JPH10284423A - ウェーハ支持体 - Google Patents
ウェーハ支持体Info
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- JPH10284423A JPH10284423A JP8388697A JP8388697A JPH10284423A JP H10284423 A JPH10284423 A JP H10284423A JP 8388697 A JP8388697 A JP 8388697A JP 8388697 A JP8388697 A JP 8388697A JP H10284423 A JPH10284423 A JP H10284423A
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- peripheral part
- component
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 外周側部品に内周側部品を装着することによ
って構成されるウェーハ支持体において、装着部分の気
密性を向上させる。 【解決手段】 ウェーハ支持体は、外周側部品１１、内
周側部品２１及びリング状部材３１から構成される。外
周側部品１１は中央に円形の開口部を有し、この開口部
に内周側部品２１が装着される。外周側部品１１は、開
口部の内周に沿って内側に張り出した第一の座面１４、
及び第一の座面１４よりも下側に位置し更に内側に張り
出した第二の座面１５を有している。内周側部品２１は
外周に沿って外側に張り出した張り出し部２２を有し、
張り出し部２２は、その下面２５が第二の座面１５に面
接触した状態で、第二の座面１５の上に支持される。リ
ング状部材３１は、第一の座面１４に面接触した状態
で、第一の座面１４の上に支持され、張り出し部２２の
上方で内周側部品の外周２６に嵌合する。
って構成されるウェーハ支持体において、装着部分の気
密性を向上させる。 【解決手段】 ウェーハ支持体は、外周側部品１１、内
周側部品２１及びリング状部材３１から構成される。外
周側部品１１は中央に円形の開口部を有し、この開口部
に内周側部品２１が装着される。外周側部品１１は、開
口部の内周に沿って内側に張り出した第一の座面１４、
及び第一の座面１４よりも下側に位置し更に内側に張り
出した第二の座面１５を有している。内周側部品２１は
外周に沿って外側に張り出した張り出し部２２を有し、
張り出し部２２は、その下面２５が第二の座面１５に面
接触した状態で、第二の座面１５の上に支持される。リ
ング状部材３１は、第一の座面１４に面接触した状態
で、第一の座面１４の上に支持され、張り出し部２２の
上方で内周側部品の外周２６に嵌合する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＶＤ装置などの
半導体製造装置において、高温下で半導体ウエーハを処
理する際に使用されるウェーハ支持体の構造に係り、特
に、外周側部品とこれに装着される内周側部品とよって
構成される二重構造のウェーハ支持体の気密性の向上に
関する。
半導体製造装置において、高温下で半導体ウエーハを処
理する際に使用されるウェーハ支持体の構造に係り、特
に、外周側部品とこれに装着される内周側部品とよって
構成される二重構造のウェーハ支持体の気密性の向上に
関する。
【０００２】
【従来の技術】図３にＣＶＤ装置で使用される従来のウ
ェーハ支持体の構造を示す。なお、（ａ）は外周側部品
５１の開口部に内周側部品５２が装着された部分の概略
上面図を、（ｂ）は当該装着部の概略断面図を、（ｃ）
は（ｂ）図中のＢ部の拡大断面図を表す。
ェーハ支持体の構造を示す。なお、（ａ）は外周側部品
５１の開口部に内周側部品５２が装着された部分の概略
上面図を、（ｂ）は当該装着部の概略断面図を、（ｃ）
は（ｂ）図中のＢ部の拡大断面図を表す。
【０００３】図３に示す様に、外周側部品５１は中央に
円形の開口部を有し、内周側部品５２は外周側部品５１
の開口部の内周に装着される。外周側部品５１には、開
口部の内周に沿って座面５３が形成され、座面５３は外
周側部品５１の板厚のほぼ中央に位置している。内周側
部品５２には、外周部に沿って張り出し部５４が形成さ
れ、張り出し部５４の上面は内周側部品５２の上面と一
致し、張り出し部５４の下面は内周側部品５２の板厚の
ほぼ中央に位置している。張り出し部５４は座面５３の
上に支持され、張り出し部５４の下面と座面５３とは互
いに面接触している。
