JPH10275360A - 光学情報記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
光学情報記録媒体及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH10275360A JPH10275360A JP9079477A JP7947797A JPH10275360A JP H10275360 A JPH10275360 A JP H10275360A JP 9079477 A JP9079477 A JP 9079477A JP 7947797 A JP7947797 A JP 7947797A JP H10275360 A JPH10275360 A JP H10275360A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording medium
- optical information
- information recording
- film
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の光学情報記録媒体では、記録膜との接
着性に優れた窒化物、窒酸化物の製造条件のマージンが
限られており、製造条件を精密に制御する必要があっ
た。 【解決手段】 ポリカーボネート樹脂基板１の上に、Ｚ
ｎＳ・ＳｉＯ2の保護層２・ＧｅＮ層７・Ｇｅ−Ｓｂ−
Ｔｅ記録膜３・ＧｅＭｏＮ層８・Ａｌ合金の反射層５を
順次積層し、光ディスクを作製した。この光ディスク
を、９０℃８０％の雰囲気中に放置することにより耐候
性、及び、記録・消去の繰返しによりジッター値の測定
で評価したところ、両特性ともに優れた結果が得られ
た。
着性に優れた窒化物、窒酸化物の製造条件のマージンが
限られており、製造条件を精密に制御する必要があっ
た。 【解決手段】 ポリカーボネート樹脂基板１の上に、Ｚ
ｎＳ・ＳｉＯ2の保護層２・ＧｅＮ層７・Ｇｅ−Ｓｂ−
Ｔｅ記録膜３・ＧｅＭｏＮ層８・Ａｌ合金の反射層５を
順次積層し、光ディスクを作製した。この光ディスク
を、９０℃８０％の雰囲気中に放置することにより耐候
性、及び、記録・消去の繰返しによりジッター値の測定
で評価したところ、両特性ともに優れた結果が得られ
た。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザー光線の照
射等の光学的な手段を用いて、情報を高密度、高速度に
記録することができる光学記録情報媒体、及びその製造
方法に関するものである。
射等の光学的な手段を用いて、情報を高密度、高速度に
記録することができる光学記録情報媒体、及びその製造
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】情報を大容量に記録でき、高速での再生
及び書き換えが可能な媒体として、光磁気記録媒体や相
変化型記録媒体等が知られている。これら光記録媒体
は、レーザー光を局所的に照射することにより生じる記
録材料の光学特性の違いを記録として利用したものであ
り、例えば光磁気記録媒体では、磁化状態の違いにより
生じる、反射光偏光面の回転角の違いを記録として利用
している。また、相変化型記録媒体は、特定波長の光に
対する反射光量が結晶状態と非晶質状態とで異なること
を記録として利用しているものであり、レーザーの出力
パワーを変調させることにより記録の消去と上書きの記
録を同時に行うことができるため、高速で情報信号の書
き換えが可能であるという利点がある。
及び書き換えが可能な媒体として、光磁気記録媒体や相
変化型記録媒体等が知られている。これら光記録媒体
は、レーザー光を局所的に照射することにより生じる記
録材料の光学特性の違いを記録として利用したものであ
り、例えば光磁気記録媒体では、磁化状態の違いにより
生じる、反射光偏光面の回転角の違いを記録として利用
している。また、相変化型記録媒体は、特定波長の光に
対する反射光量が結晶状態と非晶質状態とで異なること
を記録として利用しているものであり、レーザーの出力
パワーを変調させることにより記録の消去と上書きの記
録を同時に行うことができるため、高速で情報信号の書
き換えが可能であるという利点がある。
【０００３】光記録媒体の層構成例を図１（ａ）（ｂ）
に示す。基板１には、ポリカーボネート、ＰＭＭＡ等の
樹脂、またはガラス等が用いられ、一般的にはレーザー
光線を導くための案内溝が施されている。
に示す。基板１には、ポリカーボネート、ＰＭＭＡ等の
樹脂、またはガラス等が用いられ、一般的にはレーザー
光線を導くための案内溝が施されている。
【０００４】記録膜３は、光学特性の異なる状態間を変
化しうる物質から成り、書き換え型の相変化型光ディス
クの場合、Ｔｅ−Ｓｂ−Ｇｅ、Ｔｅ−Ｓｎ−Ｇｅ、Ｔｅ
−Ｓｂ−Ｇｅ−Ｓｅ、Ｔｅ−Ｓｎ−Ｇｅ−Ａｕ、Ａｇ−
Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｓｅ、Ｉｎ−Ｔｅ−Ｓ
ｅ等を主成分とする材料が知られている。
化しうる物質から成り、書き換え型の相変化型光ディス
クの場合、Ｔｅ−Ｓｂ−Ｇｅ、Ｔｅ−Ｓｎ−Ｇｅ、Ｔｅ
−Ｓｂ−Ｇｅ−Ｓｅ、Ｔｅ−Ｓｎ−Ｇｅ−Ａｕ、Ａｇ−
Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｓｅ、Ｉｎ−Ｔｅ−Ｓ
ｅ等を主成分とする材料が知られている。
【０００５】反射層５は、一般にＡｕ、Ａｌ、Ｃｒ等の
金属、或いは金属の合金より成り、放熱効果や記録膜の
効果的な光吸収を目的として設けられるが、必須の層で
はない。
金属、或いは金属の合金より成り、放熱効果や記録膜の
効果的な光吸収を目的として設けられるが、必須の層で
はない。
【０００６】また、図中では省略したが、光学情報記録
媒体の酸化やほこり等の付着の防止を目的として、反射
層５の上にオーバーコート層を設けた構成、或いは紫外
線硬化樹脂を接着剤として用い、ダミー基板を張り合わ
せた構成等が一般的に用いられている。
媒体の酸化やほこり等の付着の防止を目的として、反射
層５の上にオーバーコート層を設けた構成、或いは紫外
線硬化樹脂を接着剤として用い、ダミー基板を張り合わ
せた構成等が一般的に用いられている。
【０００７】保護層２、４、６は、記録膜材料の酸化、
蒸発や変形を防止するといった記録膜の保護機能を担う
と共に、その膜厚を調節することによって光記録媒体の
吸収率や記録部分、消去部分の間の反射率差の調節が可
能となるため、媒体の光学特性の調節機能も同時に担っ
ている。また、保護層を構成する材料の条件としては、
上記目的を満たすばかりでなく、記録膜の構成材料或い
は基板との接着性が良いこと、保護層自身がクラックを
生じない耐候性の良い膜であることが不可欠である。
蒸発や変形を防止するといった記録膜の保護機能を担う
と共に、その膜厚を調節することによって光記録媒体の
吸収率や記録部分、消去部分の間の反射率差の調節が可
能となるため、媒体の光学特性の調節機能も同時に担っ
ている。また、保護層を構成する材料の条件としては、
上記目的を満たすばかりでなく、記録膜の構成材料或い
は基板との接着性が良いこと、保護層自身がクラックを
生じない耐候性の良い膜であることが不可欠である。
【０００８】これらの保護層が記録膜に接して用いられ
る場合は、記録材料の光学的変化を損なわない材料でな
ければならない。例えば図１（ｂ）に示すように、保護
層を二層とし異なる材料を用いることにより、基板との
接着性に優れた媒体を得る提案や、情報の繰り返し記録
の特性に優れた媒体を得る提案が知られている。
る場合は、記録材料の光学的変化を損なわない材料でな
ければならない。例えば図１（ｂ）に示すように、保護
層を二層とし異なる材料を用いることにより、基板との
接着性に優れた媒体を得る提案や、情報の繰り返し記録
の特性に優れた媒体を得る提案が知られている。
【０００９】保護層２、４、６の材料としては、ＺｎＳ
等の硫化物、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、Ａｌ2Ｏ3等の酸化
物、ＧｅＮ、Ｓｉ3Ｎ4、Ａｌ3Ｎ4等の窒化物、ＧｅＯ
Ｎ、ＳｉＯＮ、ＡｌＯＮ等の窒酸化物、他、炭化物、フ
ッ化物等の誘電体、或いはこれらの適当な組み合わせ等
が各種提案されているが、専ら適用されている材料とし
てはＺｎＳ−ＳｉＯ2が挙げられる。
等の硫化物、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、Ａｌ2Ｏ3等の酸化
物、ＧｅＮ、Ｓｉ3Ｎ4、Ａｌ3Ｎ4等の窒化物、ＧｅＯ
Ｎ、ＳｉＯＮ、ＡｌＯＮ等の窒酸化物、他、炭化物、フ
