JPH11104870A - レーザ加工装置 - Google Patents
レーザ加工装置Info
- Publication number
- JPH11104870A JPH11104870A JP9272962A JP27296297A JPH11104870A JP H11104870 A JPH11104870 A JP H11104870A JP 9272962 A JP9272962 A JP 9272962A JP 27296297 A JP27296297 A JP 27296297A JP H11104870 A JPH11104870 A JP H11104870A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- laser beam
- pulse
- wavelength
- converting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
- H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高いピーク強度と短いパルス幅を有する短波
長のレーザビームを安定に取り出すことができるレーザ
加工装置を得ることを目的とし、例えばプリント基板に
微細な穴開け加工を行うレーザ加工機を提供する。 【解決手段】 レーザ共振器のＱ値を短時間のうちに変
化させることが可能なＱ値制御装置を有するＱスイッチ
パルスＣＯ2 レーザ発振器と、ＱスイッチパルスＣＯ2
レーザ発振器から出射したレーザビームの波長を２分の
１に変換する波長変換素子を有するレーザ装置と、レー
ザ装置から発生するレーザビームを伝送し、集光光学系
とを備え、レーザビームを被加工物に照射するようにす
る。このような構成のレーザ加工装置は、従来のＱスイ
ッチパルスＣＯ2 レーザビームよりも短波長のレーザビ
ームを取り出すことができ、より微細な穴を開けること
が可能になる。
長のレーザビームを安定に取り出すことができるレーザ
加工装置を得ることを目的とし、例えばプリント基板に
微細な穴開け加工を行うレーザ加工機を提供する。 【解決手段】 レーザ共振器のＱ値を短時間のうちに変
化させることが可能なＱ値制御装置を有するＱスイッチ
パルスＣＯ2 レーザ発振器と、ＱスイッチパルスＣＯ2
レーザ発振器から出射したレーザビームの波長を２分の
１に変換する波長変換素子を有するレーザ装置と、レー
ザ装置から発生するレーザビームを伝送し、集光光学系
とを備え、レーザビームを被加工物に照射するようにす
る。このような構成のレーザ加工装置は、従来のＱスイ
ッチパルスＣＯ2 レーザビームよりも短波長のレーザビ
ームを取り出すことができ、より微細な穴を開けること
が可能になる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高いピーク強度と
短いパルス幅を有する短波長のレーザビームを取り出
し、この短波長を用いて加工を行うレーザ加工装置に関
するものである。
短いパルス幅を有する短波長のレーザビームを取り出
し、この短波長を用いて加工を行うレーザ加工装置に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】図６は例えばＡＰＰＬＥＤ ＯＰＴＩＣ
ＡＬＳ，ＶＯＬ．３５，ＮＯ．２７，ＳＥＰＴＥＭＢＥ
Ｒ １９９６，Ｐ．５３８３のＦｉｇ．４に示された従
来のレーザ発振器を示す断面図であり、詳しくは、Ｑス
イッチパルスＣＯ2 レーザ発振器と等価的な作用を有す
るＱスイッチパルスＣＯ2 レーザ発振器の断面を示して
いる。図において、２は例えばＣｕよりなる凹面形状の
全反射ミラー１に対向配置された、例えばＺｎＳｅより
なる凹面形状の部分反射ミラーであり、この部分反射ミ
ラー２と全反射ミラー１が安定型のレーザ共振器を構成
する。３はレーザ共振器内に発生するレーザビーム、４
ａ，４ｂはレーザビーム３のＰ偏光成分のみを透過さ
せ、Ｓ偏光成分は反射させるブリュースター窓、５は４
分の１波長板、６はレーザ発振を行う放電管である。７
はＱ値制御装置であり、例えばＣｄＴｅよりなる電気光
学振幅変調器、８は電気振幅変調器７に印加するオン・
オフを繰り返すパルス電圧を発生するパルス発生器、９
は部分反射ミラー２より発振器外部に取り出されたレー
ザビームである。
ＡＬＳ，ＶＯＬ．３５，ＮＯ．２７，ＳＥＰＴＥＭＢＥ
Ｒ １９９６，Ｐ．５３８３のＦｉｇ．４に示された従
来のレーザ発振器を示す断面図であり、詳しくは、Ｑス
イッチパルスＣＯ2 レーザ発振器と等価的な作用を有す
るＱスイッチパルスＣＯ2 レーザ発振器の断面を示して
いる。図において、２は例えばＣｕよりなる凹面形状の
全反射ミラー１に対向配置された、例えばＺｎＳｅより
なる凹面形状の部分反射ミラーであり、この部分反射ミ
ラー２と全反射ミラー１が安定型のレーザ共振器を構成
する。３はレーザ共振器内に発生するレーザビーム、４
ａ，４ｂはレーザビーム３のＰ偏光成分のみを透過さ
せ、Ｓ偏光成分は反射させるブリュースター窓、５は４
分の１波長板、６はレーザ発振を行う放電管である。７
はＱ値制御装置であり、例えばＣｄＴｅよりなる電気光
学振幅変調器、８は電気振幅変調器７に印加するオン・
オフを繰り返すパルス電圧を発生するパルス発生器、９
は部分反射ミラー２より発振器外部に取り出されたレー
ザビームである。
【０００３】次に動作について説明する。まず、パルス
発生器８から電気光学振幅変調器７に電圧が印加されな
い場合について、図７を用いて説明する。この場合、ブ
リュースター窓４ａ，４ｂで囲まれた放電管６を通過で
きるレーザビーム３はＰ偏光成分の直線偏光だけである
から、４分の１波長板５を通過するレーザビーム３は左
回りの円偏光となる。電気光学振幅変調器７には電圧が
加わっていないため、レーザビーム３は左回りの円偏光
のまま電気光学振幅変調器７を通過し、全反射ミラー１
で反射し、その際右回りの円偏光となる。右回りの円偏
光のまま再び電気光学振幅変調器７を通過したレーザビ
ーム３は、再度４分の１波長板５を通過する際にＳ偏光
成分の直線偏光になる。しかし、ブリュースター窓４
ａ，４ｂで囲まれた放電管６を通過することはできない