円形の開口部を有し、内周側部品５２は外周側部品５１
の開口部の内周に装着される。外周側部品５１には、開
口部の内周に沿って座面５３が形成され、座面５３は外
周側部品５１の板厚のほぼ中央に位置している。内周側
部品５２には、外周部に沿って張り出し部５４が形成さ
れ、張り出し部５４の上面は内周側部品５２の上面と一
致し、張り出し部５４の下面は内周側部品５２の板厚の
ほぼ中央に位置している。張り出し部５４は座面５３の
上に支持され、張り出し部５４の下面と座面５３とは互
いに面接触している。
【０００４】図４に、ＣＶＤ装置におけるウェーハ支持
体及びヒータの配置の一例を示す。ＣＶＤ装置において
は、所定枚数のウェーハを連続して処理した後、装置内
部に付着した反応生成物を除去するために、エッチング
処理工程が挿入される。このエッチング処理工程におい
ては、ウェーハ６１の代わりにダミーウェーハ６２が内
周側部品５２に装着される。ダミーウェーハ６２、内周
側部品５２及び外周側部品５１を、ダミーウェーハ６２
の下方に設置されているヒータ６３によって加熱し、こ
の状態で、ダミーウェーハ６２の上方から高濃度のＨＣ
ｌ系のエッチング用ガスを流すことにより、内周側部品
５２、外周側部品５１及び装置の内壁等に付着した反応
生成物を除去する。
体及びヒータの配置の一例を示す。ＣＶＤ装置において
は、所定枚数のウェーハを連続して処理した後、装置内
部に付着した反応生成物を除去するために、エッチング
処理工程が挿入される。このエッチング処理工程におい
ては、ウェーハ６１の代わりにダミーウェーハ６２が内
周側部品５２に装着される。ダミーウェーハ６２、内周
側部品５２及び外周側部品５１を、ダミーウェーハ６２
の下方に設置されているヒータ６３によって加熱し、こ
の状態で、ダミーウェーハ６２の上方から高濃度のＨＣ
ｌ系のエッチング用ガスを流すことにより、内周側部品
５２、外周側部品５１及び装置の内壁等に付着した反応
生成物を除去する。
【０００５】図４に示したＣＶＤ装置において、ウェー
ハ６１（あるいはダミーウェーハ６２）、内周側部品５
２及び外周側部品５１は、それぞれ周縁部の全周に渡っ
て面接触状態で支持されており、この様な接触面によっ
て、ウェーハ６１（あるいはダミーウェーハ６２）の下
方側の雰囲気が、その上方側の雰囲気から隔離させてい
る。この様に周縁部の全周に渡って面接触状態を確保す
ることによって、ＣＶＤ処理の際には、反応ガスのヒー
タ６３側への侵入が防止され、エッチング処理の際に
は、エッチング用ガスのヒータ６３側への侵入が防止さ
れる。
ハ６１（あるいはダミーウェーハ６２）、内周側部品５
２及び外周側部品５１は、それぞれ周縁部の全周に渡っ
て面接触状態で支持されており、この様な接触面によっ
て、ウェーハ６１（あるいはダミーウェーハ６２）の下
方側の雰囲気が、その上方側の雰囲気から隔離させてい
る。この様に周縁部の全周に渡って面接触状態を確保す
ることによって、ＣＶＤ処理の際には、反応ガスのヒー
タ６３側への侵入が防止され、エッチング処理の際に
は、エッチング用ガスのヒータ６３側への侵入が防止さ
れる。
【０００６】ところで、ウェーハ支持体（内周側部品５
２及び外周側部品５１）に使用される材料として、現
在、ＳｉＣ被覆黒鉛が広く使用されている。ＳｉＣ被覆
黒鉛は、黒鉛の基材の表面にＳｉＣ被膜がＣＶＤ法によ
って形成されたものであり、ＳｉＣ被膜の形成後には機
械加工などが施されることなく、ＣＶＤ処理後の状態の
ままでそのまま使用される。このため、ＳｉＣ被覆黒鉛
で製作されたウェーハ支持体に関しては、ファインセラ
ミックス焼結体を使用した場合とは異なり、高い加工精
度（表面粗度）を実現することは容易ではない。この結
果、ウェーハ支持体同志の面接触部において、部品間に
微細な空隙が生じ、この空隙を介して、ヒータ側へエッ
チング用ガスなどが侵入し易い。エッチング用ガスは、
通常、高濃度のＨＣｌ系のガスであり、エッチング用ガ
スがヒータ側へ侵入すると、高温雰囲気下でヒータ及び
その周辺部品を腐食する。とりわけ、最も高温になるヒ
ータに損傷を与え、ヒータの寿命の低下を招く大きな要
因となっている。
２及び外周側部品５１）に使用される材料として、現
在、ＳｉＣ被覆黒鉛が広く使用されている。ＳｉＣ被覆
黒鉛は、黒鉛の基材の表面にＳｉＣ被膜がＣＶＤ法によ
って形成されたものであり、ＳｉＣ被膜の形成後には機
械加工などが施されることなく、ＣＶＤ処理後の状態の
ままでそのまま使用される。このため、ＳｉＣ被覆黒鉛
で製作されたウェーハ支持体に関しては、ファインセラ
ミックス焼結体を使用した場合とは異なり、高い加工精
