JPH10284502A - 縦型半導体製造装置におけるエアー循環装置 - Google Patents
縦型半導体製造装置におけるエアー循環装置Info
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- JPH10284502A JPH10284502A JP9099791A JP9979197A JPH10284502A JP H10284502 A JPH10284502 A JP H10284502A JP 9099791 A JP9099791 A JP 9099791A JP 9979197 A JP9979197 A JP 9979197A JP H10284502 A JPH10284502 A JP H10284502A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】循環方式によって内部エアーを清浄化する場合
において、循環エアーの温度を効果的に下げて、熱処理
直後のウェハの強制空冷能力を高めることである。 【解決手段】熱処理を終えたウェハの強制冷却、及び自
身の清浄化との双方のためにエアーが循環する第１エア
ー循環路Ｃ1 と、自身の清浄化を主体にしてエアーが循
環する第２エアー循環路Ｃ2 との２種類のエアー循環路
とを備え、各エアー循環路Ｃ1,Ｃ2 の合流部にエアー冷
却装置Ｋを設置して、循環エアーの温度を下げ、ウェハ
の強制空冷時には、第１エアー循環路Ｃ1 のエアー循環
流量を第２エアー循環路Ｃ2 の流量よりも多くして、強
制冷却能力を高める。
において、循環エアーの温度を効果的に下げて、熱処理
直後のウェハの強制空冷能力を高めることである。 【解決手段】熱処理を終えたウェハの強制冷却、及び自
身の清浄化との双方のためにエアーが循環する第１エア
ー循環路Ｃ1 と、自身の清浄化を主体にしてエアーが循
環する第２エアー循環路Ｃ2 との２種類のエアー循環路
とを備え、各エアー循環路Ｃ1,Ｃ2 の合流部にエアー冷
却装置Ｋを設置して、循環エアーの温度を下げ、ウェハ
の強制空冷時には、第１エアー循環路Ｃ1 のエアー循環
流量を第２エアー循環路Ｃ2 の流量よりも多くして、強
制冷却能力を高める。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、装置内においてフ
ィルターを通してエアーを循環させて、装置内のエアー
の清浄化と、熱処理を終えたウェハの強制空冷との双方
を効率的に行えるようにした縦型半導体製造装置におけ
るエアー循環装置に関するものである。
ィルターを通してエアーを循環させて、装置内のエアー
の清浄化と、熱処理を終えたウェハの強制空冷との双方
を効率的に行えるようにした縦型半導体製造装置におけ
るエアー循環装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３に示されるように、縦型半導体製造
装置の基本構成は、全体が筐状になった筐体Ａと、収納
棚に垂直となって多数枚のウェハを保持しているウェハ
キャリアＪを９０°反転させて、該ウェハを垂直にする
ために前記筐体Ａの入口部のキャリアローダ室Ｒ1 に設
置されるキャリアローダ装置Ｅと、多数枚のウェハを多
段状に保持して、該筐体Ａの主室Ｒ2 内において直上に
配置されたヒータ（反応釜）Ｈに対して昇降可能に配置
されるウェハボートと称されるウェハ保持具Ｇと、前記
キャリアローダ装置Ｅによって反転されたウェハキャリ
アＪに垂直に保持されている多数枚のウェハを一枚ず
つ、或いは複数枚ずつ取り出して、前記ウェハ保持具Ｇ
に移載させるために前記主室Ｒ2 内に設置される移載ロ
ボット（図示せず）とを備えている。なお、前記ヒータ
（反応釜）Ｈは、前記主室Ｒ2 と分離されたヒータ室Ｒ
3 に配置されている。
装置の基本構成は、全体が筐状になった筐体Ａと、収納
棚に垂直となって多数枚のウェハを保持しているウェハ
キャリアＪを９０°反転させて、該ウェハを垂直にする
ために前記筐体Ａの入口部のキャリアローダ室Ｒ1 に設
置されるキャリアローダ装置Ｅと、多数枚のウェハを多
段状に保持して、該筐体Ａの主室Ｒ2 内において直上に
