JPH10275950A - レーザ装置及びレーザ加工装置 - Google Patents
レーザ装置及びレーザ加工装置Info
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- JPH10275950A JPH10275950A JP7830597A JP7830597A JPH10275950A JP H10275950 A JPH10275950 A JP H10275950A JP 7830597 A JP7830597 A JP 7830597A JP 7830597 A JP7830597 A JP 7830597A JP H10275950 A JPH10275950 A JP H10275950A
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- laser beam
- mirror
- total reflection
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 レーザ媒質から高いピーク強度と短いパルス
幅を有するレーザビームを安定に取り出すことができる
レーザ装置を得ることを目的とし、レーザ加工機に用い
る。 【解決手段】 レーザ媒質16を介して発生したレーザ
ビーム3を一対の全反射ミラー1,11間で相互に反射
させるレーザ共振器内に、一方の全反射ミラー1により
反射されたレーザビームを受けて他方の全反射ミラー方
向に反射させる偏光分離ミラー12と、偏光分離ミラー
12により反射されたレーザビーム3を他方の全反射ミ
ラー11に向けて反射する1/4波長板5と、1/4波長
板5によって反射されたレーザビーム3を光学的に振幅
変調して他方の全反射ミラー11に出射させる電気光学
振幅変調器7とを配置し、且つ、電気光学振幅変調器1
1に対し、時間的な周期関数系に従い変化して一周期に
印加状態が少なくとも2回以上変化するパルス電圧を発
生して印加する可変パルス発生器14を備えている。
幅を有するレーザビームを安定に取り出すことができる
レーザ装置を得ることを目的とし、レーザ加工機に用い
る。 【解決手段】 レーザ媒質16を介して発生したレーザ
ビーム3を一対の全反射ミラー1,11間で相互に反射
させるレーザ共振器内に、一方の全反射ミラー1により
反射されたレーザビームを受けて他方の全反射ミラー方
向に反射させる偏光分離ミラー12と、偏光分離ミラー
12により反射されたレーザビーム3を他方の全反射ミ
ラー11に向けて反射する1/4波長板5と、1/4波長
板5によって反射されたレーザビーム3を光学的に振幅
変調して他方の全反射ミラー11に出射させる電気光学
振幅変調器7とを配置し、且つ、電気光学振幅変調器1
1に対し、時間的な周期関数系に従い変化して一周期に
印加状態が少なくとも2回以上変化するパルス電圧を発
生して印加する可変パルス発生器14を備えている。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、レーザ媒質から
高いピーク強度と短いパルス幅を有するレーザビームを
取り出すレーザ装置及びレーザ加工装置に関するもので
ある。
高いピーク強度と短いパルス幅を有するレーザビームを
取り出すレーザ装置及びレーザ加工装置に関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】図20は、例えばAPPLIED OP
TICS,VOL.35,NO.27,SEPTEMBE
R 1996,p.5383のFig.4に示された従
来のQスイッチCO2レーザ装置と等価的な作用を有す
るQスイッチCO2レーザ装置の断面図である。
TICS,VOL.35,NO.27,SEPTEMBE
R 1996,p.5383のFig.4に示された従
来のQスイッチCO2レーザ装置と等価的な作用を有す
るQスイッチCO2レーザ装置の断面図である。
【0003】図において、1は例えばCuよりなる凹面
形状の全反射ミラー、2は全反射ミラー1に対向配置さ
れた、例えばZnSeよりなる凹面形状の部分反射ミラ
ーであり、この部分反射ミラー2と全反射ミラー1が安
定型のレーザ共振器を構成する。3はレーザ共振器内に
発生するレーザビーム、4a,4bはレーザビーム3の
P偏光成分のみを透過させ、S偏光成分は反射させるブ
リュースター窓、5は4分の1波長板、6は放電管であ
る。7は例えばCdTeよりなる電気光学振幅変調器、
8は電気光学振幅変調器7に印加する2進数的にオン・
オフを繰り返すパルス電圧を発生するパルス発生器、9
は部分反射ミラー2より発振器外部に取り出されたレー
ザビームである。
形状の全反射ミラー、2は全反射ミラー1に対向配置さ
れた、例えばZnSeよりなる凹面形状の部分反射ミラ
ーであり、この部分反射ミラー2と全反射ミラー1が安
定型のレーザ共振器を構成する。3はレーザ共振器内に
発生するレーザビーム、4a,4bはレーザビーム3の
P偏光成分のみを透過させ、S偏光成分は反射させるブ
リュースター窓、5は4分の1波長板、6は放電管であ
る。7は例えばCdTeよりなる電気光学振幅変調器、
8は電気光学振幅変調器7に印加する2進数的にオン・
オフを繰り返すパルス電圧を発生するパルス発生器、9
は部分反射ミラー2より発振器外部に取り出されたレー
ザビームである。
【0004】次に従来装置の動作について説明する。先
ず、パルス発生器8から電気光学振幅変調器7に電圧が
印加されない場合の動作を図21を用いて説明する。こ
の場合、ブリュースター窓4a、bで囲まれた放電管6
を通過できるレーザビーム3はP偏光成分の直線偏光だ
けであるから、4分の1波長板5を通過するレーザビー
ム3は右回りの円偏光となる。
ず、パルス発生器8から電気光学振幅変調器7に電圧が
印加されない場合の動作を図21を用いて説明する。こ
の場合、ブリュースター窓4a、bで囲まれた放電管6
を通過できるレーザビーム3はP偏光成分の直線偏光だ
けであるから、4分の1波長板5を通過するレーザビー
ム3は右回りの円偏光となる。
【0005】電気光学振幅変調器7には電圧が加わって
いないため、レーザビーム3は右回りの円偏光のまま電
気光学振幅変調器7を通過し、全反射ミラー1で反射
し、その際に左回りの円偏光となる。左回りの円偏光の
まま再び電気光学振幅変調器7を通過したレーザビーム
3は、再度4分の1波長板5を通過する際にS偏光成分
の直線偏光になる。しかし、ブリュースター窓4a,b
で囲まれた放電管6を通過することはできないので、こ
の場合レーザ発振は起こらない。
いないため、レーザビーム3は右回りの円偏光のまま電
気光学振幅変調器7を通過し、全反射ミラー1で反射
し、その際に左回りの円偏光となる。左回りの円偏光の
まま再び電気光学振幅変調器7を通過したレーザビーム
3は、再度4分の1波長板5を通過する際にS偏光成分
の直線偏光になる。しかし、ブリュースター窓4a,b
で囲まれた放電管6を通過することはできないので、こ
の場合レーザ発振は起こらない。
【0006】次に、パルス発生器8から電気光学振幅変
調器7に4分の1波長電圧が印加される場合の動作につ
いて、図22を用いて説明する。この場合、4分の1波
長板5を通過した右回りの円偏光のレーザビーム3は、
電気光学振幅変調器7を通過する際にS偏光成分の直線
偏光になる。
調器7に4分の1波長電圧が印加される場合の動作につ