度（表面粗度）を実現することは容易ではない。この結
果、ウェーハ支持体同志の面接触部において、部品間に
微細な空隙が生じ、この空隙を介して、ヒータ側へエッ
チング用ガスなどが侵入し易い。エッチング用ガスは、
通常、高濃度のＨＣｌ系のガスであり、エッチング用ガ
スがヒータ側へ侵入すると、高温雰囲気下でヒータ及び
その周辺部品を腐食する。とりわけ、最も高温になるヒ
ータに損傷を与え、ヒータの寿命の低下を招く大きな要
因となっている。
【０００７】なお、ヒータにはＳｉＣを１００μｍ程度
被覆したＳｉＣ被覆黒鉛が使用されているが、運転時
に、ヒータは約１４００℃あるいはそれ以上の温度まで
到達する。ここで、１３００℃以上に加熱されたＳｉＣ
被覆黒鉛にＨＣｌ系のガスが接触すると、ＳｉＣの分解
が起こり、ＳｉＣ被膜の減少速度は高温になるほど顕著
となる。従って、１４００℃程度以上の高温で運転され
ているヒータに、ＨＣｌ系のエッチング用ガスが作用す
ると、ＳｉＣ被膜の分解が進み、エッチング回数が増加
するにつれてＳｉＣ被膜が減少していき、やがてヒータ
表面からＳｉＣ被膜が完全に消失してしまう。ヒータの
基材である黒鉛が露出した状況になると、黒鉛の気孔表
面に吸着されていた不純物が、加熱によってヒータの外
へ放出される。この様な不純物は、ウェーハに対する汚
染物質として働いて、ウェーハの品質の低下の原因とな
る。このため、ヒータ表面のＳｉＣ被膜が消失した時点
で、ヒータの寿命が終了する。
被覆したＳｉＣ被覆黒鉛が使用されているが、運転時
に、ヒータは約１４００℃あるいはそれ以上の温度まで
到達する。ここで、１３００℃以上に加熱されたＳｉＣ
被覆黒鉛にＨＣｌ系のガスが接触すると、ＳｉＣの分解
が起こり、ＳｉＣ被膜の減少速度は高温になるほど顕著
となる。従って、１４００℃程度以上の高温で運転され
ているヒータに、ＨＣｌ系のエッチング用ガスが作用す
ると、ＳｉＣ被膜の分解が進み、エッチング回数が増加
するにつれてＳｉＣ被膜が減少していき、やがてヒータ
表面からＳｉＣ被膜が完全に消失してしまう。ヒータの
基材である黒鉛が露出した状況になると、黒鉛の気孔表
面に吸着されていた不純物が、加熱によってヒータの外
へ放出される。この様な不純物は、ウェーハに対する汚
染物質として働いて、ウェーハの品質の低下の原因とな
る。このため、ヒータ表面のＳｉＣ被膜が消失した時点
で、ヒータの寿命が終了する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上の様な
従来のウェーハ支持体の問題点を解消すべく成されたも
ので、本発明の目的は、内周側部品と外周側部品との組
み合わせによって構成され、高温下において半導体ウェ
ーハを処理する際に使用されるウェーハ支持体におい
て、外周側部品に内周側部品が装着される部分の気密性
を向上させ、これにより、当該ウェーハ支持体の下方に
配置されるヒータの寿命を増大させることにある。
従来のウェーハ支持体の問題点を解消すべく成されたも
ので、本発明の目的は、内周側部品と外周側部品との組
み合わせによって構成され、高温下において半導体ウェ
ーハを処理する際に使用されるウェーハ支持体におい
て、外周側部品に内周側部品が装着される部分の気密性
を向上させ、これにより、当該ウェーハ支持体の下方に
配置されるヒータの寿命を増大させることにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明のウェーハ支持体
は、半導体ウェーハを支持する内周側部品と、この内周
側部品が装着される開口部を中央に備えた外周側部品
と、内周側部品と外周側部品との境界部の上側に装着さ
れるリング状部品とを備え、高温下で半導体ウェーハを
処理する際に使用されるウェーハ支持体であって、前記
内周側部品は、内周側部品の外周に沿って径方向外側に
張り出すとともに、その上面が内周側部品の上面よりも
下方に位置し、その下面が内周側部品の下面よりも上方
に位置する張り出し部を有し、前記外周側部品は、外周
側部品の上面よりも下側に位置し前記開口部の内周に沿
って径方向内側に張り出した第一の座面、及び第一の座
面よりも下側に位置し更に径方向内側に張り出した第二
の座面を有し、前記張り出し部は、その下面が前記第二
の座面に面接触した状態で、前記第二の座面の上に支持
され、前記リング状部品は、その下面が前記第一の座面
に面接触した状態で、前記第一の座面の上に支持され、
前記張り出し部の上方の部分で前記内周側部品の外周に
嵌合することを特徴とする。
は、半導体ウェーハを支持する内周側部品と、この内周
