JP2009206498A - Thermistor element, and manufacturing method thereof - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a thermistor element and a manufacturing method thereof, in which peeling is suppressed against a thermal shock even with a structure having dissimilar materials laminated. <P>SOLUTION: The thermistor element includes a first thermistor layer 2A composed of a mixed sintered body consisting of two or more kinds of materials, a second thermistor layer 2B laminated on the first thermistor layer 2A and composed of a mixed sintered body consisting of two or more kinds of materials and having a resistance value and a B constant different from those of the first thermistor layer 2A, and a pair of lead wires each having one end portion connected to both the first thermistor layer 2A and the second thermistor layer 2B, the first thermistor layer 2A and the second thermistor layer 2B having one or more kinds of mutually common materials 5. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、例えば自動車関係等の温度計測に用いられるサーミスタ素子及びその製造方法に関する。   The present invention relates to a thermistor element used for temperature measurement such as in automobiles and a method for manufacturing the thermistor element.

一般に、自動車エンジン周りの触媒温度や排気系温度等を計測する温度センサとして、サーミスタ温度センサが採用されている。このサーミスタ温度センサに用いられるサーミスタ素子は、例えば、上記自動車関連技術、情報機器、通信機器、医療用機器、住宅設備機器等の温度センサとして利用され、大きな負の温度係数を有する酸化物半導体の焼結体の素子を用いている。   Generally, a thermistor temperature sensor is employed as a temperature sensor for measuring the catalyst temperature around the automobile engine, the exhaust system temperature, and the like. The thermistor element used in this thermistor temperature sensor is, for example, used as a temperature sensor for the above-mentioned automobile-related technology, information equipment, communication equipment, medical equipment, housing equipment, etc., and is an oxide semiconductor having a large negative temperature coefficient. A sintered element is used.

近年、室温から高温まで測定可能なサーミスタ素子の要求が増えている。特に、自動車エンジン周りの触媒温度等を測定するには、900℃付近の高温まで測定可能なサーミスタ素子が求められている。このような高温まで測定可能なサーミスタ素子材料としては、例えば非特許文献1や特許文献1に記載されているように、Y(Cr,Mn)O系ペロブスカイト酸化物が知られている。 In recent years, there has been an increasing demand for thermistor elements capable of measuring from room temperature to high temperatures. In particular, in order to measure the catalyst temperature and the like around an automobile engine, a thermistor element capable of measuring up to a high temperature around 900 ° C. is required. As such a thermistor element material that can be measured up to a high temperature, Y (Cr, Mn) O 3 -based perovskite oxide is known as described in Non-Patent Document 1 and Patent Document 1, for example.

しかしながら、室温付近から900℃付近まで測定可能である反面、高温域での抵抗の変化が小さいため、測定精度が悪くなるといった問題があった。そこで、高温域での感度を向上させる目的で、例えば特許文献2には、2種以上の異なる抵抗値とB定数とを有する材料を積層させたサーミスタ構造が提案されている。この技術では、2種以上の材料を組み合わせることで広い温度範囲で所望の特性を得ることが可能になる。   However, while it is possible to measure from around room temperature to around 900 ° C., there is a problem that measurement accuracy deteriorates because the change in resistance at a high temperature range is small. Thus, for the purpose of improving the sensitivity in a high temperature range, for example, Patent Document 2 proposes a thermistor structure in which materials having two or more different resistance values and B constants are stacked. In this technique, desired characteristics can be obtained in a wide temperature range by combining two or more materials.

倉野、「NOx触媒制御用触媒温センサの開発」、デンソーテクニカルレビュー、Vol.5、No.2、2000Kurano, “Development of catalyst temperature sensor for NOx catalyst control”, Denso Technical Review, Vol. 5, no. 2, 2000 特許第3362651号公報Japanese Patent No. 3362651 特開平5−34208号公報Japanese Patent Laid-Open No. 5-34208

上記従来の技術には、以下の課題が残されている。
すなわち、サーミスタ材料の異種材料を積層した構造を採用した場合、異種材料接合による熱膨張係数の違いや界面の密着性不足から熱衝撃時に接合した層が剥離してしまう等の不都合があった。
The following problems remain in the conventional technology.
That is, when a structure in which different materials of the thermistor material are laminated is employed, there are disadvantages such as separation of the bonded layers during thermal shock due to differences in thermal expansion coefficients due to bonding of different materials and insufficient adhesion at the interface.

本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、異種材料を積層させた構造としても熱衝撃に対して剥離を抑制することができるサーミスタ素子及びその製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a thermistor element that can suppress delamination against thermal shock and a method of manufacturing the thermistor element even in a structure in which different kinds of materials are laminated. .

本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。
すなわち、本発明のサーミスタ素子は、2種以上の材料からなる混合焼結体で構成された第1のサーミスタ層と、該第1のサーミスタ層に積層され2種以上の材料からなると共に前記第1のサーミスタ層と異なる抵抗値及びB定数を有する混合焼結体で構成された第2のサーミスタ層と、前記第1のサーミスタ層及び前記第2のサーミスタ層の両方に一端部が接続された一対のリード線と、を備え、前記第1のサーミスタ層及び前記第2のサーミスタ層が、互いに共通する1種以上の材料を有していることを特徴とする。
The present invention employs the following configuration in order to solve the above problems.
That is, the thermistor element of the present invention includes a first thermistor layer composed of a mixed sintered body made of two or more materials, and two or more materials laminated on the first thermistor layer and the first thermistor layer. One end is connected to both the first thermistor layer and the second thermistor layer, and the second thermistor layer composed of a mixed sintered body having a resistance value and a B constant different from those of the first thermistor layer. A pair of lead wires, wherein the first thermistor layer and the second thermistor layer have one or more kinds of materials common to each other.

すなわち、このサーミスタ素子では、積層された第1のサーミスタ層及び第2のサーミスタ層が、互いに共通する1種以上の材料を有しているので、相互に熱膨張係数が近くなると共に、共通する材料がバインダー的な役割を担って接合強度を向上させることができる。なお、上記共通する材料の割合を増やすことにより、より熱膨張係数を近づけることができると共に接合強度を高めることができる。   That is, in this thermistor element, the laminated first thermistor layer and the second thermistor layer have one or more kinds of materials that are common to each other. The material can serve as a binder to improve the bonding strength. In addition, by increasing the ratio of the common material, the thermal expansion coefficient can be made closer and the bonding strength can be increased.

