界面が極めて多く存在する
ため、一般的な樹脂と比較して剥離や膨潤による特性劣
化が生じ易くなり、耐水性や経時変化への耐性の点で問
題がある。
については、金属箔の厚さが数十μm以下で、外形も数
十乃至数百μm×数mmの微細なリボン状のものとして
いることから、金属箔のハンドリングが困難となるとと
もに、1つのアレイ超音波トランスデューサについては
金属箔を数十乃至数百枚を要することを勘案すると、製
造工程が極めて困難となることは自明である。
トリックス型アレイにおいては、工業的な適用は不可能
に近い。このことは、実公平5−4397号公報で開示
されているリニアアレイ型超音波トランスデューサにお
いてだけでなく、現在、医療分野において体表及び体内
で多く用いられているコンベックスアレイ(カーブドリ
ニアアレイとも称する)においては、作業対象部が平面
では無いため上述した困難は更に高まる。
分野における細管の内部からの検査において有効である
と考えられるラジアルアレイに関しては、更に曲率が大
きくなく、平面からの乖離が長くなるため、適用の困難
さは極めて大きくなる。
体内用途、細管の内部においては、超音波トランスデュ
ーサの小型化が必須であるため、クロストークの低減に
よってS/N比を向上をさせることによる実質的な感度
の向上は必須であり、上述した製造工程の困難性は大き
な問題である。
広く取った場合、単位素子の個数や実面積が減少してし
まうので、単位素子当たりの電気的インピーダンスの上
昇、分解能の低下、ゲインの低下等の問題が生じる。ま
た、分割溝の幅を一定のまま、導体封埋用溝の幅を広く
した場合、導体膜と駆動電極との間の絶縁耐圧が不足す
る可能性があり、十分な電圧の駆動パルスを印加できな
くなり、発信する超音波の出力が不足する可能性があ
る。
子と接触又は極度に接近配置した場合、上述した絶縁耐
圧の不足に加え、単位素子の振動を規制してしまう可能
性があり、音場の乱れ、ゲイン低下、パルス幅の伸長等
の問題が生じてしまう可能性がある。
デューサの感度、信頼性、生産性を劣化させること無
く、電磁的クロストークを低減し、超音波画像の画質の
向上を実現し得る超音波トランスデューサ並びにその製
造方法を提供することを目的とするものである。
両面に電極が形成されているとともに、一方の電極に個
々の駆動リード線が接続され、他方の電極に共通の接地
リード線が接続される複数の圧電素子と、前記圧電素子
を配設する背面制動材と、前記圧電素子に設ける少なく
とも1層の音響整合層とを有する超音波トランスデュー
サにおいて、各圧電素子間に設ける電気的絶縁部材と、
前記電気的絶縁部材に、少なくとも接地リード線が接続
される圧電素子の電極側が開口する状態で、かつ、圧電
素子の厚み方向に設けた成膜用溝と、この成膜用溝の内
面と接地リード線が接続される圧電素子の電極とに気相
法によって連続に形成した導体薄膜とを有することを特
徴とするものである。
されているとともに、一方の電極に個々の駆動リード線
が接続され、他方の電極に共通の接地リード線が接続さ
れる複数の圧電素子と、前記圧電素子を配設する背面制
動材と、前記圧電素子に設ける少なくとも1層の音響整
合層と、導体部を有し、前記圧電素子、背面制動材及び
音響整合層を収容する筺体と、を有する超音波トランス
デューサにおいて、各圧電素子間に設ける電気的絶縁部
材と、前記電気的絶縁部材に、少なくとも接地リード線
が接続される圧電素子の電極側が開口する状態で、か
つ、圧電素子の厚み方向に設けた成膜用溝と、この成膜
用溝の内面と前記筺体の導体部に気相法によって連続に
形成した導体薄膜とを有することを特徴とするものであ
る。
されているとともに、一方の電極に個々の駆動リード線
が接続され、他方の電極に共通の接地リード線が接続さ
れる複数の圧電素子と、前記圧電素子を配設する背面制
動材と、前記圧電素子に設ける少なくとも1層の音響整
合層と有する超音波トランスデューサを製造する製造方
法において、前記背面制動材及び音響整合層の少なくと
も一方と圧電素子とを一体化する工程と、圧電素子にそ
の厚み方向の分割溝を設けて圧電素子を複数個にする工
程と、分割溝内に電気的絶縁部材を設ける工程と、電気
的絶縁部材に圧電素子の厚み方向の成膜用溝を設ける工
程と、成膜用溝の内壁と接地リード線が接続される電極
とに連続して気相法で導体薄膜を設ける工程と、背面制
動材及び音響整合層の圧電素子と一体化していない一方
を圧電素子と一体化する工程と、を有することを特徴と
するものである。
されているとともに、一方の電極に個々の駆動リード線
が接続され、他方の電極に共通の接地リード線が接続さ
れる複数の圧電素子と、前記圧電素子を配設する背面制
動材と、前記圧電素子に設ける少なくとも1層の音響整
合層と、導体部を有し前記圧電素子、背面制動材及び音
響整合層が入る筺体とを有する超音波トランスデューサ
を製造する製造方法において、背面制動材及び音響整合
層の少なくとも一方と圧電素子とを一体化する工程と、
圧電素子にその厚み方向の分割溝を設けて圧電素子を複
数個にする工程と、分割溝内に電気的絶縁部材を設ける
工程と、電気的絶縁部材に圧電素子の厚み方向の成膜用
溝を設ける工程と、背面制動材及び音響整合層の圧電素