側部品が装着される開口部を中央に備えた外周側部品
と、内周側部品と外周側部品との境界部の上側に装着さ
れるリング状部品とを備え、高温下で半導体ウェーハを
処理する際に使用されるウェーハ支持体であって、前記
内周側部品は、内周側部品の外周に沿って径方向外側に
張り出すとともに、その上面が内周側部品の上面よりも
下方に位置し、その下面が内周側部品の下面よりも上方
に位置する張り出し部を有し、前記外周側部品は、外周
側部品の上面よりも下側に位置し前記開口部の内周に沿
って径方向内側に張り出した第一の座面、及び第一の座
面よりも下側に位置し更に径方向内側に張り出した第二
の座面を有し、前記張り出し部は、その下面が前記第二
の座面に面接触した状態で、前記第二の座面の上に支持
され、前記リング状部品は、その下面が前記第一の座面
に面接触した状態で、前記第一の座面の上に支持され、
前記張り出し部の上方の部分で前記内周側部品の外周に
嵌合することを特徴とする。
【００１０】本発明のウェーハ支持体によれば、第二の
座面と張り出し部の下面との面接触部に加えて、リング
状部材の下面と第一の座面との面接触部及びリング状部
材の内周と内周側部品の外周部との嵌合部がシール要素
として機能するので、外周側部品に外周側部品が装着さ
れる部分の気密性が向上する。
座面と張り出し部の下面との面接触部に加えて、リング
状部材の下面と第一の座面との面接触部及びリング状部
材の内周と内周側部品の外周部との嵌合部がシール要素
として機能するので、外周側部品に外周側部品が装着さ
れる部分の気密性が向上する。
【００１１】また、上記の構成に代って、前記リング状
部材を、前記張り出し部の上面に面接触した状態で、前
記張り出し部に支持され、前記第一の座面の上方の部分
で前記開口部に嵌合し、前記第一の座面の上方を覆う様
に構成することもできる。
部材を、前記張り出し部の上面に面接触した状態で、前
記張り出し部に支持され、前記第一の座面の上方の部分
で前記開口部に嵌合し、前記第一の座面の上方を覆う様
に構成することもできる。
【００１２】この場合には、第二の座面と張り出し部の
下面との面接触部に加えて、リング状部材の下面と張り
出し部の上面との面接触部及びリング状部材の外周と外
周側部品の開口部との嵌合部がシール要素として機能す
るので、外周側部品に外周側部品が装着される部分の気
密性が向上する。
下面との面接触部に加えて、リング状部材の下面と張り
出し部の上面との面接触部及びリング状部材の外周と外
周側部品の開口部との嵌合部がシール要素として機能す
るので、外周側部品に外周側部品が装着される部分の気
密性が向上する。
【００１３】なお、前記リング状部材の下面と、これに
接触する前記第一の座面または張り出し部の上面の表面
粗さＲmax は、気密性をより完全なものとするため０．
５μｍ以内とするのが好ましく、また、リング状部材の
内周または外周と、これらいずれかと嵌合する内周側部
品の外周または外周側部品の開口部の内周とのクリアラ
ンスは、同じく気密性をより完全なものとするため半径
の差で０．１μｍ以内とすることが好ましい。
接触する前記第一の座面または張り出し部の上面の表面
粗さＲmax は、気密性をより完全なものとするため０．
５μｍ以内とするのが好ましく、また、リング状部材の
内周または外周と、これらいずれかと嵌合する内周側部
品の外周または外周側部品の開口部の内周とのクリアラ
ンスは、同じく気密性をより完全なものとするため半径
の差で０．１μｍ以内とすることが好ましい。
【００１４】
（例１）図１に、本発明に基づくウェーハ支持体の構造
の一例を示す。なお、（ａ）は外周側部品１１の開口部
に内周側部品２１が装着された部分の概略上面図を、
（ｂ）は当該装着部の概略断面図を、（ｃ）は（ｂ）図
中のＡ部の拡大断面図を表す。
の一例を示す。なお、（ａ）は外周側部品１１の開口部
に内周側部品２１が装着された部分の概略上面図を、
（ｂ）は当該装着部の概略断面図を、（ｃ）は（ｂ）図
中のＡ部の拡大断面図を表す。
【００１５】図１に示す様に、本発明に基づくウェーハ
支持体は、外周側部品１１、内周側部品２１及びリング
状部材３１の３つの部分から構成される。外周側部品１
１は、中央に円形の開口部を有し、内周側部品２１は外
周側部品１１の開口部の内周に装着される。半導体ウェ
ーハ（図示せず）は内周側部品２１で支持される。
支持体は、外周側部品１１、内周側部品２１及びリング
状部材３１の３つの部分から構成される。外周側部品１
１は、中央に円形の開口部を有し、内周側部品２１は外
