JPH10270413A - 微細加工方法および装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】エッチング等を利用して基板に所望の微細加工
を施すための微細加工方法および微細加工装置を提供す
る。 【解決手段】まず最初に、有機シラン系の物質を表面に
吸着させた基板に第１の加工を施す部分にのみ光を照射
し、有機シラン系の物質を分解する。つぎに、転写され
たパターンを確認しながら、基板の第２の加工を行う部
分に導電性の微小探針が来るように、移動させ位置決め
する位置決め工程と、基板と微小探針との間に所望の電
圧を印加しつつ基板と微小探針とを相対的に移動させ、
その基板上の有機シラン膜を分解する。最後に、プロー
ブリソグラフィー工程を経た基板をエッチングを行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、エッチング等を利
用して基板に所望の微細加工を施すための微細加工方法
および微細加工装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】集積回路（ＩＣ）や大規模集積回路（Ｌ
ＳＩ）等を製造する製造工程の一つに、シリコン基板上
に回路パターンを形成するリソグラフィー工程がある。
この工程は、従来よりシリコン基板上の表面に微細な回
路パターンを作成するために、光リソグラフィー技術が
用いられている。

【０００３】この光リソグラフィー技術を用いたリソグ
ラフィー工程は、まず所定のパターンが形成されたフォ
トマスクと、基板表面には感光剤を塗布したシリコン基
板を用意しておく。そして、次にこのフォトマスクに紫
外線等の電磁波を照射して、フォトマスクを透過しまた
は反射させる。そして、フォトマスクを透過または反射
した電磁波が感光剤を塗布したシリコン基板に到達し、
フォトマスク像を感光剤に焼き付ける。そして、焼き付
けられたパターンは、現像処理を行ってからエッチング
処理によりフォトマスク像に対応した形状が基板上に形
成されるようになっている。

【０００４】一方、近年、発達してきたプローブ顕微鏡
の技術を用い、より精密なパターンを作りだし転写でき
る新しい技術手段として、走査型トンネル顕微鏡や原子
間力顕微鏡等の走査型プローブ顕微鏡を用いる走査型プ
ローブリソグラフィーの技術が開発されてきている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の光リ
ソグラフィー技術を用いて、微細加工を行った場合、微
細加工のパターンに応じたフォトマスクを用意する必要
がある。つまり、光リソグラフィー技術では、単にフォ
トマスクのパターンを転写するだけであり、パターンそ
のものを発生させる機能は有していなかった。

【０００６】また、この光リソグラフィー技術は、用い
た電磁波の波長により最小パターンは自ずと決められて
しまう。このような光リソグラフィーの限界を克服する
ために、走査型プローブリソグラフィーの適用が考えら
れる。だが、この走査型プローブリソグラフィーの技術
では、パターンを構成するラインを一つ一つ筆で描くよ
うにして、微細形状を形成させてゆくため、基板上にパ
ターンを形成させるためのパターンの書き込みに著しく
時間がかかるという欠点を有していた。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記の課題を鑑み、本発
明では以下の通りに行う。本発明の第１の形態では、有
機シラン系の物質を表面に吸着させた基板に第１の加工
を施す部分にのみ光を照射し、有機シラン系の物質を分
解する光リソグラフィー工程と、先に行った光リソグラ
フィー工程で転写されたパターンを確認しながら、基板
の第２の加工を行う部分に導電性の微小探針が来るよう
に、移動させ位置決めする位置決め工程と、基板と微小
探針との間に所望の電圧を印加しつつ基板と微小探針と
を相対的に移動させ、その基板上の有機シラン膜を分解
するプローブリソグラフィー工程と、プローブリソグラ
フィー工程を経た基板をエッチングするエッチング工程
とを行うこととした。