子と一体化していない一方を圧電素子と一体化する工程
とを有することを特徴とするものである。
デューサは、各圧電素子間に設ける電気的絶縁部材と、
前記電気的絶縁部材に、少なくとも接地リード線が接続
される圧電素子の電極側が開口する溝を圧電素子の厚み
方向に設け、この溝の内面と接地リード線が接続される
圧電素子の電極とに気相法によって連続に形成した導体
薄膜と、によって各圧電素子間の電磁的クロストークを
防止する。
ランスデューサは、各圧電素子間に設ける電気的絶縁部
材と、前記電気的絶縁部材に、少なくとも接地リード線
が接続される圧電素子の電極側が開口する溝を圧電素子
の厚み方向に設け、この溝の名内面と筺体の導体部に気
相法によって連続に形成した導体薄膜とによって各圧電
素子間の電磁的クロストークを防止する。
ランスデューサの製造方法は、背面制動材及び音響整合
層の少なくとも一方と圧電素子とを一体化し、圧電素子
にその厚み方向の分割溝を設けて圧電素子を複数個にす
る。この分割溝内に電気的絶縁部材を設け、電気的絶縁
部材に圧電素子の厚み方向の成膜用溝を設ける。この成
膜用溝の内壁と接地リード線が接続される電極とに連続
して気相法で導体薄膜を設ける。そして、背面制動材及
び音響整合層の圧電素子と一体化する。
デューサの製造方法は、背面制動材及び音響整合層の少
なくとも一方と圧電素子とを一体化し、圧電素子にその
厚み方向の分割溝を設けて圧電素子を複数個にする。こ
の分割溝内に電気的絶縁部材を設け、電気的絶縁部材に
圧電素子の厚み方向の成膜用溝を設ける。この成膜用溝
の内壁と筺体の導体部とに連続して気相法で導体薄膜を
設ける。そして、背面制動材及び音響整合層の圧電素子
と一体化していない一方を圧電素子と一体化する。
ランスデューサ及びその製造方法の実施の形態を、添付
図面を参照して説明する。
について説明する。図1に示すように、実施の形態1の
圧電素子23の両面には、圧電材1の両面に銀焼付けに
より、圧電素子放射面電極2(接地リード線が接続され
る電極)及び圧電素子背面電極3(駆動リード線が接続
される電極)が形成されている。圧電素子背面電極3に
は、配列ピッチに相当するピッチで電極パターンが形成
されたフレキシブルプリント基板5が接続されている。
イクロバルーンとを分散させたエポキシ樹脂により形成
されている。なお、図1に示す矢印Xを長さ方向、矢印
Yを幅方向、矢印Zを厚み方向と定義して以下の説明を
行う。
子23の製造方法について説明する。図1に示すよう
に、圧電素子23を構成する圧電素子背面電極3に、背
面制動材4をエポキシ系低粘性接着剤(図示せず)によ
り接合し、積層体47を構成する。このとき、背面制動
材4に設けられた背面制動材凹部6と、圧電素子背面電
極3に接続されているフレキシブルプリント基板5との
位置を一致させ、フレキシブルプリント基板5の厚さ
が、圧電素子背面電極3と該背面制動材4との間の接着
層に影響しないようにする。
接合後、図2に示すように、圧電素子23に対して厚み
方向の圧電素子分割溝8を背面制動材4の一部に達する
まで所定数設けて、圧電素子23を複数の圧電素子(以
下「単位素子7」と称する)に分割する。
素子分割溝8内に電気的絶縁部材9(シリコンゴム等)
として電気絶縁性樹脂を充填し固化する。その後、図4
に示すように、電気絶縁部材9の略中央に成膜用溝10
を厚み方向に形成する。
うに、圧電素子放射面電極2の表面、電気絶縁部材9の
表面及び該成膜用溝10の内壁に、内壁側より第1層目
がCr、第2層目がAgである導体薄膜11を、真空蒸
着法により成膜する。
つ金属箔や、テーピング等の、一般的なマスキング法
(図示せず)により薄膜が形成されないようにする。
を参照して詳細に説明する。まず、圧電素子放射面電極
2の表面、電気的絶縁部材9の表面及び成膜用溝10以
外の部分をマスクした積層体47を、図6に示す真空蒸
着装置26の真空槽27内に入れ、固定治具30で保持
し、Crの蒸発源28及びAgの蒸発源29に対向する
位置に設置する。前記固定治具30は、揺動及び回動あ
るいは遊星運動が可能に構成されている。
って1×10-3Pa以下の圧力に減圧する。その後、固
定治具30に保持された積層体47を、図6に示す矢印
のように揺動及び回動させながら、Crの蒸発源28を
電子銃32から発生した電子線33によって加熱する。
そして、圧電素子放射面電極2の表面、電気的絶縁部材
9の表面及び成膜用溝10にCrを100nmの膜厚に
成膜し、第1層を形成する。
より、Agの蒸発源29を加熱し、前記第1層の表面に
Agを500nmの膜厚に成膜し、第2層を形成する。
に、各成膜用溝10を封止樹脂21により埋め、各単位
素子7の圧電素子放射面電極2に共通の接地リード48
を半田又は導電性接着剤により接続する。そして、圧電
素子放射面電極2上に、ガラス系材料からなる第1音響
整合層14と、エポキシ系樹脂からなる第2音響整合層
15とを重ねて形成しリニアアレイ型超音波トランスデ
ューサ18を得る。
サ18は、ケース(図示せず)内に収納され、フレキシ
ブルプリント基板5及び接地リード48をケーブルを介
して駆動装置並びに観測装置(ともに図示せず)に接続
して駆動可能となる。