配置されたヒータ（反応釜）Ｈに対して昇降可能に配置
されるウェハボートと称されるウェハ保持具Ｇと、前記
キャリアローダ装置Ｅによって反転されたウェハキャリ
アＪに垂直に保持されている多数枚のウェハを一枚ず
つ、或いは複数枚ずつ取り出して、前記ウェハ保持具Ｇ
に移載させるために前記主室Ｒ2 内に設置される移載ロ
ボット（図示せず）とを備えている。なお、前記ヒータ
（反応釜）Ｈは、前記主室Ｒ2 と分離されたヒータ室Ｒ
3 に配置されている。
【０００３】そして、多数枚のウェハを垂直に保持した
ウェハキャリアＪを前記キャリアローダ装置Ｅに設置し
て、該装置ＥによってウェハキャリアＪを９０°反転さ
せることにより、保持されている各ウェハを水平にす
る。この状態において、前記移載ロボットにより、ウェ
ハキャリアＪに水平に保持されているウェハを一枚ずつ
取り出し、前記ウェハ保持具Ｇに多段状にして移載し
て、該ウェハ保持具Ｇを上昇させて、直上のヒータ（反
応釜）Ｈ内においてウェハの熱処理（化学処理）を行っ
た後に、該ウェハ保持具Ｇを主室Ｒ2 内に下降させてい
る。
ウェハキャリアＪを前記キャリアローダ装置Ｅに設置し
て、該装置ＥによってウェハキャリアＪを９０°反転さ
せることにより、保持されている各ウェハを水平にす
る。この状態において、前記移載ロボットにより、ウェ
ハキャリアＪに水平に保持されているウェハを一枚ずつ
取り出し、前記ウェハ保持具Ｇに多段状にして移載し
て、該ウェハ保持具Ｇを上昇させて、直上のヒータ（反
応釜）Ｈ内においてウェハの熱処理（化学処理）を行っ
た後に、該ウェハ保持具Ｇを主室Ｒ2 内に下降させてい
る。
【０００４】上記した縦型半導体製造装置では、筐体Ａ
内に発生する微細な塵埃類がウェハに付着するのを防止
するために、内部のエアーを清浄化させている。この内
部エアーを清浄化するには、該エアーを筐体の入口部か
ら出口部に向けて一方向に流す方式と、該エアーを筐体
内で循環させる方式がある。後者の循環方式は、同じエ
アーが繰り返し使用できて、効率的であるが、ウェハの
熱処理後において、ウェハ保持具Ｇを主室Ｒ2 内に下降
させた場合に、高温（約６５０°Ｃ）に加熱されたウェ
ハによって、主室Ｒ2 内の温度が上昇させられると共
に、この高温となった循環エアーによって、熱処理を終
えたウェハを強制空冷するために、その空冷効果は低
い。
内に発生する微細な塵埃類がウェハに付着するのを防止
するために、内部のエアーを清浄化させている。この内
部エアーを清浄化するには、該エアーを筐体の入口部か
ら出口部に向けて一方向に流す方式と、該エアーを筐体
内で循環させる方式がある。後者の循環方式は、同じエ
アーが繰り返し使用できて、効率的であるが、ウェハの
熱処理後において、ウェハ保持具Ｇを主室Ｒ2 内に下降
させた場合に、高温（約６５０°Ｃ）に加熱されたウェ
ハによって、主室Ｒ2 内の温度が上昇させられると共
に、この高温となった循環エアーによって、熱処理を終
えたウェハを強制空冷するために、その空冷効果は低
い。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、循環方式に
よって内部エアーを清浄化する場合において、循環エア
ーの温度を効果的に下げると共に、熱処理を終えたウェ
ハの強制空冷能力を高めることを課題としている。
よって内部エアーを清浄化する場合において、循環エア
ーの温度を効果的に下げると共に、熱処理を終えたウェ
ハの強制空冷能力を高めることを課題としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明が採用した手段は、装置内の各所に配置された
フィルターを通してエアーを循環させて、装置内のエア
ーを清浄化させると共に、該エアーによって熱処理を終
えたウェハを強制空冷させるための縦型半導体製造装置
におけるエアーの循環装置において、循環エアーを冷却
するためのエアー冷却装置をエアー循環路に設置したこ
とである。エアー冷却装置によって、循環エアーは、一
循環毎に強制冷却されるため、熱処理を終えたウェハ
は、常に低い温度の循環エアーによって強制空冷される