いて、図22を用いて説明する。この場合、4分の1波
長板5を通過した右回りの円偏光のレーザビーム3は、
電気光学振幅変調器7を通過する際にS偏光成分の直線
偏光になる。
【0007】全反射ミラー1で反射し、再び電気光学振
幅変調器7を通過したレーザビーム3は、左回りの円偏
光になり、さらに再度4分の1波長板5を通過する際に
P偏光成分の直線偏光になる。このレーザビーム3はブ
リュースター窓4a、bで囲まれた放電管6を通過する
ことができるので、レーザビーム3は部分反射ミラー2
に到達できるためレーザ発振が起こる。
幅変調器7を通過したレーザビーム3は、左回りの円偏
光になり、さらに再度4分の1波長板5を通過する際に
P偏光成分の直線偏光になる。このレーザビーム3はブ
リュースター窓4a、bで囲まれた放電管6を通過する
ことができるので、レーザビーム3は部分反射ミラー2
に到達できるためレーザ発振が起こる。
【0008】このように、パルス発生器8より電気光学
振幅変調器7に2進数的にオン・オフを繰り返すパルス
電圧を印加することで、図23に示すような高いピーク
強度と短いパルス幅を有するレーザビーム9を取り出す
ことができる。このような手法をQスイッチングと呼ん
でいる。取り出されたQスイッチレーザビーム9をレン
ズ等により集光することで、効率良く被加工物に穴を空
けることができる。
振幅変調器7に2進数的にオン・オフを繰り返すパルス
電圧を印加することで、図23に示すような高いピーク
強度と短いパルス幅を有するレーザビーム9を取り出す
ことができる。このような手法をQスイッチングと呼ん
でいる。取り出されたQスイッチレーザビーム9をレン
ズ等により集光することで、効率良く被加工物に穴を空
けることができる。
【0009】例えば図23に示されたQスイッチパルス
を見てみると、繰り返し周波数1kHzにおいて1.8
MWのピークパワと半値全幅で30nsを有し、1サイ
クル当たりに取り出されるレーザエネルギーは約50m
Jとなる。
を見てみると、繰り返し周波数1kHzにおいて1.8
MWのピークパワと半値全幅で30nsを有し、1サイ
クル当たりに取り出されるレーザエネルギーは約50m
Jとなる。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】従来のQスイッチCO
2レーザ装置は以上のように構成されているので、Qス
イッチングにより取り出されたレーザビーム9のピーク
強度が高いため、レーザ加工への適用には不向きな場合
が多い。その理由は、レーザビーム9のピーク強度が高
すぎると被加工物に穴を空ける以外に不必要な損傷を与
えてしまうからである。
2レーザ装置は以上のように構成されているので、Qス
イッチングにより取り出されたレーザビーム9のピーク
強度が高いため、レーザ加工への適用には不向きな場合
が多い。その理由は、レーザビーム9のピーク強度が高
すぎると被加工物に穴を空ける以外に不必要な損傷を与
えてしまうからである。
【0011】また、適切なピーク強度に合わせるように
ピーク強度を抑えると、1パルス当たりに含まれるレー
ザエネルギーがピーク強度を抑えた分だけ減少する。そ
のため、今度は穴空け加工ができなくなるという問題点
があった。
ピーク強度を抑えると、1パルス当たりに含まれるレー
ザエネルギーがピーク強度を抑えた分だけ減少する。そ
のため、今度は穴空け加工ができなくなるという問題点
があった。
【0012】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、従来のQスイッチングから取
り出されるレーザビームの強度よりも低いピーク強度で
レーザ発振を行い、かつ1パルスあたりに含まれるレー
ザエネルギーを従来のものよりも1.5倍程度高めるこ
とができると共に、発振されたレーザにより非常に効率
良くレーザ加工を行うことができるレーザ装置及びレー
ザ加工装置を得ることを目的とする。
るためになされたもので、従来のQスイッチングから取
り出されるレーザビームの強度よりも低いピーク強度で
レーザ発振を行い、かつ1パルスあたりに含まれるレー
ザエネルギーを従来のものよりも1.5倍程度高めるこ
とができると共に、発振されたレーザにより非常に効率
良くレーザ加工を行うことができるレーザ装置及びレー
ザ加工装置を得ることを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明に係るレ
ーザ装置は、レーザ媒質を介して発生したレーザビーム
を一対の反射ミラー間で相互に反射させるレーザ共振器
内に、一方の反射ミラーにより反射されたレーザビーム
を受けて他方の反射ミラー方向に反射させる偏光分離ミ
ラーと、この偏光分離ミラーにより反射されたレーザビ
ームを前記他方の反射ミラーに向けて反射する1/4波
長板と、この1/4波長板によって反射されたレーザビ
ームを入射して光学的に振幅変調して前記他方の反射ミ
ラーに出射させる電気光学振幅変調器とを配置し、且
つ、この電気光学振幅変調器に対し、ー時間的な周期関
数系に従い変化して一周期に印加状態が少なくとも2回
以上変化するパルス電圧を発生して印加する可変パルス
発生器を備え、前記レーザ媒質を介して発生したレーザ
ビームを前記一対の全反射ミラー間で相互に反射させな
がら前記前記偏光分離ミラーから外部に出射するもので
ある。
ーザ装置は、レーザ媒質を介して発生したレーザビーム
を一対の反射ミラー間で相互に反射させるレーザ共振器
内に、一方の反射ミラーにより反射されたレーザビーム
を受けて他方の反射ミラー方向に反射させる偏光分離ミ
ラーと、この偏光分離ミラーにより反射されたレーザビ
ームを前記他方の反射ミラーに向けて反射する1/4波
長板と、この1/4波長板によって反射されたレーザビ
ームを入射して光学的に振幅変調して前記他方の反射ミ
ラーに出射させる電気光学振幅変調器とを配置し、且
つ、この電気光学振幅変調器に対し、ー時間的な周期関
数系に従い変化して一周期に印加状態が少なくとも2回
以上変化するパルス電圧を発生して印加する可変パルス
発生器を備え、前記レーザ媒質を介して発生したレーザ
ビームを前記一対の全反射ミラー間で相互に反射させな
がら前記前記偏光分離ミラーから外部に出射するもので
ある。
【0014】請求項2の発明に係るレーザ装置は、レー
ザ媒質を固体レーザ素子とし、この固体レーザ素子の励
起用の光源を備えたものである。
ザ媒質を固体レーザ素子とし、この固体レーザ素子の励
起用の光源を備えたものである。
【0015】請求項3の発明に係るレーザ装置は、他方
の反射ミラーに代えて電気光学振幅変調器のレーザビー
ム出射面に全反射膜を施し、全反射膜と一方の反射ミラ
ーとでレーザ共振器を構成したものである。
の反射ミラーに代えて電気光学振幅変調器のレーザビー
ム出射面に全反射膜を施し、全反射膜と一方の反射ミラ
ーとでレーザ共振器を構成したものである。
【0016】請求項4の発明に係るレーザ装置は、レー
ザ共振器内におけるレーザビームの光路中に、ビーム径
を調整する開口部を形成した開口部材を配置し、前記レ
ーザビームの横モードを選択するものである。
ザ共振器内におけるレーザビームの光路中に、ビーム径
を調整する開口部を形成した開口部材を配置し、前記レ
ーザビームの横モードを選択するものである。
【0017】請求項5の発明に係るレーザ装置は、可変
パルス発生器から発生するパルス電圧を、時間的に周期