ッ化物等の誘電体、或いはこれらの適当な組み合わせ等
が各種提案されているが、専ら適用されている材料とし
てはＺｎＳ−ＳｉＯ2が挙げられる。
【００１０】なお、保護層を異なる物質の複合材料とす
ることにより、良好な膜質を得る技術は公知である。例
えば特開昭６３−５０９３１号公報には、窒化アルミニ
ウムと窒化シリコンの複合誘電体に酸化アルミニウムと
酸化シリコンのうち少なくとも一種を添加し、その屈折
率を限定することにより基板との接着性に優れた良好な
膜質の保護層を得る例が開示されている。また、特開平
２−１０５３５１号公報には、保護層をシリコン及びイ
ンジウムの窒化物からなる複合誘電体とすることにより
基板との接着性が良く延性に富んだ膜を得る例が開示さ
れている。さらに、特開平２−２６５０５１号公報、特
開平２−２６５０５２号公報には、保護膜がＳｉ、Ｎ、
Ｓｉより比電気抵抗の小さい元素より成ることにより、
膜割れが生じにくく記録膜の保護機能に優れた保護層を
得る例が開示されている。
ることにより、良好な膜質を得る技術は公知である。例
えば特開昭６３−５０９３１号公報には、窒化アルミニ
ウムと窒化シリコンの複合誘電体に酸化アルミニウムと
酸化シリコンのうち少なくとも一種を添加し、その屈折
率を限定することにより基板との接着性に優れた良好な
膜質の保護層を得る例が開示されている。また、特開平
２−１０５３５１号公報には、保護層をシリコン及びイ
ンジウムの窒化物からなる複合誘電体とすることにより
基板との接着性が良く延性に富んだ膜を得る例が開示さ
れている。さらに、特開平２−２６５０５１号公報、特
開平２−２６５０５２号公報には、保護膜がＳｉ、Ｎ、
Ｓｉより比電気抵抗の小さい元素より成ることにより、
膜割れが生じにくく記録膜の保護機能に優れた保護層を
得る例が開示されている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】記録の書き換えを多数
回にわたって繰り返すと、記録膜と保護層との間で構成
原子の相互拡散、記録膜組成の経時変化といった現象が
見られることが最近判明した。このことは、信号の書き
換えを繰り返すと、信号の振幅が徐々に低下し、また、
記録マークのマーク位置のジッター値が大きくなり記録
信号のエラーレートが高くなるため、書き換えの繰り返
し可能な回数が限られてしまうといった問題点がある。
回にわたって繰り返すと、記録膜と保護層との間で構成
原子の相互拡散、記録膜組成の経時変化といった現象が
見られることが最近判明した。このことは、信号の書き
換えを繰り返すと、信号の振幅が徐々に低下し、また、
記録マークのマーク位置のジッター値が大きくなり記録
信号のエラーレートが高くなるため、書き換えの繰り返
し可能な回数が限られてしまうといった問題点がある。
【００１２】この問題を解決するため、記録膜に接して
ＧｅＮ、ＧｅＯＮ等を主成分とする拡散防止層を設ける
技術が特願平８−０５２７７２号に開示されている。Ｇ
ｅＮまたはＧｅＯＮを主成分とする拡散防止層は、記録
膜との接着性にも優れるとともに、従来の保護層材料と
記録膜の原子拡散を防止する働きをなすため、情報の書
き換え可能な回数が飛躍的に向上した光学情報記録媒体
を得ることが可能となった。
ＧｅＮ、ＧｅＯＮ等を主成分とする拡散防止層を設ける
技術が特願平８−０５２７７２号に開示されている。Ｇ
ｅＮまたはＧｅＯＮを主成分とする拡散防止層は、記録
膜との接着性にも優れるとともに、従来の保護層材料と
記録膜の原子拡散を防止する働きをなすため、情報の書
き換え可能な回数が飛躍的に向上した光学情報記録媒体
を得ることが可能となった。
【００１３】しかしながら、生産時の製造条件の制御の
し易さという点を考慮すると、良好な膜質が得られる製
造条件のマージンが広い保護層材料が求められる。ま
た、更に長期にわたっての保存が可能な媒体が好ましい
ことはいうまでもない。
し易さという点を考慮すると、良好な膜質が得られる製
造条件のマージンが広い保護層材料が求められる。ま
た、更に長期にわたっての保存が可能な媒体が好ましい
ことはいうまでもない。
【００１４】本発明は上記課題を解決し、より一層耐候
性に優れ、良好な記録消去特性及び繰り返し特性を有す
る光学情報記録媒体、及びその製造方法を提供すること
を目的とする。
性に優れ、良好な記録消去特性及び繰り返し特性を有す
る光学情報記録媒体、及びその製造方法を提供すること
を目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の手段として、記録膜と、ＧｅＸＮ若しくはＧｅＸＯＮ
の何れかを主成分とする層とを備え、前記層の材料成分
Ｘが、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｎ
ｂ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｃのう
ち少なくとも１つの元素をを含む構成にする。
の手段として、記録膜と、ＧｅＸＮ若しくはＧｅＸＯＮ
の何れかを主成分とする層とを備え、前記層の材料成分
Ｘが、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｎ
ｂ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｃのう
ち少なくとも１つの元素をを含む構成にする。
【００１６】これにより、ＧｅＮ若しくはＧｅＯＮの何
れかを主成分とする層を設けた場合に比べ、更に耐候性
に優れた媒体を得ることが可能となる。
れかを主成分とする層を設けた場合に比べ、更に耐候性
に優れた媒体を得ることが可能となる。
【００１７】また、上記課題を解決するための第２の手
段として、記録膜と、ＧｅＸＮ若しくはＧｅＸＯＮの何
れかを主成分とする層とを備え、前記層の材料成分Ｘ
が、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｎｂ、
Ｍｏ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｃのうち少
なくとも１つの元素を含み、前記層を、ＧｅとＸ、若し
くはＧｅ、Ｘ、Ｎの何れかを含む材料をターゲットと
し、希ガスと窒素とを含む混合ガス中で反応性スパッタ
リングにより製造する工程を設ける。
段として、記録膜と、ＧｅＸＮ若しくはＧｅＸＯＮの何
れかを主成分とする層とを備え、前記層の材料成分Ｘ
が、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｎｂ、
Ｍｏ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｃのうち少
なくとも１つの元素を含み、前記層を、ＧｅとＸ、若し
くはＧｅ、Ｘ、Ｎの何れかを含む材料をターゲットと
し、希ガスと窒素とを含む混合ガス中で反応性スパッタ
リングにより製造する工程を設ける。
【００１８】これにより、記録材料との密着性に更に優
れた良好な膜質の窒化物層若しくは窒酸化物層が得られ
る。
れた良好な膜質の窒化物層若しくは窒酸化物層が得られ
る。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面を用いながら具体的に説明する。本発明に関する光
学情報記録媒体の層構成の一例を図２に示す。これは図
１（ｂ）の構成において保護層６、４をそれぞれ拡散防
止層７、８に置き換えたものである。
図面を用いながら具体的に説明する。本発明に関する光
学情報記録媒体の層構成の一例を図２に示す。これは図
１（ｂ）の構成において保護層６、４をそれぞれ拡散防
止層７、８に置き換えたものである。
【００２０】拡散防止層７、８は、記録膜３と保護層
２、４との原子拡散、特に保護層中に硫黄または硫化物
が含まれる場合、これらの成分の拡散防止を主な目的と
して設けられる。この層を設ける位置は記録膜３のいず
れか一方であっても両側であってもよいが、記録膜と保
護層との拡散をより効果的に防止するためには両側に設
けることが好ましい。拡散防止層中に含有される成分が
情報の繰り返し記録後で記録膜に拡散等する場合もあり
うるが、このような場合であっても、記録膜の光学変化
を妨げにくい材料を、拡散防止層の構成材料として用い
ればよい。
２、４との原子拡散、特に保護層中に硫黄または硫化物
が含まれる場合、これらの成分の拡散防止を主な目的と
して設けられる。この層を設ける位置は記録膜３のいず
れか一方であっても両側であってもよいが、記録膜と保
護層との拡散をより効果的に防止するためには両側に設
けることが好ましい。拡散防止層中に含有される成分が
情報の繰り返し記録後で記録膜に拡散等する場合もあり
うるが、このような場合であっても、記録膜の光学変化