ために、その空冷効果が高まる。
に本発明が採用した手段は、装置内の各所に配置された
フィルターを通してエアーを循環させて、装置内のエア
ーを清浄化させると共に、該エアーによって熱処理を終
えたウェハを強制空冷させるための縦型半導体製造装置
におけるエアーの循環装置において、循環エアーを冷却
するためのエアー冷却装置をエアー循環路に設置したこ
とである。エアー冷却装置によって、循環エアーは、一
循環毎に強制冷却されるため、熱処理を終えたウェハ
は、常に低い温度の循環エアーによって強制空冷される
ために、その空冷効果が高まる。
【０００７】この場合において、熱処理を終えたウェハ
の強制空冷、及び自身の清浄化との双方のためにエアー
が循環する第１エアー循環路と、自身の清浄化を主体に
してエアーが循環する第２エアー循環路との２種類のエ
アー循環路を設けて、第１エアー循環路に設けられたブ
ロワーの回転数を制御可能にして、ウェハの強制空冷時
のエアー循環流量を、通常時のエアー循環流量よりも多
くすると、熱処理終了直後のウェハの強制空冷能力が一
層高められる。
の強制空冷、及び自身の清浄化との双方のためにエアー
が循環する第１エアー循環路と、自身の清浄化を主体に
してエアーが循環する第２エアー循環路との２種類のエ
アー循環路を設けて、第１エアー循環路に設けられたブ
ロワーの回転数を制御可能にして、ウェハの強制空冷時
のエアー循環流量を、通常時のエアー循環流量よりも多
くすると、熱処理終了直後のウェハの強制空冷能力が一
層高められる。
【０００８】更に、第１及び第２の各エアー循環路に設
置された各ブロワーのエアー流入側にそれぞれエアーダ
ンパーを設置すると、強制空冷時と通常時との間におけ
るエアー循環流量の変更時における流量の変動がスムー
ズに行われて、圧力バランスが保たれると共に、乱流等
の発生を抑えることができる。また、強制空冷時と、通
常時において、装置天井より供給される供給エアーの流
量は一定とすることができる。
置された各ブロワーのエアー流入側にそれぞれエアーダ
ンパーを設置すると、強制空冷時と通常時との間におけ
るエアー循環流量の変更時における流量の変動がスムー
ズに行われて、圧力バランスが保たれると共に、乱流等
の発生を抑えることができる。また、強制空冷時と、通
常時において、装置天井より供給される供給エアーの流
量は一定とすることができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、実施例を挙げて本発明を更
に詳細に説明する。図１は、本発明に係る縦型半導体製
造装置におけるエアーの循環装置を模式的に示す斜視図
であり、図２は、第１及び第２の各エアー循環路Ｃ1,Ｃ
2 を主体にしたエアーの流れを示す図であり、図３は、
筐体Ａの内部を模式的に示す断面図である。前記筐体Ａ
の一方の側板の内側には、主室Ｒ2 内に入り込んだウェ
ハ保持具Ｇと相対向する配置となって第１フィルターＦ
1 が設けられており、該側板の内側における前記第１フ
ィルターＦ1 と前記キャリアローダ室Ｒ1 との間には、
そのほぼ全高に亘って第２フィルターＦ2 が設けられて
いる。また、筐体Ａ内に全てが配置された形状となった
キャリアローダ室Ｒ1 の天井部には、第３フィルターＦ
3 が設けられている。また、前記筐体Ａの他方の側板の
内側には、エアー冷却装置Ｋが配置されている。このエ
アー冷却装置Ｋは、公知の構造であって、例えば、冷却
水が循環する装置本体内にエアー流路が設けられて、温
度の高いエアーが、前記エアー流路を通過する間に、自
身の熱が前記冷却水に奪われて冷却されるものが挙げら
れる。
に詳細に説明する。図１は、本発明に係る縦型半導体製
造装置におけるエアーの循環装置を模式的に示す斜視図
であり、図２は、第１及び第２の各エアー循環路Ｃ1,Ｃ
2 を主体にしたエアーの流れを示す図であり、図３は、
筐体Ａの内部を模式的に示す断面図である。前記筐体Ａ
の一方の側板の内側には、主室Ｒ2 内に入り込んだウェ
ハ保持具Ｇと相対向する配置となって第１フィルターＦ
1 が設けられており、該側板の内側における前記第１フ
ィルターＦ1 と前記キャリアローダ室Ｒ1 との間には、