ので、この場合レーザ発振は起こらない。
発生器８から電気光学振幅変調器７に電圧が印加されな
い場合について、図７を用いて説明する。この場合、ブ
リュースター窓４ａ，４ｂで囲まれた放電管６を通過で
きるレーザビーム３はＰ偏光成分の直線偏光だけである
から、４分の１波長板５を通過するレーザビーム３は左
回りの円偏光となる。電気光学振幅変調器７には電圧が
加わっていないため、レーザビーム３は左回りの円偏光
のまま電気光学振幅変調器７を通過し、全反射ミラー１
で反射し、その際右回りの円偏光となる。右回りの円偏
光のまま再び電気光学振幅変調器７を通過したレーザビ
ーム３は、再度４分の１波長板５を通過する際にＳ偏光
成分の直線偏光になる。しかし、ブリュースター窓４
ａ，４ｂで囲まれた放電管６を通過することはできない
ので、この場合レーザ発振は起こらない。
【０００４】次に、パルス発生器８から電気光学振幅変
調器７に４分の１波長電圧が印加される場合について、
図８を用いて説明する。この場合、４分の１波長板５を
通過した左回りの円偏光のレーザビーム３は、電気光学
振幅変調器７を通過する際、Ｓ偏光成分の直線偏光とな
る。全反射ミラー１で反射し、再び電気光学振幅変調器
７を通過したレーザビーム３は、右回りの円偏光にな
り、さらに再度４分の１波長板５を通過する際にＰ偏光
成分の直線偏光になる。このレーザビーム３はブリュー
スター窓４ａ，４ｂで囲まれた放電管６を通過すること
ができるので、レーザービーム３は部分反射ミラー２に
到達でき、従ってレーザ発振が起こる。
調器７に４分の１波長電圧が印加される場合について、
図８を用いて説明する。この場合、４分の１波長板５を
通過した左回りの円偏光のレーザビーム３は、電気光学
振幅変調器７を通過する際、Ｓ偏光成分の直線偏光とな
る。全反射ミラー１で反射し、再び電気光学振幅変調器
７を通過したレーザビーム３は、右回りの円偏光にな
り、さらに再度４分の１波長板５を通過する際にＰ偏光
成分の直線偏光になる。このレーザビーム３はブリュー
スター窓４ａ，４ｂで囲まれた放電管６を通過すること
ができるので、レーザービーム３は部分反射ミラー２に
到達でき、従ってレーザ発振が起こる。
【０００５】このように、パルス発生器８より電気光学
振幅変調器７にオン・オフを繰り返すパルス電圧を印加
することにより、図９に示すような高いピーク強度と短
いパルス幅を有するレーザビーム９を取り出すことがで
き、このような手法をＱスイッチングと呼んでいる。こ
のＱスイッチパルスＣＯ2 レーザ発振器を搭載したＣＯ
2 レーザ加工装置は、Ｑスイッチパルスビーム９を伝送
し、レンズ等の集光光学系により集光することで、効率
良く被加工物に穴を開けることができる。
振幅変調器７にオン・オフを繰り返すパルス電圧を印加
することにより、図９に示すような高いピーク強度と短
いパルス幅を有するレーザビーム９を取り出すことがで
き、このような手法をＱスイッチングと呼んでいる。こ
のＱスイッチパルスＣＯ2 レーザ発振器を搭載したＣＯ
2 レーザ加工装置は、Ｑスイッチパルスビーム９を伝送
し、レンズ等の集光光学系により集光することで、効率
良く被加工物に穴を開けることができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来のＱスイッチパル
スＣＯ2 レーザ加工装置は、以上のように構成されてお
り、例えばこのレーザ加工装置をプリント基板の穴開け
に用いる場合、加工穴の大きさが、用いたレーザ加工装
置から出射されるレーザビームの波長により制限されて
しまう場合が多い。従来のＱスイッチパルスＣＯ2 レー
ザ加工装置では、プリント基板に開けることができる穴
の直径はせいぜい５０μｍ程度である。従って、従来の
レーザ加工装置は、将来の高密度実装において要求され
る２０〜３０μｍ級の直径の穴開けに対応できないとい
う重大な問題点を持っている。
スＣＯ2 レーザ加工装置は、以上のように構成されてお
り、例えばこのレーザ加工装置をプリント基板の穴開け
に用いる場合、加工穴の大きさが、用いたレーザ加工装
置から出射されるレーザビームの波長により制限されて
しまう場合が多い。従来のＱスイッチパルスＣＯ2 レー
ザ加工装置では、プリント基板に開けることができる穴
の直径はせいぜい５０μｍ程度である。従って、従来の
レーザ加工装置は、将来の高密度実装において要求され
る２０〜３０μｍ級の直径の穴開けに対応できないとい
う重大な問題点を持っている。
【０００７】本発明は、上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、従来のＱスイッチングから取り
出されるレーザビームの波長を２分の１もしくは３分の
１にすることで、例えばプリント基板に、より微細な穴
を開けることができる。また、波長変換素子もレーザ装
置の近傍に設置するだけで良いので、レーザ加工装置自
身を非常にコンパクトにすることができ、従来と同様に
効率良くレーザ加工を行うことができる。
ためになされたもので、従来のＱスイッチングから取り
出されるレーザビームの波長を２分の１もしくは３分の
１にすることで、例えばプリント基板に、より微細な穴
を開けることができる。また、波長変換素子もレーザ装
置の近傍に設置するだけで良いので、レーザ加工装置自
身を非常にコンパクトにすることができ、従来と同様に
効率良くレーザ加工を行うことができる。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の構成によ
るレーザ加工装置は、ＱスイッチパルスＣＯ2 レーザ発
振器と、該ＱスイッチパルスＣＯ2 レーザ発振器から出
射したレーザビームの波長を２分の１に変換する波長変
換素子を有するレーザ装置と、該レーザ装置から発生す
るビームを集光する集光光学系とを備え、レーザビーム
を被加工物に照射するように構成したものである。
るレーザ加工装置は、ＱスイッチパルスＣＯ2 レーザ発
振器と、該ＱスイッチパルスＣＯ2 レーザ発振器から出
射したレーザビームの波長を２分の１に変換する波長変
換素子を有するレーザ装置と、該レーザ装置から発生す
るビームを集光する集光光学系とを備え、レーザビーム