を妨げにくい材料を、拡散防止層の構成材料として用い
ればよい。
【００２１】なお、本発明の光学情報記録媒体の構成
は、上記構成に限定されるものではなく、拡散防止層８
と反射層５の間に他の材料からなる層を設ける構成、保
護層２を全て拡散防止層７の材料で置き換えた構成、ま
たは反射層のない構成、反射層が二層である構成等、種
々の構成に適用することが可能である。
は、上記構成に限定されるものではなく、拡散防止層８
と反射層５の間に他の材料からなる層を設ける構成、保
護層２を全て拡散防止層７の材料で置き換えた構成、ま
たは反射層のない構成、反射層が二層である構成等、種
々の構成に適用することが可能である。
【００２２】以下の説明では説明を簡略化するため図２
に示した構成で、基板１に厚さ０．６ｍｍ、直径１２０
ｍｍのディスク状ポリカーボネート樹脂、誘電体層２、
４にはＺｎＳにＳｉＯ2を２０ｍｏｌ％含む混合物、記
録膜３には、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金を主成分とする相変
化型材料、反射層５にはＡｌ合金を用いた例について述
べる。但し、記録膜材料としては、例えばＧｅ−Ｓｂ−
Ｔｅ系合金の他に、例えばＴｅ−Ｓｎ−Ｇｅ、Ｔｅ−Ｓ
ｂ−Ｇｅ−Ｓｅ、Ｔｅ−Ｓｎ−Ｇｅ−Ａｕ、Ａｇ−Ｉｎ
−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｓｅ、Ｉｎ−Ｔｅ−Ｓｅ
等、種々の材料を用いることが可能であり、反射層５の
材料、保護層２、４についても他の材料を用いることが
できる。
に示した構成で、基板１に厚さ０．６ｍｍ、直径１２０
ｍｍのディスク状ポリカーボネート樹脂、誘電体層２、
４にはＺｎＳにＳｉＯ2を２０ｍｏｌ％含む混合物、記
録膜３には、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金を主成分とする相変
化型材料、反射層５にはＡｌ合金を用いた例について述
べる。但し、記録膜材料としては、例えばＧｅ−Ｓｂ−
Ｔｅ系合金の他に、例えばＴｅ−Ｓｎ−Ｇｅ、Ｔｅ−Ｓ
ｂ−Ｇｅ−Ｓｅ、Ｔｅ−Ｓｎ−Ｇｅ−Ａｕ、Ａｇ−Ｉｎ
−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｓｅ、Ｉｎ−Ｔｅ−Ｓｅ
等、種々の材料を用いることが可能であり、反射層５の
材料、保護層２、４についても他の材料を用いることが
できる。
【００２３】拡散防止層７、８は本発明の特徴を成す部
分であり、ＧｅＸＮ若しくはＧｅＸＯＮの何れかを主成
分とし、Ｘが、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚ
ｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、
Ｃのうち少なくとも１つの元素を含む材料とする。な
お、ＸはＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍ
ｏ、Ｗを含むことが好ましく、Ｃｒを含むことが更に好
ましい。
分であり、ＧｅＸＮ若しくはＧｅＸＯＮの何れかを主成
分とし、Ｘが、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚ
ｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、
Ｃのうち少なくとも１つの元素を含む材料とする。な
お、ＸはＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍ
ｏ、Ｗを含むことが好ましく、Ｃｒを含むことが更に好
ましい。
【００２４】この拡散防止層７、８は、基本的にはゲル
マニウムに窒化物またはゲルマニウムの窒酸化物である
が、例えば従来提案されている窒化硼素、窒化アルミニ
ウムまたは窒化硅素等の窒化物とは全く性質が異なる。
すなわち、従来提案されているこれら窒化物では、内部
応力または滑性等が原因で記録膜及び／または基板との
密着性が非常に乏しく、また保護層の構成元素または記
録膜の構成元素の何れかの移動を抑制する作用効果は全
く見受けられない。これに対して本発明の窒化ゲルマニ
ウムまたは窒酸化ゲルマニウムでは、元素の移動を抑制
する効果があるとともに密着性も良好であり、本発明は
このように傑出した特性を備えた窒化ゲルマニウムまた
は窒酸化ゲルマニウムに、より一層の耐候性、繰返し特
性、及び製造マージンを付与できる発明である。
マニウムに窒化物またはゲルマニウムの窒酸化物である
が、例えば従来提案されている窒化硼素、窒化アルミニ
ウムまたは窒化硅素等の窒化物とは全く性質が異なる。
すなわち、従来提案されているこれら窒化物では、内部
応力または滑性等が原因で記録膜及び／または基板との
密着性が非常に乏しく、また保護層の構成元素または記
録膜の構成元素の何れかの移動を抑制する作用効果は全
く見受けられない。これに対して本発明の窒化ゲルマニ
ウムまたは窒酸化ゲルマニウムでは、元素の移動を抑制
する効果があるとともに密着性も良好であり、本発明は
このように傑出した特性を備えた窒化ゲルマニウムまた
は窒酸化ゲルマニウムに、より一層の耐候性、繰返し特
性、及び製造マージンを付与できる発明である。
【００２５】また、保護層中にＡｒ、Ｋｒ等のスパッタ
ガス成分のうち希ガスや、Ｈ、Ｃ、Ｈ2Ｏ等が不純物と
して含まれることがあるが、これら不純物の濃度を１０
ａｔ％以下に抑えることにより、不純物が含有されない
場合と同様の特性を得ることができる。
ガス成分のうち希ガスや、Ｈ、Ｃ、Ｈ2Ｏ等が不純物と
して含まれることがあるが、これら不純物の濃度を１０
ａｔ％以下に抑えることにより、不純物が含有されない
場合と同様の特性を得ることができる。
【００２６】拡散防止層７、８の平均組成比は、図３に
示す（ＧｅＸ）・Ｏ・Ｎをそれぞれ頂点とする三元組成
図において、組成点 Ａ（（ＧｅＸ）90.0Ｏ0.0Ｎ10.0）、Ｂ（（ＧｅＸ）
83.4Ｏ13.3Ｎ3.3）、Ｃ（（ＧｅＸ）35.0Ｏ
0.0Ｎ65.0）、Ｄ（（ＧｅＸ）31.1Ｏ55.1Ｎ13.8）、で
囲まれた範囲内にあることが好ましく、Ｅ（（ＧｅＸ）
65.0Ｏ0.0Ｎ35.0）、Ｆ（（ＧｅＸ）53.9Ｏ
9.20Ｎ36.9）、Ｃ（（ＧｅＸ）35.0Ｏ0.0Ｎ65.0）、Ｄ
（（ＧｅＸ）31.1Ｏ55.1Ｎ13.8）、で囲まれた範囲内に
あることが望ましい。
示す（ＧｅＸ）・Ｏ・Ｎをそれぞれ頂点とする三元組成
図において、組成点 Ａ（（ＧｅＸ）90.0Ｏ0.0Ｎ10.0）、Ｂ（（ＧｅＸ）
83.4Ｏ13.3Ｎ3.3）、Ｃ（（ＧｅＸ）35.0Ｏ
0.0Ｎ65.0）、Ｄ（（ＧｅＸ）31.1Ｏ55.1Ｎ13.8）、で
囲まれた範囲内にあることが好ましく、Ｅ（（ＧｅＸ）
65.0Ｏ0.0Ｎ35.0）、Ｆ（（ＧｅＸ）53.9Ｏ
9.20Ｎ36.9）、Ｃ（（ＧｅＸ）35.0Ｏ0.0Ｎ65.0）、Ｄ
（（ＧｅＸ）31.1Ｏ55.1Ｎ13.8）、で囲まれた範囲内に
あることが望ましい。
【００２７】この組成範囲の根拠は、窒素または酸素と
結合していないＧｅ、またはＸの何れかが過剰に存在す
る（以下、余剰ＧｅまたはＸと称す）場合、余剰Ｇｅま
たはＸが記録膜に拡散し、記録膜の光学変化を妨げる傾
向にあり、逆にＧｅ、またはＸと結合していない窒素ま
たは酸素が過剰に存在する場合、これらの原子が同じく
記録膜になだれ込み、記録の妨げとなる傾向を示す。
結合していないＧｅ、またはＸの何れかが過剰に存在す
る（以下、余剰ＧｅまたはＸと称す）場合、余剰Ｇｅま
たはＸが記録膜に拡散し、記録膜の光学変化を妨げる傾
向にあり、逆にＧｅ、またはＸと結合していない窒素ま
たは酸素が過剰に存在する場合、これらの原子が同じく
記録膜になだれ込み、記録の妨げとなる傾向を示す。
【００２８】拡散防止層７、８中に含有されるＧｅ・Ｘ
の平均組成比の範囲は、ＸがＧｅに対して５０％以下で
あることが好ましく、１０％以上３０％以下であること
が望ましい。このＧｅ・Ｘの組成割合の根拠は、Ｘの含
有量がＧｅ含有量の５０％より多いと、物質Ｘが記録の
繰り返し後で記録膜へなだれ込んで記録膜の光学変化を
妨げてしまう傾向が顕著となる場合があり、１０％より
も少ないと、ＧｅＮ若しくはＧｅＯＮ何れかへの物質Ｘ
の添加効果があまり顕著でない場合がある。
の平均組成比の範囲は、ＸがＧｅに対して５０％以下で
あることが好ましく、１０％以上３０％以下であること
が望ましい。このＧｅ・Ｘの組成割合の根拠は、Ｘの含
有量がＧｅ含有量の５０％より多いと、物質Ｘが記録の
繰り返し後で記録膜へなだれ込んで記録膜の光学変化を
妨げてしまう傾向が顕著となる場合があり、１０％より