を持つ多段のステップ関数系に従って変化させるもので
ある。
パルス発生器から発生するパルス電圧を、時間的に周期
を持つ多段のステップ関数系に従って変化させるもので
ある。
【0018】請求項6の発明に係るレーザ装置は、レー
ザ共振器の偏光分離ミラーから出射されたレーザビーム
を増幅するレーザビーム増幅手段を備えたものである。
ザ共振器の偏光分離ミラーから出射されたレーザビーム
を増幅するレーザビーム増幅手段を備えたものである。
【0019】請求項7の発明に係るレーザ装置は、レー
ザビーム増幅手段を多段増幅器で構成するものである。
ザビーム増幅手段を多段増幅器で構成するものである。
【0020】請求項8の発明に係るレーザ加工装置は、
レーザ共振器より出射されたレーザビームを直接あるい
はレーザビーム増幅器で増幅した後に被加工物に誘導し
て照射するものである。
レーザ共振器より出射されたレーザビームを直接あるい
はレーザビーム増幅器で増幅した後に被加工物に誘導し
て照射するものである。
【0021】
実施の形態1.以下、この発明の実施の形態1を図につ
いて説明する。ここでは、放電励起のガスレーザ、特に
CO2レーザを本発明に係るレーザ装置に適用した場合
について説明する。図1は本実施の形態に係るレーザ装
置の断面図であり、図において、11は全反射ミラー1
によって反射されて入射されたレーザビームを再び全反
射する、例えばCuよりなる平面状の全反射ミラーであ
り、全反射ミラー1と11が安定型のレーザ共振器を構
成する。
いて説明する。ここでは、放電励起のガスレーザ、特に
CO2レーザを本発明に係るレーザ装置に適用した場合
について説明する。図1は本実施の形態に係るレーザ装
置の断面図であり、図において、11は全反射ミラー1
によって反射されて入射されたレーザビームを再び全反
射する、例えばCuよりなる平面状の全反射ミラーであ
り、全反射ミラー1と11が安定型のレーザ共振器を構
成する。
【0022】12はレーザビーム3のP偏光成分のみを
透過させ、S偏光成分は反射させる偏光制御ミラー、1
3は透過窓である。14は可変パルス発生器であり、こ
の可変パルス発生器14は電気光学振幅変調器7に印加
する時間的な周期関数系に従って変化するパルス電圧を
発生する。15a,bはレーザ共振器内において全反射
ミラー1の入出射面と透過窓13の前面に配置された開
口部材であり、レーザビームの透過部分に開口部を形成
している。16はレーザ媒質であり、例えばCO2レー
ザ等のガスレーザの場合、放電などにより励起されたガ
ス媒質、17は上記構成のレーザ共振器を収納した箱体
である。
透過させ、S偏光成分は反射させる偏光制御ミラー、1
3は透過窓である。14は可変パルス発生器であり、こ
の可変パルス発生器14は電気光学振幅変調器7に印加
する時間的な周期関数系に従って変化するパルス電圧を
発生する。15a,bはレーザ共振器内において全反射
ミラー1の入出射面と透過窓13の前面に配置された開
口部材であり、レーザビームの透過部分に開口部を形成
している。16はレーザ媒質であり、例えばCO2レー
ザ等のガスレーザの場合、放電などにより励起されたガ
ス媒質、17は上記構成のレーザ共振器を収納した箱体
である。
【0023】尚、図中、1〜9は図20に示す従来のレ
ーザ装置と同一部材なので同一符号を付して説明を省略
する。従来装置では部分反射ミラー2を通してレーザー
ビーム9を外部に取り出したが、本実施の形態では全反
射ミラー1と11で反射を繰り返したレーザビー3を偏
光制御ミラー12より外部に取り出す。
ーザ装置と同一部材なので同一符号を付して説明を省略
する。従来装置では部分反射ミラー2を通してレーザー
ビーム9を外部に取り出したが、本実施の形態では全反
射ミラー1と11で反射を繰り返したレーザビー3を偏
光制御ミラー12より外部に取り出す。
【0024】次に本実施の形態の動作について説明す
る。まず、可変パルス発生器14から電気光学振幅変調
器7に電圧が印加されない場合の動作を図2を用いて説
明する。
る。まず、可変パルス発生器14から電気光学振幅変調
器7に電圧が印加されない場合の動作を図2を用いて説
明する。
【0025】本実施の形態におけるレーザ共振器の場
合、全反射ミラー1で反射され、偏光制御ミラー12で
反射されて4分の1波長板5の方へ進むレーザビーム3
は、S偏光成分の直線偏光である。このレーザビーム3
は、4分の1波長板5で反射して左回りの円偏光とな
る。電気光学振幅変調器7には電圧が加わっていないた
め、レーザビーム3は左回りの円偏光のまま電気光学振
幅変調器7と透過窓13を通過し、全反射ミラー11で
反射し、その際右回りの円偏光となる。
合、全反射ミラー1で反射され、偏光制御ミラー12で
反射されて4分の1波長板5の方へ進むレーザビーム3
は、S偏光成分の直線偏光である。このレーザビーム3
は、4分の1波長板5で反射して左回りの円偏光とな
る。電気光学振幅変調器7には電圧が加わっていないた
め、レーザビーム3は左回りの円偏光のまま電気光学振
幅変調器7と透過窓13を通過し、全反射ミラー11で
反射し、その際右回りの円偏光となる。
【0026】右回りの円偏光のレーザビーム3は再び透
過窓13と電気光学振幅変調器7を通過する。そして、
再度4分の1波長板5で反射する際にP偏光成分の直線
偏光になる。しかし、レーザビーム3は偏光制御ミラー
12を通過してしまうので、この場合、共振器損失は1
00%であるからレーザ発振は起こらない。共振器損失
が100%であることは、従来のレーザ共振器と比較す
ると、従来装置における部分反射ミラー2の透過率が1
00%であることに相当する。
過窓13と電気光学振幅変調器7を通過する。そして、
再度4分の1波長板5で反射する際にP偏光成分の直線
偏光になる。しかし、レーザビーム3は偏光制御ミラー
12を通過してしまうので、この場合、共振器損失は1
00%であるからレーザ発振は起こらない。共振器損失
が100%であることは、従来のレーザ共振器と比較す
ると、従来装置における部分反射ミラー2の透過率が1
00%であることに相当する。
【0027】次に、可変パルス発生器14から電気光学
振幅変調器7に4分の1波長電圧が印加される場合につ
いての動作を図3により説明する。この場合、4分の1
波長板5で反射した左回りの円偏光のレーザビーム3
は、電気光学振幅変調器7と透過窓13を通過する際、
P偏光成分の直線偏光になる。全反射ミラー11で反射
し、再び透過窓13と電気光学振幅変調器7を通過した
レーザビーム3は、右回りの円偏光になり、さらに再度
4分の1波長板5で反射する際にS偏光成分の直線偏光
になる。
振幅変調器7に4分の1波長電圧が印加される場合につ
いての動作を図3により説明する。この場合、4分の1
波長板5で反射した左回りの円偏光のレーザビーム3
は、電気光学振幅変調器7と透過窓13を通過する際、
P偏光成分の直線偏光になる。全反射ミラー11で反射
し、再び透過窓13と電気光学振幅変調器7を通過した
レーザビーム3は、右回りの円偏光になり、さらに再度
4分の1波長板5で反射する際にS偏光成分の直線偏光
になる。
【0028】このレーザビーム3は偏光制御ミラー12
を通過できず、すべて反射されるので、結果としてレー
ザビーム3はすべてレーザ共振器内に閉じ込められた形
となる。この場合、共振器損失は0%であるからレーザ
発振は起こらない。共振器損失が0%であることは、従