【０００８】このように有機シラン系の物質を基板の表
面に吸着させ、光リソグラフィー工程で露光がされてい
ない部分については、微小探針を位置決めし、微小探針
と基板との間に電圧を印加して、有機シラン系物質を分
解しパターンニングを行う。本発明の第２の形態では、
更に本発明の第１の形態において、位置決め工程では、
微小探針が一端に設けられた片持ち梁と、基板と微小探
針とを相対的に移動することのできる駆動手段と、片持
ち梁の変位を検出する変位検出手段とを備えたプローブ
加工手段でもって、変位検出手段で検出された片持ち梁
の変位の変化によって基板の露光されていない場所を確
認しつつ、基板の第２の加工を行う部分に微小探針を移
動させることとした。この様な構成を採用することで、
位置決め工程と電圧印加工程とでは、異なる装置で行わ
なくても第２の加工ができるようになる。

【０００９】また、本発明の第３の形態では、本発明の
第１の形態において更に、片持ち梁の弾性変形量の変化
を変位検出手段で検出することとした。他に、本発明の
第４の形態では、本発明の第３の形態の代わりに、片持
ち梁に生ずる振動の振幅の変化または振動の位相の変化
を検出することとした。また、本発明の第５の形態で
は、片持ち梁に生ずる振動を変位検出手段で検出する際
には、その振動を片持ち梁を一定の振幅および一定の位
相で振動を与える励振手段によって片持ち梁に振動を生
じさせたこととした。

【００１０】そして、本発明の第６の形態では、本発明
の第５の形態の代わりに、基板を振動させる励振手段に
よって生じた振動が、片持ち梁に伝達した振動であるこ
ととした。また、本発明の第７の形態では、基板に吸着
した有機シラン系の物質とは、単分子膜からなることと
した。

【００１１】次に、本発明の第８の形態では、光源と所
望のパターンが描かれたマスクを有し、有機シラン系の
物質を表面に吸着させた基板にマスクのパターン像を転
写する露光装置と、片持ち梁の一端に導電性の微小探針
を備えたチップと、片持ち梁の変位を検出する変位検出
部と、基板と探針との間に電圧を印加する電圧印加手段
と、基板の表面とチップの探針とを相対的に走査する走
査手段とを備えた走査型プローブ装置とを用いて、基板
に微細加工を施す加工方法であって、露光装置で露光さ
れた基板を走査型プローブ装置における変位検出部の変
位の変化でもって露光箇所と未露光箇所とを観察し、未
露光箇所で加工を施す部分にチップの微小探針が来るよ
うに微小探針の位置を決める位置決め工程と、位置決め
工程によって位置が定められた微小探針と基板との間に
電圧を印加しつつ、微小探針と基板とを相対的に移動さ
せ、基板上に吸着した有機シラン系の物質を分解するプ
ローブリソグラフィー工程と、プローブリソグラフィー
工程を行った基板にエッチング処理を行うエッチング処
理工程とを行うこととした。

【００１２】このように、有機シラン系の物質が吸着し
た基板をパターンニングする際に、露光装置と走査型プ
ローブ装置とによってパターンニングを行う。この様
に、走査型プローブ装置において、露光箇所と未露光箇
所とを判別しながら、走査型プローブ装置でパターンニ
ングを行う場所に微小探針を位置決めして、基板と微小
探針との間に電圧を印加する。基板と微小探針との間に
電圧が印加されると、そこの部分の有機シラン系の物質
が分解され、パターンニングが行われる。

【００１３】また、本発明の第９の形態では、基板に吸
着した有機シラン系の物質とは、単分子膜からなること
とした。また、本発明の第１０の形態では、光源と所望
のパターンが描かれたマスクを有し、有機シラン系の物
質を表面に吸着させた基板にマスクのパターン像を転写
する露光部と、片持ち梁の一端に導電性の微小探針を備
えたチップと、片持ち梁の変位を検出する変位検出部
と、基板と探針との間に電圧を印加する電圧印加手段
と、基板の表面と探針とを相対的に走査する走査手段と
を備え、有機シラン系の物質が存在している位置または
分解された位置を峻別しながらチップを基板の所望の位
置に走査させ、電気化学的にに有機シラン系の物質を分
解する走査型プローブ部とを備えたこととした。