も少ないと、ＧｅＮ若しくはＧｅＯＮ何れかへの物質Ｘ
の添加効果があまり顕著でない場合がある。
【００２９】拡散防止層７、８の膜厚は１ｎｍ以上であ
ることが必要である。これは膜厚が１ｎｍ以下である場
合、拡散防止層としての効果が低下するためであり、拡
散防止層の膜厚の上限としては、例えば記録膜にレ−ザ
光の入射側では当該記録膜を記録・または再生できるレ
−ザ光強度が得られる範囲である。なお、レ−ザ光強度
は、レ−ザパワーまたは適用する記録膜の材料に依存
し、適宜設定できる。
ることが必要である。これは膜厚が１ｎｍ以下である場
合、拡散防止層としての効果が低下するためであり、拡
散防止層の膜厚の上限としては、例えば記録膜にレ−ザ
光の入射側では当該記録膜を記録・または再生できるレ
−ザ光強度が得られる範囲である。なお、レ−ザ光強度
は、レ−ザパワーまたは適用する記録膜の材料に依存
し、適宜設定できる。
【００３０】次に、これら光学情報記録媒体の製造方法
について述べる。上記光学情報記録媒体を構成する多層
膜を作製する方法としては、スパッタリング法、真空蒸
着、ＣＶＤ等の方法が可能であるが、ここではスパッタ
リング法を用いた場合を例に説明し、図４にその成膜装
置の一例の概略図を示す。
について述べる。上記光学情報記録媒体を構成する多層
膜を作製する方法としては、スパッタリング法、真空蒸
着、ＣＶＤ等の方法が可能であるが、ここではスパッタ
リング法を用いた場合を例に説明し、図４にその成膜装
置の一例の概略図を示す。
【００３１】真空容器９には排気口１５を通して真空ポ
ンプ（図示省略）を接続してあり、真空容器９内を高真
空に保つことができるようになっている。ガス供給口１
４からは、一定流量のＡｒ等の希ガス、窒素、酸素、ま
たはこれらの混合ガスを供給することができるようにな
っている。図中１０は基板であり、基板の自公転を行う
ための駆動装置１１に取り付けられている。
ンプ（図示省略）を接続してあり、真空容器９内を高真
空に保つことができるようになっている。ガス供給口１
４からは、一定流量のＡｒ等の希ガス、窒素、酸素、ま
たはこれらの混合ガスを供給することができるようにな
っている。図中１０は基板であり、基板の自公転を行う
ための駆動装置１１に取り付けられている。
【００３２】１２はスパッタ膜の材料成分を含むスパッ
タターゲットであり、陰極１３に接続されている。ここ
では、ターゲット１２として直径１０ｃｍ厚さ６ｍｍの
ディスク状のものを用いた。陰極１３は図示は省略した
が、スイッチを通して直流電源または高周波電源に接続
されている。また、真空容器９を接地することにより、
真空容器９及び基板１０は陽極に保たれている。
タターゲットであり、陰極１３に接続されている。ここ
では、ターゲット１２として直径１０ｃｍ厚さ６ｍｍの
ディスク状のものを用いた。陰極１３は図示は省略した
が、スイッチを通して直流電源または高周波電源に接続
されている。また、真空容器９を接地することにより、
真空容器９及び基板１０は陽極に保たれている。
【００３３】記録膜３、及び保護層２を成膜する際は、
Ａｒに窒素を２．５％混合したガスを、全圧がそれぞれ
１．０ｍＴｏｒｒ、０．５ｍＴｏｒｒｒとなるように一
定の流量で供給し、陰極にそれぞれＤＣ１．２７Ｗ／ｃ
ｍ2、ＲＦ５．１０Ｗ／ｃｍ2のパワーを投入して行っ
た。
Ａｒに窒素を２．５％混合したガスを、全圧がそれぞれ
１．０ｍＴｏｒｒ、０．５ｍＴｏｒｒｒとなるように一
定の流量で供給し、陰極にそれぞれＤＣ１．２７Ｗ／ｃ
ｍ2、ＲＦ５．１０Ｗ／ｃｍ2のパワーを投入して行っ
た。
【００３４】反射層５を成膜する際は、Ａｒガスを全圧
３．０ｍＴｏｒｒになるように供給し、ＤＣ４．４５Ｗ
／ｃｍ2のパワーを投入して行った。スパッタガス中の
希ガスとしては、Ａｒ以外にもＫｒ等のスパッタ可能な
希ガスが用いられる。
３．０ｍＴｏｒｒになるように供給し、ＤＣ４．４５Ｗ
／ｃｍ2のパワーを投入して行った。スパッタガス中の
希ガスとしては、Ａｒ以外にもＫｒ等のスパッタ可能な
希ガスが用いられる。
【００３５】拡散防止層７、８を成膜する際は、Ｇｅと
Ｘ、若しくはＧｅ、Ｘ、Ｎとを含む材料をターゲットと
し、ＸをＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｎ
ｂ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｃのう
ち少なくとも１つの元素を含む材料とする。成膜ガスは
希ガスと窒素を含む混合ガスとし、反応性スパッタリン
グにより製造する。膜質が硬質である場合、または膜の
内部応力が大きい場合等、必要に応じて微量の酸素を成
膜ガス中に混合することにより、良好な膜質の層を得る
ことができる場合がある。
Ｘ、若しくはＧｅ、Ｘ、Ｎとを含む材料をターゲットと
し、ＸをＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｎ
ｂ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｃのう
ち少なくとも１つの元素を含む材料とする。成膜ガスは
希ガスと窒素を含む混合ガスとし、反応性スパッタリン
グにより製造する。膜質が硬質である場合、または膜の
内部応力が大きい場合等、必要に応じて微量の酸素を成
膜ガス中に混合することにより、良好な膜質の層を得る
ことができる場合がある。
【００３６】本実施の形態の例として、図２に示した光
学情報記録媒体の構成で、拡散防止層７をＧｅＮ、拡散
防止層８をＧｅＣｒＮ、とした場合を（１）、拡散防止
層７をＧｅＮ、拡散防止層８をＧｅＭｏＮとした場合を
（２）とする。また、比較例として拡散防止層７、８を
いずれもＧｅＮとした場合を（０）とする。なお、上記
（０）〜（２）の拡散防止層７、８の膜厚はそれぞれ１
０ｎｍ、２０ｎｍで共通とした。
学情報記録媒体の構成で、拡散防止層７をＧｅＮ、拡散
防止層８をＧｅＣｒＮ、とした場合を（１）、拡散防止
層７をＧｅＮ、拡散防止層８をＧｅＭｏＮとした場合を
（２）とする。また、比較例として拡散防止層７、８を
いずれもＧｅＮとした場合を（０）とする。なお、上記
（０）〜（２）の拡散防止層７、８の膜厚はそれぞれ１
０ｎｍ、２０ｎｍで共通とした。
【００３７】また、ＧｅＣｒＮ層、ＧｅＭｏＮ層、Ｇｅ
Ｎ層を成膜する際は、ターゲット材料をそれぞれＧｅＣ
ｒ、ＧｅＭｏ、Ｇｅとし、ＧｅＣｒＮ膜、ＧｅＭｏＮ膜
中に含有されるＣｒ、Ｍｏ原子数のＧｅ原子数に対する
比率は共に２５％となるようにした。
Ｎ層を成膜する際は、ターゲット材料をそれぞれＧｅＣ
ｒ、ＧｅＭｏ、Ｇｅとし、ＧｅＣｒＮ膜、ＧｅＭｏＮ膜
中に含有されるＣｒ、Ｍｏ原子数のＧｅ原子数に対する
比率は共に２５％となるようにした。
【００３８】さらに、拡散防止層７、８を成膜する際の
スパッタガスはＡｒと窒素との混合ガス、スパッタガス
圧は１０ｍＴｏｒｒ、スパッタパワー密度は６．３７Ｗ
／ｃｍ2で全て共通とし、拡散防止層７を成膜する際の
スパッタガス中の窒素分圧を４０％で一定、拡散防止層
８を成膜する際のスパッタガス中の窒素分圧を２０％、
３０％、４０％と変化させて成膜を行った。
スパッタガスはＡｒと窒素との混合ガス、スパッタガス
圧は１０ｍＴｏｒｒ、スパッタパワー密度は６．３７Ｗ
／ｃｍ2で全て共通とし、拡散防止層７を成膜する際の
スパッタガス中の窒素分圧を４０％で一定、拡散防止層
８を成膜する際のスパッタガス中の窒素分圧を２０％、
３０％、４０％と変化させて成膜を行った。
【００３９】以上の媒体を評価した結果を（表１）に示
す。特性評価は耐候性、及び記録の繰り返し特性につい
て行った。耐候性の評価は、９０℃８０％の加速試験を
２００時間行い、１００時間毎に光学顕微鏡にて剥離の
有無を観察した。２００時間後まで剥離が全く観察され
なかったものを○、１００時間後では剥離は無く、２０
０時間後で剥離が発生したものを△、１００時間後で剥
離が観察されたものを×として示した。
す。特性評価は耐候性、及び記録の繰り返し特性につい
て行った。耐候性の評価は、９０℃８０％の加速試験を
２００時間行い、１００時間毎に光学顕微鏡にて剥離の
有無を観察した。２００時間後まで剥離が全く観察され
なかったものを○、１００時間後では剥離は無く、２０
０時間後で剥離が発生したものを△、１００時間後で剥
離が観察されたものを×として示した。
【００４０】記録の繰り返し特性は、ＥＦＭ信号方式に
より最短マーク長が０．６１μｍとなる場合について３
Ｔから１１Ｔの長さのマークを記録し、マークの前端間
及び後端間のジッター値をウィンドウ幅Ｔで割った値
（以下ジッター値）が、１０万回の繰り返し記録後で前
端間、後端間共に１３％を越えないものを○、１０万回
後で前端間、後端間ジッター値のうち少なくとも一方が