来のレーザ共振器に照らすと、部分反射ミラー2の透過
率が0%であることに相当する。
を通過できず、すべて反射されるので、結果としてレー
ザビーム3はすべてレーザ共振器内に閉じ込められた形
となる。この場合、共振器損失は0%であるからレーザ
発振は起こらない。共振器損失が0%であることは、従
来のレーザ共振器に照らすと、部分反射ミラー2の透過
率が0%であることに相当する。
【0029】このように、可変パルス発生器14から電
気光学振幅変調器7に印加する電圧を0から4分の1波
長電圧までの範囲で制御すれば、従来のレーザ共振器の
部分反射ミラー2の透過率を100から0%の範囲で制
御することと等価になる。この発明では、電気光学振幅
変調器7に時間的な周期関数系に従い変化し、かつその
一周期に印加状態が少なくとも2回以上変化するパルス
電圧を印加することで、周期的な電圧の1サイクル分の
電圧波形を制御し発生したレーザビームを偏光分離ミラ
ーから出射するようにした。
気光学振幅変調器7に印加する電圧を0から4分の1波
長電圧までの範囲で制御すれば、従来のレーザ共振器の
部分反射ミラー2の透過率を100から0%の範囲で制
御することと等価になる。この発明では、電気光学振幅
変調器7に時間的な周期関数系に従い変化し、かつその
一周期に印加状態が少なくとも2回以上変化するパルス
電圧を印加することで、周期的な電圧の1サイクル分の
電圧波形を制御し発生したレーザビームを偏光分離ミラ
ーから出射するようにした。
【0030】従って、従来のQスイッチングから取り出
されるレーザビームのピーク強度よりも低い強度で発振
し、かつ1パルスあたりに含まれるレーザエネルギーを
従来のものよりも1.5倍程度高めることが可能にな
る。
されるレーザビームのピーク強度よりも低い強度で発振
し、かつ1パルスあたりに含まれるレーザエネルギーを
従来のものよりも1.5倍程度高めることが可能にな
る。
【0031】以下、可変パルス発生器14から電気光学
振幅変調器7に1サイクルの間に時間的な周期関数系に
従って変化するパルス電圧を印加した場合の、本実施の
形態に係るレーザ発振器のQスイッチ動作を図を用いて
説明する。
振幅変調器7に1サイクルの間に時間的な周期関数系に
従って変化するパルス電圧を印加した場合の、本実施の
形態に係るレーザ発振器のQスイッチ動作を図を用いて
説明する。
【0032】図4は可変パルス発生器14から電気光学
振幅変調器7に印加するパルス電圧を制御することによ
って生じたレーザ共振器の1サイクル分における時間的
な反射率変化を示したものである。パルス電圧を1サイ
クルの間に2段階のステップ状に変化させることで、こ
の発明のレーザ共振器には図4に示すような反射率変化
が生じる。
振幅変調器7に印加するパルス電圧を制御することによ
って生じたレーザ共振器の1サイクル分における時間的
な反射率変化を示したものである。パルス電圧を1サイ
クルの間に2段階のステップ状に変化させることで、こ
の発明のレーザ共振器には図4に示すような反射率変化
が生じる。
【0033】図5は図4に示された反射率変化が、図1
に示すレーザ共振器に生じたときの1サイクル分の時間
的なQスイッチレーザ発振特性を示したものである。こ
の状態で、図4に示すような電気光学振幅変調器7に印
加するパルス電圧を、1kHzの周波数で繰り返し与え
る。この発振条件は、図23で示された従来のQスイッ
チパルスが得られるものと同一である。
に示すレーザ共振器に生じたときの1サイクル分の時間
的なQスイッチレーザ発振特性を示したものである。こ
の状態で、図4に示すような電気光学振幅変調器7に印
加するパルス電圧を、1kHzの周波数で繰り返し与え
る。この発振条件は、図23で示された従来のQスイッ
チパルスが得られるものと同一である。
【0034】このとき、2本の急峻なQスイッチパルス
が約1μsの間隔で得られる。2本のQスイッチパルス
は、それぞれ660kWのピークパワと半値全幅で50
nsを有し、1サイクル当たりに取り出されるレーザエ
ネルギーは約63mJとなる。
が約1μsの間隔で得られる。2本のQスイッチパルス
は、それぞれ660kWのピークパワと半値全幅で50
nsを有し、1サイクル当たりに取り出されるレーザエ
ネルギーは約63mJとなる。
【0035】図4では、レーザ共振器の1サイクル分の
時間的な反射率変化が2段階のステップ状になるように
したが、例えば図6に示すように3段階にしてみる。図
7はそのときに得られる1サイクル分の時間的なレーザ
発振特性を示したものである。図より、3本の急峻なQ
スイッチパルスが約1μsの間隔で得られる。3本のQ
スイッチパルスは、それぞれ420kWのピークパワと
半値全幅で50nsを有し、1サイクル当たりに取り出
されるレーザエネルギーは約74mJとなる。
時間的な反射率変化が2段階のステップ状になるように
したが、例えば図6に示すように3段階にしてみる。図
7はそのときに得られる1サイクル分の時間的なレーザ
発振特性を示したものである。図より、3本の急峻なQ
スイッチパルスが約1μsの間隔で得られる。3本のQ
スイッチパルスは、それぞれ420kWのピークパワと
半値全幅で50nsを有し、1サイクル当たりに取り出
されるレーザエネルギーは約74mJとなる。
【0036】図4と図6ではレーザ共振器の1サイクル
分の時間的な反射率変化が2段階もしくは3段階のステ
ップ状になるようにしたが、図8に示すように電圧値の
異なるパルス電圧を続けて印加しても同様の効果が得ら
れる。また、図9に示すように電圧値の同じパルス電圧
を続けて印加すると、図10に示すようにピークパワー
の値は異なるが、複数本の急峻なQスイッチパルスが得
られる。図9(a)は電圧値の同じパルス電圧を2回続
けて印加した場合であり、このとき得られるパルス特性
が図10(a)に示されている。同様に、図9(b)は
電圧値の同じパルス電圧を3回続けて印加した場合であ
り、このとき得られるパルス特性が図10(b)に示さ
れている。
分の時間的な反射率変化が2段階もしくは3段階のステ
ップ状になるようにしたが、図8に示すように電圧値の
異なるパルス電圧を続けて印加しても同様の効果が得ら
れる。また、図9に示すように電圧値の同じパルス電圧
を続けて印加すると、図10に示すようにピークパワー
の値は異なるが、複数本の急峻なQスイッチパルスが得
られる。図9(a)は電圧値の同じパルス電圧を2回続
けて印加した場合であり、このとき得られるパルス特性
が図10(a)に示されている。同様に、図9(b)は
電圧値の同じパルス電圧を3回続けて印加した場合であ
り、このとき得られるパルス特性が図10(b)に示さ
れている。
【0037】図11は本発明によって得られたQスイッ
チパルスの1サイクル分に含まれるレーザエネルギー
を、従来のQスイッチパルスのエネルギーと比較したも
のである。図より、本発明のQスイッチパルス発生技術
を使うことによって、レーザエネルギーは従来のものと
比較して1.5倍程度高められる。また、図5及び図7
と図23を比較しても、ピーク強度は従来のものと比較
して4分の1程度抑えられる。
チパルスの1サイクル分に含まれるレーザエネルギー
を、従来のQスイッチパルスのエネルギーと比較したも
のである。図より、本発明のQスイッチパルス発生技術
を使うことによって、レーザエネルギーは従来のものと
比較して1.5倍程度高められる。また、図5及び図7