【００１４】

【発明の実施の形態】次に本発明における実施の形態を
説明する。しかし、本発明は以下に挙げる実施の形態だ
けに限られたものでは無い。まず、最初に図１及び図２
を用いて、本発明の第１の実施の形態による基板への微
細加工方法を説明する。

【００１５】まず、有機シラン単分子膜をレジストの代
わりとしてシリコン基板１に成膜する。具体的には、密
閉することの出来る容器を用意し、その中にヘキサメチ
ルジシラザンの溶液が入ったビーカーをその密閉する事
の出来る容器内に載置する。次に、表面を紫外線−オゾ
ン洗浄法により清浄したシリコン基板１をその密閉する
ことの出来る容器の中に入れ、容器を密閉する。そし
て、容器内を１００゜Ｃに加熱し２時間放置する。

【００１６】このように、容器に放置されたシリコン基
板１は、その表面に形成されていた自然酸化膜２とヘキ
サメチルジシラザン分子との間に化学反応が起き、シリ
コン基板１の表面にトリメチルシリル基からなる単分子
膜（ＴＭＳ膜）が形成される（図１（ａ）に図示）。こ
のようにしてシリコン基板１上に有機シラン単分子膜３
を形成する。

【００１７】次に、有機シラン単分子膜３を形成したシ
リコン基板１について、光リソグラフィーを行う。この
光リソグラフィー工程では、有機シラン単分子膜３が形
成されたシリコン基板１に、フォトマスク４を密着さ
せ、露光を行う密着露光法を用いて行った。この露光法
では、図１（ｂ）に示した様にフォトマスク４を密着さ
せたシリコン基板１に図示していない光源からの紫外光
を照射して露光を行う。ちなみに、図１（ｂ）の矢印５
は紫外光である。

【００１８】ところで、紫外光が照射された有機シラン
単分子膜３は、その紫外光を吸収して分解される。この
ように紫外光がフォトマスク４を通過することによっ
て、フォトマスク４のパターンを有機シラン単分子膜３
上へと転写することができる。ちなみに、本実施の形態
では、露光に用いた光の波長は１７２ｎｍの光を用い
た。このようにしてパターンニングされたシリコン基板
１は図１（ｃ）のようになる。

【００１９】次に、光リソグラフィー工程を行ったシリ
コン基板１は、走査型プローブリソグラフィー装置に備
えつけられる。この走査型プローブリソグラフィー装置
の装置構成図を図３に示す。この走査型プローブリソグ
ラフィー装置は、窒化ケイ素で構成され、導電性を得る
ために金属のコーティングが施されたカンチレバー２１
と、カンチレバー２１の試料側の面に設けられた導電性
の微小探針２２と、シリコン基板１を載置し、シリコン
基板１と電気的に導通をとることができる試料台２３
と、試料台２３を３次元的に微小に移動させるチューブ
スキャナ２４と、カンチレバー２１の変位を光てこ法で
検出するための光源２５と、カンチレバー２１の反射光
を受光し、カンチレバー２１の変位を検出するための４
分割フォトディテクター２６と、チューブスキャナ２４
を駆動するためのスキャナー制御手段２７と、試料台２
３と探針２２に所望の電圧を印加するための定電圧電源
２８と、加工条件のデータや加工位置データをもとに、
定電圧電源２８およびスキャナー制御手段２７を制御す
るコントローラー２９から構成されている。

【００２０】また、カンチレバー２１は、支持体３２お
よびカンチレバーホルダー３３によって支持されてい
る。また、探針２２と試料台２３との間に流れる電流を
モニターするための電流計３１が備えられている。とこ
ろで、この走査型プローブリソグラフィー装置では、最
初に光リソグラフィーにより露光されたシリコン基板１
上を探針２２が走査し、光リソグラフィー工程で転写さ
れたパターンを観察する。そして、走査型プローブリソ
グラフィー装置で描画する位置に、探針２２を位置決め
する。