１３％を越えたものを×として示した。
より最短マーク長が０．６１μｍとなる場合について３
Ｔから１１Ｔの長さのマークを記録し、マークの前端間
及び後端間のジッター値をウィンドウ幅Ｔで割った値
（以下ジッター値）が、１０万回の繰り返し記録後で前
端間、後端間共に１３％を越えないものを○、１０万回
後で前端間、後端間ジッター値のうち少なくとも一方が
１３％を越えたものを×として示した。
【００４１】
【表１】
【００４２】また、拡散防止層８をＧｅＮ、拡散防止層
７をＧｅＣｒＮ、ＧｅＭｏＮとし、拡散防止層８を成膜
する際のスパッタガス中の窒素分圧を３０％で一定、拡
散防止層７を成膜する際のスパッタガス中の窒素分圧を
４０％、５０％、６０％と変化させた以外は（１）
（２）と同条件で作製した媒体をそれぞれ（３）、
（４）とする。この場合の比較例として拡散防止層７、
８を共にＧｅＮとした場合の媒体を（０）’とする。こ
れらの媒体を評価した結果を（表２）に示す。
７をＧｅＣｒＮ、ＧｅＭｏＮとし、拡散防止層８を成膜
する際のスパッタガス中の窒素分圧を３０％で一定、拡
散防止層７を成膜する際のスパッタガス中の窒素分圧を
４０％、５０％、６０％と変化させた以外は（１）
（２）と同条件で作製した媒体をそれぞれ（３）、
（４）とする。この場合の比較例として拡散防止層７、
８を共にＧｅＮとした場合の媒体を（０）’とする。こ
れらの媒体を評価した結果を（表２）に示す。
【００４３】
【表２】
【００４４】以上、（表１）及び（表２）の結果より、
拡散防止層としてＧｅＣｒＮ、またはＧｅＭｏＮを用い
た場合、ＧｅＮのみの場合に比べて、記録の繰り返し特
性を損ねることなく耐候性が向上していることがわか
る。
拡散防止層としてＧｅＣｒＮ、またはＧｅＭｏＮを用い
た場合、ＧｅＮのみの場合に比べて、記録の繰り返し特
性を損ねることなく耐候性が向上していることがわか
る。
【００４５】次に、拡散防止層７、８をそれぞれＧｅ
Ｎ、ＧｅＣｒＮとし、ＧｅＣｒＮ膜中に含まれるＣｒ原
子数のＧｅ原子数に対する比率を５％、１０％、２０
％、３０％、５０％、６０％と変化させたディスクを作
製し、これらの媒体を順に（５）（６）（７）（８）
（９）（１０）とする。ディスクの層構成は上記既述の
ディスク（０）〜（４）と同様とし、拡散防止層７を成
膜する際の窒素分圧を４０％で一定、拡散防止層８のそ
れを２０％、３０％、４０％、５０％、６０％と変化さ
せた。これらのディスクの評価結果を（表３）に示す。
Ｎ、ＧｅＣｒＮとし、ＧｅＣｒＮ膜中に含まれるＣｒ原
子数のＧｅ原子数に対する比率を５％、１０％、２０
％、３０％、５０％、６０％と変化させたディスクを作
製し、これらの媒体を順に（５）（６）（７）（８）
（９）（１０）とする。ディスクの層構成は上記既述の
ディスク（０）〜（４）と同様とし、拡散防止層７を成
膜する際の窒素分圧を４０％で一定、拡散防止層８のそ
れを２０％、３０％、４０％、５０％、６０％と変化さ
せた。これらのディスクの評価結果を（表３）に示す。
【００４６】
【表３】
【００４７】（表３）より、Ｃｒ含有量がＧｅに対して
１０ａｔ％以上になるとＣｒの添加効果が現われ始める
ことがわかる。但し、Ｃｒ含有量がＧｅに対して６０ａ
ｔ％以上となると記録の繰り返し特性が悪化する。これ
はＣｒがＧｅに比べ窒素と結合しにくく、窒素と結合し
ない余剰Ｃｒが膜中に過剰に存在し、これらの原子が記
録膜へなだれ込んで記録の繰り返し特性が悪化している
ためと考えられる。以上より、ＧｅＣｒＮ膜中のＣｒ含
有量は、Ｇｅに対して５０％以下が好ましく、１０％以
上３０％以下であることが望ましいといえる。
１０ａｔ％以上になるとＣｒの添加効果が現われ始める
ことがわかる。但し、Ｃｒ含有量がＧｅに対して６０ａ
ｔ％以上となると記録の繰り返し特性が悪化する。これ
はＣｒがＧｅに比べ窒素と結合しにくく、窒素と結合し
ない余剰Ｃｒが膜中に過剰に存在し、これらの原子が記
録膜へなだれ込んで記録の繰り返し特性が悪化している
ためと考えられる。以上より、ＧｅＣｒＮ膜中のＣｒ含
有量は、Ｇｅに対して５０％以下が好ましく、１０％以
上３０％以下であることが望ましいといえる。
【００４８】上記の説明では、Ｘ成分としてＭｏ及びＣ
ｒを例に説明したが、Ｘの元素はＭｏ及びＣｒに限定さ
れるものではなく、上述したように拡散防止層に含有さ
れるＸは、情報の繰返しにともない仮に記録膜に拡散等
しても、記録膜の光学特性に与える影響が少ない元素で
あれば良く、このような元素としてはＭｏ及びＣｒ以外
に、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｐｄ、
Ａｇ、Ｃｄ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｃ等があり、その何れを
用いても効果の差は若干見られるものの本質的には含有
の効果があり、その含有量についてもほぼ同様であっ
た。
ｒを例に説明したが、Ｘの元素はＭｏ及びＣｒに限定さ
れるものではなく、上述したように拡散防止層に含有さ
れるＸは、情報の繰返しにともない仮に記録膜に拡散等
しても、記録膜の光学特性に与える影響が少ない元素で
あれば良く、このような元素としてはＭｏ及びＣｒ以外
に、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｐｄ、
Ａｇ、Ｃｄ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｃ等があり、その何れを
用いても効果の差は若干見られるものの本質的には含有
の効果があり、その含有量についてもほぼ同様であっ
た。
【００４９】
【発明の効果】以上述べたように、記録膜の少なくとも
一方に接してＧｅＸＮ若しくはＧｅＸＯＮを主成分とす
る保護層を設け、Ｘを（Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、
Ｚｎ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｈｆ、Ｔ
ａ、Ｗ、Ｃ）のうち少なくとも１つの元素を含む材料と
することにより、耐候性に優れ、かつ情報信号の記録消
去の繰り返し特性にも優れた光情報記録媒体を得ること
が可能になる。
一方に接してＧｅＸＮ若しくはＧｅＸＯＮを主成分とす
る保護層を設け、Ｘを（Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、
Ｚｎ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｈｆ、Ｔ
ａ、Ｗ、Ｃ）のうち少なくとも１つの元素を含む材料と
することにより、耐候性に優れ、かつ情報信号の記録消
去の繰り返し特性にも優れた光情報記録媒体を得ること
が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の光情報記録媒体の層構成例を示す断面図
で (ａ)は、４層構成の光記録媒体の断面図 (ｂ)は、５層構成の光記録媒体の断面図
で (ａ)は、４層構成の光記録媒体の断面図 (ｂ)は、５層構成の光記録媒体の断面図
【図２】本発明の光情報記録媒体の一層構成を示す断面
図
図
【図３】（ＧｅＸ）・Ｏ・Ｎの組成範囲を示す三角組成
図
図
【図４】本発明の成膜装置の一例を示す図
１ 基板 ２ 保護層 ３ 記録膜 ４ 保護層 ５ 反射層 ６ 保護層 ７ 拡散防止層 ８ 拡散防止層 ９ 真空容器 １０ 基板 １１ 基板駆動装置 １２ ターゲット １３ 陰極 １４ ガス供給口 １５ 排気口
Claims (20)
- 【請求項１】光学特性が可逆的に変化する記録膜と、Ｇ
ｅＸＮ若しくはＧｅＸＯＮの何れかを主成分とする層と
を有し、前記層の材料成分Ｘが、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍ
ｎ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃ
ｄ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｃのうち少なくとも１つの元素を
含むことを特徴とする光学情報記録媒体。 - 【請求項２】ＧｅＸＮ若しくはＧｅＸＯＮの何れかを主
成分とする層が、記録膜の少なくとも一方の側に接して
いることを特徴とする請求項１記載の光学情報記録媒
体。 - 【請求項３】記録膜の両側に接してＧｅＸＮ若しくはＧ
ｅＸＯＮの何れかを主成分とする層を有し、前記層の材
料成分Ｘの平均含有量が、前記記録膜の両側で異なるこ
とを特徴とする請求項１記載の光学情報記録媒体。 - 【請求項４】記録膜の両側にＧｅＸＮ若しくはＧｅＸＯ