を被加工物に照射するように構成したものである。
【０００９】また、本発明の第２の構成によるレーザ加
工装置は、ＱスイッチパルスＣＯ2レーザ発振器と前記
ＱスイッチパルスＣＯ2 レーザ発振器から出射したレー
ザビームの波長を２分の１に変換する前記波長変換素子
と、さらに前記ＱスイッチパルスＣＯ2 レーザ発振器か
ら出射したレーザビームの波長を３分の１に変換する波
長変換素子を有するレーザ装置と、該レーザ装置から発
生するレーザビームを集光する集光光学系とを備え、レ
ーザビームを被加工物に照射するように構成したもので
ある。
工装置は、ＱスイッチパルスＣＯ2レーザ発振器と前記
ＱスイッチパルスＣＯ2 レーザ発振器から出射したレー
ザビームの波長を２分の１に変換する前記波長変換素子
と、さらに前記ＱスイッチパルスＣＯ2 レーザ発振器か
ら出射したレーザビームの波長を３分の１に変換する波
長変換素子を有するレーザ装置と、該レーザ装置から発
生するレーザビームを集光する集光光学系とを備え、レ
ーザビームを被加工物に照射するように構成したもので
ある。
【００１０】また、本発明の第３の構成によるレーザ加
工装置は、ＱスイッチパルスＣＯレーザ発振器と、該Ｑ
スイッチパルスＣＯレーザ発振器から出射したレーザビ
ームの波長を２分の１に変換する波長変換素子を有する
レーザ装置と、該レーザ装置から発生するビームを集光
する集光光学系とを備え、レーザビームを被加工物に照
射するように構成したものである。
工装置は、ＱスイッチパルスＣＯレーザ発振器と、該Ｑ
スイッチパルスＣＯレーザ発振器から出射したレーザビ
ームの波長を２分の１に変換する波長変換素子を有する
レーザ装置と、該レーザ装置から発生するビームを集光
する集光光学系とを備え、レーザビームを被加工物に照
射するように構成したものである。
【００１１】また、本発明の第４の構成によるレーザ加
工装置は、ＱスイッチパルスＣＯレーザ発振器と前記Ｑ
スイッチパルスＣＯレーザ発振器から出射したレーザビ
ームの波長を２分の１に変換する前記波長変換素子と、
さらに前記ＱスイッチパルスＣＯレーザ発振器から出射
したレーザビームの波長を３分の１に変換する波長変換
素子を有するレーザ装置と、該レーザ装置から発生する
レーザビームを集光する集光光学系とを備え、レーザビ
ームを被加工物に照射するように構成したものである。
工装置は、ＱスイッチパルスＣＯレーザ発振器と前記Ｑ
スイッチパルスＣＯレーザ発振器から出射したレーザビ
ームの波長を２分の１に変換する前記波長変換素子と、
さらに前記ＱスイッチパルスＣＯレーザ発振器から出射
したレーザビームの波長を３分の１に変換する波長変換
素子を有するレーザ装置と、該レーザ装置から発生する
レーザビームを集光する集光光学系とを備え、レーザビ
ームを被加工物に照射するように構成したものである。
【００１２】また、本発明の第５の構成によるレーザ加
工装置は、ＴＥＡパルスＣＯ2 レーザ発振器と、該ＴＥ
ＡパルスＣＯ2 レーザ発振器から出射したレーザビーム
の波長を２分の１に変換する波長変換素子を有するレー
ザ装置と、該レーザ装置から発生するビームを集光する
集光光学系とを備え、レーザビームを被加工物に照射す
るように構成したものである。
工装置は、ＴＥＡパルスＣＯ2 レーザ発振器と、該ＴＥ
ＡパルスＣＯ2 レーザ発振器から出射したレーザビーム
の波長を２分の１に変換する波長変換素子を有するレー
ザ装置と、該レーザ装置から発生するビームを集光する
集光光学系とを備え、レーザビームを被加工物に照射す
るように構成したものである。
【００１３】また、本発明の第６の構成によるレーザ加
工装置は、ＴＥＡパルスＣＯ2 レーザ発振器と前記ＴＥ
ＡパルスＣＯ2 レーザ発振器から出射したレーザビーム
の波長を２分の１に変換する前記波長変換素子と、さら
に前記ＴＥＡパルスＣＯ2 レーザ発振器から出射したレ
ーザビームの波長を３分の１に変換する波長変換素子を
有するレーザ装置と、該レーザ装置から発生するレーザ
ビームを集光する集光光学系とを備え、レーザビームを
被加工物に照射するように構成したものである。
工装置は、ＴＥＡパルスＣＯ2 レーザ発振器と前記ＴＥ
ＡパルスＣＯ2 レーザ発振器から出射したレーザビーム
の波長を２分の１に変換する前記波長変換素子と、さら
に前記ＴＥＡパルスＣＯ2 レーザ発振器から出射したレ
ーザビームの波長を３分の１に変換する波長変換素子を
有するレーザ装置と、該レーザ装置から発生するレーザ
ビームを集光する集光光学系とを備え、レーザビームを
被加工物に照射するように構成したものである。
【００１４】また、本発明の第７の構成によるレーザ加
工装置は、Ｑスイッチにより多連パルス列レーザビーム
を発生させるように構成したものである。
工装置は、Ｑスイッチにより多連パルス列レーザビーム
を発生させるように構成したものである。
【００１５】
実施の形態１．以下、本発明の一実施例について説明す
る。図１は本発明の実施の形態１であるレーザ加工装置
を簡略化した断面図である。図において、１１はレーザ
発振器から出射したレーザビーム９の波長を２分の１に
する波長変換素子である。１２は波長変換素子１１を透
過した後のレーザビーム、１３は波長変換されたレーザ
ビームと変換されずに残った元のレーザビームを分離す
るビームスプリッター、１４はレーザビーム１２を伝送
するための伝送光路系、１５は集光光学系で、この例で
は平凸レンズである。１６は被加工物で、この例ではプ
リント基板である。１〜９は図６に示す従来のレーザ装
置と同一類似部材なので同一符号を付して説明を省略す
る。
る。図１は本発明の実施の形態１であるレーザ加工装置
を簡略化した断面図である。図において、１１はレーザ
発振器から出射したレーザビーム９の波長を２分の１に
する波長変換素子である。１２は波長変換素子１１を透
過した後のレーザビーム、１３は波長変換されたレーザ
ビームと変換されずに残った元のレーザビームを分離す
るビームスプリッター、１４はレーザビーム１２を伝送
するための伝送光路系、１５は集光光学系で、この例で
は平凸レンズである。１６は被加工物で、この例ではプ
リント基板である。１〜９は図６に示す従来のレーザ装
置と同一類似部材なので同一符号を付して説明を省略す
る。
【００１６】次に動作について説明する。レーザ発振器
はＱスイッチパルスＣＯ2 レーザであり、その動作は従
来のものと同様である。ＱスイッチパルスＣＯ2 レーザ
発振器から出射したレーザビーム９は、例えばＡｇＧａ
Ｓｅ2 からなる波長変換素子１１に入射する。この素子
１１の内部でレーザビーム９は波長変換され、その波長
はもとのパルスビームの２分の１になる。変換素子１１
を透過したレーザビーム１２は、素子の変換効率が１０
０％ではないので、波長変換されたレーザビームと変換
されずに残った元のレーザビームの混合ビームとなる。
この混合ビームを分離するために、例えばＭｇＦ2 から
なるビームスプリッター１３を用いる。ビームスプリッ
ター１３に入射したレーザビーム１２においては、波長
変換されたビームは反射し、変換されずに残ったビーム
は透過することになる。波長変換されたレーザビーム１
２のみが、伝送光路系１４によって集光光学系１５まで
導かれ、被加工物１６上に集光される。
はＱスイッチパルスＣＯ2 レーザであり、その動作は従
来のものと同様である。ＱスイッチパルスＣＯ2 レーザ
発振器から出射したレーザビーム９は、例えばＡｇＧａ
Ｓｅ2 からなる波長変換素子１１に入射する。この素子
１１の内部でレーザビーム９は波長変換され、その波長
はもとのパルスビームの２分の１になる。変換素子１１
を透過したレーザビーム１２は、素子の変換効率が１０
０％ではないので、波長変換されたレーザビームと変換
されずに残った元のレーザビームの混合ビームとなる。
この混合ビームを分離するために、例えばＭｇＦ2 から
なるビームスプリッター１３を用いる。ビームスプリッ
ター１３に入射したレーザビーム１２においては、波長
変換されたビームは反射し、変換されずに残ったビーム
は透過することになる。波長変換されたレーザビーム１
２のみが、伝送光路系１４によって集光光学系１５まで
導かれ、被加工物１６上に集光される。
【００１７】レーザビームの集光スポット径は、λＦに
比例する。ここで、λはレーザビームの波長、Ｆは集光
光学系１５のＦナンバーである。従って、波長が２分の
１になれば集光スポット径も２分の１になり、従来では
プリント基板に５０μｍ程度の穴しか開けることができ
なかったものが、本発明を用いることにより２５μｍ程
度の小さい穴を開けることが可能になる。
比例する。ここで、λはレーザビームの波長、Ｆは集光
光学系１５のＦナンバーである。従って、波長が２分の
１になれば集光スポット径も２分の１になり、従来では
プリント基板に５０μｍ程度の穴しか開けることができ
なかったものが、本発明を用いることにより２５μｍ程
度の小さい穴を開けることが可能になる。
【００１８】図２は本発明の実施の形態１を示す断面図
であり、レーザ発振器に新しい型のＱスイッチパルスＣ
Ｏ2 レーザを用いた例を示している。図において、２１
は全反射ミラー１に対向配置された、例えばＣｕよりな
る平面状の全反射ミラーであり、これらの全反射ミラー
１と２１が安定型のレーザ共振器を構成する。２２はレ
ーザビーム３のＰ偏光成分のみを透過させ、Ｓ偏光成分
は反射させる偏光制御ミラー、２３は透過窓である。２
４は電気光学振幅変調器７にパルス電圧を印加する可変
パルス発生器であり、任意のパターンに従って変化する
パルス電圧を発生する。２５ａ、２５ｂはレーザ共振器
内に挿入された開口、２６はレーザ媒質で、例えばＣＯ
2レーザ等のガスレーザの場合、放電などにより励起さ
れたガス媒質、２７は箱体である。
であり、レーザ発振器に新しい型のＱスイッチパルスＣ
Ｏ2 レーザを用いた例を示している。図において、２１
は全反射ミラー１に対向配置された、例えばＣｕよりな
る平面状の全反射ミラーであり、これらの全反射ミラー
１と２１が安定型のレーザ共振器を構成する。２２はレ
ーザビーム３のＰ偏光成分のみを透過させ、Ｓ偏光成分
は反射させる偏光制御ミラー、２３は透過窓である。２
４は電気光学振幅変調器７にパルス電圧を印加する可変
パルス発生器であり、任意のパターンに従って変化する
パルス電圧を発生する。２５ａ、２５ｂはレーザ共振器
内に挿入された開口、２６はレーザ媒質で、例えばＣＯ
2レーザ等のガスレーザの場合、放電などにより励起さ
れたガス媒質、２７は箱体である。
【００１９】以上のように構成された新しい型のＱスイ
ッチパルスＣＯ2 レーザは、図３に示すように一度のＱ
スイッチングによって多連発のＱスイッチパルス列を発
生させることができる。従って、図２のレーザ加工装置
からは、図３に示すようなパルス波形に比例した形で短
波長のパルス列を発生させることによりパルスエネルギ
ーの時間的分散をコントロールすることができ、加工の
深さのコントロールなどのより高機能なレーザ加工が可
能となる。また、この新しい型のＱスイッチＣＯ2 レー
ザは、装置のサイズをコンパクトにできる利点がある。
ッチパルスＣＯ2 レーザは、図３に示すように一度のＱ
スイッチングによって多連発のＱスイッチパルス列を発
生させることができる。従って、図２のレーザ加工装置
からは、図３に示すようなパルス波形に比例した形で短
波長のパルス列を発生させることによりパルスエネルギ
ーの時間的分散をコントロールすることができ、加工の
深さのコントロールなどのより高機能なレーザ加工が可
能となる。また、この新しい型のＱスイッチＣＯ2 レー
ザは、装置のサイズをコンパクトにできる利点がある。
【００２０】この実施の形態では、レーザ発振器を構成
するレーザ共振器として、安定型共振器を用いるものに
ついて説明したが、これに限るものではなく、不安定型
共振器であっても同様の効果が得られる。
するレーザ共振器として、安定型共振器を用いるものに
ついて説明したが、これに限るものではなく、不安定型
共振器であっても同様の効果が得られる。
【００２１】実施の形態２．上記実施の形態１では、Ｑ
スイッチパルスＣＯ2 レーザの波長を２分の１に変換す
る波長変換素子１１を用いたレーザ加工装置について説
明したが、図４に示すように、さらにＱスイッチパルス
ＣＯ2 レーザ発振器から出射したレーザビームの波長を
３分の１に変換する波長変換素子３１を挿入すると、よ
り微細な穴を開けることが可能になる。
スイッチパルスＣＯ2 レーザの波長を２分の１に変換す
る波長変換素子１１を用いたレーザ加工装置について説
明したが、図４に示すように、さらにＱスイッチパルス
ＣＯ2 レーザ発振器から出射したレーザビームの波長を
３分の１に変換する波長変換素子３１を挿入すると、よ
り微細な穴を開けることが可能になる。
【００２２】図４のレーザ加工装置の動作を説明する
と、ＱスイッチパルスＣＯ2 レーザから出射したレーザ
ビーム９は、例えばＡｇＧａＳｅ2 からなる波長を２分
の１に変換する波長変換素子１１に入射し、その一部が
波長２分の１のレーザビームに変換される。そして、波
長２分の１のビームと変換されずに残った元のレーザビ
ームの混合ビーム１２は、ほぼ同軸で例えばＡｇＧａＳ
ｅ2 からなる波長を３分の１に変換する波長変換素子３
１に入射する。この素子３１の内部でレーザビーム１２
は、波長２分の１のビームと変換されずに残った元のレ
ーザビームの和周波発生の現象によって、波長３分の１
のビームに変換される。変換素子３１を透過したレーザ
ビーム１２は、素子１１と素子３１の変換効率が１００
％ではないので、波長変換された２つのレーザビームと
変換されずに残った元のレーザビームの混合ビームとな
る。この混合ビーム１２を各々の波長に分離するため
に、例えばＭｇＦ2 からなるビームスプリッター１３と
３３を用いる。まず、ビームスプリッター１３に入射し
たレーザビーム１２から、波長２分の１のビームが反射
し、混合ビーム１２から分離される。さらに、ビームス
プリッター２３に入射したレーザビーム１２において
は、波長３分の１のビームのみが反射され、変換されず
に残ったビームは透過することになる。３分の１に波長
変換されたビームのみとなったレーザビーム１２は、伝
送光路系１４によって集光光学系１５まで導かれ、被加
工物１６上に集光される。
と、ＱスイッチパルスＣＯ2 レーザから出射したレーザ
ビーム９は、例えばＡｇＧａＳｅ2 からなる波長を２分
の１に変換する波長変換素子１１に入射し、その一部が
波長２分の１のレーザビームに変換される。そして、波
長２分の１のビームと変換されずに残った元のレーザビ
ームの混合ビーム１２は、ほぼ同軸で例えばＡｇＧａＳ
ｅ2 からなる波長を３分の１に変換する波長変換素子３
１に入射する。この素子３１の内部でレーザビーム１２
は、波長２分の１のビームと変換されずに残った元のレ
ーザビームの和周波発生の現象によって、波長３分の１
のビームに変換される。変換素子３１を透過したレーザ
ビーム１２は、素子１１と素子３１の変換効率が１００
％ではないので、波長変換された２つのレーザビームと
変換されずに残った元のレーザビームの混合ビームとな
る。この混合ビーム１２を各々の波長に分離するため
に、例えばＭｇＦ2 からなるビームスプリッター１３と
３３を用いる。まず、ビームスプリッター１３に入射し
たレーザビーム１２から、波長２分の１のビームが反射
し、混合ビーム１２から分離される。さらに、ビームス
プリッター２３に入射したレーザビーム１２において
は、波長３分の１のビームのみが反射され、変換されず
に残ったビームは透過することになる。３分の１に波長
変換されたビームのみとなったレーザビーム１２は、伝
送光路系１４によって集光光学系１５まで導かれ、被加
工物１６上に集光される。
【００２３】レーザビームの集光スポット径は、λＦに
比例するため、波長が３分の１になれば集光スポット径
も３分の１になり、従来ではプリント基板に５０μｍ程
度の穴しか開けることができなかったものが、本発明を
用いることにより１７μｍ程度の小さな穴を開けること
が可能になる。
比例するため、波長が３分の１になれば集光スポット径
も３分の１になり、従来ではプリント基板に５０μｍ程
度の穴しか開けることができなかったものが、本発明を
用いることにより１７μｍ程度の小さな穴を開けること
が可能になる。
【００２４】図５は本発明の実施の形態２を示す断面図
であり、レーザ発振器に新しい型のＱスイッチパルスＣ
Ｏ2 レーザを用いた例を示している。以上のように構成
された新しい型のＱスイッチパルスＣＯ2 レーザは、図
３に示すように一度のＱスイッチングによって多連発の
Ｑスイッチパルス列を発生させることができる。従っ
て、図５のレーザ加工装置からは、図３に示すようなパ
ルス波形に比例した形で短波長のパルス列を発生させる
ことができ、より高機能なレーザ加工機が得られる。
であり、レーザ発振器に新しい型のＱスイッチパルスＣ
Ｏ2 レーザを用いた例を示している。以上のように構成
された新しい型のＱスイッチパルスＣＯ2 レーザは、図
３に示すように一度のＱスイッチングによって多連発の
Ｑスイッチパルス列を発生させることができる。従っ
て、図５のレーザ加工装置からは、図３に示すようなパ
ルス波形に比例した形で短波長のパルス列を発生させる
ことができ、より高機能なレーザ加工機が得られる。
【００２５】この実施の形態では、伝送光路系１４で導
かれたレーザビーム１２は波長が３分の１のビームのみ
であり、波長が２分の１のビームは使われていないが、
波長２分の１のビームも３分の１のビームも、それぞれ
の集光光学系に導くような構成にして、両ビームとも加
工に使うようにしても良い。
かれたレーザビーム１２は波長が３分の１のビームのみ
であり、波長が２分の１のビームは使われていないが、
波長２分の１のビームも３分の１のビームも、それぞれ
の集光光学系に導くような構成にして、両ビームとも加
工に使うようにしても良い。
【００２６】この実施の形態では、レーザ発振器を構成
するレーザ共振器として、安定型共振器を用いるものに
ついて説明したが、これに限るものではなく、不安定型
共振器であっても同様の効果が得られる。
するレーザ共振器として、安定型共振器を用いるものに
ついて説明したが、これに限るものではなく、不安定型
共振器であっても同様の効果が得られる。
【００２７】実施の形態３．上記実施の形態１と２で
は、レーザ発振器にＱスイッチパルスＣＯ2 レーザを用
いた場合について説明したが、レーザ発振器にＱスイッ
チパルスＣＯレーザを用いても同様の効果が得られる。
ＣＯ2 レーザの発振波長は１０．６μｍであるが、ＣＯ
レーザは波長が５μｍ帯で発振するため、波長を２分の
１もしくは３分の１に変換することにより、さらに微細
な穴を開けることができる。
は、レーザ発振器にＱスイッチパルスＣＯ2 レーザを用
いた場合について説明したが、レーザ発振器にＱスイッ
チパルスＣＯレーザを用いても同様の効果が得られる。
ＣＯ2 レーザの発振波長は１０．６μｍであるが、ＣＯ
レーザは波長が５μｍ帯で発振するため、波長を２分の
１もしくは３分の１に変換することにより、さらに微細
な穴を開けることができる。
【００２８】実施の形態４．上記実施の形態１と２で
は、レーザ発振器にＱスイッチパルスＣＯ2 レーザを用
いた場合について説明したが、レーザ発振器にＴＥＡパ
ルスＣＯ2 レーザを用いても同様の効果が得られる。
は、レーザ発振器にＱスイッチパルスＣＯ2 レーザを用
いた場合について説明したが、レーザ発振器にＴＥＡパ
ルスＣＯ2 レーザを用いても同様の効果が得られる。
【００２９】
【発明の効果】本発明の第１の構成によれば、Ｑスイッ
チパルスＣＯ2 レーザ発振器と、該ＱスイッチパルスＣ
Ｏ2 レーザ発振器から出射したレーザビームの波長を２
分の１に変換する波長変換素子を有するレーザ装置と、
該レーザ装置から発生するビームを集光する集光光学系
とを備え、レーザビームを被加工物に照射するようにし
たので、従来のＱスイッチングから取り出されるパルス
ＣＯ2 レーザビームよりも短波長のレーザビームを取り
出すことができ、より微細な穴加工が可能である。
チパルスＣＯ2 レーザ発振器と、該ＱスイッチパルスＣ
Ｏ2 レーザ発振器から出射したレーザビームの波長を２
分の１に変換する波長変換素子を有するレーザ装置と、
該レーザ装置から発生するビームを集光する集光光学系
とを備え、レーザビームを被加工物に照射するようにし
たので、従来のＱスイッチングから取り出されるパルス
ＣＯ2 レーザビームよりも短波長のレーザビームを取り
出すことができ、より微細な穴加工が可能である。
【００３０】また、本発明の第２の構成によれば、Ｑス
イッチパルスＣＯ2 レーザ発振器と前記Ｑスイッチパル
スＣＯ2 レーザ発振器から出射したレーザビームの波長
を２分の１に変換する前記波長変換素子と、さらに前記
ＱスイッチパルスＣＯ2 レーザ発振器から出射したレー
ザビームの波長を３分の１に変換する波長変換素子を有
するレーザ装置と、該レーザ装置から発生するレーザビ
ームを集光する集光光学系とを備え、レーザビームを被
加工物に照射するようにしたので、従来のＱスイッチン
グから取り出されるパルスＣＯ2 レーザビームよりも短
波長のレーザビームを取り出すことができ、より微細な
穴加工が可能である。
イッチパルスＣＯ2 レーザ発振器と前記Ｑスイッチパル
スＣＯ2 レーザ発振器から出射したレーザビームの波長
を２分の１に変換する前記波長変換素子と、さらに前記
ＱスイッチパルスＣＯ2 レーザ発振器から出射したレー
ザビームの波長を３分の１に変換する波長変換素子を有
するレーザ装置と、該レーザ装置から発生するレーザビ
ームを集光する集光光学系とを備え、レーザビームを被
加工物に照射するようにしたので、従来のＱスイッチン
グから取り出されるパルスＣＯ2 レーザビームよりも短
波長のレーザビームを取り出すことができ、より微細な
穴加工が可能である。
【００３１】また、本発明の第３の構成によれば、Ｑス
イッチパルスＣＯレーザ発振器と、該Ｑスイッチパルス
ＣＯレーザ発振器から出射したレーザビームの波長を２
分の１に変換する波長変換素子を有するレーザ装置と、
該レーザ装置から発生するビームを集光する集光光学系
とを備え、レーザビームを被加工物に照射するようにし
たので、従来のＱスイッチングから取り出されるパルス
ＣＯレーザビームよりも短波長のレーザビームを取り出
すことができ、より微細な穴加工が可能である。
イッチパルスＣＯレーザ発振器と、該Ｑスイッチパルス
ＣＯレーザ発振器から出射したレーザビームの波長を２
分の１に変換する波長変換素子を有するレーザ装置と、
該レーザ装置から発生するビームを集光する集光光学系
とを備え、レーザビームを被加工物に照射するようにし
たので、従来のＱスイッチングから取り出されるパルス
ＣＯレーザビームよりも短波長のレーザビームを取り出
すことができ、より微細な穴加工が可能である。
【００３２】また、本発明の第４の構成によれば、Ｑス
イッチパルスＣＯレーザ発振器と前記Ｑスイッチパルス
ＣＯレーザ発振器から出射したレーザビームの波長を２
分の１に変換する前記波長変換素子と、さらに前記Ｑス
イッチパルスＣＯレーザ発振器から出射したレーザビー
ムの波長を３分の１に変換する波長変換素子を有するレ
ーザ装置と、該レーザ装置から発生するレーザビームを
集光する集光光学系とを備え、レーザビームを被加工物
に照射するようにしたので、従来のＱスイッチングから
取り出されるパルスＣＯレーザビームよりも短波長のレ
ーザビームを取り出すことができ、より微細な穴加工が
可能である。
イッチパルスＣＯレーザ発振器と前記Ｑスイッチパルス
ＣＯレーザ発振器から出射したレーザビームの波長を２
分の１に変換する前記波長変換素子と、さらに前記Ｑス
イッチパルスＣＯレーザ発振器から出射したレーザビー
ムの波長を３分の１に変換する波長変換素子を有するレ
ーザ装置と、該レーザ装置から発生するレーザビームを
集光する集光光学系とを備え、レーザビームを被加工物
に照射するようにしたので、従来のＱスイッチングから
取り出されるパルスＣＯレーザビームよりも短波長のレ
ーザビームを取り出すことができ、より微細な穴加工が
可能である。
【００３３】また、本発明の第５の構成によれば、ＴＥ
ＡパルスＣＯ2 レーザ発振器と、該ＴＥＡパルスＣＯ2
レーザ発振器から出射したレーザビームの波長を２分の
１に変換する波長変換素子を有するレーザ装置と、該レ
ーザ装置から発生するビームを集光する集光光学系とを
備え、レーザビームを被加工物に照射するようにしたの
で、従来のＴＥＡパルスＣＯ2 レーザ発振器から取り出
されるパルスＣＯ2レーザビームよりも短波長のレーザ
ビームを取り出すことができ、より微細な穴加工が可能
である。
ＡパルスＣＯ2 レーザ発振器と、該ＴＥＡパルスＣＯ2
レーザ発振器から出射したレーザビームの波長を２分の
１に変換する波長変換素子を有するレーザ装置と、該レ
ーザ装置から発生するビームを集光する集光光学系とを
備え、レーザビームを被加工物に照射するようにしたの
で、従来のＴＥＡパルスＣＯ2 レーザ発振器から取り出
されるパルスＣＯ2レーザビームよりも短波長のレーザ
ビームを取り出すことができ、より微細な穴加工が可能
である。
【００３４】また、本発明の第６の構成によれば、ＴＥ
ＡパルスＣＯ2 レーザ発振器と前記ＴＥＡパルスＣＯ2
レーザ発振器から出射したレーザビームの波長を２分の
１に変換する前記波長変換素子と、さらに前記ＴＥＡパ
ルスＣＯ2 レーザ発振器から出射したレーザビームの波
長を３分の１に変換する波長変換素子を有するレーザ装
置と、該レーザ装置から発生するレーザビームを集光す
る集光光学系とを備え、レーザビームを被加工物に照射
するように構成したので、従来のＴＥＡパルスＣＯ2 レ
ーザ発振器から取り出されるパルスレーザビームよりも
短波長のレーザビームを取り出すことができ、より微細
な穴加工が可能である。
ＡパルスＣＯ2 レーザ発振器と前記ＴＥＡパルスＣＯ2
レーザ発振器から出射したレーザビームの波長を２分の
１に変換する前記波長変換素子と、さらに前記ＴＥＡパ
ルスＣＯ2 レーザ発振器から出射したレーザビームの波
長を３分の１に変換する波長変換素子を有するレーザ装
置と、該レーザ装置から発生するレーザビームを集光す
る集光光学系とを備え、レーザビームを被加工物に照射
するように構成したので、従来のＴＥＡパルスＣＯ2 レ
ーザ発振器から取り出されるパルスレーザビームよりも
短波長のレーザビームを取り出すことができ、より微細
な穴加工が可能である。
【００３５】また、本発明の第７の構成によれば、Ｑス
イッチにより多連パルス列レーザビームを発生させるよ
うにしたので、より微細な穴加工に加えて、加工の深さ
のコントロールなどの、より高機能なレーザ加工が可能
である。
イッチにより多連パルス列レーザビームを発生させるよ
うにしたので、より微細な穴加工に加えて、加工の深さ
のコントロールなどの、より高機能なレーザ加工が可能
である。
【図１】 本発明の実施の形態１であるレーザ加工装置
を簡略化した断面図である。
を簡略化した断面図である。
【図２】 本発明の実施の形態１を示す断面図である。
【図３】 本発明の実施の形態１のパルス特性を表す図
である。
である。
【図４】 本発明の実施の形態２を示す断面図である。
【図５】 本発明の実施の形態２を示す断面図である。
【図６】 従来のレーザ発振器を示す断面図である。
【図７】 従来のレーザ発振器の動作を表す図である。
【図８】 従来のレーザ発振器の動作を表す図である。
【図９】 従来のレーザ発振器のパルス特性を表す図で
ある。
ある。
【符号の説明】 １，２１ 全反射ミラー、２ 部分反射ミラー、３，
９，１２ レーザビーム、４ａ，４ｂ ブリュースター
窓、５ ４分の１波長板、６ 放電管、７ 電気光学振
幅変調器、８ パルス発生器、１１，３１ 波長変換素
子、１３，３３ビームスプリッター、１４ 伝送光路
系、１５ 集光光学系、１６ 被加工物、２２ 偏光制
御ミラー、２３ 透過窓、２４ 可変パルス発生器、２
５ａ，２５ｂ 開口、２６ レーザ媒質、２７ 箱体。
９，１２ レーザビーム、４ａ，４ｂ ブリュースター
窓、５ ４分の１波長板、６ 放電管、７ 電気光学振
幅変調器、８ パルス発生器、１１，３１ 波長変換素
子、１３，３３ビームスプリッター、１４ 伝送光路
系、１５ 集光光学系、１６ 被加工物、２２ 偏光制
御ミラー、２３ 透過窓、２４ 可変パルス発生器、２
５ａ，２５ｂ 開口、２６ レーザ媒質、２７ 箱体。
Claims (7)
- 【請求項１】 ＱスイッチパルスＣＯ2 レーザ発振器
と、該ＱスイッチパルスＣＯ2 レーザ発振器から出射し
たレーザビームの波長を２分の１に変換する波長変換素
子を有するレーザ装置と、該レーザ装置から発生するビ
ームを集光する集光光学系とを備え、レーザビームを被
加工物に照射するように構成したことを特徴とするレー
ザ加工装置。 - 【請求項２】 ＱスイッチパルスＣＯ2 レーザ発振器と
前記ＱスイッチパルスＣＯ2 レーザ発振器から出射した
レーザビームの波長を２分の１に変換する前記波長変換
素子と、さらに前記ＱスイッチパルスＣＯ2 レーザ発振
器から出射したレーザビームの波長を３分の１に変換す
る波長変換素子を有するレーザ装置と、該レーザ装置か
ら発生するレーザビームを集光する集光光学系とを備
え、レーザビームを被加工物に照射するように構成した
ことを特徴とするレーザ加工装置。 - 【請求項３】 ＱスイッチパルスＣＯレーザ発振器と、
該ＱスイッチパルスＣＯレーザ発振器から出射したレー
ザビームの波長を２分の１に変換する波長変換素子を有
するレーザ装置と、該レーザ装置から発生するビームを
集光する集光光学系とを備え、レーザビームを被加工物
に照射するように構成したことを特徴とするレーザ加工
装置。 - 【請求項４】 ＱスイッチパルスＣＯレーザ発振器と前
記ＱスイッチパルスＣＯレーザ発振器から出射したレー
ザビームの波長を２分の１に変換する前記波長変換素子
と、さらに前記ＱスイッチパルスＣＯレーザ発振器から
出射したレーザビームの波長を３分の１に変換する波長
変換素子を有するレーザ装置と、該レーザ装置から発生
するレーザビームを集光する集光光学系とを備え、レー
ザビームを被加工物に照射するように構成したことを特
徴とするレーザ加工装置。 - 【請求項５】 ＴＥＡパルスＣＯ2 レーザ発振器と、該
ＴＥＡパルスＣＯ2レーザ発振器から出射したレーザビ
ームの波長を２分の１に変換する波長変換素子を有する
レーザ装置と、該レーザ装置から発生するビームを集光
する集光光学系とを備え、レーザビームを被加工物に照
射するように構成したことを特徴とするレーザ加工装
置。 - 【請求項６】 ＴＥＡパルスＣＯ2 レーザ発振器と前記
ＴＥＡパルスＣＯ2レーザ発振器から出射したレーザビ
ームの波長を２分の１に変換する前記波長変換素子と、
さらに前記ＴＥＡパルスＣＯ2 レーザ発振器から出射し
たレーザビームの波長を３分の１に変換する波長変換素
子を有するレーザ装置と、該レーザ装置から発生するレ
ーザビームを集光する集光光学系とを備え、レーザビー
