JPH10283651A - 化合物半導体レーザを用いた光ピックアップ装置 - Google Patents
化合物半導体レーザを用いた光ピックアップ装置Info
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- JPH10283651A JPH10283651A JP9087063A JP8706397A JPH10283651A JP H10283651 A JPH10283651 A JP H10283651A JP 9087063 A JP9087063 A JP 9087063A JP 8706397 A JP8706397 A JP 8706397A JP H10283651 A JPH10283651 A JP H10283651A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高い記録密度を実現することができる、化合
物半導体レーザを用いた光ピックアップ装置を提供す
る。 【解決手段】 発振波長５８０ｎｍ以下で、内部損失α
i が８〔ｃｍ-1〕以下の化合物半導体レーザ２０を光源
とする、化合物半導体レーザを用いた光ピックアップ装
置１００を構成する。
物半導体レーザを用いた光ピックアップ装置を提供す
る。 【解決手段】 発振波長５８０ｎｍ以下で、内部損失α
i が８〔ｃｍ-1〕以下の化合物半導体レーザ２０を光源
とする、化合物半導体レーザを用いた光ピックアップ装
置１００を構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、情報の記録媒体と
して光ディスク等の光学記録媒体を用いた例えばコンピ
ューターの記憶装置、音楽・画像情報記憶装置等の、光
学記録装置、光学再生装置、或いは光学記録再生装置に
用いる光ピックアップ装置に係わる。
して光ディスク等の光学記録媒体を用いた例えばコンピ
ューターの記憶装置、音楽・画像情報記憶装置等の、光
学記録装置、光学再生装置、或いは光学記録再生装置に
用いる光ピックアップ装置に係わる。
【０００２】
【従来の技術】例えば光ディスク、光磁気ディスク等の
光学記録媒体に対する記録・再生の高記録密度化及び高
解像度化の要求のために、緑色ないしは青色発光の半導
体レーザの要求が高まっている。即ち、コンピューター
の記憶装置や、画像情報のパッケージメディアとして用
いる目的で、光ディスクの高記録密度化が進み、この高
記録密度化を実現する１つの手段として光源の短波長化
がある。
光学記録媒体に対する記録・再生の高記録密度化及び高
解像度化の要求のために、緑色ないしは青色発光の半導
体レーザの要求が高まっている。即ち、コンピューター
の記憶装置や、画像情報のパッケージメディアとして用
いる目的で、光ディスクの高記録密度化が進み、この高
記録密度化を実現する１つの手段として光源の短波長化
がある。
【０００３】現在、光源として実用化されている半導体
レーザには、例えばＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系レーザが
ある。このレーザは、波長が７８０ｎｍ〜８３０ｎｍ程
度で、いわゆるコンパクトディスク（ＣＤ）用光ピック
アップ装置の光源として実用化されて久しい。しかし、
このレーザは波長が長いため、記録密度は上がらず、直
径１２ｃｍのディスクに対して６５０ＭＢ（メガバイ
ト）程度の記録情報しか入らない。
レーザには、例えばＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系レーザが
ある。このレーザは、波長が７８０ｎｍ〜８３０ｎｍ程
度で、いわゆるコンパクトディスク（ＣＤ）用光ピック
アップ装置の光源として実用化されて久しい。しかし、
このレーザは波長が長いため、記録密度は上がらず、直
径１２ｃｍのディスクに対して６５０ＭＢ（メガバイ
ト）程度の記録情報しか入らない。
【０００４】そこで、波長の短いＧａＩｎＰ／ＡｌＧａ
ＩｎＰ系レーザが実用化された。このレーザは、波長が
６３５〜６９０ｎｍと赤色領域で上述のコンパクトディ
スク用レーザよりも短いため、技術を結集した結果、直
径１２ｃｍのディスクに対して４．７ＧＢまで記録容量
が高まった。しかしながら、赤色はまだ他の可視光と比
較して波長が長いために、高密度記録には限界がある。
ＩｎＰ系レーザが実用化された。このレーザは、波長が
６３５〜６９０ｎｍと赤色領域で上述のコンパクトディ
スク用レーザよりも短いため、技術を結集した結果、直
径１２ｃｍのディスクに対して４．７ＧＢまで記録容量
が高まった。しかしながら、赤色はまだ他の可視光と比
較して波長が長いために、高密度記録には限界がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述の光ピックアップ
装置においては、短波長化による高い記録密度が充分達
成されているとは言えない。
装置においては、短波長化による高い記録密度が充分達
成されているとは言えない。
【０００６】上述のような比較的長い波長の光源を使用
した光ピックアップ装置を、高記録密度化させるのは容
易ではない。光源の波長はそのままで、記録密度を上げ
る１つの手段として、例えば対物レンズのＮ．Ａ．（開
口数）を上げる方法があるが、このとき、対物レンズと
光ディスクとの距離が縮まることにより、光ディスクの
非水平性（スキュー）や非平坦性に対するマージンすな
わち裕度がとりにくくなる。従って、サーボ機構の精度
を大幅に上げる等の工夫が必要となる。また、光ディス
クに付着するごみ等による影響も大きくなって、エラー
の発生原因となりやすい。
した光ピックアップ装置を、高記録密度化させるのは容
易ではない。光源の波長はそのままで、記録密度を上げ
る１つの手段として、例えば対物レンズのＮ．Ａ．（開
口数）を上げる方法があるが、このとき、対物レンズと
光ディスクとの距離が縮まることにより、光ディスクの
非水平性（スキュー）や非平坦性に対するマージンすな
わち裕度がとりにくくなる。従って、サーボ機構の精度
を大幅に上げる等の工夫が必要となる。また、光ディス
クに付着するごみ等による影響も大きくなって、エラー
の発生原因となりやすい。
【０００７】本発明は、上述した問題の解消がはかられ
た高い記録密度を実現することができるようにした、化
合物半導体レーザを用いた光ピックアップ装置を提供す
るものである。
た高い記録密度を実現することができるようにした、化
合物半導体レーザを用いた光ピックアップ装置を提供す
るものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、発振波長５８
０ｎｍ以下で内部損失αi が８〔ｃｍ-1〕以下の化合物
半導体レーザを光源とする化合物半導体レーザを用いた
光ピックアップ装置である。
０ｎｍ以下で内部損失αi が８〔ｃｍ-1〕以下の化合物
半導体レーザを光源とする化合物半導体レーザを用いた
光ピックアップ装置である。
【０００９】また、本発明は、発振波長５８０ｎｍ以下
の化合物半導体レーザを光源とし、この化合物半導体レ
ーザの駆動において、２００ＭＨｚ〜１ＧＨｚの高周波
重畳を行う構成の、化合物半導体レーザを用いた光ピッ
クアップ装置である。
の化合物半導体レーザを光源とし、この化合物半導体レ
ーザの駆動において、２００ＭＨｚ〜１ＧＨｚの高周波
重畳を行う構成の、化合物半導体レーザを用いた光ピッ
クアップ装置である。
【００１０】上述の本発明の構成によれば、発振波長５
８０ｎｍ以下の短波長レーザを光ピックアップの光源と
するので高密度記録が可能となる、これに伴いＮ．Ａ．
を抑えることができることから、例えば光ディスクのス
キューの問題、平坦性の問題、ゴミの問題を改善するこ
とができる。また、後述するところから明らかなよう
に、内部損失αi が８〔ｃｍ-1〕以下の化合物半導体レ
ーザを光源とすることにより、戻り光に対する端面反射
率を大とすることができる。
８０ｎｍ以下の短波長レーザを光ピックアップの光源と
するので高密度記録が可能となる、これに伴いＮ．Ａ．
を抑えることができることから、例えば光ディスクのス
キューの問題、平坦性の問題、ゴミの問題を改善するこ
とができる。また、後述するところから明らかなよう
に、内部損失αi が８〔ｃｍ-1〕以下の化合物半導体レ
ーザを光源とすることにより、戻り光に対する端面反射
率を大とすることができる。
【００１１】また、化合物半導体レーザの駆動におい
て、２００ＭＨｚ〜１ＧＨｚの高周波重畳を行う構成を
採ることにより、戻り光ノイズを小さくできるため、端
面反射率を大きくできることと相まって、光学記録媒体
からの戻り光等のノイズの影響を抑制することができ
る。
て、２００ＭＨｚ〜１ＧＨｚの高周波重畳を行う構成を
採ることにより、戻り光ノイズを小さくできるため、端
面反射率を大きくできることと相まって、光学記録媒体
からの戻り光等のノイズの影響を抑制することができ
る。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明による光ピックアップ装置
は、その光源を、発振波長５８０ｎｍ以下で内部損失α
i が８〔ｃｍ-1〕以下の化合物半導体レーザとする。
は、その光源を、発振波長５８０ｎｍ以下で内部損失α
i が８〔ｃｍ-1〕以下の化合物半導体レーザとする。
【００１３】本発明による光ピックアップ装置は、発振
波長５８０ｎｍ以下の化合物半導体レーザを光源として
用い、化合物半導体レーザの駆動において、２００ＭＨ
ｚ〜１ＧＨｚの高周波重畳、すなわち高周波電圧あるい
は高周波電流重畳を行う。
波長５８０ｎｍ以下の化合物半導体レーザを光源として
用い、化合物半導体レーザの駆動において、２００ＭＨ
ｚ〜１ＧＨｚの高周波重畳、すなわち高周波電圧あるい
は高周波電流重畳を行う。
【００１４】また本発明による光ピックアップ装置は、
その光源を、II族元素としてＺｎ，Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃｄま
たはＨｇのうちの少なくとも１種類以上の元素を含み、
IV族元素としてＳｅ，Ｓ，Ｔｅのうちの少なくとも１種
類以上の元素を含むII−IV族化合物半導体レーザ構成と
する。
その光源を、II族元素としてＺｎ，Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃｄま
たはＨｇのうちの少なくとも１種類以上の元素を含み、
IV族元素としてＳｅ，Ｓ，Ｔｅのうちの少なくとも１種
類以上の元素を含むII−IV族化合物半導体レーザ構成と
する。
【００１５】また本発明による光ピックアップ装置は、
その光源を、III 族元素としてＡｌ，ＧａまたはＩｎの
うちの少なくとも１種類以上の元素を含み、Ｖ族元素と
して少なくともＮを含むIII −Ｖ族化合物半導体レーザ
構成とする。
その光源を、III 族元素としてＡｌ，ＧａまたはＩｎの
うちの少なくとも１種類以上の元素を含み、Ｖ族元素と
して少なくともＮを含むIII −Ｖ族化合物半導体レーザ
構成とする。
【００１６】また本発明による光ピックアップ装置は、
その光源の化合物半導体レーザの共振器端面が、前方端
面と後方端面とで異なる反射率とされた構成とする。
その光源の化合物半導体レーザの共振器端面が、前方端
面と後方端面とで異なる反射率とされた構成とする。
【００１７】また本発明による光ピックアップ装置は、
その光源の化合物半導体レーザがゲインガイド型構造を
有する構成とする。尚、このゲインガイド型構造とは、
文字どおりゲインガイド構造を有するものであって、そ
の電流狭窄効果を有する部分が、共振器を構成する活性
層から１μｍ以上隔てた位置にある構成のものを指称す
る。
その光源の化合物半導体レーザがゲインガイド型構造を
有する構成とする。尚、このゲインガイド型構造とは、
文字どおりゲインガイド構造を有するものであって、そ
の電流狭窄効果を有する部分が、共振器を構成する活性
層から１μｍ以上隔てた位置にある構成のものを指称す
る。
【００１８】また本発明による光ピックアップ装置は、
その光源の化合物半導体レーザが上述したゲインガイド
型構造を有し、そのストライプ幅が５μｍ以下とされた
構成とする。
その光源の化合物半導体レーザが上述したゲインガイド
型構造を有し、そのストライプ幅が５μｍ以下とされた
構成とする。
【００１９】また本発明による光ピックアップ装置は、
その光源の化合物半導体レーザがインデックス型構造を
有する構成とする。尚、このインデックス型構造とは、
その屈折率差を生じさせる手段として、電流狭窄効果を
有する領域を設ける場合においても、この領域は活性層
と２００ｎｍ以下の至近距離に設けられるものを指称す
る。
その光源の化合物半導体レーザがインデックス型構造を
有する構成とする。尚、このインデックス型構造とは、
その屈折率差を生じさせる手段として、電流狭窄効果を
有する領域を設ける場合においても、この領域は活性層
と２００ｎｍ以下の至近距離に設けられるものを指称す
る。
【００２０】以下、図面を参照して説明する。図１は、
本発明の光ピックアップ装置の一例を説明する。図中１
００は、本発明による光ピックアップ装置を全体として
示す。この光ピックアップ装置１００は、光源としての
半導体レーザ１０１からの出射光をディスク２００へ導
くと共に、ディスク２００からの反射光、即ち信号光を
再生するための公知の光学系、即ちコリメートレンズ１
０２、偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）１０３、１／４
波長板１０４、対物レンズ１０５、検出レンズ１０６、
信号光を検出する、フォトダイオード等の受光素子１０
７を具備して成る。１０８は光を非等方に変形するアナ
モルフィックプリズム、１０９は光を回折させるグレー
ティング、１１０は光路を変更するプリズムをそれぞれ
示す。
本発明の光ピックアップ装置の一例を説明する。図中１
００は、本発明による光ピックアップ装置を全体として
示す。この光ピックアップ装置１００は、光源としての
半導体レーザ１０１からの出射光をディスク２００へ導
くと共に、ディスク２００からの反射光、即ち信号光を
再生するための公知の光学系、即ちコリメートレンズ１
０２、偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）１０３、１／４
波長板１０４、対物レンズ１０５、検出レンズ１０６、
信号光を検出する、フォトダイオード等の受光素子１０
７を具備して成る。１０８は光を非等方に変形するアナ
モルフィックプリズム、１０９は光を回折させるグレー
ティング、１１０は光路を変更するプリズムをそれぞれ
示す。
【００２１】そして、その光源の半導体レーザ１０１
を、例えば図２にその概略構成図を示す化合物半導体レ
ーザ２０によって構成する。この化合物半導体レーザ２
０は、第１導電型例えばｎ型の化合物半導体基板１の上
に、第１のバッファ層２、第２のバッファ層３、第３の
バッファ層４、第１導電型のクラッド層５、第１のガイ
ド層６、活性層７、第２のガイド層８、第２導電型（ｐ
型）のクラッド層９、半導体層１０及びコンタクト層１
１、超格子構造１４、キャップ層１５が順次エピタキシ
ャル成長によって積層形成されている。半導体層１０及
びコンタクト層１１、超格子構造１４及びキャップ層１
５は、所定の幅のストライプ状リッジ部をリッジ状に残
してその両側を例えばエッチングによって削除し、この
ストライプ構造のリッジの両側のエッチング溝内に電流
狭窄層１２が埋込み形成されている。そして、表面には
ｐ側電極１３が、化合物半導体基板１の裏面にはｎ側電
極１６が、それぞれ形成されて半導体レーザ２０を構成
している。
を、例えば図２にその概略構成図を示す化合物半導体レ
ーザ２０によって構成する。この化合物半導体レーザ２
０は、第１導電型例えばｎ型の化合物半導体基板１の上
に、第１のバッファ層２、第２のバッファ層３、第３の
バッファ層４、第１導電型のクラッド層５、第１のガイ
ド層６、活性層７、第２のガイド層８、第２導電型（ｐ
型）のクラッド層９、半導体層１０及びコンタクト層１
１、超格子構造１４、キャップ層１５が順次エピタキシ
ャル成長によって積層形成されている。半導体層１０及
びコンタクト層１１、超格子構造１４及びキャップ層１
５は、所定の幅のストライプ状リッジ部をリッジ状に残
してその両側を例えばエッチングによって削除し、この
ストライプ構造のリッジの両側のエッチング溝内に電流
狭窄層１２が埋込み形成されている。そして、表面には
ｐ側電極１３が、化合物半導体基板１の裏面にはｎ側電
極１６が、それぞれ形成されて半導体レーザ２０を構成
している。
【００２２】この半導体レーザ２０は、発振波長を５８
０ｎｍ以下、内部損失αi を８〔ｃｍ-1〕以下とするも
のであり、このとき高密度記録が可能となる。そして、
例えばII−IV族化合物半導体レーザあるいはIII −Ｖ族
化合物半導体レーザによって構成する。
０ｎｍ以下、内部損失αi を８〔ｃｍ-1〕以下とするも
のであり、このとき高密度記録が可能となる。そして、
例えばII−IV族化合物半導体レーザあるいはIII −Ｖ族
化合物半導体レーザによって構成する。
【００２３】半導体レーザ２０（１０１）として、II−
IV族化合物半導体レーザを用いる場合には、II族元素と
してＺｎ，Ｂｅ，Ｍｇ，ＣｄまたはＨｇのうちの少なく
とも１種類以上の元素を含み、IV族元素としてＳｅ，
Ｓ，Ｔｅのうちの少なくとも１種類以上の元素を含む構
成とする。この場合の半導体レーザ２０の構成例を次に
示す。
IV族化合物半導体レーザを用いる場合には、II族元素と
してＺｎ，Ｂｅ，Ｍｇ，ＣｄまたはＨｇのうちの少なく
とも１種類以上の元素を含み、IV族元素としてＳｅ，
Ｓ，Ｔｅのうちの少なくとも１種類以上の元素を含む構
成とする。この場合の半導体レーザ２０の構成例を次に
示す。
【００２４】化合物半導体基板１は、例えば、積層方向
の厚さ（以下単に厚さとする）が３５０μｍであり、ｎ
型不純物としてＳｉを添加したｎ型のＧａＡｓ層により
構成される。第１のバッファ層２は、例えば、厚さが２
０ｎｍであり、ｎ型不純物として塩素Ｃｌを添加したｎ
型のＺｎＳｅ層により構成される。第２のバッファ層３
は、例えば、厚さが５０ｎｍであり、ｎ型不純物として
塩素を添加したｎ型のＺｎＳＳｅ層により構成される。
第１導電型のクラッド層５は、例えば、厚さが１μｍで
あり、ｎ型不純物としてＣｌを添加したｎ型のＺｎＭｇ
ＳＳｅ混晶層により構成される。
の厚さ（以下単に厚さとする）が３５０μｍであり、ｎ
型不純物としてＳｉを添加したｎ型のＧａＡｓ層により
構成される。第１のバッファ層２は、例えば、厚さが２
０ｎｍであり、ｎ型不純物として塩素Ｃｌを添加したｎ
型のＺｎＳｅ層により構成される。第２のバッファ層３
は、例えば、厚さが５０ｎｍであり、ｎ型不純物として
塩素を添加したｎ型のＺｎＳＳｅ層により構成される。
第１導電型のクラッド層５は、例えば、厚さが１μｍで
あり、ｎ型不純物としてＣｌを添加したｎ型のＺｎＭｇ
ＳＳｅ混晶層により構成される。
【００２５】第１のガイド層６は、例えば、厚さが４５
ｎｍであり、ｎ型不純物としてＣｌを添加した、或いは
何も添加しないＺｎＳＳｅ混晶層により構成される。こ
の第１のガイド層６を構成するＺｎＳＳｅ混晶のVI族元
素の組成比は、例えば硫黄Ｓを６％、セレンＳｅを９４
％とする。
ｎｍであり、ｎ型不純物としてＣｌを添加した、或いは
何も添加しないＺｎＳＳｅ混晶層により構成される。こ
の第１のガイド層６を構成するＺｎＳＳｅ混晶のVI族元
素の組成比は、例えば硫黄Ｓを６％、セレンＳｅを９４
％とする。
【００２６】活性層７は、例えば、厚さが６ｎｍの単一
量子井戸構造を有したＺｎＣｄＳｅ混晶により構成され
る。この活性層７を構成するＺｎＣｄＳｅ混晶のII族元
素の組成比は、例えば亜鉛Ｚｎを８０％、カドミウムＣ
ｄを２０％とする。このとき、活性層７の格子定数が、
化合物半導体基板１のＧａＡｓの格子定数より若干大き
くなる。
量子井戸構造を有したＺｎＣｄＳｅ混晶により構成され
る。この活性層７を構成するＺｎＣｄＳｅ混晶のII族元
素の組成比は、例えば亜鉛Ｚｎを８０％、カドミウムＣ
ｄを２０％とする。このとき、活性層７の格子定数が、
化合物半導体基板１のＧａＡｓの格子定数より若干大き
くなる。
【００２７】第２のガイド層８は、例えば、厚さが４５
ｎｍであり、ｐ型不純物として窒素Ｎを添加した、或い
は何も添加しないＺｎＳＳｅ混晶層により構成される。
この第２のガイド層８を構成するＺｎＳＳｅ混晶のVI族
元素の組成比は、例えばＳを６％、Ｓｅを９４％とす
る。
ｎｍであり、ｐ型不純物として窒素Ｎを添加した、或い
は何も添加しないＺｎＳＳｅ混晶層により構成される。
この第２のガイド層８を構成するＺｎＳＳｅ混晶のVI族
元素の組成比は、例えばＳを６％、Ｓｅを９４％とす
る。
【００２８】第２導電型のクラッド層９は、例えば、厚
さが１μｍであり、ｐ型不純物として窒素Ｎを添加した
ｐ型のＺｎＭｇＳＳｅ混晶層により構成される。半導体
層１０は、例えば、厚さが１μｍであり、ｐ型不純物と
して窒素Ｎを添加したｐ型のＺｎＳＳｅ混晶層により構
成される。コンタクト層１１は、例えば、厚さが１００
ｎｍであり、ｐ型不純物として窒素Ｎを添加したｐ型の
ＺｎＳｅ層により構成される。超格子構造１４は、例え
ば、ｐ型不純物として窒素を添加したｐ型のＺｎＳｅ／
ＺｎＴｅの超格子構造により構成される。キャップ層１
５は、例えば、厚さが３０ｎｍであり、ｐ型不純物とし
て窒素を添加したｐ型のＺｎＴｅ層により構成される。
さが１μｍであり、ｐ型不純物として窒素Ｎを添加した
ｐ型のＺｎＭｇＳＳｅ混晶層により構成される。半導体
層１０は、例えば、厚さが１μｍであり、ｐ型不純物と
して窒素Ｎを添加したｐ型のＺｎＳＳｅ混晶層により構
成される。コンタクト層１１は、例えば、厚さが１００
ｎｍであり、ｐ型不純物として窒素Ｎを添加したｐ型の
ＺｎＳｅ層により構成される。超格子構造１４は、例え
ば、ｐ型不純物として窒素を添加したｐ型のＺｎＳｅ／
ＺｎＴｅの超格子構造により構成される。キャップ層１
５は、例えば、厚さが３０ｎｍであり、ｐ型不純物とし
て窒素を添加したｐ型のＺｎＴｅ層により構成される。
【００２９】また、コンタクト層１１は、幅が２〜１０
μｍの帯状のストライプ構造を形成し、電流狭窄をする
ように構成される。そして、コンタクト層１１が形成さ
れていない半導体層１０上の領域には、例えばアルミナ
（Ａｌ2 Ｏ3 ）による絶縁層からなる電流狭窄層１２が
形成される。この場合、電流狭窄層１２は活性層７から
１μｍ以上の距離にあって、この半導体レーザ２０はゲ
インガイド構造とされる。
μｍの帯状のストライプ構造を形成し、電流狭窄をする
ように構成される。そして、コンタクト層１１が形成さ
れていない半導体層１０上の領域には、例えばアルミナ
（Ａｌ2 Ｏ3 ）による絶縁層からなる電流狭窄層１２が
形成される。この場合、電流狭窄層１２は活性層７から
１μｍ以上の距離にあって、この半導体レーザ２０はゲ
インガイド構造とされる。
【００３０】電流狭窄層１２及びコンタクト層１１の上
に形成されたｐ側電極１３は、例えば厚さが１０ｎｍの
パラジウム（Ｐｄ）、例えば厚さが厚さが１００ｎｍの
白金（Ｐｔ）及び、例えば厚さが３００ｎｍの金（Ａ
ｕ）をコンタクト層１１側から順次積層して形成され
る。また化合物半導体基板１の裏面に形成されたｎ側電
極１６は、例えばインジウム（Ｉｎ）により形成され
る。
に形成されたｐ側電極１３は、例えば厚さが１０ｎｍの
パラジウム（Ｐｄ）、例えば厚さが厚さが１００ｎｍの
白金（Ｐｔ）及び、例えば厚さが３００ｎｍの金（Ａ
ｕ）をコンタクト層１１側から順次積層して形成され
る。また化合物半導体基板１の裏面に形成されたｎ側電
極１６は、例えばインジウム（Ｉｎ）により形成され
る。
【００３１】さらに、半導体レーザ２０全体を、６００
μｍの幅に劈開を行うことにより、劈開面を共振器端面
とする。そして、所定の反射率が得られるように、共振
器端面には、例えば誘電体膜を被着形成して前方端面の
反射率が７０％、後方端面の反射率が９０％となるよう
に端面コートを行う。
μｍの幅に劈開を行うことにより、劈開面を共振器端面
とする。そして、所定の反射率が得られるように、共振
器端面には、例えば誘電体膜を被着形成して前方端面の
反射率が７０％、後方端面の反射率が９０％となるよう
に端面コートを行う。
【００３２】図３にこの半導体レーザ２０の放射角分布
特性を示す。活性層に平行な方向の放射角（曲線IIａ）
の半値全幅ＦＷＨＭ‖が１．９°、活性層に垂直な方向
の放射角（曲線Ｉ）の半値全幅ＦＷＨＭ⊥が２７°で、
アスペクト比ＦＷＨＭ⊥／ＦＷＨＭ‖が１０以上とな
る。ＦＷＨＭ‖が小さいのは、ストライプ幅が１０μｍ
と大きいためである。
特性を示す。活性層に平行な方向の放射角（曲線IIａ）
の半値全幅ＦＷＨＭ‖が１．９°、活性層に垂直な方向
の放射角（曲線Ｉ）の半値全幅ＦＷＨＭ⊥が２７°で、
アスペクト比ＦＷＨＭ⊥／ＦＷＨＭ‖が１０以上とな
る。ＦＷＨＭ‖が小さいのは、ストライプ幅が１０μｍ
と大きいためである。
【００３３】そこで、好ましくは、ストライプ幅を５μ
ｍ以下、より好ましくは３μｍ以下とする。ストライプ
幅が５μｍ以下の場合には、活性層に平行な方向の放射
角（曲線IIｂ）の半値全幅ＦＷＨＭ‖が８〜１０°と拡
がって、アスペクト比も小さくなる。
ｍ以下、より好ましくは３μｍ以下とする。ストライプ
幅が５μｍ以下の場合には、活性層に平行な方向の放射
角（曲線IIｂ）の半値全幅ＦＷＨＭ‖が８〜１０°と拡
がって、アスペクト比も小さくなる。
【００３４】アスペクト比の小さい半導体レーザとして
は、その他、図４Ａに概略構成図を示すような、インデ
ックスガイド構造の半導体レーザ４０を用いることがで
きる。
は、その他、図４Ａに概略構成図を示すような、インデ
ックスガイド構造の半導体レーザ４０を用いることがで
きる。
【００３５】この半導体レーザ４０は、例えばＧａＡｓ
からなる化合物半導体基板２１上に、例えばＺｎＳｅ層
からなるバッファ層２２を介して、例えばＭｇＺｎＳＳ
ｅ層からなる第１のクラッド層２３が形成され、例えば
ＺｎＳＳｅ層からなるガイド層２４に挟まれて、例えば
ＺｎＣｄＳｅの量子井戸からなる活性層２５が形成され
て成る。またガイド層２４の上には、例えばＭｇＺｎＳ
Ｓｅ層からなる第２のクラッド層２６、例えばＺｎＳｅ
層からなるキャップ層２８、Ａｕ層２９が形成され、こ
れら第２のクラッド層２６、キャップ層２８、Ａｕ層２
９はエッチング等により、所定幅の断面台形状のストラ
イプリッジ構造が形成されていて、そのリッジ構造の両
側には例えばＺｎＳ層からなる屈折率差を形成する層２
７が形成されている。表面には、例えばＴｉ−Ａｕから
なる電極３０が形成されている。化合物半導体基板２１
の裏面にも図示しないが電極が形成される。
からなる化合物半導体基板２１上に、例えばＺｎＳｅ層
からなるバッファ層２２を介して、例えばＭｇＺｎＳＳ
ｅ層からなる第１のクラッド層２３が形成され、例えば
ＺｎＳＳｅ層からなるガイド層２４に挟まれて、例えば
ＺｎＣｄＳｅの量子井戸からなる活性層２５が形成され
て成る。またガイド層２４の上には、例えばＭｇＺｎＳ
Ｓｅ層からなる第２のクラッド層２６、例えばＺｎＳｅ
層からなるキャップ層２８、Ａｕ層２９が形成され、こ
れら第２のクラッド層２６、キャップ層２８、Ａｕ層２
９はエッチング等により、所定幅の断面台形状のストラ
イプリッジ構造が形成されていて、そのリッジ構造の両
側には例えばＺｎＳ層からなる屈折率差を形成する層２
７が形成されている。表面には、例えばＴｉ−Ａｕから
なる電極３０が形成されている。化合物半導体基板２１
の裏面にも図示しないが電極が形成される。
【００３６】この半導体レーザ４０は、屈折率差形成層
２７によって屈折率差を形成して、これにより導波を行
う、インデックスガイド型構造の半導体レーザとするこ
とができる。すなわち、この場合、屈折率差形成層２７
は電流狭窄効果も生じるが、この層２７は、活性層２５
の至近距離にあってインデックスガイド構造とされてい
る。これにより、図４Ｂに放射角分布特性を示すよう
に、活性層に平行な方向の放射角（θ‖）と、活性層に
垂直な方向の放射角（θ⊥）が近づいて、アスペクト比
が小さくなる。
２７によって屈折率差を形成して、これにより導波を行
う、インデックスガイド型構造の半導体レーザとするこ
とができる。すなわち、この場合、屈折率差形成層２７
は電流狭窄効果も生じるが、この層２７は、活性層２５
の至近距離にあってインデックスガイド構造とされてい
る。これにより、図４Ｂに放射角分布特性を示すよう
に、活性層に平行な方向の放射角（θ‖）と、活性層に
垂直な方向の放射角（θ⊥）が近づいて、アスペクト比
が小さくなる。
【００３７】上述した化合物半導体レーザ２０，４０を
用いて構成された光ピックアップ装置１００において、
ノイズ低減の効果を見るために、高周波重畳を行ったも
のと行わなかったものとについて比較を行った。図５Ａ
が高周波重畳を行わない場合のＲＦ（高周波）信号、図
５Ｂはこれに高周波重畳を行って得られたＲＦ信号を示
す。図５Ａの高周波重畳を行わない場合は、いわゆる戻
り光によるモードホップノイズ等により信号の変動や信
号の不連続が現れている。これに対して、図５Ｂを見て
明らかなように、高周波重畳を行うことにより、信号の
変動が非常に小さくなると共に信号の不連続がなくなる
ことがわかる。
用いて構成された光ピックアップ装置１００において、
ノイズ低減の効果を見るために、高周波重畳を行ったも
のと行わなかったものとについて比較を行った。図５Ａ
が高周波重畳を行わない場合のＲＦ（高周波）信号、図
５Ｂはこれに高周波重畳を行って得られたＲＦ信号を示
す。図５Ａの高周波重畳を行わない場合は、いわゆる戻
り光によるモードホップノイズ等により信号の変動や信
号の不連続が現れている。これに対して、図５Ｂを見て
明らかなように、高周波重畳を行うことにより、信号の
変動が非常に小さくなると共に信号の不連続がなくなる
ことがわかる。
【００３８】高周波重畳の周波数は、重畳の効果が充分
得られるように、好ましくは２００ＭＨｚ〜１ＧＨｚと
する。
得られるように、好ましくは２００ＭＨｚ〜１ＧＨｚと
する。
【００３９】このように、高周波重畳によって、ノイズ
の改善が図られるのは、この高周波重畳によって空間的
コヒーレンスが短くなることに因る。そして、この高周
波重畳は、図６中曲線５０または曲線５１に示すよう
に、高周波電圧、または高周波電流としての重畳による
ことができる。また、これら、高周波電圧の重畳は、曲
線５０または曲線５１に示すように、閾値電圧Ｖthの近
傍において、また、高周波電流の重畳は閾値電流Ｉthの
近傍において、小さい振幅をもって印加することができ
る。
の改善が図られるのは、この高周波重畳によって空間的
コヒーレンスが短くなることに因る。そして、この高周
波重畳は、図６中曲線５０または曲線５１に示すよう
に、高周波電圧、または高周波電流としての重畳による
ことができる。また、これら、高周波電圧の重畳は、曲
線５０または曲線５１に示すように、閾値電圧Ｖthの近
傍において、また、高周波電流の重畳は閾値電流Ｉthの
近傍において、小さい振幅をもって印加することができ
る。
【００４０】そして、この場合、半導体レーザとして短
波長のレーザが用いられることによってその活性層のバ
ンドギャップしたがってガイド層およびクラッド層のバ
ンドギャップは大であり、これによって不純物Ｎのドー
ピング量が充分得られず動作電圧ＶOPが大きくなるが、
上述したように、Ｖth、もしくはＩth近傍で小さい振幅
で与えることにするので高速応答を阻害することがな
い。
波長のレーザが用いられることによってその活性層のバ
ンドギャップしたがってガイド層およびクラッド層のバ
ンドギャップは大であり、これによって不純物Ｎのドー
ピング量が充分得られず動作電圧ＶOPが大きくなるが、
上述したように、Ｖth、もしくはＩth近傍で小さい振幅
で与えることにするので高速応答を阻害することがな
い。
【００４１】また、このように、高周波重畳によってノ
イズの改善を図るようにすることによって、戻り光ノイ
ズに問題のあるインデックス型構造の半導体レーザを用
いるとき、より有利となる。しかしながら、例えばパル
セーションレーザを光源として用いる場合は、高周波重
畳を行わないことも考えられる。
イズの改善を図るようにすることによって、戻り光ノイ
ズに問題のあるインデックス型構造の半導体レーザを用
いるとき、より有利となる。しかしながら、例えばパル
セーションレーザを光源として用いる場合は、高周波重
畳を行わないことも考えられる。
【００４２】また、ここで、戻り光によるノイズに対す
る強さは、半導体レーザの端面反射率を変えることによ
り制御することができる。このとき、必要に応じて、前
方端面の反射率Ｒf と後方端面の反射率Ｒr を異なる値
に設定することもある。特に、高出力動作をさせる時に
は、後方端面の反射率Ｒr を高く、前方端面の反射率Ｒ
f を低く設定する。
る強さは、半導体レーザの端面反射率を変えることによ
り制御することができる。このとき、必要に応じて、前
方端面の反射率Ｒf と後方端面の反射率Ｒr を異なる値
に設定することもある。特に、高出力動作をさせる時に
は、後方端面の反射率Ｒr を高く、前方端面の反射率Ｒ
f を低く設定する。
【００４３】ここで、図６の光出力−電流特性における
立ち上がりの傾きに相当する、外部微分量子効率ηd に
ついて、次の数１の関係が成り立つ。
立ち上がりの傾きに相当する、外部微分量子効率ηd に
ついて、次の数１の関係が成り立つ。
【００４４】
【数１】ηd ＝ηi ・αi ／（αm ＋αi ）
【００４５】数１において、内部微分効率ηi は、動作
時においては約１である。また、αi は共振器内部損失
αm は共振器端面におけるミラー損失を示す。αm につ
いては、数２の関係が成り立つ。
時においては約１である。また、αi は共振器内部損失
αm は共振器端面におけるミラー損失を示す。αm につ
いては、数２の関係が成り立つ。
【００４６】
【数２】αm ＝（１／２Ｌ）・ｌｎ（１／Ｒf Ｒr ） Ｌ：共振器長 Ｒf ：前方端面の反射率 Ｒr ：後方
端面の反射率
端面の反射率
【００４７】ここで、従来のＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系
化合物半導体レーザの場合のミラー損失及び内部損失の
値を、それぞれαm I 及びαi I 、上述したII−IV族化
合物半導体レーザもしくはＮを含むナイトライド系III
−Ｖ族半導体レーザの場合のミラー損失及び内部損失の
値を、αm 及びαi 、とそれぞれ表すことにする。同じ
外部微分量子効率ηd を得ようとするとき、ηi ≒１で
あるから、数１より、数３の関係が成り立つ。
化合物半導体レーザの場合のミラー損失及び内部損失の
値を、それぞれαm I 及びαi I 、上述したII−IV族化
合物半導体レーザもしくはＮを含むナイトライド系III
−Ｖ族半導体レーザの場合のミラー損失及び内部損失の
値を、αm 及びαi 、とそれぞれ表すことにする。同じ
外部微分量子効率ηd を得ようとするとき、ηi ≒１で
あるから、数１より、数３の関係が成り立つ。
【００４８】
【数３】ηd ＝αi I ／（αm I ＋αi I ）＝αi ／
（αm ＋αi ）
（αm ＋αi ）
【００４９】ここで、αi ≧８とし得るものであり、こ
れは、αi I の約１／２の値であるので、ａ＝αi I ＝
αi I ／２とおくと、数４の関係となる。
れは、αi I の約１／２の値であるので、ａ＝αi I ＝
αi I ／２とおくと、数４の関係となる。
【００５０】
【数４】２ａ／（αm I ＋２ａ）＝ａ／（αm ＋ａ）
【００５１】数４より右辺、左辺ともに逆数を取ると、 １＋αm I ／２ａ＝１＋αm ／ａ ∴ ２・αm ＝αm I が成り立つ。これより次の数５の関係が導かれる。
【００５２】
【数５】 ２ｌｎ（１／Ｒf Ｒr ）＝ｌｎ（１／Ｒf I Ｒr I ） ∴ （Ｒf Ｒr ）2 ＝Ｒf I Ｒｒ Ｉ
【００５３】Ｒｆ Ｉ ，Ｒr I は従来のＧａＡｓ／Ａ
ｌＧａＡｓ系半導体レーザにおける前面反射率、後面反
射率である。従って、上記II−IV族化合物半導体レーザ
の方が、従来のＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系化合物半導体
レーザよりも、同じ電流−光出力特性の傾きを得るため
の反射率Ｒf ，Ｒr が大きく、そのため、端面コートに
よる反射率が大きいため、戻り光が端面で外部に反射し
て内部に取り込まれにくいことから戻り光の影響を少な
くすることができる。
ｌＧａＡｓ系半導体レーザにおける前面反射率、後面反
射率である。従って、上記II−IV族化合物半導体レーザ
の方が、従来のＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系化合物半導体
レーザよりも、同じ電流−光出力特性の傾きを得るため
の反射率Ｒf ，Ｒr が大きく、そのため、端面コートに
よる反射率が大きいため、戻り光が端面で外部に反射し
て内部に取り込まれにくいことから戻り光の影響を少な
くすることができる。
【００５４】また、更に本発明を光ディスクの再生装置
に適用した場合の特性について説明する。図７はＭＴＦ
（Modulation Transfer Function）を示す。実線が実測
値、点線が理論値である。２０００lines ／ｍｍ程度ま
で変調がなされている。また、図８に、本発明の光ピッ
クアップ装置によって、Ｎ．Ａ．＝０．６の状態で７．
７ＧＢの容量の光ディスクを再生したときのアイパター
ンを示す。図８のアイパターンより、光ディスクに書き
込まれた情報が正しく再生されることがわかる。
に適用した場合の特性について説明する。図７はＭＴＦ
（Modulation Transfer Function）を示す。実線が実測
値、点線が理論値である。２０００lines ／ｍｍ程度ま
で変調がなされている。また、図８に、本発明の光ピッ
クアップ装置によって、Ｎ．Ａ．＝０．６の状態で７．
７ＧＢの容量の光ディスクを再生したときのアイパター
ンを示す。図８のアイパターンより、光ディスクに書き
込まれた情報が正しく再生されることがわかる。
【００５５】そして、本発明によれば、上述の半導体レ
ーザを用いることにより、光ディスクの記録密度を、従
来の赤色レーザを光ピックアップに用いた場合の、約２
倍まで拡大させることができる。
ーザを用いることにより、光ディスクの記録密度を、従
来の赤色レーザを光ピックアップに用いた場合の、約２
倍まで拡大させることができる。
【００５６】上述の例では、本発明の化合物半導体レー
ザを用いた光ピックアップ装置を、光ディスクの再生装
置に適用した例であったが、光ディスクの記録装置、光
ディスクの記録再生装置等、その他の装置にも適用する
ことができる。特に、高温で動作する必要がある装置、
例えば車載用の半導体レーザ装置を有する装置にも適用
することができる。
ザを用いた光ピックアップ装置を、光ディスクの再生装
置に適用した例であったが、光ディスクの記録装置、光
ディスクの記録再生装置等、その他の装置にも適用する
ことができる。特に、高温で動作する必要がある装置、
例えば車載用の半導体レーザ装置を有する装置にも適用
することができる。
【００５７】また、上述の半導体レーザの例は、いずれ
も化合物半導体レーザをII−IV族化合物半導体レーザに
より構成したが、化合物半導体レーザを、発振波長５８
０ｎｍ以下で内部損失αi が８〔ｃｍ-1〕以下のIII −
Ｖ族化合物半導体レーザによって構成してもよい。
も化合物半導体レーザをII−IV族化合物半導体レーザに
より構成したが、化合物半導体レーザを、発振波長５８
０ｎｍ以下で内部損失αi が８〔ｃｍ-1〕以下のIII −
Ｖ族化合物半導体レーザによって構成してもよい。
【００５８】化合物半導体レーザを、III −Ｖ族化合物
半導体レーザによって構成する場合には、好ましくはII
I 族としてＡｌ，Ｇａ，Ｉｎのうち少なくとも１種類以
上の元素、Ｖ族としてＮを含む化合物半導体レーザとす
る。構造としては、例えばサファイヤ基板の（０００
１）面上に、クラッド層をＧａＡｌＮ層、活性層をＧａ
ＩｎＮ層、ガイド層をＧａＮ層として化合物半導体レー
ザを構成する。
半導体レーザによって構成する場合には、好ましくはII
I 族としてＡｌ，Ｇａ，Ｉｎのうち少なくとも１種類以
上の元素、Ｖ族としてＮを含む化合物半導体レーザとす
る。構造としては、例えばサファイヤ基板の（０００
１）面上に、クラッド層をＧａＡｌＮ層、活性層をＧａ
ＩｎＮ層、ガイド層をＧａＮ層として化合物半導体レー
ザを構成する。
【００５９】尚、上述した例では半導体レーザが、ガイ
ド層を有するいわゆるＳＣＨ（Separate Confinment He
terostructure ）構造とした場合であるが、ガイド層を
設けないいわゆるＤＨ（Double Hetero ）構造とするこ
とができるなど種々の構造を採ることができ、また本発
明の化合物半導体レーザを用いた光ピックアップ装置
は、アナモルフィックプリズムを省略した構造とするな
ど、そのほか種々の構造の光ピックアップ装置に適用す
る等、上述の例に限定されるものではなく、本発明の要
旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成が取り得る。
ド層を有するいわゆるＳＣＨ（Separate Confinment He
terostructure ）構造とした場合であるが、ガイド層を
設けないいわゆるＤＨ（Double Hetero ）構造とするこ
とができるなど種々の構造を採ることができ、また本発
明の化合物半導体レーザを用いた光ピックアップ装置
は、アナモルフィックプリズムを省略した構造とするな
ど、そのほか種々の構造の光ピックアップ装置に適用す
る等、上述の例に限定されるものではなく、本発明の要
旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成が取り得る。
【００６０】
【発明の効果】上述の本発明によれば、発振波長５８０
ｎｍ以下の短波長レーザを光ピックアップの光源とする
ので高密度記録が可能となる、これに伴いＮ．Ａ．を抑
えることができることから、例えば光ディスクのスキュ
ーの問題、平坦性の問題、ゴミの問題を改善することが
できる。また、後述するところから明らかなように、内
部損失αi が８〔ｃｍ-1〕以下の化合物半導体レーザを
光源とすることにより、戻り光に対する端面反射率を大
とすることができる。
ｎｍ以下の短波長レーザを光ピックアップの光源とする
ので高密度記録が可能となる、これに伴いＮ．Ａ．を抑
えることができることから、例えば光ディスクのスキュ
ーの問題、平坦性の問題、ゴミの問題を改善することが
できる。また、後述するところから明らかなように、内
部損失αi が８〔ｃｍ-1〕以下の化合物半導体レーザを
光源とすることにより、戻り光に対する端面反射率を大
とすることができる。
【００６１】また、化合物半導体レーザの駆動におい
て、２００ＭＨｚ〜１ＧＨｚの高周波重畳を行うことに
より、戻り光ノイズを小さくできるため、端面反射率を
大きくできることと相まって、光学記録媒体からの戻り
光等のノイズの影響を抑制することができる。
て、２００ＭＨｚ〜１ＧＨｚの高周波重畳を行うことに
より、戻り光ノイズを小さくできるため、端面反射率を
大きくできることと相まって、光学記録媒体からの戻り
光等のノイズの影響を抑制することができる。
【図１】本発明の光ピックアップ装置の一例を示す概略
構成図である。
構成図である。
【図２】本発明の光ピックアップ装置に用いる半導体レ
ーザの一例の概略構成図である。
ーザの一例の概略構成図である。
【図３】図２の半導体レーザの遠視野像の放射角分布特
性図である。
性図である。
【図４】Ａ 本発明の光ピックアップ装置に用いる半導
体レーザの他の例の概略構成図である。Ｂ 図４Ａの半
導体レーザの遠視野像の放射角分布特性図である。
体レーザの他の例の概略構成図である。Ｂ 図４Ａの半
導体レーザの遠視野像の放射角分布特性図である。
【図５】本発明の光ピックアップ装置による高周波重畳
の効果を示す図である。 Ａ 高周波重畳を行わない場合のＲＦ信号である。 Ｂ 高周波重畳を行った場合に得られるＲＦ信号であ
る。
の効果を示す図である。 Ａ 高周波重畳を行わない場合のＲＦ信号である。 Ｂ 高周波重畳を行った場合に得られるＲＦ信号であ
る。
【図６】電圧−電流特性及び光出力−電流特性を示す図
である。
である。
【図７】本発明の光ピックアップ装置のＭＴＦ（Modula
tion Transfer function）を示す図である。
tion Transfer function）を示す図である。
【図８】本発明の光ピックアップ装置により光ディスク
の再生を行った時のアイパターンを示す図である。
の再生を行った時のアイパターンを示す図である。
１，２１ 化合物半導体基板、２ 第１のバッファ層、
３ 第２のバッファ層、４ 第３のバッファ層、５ 第
１導電型のクラッド層、６ 第１のガイド層、７，２５
活性層、８ 第２のガイド層、９ 第２導電型のクラ
ッド層、１０ 半導体層、１１ コンタクト層、１２
電流狭窄層、１３ ｐ側電極、１４ 超格子構造、１
５，２８ キャップ層、１６ ｎ側電極、２０，４０，
１０１ 半導体レーザ、２２ バッファ層、２３ 第１
のクラッド層、２４ ガイド層、２６第２のクラッド
層、２７ 屈折率差形成層、２９ Ａｕ層、３０ 電
極、１００ 光ピックアップ装置、１０２ コリメート
レンズ、１０３ 偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）、１
０４ １／４波長板、１０５ 対物レンズ、１０６ 検
出レンズ、１０７ 受光素子、１０８ アナモルフィッ
クプリズム、１０９ グレーティング、１１０ プリズ
ム、２００ ディスク
３ 第２のバッファ層、４ 第３のバッファ層、５ 第
１導電型のクラッド層、６ 第１のガイド層、７，２５
活性層、８ 第２のガイド層、９ 第２導電型のクラ
ッド層、１０ 半導体層、１１ コンタクト層、１２
電流狭窄層、１３ ｐ側電極、１４ 超格子構造、１
５，２８ キャップ層、１６ ｎ側電極、２０，４０，
１０１ 半導体レーザ、２２ バッファ層、２３ 第１
のクラッド層、２４ ガイド層、２６第２のクラッド
層、２７ 屈折率差形成層、２９ Ａｕ層、３０ 電
極、１００ 光ピックアップ装置、１０２ コリメート
レンズ、１０３ 偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）、１
０４ １／４波長板、１０５ 対物レンズ、１０６ 検
出レンズ、１０７ 受光素子、１０８ アナモルフィッ
クプリズム、１０９ グレーティング、１１０ プリズ
ム、２００ ディスク
Claims (8)
- 【請求項１】 発振波長５８０ｎｍ以下で内部損失αi
が８〔ｃｍ-1〕以下の化合物半導体レーザを光源とする
ことを特徴とする化合物半導体レーザを用いた光ピック
アップ装置。 - 【請求項２】 発振波長５８０ｎｍ以下の化合物半導体
レーザを光源とし、該化合物半導体レーザの駆動におい
て、２００ＭＨｚ〜１ＧＨｚの高周波重畳を行うことを
特徴とする化合物半導体レーザを用いた光ピックアップ
装置。 - 【請求項３】 上記化合物半導体レーザが、II族元素と
してＺｎ，Ｂｅ，Ｍｇ，ＣｄまたはＨｇのうちの少なく
とも１種類以上の元素を含み、IV族元素としてＳｅ，
Ｓ，Ｔｅのうちの少なくとも１種類以上の元素を含むII
−IV族化合物半導体レーザであることを特徴とする請求
項１に記載の化合物半導体レーザを用いた光ピックアッ
プ装置。 - 【請求項４】 上記化合物半導体レーザが、III 族元素
としてＡｌ，Ｇａ、またはＩｎのうちの少なくとも１種
類以上の元素を含み、Ｖ族元素として少なくともＮを含
むIII −Ｖ族化合物半導体レーザであることを特徴とす
る請求項１に記載の化合物半導体レーザを用いた光ピッ
クアップ装置。 - 【請求項５】 上記化合物半導体レーザの共振器端面
が、前方端面と後方端面とで異なる反射率とされたこと
を特徴とする請求項１に記載の化合物半導体レーザを用
いた光ピックアップ装置。 - 【請求項６】 上記化合物半導体レーザがゲインガイド
型構造を有することを特徴とする請求項１に記載の化合
物半導体レーザを用いた光ピックアップ装置。 - 【請求項７】 上記化合物半導体レーザがゲインガイド
型構造を有し、そのストライプ幅が５μｍ以下とされた
ことを特徴とする請求項１に記載の化合物半導体レーザ
を用いた光ピックアップ装置。 - 【請求項８】 上記化合物半導体レーザがインデックス
型構造を有することを特徴とする請求項１に記載の化合
物半導体レーザを用いた光ピックアップ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08706397A JP3837821B2 (ja) | 1997-04-04 | 1997-04-04 | 化合物半導体レーザを用いた光ピックアップ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08706397A JP3837821B2 (ja) | 1997-04-04 | 1997-04-04 | 化合物半導体レーザを用いた光ピックアップ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10283651A true JPH10283651A (ja) | 1998-10-23 |
| JP3837821B2 JP3837821B2 (ja) | 2006-10-25 |
Family
ID=13904490
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08706397A Expired - Fee Related JP3837821B2 (ja) | 1997-04-04 | 1997-04-04 | 化合物半導体レーザを用いた光ピックアップ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3837821B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000048179A1 (en) * | 1999-02-11 | 2000-08-17 | Sony Electronics, Inc. | Inexpensive safe light beam recorder |
| US6151290A (en) * | 1998-02-05 | 2000-11-21 | Sony Corporation | Inexpensive safe light beam recorder |
-
1997
- 1997-04-04 JP JP08706397A patent/JP3837821B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6151290A (en) * | 1998-02-05 | 2000-11-21 | Sony Corporation | Inexpensive safe light beam recorder |
| WO2000048179A1 (en) * | 1999-02-11 | 2000-08-17 | Sony Electronics, Inc. | Inexpensive safe light beam recorder |
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