また、本発明のサーミスタ素子は、前記第1のサーミスタ層が、一般式:(1−z)Y(CrMn1−x)O+zYで示される複合酸化物であり、前記第2のサーミスタ層が、一般式:(1−z)Y(CrMn1−y)O+zY(ただし、x≠y)で示される複合酸化物であることを特徴とする。すなわち、このサーミスタ素子では、第1のサーミスタ層及び第2のサーミスタ層が、互いにY(Cr,Mn)O系ペロブスカイト酸化物のサーミスタ材料であると共に共通する材料としてYを採用するので、900℃付近の高温まで測定可能であり、さらに熱膨張係数が近くなると共に高い接合強度を得ることができる。さらに、絶縁性材料であるYの量により、バインダー的効果だけでなく、抵抗値の調整も行うことができる。 In the thermistor element of the present invention, the first thermistor layer is a complex oxide represented by a general formula: (1-z) Y (Cr x Mn 1-x ) O 3 + zY 2 O 3 , The second thermistor layer is a composite oxide represented by a general formula: (1-z) Y (Cr y Mn 1-y ) O 3 + zY 2 O 3 (where x ≠ y) . That is, in this thermistor element, the first thermistor layer and the second thermistor layer are thermistor materials of Y (Cr, Mn) O 3 based perovskite oxide and Y 2 O 3 as a common material. Therefore, it is possible to measure up to a high temperature around 900 ° C., and the thermal expansion coefficient becomes closer and a high bonding strength can be obtained. Furthermore, not only the binder effect but also the resistance value can be adjusted by the amount of Y 2 O 3 which is an insulating material.

本発明のサーミスタ素子の製造方法は、2種以上の材料からなる混合仮焼粉をスラリー状にしてから第1グリーンシートに成形する第1グリーンシート形成工程と、焼結されると前記第1グリーンシートの焼結体と異なる抵抗値及びB定数を有する2種以上の材料からなる混合仮焼粉をスラリー状にしてから第2グリーンシートに成形する第2グリーンシート形成工程と、前記第1グリーンシートと前記第2グリーンシートとを互いに積層して積層シートとする積層シート形成工程と、一対のリード線を前記第1グリーンシート及び前記第2グリーンシートの両方に一端部を接続させた状態で前記積層シートを焼成して第1のサーミスタ層と第2のサーミスタ層とが積層されたサーミスタ素子を作製する焼成工程と、を有し、前記第1グリーンシート及び前記第2グリーンシートが、互いに共通する1種以上の材料を含んでいることを特徴とする。   The method for producing the thermistor element of the present invention includes a first green sheet forming step of forming a mixed calcined powder made of two or more materials into a slurry and then forming the first green sheet. A second green sheet forming step of forming a mixed calcined powder composed of two or more materials having a resistance value and a B constant different from those of a sintered body of the green sheet into a slurry and then forming the second green sheet; A laminated sheet forming step in which a green sheet and the second green sheet are laminated together to form a laminated sheet, and a pair of lead wires with one end connected to both the first green sheet and the second green sheet Firing the laminated sheet to produce a thermistor element in which a first thermistor layer and a second thermistor layer are laminated, and the first green Sheet and the second green sheet, characterized in that it contains one or more materials that are common to each other.

すなわち、このサーミスタ素子の製造方法では、互いに共通する1種以上の材料を含む第1グリーンシートと第2グリーンシートとを積層して積層シートとし、焼結を行ってサーミスタ素子を作製するので、異なる材料のサーミスタ層を容易に積層することができると共に各層厚を高精度に制御することができ、高い生産性を得ることができる。   That is, in this method of manufacturing the thermistor element, the first green sheet and the second green sheet containing one or more kinds of materials common to each other are laminated to form a laminated sheet, and thermistor element is produced by sintering. The thermistor layers of different materials can be easily stacked, and the thickness of each layer can be controlled with high accuracy, so that high productivity can be obtained.

また、本発明のサーミスタ素子の製造方法は、前記積層シートを複数のチップ状の成型体に切断した状態で前記焼成工程を行い、前記成型体の両側面には、溝部を形成しておき、リード線を前記溝部に嵌め込んだ状態で接続させることを特徴とする。すなわち、このサーミスタ素子の製造方法では、成型体の両側面に溝部を形成しておくので、リード線が溝部に嵌め込まれた状態で接続されて、溝部と該溝部に嵌め込まれたリード線とが複数箇所で接触することで接触面積が増大し、高い接合強度によってヒートサイクルによる素子の破壊を防ぐことができる。なお、溝部へのリード線の接続は、焼成前でも焼成後でも構わない。   Further, in the method for producing the thermistor element of the present invention, the firing step is performed in a state where the laminated sheet is cut into a plurality of chip-shaped molded bodies, and groove portions are formed on both side surfaces of the molded body, The lead wire is connected in a state of being fitted into the groove. That is, in this method of manufacturing the thermistor element, the groove portions are formed on both side surfaces of the molded body, so that the lead wire is connected in a state of being fitted into the groove portion, and the groove portion and the lead wire fitted into the groove portion are connected. Contacting at a plurality of locations increases the contact area, and the high bonding strength can prevent element destruction due to heat cycle. The connection of the lead wire to the groove portion may be before or after firing.

本発明によれば、以下の効果を奏する。
すなわち、本発明に係るサーミスタ素子及びその製造方法によれば、積層された第1のサーミスタ層及び第2のサーミスタ層が、互いに共通する1種以上の材料を有しているので、相互に熱膨張係数が近くなると共に接合強度を向上させることができ、繰り返しの使用による熱衝撃等に対しても剥離し難く、高い信頼性を有することができる。
このように本発明のサーミスタ素子は、広い温度範囲で好適な抵抗値で高い信頼性を有するので、特に自動車エンジン周りの触媒温度や排気系温度を検出する高温測定用センサとして好適である。
The present invention has the following effects.
That is, according to the thermistor element and the manufacturing method thereof according to the present invention, the stacked first thermistor layer and second thermistor layer have one or more kinds of materials common to each other. As the expansion coefficient becomes close, the bonding strength can be improved, and it is difficult to peel off against thermal shock or the like due to repeated use, and high reliability can be obtained.
Thus, since the thermistor element of the present invention has high reliability with a suitable resistance value in a wide temperature range, it is particularly suitable as a high-temperature measurement sensor for detecting the catalyst temperature around the automobile engine and the exhaust system temperature.

以下、本発明に係るサーミスタ素子及びその製造方法の第1実施形態を、図1から図4を参照しながら説明する。   A first embodiment of a thermistor element and a manufacturing method thereof according to the present invention will be described below with reference to FIGS.