と図23を比較しても、ピーク強度は従来のものと比較
して4分の1程度抑えられる。
【0038】このように、可変パルス発生器14から電
気光学振幅変調器7に1サイクルの間に時間的な周期関
数系に従って変化するパルス電圧を印加することによ
り、レーザ共振器の1サイクル分の時間的な反射率変化
を引き起こし、その結果、1サイクルあたりに含まれる
レーザエネルギーを従来のQスイッチングで得られるも
のよりも増加させることが可能になる。また、従来のQ
スイッチングで得られるピーク強度は高すぎて、多くの
レーザ加工では不向きであったものが、この発明は、そ
のピーク強度を極端に小さく抑えることができるため微
細な穴空け加工等に多大な効果を発揮する。
気光学振幅変調器7に1サイクルの間に時間的な周期関
数系に従って変化するパルス電圧を印加することによ
り、レーザ共振器の1サイクル分の時間的な反射率変化
を引き起こし、その結果、1サイクルあたりに含まれる
レーザエネルギーを従来のQスイッチングで得られるも
のよりも増加させることが可能になる。また、従来のQ
スイッチングで得られるピーク強度は高すぎて、多くの
レーザ加工では不向きであったものが、この発明は、そ
のピーク強度を極端に小さく抑えることができるため微
細な穴空け加工等に多大な効果を発揮する。
【0039】この実施の形態では、レーザ共振器の1サ
イクル分の時間的な反射率変化が2段階または3段階の
ステップ状である場合について説明したが、これに限る
ものではなく、要は反射率変化が時間的に変化すれば同
様の効果が得られる。また、この実施の形態では、レー
ザ共振器として安定型共振器を構成するものについて説
明したが、これに限るものではなく、不安定型共振器で
あっても同様の効果が得られる。
イクル分の時間的な反射率変化が2段階または3段階の
ステップ状である場合について説明したが、これに限る
ものではなく、要は反射率変化が時間的に変化すれば同
様の効果が得られる。また、この実施の形態では、レー
ザ共振器として安定型共振器を構成するものについて説
明したが、これに限るものではなく、不安定型共振器で
あっても同様の効果が得られる。
【0040】また、この実施の形態では、レーザビーム
3が45度で入射する偏光制御ミラー12を用いてレー
ザ共振器を構成する場合に説明したが、これに限るもの
ではなく、レーザビーム3のP偏光成分のみを透過さ
せ、S偏光成分は反射させる特殊膜を施したブリュース
ターミラーを用いても同様の効果が得られる。さらに、
この実施の形態では、反射型の4分の1波長板5を用い
てレーザ共振器を構成する場合に説明したが、これに限
るものではなく、透過型の4分の1波長板を用いても同
様の効果が得られる。
3が45度で入射する偏光制御ミラー12を用いてレー
ザ共振器を構成する場合に説明したが、これに限るもの
ではなく、レーザビーム3のP偏光成分のみを透過さ
せ、S偏光成分は反射させる特殊膜を施したブリュース
ターミラーを用いても同様の効果が得られる。さらに、
この実施の形態では、反射型の4分の1波長板5を用い
てレーザ共振器を構成する場合に説明したが、これに限
るものではなく、透過型の4分の1波長板を用いても同
様の効果が得られる。
【0041】実施の形態2.上記実施の形態1では、全
反射ミラー1と11が安定型のレーザ共振器を構成する
場合について説明したが、図12に示すように、電気光
学振幅変調器7のレーザビーム出射面に全反射膜21を
施して全反射鏡を形成し、全反射膜21と全反射ミラー
1とでレーザ共振器を構成することで、レーザ共振器を
構成する光学部品点数を少なくすることができ、コンパ
クトかつ安価なCO2レーザ装置を提供できる。
反射ミラー1と11が安定型のレーザ共振器を構成する
場合について説明したが、図12に示すように、電気光
学振幅変調器7のレーザビーム出射面に全反射膜21を
施して全反射鏡を形成し、全反射膜21と全反射ミラー
1とでレーザ共振器を構成することで、レーザ共振器を
構成する光学部品点数を少なくすることができ、コンパ
クトかつ安価なCO2レーザ装置を提供できる。
【0042】また、図13に示すように、透過窓13を
電気光学振幅変調器7のレーザビーム出射面に施された
無反射膜22に置き換えても同様にレーザ共振器を構成
すると光学部品点数を少なくすることができ、コンパク
トかつ安価なCO2レーザ装置を提供できる。
電気光学振幅変調器7のレーザビーム出射面に施された
無反射膜22に置き換えても同様にレーザ共振器を構成
すると光学部品点数を少なくすることができ、コンパク
トかつ安価なCO2レーザ装置を提供できる。
【0043】実施の形態3.上記実施の形態1では、レ
ーザ共振器内に挿入された開口部材15a、bの動作つ
いては記述しなかったが、例えば、この開口部材15
a,bの中央に形成した開口部の直径を調節して共振器
内で発振するレーザビームのモードをTEM00モード
に選択すると、更に高品質な穴空け加工を行うことがで
きる。
ーザ共振器内に挿入された開口部材15a、bの動作つ
いては記述しなかったが、例えば、この開口部材15
a,bの中央に形成した開口部の直径を調節して共振器
内で発振するレーザビームのモードをTEM00モード
に選択すると、更に高品質な穴空け加工を行うことがで
きる。
【0044】図14は開口部材15a,bの開口部の直
径を調節してTEM00モード発振させたときの、Qス
イッチパルスの1サイクル分に含まれるレーザエネルギ
ーを、従来のTEM00モード発振のQスイッチパルス
のエネルギーと比較したものである。図より明らかなよ
うに、本発明のQスイッチパルス発生技術を使うとTE
M00モード発振でのレーザエネルギーは従来のものと
比較して1.5倍程度高められることがわかる。
径を調節してTEM00モード発振させたときの、Qス
イッチパルスの1サイクル分に含まれるレーザエネルギ
ーを、従来のTEM00モード発振のQスイッチパルス
のエネルギーと比較したものである。図より明らかなよ
うに、本発明のQスイッチパルス発生技術を使うとTE
M00モード発振でのレーザエネルギーは従来のものと
比較して1.5倍程度高められることがわかる。
【0045】実施の形態4.上記実施の形態1では、レ
ーザ共振器の1サイクル分の時間的な反射率変化が2段
階または3段階にした場合について説明したが、本実施
の形態は、図15と図16に示すように、電気光学振幅
変調器7に印加する可変パルス発生器14から発生する
パルス電圧を、時間的に周期を持つ多段(4段階、もし
くはそれ以上)のステップ関数系に従って変化するよう
にした。
ーザ共振器の1サイクル分の時間的な反射率変化が2段
階または3段階にした場合について説明したが、本実施
の形態は、図15と図16に示すように、電気光学振幅
変調器7に印加する可変パルス発生器14から発生する
パルス電圧を、時間的に周期を持つ多段(4段階、もし
くはそれ以上)のステップ関数系に従って変化するよう
にした。
【0046】この結果、簡単な電圧制御方法を用いて、
従来のQスイッチングから取り出されるレーザビームの
強度よりも低いピーク強度で発振し、かつ1パルスあた
りに含まれるレーザエネルギーを従来のものよりも1.
5倍以上高めることができる。
従来のQスイッチングから取り出されるレーザビームの
強度よりも低いピーク強度で発振し、かつ1パルスあた
りに含まれるレーザエネルギーを従来のものよりも1.