そのほぼ全高に亘って第２フィルターＦ2 が設けられて
いる。また、筐体Ａ内に全てが配置された形状となった
キャリアローダ室Ｒ1 の天井部には、第３フィルターＦ
3 が設けられている。また、前記筐体Ａの他方の側板の
内側には、エアー冷却装置Ｋが配置されている。このエ
アー冷却装置Ｋは、公知の構造であって、例えば、冷却
水が循環する装置本体内にエアー流路が設けられて、温
度の高いエアーが、前記エアー流路を通過する間に、自
身の熱が前記冷却水に奪われて冷却されるものが挙げら
れる。
【００１０】また、筐体Ａの上面には、第１及び第２の
各ブロワーＢ1,Ｂ2 が設置され、各ブロワーＢ1,Ｂ2 の
上流側には、外気に通じる第１及び第２の各外部エアー
ダンパーＤ1,Ｄ2 が接続されている。更に、前記エアー
冷却装置Ｋの上端の流出部と、前記第１及び第２の各ブ
ロワーＢ1,Ｂ2 とを接続する各エアー通路の間には、そ
れぞれ第１及び第２の各内部エアーダンパーＤ11, Ｄ12
が配置されて、この各内部エアーダンパーＤ11, Ｄ
12は、前記エアー冷却装置Ｋの流出部から分岐された各
エアー管路にそれぞれ設けられている。
各ブロワーＢ1,Ｂ2 が設置され、各ブロワーＢ1,Ｂ2 の
上流側には、外気に通じる第１及び第２の各外部エアー
ダンパーＤ1,Ｄ2 が接続されている。更に、前記エアー
冷却装置Ｋの上端の流出部と、前記第１及び第２の各ブ
ロワーＢ1,Ｂ2 とを接続する各エアー通路の間には、そ
れぞれ第１及び第２の各内部エアーダンパーＤ11, Ｄ12
が配置されて、この各内部エアーダンパーＤ11, Ｄ
12は、前記エアー冷却装置Ｋの流出部から分岐された各
エアー管路にそれぞれ設けられている。
【００１１】本発明のエアーの循環装置では、上記した
各種エアー機器によって、熱処理を終えたウェハの強制
空冷、及び自身の清浄化のためにエアーが循環する第１
エアー循環路Ｃ1 と、自身の清浄化を主体にしてエアー
が循環する第２エアー循環路Ｃ2 との２種類のエアー循
環路を備えていることに、その特徴が存する。即ち、図
２において、第１エアー循環路Ｃ1 は、第１ブロワーＢ
1 、第１フィルターＦ1 、エアー冷却装置Ｋ、及び第１
内部エアーダンパーＤ11とをエアー管路を介してこの順
序で接続し、更に第１ブロワーＢ1 と第１内部エアーダ
ンパーＤ11とのエアー管路に第１外部エアーダンパーＤ
1 をエアー管路を介して接続することにより構成され
る。一方、第２エアー循環路Ｃ2 は、第２ブロワー
Ｂ2 、第２フィルターＦ2 、エアー冷却装置Ｋ、及び第
２内部エアーダンパーＤ12をエアー管路を介してこの順
序で接続し、更に第２ブロワーＢ2 と第２内部エアーダ
ンパーＤ12とのエアー管路に第２外部エアーダンパーＤ
2 をエアー管路を介して接続することにより構成され
る。図２に示されているように、第１及び第２の各エア
ー循環路Ｃ1,Ｃ2 を通るエアーは、合流して前記エアー
冷却装置Ｋに流入すると共に、該冷却装置Ｋから流出し
たエアーは、２つに分岐されて第１及び第２の各内部エ
アーダンパーＤ11, Ｄ12を通って第１及び第２の各ブロ
ワーＢ1,Ｂ2 により吸引される構成になっている。第１
及び第２の各ブロワーＢ1,Ｂ2 は、それぞれ各駆動モー
タＭ1,Ｍ2 により駆動され、モータＭ1 はインバータ制
御等によって、その回転数の制御が可能なモータが採用
される。
各種エアー機器によって、熱処理を終えたウェハの強制
空冷、及び自身の清浄化のためにエアーが循環する第１
エアー循環路Ｃ1 と、自身の清浄化を主体にしてエアー
が循環する第２エアー循環路Ｃ2 との２種類のエアー循
環路を備えていることに、その特徴が存する。即ち、図
２において、第１エアー循環路Ｃ1 は、第１ブロワーＢ
1 、第１フィルターＦ1 、エアー冷却装置Ｋ、及び第１
内部エアーダンパーＤ11とをエアー管路を介してこの順
序で接続し、更に第１ブロワーＢ1 と第１内部エアーダ
ンパーＤ11とのエアー管路に第１外部エアーダンパーＤ
1 をエアー管路を介して接続することにより構成され
る。一方、第２エアー循環路Ｃ2 は、第２ブロワー
Ｂ2 、第２フィルターＦ2 、エアー冷却装置Ｋ、及び第