本実施形態のサーミスタ素子1は、図1及び図2に示すように、2種以上の材料からなる混合焼結体で構成された第1のサーミスタ層2Aと、該第1のサーミスタ層2Aに積層され2種以上の材料からなると共に第1のサーミスタ層2Aと異なる抵抗値及びB定数を有する混合焼結体で構成された第2のサーミスタ層2Bと、第1のサーミスタ層2A及び第2のサーミスタ層2Bの両方に一端部が接続された一対のリード線3と、を備えている。なお、第1のサーミスタ層2Aと第2のサーミスタ層2Bとで、素子本体2を構成している。   As shown in FIGS. 1 and 2, the thermistor element 1 of the present embodiment includes a first thermistor layer 2A composed of a mixed sintered body made of two or more materials, and the first thermistor layer 2A. A second thermistor layer 2B made of a mixed sintered body made of two or more materials and having a resistance value and a B constant different from those of the first thermistor layer 2A, and the first thermistor layer 2A and the second thermistor layer 2A. A pair of lead wires 3 having one end connected to both of the thermistor layers 2B. The first thermistor layer 2A and the second thermistor layer 2B constitute the element body 2.

上記第1のサーミスタ層2A及び上記第2のサーミスタ層2Bは、サーミスタ材料である金属酸化物焼結体と絶縁体材料との混合焼結体で構成されている。また、上記第1のサーミスタ層2A及び上記第2のサーミスタ層2Bは、互いに共通する1種以上の材料を有している。
すなわち、第1のサーミスタ層2Aは、金属酸化物焼結体の第1サーミスタ材料4と絶縁体材料の共通材料5とで構成され、第2のサーミスタ層2Bは、金属酸化物焼結体の第2サーミスタ材料6と絶縁体材料の共通材料5とで構成されている。
The first thermistor layer 2A and the second thermistor layer 2B are composed of a mixed sintered body of a metal oxide sintered body that is a thermistor material and an insulator material. Further, the first thermistor layer 2A and the second thermistor layer 2B have one or more kinds of materials common to each other.
That is, the first thermistor layer 2A is composed of the first thermistor material 4 of the metal oxide sintered body and the common material 5 of the insulator material, and the second thermistor layer 2B is made of the metal oxide sintered body. It is comprised by the 2nd thermistor material 6 and the common material 5 of an insulator material.

例えば、本実施形態では、第1のサーミスタ層2Aが、一般式:(1−z)Y(CrMn1−x)O+zYで示される複合酸化物であり、第2のサーミスタ層2Bが、一般式:(1−z)Y(CrMn1−y)O+zY(ただし、x≠y)で示される複合酸化物とされている。すなわち、第1のサーミスタ層2Aは、第1サーミスタ材料4としてY(CrMn1−x)Oを有し、第2のサーミスタ層2Bは、第2サーミスタ材料6としてY(CrMn1−y)Oを有している。また、第1のサーミスタ層2Aと第2のサーミスタ層2Bとの共通材料5として、Yが採用されている。 For example, in the present embodiment, the first thermistor layer 2A is a composite oxide represented by the general formula: (1-z) Y (Cr x Mn 1-x ) O 3 + zY 2 O 3 , The thermistor layer 2B is a composite oxide represented by the general formula: (1-z) Y (Cr y Mn 1-y ) O 3 + zY 2 O 3 (where x ≠ y). That is, the first thermistor layer 2A has Y (Cr x Mn 1-x ) O 3 as the first thermistor material 4, and the second thermistor layer 2B has Y (Cr y Mn as the second thermistor material 6. and a 1-y) O 3. Further, Y 2 O 3 is adopted as a common material 5 for the first thermistor layer 2A and the second thermistor layer 2B.

なお、第1のサーミスタ層2Aは、例えばY(Cr0.5Mn0.5)Oを30mol%と、Yを70mol%と、を混合焼結した層であり、第2のサーミスタ層2Bは、例えばYCrOを30mol%と、Yを70mol%と、を混合焼結した層である。この第1のサーミスタ層2Aは、25℃における抵抗値が200kΩ、B定数が2000Kであり、第2のサーミスタ層2Bは、25℃における抵抗値が1GΩ、B定数が7000Kである。なお、上記共通材料5であるYの割合を増やすことにより、より熱膨張係数を近づけることができると共に接合強度を高めることができる。 The first thermistor layer 2A, for example Y and (Cr 0.5 Mn 0.5) O 3 to 30 mol%, a mixed layer of sintered Y and the 2 O 3 70 mol%, and the second The thermistor layer 2B is, for example, a layer obtained by mixing and sintering 30 mol% of YCrO 3 and 70 mol% of Y 2 O 3 . The first thermistor layer 2A has a resistance value of 200 kΩ at 25 ° C. and a B constant of 2000K, and the second thermistor layer 2B has a resistance value of 1 GΩ and a B constant of 7000 K at 25 ° C. In addition, by increasing the proportion of Y 2 O 3 that is the common material 5, the thermal expansion coefficient can be made closer and the bonding strength can be increased.

このサーミスタ素子1の製造方法及びこれを用いたサーミスタ温度センサの製造方法及び構造について、図1から図4を参照して以下に説明する。
まず、第1のサーミスタ層2Aの原料として、Y、Cr及びMnOの各粉末をmol比で25:12.5:25の比率で秤量後にボールミルに入れ、Zrボールと純水とを適量入れて約24時間混合を行う。混合したものを取り出して乾燥させた後、1300℃、5時間にて焼成し、上記一般式においてx=0.5とされたY(Cr0.5Mn0.5)Oの仮焼粉を得る。次に、Zrボールと純水とを用いてボールミルで上記仮焼粉を粉砕した後、乾燥させる。
A manufacturing method of the thermistor element 1 and a manufacturing method and a structure of a thermistor temperature sensor using the thermistor element 1 will be described below with reference to FIGS.
First, as raw materials for the first thermistor layer 2A, each powder of Y 2 O 3 , Cr 2 O 3 and MnO 2 was weighed in a molar ratio of 25: 12.5: 25 and then placed in a ball mill, Mix with pure water for about 24 hours. The mixed material was taken out and dried, and then calcined at 1300 ° C. for 5 hours, and calcined Y (Cr 0.5 Mn 0.5 ) O 3 in the above general formula x = 0.5 Get. Next, the calcined powder is pulverized with a ball mill using Zr balls and pure water, and then dried.

さらに、この仮焼粉にYを、Y(Cr0.5Mn0.5)OとYとがmol比で30:70となるように加え、ボールミルで混合し、乾燥して混合仮焼粉とする。次に、この混合仮焼粉に、PVB、溶剤、分散剤、可塑剤を加えてボールミルで混合し、スラリーを作製する。このスラリーを、ドクターブレード法により500μm厚の第1グリーンシートに成形する(第1グリーンシート形成工程)。 Further, Y 2 O 3 was added to this calcined powder so that Y (Cr 0.5 Mn 0.5 ) O 3 and Y 2 O 3 were in a molar ratio of 30:70, and mixed by a ball mill, Dry into mixed calcined powder. Next, PVB, a solvent, a dispersant, and a plasticizer are added to the mixed calcined powder and mixed with a ball mill to produce a slurry. This slurry is formed into a first green sheet having a thickness of 500 μm by a doctor blade method (first green sheet forming step).