音波トランスデューサ18の導体薄膜11は、圧電素子
放射面電極2を経て接地電位に接続されており、電磁波
遮蔽作用を持つ。なお、導体薄膜11の第1層のCrは
第2層のAgの密着性を向上させる密着層として作用す
る。
ューサ18の各単位素子7間が、導体薄膜11により電
磁的に遮蔽されることにより、各単位素子7間の電磁的
クロストークが遮蔽される。これにより、S/N比が向
上し、リニアアレイ型超音波トランスデューサ18によ
り得られる超音波画像の画質が向上する。
平均自由行程が長いため、ステップカバレージが悪いと
されており、本実施の形態1のような高アスペクト比の
成膜用溝10の内壁への成膜には有効ではないとされて
いるが、本実施の形態1に述べたように固定治具30を
揺動及び回動あるいは遊星運動させることにより、成膜
用溝10の内壁に一様に導体薄膜11が成膜されるよう
になる。
響整合層14を連続したガラス系材料として示したが、
例えば図8に示すように、第1音響整合層14を圧電素
子23と同様に分割し、絶縁部材を封埋した後、本実施
の形態1のように導体薄膜11を形成することも可能で
ある。
ロストークを効果的に遮蔽することができ、更に画質を
向上させることに結び付く。また、第1音響整合層14
の材質についても、マシナブルセラミックスに代表され
るガラス系材料やアモルファスカーボン等の有機材料に
加え、アルミナやジルコニア等のセラミックスやカーボ
ン、ガラス等からなる微小な粉体のフィラーを、エポキ
シ系やフェノール系等の樹脂に分散させたものが使用可
能である。
用いる場合、本実施の形態1に示したような接合ではな
く、圧電素子23上に第1音響整合層14を注型法によ
り直接に形成することも可能である。この場合、接合層
を事実上無くすことが可能となるため、音響的な設計値
を厳密に適用することが可能になる。
層数も2層として示したが、あくまで代表的なものであ
り、1層のみとすることや、3層以上の構成も可能であ
ることは言うまでもない。また、一般に行われているよ
うに、音響整合層上に音響レンズを一体化することが可
能であることも言うまでもない。
いる、圧電セラミックスの他に、樹脂マトリックス内に
圧電素子の柱状体や粉体を分散させた複合圧電体や、P
VDFに代表される高分子圧電体も使用可能である。こ
れらの場合、音響整合層は保護層を兼ねる1層程度で構
成されることが多い。
背面電極3の材質としては、本実施の形態1で触れた銀
(Ag)焼付電極の他に一般に行われている様なAg−
Pd焼付電極、Niに代表される無電界メッキ物、Au
やCr−Ag等の金属のスパッタリング組成物等が使用
可能である。
1を平板として示したが、図9に示すように、円筒面形
状等の圧電材1とすることも可能である。これにより、
音響レンズ層を用いなくても音場を集束することができ
る。この結果、音響レンズ層による減衰を避けることが
でき、高感度の超音波トランスデューサを得ることがで
きる。
により構成することが残留応力の低減や接合層を無くす
ために効果的である。また、上記したように圧電材1と
して複合圧電体や高分子圧電体を用いる場合は、これら
が柔軟であるために予め凹面に整形した背面制動材4上
に密着させるように一体化することで、上述した構成と
することができる。
態1で述べた様な樹脂マトリックスの中にフィラーを分
散させたものがよく用いられており、例えばマトリック
スとしては、各種の硬度のエポキシ樹脂を始め、シリコ
ーンゴム・クロロプレンゴム等のゴム系材料が、また、
フィラーとしては、本実施の形態1で示したジルコニア
やマイクロバルーンの他に、アルミナ、酸化タングステ
ン、フェライト等を挙げることができる。
の形態1において示した、CrとAgの他に、Au,P
d,Pt,Al,In,Ti,Ni等の金属単体やこれ
らの多層構造、又はAuPd,PtPd等の合金、ある
いはIn2 O3 等の酸化物が使用可能である。これら以
外でも、導電性を示す材質で、真空蒸着法で成膜できる
ものならば特に使用上問題はない。
本実施の形態1で示した真空蒸着法によるものの他に、
イオンビームアシスト蒸着法やイオンプレーティング法
等の気相法も使用可能である。また、本実施の形態1に
おいては、成膜用溝10を圧電素子23の圧電素子背面
電極3よりも深く切り込んだが、例えば図10に示すよ
うに、圧電材1の中間レベルまで切り込む程度で止める
ことも可能である。この場合、本実施の形態1に示した
場合と比較して、電磁的クロストークの防止能力は低く
なるものの、導体薄膜11と圧電素子背面電極3の間の
絶縁が確保されているので、成膜用溝10の幅を圧電素
子分割溝8に接近させることができる。このため、小型
のアレイ超音波トランスデューサを実現する場合におい
ては、該圧電素子分割溝8を十分狭く取った場合におい
ても、成膜用溝10の形成と導体薄膜11の形成を行う
ことができ、電磁的クロストークの防止を図ることがで
きる。この場合においても、導体薄膜11が極めて薄
く、負荷を殆ど持たないため、音場、感度、パルス幅等
は影響を受けず、得られる超音波画像の画質は効果的に
改善される。
つために、一般に良く行われているように、各単位素子
7を更に複数の2次素子に分割した(サブダイスと呼ば
れる)場合においては、本実施の形態1に示した導体薄
膜11は、その原理上同時に動作する複数の2次素子の
間ではなく、個別に動作する各単位素子7の間にだけ設
ければ良いことは自明である。
実施の形態2について説明する。基本的には、上述の実
施の形態1と同様であるため、実施の形態1と異なる点
を主にして詳述する。
構造のTiからなる導体薄膜11を、スパッタリング法
により成膜することが特徴である。
薄膜11の成膜方法を、図11を参照して詳細に説明す
る。まず、圧電素子放射面電極2の表面、電気的絶縁部
材9の表面及び成膜用溝10以外の部分をマスクした積
層体47を、スパッタリング装置35の真空槽27内に
入れ、回動可能な固定治具30で保持し、Tiからなる
ターゲット36に対向する位置に設置する。
って、5×10-4Pa以下の圧力に減圧した後、スパッ
タガス供給装置40からArガスを1Paの圧力で導入
する。その後、固定治具30に保持された積層体47
を、図11に示す矢印方向に回動させながら、DC(直
流)電源38からカソード電極37にDC電力を供給し
て、プラズマ39を発生させる。そして、ターゲット3
6をスパッタリングさせ、圧電素子放射面電極2の表
面、電気的絶縁部材9の表面、及び成膜用溝10にTi
を500nmの膜厚に成膜し、第1層を形成する。
rガスを0.1Paの圧力で導入した後、上記第1層を
形成したときと同ようにスパッタリングを行い、上記第
1層の表面にTiを1000nmの膜厚に成膜し、第2
層を形成する。
薄膜11は、圧電素子放射面電極2を経て接地電位に接
続されており、電磁波遮蔽作用を持つ。なお、導体薄膜
11の第1層のTiは第2層のTiの密着性を向上させ
る密着層として作用する。
形態1の効果に加え以下の効果を奏する。即ち、スパッ
タリング法では一般にステップカバレージが良いため、
固定治具30には回動機構のみを設けることで、成膜用
溝10の内壁に一様に導体薄膜11が成膜される。
の形態2において示した、Tiの他に、Cr,Ag,A
u,Pd,Pt,Al,In,Ni等の金属単体やこれ
らの多層構造、あるいはAuPd,PtPd等の合金や
In2 O3 等の酸化物が使用可能であり、これら以外で
も導電性を示す材質で、スパッタリング法で成膜できる
ものならば特に使用上問題はない。
本実施の形態2で示したDCスパッタリング法によるも
のの他に、RFスパッタリング法やイオンビームスパッ
タリング法、ECRスパッタリング法等の気相法も使用
可能である。
実施の形態3について説明する。実施の形態3は、基本
的には、上述した実施の形態1と同様であるため、実施
の形態1と異なる点を主にして詳述する。
らなる導体薄膜11を、プラズマCVD法により成膜す
ることが特徴である。
薄膜11の成膜方法を詳細に説明する。まず、図12に
示すプラズマCVD装置41の真空槽27内に、固定治
具30に載置した積層体47を、圧電素子放射面電極
2、電気絶縁部材9の表面、成膜用溝10をプラズマ電
極42に対向する位置に設置する。
を1×10-4Pa以下の圧力に減圧した後、原料ガス4
3としてAl(CH3 )3 を、反応性ガス44としてH
2 を、キャリアガス45としてArをそれぞれ真空槽2
7内に導入する。次に、プラズマ電極42にRF電源4
6によりRF電力を供給し、0.05w/cm2 の電力
密度のプラズマ39を発生させて化学反応を起こさせ、
Alを1500nmの膜厚に成膜して導体薄膜11を得
る。
は、圧電素子放射面電極2を経て接地電位に接続されて
おり、電磁波遮蔽作用を持つ。
施の形態1に述べた効果に加え、以下の効果を奏する。
即ち、プラズマCVD法では、一般にステップカバレー
ジが極めて良いため、積層体47に運動を与えること無
しに、成膜用溝10内壁に一様に導体薄膜11が成膜さ
れる。
態3において示した、Alの他に、In(C2 H5 )3
の原料ガスを用いてInを成膜したり、TiCl4 の原
料ガスを用いてTiを成膜することができる。これら以
外でも、導電性を示す材質で、プラズマCVD法で成膜
できるものならば特に使用上問題はない。
を参照して実施の形態4について説明する。実施の形態
4も、基本的には上述した実施の形態1と同様であるた
め、実施の形態1と異なる点を主にして詳述する。
態4においては、圧電素子23の圧電材1に圧電素子背
面電極3のみが形成されていることが特徴である。
子23の圧電素子背面電極3に、背面制動材4を、エポ
キシ系低粘性接着剤(図示せず)により接合する。両部
材接合後、図14に示すように、圧電素子23に厚み方
向の圧電素子分割溝8を背面制動材4の一部に達するま
で入れ、圧電素子23を複数の単位素子7に分割する。
分割溝8内に電気的絶縁部材9を充填し、この電気絶縁
部材9の略中央に成膜用溝10を厚み方向に形成する。
成膜用溝10を形成した後、図15に示すように、圧電
材1の表面、電気的絶縁部材9の表面及び該成膜用溝1
0の内壁に、導体薄膜11を成膜する。導体薄膜11を
成膜した後、上記実施の形態と同ように、第1音響整合
層14と第2音響整合層15とを形成し、リニアアレイ
型超音波トランスデューサ18を得る。
1の表面に形成された導体薄膜11が、圧電素子放射面
電極2として動作する。
形態1に述べた効果に加え、以下の効果を奏する。即
ち、圧電素子放射面電極2が導体薄膜11により構成さ
れているため、焼付銀電極と比較して、薄く、更にガラ
スフリット分の圧電材1への浸透が無いため、圧電材1
の振動を規制することが少なくなるため、より高い感度
を得ることが可能となる。
を参照して実施の形態5について説明する。本実施の形
態5は、基本的には、上述の各実施の形態1乃至4と同
様であるため、異なる点を主にして説明する。
態5の圧電素子23は、圧電材1の両面に銀焼付けによ
り、圧電素子放射面電極2及び圧電素子背面電極3が形
成されている。本実施の形態5においては、前記両電極
2、3は圧電材1の側面にまで周り込むように形成され
ている。
造方法について説明する。図16に示すように、圧電素
子23の圧電素子放射面電極2に、第1音響整合層14
と第2音響整合層15とを、エポキシ系低粘性接着剤
(図示せず)により接合する。両部材接合後、図17に
示すように、圧電素子23及び第1音響整合層14に厚
み方向の圧電素子分割溝8を設け、圧電素子23を複数
の単位素子7に分割する。
圧電素子23を分割すれば良く、第1音響整合層14ま
で達しなくても良い。複数の単位素子7に分割した後、
上述の各実施の形態1乃至4と同様に、圧電素子分割溝
8内を電気絶縁部材9により充填した後、図18に示す
ように、圧電素子背面電極3を被覆するマスク12を形
成する。
うに、マスク12ごと裁断するようにして電気絶縁部材
9に成膜用溝10を厚み方向に形成する。次に、図19
に示した導体薄膜成膜面22、及び、図20に示した圧
電素子放射面電極2の周り込み部、電気絶縁部材9の表
面及び成膜用溝10の内壁に、導体薄膜11を成膜す
る。
除去し、上記の各実施の形態1乃至4と同様に封止樹脂
21による充填と、背面制動材4の形成処理を実施し、
リニアアレイ型超音波トランスデューサ18を得る。後
述するコンベックスアレイ型超音波トランスデューサ1
9として用いる場合の配線は、圧電素子放射面電極2及
び圧電素子背面電極3の内、圧電材1の側面に周り込ん
だ部分で容易に行うことができる。
素子23と第1音響整合層14との接合工程を最初に実
施することにより、同工程の精度、特に接合層の精度を
高めることができる。
実施の形態に述べた効果に加え、以下の効果を奏する。
即ち、設計値に厳密に沿って圧電素子23に第1音響整
合層14を形成できるので、設計値通りの送受信超音波
のスペクトル幅やパルス幅等の超音波特性を確実に得る
ことができる。
して、実施の形態6について説明する。本実施の形態6
も基本的には、上述の各実施の形態と同一であるため、
異なる点についてのみ詳述する。
態6の圧電素子23は、上述の実施の形態1と同様に、
圧電材1の両面に銀焼付けにより、圧電素子放射面電極
2及び圧電素子背面電極3が形成されている。また、背
面制動材4は、ゴム弾性を持つエポキシ樹脂にジルコニ
ア粒子とマイクロバルーンとを分散させた柔軟な材質か
らなっており、薄く形成されている。
造方法について説明する。図21に示すように、圧電素
子23の圧電素子23の圧電素子放射面電極2に、第1
音響整合層14と第2音響整合層15とを、エポキシ系
低粘性接着剤(図示せず)により接合する。接合後、上
述の各実施の形態と同様に該圧電素子23の分割と電気
絶縁部材9の充填を行う。
面図として示すように、電気的絶縁部材9を完全に裁断
し、背面制動材4の一部にまで達する成膜用溝10を形
成する。成膜用溝10を形成した後、図23に示すよう
に、ベース部材16を、成膜用溝10の部分で屈曲させ
つつ背面制動材4の裏面において接合し、圧電素子放射
面電極2の表面、電気的絶縁部材9の表面及び成膜用溝
10の内壁に、導体薄膜11を成膜する。
形態と同様に、各単位素子7の圧電素子放射面電極2を
接地リード(図示せず)で接続した後、図24に示すよ
うに、成膜用溝10内を封止樹脂21で封止し、周囲に
音響整合層13を形成して、コンベックスアレイ型超音
波トランスデューサ19を得る。
部材16上に曲面状にコンベックスアレイ型超音波トラ
ンスデューサ19が形成される。
実施の形態に述べた効果に加え、以下の効果を奏する。
即ち、医療分野において体表及び体内で多く用いられて
いるコンベックスアレイ(カーブドリニアアレイ)に関
しても、電磁的クロストークが遮蔽された、高S/N比
で高画質の超音波トランスデューサを製造することが可
能である。
アレイ型超音波トランスデューサ19について詳述した
が、同様な方法により他の非平面形状のアレイ型超音波
トランスデューサを作成することも可能である。例え
ば、図25に示すように、ラジアルアレイ型超音波トラ
ンスデューサ20を作成することも、上述した場合と同
様な方法を取ることにより実現可能である。
して、実施の形態7について説明する。本実施の形態7
も基本的には、上述の各実施の形態と同様であるため、
異なる点についてのみ詳述する。
態7の圧電素子23は、圧電材1の両面に銀焼付けによ
り、圧電素子放射面電極2及び圧電素子背面電極3が形
成されている。本実施の形態7においては、前記両電極
2、3は圧電材1の側面にまで周り込むように形成され
ている。また、第1音響整合層14は、ガラス系材料か
らなり、第2音響整合層15は、ポリイミド等からなる
柔軟な樹脂製フィルムからなっている。
造方法について説明する。上述した実施の形態5と同様
に、圧電素子23の圧電素子放射面電極2に、第1音響
整合層14と第2音響整合層15とを、エポキシ系低粘
性接着剤(図示せず)により接合し、圧電素子23の分
割と電気絶縁部材9の充填を行い、マスク12により圧
電素子背面電極3を被覆する。
び該電気絶縁部材9を完全に裁断し、第2音響整合層1
5の一部にまで達する成膜用溝10を形成し積層体47
を得る。さらに、成膜用溝10を形成した後、図27に
示すように、枠17により積層体47を成膜用溝10の
部分で屈曲させつつ、所定の湾曲形状を保つように保持
し、導体薄膜成膜面22、即ち、圧電素子放射面電極
2、電気絶縁部材9の表面及び該成膜用溝10の内壁
に、導体薄膜11を成膜する。導体薄膜11の成膜後、
図28に示すように、マスク12、成膜用溝10内及び
圧電素子背面電極3内を背面制動材4で封止し、周囲に
音響整合層13を形成し、コンベックスアレイ型超音波
トランスデューサ19を得る。
第1音響整合層14との接合工程を最初に実施すること
により、同工程の精度、特に接合の精度を高めながら、
曲面状なコンベックスアレイ型超音波トランスデューサ
19が構成される。
形態5に述べた効果に加え、以下の効果を奏する。即
ち、医療分野において体表及び体内で多く用いられてい
るコンベックスアレイ(カーブドリニアアレイ)に関し
ても、電磁的クロストークが遮蔽された、高S/N比で
高画質の超音波トランスデューサを作成することがで
き、また、設計値に厳密に沿って圧電素子23上に第1
音響整合層14を形成できるので、設計値通りの送受信
超音波のスペクトル幅やパルス幅等の超音波特性を厳密
に発揮させることができる。
型について詳述したが、同様な方法により他の非平面形
状のアレイ型超音波トランスデューサを作成することも
可能である。例えば、図29に示すように、ラジアルア
レイ型超音波トランスデューサ20を作成することも、
上述した場合と同様な製造方法を取ることにより実現可
能である。
して実施の形態8について説明する。本実施の形態8も
基本的には、上述の各実施の形態と同様であるため、異
なる点についてのみ詳述する。
に示すように、圧電素子23における圧電材1の両面に
銀焼付けにより圧電素子放射面電極2及び圧電素子背面
電極3が形成されている。また、第1音響整合層14は
ガラス系材料からなっている。
造方法について説明する。図30に示すように、圧電素
子23の圧電素子背面電極3にフレキシブルプリント基
板5を接続するとともに、背面制動材4を接合する。次
に、圧電素子23を分割し、電気絶縁部材9の充填を行
い、第1音響整合層14を接合する。次に、図31に示
すように、成膜用溝10を、第1音響整合層14及び圧
電素子23を分割するように形成し、接地リード48に
より各単位素子7の圧電素子放射面電極2を接続する。
ように、筺体24を接合する。筺体24は、電気絶縁性
を持つ樹脂の周囲に、ステンレスからなる筺体上導体2
5を一体化したものであり、前記接地リード48は筺体
上導体25により覆われることになる。
に、成膜用溝10の内壁、第1音響整合層14、筺体上
導体25に各々導体薄膜11を成膜する。導体薄膜11
の成膜後、図34に示すように、第1音響整合層14上
に樹脂材料からなる第2音響整合層15を接合し、リニ
アアレイ型超音波トランスデューサ18を得る。
アアレイ型超音波トランスデューサ18の電磁的クロス
トークの遮蔽が、筺体24の接地電位の導体薄膜11に
より実現される。
の形態による効果に加え、以下の効果を奏する。即ち、
電磁的クロストークの遮蔽が、筺体24の接地電位の導
体薄膜11により行われるために、駆動パルス並びに受
信信号の送受信ラインの接地電位により遮蔽する場合と
比較して、より高度な電磁クロストークの遮蔽を行うこ
とができる。
程は、本実施の形態8で述べた筺体構造並びに製造工程
を用いることにより、上述の各実施の形態の構成並びに
工程に適用することが可能であることはもちろんであ
る。
6に示す非平面状に構成されるコンベックス型超音波ト
ランスデューサ19においても、図35に示すように、
ラジアルアレイ型超音波トランスデューサ20を実現す
ることも容易である。
から、次の様な構成の技術的思想を付記することができ
る。
ともに、一面において複数本の駆動リードと接続され、
他面において接地電位のリードと接続された圧電素子
と、背面制動材と、少なくとも1層の音響整合層及び/
又は音響レンズとから構成される、アレイ型超音波トラ
ンスデューサにおいて、各圧電素子間に電気的絶縁部材
を設けるとともに、該絶縁部材に少なくとも該圧電素子
の接地電位側電極が露出する部分に開口を持ち該圧電素
子の厚み方向に切り込まれた溝を設け、該溝の内面と該
圧電素子の接地電位側電極に連続し、気相法により形成
した導体薄膜を設けたことを特徴とするアレイ型超音波
トランスデューサ。付記(1)記載の超音波トランスデ
ューサによれば、各圧電素子間の電磁的クロストークを
防止し、高画質とすることができる効果を奏する。
されているとともに、一面において複数本の駆動リード
と接続され、他面において接地電位のリードと接続され
た圧電素子と、背面制動材と、少なくとも1層の音響整
合層及び/又は音響レンズと、筺体接地電位である導体
部を持つ筺体とから構成される、アレイ型超音波トラン
スデューサにおいて、各圧電素子間に電気的絶縁部材を
設けるとともに、該絶縁部材に少なくとも該筺体の導体
が露出する部分に開口を持ち該圧電素子の厚み方向に切
り込まれた溝を設け、該溝の内面と該筺体の導体に連続
し、気相法により形成した導体薄膜を設けたことを特徴
とする、アレイ型超音波トランスデューサ。付記(2)
記載の超音波トランスデューサによれば、各圧電素子間
の電磁的クロストークを筺体の導体部により遮断し、高
画質とすることができる効果を奏する。
されているとともに、一面において複数本の駆動リード
と接続され、他面において接地電位のリードと接続され
た圧電素子と、背面制動材と、少なくとも1層の音響整
合層及び/又は音響レンズとから構成されるアレイ型超
音波トランスデューサの製造方法において、少なくと
も、圧電素子と背面制動材又は音響整合層とを一体化
し、該圧電素子を分割溝により複数個の圧電素子に分割
し、該分割溝内に電気絶縁性樹脂を充填し、該絶縁性樹
脂内に成膜用溝を形成し、該圧電素子表面の接地電位側
表面電極及び該成膜用溝内壁に連続して、気相法により
導体薄膜を形成し、他の構成を一体化することによる、
超音波トランスデューサ製造方法。付記(3)記載の超
音波トランスデューサの製造方法によれば、各圧電素子
間の電磁的クロストークを防止する高画質の超音波トラ
ンスデューサを製造することができる効果を奏する。
されているとともに、一面において複数本の駆動リード
と接続され、他面において接地電位のリードと接続され
た圧電素子と、背面制動材と、少なくとも1層の音響整
合層及び/又は音響レンズと、筺体接地電位である導体
部を持つ筺体とから構成される、アレイ型超音波トラン
スデューサの製造方法において、少なくとも、圧電素子
と背面制動材又は音響整合層とを一体化し、該圧電素子
を分割溝により複数個の圧電素子に分割し、該分割溝内
に電気絶縁性樹脂を充填し、該絶縁性樹脂内に成膜用溝
を形成し、該筺体上の導体及び該成膜用溝内壁に連続し
て、気相法により導体薄膜を形成し、他の構成を一体化
することによる、超音波トランスデューサ製造方法。付
記(4)記載の超音波トランスデューサの製造方法によ
れば、各圧電素子間の電磁的クロストークを筺体の導体
部により遮断する高画質の超音波トランスデューサを製
造することができる効果を奏する。
着法又はスパッタリング法であることを特徴とする付記
(1)乃至(4)に記載の超音波トランスデューサ及び
その製造方法。付記(5)記載の超音波トランスデュー
サ及びその製造方法によれば、高度な電磁的クロストー
ク防止機能を有し負荷が極めて小さい導体薄膜を備えた
超音波トランスデューサ及びこの導体薄膜を形成できる
製造方法を提供できる効果を奏する。
g,Au,Pd,Pt,Al,In,Ti,Niから選
ばれた1種類以上の金属を含む材料で構成したことを特
徴とする付記(1)乃至(4)に記載の超音波トランス
デューサ及びその製造方法。付記(6)記載の超音波ト
ランスデューサ及びその製造方法によれば、高度な電磁
的クロストーク防止機能を有する導体薄膜を備えた超音
波トランスデューサ及びこの導体薄膜を形成できる製造
方法を提供できる効果を奏する。
の厚み方向に設けた溝の内面と接地リード線が接続され
る圧電素子の電極とに連続に形成した導体薄膜によって
各圧電素子間の電磁的クロストークを防止し、超音波画
像を高画質とすることができる効果を奏する超音波トラ
ンスデューサを提供することができる。
よれば、電気的絶縁部材に圧電素子の厚み方向に設けた
溝の内面と筺体の導体部とに設けた導体薄膜によって各
圧電素子間の電磁的クロストークを防止し、超音波画像
を高画質とすることができる効果を奏する超音波トラン
スデューサを提供することができる。
間の電磁的クロストークを防止する導体薄膜を形成し
て、高画質の超音波画像を得ることができる超音波トラ
ンスデューサの製造方法を提供することができる。
ンスデューサの製造方法によれば、各圧電素子間の電磁
的クロストークを筺体の導体部に形成した導体薄膜より
遮断し、高画質の超音波画像を得ることができる超音波
トランスデューサの製造方法を提供することができる。
サにおける圧電素子を示す斜視図である。
サにおける圧電素子の製造工程を示す斜視図である。
サにおける圧電素子の製造工程を示す斜視図である。
サにおける圧電素子の製造工程を示す斜視図である。
サにおける圧電素子の製造工程を示す断面図である。
空蒸着装置を示す概略断面図である。
トランスデューサを示す斜視図である。
トランスデューサを示す斜視図である。
斜視図である。
波トランスデューサの他の例を示す斜視図である。
スパッタリング装置を示す概略断面図である。
プラズマCVD装置を示す概略断面図である。
ーサにおける圧電素子の製造工程を示す斜視図である。
ーサにおける圧電素子の製造工程を示す斜視図である。
ーサにおける圧電素子の製造工程を示す断面図である。