Ｎの何れかを主成分とする層を有し、前記記録膜のレー
ザー入射側に位置する前記層の平均組成が（Ｇｅ
1-xＸx）aＯbＮc（但し、ａ＞０、ｂ≧０、ｃ＞０）、
レーザー入射側と反対側に位置する層の平均組成が（Ｇ
ｅ1-yＸy）dＯeＮf（但し、ｄ＞０、ｅ≧０、ｆ＞０）
と表わすと、０≦ｘ＜ｙの関係にあることを特徴とする
請求項１または３何れかに記載の光学情報記録媒体。 - 【請求項５】ＧｅＸＮ若しくはＧｅＸＯＮの何れかを主
成分とする層に含まれるＧｅとＸとの平均組成比が、
（Ｇｅ1-xＸx）aＯbＮc（但し、ａ＞０、ｂ≧０、ｃ＞
０、０＜ｘ≦０．５）で表される範囲内にあることを特
徴とする請求項１記載の光学情報記録媒体。 - 【請求項６】ＧｅＸＮ若しくはＧｅＸＯＮの何れかを主
成分とする層に含まれるＧｅとＸとの平均組成比が、
（Ｇｅ1-xＸx）aＯbＮc（但し、ａ＞０、ｂ≧０、ｃ＞
０、０．１０≦ｘ≦０．３０）で表される範囲内にある
ことを特徴とする請求項１記載の光学情報記録媒体。 - 【請求項７】ＧｅＸＮ若しくはＧｅＸＯＮの何れかを主
成分とする層の平均組成比が、（ＧｅＸ）・Ｏ・Ｎをそ
れぞれ頂点とするの三元組成図において、組成点 Ａ（（ＧｅＸ）90.0Ｏ0.0Ｎ10.0）、Ｂ（（ＧｅＸ）
83.4Ｏ13.3Ｎ3.3）、Ｃ（（ＧｅＸ）35.0Ｏ
0.0Ｎ65.0）、Ｄ（（ＧｅＸ）31.1Ｏ55.1Ｎ13.8）、で
囲まれた範囲内にあることを特徴とする請求項１記載の
光学情報記録媒体。 - 【請求項８】ＧｅＸＮ若しくはＧｅＸＯＮの何れかを主
成分とする層の膜厚が１ｎｍ以上であることを特徴とす
る請求項１記載の光学情報記録媒体。 - 【請求項９】ＸがＣｒを含むことを特徴とする請求項１
〜８何れかに記載の光学情報記録媒体。 - 【請求項１０】記録膜が、Ｔｅ、Ｓｅ、Ｓｂのいずれか
を主成分とする相変化材料であることを特徴とする請求
項１記載の光学情報記録媒体。 - 【請求項１１】記録膜が、Ｔｅ、Ｓｂ、Ｇｅの三元素を
主成分とする相変化材料であることを特徴とする請求項
１記載の光学情報記録媒体。 - 【請求項１２】光学特性が可逆的に変化する記録膜と、
ＧｅＸＮ若しくはＧｅＸＯＮの何れかを主成分とする層
とを有し、前記層の材料成分Ｘが、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍ
ｎ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃ
ｄ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｃのうち少なくとも１つの元素を
含み、前記層を、ＧｅとＸ、若しくはＧｅ、Ｘ、Ｎの何
れかを含む材料をターゲットとし、希ガスと窒素とを含
む混合ガス中で反応性スパッタリングにより製造する工
程を含むことを特徴とする光学情報記録媒体の製造方
法。 - 【請求項１３】ＧｅＸＮ若しくはＧｅＸＯＮの何れかを
主成分とする層を成膜する際、スパッタガス中に酸素を
含むことを特徴とする請求項１２記載の光学情報記録媒
体の製造方法。 - 【請求項１４】（ＧｅＸ）の窒化物若しくは窒酸化物の
何れかを成膜する第１の工程、光学特性が可逆的に変化
する記録膜を成膜する第２の工程、及び（ＧｅＸ）の窒
化物若しくは窒酸化物の何れかを成膜する第３の工程を
この順に有し、前記第１の工程における成膜ガス中に含
まれる窒素量と、前記第３の工程における成膜ガス中に
含まれる窒素量とが異なることを特徴とする請求項１２
記載の光学情報記録媒体の製造方法。 - 【請求項１５】第１の工程における成膜ガス中に含まれ
る窒素量が、第３の工程における成膜ガス中に含まれる
窒素量よりも多いことを特徴とする請求項１４記載の光
学情報記録媒体の製造方法。 - 【請求項１６】（ＧｅＸ）の窒化物若しくは窒酸化物の
何れかを成膜する第１の工程、光学特性が可逆的に変化
する記録膜を成膜する第２の工程、及び（ＧｅＸ）の窒
化物若しくは窒酸化物の何れかを成膜する第３の工程を
この順に有し、前記第１の工程、及び前記第３の工程に
おける成膜ターゲット中に含まれるＧｅとＸとの平均組
成比をそれぞれＧｅ1ーxＸx、Ｇｅ1ーyＸyとしたとき、０
≦ｘ＜ｙの関係を満たすことを特徴とする請求項１２ま
たは１４何れかに記載の光学情報記録媒体の製造方法。 - 【請求項１７】スパッタターゲットがＧｅとＸとの合金
を含むことを特徴とする請求項１２記載の光学情報記録
媒体の製造方法。 - 【請求項１８】スパッタターゲットがＧｅとＸの混合物
を含むことを特徴とする請求項１２記載の光学情報記録
媒体の製造方法。 - 【請求項１９】ＧｅＸＮ若しくはＧｅＸＯＮの何れかを
主成分とする層を成膜する際、スパッタガスの全圧が
１．０ｍＴｏｒｒ以上であることを特徴とする請求項１
２記載の光学情報記録媒体の製造方法。 - 【請求項２０】ＧｅＸＮ若しくはＧｅＸＯＮの何れかを
主成分とする層を成膜する際、スパッタガス中の窒素分
圧が１０％以上であることを特徴とする請求項１２記載
の光学情報記録媒体の製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07947797A JP3612927B2 (ja) | 1997-03-31 | 1997-03-31 | 光学情報記録媒体 |
| CNB981092500A CN1179335C (zh) | 1997-03-31 | 1998-03-31 | 光学信息记录媒体及其制造方法 |
| KR1019980011357A KR100312210B1 (ko) | 1997-03-31 | 1998-03-31 | 광학정보기록매체및그제조방법 |
| US09/390,228 US6821707B2 (en) | 1996-03-11 | 1999-09-03 | Optical information recording medium, producing method thereof and method of recording/erasing/reproducing information |
| US09/637,095 US7037413B1 (en) | 1996-03-11 | 2000-08-10 | Optical information recording medium, producing method thereof and method of recording/erasing/reproducing information |
| US10/985,626 US20050089799A1 (en) | 1996-03-11 | 2004-11-09 | Optical information recording medium, producing method thereof and method of recording/erasing/reproducing information |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07947797A JP3612927B2 (ja) | 1997-03-31 | 1997-03-31 | 光学情報記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10275360A true JPH10275360A (ja) | 1998-10-13 |
| JP3612927B2 JP3612927B2 (ja) | 2005-01-26 |
Family
ID=13690986
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07947797A Expired - Lifetime JP3612927B2 (ja) | 1996-03-11 | 1997-03-31 | 光学情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3612927B2 (ja) |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999042995A1 (fr) * | 1998-02-23 | 1999-08-26 | Hitachi Maxell, Ltd. | Support d'information |
| WO2003025923A1 (fr) * | 2001-09-12 | 2003-03-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Support d'enregistrement optique et procede d'enregistrement correspondant |