一方、第2のサーミスタ層2Bの原料として、Y及びCrの各粉末をmol比で50:50の比率で秤量後にボールミルに入れ、Zrボールと純水とを適量入れて約24時間混合を行う。混合したものを取り出して乾燥させた後、1300℃、5時間にて焼成し、上記一般式においてy=1.0とされたYCrOの仮焼粉を得る。次に、Zrボールと純水とを用いてボールミルで上記仮焼粉を粉砕した後、乾燥させる。 On the other hand, as a raw material for the second thermistor layer 2B, each powder of Y 2 O 3 and Cr 2 O 3 is weighed in a molar ratio of 50:50 and then placed in a ball mill, and an appropriate amount of Zr balls and pure water are added. Mix for about 24 hours. The mixed material is taken out and dried, and then fired at 1300 ° C. for 5 hours to obtain YCrO 3 calcined powder in which y = 1.0 in the above general formula. Next, the calcined powder is pulverized with a ball mill using Zr balls and pure water, and then dried.

さらに、この仮焼粉にYを、YCrOとYとがmol比で30:70となるように加え、ボールミルで混合し、乾燥して混合仮焼粉とする。次に、この混合仮焼粉に、PVB、溶剤、分散剤、可塑剤を加えてボールミルで混合し、スラリーを作製する。このスラリーを、ドクターブレード法により500μm厚の第2グリーンシートに成形する(第2グリーンシート形成工程)。 Further, Y 2 O 3 is added to the calcined powder such that YCrO 3 and Y 2 O 3 are in a molar ratio of 30:70, mixed by a ball mill, and dried to obtain a mixed calcined powder. Next, PVB, a solvent, a dispersant, and a plasticizer are added to the mixed calcined powder and mixed with a ball mill to produce a slurry. This slurry is formed into a second green sheet having a thickness of 500 μm by a doctor blade method (second green sheet forming step).

次に、第1グリーンシートと第2グリーンシートとを熱圧着プレスにて積層し、密着させた後(積層シート形成工程)、φ2.0mmの金型で打ち抜き、直径2.0mm、厚さ1.0mmの円盤状の焼成前の素子本体2を作製する。その後、精密ドリルで直径0.3mmの穴を第1グリーンシートと第2グリーンシートとに貫通状態で2箇所空けて、これらの穴に直径0.3mmのPt(白金)線の一端を2本挿入し、リード線3とする。   Next, the first green sheet and the second green sheet were laminated by a thermocompression press and adhered (laminated sheet forming step), then punched out with a φ2.0 mm mold, diameter 2.0 mm, thickness 1 A pre-firing element body 2 having a disc shape of 0 mm is produced. After that, a hole with a diameter of 0.3 mm was drilled through the first green sheet and the second green sheet with a precision drill in two places, and one end of a Pt (platinum) wire with a diameter of 0.3 mm was inserted into these holes. Insert the lead wire 3.

この状態の成形品を、脱バインダー処理の後、1600℃、5時間の焼成を行うことにより、第1のサーミスタ層2Aと第2のサーミスタ層2Bとが積層された素子本体2と、該素子本体2に一端が接続された2本のリード線3と、を備えたサーミスタ素子1が得られる(焼成工程)。   The element body 2 in which the first thermistor layer 2 </ b> A and the second thermistor layer 2 </ b> B are laminated by firing the molded article in this state after debinding treatment at 1600 ° C. for 5 hours, and the element A thermistor element 1 having two lead wires 3 connected at one end to the main body 2 is obtained (firing process).

次に、図3に示すように、サーミスタ素子1の素子本体2の周囲を包み込むように絶縁セラミックス製のチューブ7を嵌め込む。さらに、アルミナ製の2孔式絶縁管8の各孔8aに2本のリード線3をそれぞれ挿通し、リード線3を根本まで2孔式絶縁管8で保護する。その後、この状態のサーミスタ素子1を先端部が閉塞された円筒状ステンレス製のケース9に入れ、密閉性を確保することにより、サーミスタ温度センサ10が得られる。   Next, as shown in FIG. 3, a tube 7 made of an insulating ceramic is fitted so as to wrap around the element body 2 of the thermistor element 1. Further, the two lead wires 3 are inserted into the respective holes 8a of the two-hole insulating tube 8 made of alumina, and the lead wires 3 are protected to the root by the two-hole insulating tube 8. Then, the thermistor temperature sensor 10 is obtained by putting the thermistor element 1 in this state into a cylindrical stainless steel case 9 whose tip is closed to ensure hermeticity.

このサーミスタ素子1及びこれを備えたサーミスタ温度センサ10では、室温から900℃付近の高温において抵抗値が200kΩから100Ω程度まで変化し、幅広い温度範囲で測定することが可能である。また、特性の異なる2種類のサーミスタ材料である第1のサーミスタ層2A及び第2のサーミスタ層2Bを一対のリード線3により並列に接続しているため、図4に示すように、高温域での抵抗値変化が大きくなっており、より高感度で測定することができる。   In the thermistor element 1 and the thermistor temperature sensor 10 including the thermistor element 1, the resistance value changes from about 200 kΩ to about 100 Ω at a high temperature from room temperature to about 900 ° C., and can be measured in a wide temperature range. In addition, since the first thermistor layer 2A and the second thermistor layer 2B, which are two kinds of thermistor materials having different characteristics, are connected in parallel by a pair of lead wires 3, as shown in FIG. The change in resistance value is large, and measurement can be performed with higher sensitivity.

このように本実施形態では、積層された第1のサーミスタ層2A及び第2のサーミスタ層2Bが、互いに共通する1種以上の材料を有しているので、相互に熱膨張係数が近くなると共に、共通する材料がバインダー的な役割を担って接合強度を向上させることができる。   As described above, in the present embodiment, the laminated first thermistor layer 2A and the second thermistor layer 2B have one or more kinds of materials common to each other, so that the thermal expansion coefficients are close to each other. The common material plays a role of a binder and can improve the bonding strength.

また、第1のサーミスタ層2A及び第2のサーミスタ層2Bが、互いにY(Cr,Mn)O系ペロブスカイト酸化物のサーミスタ材料であると共に共通する材料としてYを採用するので、900℃付近の高温まで測定可能であり、さらに熱膨張係数が近くなると共により高い接合強度を得ることができる。さらに、絶縁性材料であるYの量により、バインダー的効果だけでなく、抵抗値の調整も行うことができる。 Further, since the first thermistor layer 2A and the second thermistor layer 2B are thermistor materials of Y (Cr, Mn) O 3 -based perovskite oxide and use Y 2 O 3 as a common material, 900 It can be measured up to a high temperature of about 0 ° C., and the thermal expansion coefficient becomes closer and higher bonding strength can be obtained. Furthermore, not only the binder effect but also the resistance value can be adjusted by the amount of Y 2 O 3 which is an insulating material.

さらに、上記サーミスタ素子1の製造方法では、互いに共通する1種以上の材料を含む第1グリーンシートと第2グリーンシートとを積層して積層シートとし、焼結を行ってサーミスタ素子1を作製するので、異なる材料の第1のサーミスタ層2A及び第2のサーミスタ層2Bを容易に積層することができると共に各層厚を高精度に制御することができ、高い生産性を得ることができる。   Furthermore, in the manufacturing method of the thermistor element 1, the first green sheet and the second green sheet containing one or more kinds of common materials are laminated to form a laminated sheet, and the thermistor element 1 is manufactured by sintering. Therefore, the first thermistor layer 2A and the second thermistor layer 2B made of different materials can be easily stacked, and the thickness of each layer can be controlled with high accuracy, so that high productivity can be obtained.

次に、本発明に係るサーミスタ素子及びその製造方法の第2実施形態について、図5から図8を参照して以下に説明する。なお、以下の実施形態の説明において、上記実施形態において説明した同一の構成要素には同一の符号を付し、その説明は省略する。   Next, a second embodiment of the thermistor element and the manufacturing method thereof according to the present invention will be described below with reference to FIGS. Note that, in the following description of the embodiment, the same components described in the above embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.

第2実施形態と第1実施形態との異なる点は、第1実施形態では、一対のリード線3を一対の貫通孔に挿入して一緒に焼成することで接続しているのに対し、第2実施形態のサーミスタ素子及びその製造方法では、図5から図7に示すように、積層された成型体22の両側面に溝部22aがそれぞれ形成され、焼成後に溝部22aにリード線25が嵌め込まれて接続されている点である。   The difference between the second embodiment and the first embodiment is that in the first embodiment, a pair of lead wires 3 are inserted into a pair of through-holes and fired together, whereas the first embodiment is connected to the first embodiment. In the thermistor element of 2 embodiment and its manufacturing method, as shown in FIGS. 5-7, the groove part 22a is each formed in the both sides | surfaces of the laminated molded object 22, and the lead wire 25 is inserted in the groove part 22a after baking. Are connected.

すなわち、第2実施形態では、図5に示すように、第1実施形態と同様に、まず第1グリーンシート及び第2グリーンシートのセラミックスグリーンシート21をそれぞれ形成する(グリーンシート形成工程)。次に、第1グリーンシートのセラミックスグリーンシート21と第2グリーンシートのセラミックスグリーンシート21とを複数積層して積層シート23とする(積層工程)。
次に、図5に示すように、積層シート23の成型体22の溝部22aとなる部分を、所定径のピン等により、円状に打ち抜き、円の中心を通るように格子状に切り取ることで、隣接する成型体22の側面にそれぞれ溝部22aを形成する。図6の(a)(b)に示すように、積層シート3から複数の両側面に溝部22aがそれぞれ形成された成型体22が形成される(成型体切り抜き工程、成型体形成工程)。
That is, in the second embodiment, as shown in FIG. 5, first, the ceramic green sheets 21 of the first green sheet and the second green sheet are first formed (green sheet forming step), as in the first embodiment. Next, a plurality of ceramic green sheets 21 of the first green sheets and ceramic green sheets 21 of the second green sheets are laminated to form a laminated sheet 23 (lamination process).
Next, as shown in FIG. 5, a portion that becomes the groove portion 22a of the molded body 22 of the laminated sheet 23 is punched into a circular shape with a pin having a predetermined diameter, and cut into a lattice shape so as to pass through the center of the circle. The groove portions 22 a are respectively formed on the side surfaces of the adjacent molded bodies 22. As shown in FIGS. 6 (a) and 6 (b), a molded body 22 in which groove portions 22a are respectively formed on a plurality of both side surfaces is formed from the laminated sheet 3 (molded body cutting process, molded body forming process).

この溝部22aは、リード線25の外周面に対応して断面円弧状に形成される。本実施形態では、ほぼ断面半円状の溝部22aを形成している。なお、半円の大きさは、焼成時にセラミックスが収縮することを考慮し、設定されている。また、円の打ち抜く位置、切断位置を調整することで、抵抗値の調節が可能である。(シートの厚みの調整でも抵抗値調整は可能である。)
また、成型体22を切り取るのではなく、所定形状の金型によって打ち抜いて成型体22を抜き取っても構わない。
このようにして、例えば、厚さ1mm、1.2mm角のチップ状成型体の両側面に半円溝を設けた成型体22が得られる。セラミックスを焼成後、電極ペースト26を塗布した状態で直径0.3mmの半円溝になるように、焼成前成型体の半円溝の大きさを調整することで、直径0.3mmΦのリード線25を取り付けることができる。
The groove 22 a is formed in a circular arc shape corresponding to the outer peripheral surface of the lead wire 25. In the present embodiment, a groove portion 22a having a substantially semicircular cross section is formed. The size of the semicircle is set in consideration of the shrinkage of ceramics during firing. In addition, the resistance value can be adjusted by adjusting the punching position and cutting position of the circle. (The resistance value can also be adjusted by adjusting the thickness of the sheet.)
Further, instead of cutting the molded body 22, the molded body 22 may be extracted by punching with a mold having a predetermined shape.
In this way, for example, a molded body 22 in which semicircular grooves are provided on both side surfaces of a chip-shaped molded body having a thickness of 1 mm and a 1.2 mm square is obtained. After the ceramic is fired, the lead wire with a diameter of 0.3 mmΦ is adjusted by adjusting the size of the semicircular groove of the molded body before firing so that it becomes a semicircular groove with a diameter of 0.3 mm when the electrode paste 26 is applied. 25 can be attached.

さらに、図7に示すように、この成型体22を焼成して金属酸化物焼結体24とし(焼成工程)、一対のリード線25を金属酸化物焼結体24の両側面に接続させる(電極線接続工程)。この際、リード線25を溝部22aに嵌め込んだ状態で接続する。   Further, as shown in FIG. 7, the molded body 22 is fired to form a metal oxide sintered body 24 (firing step), and a pair of lead wires 25 are connected to both side surfaces of the metal oxide sintered body 24 ( Electrode wire connecting step). At this time, the lead wire 25 is connected in a state of being fitted into the groove 22a.