ムを被加工物に照射するように構成したことを特徴とす
るレーザ加工装置。 - 【請求項７】 Ｑスイッチにより多連パルス列レーザビ
ームを発生させるように構成した請求項１〜４のいずれ
かに記載のレーザ加工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9272962A JPH11104870A (ja) | 1997-10-06 | 1997-10-06 | レーザ加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9272962A JPH11104870A (ja) | 1997-10-06 | 1997-10-06 | レーザ加工装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11104870A true JPH11104870A (ja) | 1999-04-20 |
Family
ID=17521222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9272962A Pending JPH11104870A (ja) | 1997-10-06 | 1997-10-06 | レーザ加工装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11104870A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102205468A (zh) * | 2011-05-18 | 2011-10-05 | 苏州德龙激光有限公司 | 用于刻蚀电子产品上银浆的装置及其方法 |
| CN102218608A (zh) * | 2011-05-18 | 2011-10-19 | 苏州德龙激光有限公司 | 用于刻蚀触摸屏上不可视区域导电薄膜的装置及其方法 |
| CN102284794A (zh) * | 2011-07-27 | 2011-12-21 | 苏州德龙激光有限公司 | 激光刻蚀oled显示器阳极薄膜材料的装置及其方法 |
| CN102416528A (zh) * | 2011-12-29 | 2012-04-18 | 苏州德龙激光有限公司 | 脉冲激光刻蚀玻璃基底油墨上铜导电膜的装置及其方法 |
-
1997
- 1997-10-06 JP JP9272962A patent/JPH11104870A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102205468A (zh) * | 2011-05-18 | 2011-10-05 | 苏州德龙激光有限公司 | 用于刻蚀电子产品上银浆的装置及其方法 |
| CN102218608A (zh) * | 2011-05-18 | 2011-10-19 | 苏州德龙激光有限公司 | 用于刻蚀触摸屏上不可视区域导电薄膜的装置及其方法 |
| CN102284794A (zh) * | 2011-07-27 | 2011-12-21 | 苏州德龙激光有限公司 | 激光刻蚀oled显示器阳极薄膜材料的装置及其方法 |
| CN102416528A (zh) * | 2011-12-29 | 2012-04-18 | 苏州德龙激光有限公司 | 脉冲激光刻蚀玻璃基底油墨上铜导电膜的装置及其方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO1994027183A1 (en) | Frequency-converting laser system and power control therefor | |
| KR100339057B1 (ko) | 단펄스 레이저 시스템 | |
| US7680158B2 (en) | LPP type extreme ultra violet light source apparatus and driver laser for the same | |
| JP4925085B2 (ja) | 深紫外レーザー光の発生方法および深紫外レーザー装置 | |
| KR19990082945A (ko) | 단펄스 레이저 시스템 | |
| JPH01502309A (ja) | 波長固定レーザ光源 | |
| KR20060111374A (ko) | 레이저 용접방법 및 레이저 용접장치 | |
| JP2008521615A (ja) | 多重レーザビームを使用して効率的に微細加工する装置及び方法 | |
| JP2010528865A (ja) | 複数のレーザ波長及びパルス幅による穴あけ加工 | |
| WO1999014631A1 (fr) | Source de lumiere | |
| JP2010060751A (ja) | テラヘルツ波の発生装置及び発生方法 | |
| JPH05104276A (ja) | レーザ加工装置およびレーザによる加工方法 | |
| US6292505B1 (en) | Dual resonator laser apparatus with optical modulation | |
| JP3715800B2 (ja) | レーザ照射装置 | |
| JP4646690B2 (ja) | 金メッキ剥離装置 | |
| JP2001170788A (ja) | レーザー加工方法およびその装置 | |
| KR20070085548A (ko) | 효율적인 미세-가공 장치 및 복수의 레이저 빔을 사용하는방법 | |
| JPH11104870A (ja) | レーザ加工装置 | |
| JP4394844B2 (ja) | 赤外光発生装置 | |
| JP5213368B2 (ja) | レーザ光第２高調波発生装置 | |
| JPH05110179A (ja) | 短波長短パルス光源 | |
| JP2001024264A (ja) | 波長変換レーザ装置 | |
| JP2002224873A (ja) | レーザ加工方法およびその装置 | |
| CN111404010A (zh) | 一种四次谐波激光器 | |
| JPH07235720A (ja) | レ−ザ発振装置 |