【００２１】具体的には、あらかじめ走査型プローブリ
ソグラフィー装置でパターンニングする位置の近傍に探
針２２が来るように、試料台２３上にシリコン基板１を
載置する。そして、コントローラー２９からスキャナー
制御手段２７へシリコン基板１における走査範囲に関す
る信号を出力して、走査型プローブリソグラフィー装置
によるシリコン基板１の表面観察が行われる。

【００２２】ところで、この走査型プローブリソグラフ
ィー装置によるシリコン基板１の表面観察は、本発明の
形態では、探針２２とシリコン基板１との間に生じる摩
擦力を検出してシリコン基板１の表面観察を行った。本
発明の形態では、シリコン基板１の走査方向を梁の方向
とは垂直な方向にして、シリコン基板１の走査時に受け
る摩擦力をカンチレバー２１の捻れ具合によって検出し
た。ところで、この捻れ具合は、カンチレバー２１から
の反射光束のスポット中心がどれだけ移動したかを４分
割フォトディテクター２６によって検出することで得ら
れる。この４分割フォトディテクター２６の出力信号
は、スキャナー制御手段２７に入力されており、スキャ
ナー制御手段２７では、４分割フォトディテクター２６
からの出力とチューブスキャナ２４へ出力された駆動信
号とから、位置に対する摩擦力の大きさをコントローラ
ー２９に出力することができる。そして、コントローラ
ー２９で位置情報と各位置に対する摩擦力の大きさを図
示していないモニターやプリンターによって、図４の様
なシリコン基板１の表面像を画像出力する。

【００２３】ところで、シリコン基板１の露光領域と未
露光領域とでは、有機シラン系物質が存在するか否かに
よって、摩擦力が異なる。実際には、有機シラン系物質
が吸着しているところは、吸着していないところに比べ
て、摩擦力が小さい。この違いから露光領域なのか未露
光領域なのかを判別することが出来る。ちなみに、この
図４では、露光領域は白く見え、そして未露光領域は黒
く見えるので、このことを利用して露光領域と未露光領
域を判別することができる。

【００２４】このようにして、走査型プローブリソグラ
フィー装置による観察によって検出された露光領域と未
露光領域の位置から、次に、走査型プローブリソグラフ
ィー装置によるパターン描画を施す。走査型プローブリ
ソグラフィー装置によるパターン描画は、次のように行
われる。最初に、走査型プローブリソグラフィー装置で
得られたシリコン基板１の表面像から、パターンを描画
したい位置を特定して、その位置に探針２２が来るよう
にチューブスキャナ２４を駆動する。所定の位置に探針
を位置決めした後に、コントローラー２９は、定電圧電
源２８のスイッチをオンにする。

【００２５】この定電圧電源２８のスイッチがオンにな
ると、探針２２とシリコン基板１との間に所望の電圧が
印加され、探針２２とシリコン基板１との間に電流が流
れる。この状態で、コントローラー２９から出力される
描画する領域に関する信号に応じて、スキャナ制御手段
２７ではチューブスキャナ２４に対して所望の電圧を印
加する。このようにして、探針２２とシリコン基板１と
の間に電流を流しながら、シリコン基板１を移動してゆ
き、所望のパターンを描画して行く（図２（ａ）に図
示）。

【００２６】このように、シリコン基板１上の電流が流
れた領域については、有機シリコン系の物質が電気化学
反応によって分解し、パターンが書き込まれる。そし
て、走査型プローブリソグラフィー装置によって描画さ
れたシリコン基板１は、次にエッチングの工程が行われ
る。本発明の第１の実施の形態におけるエッチングの工
程は、次のように行われる。