5倍以上高めることができる。
【0047】実施の形態5.図17はこの発明における
レーザ装置をレーザビーム発振段とし、レーザビーム増
幅段と組み合わせて多段増幅レーザ装置として適用した
例である。図において、51はレーザビーム発振段、5
2はレーザビーム発振段51より発振されたレーザビー
ム強度を増幅するレーザビーム増幅段である。53はレ
ーザ媒質で、CO2レーザを例にとれば放電等により励
起されたガス媒質である。54a,bは透過窓であり、
この透過窓54a,bはレーザ媒質53を封入した筺体
においてレーザビーム9の入射口と出射口に配置されて
いる。55は透過窓54aより入射されレーザビーム増
幅段52内に存在するレーザビーム、56は透過窓54
bより出射されレレーザビーム増幅段52外に出射され
たレーザビームである。
レーザ装置をレーザビーム発振段とし、レーザビーム増
幅段と組み合わせて多段増幅レーザ装置として適用した
例である。図において、51はレーザビーム発振段、5
2はレーザビーム発振段51より発振されたレーザビー
ム強度を増幅するレーザビーム増幅段である。53はレ
ーザ媒質で、CO2レーザを例にとれば放電等により励
起されたガス媒質である。54a,bは透過窓であり、
この透過窓54a,bはレーザ媒質53を封入した筺体
においてレーザビーム9の入射口と出射口に配置されて
いる。55は透過窓54aより入射されレーザビーム増
幅段52内に存在するレーザビーム、56は透過窓54
bより出射されレレーザビーム増幅段52外に出射され
たレーザビームである。
【0048】次に動作について説明する。レーザビーム
発振段51の動作は実施の形態1で説明したレーザ共振
器の動作と同様である。レーザ発振段51から出射され
たレーザビーム9は、レーザビーム増幅段52に導かれ
る。透過窓54aを透過してレーザビーム増幅段52内
に導かれたレーザビーム55は、増幅段内のレーザ媒質
53により強度が増幅され、透過窓54bを透過した
後、大出力のレーザビーム56となる。
発振段51の動作は実施の形態1で説明したレーザ共振
器の動作と同様である。レーザ発振段51から出射され
たレーザビーム9は、レーザビーム増幅段52に導かれ
る。透過窓54aを透過してレーザビーム増幅段52内
に導かれたレーザビーム55は、増幅段内のレーザ媒質
53により強度が増幅され、透過窓54bを透過した
後、大出力のレーザビーム56となる。
【0049】実施の形態6.実施の形態5では、レーザ
ビーム増幅段52を一段用いた場合について説明した
が、レーザビーム増幅段52を複数段用いても同様の効
果を得ることができる。このとき、最終のレーザビーム
増幅段から取り出されたレーザビームはさらに大出力と
なる。
ビーム増幅段52を一段用いた場合について説明した
が、レーザビーム増幅段52を複数段用いても同様の効
果を得ることができる。このとき、最終のレーザビーム
増幅段から取り出されたレーザビームはさらに大出力と
なる。
【0050】実施の形態7.図18は上記各実施の形態
で説明したレーザ発振器を内蔵したレーザ装置を搭載し
たレーザ加工装置の一例を示すものである。図におい
て、71は上記各実施の形態で説明したレーザ発振器を
内蔵したレーザ装置である。72はビームダクト73
a,bおよびベンドミラー74a,b,c,dなどから構成
され、レーザ発振器71から発生されるレーザビーム9
を加工ヘッドへ伝送するためのビーム伝送系、75は加
工ヘッドであり、この加工ヘッド75はビーム伝送系よ
り伝送されてきたレーザビーム9を被加工物76上に集
光するための加工レンズ77、アシストガス管78より
送気されるアシストガスを被加工物76に吹き付けるた
めのノズル79などから構成される。
で説明したレーザ発振器を内蔵したレーザ装置を搭載し
たレーザ加工装置の一例を示すものである。図におい
て、71は上記各実施の形態で説明したレーザ発振器を
内蔵したレーザ装置である。72はビームダクト73
a,bおよびベンドミラー74a,b,c,dなどから構成
され、レーザ発振器71から発生されるレーザビーム9
を加工ヘッドへ伝送するためのビーム伝送系、75は加
工ヘッドであり、この加工ヘッド75はビーム伝送系よ
り伝送されてきたレーザビーム9を被加工物76上に集
光するための加工レンズ77、アシストガス管78より
送気されるアシストガスを被加工物76に吹き付けるた
めのノズル79などから構成される。
【0051】80は被加工物76を動かすための加工テ
ーブルである。181a,bはレーザ発振器71に冷却
水を循環させる水管である。このように構成されたレー
ザ加工装置にあっては、例えばピーク強度が適度に高
く、かつ1サイクル内に含まれるレーザエネルギーも大
きいので高品質な穴空け加工を高速に行うことができ
る。
ーブルである。181a,bはレーザ発振器71に冷却
水を循環させる水管である。このように構成されたレー
ザ加工装置にあっては、例えばピーク強度が適度に高
く、かつ1サイクル内に含まれるレーザエネルギーも大
きいので高品質な穴空け加工を高速に行うことができ
る。
【0052】実施の形態8.上記実施の形態1から7で
は、放電励起のガスレーザ、特にCO2レーザにこの発
明を適用した場合について説明したが、この発明のレー
ザ装置はこれに限るものではなく、放電励起のガスレー
ザ、例えばエキシマレーザや金属蒸気レーザ、さらに固
体レーザ装置に適用しても同様の効果が得られる。
は、放電励起のガスレーザ、特にCO2レーザにこの発
明を適用した場合について説明したが、この発明のレー
ザ装置はこれに限るものではなく、放電励起のガスレー
ザ、例えばエキシマレーザや金属蒸気レーザ、さらに固
体レーザ装置に適用しても同様の効果が得られる。
【0053】図19はこの発明におけるレーザ装置を固
体レーザ装置に適用した例である。図において、81は
固体素子で、例えばYAGレーザを例にとればY3−x
NdxAl5O12なる組成を持つ。82は例えばフラ
ッシュランプからなる固体素子81の励起用の光源、8
3は光源82の支持部、84は固体レーザ装置の外枠で
ある。
体レーザ装置に適用した例である。図において、81は
固体素子で、例えばYAGレーザを例にとればY3−x
NdxAl5O12なる組成を持つ。82は例えばフラ
ッシュランプからなる固体素子81の励起用の光源、8
3は光源82の支持部、84は固体レーザ装置の外枠で
ある。
【0054】本実施の形態の動作は動作は実施の形態1
で示したものとほぼ同様であり、固体素子81は光源8
2からの直接光により励起され、レーザ媒質を形成す
る。そして、レーザ媒質内でレーザビーム3を共振させ
て増幅し、さらにレーザビーム3の一部を固体レーザ装
置の外部にレーザビーム9として取り出す。レーザ共振
器内で発振するレーザビーム3の発振モードは、例えば
実施の形態3で説明したとおりで、開口部15a,bの
直径により選択される。
で示したものとほぼ同様であり、固体素子81は光源8
2からの直接光により励起され、レーザ媒質を形成す
る。そして、レーザ媒質内でレーザビーム3を共振させ
て増幅し、さらにレーザビーム3の一部を固体レーザ装
置の外部にレーザビーム9として取り出す。レーザ共振
器内で発振するレーザビーム3の発振モードは、例えば
実施の形態3で説明したとおりで、開口部15a,bの
直径により選択される。
【0055】また、固体レーザ装置から出射されたレー
ザビームを、実施の形態5、6に示す様にレーザビーム
増幅段52に導き、増幅段内のレーザ媒質53によりレ
ーザビーム強度を増幅して大出力のレーザビーム56と
して外部に出射することもできる。
ザビームを、実施の形態5、6に示す様にレーザビーム
増幅段52に導き、増幅段内のレーザ媒質53によりレ
ーザビーム強度を増幅して大出力のレーザビーム56と
して外部に出射することもできる。
【0056】
【発明の効果】請求項1の発明によれば、レーザ媒質を
介して発生したレーザビームを一対の反射ミラー間で相
互に反射させるレーザ共振器内に、一方の全反射ミラー
により反射されたレーザビームを受けて他方の全反射ミ
ラー方向に反射させる偏光分離ミラーと、この偏光分離
ミラーにより反射されたレーザビームを前記他方の全反
射ミラーに向けて反射する1/4波長板と、この1/4
波長板によって反射されたレーザビームを入射して光学
的に振幅変調して前記他方の全反射ミラーに出射させる
電気光学振幅変調器とを配置し、且つ、前記電気光学振
幅変調器に対し、時間的な周期関数系に従い変化して且
つ、その一周期に印加状態が少なくとも2回以上変化す
るパルス電圧を発生して印加する可変パルス発生器を備
え、前記レーザ媒質を介して発生したレーザビームを一
対の全反射ミラー間で反射させながら前記偏光分離ミラ
ーから出射するようにしたので、従来のQスイッチング
から取り出されるレーザビームの強度よりも低いピーク
強度で発振し、かつ1パルスあたりに含まれるレーザエ
ネルギーを従来のものよりも1.5倍程度高めることが
でき、更に、レーザ装置自体を非常にコンパクトにでき
るため、設置スペースを小さくすることができると共に
レーザ装置の大幅なコストダウンが可能になるという効
果がある。
介して発生したレーザビームを一対の反射ミラー間で相
互に反射させるレーザ共振器内に、一方の全反射ミラー
により反射されたレーザビームを受けて他方の全反射ミ
ラー方向に反射させる偏光分離ミラーと、この偏光分離
ミラーにより反射されたレーザビームを前記他方の全反
射ミラーに向けて反射する1/4波長板と、この1/4
波長板によって反射されたレーザビームを入射して光学
的に振幅変調して前記他方の全反射ミラーに出射させる
電気光学振幅変調器とを配置し、且つ、前記電気光学振
幅変調器に対し、時間的な周期関数系に従い変化して且
つ、その一周期に印加状態が少なくとも2回以上変化す
るパルス電圧を発生して印加する可変パルス発生器を備
え、前記レーザ媒質を介して発生したレーザビームを一
対の全反射ミラー間で反射させながら前記偏光分離ミラ
ーから出射するようにしたので、従来のQスイッチング
から取り出されるレーザビームの強度よりも低いピーク
強度で発振し、かつ1パルスあたりに含まれるレーザエ
ネルギーを従来のものよりも1.5倍程度高めることが
でき、更に、レーザ装置自体を非常にコンパクトにでき
るため、設置スペースを小さくすることができると共に
レーザ装置の大幅なコストダウンが可能になるという効
果がある。
【0057】請求項2の発明によれば、レーザ媒質を固
体レーザ素子とし、この固体レーザ素子の励起用の光源
を備えたので、請求項1に係るレーザ装置より簡易な構
成で同様な効果を奏する。
体レーザ素子とし、この固体レーザ素子の励起用の光源
を備えたので、請求項1に係るレーザ装置より簡易な構
成で同様な効果を奏する。
【0058】請求項3の発明によれば、他の反射ミラー
に代えて電気光学振幅変調器のレーザビーム出射面に全
反射膜を施し、全反射膜と一方の反射ミラーとでレーザ
共振器を構成したので、レーザ共振器を構成する光学部
品点数を少なくすることができ、コンパクトかつ安価な
レーザ装置を提供できるという効果がある。
に代えて電気光学振幅変調器のレーザビーム出射面に全
反射膜を施し、全反射膜と一方の反射ミラーとでレーザ
共振器を構成したので、レーザ共振器を構成する光学部
品点数を少なくすることができ、コンパクトかつ安価な
レーザ装置を提供できるという効果がある。
【0059】請求項4の発明に係るレーザ装置は、レー
ザ共振器内におけるレーザビームの光路中に、ビーム径
を調整する開口部を形成した開口部材を配置し、前記レ
ーザビームの横モードを選択するようにしたので、開口
の直径を調節することで、共振器内で発振するレーザビ
ームのモードを自由に選択することができる。さらに、
この発明のレーザ装置を使用したレーザ加工機では、高
品質なレーザビームを維持したままで長時間の連続運転
が可能となり、加工コストの低減や消費電力の低減を図
ることができるという効果がある。
ザ共振器内におけるレーザビームの光路中に、ビーム径
を調整する開口部を形成した開口部材を配置し、前記レ
ーザビームの横モードを選択するようにしたので、開口
の直径を調節することで、共振器内で発振するレーザビ
ームのモードを自由に選択することができる。さらに、
この発明のレーザ装置を使用したレーザ加工機では、高
品質なレーザビームを維持したままで長時間の連続運転
が可能となり、加工コストの低減や消費電力の低減を図
ることができるという効果がある。
【0060】請求項5の発明によれば、可変パルス発生
器から発生するパルス電圧を、時間的に周期を持つ多段
のステップ関数系に従って変化させるようにしたので、
簡単な電圧制御方法を用いて、従来のQスイッチングか
ら取り出されるレーザビームの強度よりも低いピーク強
度で発振し、かつ1パルスあたりに含まれるレーザエネ
ルギーを従来のものよりも1.5倍以上高めることがで
きる。さらには、レーザ装置自体を非常にコンパクトに
できるため、設置スペースを小さくすることができ、か
つレーザ装置の大幅なコストダウンが可能になるという
効果がある。
器から発生するパルス電圧を、時間的に周期を持つ多段
のステップ関数系に従って変化させるようにしたので、
簡単な電圧制御方法を用いて、従来のQスイッチングか
ら取り出されるレーザビームの強度よりも低いピーク強
度で発振し、かつ1パルスあたりに含まれるレーザエネ
ルギーを従来のものよりも1.5倍以上高めることがで
きる。さらには、レーザ装置自体を非常にコンパクトに
できるため、設置スペースを小さくすることができ、か
つレーザ装置の大幅なコストダウンが可能になるという
効果がある。
【0061】請求項6の発明によれば、レーザ共振器の
偏光分離ミラーから出射されたレーザビームを増幅する
レーザビーム増幅手段を備えたので、レーザビーム増幅
段内に導かれたレーザビームは、増幅段内のレーザ媒質
により増幅され、大出力のQスイッチレーザビームとな
る。品質の良いレーザビームが、増幅段内のレーザ媒質
から極めて効率良くエネルギーを取り出すことができた
め、レンズを用いて集光すると集光性の良いレーザビー
ムとなるので、例えばレーザ加工用の被加工物に当てる
と効率良くレーザ加工を行うことができるという効果が
ある。
偏光分離ミラーから出射されたレーザビームを増幅する
レーザビーム増幅手段を備えたので、レーザビーム増幅
段内に導かれたレーザビームは、増幅段内のレーザ媒質
により増幅され、大出力のQスイッチレーザビームとな
る。品質の良いレーザビームが、増幅段内のレーザ媒質
から極めて効率良くエネルギーを取り出すことができた
め、レンズを用いて集光すると集光性の良いレーザビー
ムとなるので、例えばレーザ加工用の被加工物に当てる
と効率良くレーザ加工を行うことができるという効果が
ある。
【0062】請求項7の発明によれば、レーザビーム増
幅手段を多段増幅器で構成したので、レーザビーム増幅
段内に導かれたレーザビームは、複数の増幅段内のレー
ザ媒質により増幅され、より大出力のQスイッチレーザ
ビームとなる。また、品質の良いレーザビームが、増幅
段内のレーザ媒質から極めて効率良くエネルギーを取り
出すことができるため、このレーザビームをレンズを用
いて集光すると集光性の良いレーザビームとなるので、
例えばレーザ加工用の被加工物に当てると効率良くレー
ザ加工を行うことができるという効果がある。
幅手段を多段増幅器で構成したので、レーザビーム増幅
段内に導かれたレーザビームは、複数の増幅段内のレー
ザ媒質により増幅され、より大出力のQスイッチレーザ
ビームとなる。また、品質の良いレーザビームが、増幅
段内のレーザ媒質から極めて効率良くエネルギーを取り
出すことができるため、このレーザビームをレンズを用
いて集光すると集光性の良いレーザビームとなるので、
例えばレーザ加工用の被加工物に当てると効率良くレー
ザ加工を行うことができるという効果がある。
【0063】請求項8の発明によれば、レーザ共振器よ
り出射されたレーザビームを直接あるいはレーザビーム
増幅器で増幅した後に被加工物に誘導して照射するよう
にしたので、集光性の良いレーザビームにより被加工物
を加工でき、高速な加工が可能になる。さらには、レー
ザ装置自体を非常にコンパクトにできるためレーザ加工
装置の設置スペースを小さくすることができ、かつ大幅
なコストダウンが可能となるという効果がある。
り出射されたレーザビームを直接あるいはレーザビーム
増幅器で増幅した後に被加工物に誘導して照射するよう
にしたので、集光性の良いレーザビームにより被加工物
を加工でき、高速な加工が可能になる。さらには、レー
ザ装置自体を非常にコンパクトにできるためレーザ加工
装置の設置スペースを小さくすることができ、かつ大幅
なコストダウンが可能となるという効果がある。
【図1】 この発明の実施の形態1に係るレーザ装置の
構成を示す断面図である。
構成を示す断面図である。
【図2】 この発明の実施の形態1に係るレーザ装置の
動作を説明するレーザビームの状態図である。
動作を説明するレーザビームの状態図である。
【図3】 この発明の実施の形態1に係るレーザ装置の
動作を説明するレーザビームの状態図である。
動作を説明するレーザビームの状態図である。
【図4】 この発明の実施の形態1に係るレーザ装置の
共振器全体の反射率変化を表す図である。
共振器全体の反射率変化を表す図である。
【図5】 この発明の実施の形態1に係るレーザ装置の
パルス特性を表す図である。
パルス特性を表す図である。
【図6】 この発明の実施の形態1に係るレーザ装置の
共振器全体の反射率変化を表す図である。
共振器全体の反射率変化を表す図である。
【図7】 この発明の実施の形態1に係るレーザ装置の
パルス特性を表す図である。
パルス特性を表す図である。
【図8】 この発明の実施の形態1に係るレーザ装置の
共振器全体の反射率変化を表す図である。
共振器全体の反射率変化を表す図である。
【図9】 この発明の実施の形態1に係るレーザ装置の
共振器全体の反射率変化を表す図である。
共振器全体の反射率変化を表す図である。
【図10】 この発明の実施の形態1に係るレーザ装置
のパルス強度特性を表す図である。
のパルス強度特性を表す図である。
【図11】 この発明の実施の形態1に係るレーザ装置
の出力特性を表す図である。
の出力特性を表す図である。
【図12】 この発明の実施の形態2に係るレーザ装置
の構成を示す断面図である。
の構成を示す断面図である。
【図13】 この発明の実施の形態2に係る他のレーザ
装置の構成を示す断面図である。
装置の構成を示す断面図である。
【図14】 この発明の実施の形態3に係るレーザ装置
の出力特性を表す図である。
の出力特性を表す図である。
【図15】 この発明の実施の形態4に係るレーザ装置
の共振器全体の反射率変化を表す図である。
の共振器全体の反射率変化を表す図である。
【図16】 この発明の実施の形態4に係るレーザ装置
の共振器全体の反射率変化を表す図である。
の共振器全体の反射率変化を表す図である。
【図17】 この発明の実施の形態5に係るレーザ装置
の構成を示す断面図である。
の構成を示す断面図である。
【図18】 この発明の実施の形態7に係るレーザ加工
装置の構成を示す断面図である。
装置の構成を示す断面図である。
【図19】 この発明の実施の形態8に係るレーザ装置
の構成をを示す断面図である。
の構成をを示す断面図である。
【図20】 従来のレーザ装置の構成を示す断面図であ
る。
る。
【図21】 従来のレーザ装置の動作を表す図である。
【図22】 従来のレーザ装置の動作を表す図である。
【図23】 従来のレーザ装置のパルス特性を表す図で
ある。
ある。
1,11 全反射ミラー、2 部分反射ミラー、3,9
レーザビーム、54分の1波長板、7 電気光学振幅
変調器、8 パルス発生器、17 箱体、12 偏光制
御ミラー、13,54a,b 透過窓、14 可変パル
ス発生器、15a,b 開口部材、16,53 レーザ
媒質、21 全反射膜、22 無反射膜、51 レーザ
ビーム発振段、52 レーザビーム増幅段。
レーザビーム、54分の1波長板、7 電気光学振幅
変調器、8 パルス発生器、17 箱体、12 偏光制
御ミラー、13,54a,b 透過窓、14 可変パル
ス発生器、15a,b 開口部材、16,53 レーザ
媒質、21 全反射膜、22 無反射膜、51 レーザ
ビーム発振段、52 レーザビーム増幅段。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 正明 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三 菱電機株式会社内
Claims (8)
- 【請求項1】 レーザ媒質を介して発生したレーザビー
ムを一対の全反射ミラー間で相互に反射させるレーザ共
振器内に、一方の全反射ミラーにより反射されたレーザ
ビームを受けて他方の全反射ミラー方向に反射させる偏
光分離ミラーと、この偏光分離ミラーにより反射された
レーザビームを前記他方の全反射ミラーに向けて反射す
る1/4波長板と、この1/4波長板によって反射され
たレーザビームを入射して光学的に振幅変調して前記他
方の全反射ミラーに出射させる電気光学振幅変調器とを
配置し、且つ、この電気光学振幅変調器に対し、一時間
的な周期関数系に従い変化して一周期に印加状態が少な
くとも2回以上変化するパルス電圧を発生して印加する
可変パルス発生器を備え、前記レーザ媒質を介して発生
したレーザビームを前記一対の全反射ミラー間で相互に
反射させながら前記偏光分離ミラーから外部に出射する
ことを特徴とするレーザ装置。 - 【請求項2】 レーザ媒質を固体レーザ素子とし、この
固体レーザ素子の励起用の光源を備えたことを特徴とす
る請求項第1項に記載のレーザ装置。 - 【請求項3】 他方の反射ミラーに代えて電気光学振幅
変調器のレーザビーム出射面に全反射膜を施し、全反射
膜と一方の反射ミラーとでレーザ共振器を構成すること
を特徴とする請求項第1項または第2項に記載のレーザ
装置。 - 【請求項4】 レーザ共振器内におけるレーザビームの
光路中に、ビーム径を調整する開口部を形成した開口部
材を配置し、前記開口部の径を調整して前記レーザビー
ムの横モードを選択することを特徴とする請求項第1項
また第3項に記載のレーザ装置。 - 【請求項5】 可変パルス発生器から発生するパルス電
圧は、時間的に周期を持つ多段のステップ関数系に従っ
て変化することを特徴とする請求項第1項から第4項の
いずれかに記載のレーザ装置。 - 【請求項6】 レーザ共振器の偏光分離ミラーから出射
されたレーザビームを増幅するレーザビーム増幅手段を
備えたことを特徴とする請求項第1項から第5項のいず
れかに記載のレーザ装置。 - 【請求項7】 レーザビーム増幅手段は多段増幅器で構
成することを特徴とする請求項第6項に記載のレーザ装
置。 - 【請求項8】 レーザ共振器より出射されたレーザビー
ムを直接あるいはレーザビーム増幅器で増幅した後に被
加工物に誘導して照射することを特徴とする請求項第1
項から第7項のいずれかに記載のレーザ加工装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7830597A JPH10275950A (ja) | 1997-03-28 | 1997-03-28 | レーザ装置及びレーザ加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7830597A JPH10275950A (ja) | 1997-03-28 | 1997-03-28 | レーザ装置及びレーザ加工装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10275950A true JPH10275950A (ja) | 1998-10-13 |
Family
ID=13658226
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7830597A Pending JPH10275950A (ja) | 1997-03-28 | 1997-03-28 | レーザ装置及びレーザ加工装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10275950A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6292505B1 (en) | 1998-10-12 | 2001-09-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Dual resonator laser apparatus with optical modulation |
-
1997
- 1997-03-28 JP JP7830597A patent/JPH10275950A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6292505B1 (en) | 1998-10-12 | 2001-09-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Dual resonator laser apparatus with optical modulation |
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