JPH10270208A - Thermistor temperature sensor - Google Patents

Thermistor temperature sensor

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Publication number
JPH10270208A
JPH10270208A JP7549597A JP7549597A JPH10270208A JP H10270208 A JPH10270208 A JP H10270208A JP 7549597 A JP7549597 A JP 7549597A JP 7549597 A JP7549597 A JP 7549597A JP H10270208 A JPH10270208 A JP H10270208A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thermistor
temperature sensor
thermistor element
electrode
chip
Prior art date
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Pending
Application number
JP7549597A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Teruo Nakagawa
輝男 中川
Koichi Tanaka
浩一 田中
Naoyuki Ochi
直行 越智
Masami Koshimura
正己 越村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Materials Corp filed Critical Mitsubishi Materials Corp
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Publication of JPH10270208A publication Critical patent/JPH10270208A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a highly durable thermistor temperature sensor which has less characteristic variations and can be manufactured at a low cost. SOLUTION: A thermistor temperature sensor is formed by inserting a chip- type thermistor element 8 connected with insulated covered wires 5 into a protective case 6 and molding the case 6 with a resin 9. On the thermistor element 8, insulating coating films 10 composed of glass of a high polymer material (for example, an epoxy) are formed on the side faces of a rectangular parallelepiped thermistor blank body 9 which are elongated in the length direction and electrode layers 11 are formed on the pair of the end faces of the blank body 9, separated from each other in the length direction.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、エアコン、冷蔵庫
などに用いられるサーミスタ温度センサに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thermistor temperature sensor used for an air conditioner, a refrigerator and the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】サーミスタ温度センサとしては、図2
(a)〜(d)に示すように、ディスク型サーミスタ素
子1、フレーク型サーミスタ素子2、あるいはラジアル
リード型・ガラス封入サーミスタ素子3、アキシャルリ
ード型・ガラス封入サーミスタ素子4などを絶縁被覆電
線5に接続し、金属あるいは樹脂製保護ケース6に挿入
し、樹脂7でモールドしたものが知られている。
2. Description of the Related Art As a thermistor temperature sensor, FIG.
As shown in (a) to (d), the disk-type thermistor element 1, the flake-type thermistor element 2, the radial-lead-type glass-filled thermistor element 3, the axial-lead-type glass-filled thermistor element 4, etc. Are inserted into a protective case 6 made of metal or resin and molded with a resin 7.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】[Problems to be solved by the invention]

I. 前記のディスク型サーミスタ素子、フレーク型サ
ーミスタ素子を使用したサーミスタ温度センサは、サー
ミスタ素子コストが安価であるが、次の〜の問題が
あった。
I. The thermistor temperature sensor using the disk-type thermistor element and the flake-type thermistor element has a low thermistor element cost, but has the following problems.

【0004】 電極間のサーミスタ素体が露出してい
るため、素体あるいは素体と電極の界面への水の侵入に
よる腐食などにより、特性の劣化を生じ易い。 また、銀を含む電極が素子表面に露出しているた
め、銀のマイグレーションを生じ易い。 マイグレーションの防止策としては、銀を含む電極
表面にマイグレーションを起こし難い金属をめっきする
ことが効果的であるが、めっき液によりサーミスタ素体
が浸食される。 露出素体表面にガラス膜などの絶縁性物質膜を形成
することが信頼性を高めるためには効果的であるが、デ
ィスク型サーミスタ素子、フレーク型サーミスタ素子は
実用的なコストで絶縁性物質膜を形成する事が困難であ
る。 ディスク型サーミスタ素子は、粉体プレス成形法に
よる製造のため寸法のばらつきが大きく、従ってサーミ
スタ抵抗値のばらつきが大きい。
Since the thermistor element between the electrodes is exposed, the characteristics are likely to be degraded due to corrosion due to water intrusion into the element or an interface between the element and the electrode. Further, since the electrode containing silver is exposed on the element surface, migration of silver is likely to occur. As a measure to prevent migration, it is effective to plate a metal that hardly causes migration on the electrode surface containing silver, but the thermistor body is eroded by the plating solution. Forming an insulating material film such as a glass film on the surface of the exposed element is effective in increasing reliability, but disk-type thermistor elements and flake-type thermistor elements are inexpensive at practical costs. Is difficult to form. Since the disk-type thermistor element is manufactured by the powder press molding method, the dimensional variation is large, and therefore, the thermistor resistance value is large.

【0005】II. ラジアルリード型あるいはアキシャ
ルリード型素子を使用したサーミスタ温度センサは、素
子コストが高いという問題があった。
II. A thermistor temperature sensor using a radial lead type or axial lead type element has a problem that the element cost is high.

【0006】III. 本発明は、このような種々の問題点
を解決し、耐久性が良く、特性のばらつきが少なく、し
かも製造コストが安いサーミスタ温度センサを提供する
ことを目的とする。
III. An object of the present invention is to provide a thermistor temperature sensor which solves such various problems, has good durability, has small characteristic variations, and is inexpensive to manufacture.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明のサーミスタ温度
センサは、サーミスタ素子と、該サーミスタ素子に接続
されたリード線とを備え、該サーミスタ素子を樹脂コー
トまたは樹脂モールドしたサーミスタ温度センサにおい
て、該サーミスタ素子として直方体形状の長手方向の端
部に端子電極を形成したチップ型サーミスタ素子を使用
したことを特徴とするものである。
A thermistor temperature sensor according to the present invention comprises a thermistor element and a lead wire connected to the thermistor element, wherein the thermistor element is formed by resin coating or resin molding. The present invention is characterized in that a chip-type thermistor element having a terminal electrode formed at an end in a longitudinal direction of a rectangular parallelepiped is used as the thermistor element.

【0008】かかる本発明に採用したチップ型サーミス
タ素子は、表面実装用として、形状、寸法が一定に製造
される。このためセンサの組立工程で自動機の使用が容
易で組立コストを低減できる。また、このチップ型サー
ミスタ素子は、例えば焼成ブロックをスライス加工した
ウエハより切断形成されるため、ディスク型サーミスタ
素子に比べ寸法精度が高く、従って抵抗値のばらつきが
小さい。
The chip type thermistor element employed in the present invention is manufactured in a uniform shape and size for surface mounting. Therefore, the automatic machine can be easily used in the assembly process of the sensor, and the assembly cost can be reduced. Further, since the chip-type thermistor element is cut and formed, for example, from a wafer obtained by slicing a fired block, the dimensional accuracy is higher than that of a disk-type thermistor element, and thus the variation in resistance value is small.

【0009】このチップ型サーミスタ素子は、ウエハ切
断後の棒状段階にて、スクリーン印刷法などにより実用
的コストで絶縁コートが可能である。(絶縁コートとし
ては、ガラスなどの無機物質が望ましいが、エポキシな
どの有機物質である高分子材料でもよい。)この絶縁コ
ートにより、めっき液による素体の腐食を防止できるた
め、銀を含む電極表面にニッケルなどのマイグレーショ
ンを起こし難い金属をめっきすることが可能である。ま
た、絶縁コートの形成により、素体への水の侵入を防止
できる。
This chip-type thermistor element can be coated at a practical cost by a screen printing method or the like at a rod-like stage after the wafer is cut. (The insulating coat is preferably an inorganic substance such as glass, but may be a polymer material such as an epoxy or the like.) The insulating coat can prevent corrosion of the element body due to a plating solution, and therefore, an electrode containing silver can be used. It is possible to plate a metal such as nickel which is unlikely to cause migration on the surface. Further, formation of the insulating coat can prevent water from entering the element body.

【0010】なお、チップ型サーミスタ素子の別の製造
方法として、サーミスタ粉体材料をシート成形し、この
シートを重ね合わせ、これをチップ状に切断加工し、焼
成する方法があるが、この方法には、絶縁コートを形成
しにくい;あるいは、抵抗値のばらつきが大きいという
欠点がある。
As another method of manufacturing the chip type thermistor element, there is a method in which a thermistor powder material is formed into a sheet, the sheets are stacked, cut into chips, and fired. Is disadvantageous in that it is difficult to form an insulating coat;

【0011】本発明では、チップ型サーミスタ素子とし
て、下地電極にAgPdを使用し、かつPdが20%以
上であるものが好ましい。この場合、電極材料として
は、焼結により電極が形成される電極ペースト(金属粉
末材料、ガラスフリット及び有機溶剤)か、熱硬化によ
り電極が形成される導電性樹脂ペースト(金属粉末材
料、樹脂及び有機溶剤)を用いることができる。
In the present invention, it is preferable that the chip type thermistor element uses AgPd for the base electrode and has a Pd of 20% or more. In this case, as the electrode material, an electrode paste (metal powder material, glass frit and organic solvent) on which an electrode is formed by sintering, or a conductive resin paste (metal powder material, resin and Organic solvent) can be used.

【0012】本発明では、サーミスタ素子に抵抗調整用
電極を形成すれば形状が一定でかつ抵抗値を自由に高精
度で調整できる。
According to the present invention, if the resistance adjusting electrode is formed on the thermistor element, the shape is constant and the resistance value can be freely adjusted with high precision.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】本発明では、図1(a)の如く、
サーミスタ素子としてチップ型サーミスタ素子8を用い
る。図1(b)は、このチップ型サーミスタ素子8の斜
視図、図1(c)はこのチップ型サーミスタ素子8の模
式的な断面図である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In the present invention, as shown in FIG.
A chip thermistor element 8 is used as the thermistor element. FIG. 1B is a perspective view of the chip thermistor element 8, and FIG. 1C is a schematic sectional view of the chip thermistor element 8.

【0014】このチップ型サーミスタ素子8は、直方体
形状のサーミスタ素体9の長手方向に延びる側面にガラ
ス又は高分子材料(例えばエポキシ)よりなる絶縁コー
ト10を形成し、長手方向に離隔した1対の端面に端子
電極11を形成したものである。
The chip-type thermistor element 8 has a rectangular parallelepiped thermistor element 9 formed on a side surface extending in the longitudinal direction with an insulating coat 10 made of glass or a polymer material (for example, epoxy). The terminal electrode 11 is formed on the end face of the substrate.

【0015】この端子電極11は、下地電極12と、該
下地電極12を覆うニッケル(Ni)めっき13と、該
ニッケルめっき13を覆うはんだめっき14とからな
る。
The terminal electrode 11 includes a base electrode 12, a nickel (Ni) plating 13 covering the base electrode 12, and a solder plating 14 covering the nickel plating 13.

【0016】下地電極12としては、Pd含有量が20
%以上(例えば20〜50%)のAgPdを用いるのが
好ましい。また、Niめっき13によりAgのマイグレ
ーションを防止できる。Niめっきの代わりにCrめっ
きを採用しても良い。
The base electrode 12 has a Pd content of 20.
% (For example, 20 to 50%) of AgPd is preferably used. In addition, migration of Ag can be prevented by the Ni plating 13. Cr plating may be adopted instead of Ni plating.

【0017】このチップ型サーミスタ素子8に絶縁被覆
電線5が接続され、金属(例えばSUS,銅)あるいは
樹脂(例えばエポキシ、ABS、PBTなど)製の保護
ケース6に挿入され、樹脂9がモールドされ、サーミス
タ温度センサが形成される。
The insulated wire 5 is connected to the chip type thermistor element 8 and inserted into a protective case 6 made of metal (for example, SUS, copper) or resin (for example, epoxy, ABS, PBT, etc.), and the resin 9 is molded. , A thermistor temperature sensor is formed.

【0018】図1(c)に示すチップ型サーミスタ素子
8の代わりに、図1(d)、(e)、(f)に示す抵抗
調整用電極を有したチップ型サーミスタ素子8A,8
B,8Cを用いても良い。チップ型サーミスタ素子8A
は、サーミスタ素体9の長手方向に延びる側面に抵抗調
整用電極15を設けたものであり、チップ型サーミスタ
素子8B,8Cはサーミスタ素体9の内部に長手方向に
延びる抵抗調整用電極16、17を設けたものである。
チップ型サーミスタ素子8Aは、抵抗調整用電極15を
覆うように絶縁コート10を設けるのが好ましい。チッ
プ型サーミスタ素子8Bでは抵抗調整用電極が露出して
いないので絶縁を省略しているが、より信頼性を高める
ためにはチップ型サーミスタ素子8Cのように素体表面
に絶縁コート10を形成することが望ましい。
Instead of the chip-type thermistor element 8 shown in FIG. 1C, chip-type thermistor elements 8A and 8 having resistance adjusting electrodes shown in FIGS. 1D, 1E and 1F.
B, 8C may be used. Chip type thermistor element 8A
Is provided with a resistance adjusting electrode 15 on a side surface extending in the longitudinal direction of the thermistor element body 9. The chip type thermistor elements 8B and 8C are provided with resistance adjusting electrodes 16 extending in the longitudinal direction inside the thermistor element body 9. 17 is provided.
It is preferable that the chip type thermistor element 8A is provided with the insulating coat 10 so as to cover the resistance adjusting electrode 15. In the chip thermistor element 8B, the insulation is omitted because the resistance adjusting electrode is not exposed. However, in order to further improve the reliability, the insulating coat 10 is formed on the element body surface like the chip thermistor element 8C. It is desirable.

【0019】[0019]

【発明の効果】以上の通り、本発明のサーミスタ温度セ
ンサは、サーミスタ素子としてチップ型サーミスタ素子
を用いたものであり、組立コストが安く、またセンサ特
性のばらつきが小さいと共に、耐久性(とくに耐水性)
が良好である。
As described above, the thermistor temperature sensor of the present invention uses a chip-type thermistor element as the thermistor element, and has a low assembling cost, a small variation in sensor characteristics, and a high durability (in particular, water resistance). sex)
Is good.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】(a)は、実施の形態に係るサーミスタ温度セ
ンサの断面図、(b)は、チップ型サーミスタ素子の斜
視図、(c),(d),(e),(f)はチップ型サー
ミスタ素子の断面図である。
1A is a cross-sectional view of a thermistor temperature sensor according to an embodiment, FIG. 1B is a perspective view of a chip-type thermistor element, and FIGS. 1C, 1D, 1E, and 1F are respectively; It is sectional drawing of a chip type thermistor element.

【図2】従来のサーミスタ温度センサの断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of a conventional thermistor temperature sensor.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

5 絶縁被覆電線 6 保護ケース 7 モールド樹脂 8,8A,8B,8C チップ型サーミスタ素子 9 サーミスタ素体 10 絶縁コート 11 端子電極 12 下地電極 13 Niめっき 14 はんだめっき Reference Signs List 5 Insulated wire 6 Protective case 7 Mold resin 8, 8A, 8B, 8C Chip thermistor element 9 Thermistor element 10 Insulating coat 11 Terminal electrode 12 Base electrode 13 Ni plating 14 Solder plating

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 越村 正己 埼玉県秩父郡横瀬町大字横瀬2270番地 三 菱マテリアル株式会社電子技術研究所内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Masaki Koshimura 2270 Yokoze, Yokoze-cho, Chichibu-gun, Saitama Pref.

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 サーミスタ素子と、該サーミスタ素子に
接続されたリード線とを備え、該サーミスタ素子を樹脂
コートまたは樹脂モールドしたサーミスタ温度センサに
おいて、該サーミスタ素子として直方体形状の長手方向
の端部に端子電極を形成したチップ型サーミスタ素子を
使用したことを特徴とするサーミスタ温度センサ。
1. A thermistor temperature sensor comprising a thermistor element and a lead wire connected to the thermistor element, wherein the thermistor element is resin-coated or resin-molded. A thermistor temperature sensor using a chip-type thermistor element having terminal electrodes formed thereon.
【請求項2】 請求項1において、前記サーミスタ素子
の前記端子電極は、銀を含む下地電極及び該下地電極を
覆う表面めっき層を有しており、該表面めっき層はニッ
ケルなどのマイグレーションを起こし難い層を含むこと
を特徴とするサーミスタ温度センサ。
2. The terminal according to claim 1, wherein the terminal electrode of the thermistor element has a base electrode containing silver and a surface plating layer covering the base electrode, and the surface plating layer causes migration of nickel or the like. A thermistor temperature sensor comprising a difficult layer.
【請求項3】 請求項1又は2において、前記チップ型
サーミスタ素子として端子電極の下地電極に含まれる金
属がAgPdで、かつPdが20%以上からなるチップ
型サーミスタ素子を用いることを特徴とするサーミスタ
温度センサ。
3. The chip thermistor element according to claim 1, wherein the metal contained in the base electrode of the terminal electrode is AgPd and Pd is 20% or more as the chip thermistor element. Thermistor temperature sensor.
【請求項4】 請求項1ないし3のいずれか1項におい
て、前記直方体形状のチップ型サーミスタ素子の端子電
極以外の表面を絶縁性物質で覆ったことを特徴とするサ
ーミスタ温度センサ。
4. The thermistor temperature sensor according to claim 1, wherein the surface of the rectangular parallelepiped chip type thermistor element other than the terminal electrodes is covered with an insulating material.
【請求項5】 請求項1ないし4のいずれか1項におい
て、前記直方体形状のチップ型サーミスタ素子の内部に
抵抗調整用の電極を形成したことを特徴とするサーミス
タ温度センサ。
5. The thermistor temperature sensor according to claim 1, wherein an electrode for adjusting a resistance is formed inside the rectangular parallelepiped chip thermistor element.
【請求項6】 請求項4において、前記端子電極以外の
素体表面に抵抗調整用の電極を形成し、該抵抗調整用電
極を含めて端子電極以外の表面を絶縁性物質にて覆った
サーミスタ素子を用いたことを特徴とするサーミスタ温
度センサ。
6. The thermistor according to claim 4, wherein an electrode for resistance adjustment is formed on a surface of the element body other than the terminal electrode, and surfaces other than the terminal electrode including the resistance adjustment electrode are covered with an insulating material. A thermistor temperature sensor using an element.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6527014B1 (en) 1999-11-30 2003-03-04 Owens Corning Fiberglas Technology, Inc. Flexible duct insulation having improved flame resistance
JP2007180523A (en) * 2005-11-29 2007-07-12 Tateyama Kagaku Kogyo Kk Thermistor
JP2009206498A (en) * 2008-01-31 2009-09-10 Mitsubishi Materials Corp Thermistor element, and manufacturing method thereof
JP2012049330A (en) * 2010-08-26 2012-03-08 Tdk Corp Thermistor element
CN104075524A (en) * 2014-07-01 2014-10-01 安徽省宁国天成电工有限公司 Defrosting protection device assembly
WO2015163617A1 (en) * 2014-04-24 2015-10-29 (주)래트론 Temperature sensor element and manufacturing method therefor
KR20150123390A (en) * 2014-04-24 2015-11-04 (주) 래트론 Temperature sensor element and method for manufacturing the same

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6527014B1 (en) 1999-11-30 2003-03-04 Owens Corning Fiberglas Technology, Inc. Flexible duct insulation having improved flame resistance
JP2007180523A (en) * 2005-11-29 2007-07-12 Tateyama Kagaku Kogyo Kk Thermistor
JP2009206498A (en) * 2008-01-31 2009-09-10 Mitsubishi Materials Corp Thermistor element, and manufacturing method thereof
JP2012049330A (en) * 2010-08-26 2012-03-08 Tdk Corp Thermistor element
WO2015163617A1 (en) * 2014-04-24 2015-10-29 (주)래트론 Temperature sensor element and manufacturing method therefor
KR20150123390A (en) * 2014-04-24 2015-11-04 (주) 래트론 Temperature sensor element and method for manufacturing the same
CN104075524A (en) * 2014-07-01 2014-10-01 安徽省宁国天成电工有限公司 Defrosting protection device assembly

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