周側部品１１の開口部の内周に装着される。半導体ウェ
ーハ（図示せず）は内周側部品２１で支持される。
【００１６】外周側部品１１の中央の開口部には座面が
二段状に形成されている。即ち、外周側部品１１は、開
口部の内周に沿って径方向内側に張り出した第一の座面
１４、及び、第一の座面１４よりも下側に位置し更に径
方向内側に張り出した第二の座面１５を有している。第
一の座面１４は、外周側部品の上面１８よりも下側に位
置し、第二の座面１５部分の下面は外周側部品の下面１
９と同一の高さに位置している。
二段状に形成されている。即ち、外周側部品１１は、開
口部の内周に沿って径方向内側に張り出した第一の座面
１４、及び、第一の座面１４よりも下側に位置し更に径
方向内側に張り出した第二の座面１５を有している。第
一の座面１４は、外周側部品の上面１８よりも下側に位
置し、第二の座面１５部分の下面は外周側部品の下面１
９と同一の高さに位置している。
【００１７】一方、内周側部品２１は、その板厚のほぼ
中央部分において外周に沿って径方向外側に張り出した
張り出し部２２を有している。この張り出し部２２の上
面２４は内周側部品２１の上面２８よりも下方に位置
し、その下面２５は内周側部品２１の下面２９よりも上
方に位置している。この張り出し部２２は、その下面２
５が第二の座面１５に面接触した状態で、第二の座面１
５の上に支持され、その上面２４は第一の座面１４より
も僅かに下側に位置している。
中央部分において外周に沿って径方向外側に張り出した
張り出し部２２を有している。この張り出し部２２の上
面２４は内周側部品２１の上面２８よりも下方に位置
し、その下面２５は内周側部品２１の下面２９よりも上
方に位置している。この張り出し部２２は、その下面２
５が第二の座面１５に面接触した状態で、第二の座面１
５の上に支持され、その上面２４は第一の座面１４より
も僅かに下側に位置している。
【００１８】リング状部材３１は、第一の座面１４に面
接触した状態で、第一の座面１４の上に支持され、張り
出し部２２の上方の部分で内周側部品の外周２６に嵌合
し、張り出し部２２の上方を僅かなクリアランスを介し
て覆っている。
接触した状態で、第一の座面１４の上に支持され、張り
出し部２２の上方の部分で内周側部品の外周２６に嵌合
し、張り出し部２２の上方を僅かなクリアランスを介し
て覆っている。
【００１９】なお、この例では、外周側部品１１の下面
１９及び内周側部品２１の下面２９は、同一の高さに位
置し、外周側部品１１の上面１８、リング状部材３１の
上面３８及び内周側部品２１の上面２８も、同一の高さ
に位置している。また、各接触面、即ち、第一の座面１
４、第二の座面１５、張り出し部２２の下面、及びリン
グ状部材３１の下面３９は、いずれも平面で構成され、
その表面粗さＲmax は０．１μｍ以内に設定されてい
る。
１９及び内周側部品２１の下面２９は、同一の高さに位
置し、外周側部品１１の上面１８、リング状部材３１の
上面３８及び内周側部品２１の上面２８も、同一の高さ
に位置している。また、各接触面、即ち、第一の座面１
４、第二の座面１５、張り出し部２２の下面、及びリン
グ状部材３１の下面３９は、いずれも平面で構成され、
その表面粗さＲmax は０．１μｍ以内に設定されてい
る。
【００２０】また、張り出し部２２の上方の部分での内
周側部品２１の外周２６と、リング状部材３１の内周３
６との嵌合部については、そのクリアランスが半径の差
で０．１ｍｍ以内とすることが好ましく、この例では
０．０５ｍｍに設定されている。
周側部品２１の外周２６と、リング状部材３１の内周３
６との嵌合部については、そのクリアランスが半径の差
で０．１ｍｍ以内とすることが好ましく、この例では
０．０５ｍｍに設定されている。
【００２１】以上の様に、本発明のウェーハ支持体で
は、外周側部品に設けられた開口部に内周側部品が装着
される部分に、シール要素が二重に設られているので、
従来の構造と比較して、はるかに高い気密性が得られ
る。
は、外周側部品に設けられた開口部に内周側部品が装着
される部分に、シール要素が二重に設られているので、
従来の構造と比較して、はるかに高い気密性が得られ
る。
【００２２】（例２）図２に、本発明に基づくウェーハ
支持体の構造の他の例を示す。なお、外周側部品１１の
開口部に内周側部品２１が装着される部分の概略上面図
及び概略断面図は図１と共通なので、装着部の拡大断面
図のみを示す。
支持体の構造の他の例を示す。なお、外周側部品１１の
開口部に内周側部品２１が装着される部分の概略上面図
及び概略断面図は図１と共通なので、装着部の拡大断面