上記リード線25の接続は、溝部22aにPtペースト等の1000℃以上の耐熱性のある電極ペースト26を塗布した状態でリード線25を溝部22aに嵌め込み、この状態で電極ペースト26を焼き付けることで溝部22aにリード線25を接合する。なお、より電極線接合を強くするために、電極ペースト26をリード線25を覆うようにして接合してもよい。また、溶接等によりリード線25を接続しても構わない。   The lead wire 25 is connected by fitting the lead wire 25 into the groove portion 22a in a state where a heat resistant electrode paste 26 such as Pt paste or the like is applied to the groove portion 22a, and baking the electrode paste 26 in this state. The lead wire 25 is joined to the groove 22a. In order to further strengthen the electrode wire bonding, the electrode paste 26 may be bonded so as to cover the lead wire 25. Further, the lead wire 25 may be connected by welding or the like.

このリード線25は、Pt線を採用しても構わないが、安価で耐熱性の高い他の電極線を採用することが好ましい。例えば、リード線25として、1000℃以上の耐熱性のある金属線(耐熱合金線)が使用され、特にJIS規定のSUS310Sの線材が好ましい。また、リード線25の表面が、Ptで覆われていることがより好ましい。すなわち、SUS310Sの表面にPtのメッキが施されたリード線25が採用される。また、外側がPtで覆われたPt−SUSクラッド線を採用しても構わない。また、インコネル(Inconel:登録商標)線やNi系合金線、Pd系合金線等等を採用しても構わない。   The lead wire 25 may be a Pt wire, but it is preferable to employ another electrode wire that is inexpensive and has high heat resistance. For example, a metal wire (heat resistant alloy wire) having a heat resistance of 1000 ° C. or higher is used as the lead wire 25, and a JIS 310 SUS wire is particularly preferable. More preferably, the surface of the lead wire 25 is covered with Pt. That is, the lead wire 25 having the surface of SUS310S plated with Pt is employed. Moreover, you may employ | adopt the Pt-SUS clad wire by which the outer side was covered with Pt. Further, an Inconel (registered trademark) wire, a Ni alloy wire, a Pd alloy wire, or the like may be employed.

なお、リード線25として、SUS310S線のようにステンレス鋼においてCrNi比を大きくすることで、1000℃以上の耐熱性を保障することが可能になる。なお、他のSUS線の場合、例えば、SUS316L線、SUS304線では脆く、その他遷移金属線、例えばMo,W線も1000℃では酸化して脆くなる。   In addition, as lead wire 25, it becomes possible to ensure heat resistance of 1000 ° C. or more by increasing the CrNi ratio in stainless steel like SUS310S wire. In the case of other SUS lines, for example, SUS316L line and SUS304 line are brittle, and other transition metal lines such as Mo and W lines are also oxidized and brittle at 1000 ° C.

これにより、図7に示すように、金属酸化物焼結体24と2本のリード線25とを有するサーミスタ素子27が得られる。   As a result, as shown in FIG. 7, a thermistor element 27 having a metal oxide sintered body 24 and two lead wires 25 is obtained.

このように第2実施形態のサーミスタ素子の製造方法では、リード線25が、金属酸化物焼結体24の両側面に形成された溝部22aに嵌め込まれた状態で接続されるので、溝部22aと該溝部22aに嵌め込まれたリード線25とが複数箇所で接触することで接触面積が増大し、高い接合強度によってヒートサイクルによる素子の破壊を防ぐことができる。
特に、溝部22aをリード線25の外周面に対応した断面円弧状に形成するので、断面円形状のリード線25と断面円弧状の溝部22aとが面接触することで、より接触面積が増大して、さらに高い接合強度を得ることができる。
As described above, in the method for manufacturing the thermistor element according to the second embodiment, since the lead wire 25 is connected in a state of being fitted into the groove 22a formed on both side surfaces of the metal oxide sintered body 24, the groove 22a The contact area is increased by contact with the lead wire 25 fitted in the groove 22a at a plurality of locations, and destruction of the device due to heat cycle can be prevented by high bonding strength.
In particular, since the groove portion 22a is formed in a cross-sectional arc shape corresponding to the outer peripheral surface of the lead wire 25, the contact area is further increased by the surface contact between the lead wire 25 having a circular cross-section and the groove portion 22a having a cross-sectional arc shape. Thus, higher bonding strength can be obtained.

また、上記製法では、上述したシート法で作製することで、グリーンシート21の積層数で成型体22の厚さを調整可能であり、抵抗値ばらつきを抑制することができる。
また、焼成工程後に、リード線25の接続を行うので、焼成時における1400℃以上の耐熱性が無くても構わず、Pt線以外のリード線25を使用することができる。
Moreover, in the said manufacturing method, by producing with the sheet | seat method mentioned above, the thickness of the molded object 22 can be adjusted with the number of lamination | stacking of the green sheet 21, and resistance value dispersion | variation can be suppressed.
In addition, since the lead wire 25 is connected after the firing step, the lead wire 25 other than the Pt wire can be used without the heat resistance of 1400 ° C. or higher during firing.

なお、上記第2実施形態の製法では、効率的な方法としてグリーンシート21を複数積層した後にチップ状に切り抜いて複数の成型体22を作製する工程を採用しているが、成型体形成工程として、グリーンシート21から複数のシート状の成型シート体を所定形状で切り取る又は抜き取り(成型シート体形成工程)、さらに成型シート体を複数積層してチップ状の成型体22とする(積層工程)工程を、採用しても構わない。この場合、成型シート体の両側面に溝部を形成しておき、各成型シート体の溝部が連続するように積層することで、一方向に延在する溝部を成型体22の両側面に得ることができる。   In addition, in the manufacturing method of the said 2nd Embodiment, although the green sheet 21 is laminated | stacked as an efficient method, the process of cutting out in chip shape and producing the some molded object 22 is employ | adopted as a molded object formation process. A plurality of sheet-like molded sheet bodies are cut out or extracted from the green sheet 21 in a predetermined shape (molded sheet body forming process), and a plurality of molded sheet bodies are stacked to form a chip-shaped molded body 22 (laminate process). May be adopted. In this case, grooves are formed on both side surfaces of the molded sheet body, and the groove portions extending in one direction are obtained on both side surfaces of the molded body 22 by laminating so that the groove portions of each molded sheet body are continuous. Can do.

なお、上記第2実施形態のように断面円弧状の溝部が好ましいが、図8に示すように、断面矩形状の溝部32aを採用した成型体32としても構わない。この場合、少なくとも3箇所でリード線25と溝部32aとが線接触して接合される。なお、より好ましいのは、リード線25と断面矩形状の溝部32aのセラミックスとの間の空隙を電極ペーストで埋めて、電極接触面積を増やすとなお良い。   In addition, although the groove part with a circular arc cross section is preferable like the said 2nd Embodiment, as shown in FIG. 8, it is good also as the molded object 32 which employ | adopted the groove part 32a with a rectangular cross section. In this case, the lead wire 25 and the groove portion 32a are joined in line contact with each other at at least three locations. More preferably, the gap between the lead wire 25 and the ceramic of the groove 32a having a rectangular cross section is filled with an electrode paste to increase the electrode contact area.

また、上記第2実施形態では、焼成後に金属酸化物焼結体の溝部に電極線を嵌め込んで接続したが、焼成前の成型体の溝部に電極線を嵌め込んだ状態で、一緒に焼成して接続させても構わない。この場合、1400℃以上の焼成温度に耐えられるPt線(Pt系合金線も含む)を電極線に使用し、電極ペーストとしてPtペースト(Pt系合金ペーストも含む)を使用することが好ましい。   Moreover, in the said 2nd Embodiment, although the electrode wire was fitted and connected to the groove part of the metal oxide sintered compact after baking, it fired together in the state which fitted the electrode line in the groove part of the molding before baking. You can connect them. In this case, it is preferable to use a Pt wire (including a Pt alloy wire) that can withstand a firing temperature of 1400 ° C. or higher as the electrode wire, and use a Pt paste (including a Pt alloy paste) as the electrode paste.

次に、本発明に係るサーミスタ素子を実際に作製した実施例により評価した結果を、具体的に説明する。   Next, the results of evaluation based on examples in which the thermistor element according to the present invention was actually manufactured will be specifically described.

上記第1実施形態に従って作製したサーミスタ素子1の実施例について、実際にヒートサイクル試験(HCT)を行って割れの有無を調べた結果を表1に示す。なお、比較として、Mn−Ni−Cu系のサーミスタ材料からなるサーミスタ層とZrO−Y系のサーミスタ材料からなるサーミスタ層とを接合した素子本体を有する比較例1と、Mn−Co系のサーミスタ材料からなるサーミスタ層とZrO−Y系のサーミスタ材料からなるサーミスタ層とを接合した素子本体を有する比較例2と、共通材料無しでY(Cr0.5Mn0.5)のサーミスタ材料からなるサーミスタ層とYCrOのサーミスタ材料からなるサーミスタ層とを接合した素子本体を有する比較例3と、を同様に作製して、同様にヒートサイクル試験を行って割れの有無を調べた結果も表1に併せて示す。 Table 1 shows the results of actually conducting a heat cycle test (HCT) and examining the presence or absence of cracks for the examples of the thermistor element 1 manufactured according to the first embodiment. As a comparison, Comparative Example 1 having an element body in which a thermistor layer made of a thermistor material of Mn—Ni—Cu series and a thermistor material made of a ZrO 2 —Y 2 O 3 series was joined, and Mn—Co Comparative Example 2 having an element body in which a thermistor layer made of a thermistor material and a thermistor layer made of a ZrO 2 —Y 2 O 3 thermistor material are joined, and Y (Cr 0.5 Mn 0. 5 ) Comparative Example 3 having an element body in which a thermistor layer made of a thermistor material made of Y) and a thermistor layer made of a YCrO 3 thermistor material are joined in the same manner, and a heat cycle test is conducted in the same manner to check for cracks. Table 1 also shows the results of the examination.

Figure 2009206498
Figure 2009206498

なお、上記ヒートサイクル試験は、本実施例及び各比較例をそれぞれ20ヶ用意し、室温6分と900℃6分とを交互に1000サイクル行った。
この試験結果からわかるように、比較例1〜3はいずれも割れが全数又は一部発生しているのに対し、本実施例は、一つも割れが発生していない。
In addition, the said heat cycle test prepared 20 each of this Example and each comparative example, and performed 1000 cycles by alternating room temperature 6 minutes and 900 degreeC 6 minutes.
As can be seen from the test results, in Comparative Examples 1 to 3, all the cracks occurred or a part thereof, whereas in this example, no cracks occurred.

なお、本発明の技術範囲は上記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。   The technical scope of the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

上記第1実施形態のように、脱バインダー処理及び焼成前に、積層シートから所定形状でサーミスタ素子1の素子本体2となる部分をそれぞれ打ち抜くことが好ましいが、焼成後に、サーミスタ素子1の素子本体2となる部分をそれぞれ個別に切断して作製しても構わない。   As in the first embodiment, it is preferable to punch out each portion of the thermistor element 1 in a predetermined shape from the laminated sheet before debinding and firing, but after firing, the element body of the thermistor element 1 is fired. You may cut and produce the part used as 2 separately, respectively.

本発明に係る第1実施形態のサーミスタ素子及びその製造方法において、サーミスタ素子を示す簡易的な断面図である。In the thermistor element of 1st Embodiment which concerns on this invention, and its manufacturing method, it is simple sectional drawing which shows a thermistor element. 第1実施形態において、サーミスタ素子の素子本体を示す模式的な断面図ある。In 1st Embodiment, it is typical sectional drawing which shows the element main body of a thermistor element. 第1実施形態において、サーミスタ温度センサを示す断面図である。In 1st Embodiment, it is sectional drawing which shows a thermistor temperature sensor. 第1実施形態において、第1のサーミスタ層、第2のサーミスタ層及びこれらを接合した素子本体での温度に対する抵抗値を示すグラフである。In 1st Embodiment, it is a graph which shows the resistance value with respect to the temperature in the 1st thermistor layer, the 2nd thermistor layer, and the element main body which joined these. 本発明に係るサーミスタ素子の製造方法及びサーミスタ素子の第2実施形態において、切断状態のセラミックスグリーンシートを示す平面図である。It is a top view which shows the ceramic green sheet of a cutting state in 2nd Embodiment of the manufacturing method of the thermistor element which concerns on this invention, and a thermistor element. 第2実施形態において、成型体を示す平面図及び側面図である。In 2nd Embodiment, it is the top view and side view which show a molded object. 第2実施形態において、サーミスタ素子を示す模式的な正面図及び側面図である。In 2nd Embodiment, it is the typical front view and side view which show a thermistor element. 第2実施形態において、成型体の他の例を示す正面図である。In 2nd Embodiment, it is a front view which shows the other example of a molded object.

符号の説明Explanation of symbols

1,7…サーミスタ素子、2…素子本体、2A…第1のサーミスタ層、2B…第2のサーミスタ層、3,25…リード線、4…第1サーミスタ材料、5…共通材料、6…第2サーミスタ材料、9…ケース、10…サーミスタ温度センサ、21…セラミックスグリーンシート、22,32…成型体、22a,32a…溝部、23…積層シート   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,7 ... Thermistor element, 2 ... Element main body, 2A ... 1st thermistor layer, 2B ... 2nd thermistor layer, 3,25 ... Lead wire, 4 ... 1st thermistor material, 5 ... Common material, 6 ... 1st 2 thermistor material, 9 ... case, 10 ... thermistor temperature sensor, 21 ... ceramic green sheet, 22, 32 ... molded body, 22a, 32a ... groove, 23 ... laminated sheet

Claims (4)

2種以上の材料からなる混合焼結体で構成された第1のサーミスタ層と、
該第1のサーミスタ層に積層され2種以上の材料からなると共に前記第1のサーミスタ層と異なる抵抗値及びB定数を有する混合焼結体で構成された第2のサーミスタ層と、
前記第1のサーミスタ層及び前記第2のサーミスタ層の両方に一端部が接続された一対のリード線と、を備え、
前記第1のサーミスタ層及び前記第2のサーミスタ層が、互いに共通する1種以上の材料を有していることを特徴とするサーミスタ素子。
A first thermistor layer composed of a mixed sintered body made of two or more materials;
A second thermistor layer made of a mixed sintered body made of two or more materials and having a resistance value and a B constant different from those of the first thermistor layer, laminated on the first thermistor layer;
A pair of lead wires having one end connected to both the first thermistor layer and the second thermistor layer;
The thermistor element, wherein the first thermistor layer and the second thermistor layer have one or more kinds of materials common to each other.
請求項1に記載のサーミスタ素子において、
前記第1のサーミスタ層が、一般式:(1−z)Y(CrMn1−x)O+zYで示される複合酸化物であり、
前記第2のサーミスタ層が、一般式:(1−z)Y(CrMn1−y)O+zY(ただし、x≠y)で示される複合酸化物であることを特徴とするサーミスタ素子。
The thermistor element according to claim 1,
The first thermistor layer is a composite oxide represented by a general formula: (1-z) Y (Cr x Mn 1-x ) O 3 + zY 2 O 3
The second thermistor layer is a composite oxide represented by a general formula: (1-z) Y (Cr y Mn 1-y ) O 3 + zY 2 O 3 (where x ≠ y) Thermistor element.
2種以上の材料からなる混合仮焼粉をスラリー状にしてから第1グリーンシートに成形する第1グリーンシート形成工程と、
焼結されると前記第1グリーンシートの焼結体と異なる抵抗値及びB定数を有する2種以上の材料からなる混合仮焼粉をスラリー状にしてから第2グリーンシートに成形する第2グリーンシート形成工程と、
前記第1グリーンシートと前記第2グリーンシートとを互いに積層して積層シートとする積層シート形成工程と、
一対のリード線を前記第1グリーンシート及び前記第2グリーンシートの両方に一端部を接続させた状態で前記積層シートを焼成して第1のサーミスタ層と第2のサーミスタ層とが積層されたサーミスタ素子を作製する焼成工程と、を有し、
前記第1グリーンシート及び前記第2グリーンシートが、互いに共通する1種以上の材料を含んでいることを特徴とするサーミスタ素子の製造方法。
A first green sheet forming step in which a mixed calcined powder made of two or more materials is made into a slurry and then formed into a first green sheet;
When sintered, the second green sheet is formed into a second green sheet after the mixed calcined powder composed of two or more materials having different resistance values and B constants from the sintered body of the first green sheet is made into a slurry. Sheet forming step;
A laminated sheet forming step of laminating the first green sheet and the second green sheet to form a laminated sheet;
The laminated sheet was fired with a pair of lead wires connected to both the first green sheet and the second green sheet, and the first thermistor layer and the second thermistor layer were laminated. A firing step for producing a thermistor element,
The method of manufacturing a thermistor element, wherein the first green sheet and the second green sheet contain one or more kinds of materials common to each other.
請求項3に記載のサーミスタ素子の製造方法において、
前記積層シートを複数のチップ状の成型体に切断した状態で前記焼成工程を行い、
前記成型体の両側面には、溝部を形成しておき、
リード線を前記溝部に嵌め込んだ状態で接続させることを特徴とするサーミスタ素子の製造方法。
In the manufacturing method of the thermistor element according to claim 3,
The firing step is performed in a state where the laminated sheet is cut into a plurality of chip-shaped molded bodies,
Grooves are formed on both side surfaces of the molded body,
A method for producing a thermistor element, wherein the lead wire is connected in a state of being fitted in the groove.
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115036086A (en) 2018-10-31 2022-09-09 株式会社芝浦电子 Thermistor sintered compact and temperature sensor element
WO2020090489A1 (en) * 2018-10-31 2020-05-07 株式会社芝浦電子 Thermistor sintered body and temperature sensor element

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03209705A (en) * 1990-01-11 1991-09-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd Temperature sensor
JPH04100295A (en) * 1990-08-18 1992-04-02 Fujitsu Ltd Manufacture of multilayer ceramic circuit board
JPH0534208A (en) * 1991-08-01 1993-02-09 Ngk Spark Plug Co Ltd Thermistor
JPH0562805A (en) * 1991-08-29 1993-03-12 Nippondenso Co Ltd Material for high-temperature thermistor
JPH05172651A (en) * 1991-12-19 1993-07-09 Tdk Corp Thermistor element
JPH08186007A (en) * 1995-01-05 1996-07-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method of manufacturing thermistor element
JPH10270208A (en) * 1997-03-27 1998-10-09 Mitsubishi Materials Corp Thermistor temperature sensor
JPH10312907A (en) * 1997-05-09 1998-11-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd Thermistor element and its manufacture
JP2003068507A (en) * 2001-08-27 2003-03-07 Nippon Soken Inc Method for manufacturing thermistor element and apparatus for manufacturing thermistor element material
JP2003272904A (en) * 2002-03-19 2003-09-26 Tdk Corp Composite laminated chip ntc thermistor

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03209705A (en) * 1990-01-11 1991-09-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd Temperature sensor
JPH04100295A (en) * 1990-08-18 1992-04-02 Fujitsu Ltd Manufacture of multilayer ceramic circuit board
JPH0534208A (en) * 1991-08-01 1993-02-09 Ngk Spark Plug Co Ltd Thermistor
JPH0562805A (en) * 1991-08-29 1993-03-12 Nippondenso Co Ltd Material for high-temperature thermistor
JPH05172651A (en) * 1991-12-19 1993-07-09 Tdk Corp Thermistor element
JPH08186007A (en) * 1995-01-05 1996-07-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method of manufacturing thermistor element
JPH10270208A (en) * 1997-03-27 1998-10-09 Mitsubishi Materials Corp Thermistor temperature sensor
JPH10312907A (en) * 1997-05-09 1998-11-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd Thermistor element and its manufacture
JP2003068507A (en) * 2001-08-27 2003-03-07 Nippon Soken Inc Method for manufacturing thermistor element and apparatus for manufacturing thermistor element material
JP2003272904A (en) * 2002-03-19 2003-09-26 Tdk Corp Composite laminated chip ntc thermistor

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020141024A (en) * 2019-02-27 2020-09-03 株式会社Soken Temperature sensor
JP7281301B2 (en) 2019-02-27 2023-05-25 株式会社Soken temperature sensor

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