ーサにおける圧電素子の製造工程を示す斜視図である。
ーサにおける圧電素子の製造工程を示す斜視図である。
ーサにおける圧電素子の製造工程を示す斜視図である。
ーサにおける圧電素子の製造工程を示す斜視図である。
ーサにおける圧電素子の製造工程を示す断面図である。
ーサにおける圧電素子の製造工程を示す斜視図である。
ーサにおける圧電素子の製造工程を示す斜視図である。
ーサにおける圧電素子の製造工程を示す断面図である。
型超音波トランスデューサを示す斜視図である。
音波トランスデューサを示す斜視図である。
ーサにおける圧電素子の製造工程を示す斜視図である。
ーサにおける圧電素子の製造工程を示す斜視図である。
型超音波トランスデューサを示す斜視図である。
音波トランスデューサを示す斜視図である。
ーサにおける圧電素子の製造工程を示す斜視図である。
ーサにおける圧電素子の製造工程を示す斜視図である。
ーサにおける筺体に収容した圧電素子を示す斜視図であ
る。
ーサにおける圧電素子に対する成膜工程を示す断面図で
ある。
波トランスデューサを示す斜視図である。
音波トランスデューサを示す斜視図である。
Claims (4)
- 【請求項1】 両面に電極が形成されているとともに、
一方の電極に個々の駆動リード線が接続され、他方の電
極に共通の接地リード線が接続される複数の圧電素子
と、 前記圧電素子を配設する背面制動材と、 前記圧電素子に設ける少なくとも1層の音響整合層と、
を有する超音波トランスデューサにおいて、 各圧電素子間に設ける電気的絶縁部材と、 前記電気的絶縁部材に、少なくとも接地リード線が接続
される圧電素子の電極側が開口する状態で、かつ、圧電
素子の厚み方向に設けた成膜用溝と、 この成膜用溝の内面と接地リード線が接続される圧電素
子の電極とに気相法によって連続に形成した導体薄膜
と、 を有することを特徴とする超音波トランスデューサ。 - 【請求項2】 両面に電極が形成されているとともに、
一方の電極に個々の駆動リード線が接続され、 他方の電極に共通の接地リード線が接続される複数の圧
電素子と、前記圧電素子を配設する背面制動材と、 前記圧電素子に設ける少なくとも1層の音響整合層と、 導体部を有し、前記圧電素子、背面制動材及び音響整合
層を収容する筺体と、を有する超音波トランスデューサ
において、 各圧電素子間に設ける電気的絶縁部材と、 前記電気的絶縁部材に、少なくとも接地リード線が接続
される圧電素子の電極側が開口する状態で、かつ、圧電
素子の厚み方向に設けた成膜用溝と、 この成膜用溝の内面と前記筺体の導体部に気相法によっ
て連続に形成した導体薄膜と、 を有することを特徴とする超音波トランスデューサ。 - 【請求項3】 両面に電極が形成されているとともに、
一方の電極に個々の駆動リード線が接続され、他方の電
極に共通の接地リード線が接続される複数の圧電素子
と、 前記圧電素子を配設する背面制動材と、 前記圧電素子に設ける少なくとも1層の音響整合層と、 を有する超音波トランスデューサを製造する製造方法に
おいて、 前記背面制動材及び音響整合層の少なくとも一方と圧電
素子とを一体化する工程と、 圧電素子にその厚み方向の分割溝を設けて圧電素子を複
数個にする工程と、 分割溝内に電気的絶縁部材を設ける工程と、 電気的絶縁部材に圧電素子の厚み方向の成膜用溝を設け
る工程と、 成膜用溝の内壁と接地リード線が接続される電極とに連
続して気相法で導体薄膜を設ける工程と、 背面制動材及び音響整合層の圧電素子と一体化していな
い一方を圧電素子と一体化する工程と、 を有することを特徴とする超音波トランスデューサの製
造方法。 - 【請求項4】 両面に電極が形成されているとともに、
一方の電極に個々の駆動リード線が接続され、 他方の電極に共通の接地リード線が接続される複数の圧
電素子と、 前記圧電素子を配設する背面制動材と、 前記圧電素子に設ける少なくとも1層の音響整合層と、 導体部を有し、前記圧電素子、背面制動材及び音響整合
層が入る筺体と、を有する超音波トランスデューサを製
造する製造方法において、 背面制動材及び音響整合層の少なくとも一方と圧電素子
とを一体化する工程と、 圧電素子にその厚み方向の分割溝を設けて圧電素子を複
数個にする工程と、 分割溝内に電気的絶縁部材を設ける工程と、 電気的絶縁部材に圧電素子の厚み方向の成膜用溝を設け
る工程と、 背面制動材及び音響整合層の圧電素子と一体化していな
い一方を圧電素子と一体化する工程と、 を有することを特徴とする超音波トランスデューサの製
造方法。
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JP09092397A JP3602684B2 (ja) | 1997-04-09 | 1997-04-09 | 超音波トランスデューサ及びその製造方法 |
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JP09092397A JP3602684B2 (ja) | 1997-04-09 | 1997-04-09 | 超音波トランスデューサ及びその製造方法 |
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