【００２７】光リソグラフィー法による露光およびプロ
ーブリソグラフィー装置による描画が行われたシリコン
基板１は、フッ化アンモニウムと過酸化水素水と水とで
構成されたエッチング溶液中（重量比で、フッ化アンモ
ニウム：過酸化水素水：水＝１０：３：１００）に浸さ
れ、エッチングされる。このエッチング溶液に浸された
シリコン基板１は、有機シラン系の物質が分解された領
域でのみ、基板のエッチングが進行し、溝１０が形成さ
れる（図２（ｂ）参照）。このようにして、微細な溝加
工を施すことができる。

【００２８】なお、本発明の第１の実施の形態では、光
リソグラフィーによって露光された領域と未露光領域と
の観察をそれぞれの領域における摩擦力によって検出し
たが、他にも露光領域と未露光領域との検出を高さの違
いによって検出しても良い。この場合には、図２に示す
スキャナー制御手段２７が、次のような制御を行わせ
る。４分割フォトディテクター２６から得られるカンチ
レバー２１からの反射光束の位置情報に関する信号をス
キャナ制御手段２７が受ける様になっているので、４分
割フォトディテクター２６から得られる信号がいつも同
じ信号になるように、スキャナ制御手段２７でチューブ
スキャナ２４のＺ方向（シリコン基板１の表面に対して
垂直方向）駆動用に印加する印加電圧を制御する。この
ときの印加電圧の変化は、シリコン基板１の表面に凹凸
に応じて変化するので、この印加電圧の変化を利用して
露光領域と未露光領域との検出する。

【００２９】また、同様にチューブスキャナ２４を振動
させて、探針２２に伝達した振動を４分割フォトディテ
クター２６で計測し、その振動の位相及び振幅の変化を
検出することによって、露光領域、未露光領域の検出を
行っても良い。また、カンチレバー支持体３２に振動子
を取り付けて、カンチレバー２１自体を振動させ、その
振動の位相または振幅の変化を検出しても同様に、露光
領域、未露光領域の検出を行うことができる。

【００３０】ところで、本発明の実施の形態では、光リ
ソグラフィーとして、マスクパターン４をシリコン基板
１に密着させて露光を行ったが、この方法に限らず、現
在もっとも一般的に使われている縮小投影露光装置によ
る光リソグラフィーで行ってもよい。この場合、露光時
に、縮小投影露光装置のシリコン基板１が載置される近
傍に、さきに説明した走査型プローブリソグラフィー装
置を取り付けて、一体化することで、パターンニング途
中で人手を介すことを無くすことができ、防塵対策に有
効な手段となる。

【００３１】また、縮小投影露光装置に走査型プローブ
リソグラフィー装置を備える形態は、露光時にシリコン
基板１が載置される近傍に取り付けること以外にも、ス
テージがある程度の長さを移動することができるのであ
れば、ステージの移動できる量に応じて、走査型プロー
ブリソグラフィー装置を備える形態でも構わない。ま
た、他に、シリコン基板１が設けられる近傍に、導電性
の探針を有したカンチレバーを複数個配置することでも
構わない。

【００３２】この様に、本発明の実施の形態では、光リ
ソグラフィー法とプローブによるリソグラフィー法の異
なるリソグラフィー法でパターンニングを行っても、有
機シラン系の物質をレジストとして用いることで、各リ
ソグラフィー法毎にレジストを変えなくても、パターン
ニングすることが出来るようになった。また、このよう
にレジストを変えなくともよく、かつ走査型プローブリ
ソグラフィー装置が電子ビーム描画のように真空チャン
バーなどの付加的な装置を必要としないので、光リソグ
ラフィー法を行う装置に一緒に取り付けることができ、
人手を介さずに異なるリソグラフィー法を行えるように
なった。

【００３３】

【実施例】次に、本発明の第１の実施の形態の微細加工
方法における実施例を以下に述べる。図５に示したスケ
ッチ図は、有機シラン系単分子膜が成膜されたシリコン
基板上に、光リソグラフィー法によってパターンニング
された帯状の溝１１と走査型プローブリソグラフィー装
置によって描画された方形のパターン１２とが形成した
時、走査型プローブ顕微鏡でその表面を観察したときの
様子を描いたものである。

【００３４】この時、光リソグラフィー法による露光時
間は、５分。走査型プローブリソグラフィー装置で描画
したときに、シリコン基板１と探針２２との間に印加し
た電圧は７ボルトである。また、走査型プローブリソグ
ラフィー装置で描画に要した時間は、正方形にパターン
を描く際には、約４分。また、長方形のパターンを描く
際には、約１０分を要している。

【００３５】図６に示す絵は、まず最初に、光リソグラ
フィーによってパターンが形成された幅１０μｍの帯状
ラインに、幅１００ｎｍの線を帯状に垂直になるように
走査型プローブリソグラフィー装置で描画した例を図画
化したものである。この場合、エッチング時間は３分で
ある。幅１００ｎｍのような微細な線は、現在有る光リ
ソグラフィーでパターンニング出来ないが、この走査型
プローブリソグラフィー装置で描画すれば、このような
微細なパターンを形成することができる。

【００３６】ところで、本発明の実施に用いられる有機
シラン単分子膜の代表例は以下の通りである。有機シラ
ン単分子膜としては、ヘキサメチルジシラザンから作製
したトリメチルシリル膜だけでなく、トリメチルクロロ
シラン、オクタデシルトリクロロシラン等のハロゲン化
シラン類、ジメチルジメトキシシラン、オクタデシルト
リメトキシシラン等のアルコキシシラン類、または直鎖
状アルキル基をもったシラン類や、フェニルトリクロロ
シラン等の芳香族系シラン類、またはフッ化アルキルシ
ラン類を原料に用いた単分子膜でもよい。

【００３７】なお、光リソグラフィー法に用いる光源の
波長は、有機シラン単分子膜の光化学的分解を促進する
ために、２５０ｎｍ以下であることが好ましい。

【００３８】

【発明の効果】本発明により、光リソグラフィー法によ
って形成されたパターンを高精度に重ね合わせつつ、光
リソグラフィー法によって形成できない微細なパターン
を基板上に形成できるようになった。また、レジストと
して有機シラン系の物質を用いたことで、光リソグラフ
ィー法とプローブによるリソグラフィー法との異なるリ
ソグラフィー法を行っても、レジストを変える必要が無
くなった。

【図面の簡単な説明】

【図１】：本発明による微細加工を施す為の工程を示し
た図

【図２】：本発明による微細加工を施すための工程を示
した図（図１の続き）

【図３】：本発明に実施の形態に用いられる走査型プロ
ーブリソグラフィー装置の概略構成図

【図４】：光リソグラフィーによって露光されたシリコ
ン基板１の表面像

【図５】：本発明によって加工されたシリコン基板の表
面像

【図６】：本発明によって加工されたシリコン基板の表
面像

【符号の説明】

１ シリコン基板 ２ 自然酸化膜 ３ 有機シラン系の単分子膜 ４ マスク（レチクル） ２１ カンチレバー ２２ 探針 ２３ 試料台 ２４ チューブスキャナ ２７ スキャナ制御手段 ２８ 定電圧電源 ２９ コントローラー

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｗ

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 有機シラン系の物質を表面に吸着させた
   基板に第１の加工を施す部分にのみ光を照射し、前記有
   機シラン系の物質を分解する光リソグラフィー工程と、 前記光リソグラフィー工程で転写されたパターンを確認
   しながら、前記基板の第２の加工を行う部分に導電性の
   微小探針が来るように、前記基板と前記微小探針とを相
   対的に移動させ位置決めする位置決め工程と、 前記基板と前記微小探針との間に所望の電圧を印加しつ
   つ、前記基板と前記微小探針を相対的に移動させ、前記
   基板上の有機シラン膜を分解するプローブリソグラフィ
   ー工程と、 前記プローブリソグラフィー工程を経た基板をエッチン
   グするエッチング工程とを行うことを特徴とする微細加
   工方法
2. 【請求項２】 前記位置決め工程は、前記微小探針が一
   端に設けられた片持ち梁と、前記基板と前記微小探針と
   を相対的に移動することのできる駆動手段と、前記片持
   ち梁の変位を検出する変位検出手段とを備えたプローブ
   加工手段でもって、前記変位検出手段で検出された前記
   片持ち梁の変位の変化によって前記基板の転写されたパ
   ターンを確認しつつ、前記基板の第２の加工を行う部分
   に前記微小探針を移動させることを特徴とする請求項１
   記載の微細加工方法
3. 【請求項３】 前記片持ち梁の変位の変化とは、前記片
   持ち梁の弾性変形量の変化であることを特徴とする請求
   項２記載の微細加工方法
4. 【請求項４】 前記片持ち梁の変位の変化とは、前記片
   持ち梁に生ずる振動の振幅の変化または振動の位相の変
   化であることを特徴等する請求項２記載の微細加工方法
5. 【請求項５】 前記片持ち梁に生ずる振動とは、前記片
   持ち梁を一定の振幅および一定の位相で振動を与える励
   振手段によって生じさせたことを特徴とする請求項４記
   載の微細加工方法
6. 【請求項６】 前記片持ち梁に生ずる振動とは、前記基
   板を振動させる励振手段によって生じた振動が、前記片
   持ち梁に伝達した振動であることを特徴とする請求項４
   記載の微細加工方法
7. 【請求項７】 前記基板に吸着した有機シラン系の物質
   とは、単分子膜からなることを特徴とする請求項１乃至
   ６項のうちいづれか一項記載の微細加工方法
8. 【請求項８】 光源と所望のパターンが描かれたマスク
   を有し、有機シラン系の物質を表面に吸着させた基板に
   前記マスクのパターン像を転写する露光装置と、 片持ち梁の一端に導電性の微小探針を備えたチップと、
   前記片持ち梁の変位を検出する変位検出部と、前記基板
   と前記探針との間に電圧を印加する電圧印加手段と、前
   記基板の表面と前記チップの探針とを相対的に走査する
   走査手段とを備えた走査型プローブ装置とを用い、基板
   に微細加工を施す加工方法であって、 前記露光装置で露光された基板を前記変位検出部の変位
   の変化でもって露光箇所と未露光箇所とを観察し、未露
   光箇所で加工を施す部分に前記チップの微小探針が来る
   ように前記微小探針の位置を決める位置決め工程と、 前記位置決め工程によって位置が定められた前記微小探
   針と前記基板との間に電圧を印加しつつ、前記微小探針
   と前記基板とを相対的に移動させ、前記基板上に吸着し
   た有機シラン系の物質を分解するプローブリソグラフィ
   ー工程と、 前記プローブリソグラフィー工程を行った基板にエッチ
   ング処理を行うエッチング処理工程とを行うことを特徴
   とする微細加工方法
9. 【請求項９】 前記基板に吸着した有機シラン系の物質
   とは、単分子膜からなることを特徴とする請求項８記載
   の微細加工方法
10. 【請求項１０】 光源と所望のパターンが描かれたマス
    クを有し、有機シラン系の物質を表面に吸着させた基板
    に前記マスクのパターン像を転写する露光部と、片持ち
    梁の一端に導電性の微小探針を備えたチップと、 前記片持ち梁の変位を検出する変位検出部と、 前記基板と前記探針との間に電圧を印加する電圧印加手
    段と、 前記基板の表面と前記探針とを相対的に走査する走査手
    段とを備え、 前記有機シラン系の物質が存在している位置または分解
    された位置を判断しながら前記チップを前記基板の所望
    の位置に走査させ、電気化学的にに前記有機シラン系の
    物質を分解する走査型プローブ部とを備えたことを特徴
    とする微細加工装置