| US6660451B1 (en) | 1999-06-18 | 2003-12-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium |
| WO2004032131A1 (ja) * | 2002-10-02 | 2004-04-15 | Mitsubishi Chemical Corporation | 光記録媒体 |
| US6761950B2 (en) | 2001-12-07 | 2004-07-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium and method for producing the same |
| US6841217B2 (en) | 2002-03-20 | 2005-01-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and method for manufacturing the same |
| US6858278B2 (en) | 2001-12-18 | 2005-02-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium and method for producing the same |
| US6881466B2 (en) | 2002-03-19 | 2005-04-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium and method for producing the same |
| US7063876B2 (en) | 2003-03-25 | 2006-06-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium and method for manufacturing the same |
| US7255906B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium and method for producing the same |
| WO2008018225A1 (fr) | 2006-08-08 | 2008-02-14 | Panasonic Corporation | Support d'enregistrement d'informations, son procédé de fabrication, et cible de pulvérisation cathodique |
| EP1927984A1 (en) | 2004-03-10 | 2008-06-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium and method for manufacturing the same |
| US7449225B2 (en) | 2002-09-13 | 2008-11-11 | Panasonic Corporation | Information recording medium and method for manufacturing the same |
| US7682677B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-03-23 | Panasonic Corporation | Information recording medium and method for manufacturing the same |
| US7846525B2 (en) | 2005-06-15 | 2010-12-07 | Panasonic Corporation | Information recording medium and method of manufacturing the same |
| US7858290B2 (en) | 2003-10-02 | 2010-12-28 | Panasonic Corporation | Information recording medium and method for manufacturing the same |
| US7897231B2 (en) | 2005-04-01 | 2011-03-01 | Panasonic Corporation | Optical information recording medium and method for manufacturing the same |
| US8075973B2 (en) | 2005-12-02 | 2011-12-13 | Panasonic Corporation | Information recording medium and method for manufacturing the same |
-
1997
- 1997-03-31 JP JP07947797A patent/JP3612927B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999042995A1 (fr) * | 1998-02-23 | 1999-08-26 | Hitachi Maxell, Ltd. | Support d'information |
| US6660451B1 (en) | 1999-06-18 | 2003-12-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium |
| WO2003025923A1 (fr) * | 2001-09-12 | 2003-03-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Support d'enregistrement optique et procede d'enregistrement correspondant |
| US6761950B2 (en) | 2001-12-07 | 2004-07-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium and method for producing the same |
| US6858278B2 (en) | 2001-12-18 | 2005-02-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium and method for producing the same |
| US6881466B2 (en) | 2002-03-19 | 2005-04-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium and method for producing the same |
| US6841217B2 (en) | 2002-03-20 | 2005-01-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and method for manufacturing the same |
| US7449225B2 (en) | 2002-09-13 | 2008-11-11 | Panasonic Corporation | Information recording medium and method for manufacturing the same |
| US7001655B2 (en) | 2002-10-02 | 2006-02-21 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical recording medium |
| CN1333399C (zh) * | 2002-10-02 | 2007-08-22 | 三菱化学媒体股份有限公司 | 光记录介质 |
| WO2004032131A1 (ja) * | 2002-10-02 | 2004-04-15 | Mitsubishi Chemical Corporation | 光記録媒体 |
| US7063876B2 (en) | 2003-03-25 | 2006-06-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium and method for manufacturing the same |
| US7255906B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium and method for producing the same |