２内部エアーダンパーＤ12をエアー管路を介してこの順
序で接続し、更に第２ブロワーＢ2 と第２内部エアーダ
ンパーＤ12とのエアー管路に第２外部エアーダンパーＤ
2 をエアー管路を介して接続することにより構成され
る。図２に示されているように、第１及び第２の各エア
ー循環路Ｃ1,Ｃ2 を通るエアーは、合流して前記エアー
冷却装置Ｋに流入すると共に、該冷却装置Ｋから流出し
たエアーは、２つに分岐されて第１及び第２の各内部エ
アーダンパーＤ11, Ｄ12を通って第１及び第２の各ブロ
ワーＢ1,Ｂ2 により吸引される構成になっている。第１
及び第２の各ブロワーＢ1,Ｂ2 は、それぞれ各駆動モー
タＭ1,Ｍ2 により駆動され、モータＭ1 はインバータ制
御等によって、その回転数の制御が可能なモータが採用
される。
【００１２】また、第２エアー循環路Ｃ2 は、第２フィ
ルターＦ2 とエアー冷却装置Ｋとの間において２つに分
岐され、第２エアー循環路Ｃ2 から分岐されたエアー分
岐流路Ｃ3 を通るエアーは、前記第３フィルターＦ3 を
通ってキャリアローダ室Ｒ1に流入して、筐体Ａの外部
に排出されて、再度使用されるリターンエアーＡR とな
る。また、第１及び第２の各エアー循環路Ｃ1,Ｃ2 を循
環するエアーの一部は、外部に漏れてリークエアーＡL
となる。よって、筐体Ａ内の循環エアーを一定に保持す
るには、リターンエアーＡR とリークエアーＡL との各
流量の和だけ、補給エアーＡS として各エアー循環路Ｃ
1,Ｃ2 に補給する必要があり、前記第１及び第２の各外
部エアーダンパーＤ1,Ｄ2 の部分から各エアー循環路Ｃ
1,Ｃ2 に補給されている。
ルターＦ2 とエアー冷却装置Ｋとの間において２つに分
岐され、第２エアー循環路Ｃ2 から分岐されたエアー分
岐流路Ｃ3 を通るエアーは、前記第３フィルターＦ3 を
通ってキャリアローダ室Ｒ1に流入して、筐体Ａの外部
に排出されて、再度使用されるリターンエアーＡR とな
る。また、第１及び第２の各エアー循環路Ｃ1,Ｃ2 を循
環するエアーの一部は、外部に漏れてリークエアーＡL
となる。よって、筐体Ａ内の循環エアーを一定に保持す
るには、リターンエアーＡR とリークエアーＡL との各
流量の和だけ、補給エアーＡS として各エアー循環路Ｃ
1,Ｃ2 に補給する必要があり、前記第１及び第２の各外
部エアーダンパーＤ1,Ｄ2 の部分から各エアー循環路Ｃ
1,Ｃ2 に補給されている。
【００１３】そして、第１及び第２の各ブロワーＢ1,Ｂ
2 を作動させて、第１及び第２の各エアー循環路Ｃ1,Ｃ
2 においてエアーを循環させると、第１エアー循環路Ｃ
1 においては、第１フィルターＦ1 を通過して清浄化さ
れたエアーは、主室Ｒ2 内を通ってエアー冷却装置Ｋ内
に流入して、該装置Ｋ内において熱交換により冷却され
た後に流出して、第１内部エアーダンパーＤ11を通って
第１ブロワーＢ1 により吸引されて循環する。一方、第
２エアー循環路Ｃ2 においては、第２フィルターＦ2 を
通過して清浄化されたエアーは、主室Ｒ2 内を通ってエ
アー冷却装置Ｋ内に流入して、該装置Ｋ内において熱交
換により冷却された後に流出して、第２内部エアーダン
パーＤ12を通って第２ブロワーＢ2 により吸引されて循
環する。
2 を作動させて、第１及び第２の各エアー循環路Ｃ1,Ｃ
2 においてエアーを循環させると、第１エアー循環路Ｃ
1 においては、第１フィルターＦ1 を通過して清浄化さ
れたエアーは、主室Ｒ2 内を通ってエアー冷却装置Ｋ内
に流入して、該装置Ｋ内において熱交換により冷却され
た後に流出して、第１内部エアーダンパーＤ11を通って
第１ブロワーＢ1 により吸引されて循環する。一方、第
２エアー循環路Ｃ2 においては、第２フィルターＦ2 を
通過して清浄化されたエアーは、主室Ｒ2 内を通ってエ
アー冷却装置Ｋ内に流入して、該装置Ｋ内において熱交
換により冷却された後に流出して、第２内部エアーダン
パーＤ12を通って第２ブロワーＢ2 により吸引されて循
環する。
【００１４】ここで、熱処理されたウェハを冷却させな
い通常時における第１及び第２の各エアー循環路Ｃ1,Ｃ
2 の流量をそれぞれＱ1,Ｑ2 とし、第２エアー循環路Ｃ
2 から分岐されたエアー分岐流路Ｃ3 の流量をＱ3 とす
る。また、前記リークエアーＡL 及び補給エアーＡS の
各流量を、それぞれＱ4,Ｑ5 とすると、上記したよう
に、（Ｑ5 ＝Ｑ3 ＋Ｑ4 ）の関係にある。このため、エ
アー冷却装置Ｋ内におけるエアーの流量は、（Ｑ1 ＋Ｑ
2 −Ｑ3 −Ｑ4)となる。
い通常時における第１及び第２の各エアー循環路Ｃ1,Ｃ
2 の流量をそれぞれＱ1,Ｑ2 とし、第２エアー循環路Ｃ
2 から分岐されたエアー分岐流路Ｃ3 の流量をＱ3 とす
る。また、前記リークエアーＡL 及び補給エアーＡS の
各流量を、それぞれＱ4,Ｑ5 とすると、上記したよう
に、（Ｑ5 ＝Ｑ3 ＋Ｑ4 ）の関係にある。このため、エ
アー冷却装置Ｋ内におけるエアーの流量は、（Ｑ1 ＋Ｑ
2 −Ｑ3 −Ｑ4)となる。
【００１５】ウェハの熱処理後において、ウェハ保持具
Ｇが主室Ｒ2 内に下降すると、主室Ｒ2 内の温度は急激
に高くなって、循環するエアーの温度も急上昇する。こ
のため、熱処理されたウェハが主室Ｒ2 に下がって来た
場合には、モータＭ1 によって第１ブロワーＢ1 の回転
数を増して、第１エアー循環路Ｃ1 のエアー流量
（Ｑ1') を通常時の流量（Ｑ1)よりも大きくして、熱処
理直後の高温のウェハを強制空冷する。このエアー流量
の増加割合（Ｑ1'／Ｑ1)は、（１．５〜２）程度であ
る。ここで、第１及び第２のいずれのエアー循環路Ｃ1,
Ｃ2 においても、エアー冷却装置Ｋを通過する間に、高
温のエアーは、熱交換により、その温度が下がる。この
ように、エアー冷却装置Ｋにより熱交換されて低温とな
ったエアーを循環させ、しかも熱処理されたウェハが主
室Ｒ2 に入り込んだ場合には、第１エアー循環路Ｃ1 の
エアー流量（Ｑ1') を通常時の流量（Ｑ1)よりも大きく
して、ウェハに対するエアーの吹付け量を増すことによ
り、熱処理されて高温となったウェハに対する冷却効果
は、著しく高められる。
Ｇが主室Ｒ2 内に下降すると、主室Ｒ2 内の温度は急激
に高くなって、循環するエアーの温度も急上昇する。こ
のため、熱処理されたウェハが主室Ｒ2 に下がって来た
場合には、モータＭ1 によって第１ブロワーＢ1 の回転
数を増して、第１エアー循環路Ｃ1 のエアー流量
（Ｑ1') を通常時の流量（Ｑ1)よりも大きくして、熱処
理直後の高温のウェハを強制空冷する。このエアー流量
の増加割合（Ｑ1'／Ｑ1)は、（１．５〜２）程度であ
る。ここで、第１及び第２のいずれのエアー循環路Ｃ1,
Ｃ2 においても、エアー冷却装置Ｋを通過する間に、高
温のエアーは、熱交換により、その温度が下がる。この
ように、エアー冷却装置Ｋにより熱交換されて低温とな
ったエアーを循環させ、しかも熱処理されたウェハが主
室Ｒ2 に入り込んだ場合には、第１エアー循環路Ｃ1 の
エアー流量（Ｑ1') を通常時の流量（Ｑ1)よりも大きく
して、ウェハに対するエアーの吹付け量を増すことによ
り、熱処理されて高温となったウェハに対する冷却効果
は、著しく高められる。
【００１６】また、本発明のエアー循環装置では、ウェ
ハの強制空冷時と通常時とにおいて、第１エアー循環路
Ｃ1 のエアー流量を２段階に調整している。このため、
エアー流量の変更時において、第１及び第２の各エアー
循環路Ｃ1,Ｃ2(特に、第１エアー循環路Ｃ1)において、
エアー流量の急激な変化によって、主室Ｒ2 を流れるエ
アーに乱流等が発生し易くなる。この問題の解決に対し
て、本発明では、第１及び第２の各ブロワーＢ1,Ｂ2 の
直前のエアー管路にそれぞれ外部エアーダンパーＤ1,Ｄ
2 及び内部エアーダンパーＤ11，Ｄ12を設けて、エアー
流量変更時における流量変化がスムーズに行われるよう
にしてあるので、主室Ｒ2 内における内圧バランスが保
たれると共に、乱流等の発生を抑えることができる。
ハの強制空冷時と通常時とにおいて、第１エアー循環路
Ｃ1 のエアー流量を２段階に調整している。このため、
エアー流量の変更時において、第１及び第２の各エアー
循環路Ｃ1,Ｃ2(特に、第１エアー循環路Ｃ1)において、
エアー流量の急激な変化によって、主室Ｒ2 を流れるエ
アーに乱流等が発生し易くなる。この問題の解決に対し
て、本発明では、第１及び第２の各ブロワーＢ1,Ｂ2 の
直前のエアー管路にそれぞれ外部エアーダンパーＤ1,Ｄ
2 及び内部エアーダンパーＤ11，Ｄ12を設けて、エアー
流量変更時における流量変化がスムーズに行われるよう
にしてあるので、主室Ｒ2 内における内圧バランスが保
たれると共に、乱流等の発生を抑えることができる。
【００１７】なお、図１において、１は、第２フィルタ
ーＦ2 の上方に設けられたファンを示し、２及び３は、
いずれもエアー分岐流路Ｃ3 の終端部に設けられたファ
ンを示し、４は、同じくエアー分岐流路Ｃ3 の終端部に
設けられたダンパーを示す。
ーＦ2 の上方に設けられたファンを示し、２及び３は、
いずれもエアー分岐流路Ｃ3 の終端部に設けられたファ
ンを示し、４は、同じくエアー分岐流路Ｃ3 の終端部に
設けられたダンパーを示す。
【００１８】
【発明の効果】本発明に係る縦型半導体製造装置におけ
るエアーの循環装置は、循環エアーを冷却するためのエ
アー冷却装置をエアー循環路に設置してあるので、以下
のような諸効果が奏される。 （１）循環エアーは、エアー冷却装置によって一循環毎
に強制冷却されるため、熱処理を終えたウェハは、常に
低い温度の循環エアーによって強制空冷されて、その空
冷効果が高められる。 （２）熱処理を終えたウェハの強制空冷、及び自身の清
浄化との双方のためにエアーが循環する第１エアー循環
路と、自身の清浄化を主体にしてエアーが循環する第２
エアー循環路との２種類のエアー循環路を設けて、第１
エアー循環路に設けられたブロワーの回転数を制御可能
にして、ウェハの強制空冷時のエアー循環流量を、通常
時のエアー循環流量よりも多くすると、熱処理終了直後
のウェハの強制空冷能力が一層高められる。 （３）第１及び第２の各エアー循環路に設置された各ブ
ロワーのエアー流入側にそれぞれエアーダンパーを設置
すると、強制空冷時と通常時との間におけるエアー循環
流量の変更時における流量の変動がスムーズに行われ
て、主室内における内圧バランスが保たれると共に、乱
流等の発生を抑えることができる。 （４）強制空冷時と、通常時において、装置天井より供
給される供給エアーの流量は一定とすることができる。
るエアーの循環装置は、循環エアーを冷却するためのエ
アー冷却装置をエアー循環路に設置してあるので、以下
のような諸効果が奏される。 （１）循環エアーは、エアー冷却装置によって一循環毎
に強制冷却されるため、熱処理を終えたウェハは、常に
低い温度の循環エアーによって強制空冷されて、その空
冷効果が高められる。 （２）熱処理を終えたウェハの強制空冷、及び自身の清
浄化との双方のためにエアーが循環する第１エアー循環
路と、自身の清浄化を主体にしてエアーが循環する第２
エアー循環路との２種類のエアー循環路を設けて、第１
エアー循環路に設けられたブロワーの回転数を制御可能
にして、ウェハの強制空冷時のエアー循環流量を、通常
時のエアー循環流量よりも多くすると、熱処理終了直後
のウェハの強制空冷能力が一層高められる。 （３）第１及び第２の各エアー循環路に設置された各ブ
ロワーのエアー流入側にそれぞれエアーダンパーを設置
すると、強制空冷時と通常時との間におけるエアー循環
流量の変更時における流量の変動がスムーズに行われ
て、主室内における内圧バランスが保たれると共に、乱
流等の発生を抑えることができる。 （４）強制空冷時と、通常時において、装置天井より供
給される供給エアーの流量は一定とすることができる。
【図１】本発明に係る縦型半導体製造装置におけるエア
ーの循環装置を模式的に示す斜視図である。
ーの循環装置を模式的に示す斜視図である。
【図２】第１及び第２の各エアー循環路Ｃ1,Ｃ2 を主体
にしたエアーの流れを示す図である。
にしたエアーの流れを示す図である。
【図３】筐体Ａの内部を模式的に示す断面図である。
Ａ：筐体 Ｂ1 ：第１ブロワー Ｂ2 ：第２ブロワー Ｃ1 ：第１エアー循環路 Ｃ2 ：第２エアー循環路 Ｄ1 ：第１外部エアーダンパー Ｄ2 ：第２外部エアーダンパー Ｄ11：第１内部エアーダンパー Ｄ12：第２内部エアーダンパー Ｆ1 ：第１フィルター Ｆ2 ：第２フィルター Ｋ：エアー冷却装置
Claims (3)
- 【請求項１】 装置内の各所に配置されたフィルターを
通してエアーを循環させて、装置内のエアーを清浄化さ
せると共に、該エアーによって熱処理を終えたウェハを
強制空冷させるための縦型半導体製造装置におけるエア
ーの循環装置であって、 循環エアーを冷却するためのエアー冷却装置を、エアー
循環路に設置したことを特徴とする縦型半導体製造装置
におけるエアー循環装置。 - 【請求項２】 熱処理を終えたウェハの強制空冷、及び
自身の清浄化との双方のためにエアーが循環する第１エ
アー循環路と、自身の清浄化を主体にしてエアーが循環
する第２エアー循環路との２種類のエアー循環路を備
え、 第１エアー循環路に設けられたブロワーの回転数を制御
可能にして、ウェハの強制空冷時のエアー循環流量を、
通常時のエアー循環流量よりも多くすることを特徴とす
る請求項１に記載の縦型半導体製造装置におけるエアー
循環装置。 - 【請求項３】 第１及び第２の各エアー循環路に設置さ
れた各ブロワーのエアー流入側には、それぞれエアーダ
ンパーが設置されていることを特徴とする請求項２に記
載の縦型半導体製造装置におけるエアー循環装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9099791A JPH10284502A (ja) | 1997-04-01 | 1997-04-01 | 縦型半導体製造装置におけるエアー循環装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9099791A JPH10284502A (ja) | 1997-04-01 | 1997-04-01 | 縦型半導体製造装置におけるエアー循環装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10284502A true JPH10284502A (ja) | 1998-10-23 |
Family
ID=14256754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9099791A Pending JPH10284502A (ja) | 1997-04-01 | 1997-04-01 | 縦型半導体製造装置におけるエアー循環装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10284502A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008193077A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-21 | Tera Semicon Corp | 非晶質シリコンの結晶化のための熱処理システム |
| CN113161258A (zh) * | 2021-01-08 | 2021-07-23 | 浙江旭盛电子有限公司 | 一种单晶硅抛光片热处理装置 |
-
1997
- 1997-04-01 JP JP9099791A patent/JPH10284502A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008193077A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-21 | Tera Semicon Corp | 非晶質シリコンの結晶化のための熱処理システム |
| CN113161258A (zh) * | 2021-01-08 | 2021-07-23 | 浙江旭盛电子有限公司 | 一种单晶硅抛光片热处理装置 |
| CN113161258B (zh) * | 2021-01-08 | 2023-12-12 | 浙江旭盛电子有限公司 | 一种单晶硅抛光片热处理装置 |
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