図のみを示す。
【００２３】外周側部品１１の中央の開口部には座面が
二段状に形成されている。即ち、外周側部品１１は、開
口部の内周に沿って径方向内側に張り出した第一の座面
１４、及び、第一の座面１４よりも下側に位置し更に径
方向内側に張り出した第二の座面１５を有している。第
一の座面１４は、外周側部品の上面１８よりも下側に位
置し、第二の座面１５部分の下面は外周側部品の下面１
９と同一の高さに位置している。なお、以上に関しては
図１に示した例と共通である。
二段状に形成されている。即ち、外周側部品１１は、開
口部の内周に沿って径方向内側に張り出した第一の座面
１４、及び、第一の座面１４よりも下側に位置し更に径
方向内側に張り出した第二の座面１５を有している。第
一の座面１４は、外周側部品の上面１８よりも下側に位
置し、第二の座面１５部分の下面は外周側部品の下面１
９と同一の高さに位置している。なお、以上に関しては
図１に示した例と共通である。
【００２４】一方、内周側部品２１は、その板厚のほぼ
中央部分において外周に沿って径方向外側に張り出した
張り出し部２２を有している。この張り出し部２２の上
面２４は内周側部品２１の上面２８よりも下方に位置
し、その下面２５は内周側部品２１の下面２９よりも上
方に位置している。この張り出し部２２は、その下面２
５と第二の座面１５とが面接触した状態で第二の座面１
５の上に支持され、その上面２４は第一の座面１４より
も僅かに上側に位置している。
中央部分において外周に沿って径方向外側に張り出した
張り出し部２２を有している。この張り出し部２２の上
面２４は内周側部品２１の上面２８よりも下方に位置
し、その下面２５は内周側部品２１の下面２９よりも上
方に位置している。この張り出し部２２は、その下面２
５と第二の座面１５とが面接触した状態で第二の座面１
５の上に支持され、その上面２４は第一の座面１４より
も僅かに上側に位置している。
【００２５】リング状部材３１は、張り出し部２２の上
面に面接触した状態で、張り出し部２２の上に支持さ
れ、第一の座面１４の上方の部分で外周側部品の内周１
７に嵌合し、第一の座面１４の上方を僅かなクリアラン
スを介して覆っている。
面に面接触した状態で、張り出し部２２の上に支持さ
れ、第一の座面１４の上方の部分で外周側部品の内周１
７に嵌合し、第一の座面１４の上方を僅かなクリアラン
スを介して覆っている。
【００２６】なお、この例では、外周側部品１１の下面
１９及び内周側部品２１の下面２９は、同一の高さに位
置し、外周側部品１１の上面１８、リング状部材３１の
上面３８及び内周側部品２１の上面２８も、同一の高さ
に位置している。また、各接触面、即ち、第二の座面１
５、張り出し部２２の上面２４並びに下面２５、及びリ
ング状部材３１の下面３９は、いずれも平面で構成さ
れ、その表面粗さＲmaxは０．１μｍ以内に設定されて
いる。
１９及び内周側部品２１の下面２９は、同一の高さに位
置し、外周側部品１１の上面１８、リング状部材３１の
上面３８及び内周側部品２１の上面２８も、同一の高さ
に位置している。また、各接触面、即ち、第二の座面１
５、張り出し部２２の上面２４並びに下面２５、及びリ
ング状部材３１の下面３９は、いずれも平面で構成さ
れ、その表面粗さＲmaxは０．１μｍ以内に設定されて
いる。
【００２７】また、第一の座面１４の上方の部分での外
周側部品１１の内周１７と、リング状部材３１の外周３
７との嵌合部については、そのクリアランスが、半径の
差で０．０５ｍｍ以内となる様に設定されている。
周側部品１１の内周１７と、リング状部材３１の外周３
７との嵌合部については、そのクリアランスが、半径の
差で０．０５ｍｍ以内となる様に設定されている。
【００２８】この例によるウェーハ支持体の場合も、装
着部にシール要素が二重に設られているので、図１に示
した例と同様、高い気密性が得られる。 （評価試験結果）図１に示した構造を備えた本発明のウ
ェーハ支持体を作成して、ＣＶＤ装置に取り付けてその
寿命について調べた。ウェーハの処理温度を１０８０℃
として、１５，０００枚のウェーハのＣＶＤ処理を行
い、その際、２０枚のウェーハ処理毎に１回の割合で、
ダミーウェーハを用いて１１６０℃（ダミーウェーハ温
度）でエッチング処理を実施した。その結果、ヒータの
表面に施されたＳｉＣ被膜の膜厚減少量は１μｍ以下で
あった。
着部にシール要素が二重に設られているので、図１に示
した例と同様、高い気密性が得られる。 （評価試験結果）図１に示した構造を備えた本発明のウ
ェーハ支持体を作成して、ＣＶＤ装置に取り付けてその
寿命について調べた。ウェーハの処理温度を１０８０℃
として、１５，０００枚のウェーハのＣＶＤ処理を行
い、その際、２０枚のウェーハ処理毎に１回の割合で、
ダミーウェーハを用いて１１６０℃（ダミーウェーハ温
度）でエッチング処理を実施した。その結果、ヒータの
表面に施されたＳｉＣ被膜の膜厚減少量は１μｍ以下で
あった。
【００２９】これに対し、図３に示した従来の構造を備
えたウェーハ支持体を用いて、上記と同等の条件でウェ
ーハのＣＶＤ処理を行ったところ、ヒータの表面に施さ
れたＳｉＣ被膜の膜厚減少量は７０μｍであった。
えたウェーハ支持体を用いて、上記と同等の条件でウェ
ーハのＣＶＤ処理を行ったところ、ヒータの表面に施さ
れたＳｉＣ被膜の膜厚減少量は７０μｍであった。
【００３０】
【発明の効果】本発明に基づくウェーハ支持体は、外周
側部品の開口部に内周側部品が装着される部分にシール
要素が二重に設けられているので、当該装着部の気密性
が高く、ウェーハ支持体の下方側の雰囲気をその上方側
の雰囲気から確実に隔離することができる。この結果、
ウェーハ支持体の下方側に配置されるヒータの寿命を増
大させることができる。
側部品の開口部に内周側部品が装着される部分にシール
要素が二重に設けられているので、当該装着部の気密性
が高く、ウェーハ支持体の下方側の雰囲気をその上方側
の雰囲気から確実に隔離することができる。この結果、
ウェーハ支持体の下方側に配置されるヒータの寿命を増
大させることができる。
【図１】本発明に基づくウェーハ支持体の一例を示す
図、（ａ）は外周側部品の開口部に内周側部品が装着さ
れた部分の概略上面図を、（ｂ）はこの装着部の概略断
面図を、（ｃ）は（ｂ）図中のＡ部の拡大断面図を表
す。
図、（ａ）は外周側部品の開口部に内周側部品が装着さ
れた部分の概略上面図を、（ｂ）はこの装着部の概略断
面図を、（ｃ）は（ｂ）図中のＡ部の拡大断面図を表
す。
【図２】本発明に基づくウェーハ支持体の他の例を示す
装着部の拡大断面図。
装着部の拡大断面図。
【図３】従来のウェーハ支持体の一例を示す図、（ａ）
は外周側部品の開口部に内周側部品が装着された部分の
概略上面図を、（ｂ）はこの装着部の概略断面図を、
（ｃ）は（ｂ）図中のＢ部の拡大断面図を表す。
は外周側部品の開口部に内周側部品が装着された部分の
概略上面図を、（ｂ）はこの装着部の概略断面図を、
（ｃ）は（ｂ）図中のＢ部の拡大断面図を表す。
【図４】ＣＶＤ装置におけるウェーハ支持体及びヒータ
の配置を示す図。
の配置を示す図。
１１・・・外周側部品、 １４・・・第一の座面、 １５・・・第二の座面、 １７・・・開口部、 ２１・・・内周側部品、 ２２・・・張り出し部、 ２６・・・外周部、 ３１・・・リング状部品、 ３６・・・内周部、 ３７・・・外周部、 ５１・・・外周側部品、 ５２・・・内周側部品、 ５３・・・座面、 ５４・・・張り出し部、 ６１・・・ウェーハ、 ６２・・・ダミーウェーハ、 ６３・・・ヒータ。
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体ウェーハを支持する内周側部品
と、この内周側部品が装着される開口部を中央に備えた
外周側部品と、内周側部品と外周側部品との境界部の上
側に装着されるリング状部品とを備え、高温下で半導体
ウェーハを処理する際に使用されるウェーハ支持体であ
って、 前記内周側部品は、内周側部品の外周に沿って径方向外
側に張り出すとともに、その上面が内周側部品の上面よ
りも下方に位置し、その下面が内周側部品の下面よりも
上方に位置する張り出し部を有し、 前記外周側部品は、外周側部品の上面よりも下側に位置
し前記開口部の内周に沿って径方向内側に張り出した第
一の座面、及び第一の座面よりも下側に位置し更に径方
向内側に張り出した第二の座面を有し、 前記張り出し部は、その下面が前記第二の座面に面接触
した状態で、前記第二の座面の上に支持され、 前記リング状部品は、その下面が前記第一の座面に面接
触した状態で、前記第一の座面の上に支持され、前記張
り出し部の上方の部分で前記内周側部品の外周に嵌合す
ることを特徴とするウェーハ支持体。 - 【請求項２】 前記第一の座面、及び前記リング状部材
の下面の表面粗さＲmax は０．５μｍ以内であることを
特徴とする請求項１に記載のウェーハ支持体。 - 【請求項３】 前記張り出し部の上方の部分での前記内
周側部品の外周と、前記リング状部材の内周との嵌合部
のクリアランスが、半径の差で０．１ｍｍ以内であるこ
とを特徴とする請求項１または請求項２に記載のウェー
ハ支持体。 - 【請求項４】 半導体ウェーハを支持する内周側部品
と、この内周側部品が装着される開口部を中央に備えた
外周側部品と、内周側部品と外周側部品との境界部の上
側に装着されるリング状部品とを備え、高温下で半導体
ウェーハを処理する際に使用されるウェーハ支持体であ
って、 前記内周側部品は、内周側部品の外周に沿って径方向外
側に張り出すとともに、その上面が内周側部品の上面よ
りも下方に位置し、その下面が内周側部品の下面よりも
上方に位置する張り出し部を有し、 前記外周側部品は、外周側部品の上面よりも下側に位置
し前記開口部の内周に沿って径方向内側に張り出した第
一の座面、及び第一の座面よりも下側に位置し更に径方
向内側に張り出した第二の座面を有し、 前記張り出し部は、その下面が前記第二の座面に面接触
した状態で、前記第二の座面の上に支持され、 前記リング状部品は、その下面が前記張り出し部の上面
に面接触した状態で、前記張り出し部の上に支持され、
前記第一の座面の上方の部分で前記開口部に嵌合するこ
とを特徴とするウェーハ支持体。 - 【請求項５】 前記張り出し部の上面、及び前記リング
状部材の下面の表面粗さＲmax は０．５μｍ以内である
ことを特徴とする請求項４に記載のウェーハ支持体。 - 【請求項６】 前記第一の座面の上方の部分での前記開
口部の内周と、前記リング状部材の外周との嵌合部のク
リアランスが、半径の差で０．１ｍｍ以内であることを
特徴とする請求項４または請求項５に記載のウェーハ支
持体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8388697A JPH10284423A (ja) | 1997-04-02 | 1997-04-02 | ウェーハ支持体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8388697A JPH10284423A (ja) | 1997-04-02 | 1997-04-02 | ウェーハ支持体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10284423A true JPH10284423A (ja) | 1998-10-23 |
Family
ID=13815151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8388697A Pending JPH10284423A (ja) | 1997-04-02 | 1997-04-02 | ウェーハ支持体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10284423A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20120055406A1 (en) * | 2006-02-21 | 2012-03-08 | Nuflare Technology, Inc. | Vapor Phase Deposition Apparatus and Support Table |
| JP2012178488A (ja) * | 2011-02-28 | 2012-09-13 | Taiyo Nippon Sanso Corp | サセプタカバー、該サセプタカバーを備えた気相成長装置 |
-
1997
- 1997-04-02 JP JP8388697A patent/JPH10284423A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20120055406A1 (en) * | 2006-02-21 | 2012-03-08 | Nuflare Technology, Inc. | Vapor Phase Deposition Apparatus and Support Table |
| US8460470B2 (en) * | 2006-02-21 | 2013-06-11 | Nuflare Technology, Inc. | Vapor phase deposition apparatus and support table |
| JP2012178488A (ja) * | 2011-02-28 | 2012-09-13 | Taiyo Nippon Sanso Corp | サセプタカバー、該サセプタカバーを備えた気相成長装置 |
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