| US7858290B2 (en) | 2003-10-02 | 2010-12-28 | Panasonic Corporation | Information recording medium and method for manufacturing the same |
| US7407697B2 (en) | 2004-03-10 | 2008-08-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium and method for manufacturing the same |
| EP1927984A1 (en) | 2004-03-10 | 2008-06-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium and method for manufacturing the same |
| US7682677B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-03-23 | Panasonic Corporation | Information recording medium and method for manufacturing the same |
| US7897231B2 (en) | 2005-04-01 | 2011-03-01 | Panasonic Corporation | Optical information recording medium and method for manufacturing the same |
| US7846525B2 (en) | 2005-06-15 | 2010-12-07 | Panasonic Corporation | Information recording medium and method of manufacturing the same |
| US8075973B2 (en) | 2005-12-02 | 2011-12-13 | Panasonic Corporation | Information recording medium and method for manufacturing the same |
| WO2008018225A1 (fr) | 2006-08-08 | 2008-02-14 | Panasonic Corporation | Support d'enregistrement d'informations, son procédé de fabrication, et cible de pulvérisation cathodique |
| US8133566B2 (en) | 2006-08-08 | 2012-03-13 | Panasonic Corporation | Information recording medium, its manufacturing method, and sputtering target |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3612927B2 (ja) | 2005-01-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1630803B1 (en) | Optical information recording medium | |
| EP0917137B1 (en) | Optical information recording medium | |
| JP3612927B2 (ja) | 光学情報記録媒体 | |
| KR100313224B1 (ko) | 광학정보 기록매체 및 그 기록재생방법 | |
| EP0960419B1 (en) | Rewritable optical information medium | |
| JP2000132864A (ja) | 情報記録媒体及び情報記録装置 | |
| JP3816658B2 (ja) | 光学情報記録媒体及びその製造方法 | |
| WO1999030908A1 (fr) | Element d'enregistrement inscriptible une fois de donnees optiques | |
| JPH08190734A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP4124535B2 (ja) | 光学情報記録媒体およびその記録再生方法 | |
| KR100307345B1 (ko) | 위상변경광학기록매질 | |
| KR100312210B1 (ko) | 광학정보기록매체및그제조방법 | |
| JPH1016393A (ja) | 相変化型光学情報記録媒体及びその製造方法 | |
| JPH11115315A (ja) | 光学情報記録媒体とその製造方法、及びこの媒体を用いた情報の記録再生方法 | |
| JP2001273673A (ja) | 光記録媒体およびその製造方法 | |
| JP2002329348A (ja) | 光学記録媒体 | |
| JP2002008266A (ja) | 光学的情報記録用媒体 | |
| JP4214155B2 (ja) | 光学情報記録媒体及びその記録再生方法 | |
| JP2000339760A (ja) | 光学情報記録媒体およびその製造方法 | |
| JP2000123418A (ja) | 光学情報記録媒体 | |
| JP2001344817A (ja) | 光学情報記録媒体 | |
| JP2002056576A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH09223332A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH10228675A (ja) | 光記録媒体及びその製造方法 | |
| JPH05124353A (ja) | 光記録媒体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040202 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040210 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040408 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040615 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040715 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20040823 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20041005 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20041018 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071105 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081105 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091105 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091105 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101105 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111105 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121105 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121105 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131105 Year of fee payment: 9 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |