JPH10261748A - 半導体素子の実装構造 - Google Patents
半導体素子の実装構造Info
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- JPH10261748A JPH10261748A JP6786897A JP6786897A JPH10261748A JP H10261748 A JPH10261748 A JP H10261748A JP 6786897 A JP6786897 A JP 6786897A JP 6786897 A JP6786897 A JP 6786897A JP H10261748 A JPH10261748 A JP H10261748A
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- Japan
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- semiconductor element
- pipe
- circuit board
- cooling water
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Abstract
(57)【要約】
【課題】小さなスペースで、効率的且つ安価な構造をも
つ半導体素子の冷却構造を実現する。 【解決手段】回路基板上１の配線パターン２と半導体素
子３とが複数の導電性材料によるバンプ４を介して接続
され、該バンプ４は前記半導体素子３と前記回路基板１
との間で挟まれた構造からなる半導体素子の実装構造に
於いて、前記各バンプ４間に存在する間隙に、冷却水１
３を流すパイプ５を設け、前記各バンプ４周辺から発生
する熱を前記パイプ５に流れる冷却水１３により冷却し
てなることを特徴とする。
つ半導体素子の冷却構造を実現する。 【解決手段】回路基板上１の配線パターン２と半導体素
子３とが複数の導電性材料によるバンプ４を介して接続
され、該バンプ４は前記半導体素子３と前記回路基板１
との間で挟まれた構造からなる半導体素子の実装構造に
於いて、前記各バンプ４間に存在する間隙に、冷却水１
３を流すパイプ５を設け、前記各バンプ４周辺から発生
する熱を前記パイプ５に流れる冷却水１３により冷却し
てなることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、回路基板に実装さ
れた半導体素子の発熱を水冷により冷却する実装構造に
関する。
れた半導体素子の発熱を水冷により冷却する実装構造に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子機器の回路を構成する回路基
板に取り付けられた半導体素子から発生する熱の冷却構
造に関しては、発熱する半導体素子に放熱板等に取り付
けて、放熱面積を大きくする空冷方式が用いられてい
る。又、大きな発熱を伴う半導体素子の場合は水冷方式
が用いられ、図６は従来の水冷方式の一実施例を図示し
たものである。即ち、２１は回路基板で絶縁板の表面に
導体層で回路の配線パターン２５をエッチング等の方法
により形成したものである。２２は半導体素子で電子回
路が集積され、回路基板２１の必要な部分に実装される
ものである。２３は半導体素子２２と、回路基板２１に
設けられた配線パターン２５を接続し、装着するための
ハンダ等によるバンプである。
板に取り付けられた半導体素子から発生する熱の冷却構
造に関しては、発熱する半導体素子に放熱板等に取り付
けて、放熱面積を大きくする空冷方式が用いられてい
る。又、大きな発熱を伴う半導体素子の場合は水冷方式
が用いられ、図６は従来の水冷方式の一実施例を図示し
たものである。即ち、２１は回路基板で絶縁板の表面に
導体層で回路の配線パターン２５をエッチング等の方法
により形成したものである。２２は半導体素子で電子回
路が集積され、回路基板２１の必要な部分に実装される
ものである。２３は半導体素子２２と、回路基板２１に
設けられた配線パターン２５を接続し、装着するための
ハンダ等によるバンプである。
【０００３】２７は半導体素子２２が発生する熱を吸収
し、伝導するための放熱ブロックで、半導体素子２２に
密着して熱を吸収するものである。２８はスプリングで
放熱ブロック２７が半導体素子２２に常に適当な力で密
着する構造になっている。２６は冷却用の液体２９（冷
却用の流水）を流すためのパイプで、パイプ２６の中を
流れる冷却用の水流２９によって半導体素子２２が発生
する熱を放熱ブロック２７を介して冷却されるようにな
っている。
し、伝導するための放熱ブロックで、半導体素子２２に
密着して熱を吸収するものである。２８はスプリングで
放熱ブロック２７が半導体素子２２に常に適当な力で密
着する構造になっている。２６は冷却用の液体２９（冷
却用の流水）を流すためのパイプで、パイプ２６の中を
流れる冷却用の水流２９によって半導体素子２２が発生
する熱を放熱ブロック２７を介して冷却されるようにな
っている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このように従来の構造
は、冷却用の液体を流すためのパイプ２６を設ける専用
のスペースが必要でサイズ的にも大きく、近年益々小型
化される電子機器には適応しなくなる問題がある。又、
小さなスペースで、しかも効率的で安価な構造をもつ半
導体素子の冷却構造が求められている。
は、冷却用の液体を流すためのパイプ２６を設ける専用
のスペースが必要でサイズ的にも大きく、近年益々小型
化される電子機器には適応しなくなる問題がある。又、
小さなスペースで、しかも効率的で安価な構造をもつ半
導体素子の冷却構造が求められている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、回路基板上の配線パターンと半導体素子と
が複数の導電性材料によるバンプを介して接続され、該
バンプは前記半導体素子と前記回路基板との間で挟まれ
た構造からなる半導体素子の実装構造に於いて、前記各
バンプ間に存在する間隙に、冷却水を流すパイプを設
け、前記各バンプ周辺から発生する熱を前記パイプに流
れる冷却水により冷却してなることを特徴とする。
するために、回路基板上の配線パターンと半導体素子と
が複数の導電性材料によるバンプを介して接続され、該
バンプは前記半導体素子と前記回路基板との間で挟まれ
た構造からなる半導体素子の実装構造に於いて、前記各
バンプ間に存在する間隙に、冷却水を流すパイプを設
け、前記各バンプ周辺から発生する熱を前記パイプに流
れる冷却水により冷却してなることを特徴とする。
【０００６】又、回路基板上の配線パターンと半導体素
子とが複数の導電性材料によるバンプを介して接続さ
れ、該バンプは前記半導体素子と前記回路基板との間で
挟まれた構造からなる半導体素子の実装構造に於いて、
前記バンプ内部まで挿通され、冷却水を流すパイプを設
け、前記各バンプ周辺からの発熱を前記パイプに流れる
冷却水により冷却することを特徴とする。
子とが複数の導電性材料によるバンプを介して接続さ
れ、該バンプは前記半導体素子と前記回路基板との間で
挟まれた構造からなる半導体素子の実装構造に於いて、
前記バンプ内部まで挿通され、冷却水を流すパイプを設
け、前記各バンプ周辺からの発熱を前記パイプに流れる
冷却水により冷却することを特徴とする。
【０００７】又、回路基板上の配線パターンと半導体素
子とがワイヤを介して接続されてなる半導体素子の実装
構造に於いて、前記ワイヤの内側の隙間に前記半導体素
子の周囲を取り巻く様に冷却水を流すパイプを設け、前
記半導体素子からの発熱を前記パイプを流れる冷却水に
より冷却してなることを特徴とする。又、主回路基板上
の配線パターンと半導体素子が搭載された副回路基板と
が複数の導電性材料によるバンプを介して接続されてな
る半導体素子の実装構造に於いて、前記主回路基板内に
挿通され、冷却水を流す主パイプと、前記主パイプから
分岐され、前記バンプ内を貫通し、更に前記副回路基板
内に挿通された副パイプとが設けられ、前記半導体素子
から発生する熱を前記副パイプに流れる冷却水により伝
導し、更に前記主冷却水まで伝導して、冷却してなるこ
とを特徴とする。
子とがワイヤを介して接続されてなる半導体素子の実装
構造に於いて、前記ワイヤの内側の隙間に前記半導体素
子の周囲を取り巻く様に冷却水を流すパイプを設け、前
記半導体素子からの発熱を前記パイプを流れる冷却水に
より冷却してなることを特徴とする。又、主回路基板上
の配線パターンと半導体素子が搭載された副回路基板と
が複数の導電性材料によるバンプを介して接続されてな
る半導体素子の実装構造に於いて、前記主回路基板内に
挿通され、冷却水を流す主パイプと、前記主パイプから
分岐され、前記バンプ内を貫通し、更に前記副回路基板
内に挿通された副パイプとが設けられ、前記半導体素子
から発生する熱を前記副パイプに流れる冷却水により伝
導し、更に前記主冷却水まで伝導して、冷却してなるこ
とを特徴とする。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
説明する。図１は第１の実施例を示した構成図であり、
１は回路基板で、エポキシ樹脂等の絶縁板からなり、２
はその表面の導体層がエッチング等の工法によって形成
された回路パターンである。３は半導体素子で、集積さ
れた回路は樹脂等によって絶縁され固形化されたもので
ある。４は半導体素子と他の回路を接続するためのバン
プで、回路パターン２の端子（半導体素子の外部端子と
合った位置）に相当する部分に半田粒等を置き、半導体
素子３の外部接続端子に合わせて加熱し、半田粒が溶融
して回路パターン２の端子と半導体素子３の外部接続端
子とが接続され半田粒が回路パターン２の端子と半導体
素子３の外部接続端子との間に挟み込まれた形状になっ
ている。
説明する。図１は第１の実施例を示した構成図であり、
１は回路基板で、エポキシ樹脂等の絶縁板からなり、２
はその表面の導体層がエッチング等の工法によって形成
された回路パターンである。３は半導体素子で、集積さ
れた回路は樹脂等によって絶縁され固形化されたもので
ある。４は半導体素子と他の回路を接続するためのバン
プで、回路パターン２の端子（半導体素子の外部端子と
合った位置）に相当する部分に半田粒等を置き、半導体
素子３の外部接続端子に合わせて加熱し、半田粒が溶融
して回路パターン２の端子と半導体素子３の外部接続端
子とが接続され半田粒が回路パターン２の端子と半導体
素子３の外部接続端子との間に挟み込まれた形状になっ
ている。
【０００９】５は、回路基板１と半導体素子３の隙間
（バンプ４の隙間）に冷却水１３を流すためのパイプ
で、最終的には外部の放熱装置に接続され冷却水１３は
循環する。更にバンプ間が短絡しないような材料、例え
ばガラス管等で形成され、このパイプ５には冷却水１３
が流れて、バンプ４周辺に発生する熱はパイプ５を介し
て冷却水１３に伝わって外部の放熱装置により放熱され
る。６は半導体素子３と回路基板１を固定する封止樹脂
で、絶縁性で接着性があり時間を経過すると凝固するも
のである。
（バンプ４の隙間）に冷却水１３を流すためのパイプ
で、最終的には外部の放熱装置に接続され冷却水１３は
循環する。更にバンプ間が短絡しないような材料、例え
ばガラス管等で形成され、このパイプ５には冷却水１３
が流れて、バンプ４周辺に発生する熱はパイプ５を介し
て冷却水１３に伝わって外部の放熱装置により放熱され
る。６は半導体素子３と回路基板１を固定する封止樹脂
で、絶縁性で接着性があり時間を経過すると凝固するも
のである。
【００１０】このように第１の実施例においては、半導
体素子３の発熱源に直接つながるバンプの隙間に冷却水
１３を流して熱の吸収を行い、且つバンプ４の隙間を利
用した構造となっているため小型で効率的な冷却構造が
得られる。次に第２の実施例について図２を用いて説明
する。尚、第１実施例と同様の部分については同じ符号
を付して説明を省略する。７は回路基板１の中に設けら
れた冷却水１３を通すパイプで、パイプ７から分岐した
パイプがバンプ３の中心まで挿入する形になっている。
半導体素子３が発生する熱は、直接バンプ４を介して伝
導し、冷却水１３によって冷却される。
体素子３の発熱源に直接つながるバンプの隙間に冷却水
１３を流して熱の吸収を行い、且つバンプ４の隙間を利
用した構造となっているため小型で効率的な冷却構造が
得られる。次に第２の実施例について図２を用いて説明
する。尚、第１実施例と同様の部分については同じ符号
を付して説明を省略する。７は回路基板１の中に設けら
れた冷却水１３を通すパイプで、パイプ７から分岐した
パイプがバンプ３の中心まで挿入する形になっている。
半導体素子３が発生する熱は、直接バンプ４を介して伝
導し、冷却水１３によって冷却される。
【００１１】この冷却パイプ７の構造は特殊な回路基板
を要するが、小型化を必要とする電子機器においては有
効な手段であり量産化を行うことでコストを引き下げる
ことができる。又、冷却用のパイプ７はバンプ４の中に
挿入され回路パターン２の端子と接続される。従って、
各バンプ間は冷却パイプ７で短絡する可能性があるため
パイプ７の分岐部分が挿入されるバンプは接地回路のパ
ターン端子が望ましく、適当な場所にダミー接地回路の
パターン端子を設け、冷却用のバンプを作ってもよい。
を要するが、小型化を必要とする電子機器においては有
効な手段であり量産化を行うことでコストを引き下げる
ことができる。又、冷却用のパイプ７はバンプ４の中に
挿入され回路パターン２の端子と接続される。従って、
各バンプ間は冷却パイプ７で短絡する可能性があるため
パイプ７の分岐部分が挿入されるバンプは接地回路のパ
ターン端子が望ましく、適当な場所にダミー接地回路の
パターン端子を設け、冷却用のバンプを作ってもよい。
【００１２】次に第３の実施例について図３並びに図４
を用いて説明する。尚、第１実施例と同様の部分につい
ては同じ符号を付して説明を省略する。図３は第３実施
例の構成を示す斜視図で、回路基板１上に半導体素子３
が実装され、半導体素子３の外部端子と回路基板１の回
路パターン２の端子とはリード線（ボンディングワイ
ヤ）８によって接続されているワイヤボンディング法に
よる実装である。そして、９は冷却水１３を流すための
パイプで、リード線８と回路基板１との隙間において、
半導体素子３の側面を取り巻くような形で設けられ、パ
イプ９の外装はリード線８が接触しても短絡しないよう
に絶縁材によるパイプや外装が絶縁されたパイプが使用
されている。
を用いて説明する。尚、第１実施例と同様の部分につい
ては同じ符号を付して説明を省略する。図３は第３実施
例の構成を示す斜視図で、回路基板１上に半導体素子３
が実装され、半導体素子３の外部端子と回路基板１の回
路パターン２の端子とはリード線（ボンディングワイ
ヤ）８によって接続されているワイヤボンディング法に
よる実装である。そして、９は冷却水１３を流すための
パイプで、リード線８と回路基板１との隙間において、
半導体素子３の側面を取り巻くような形で設けられ、パ
イプ９の外装はリード線８が接触しても短絡しないよう
に絶縁材によるパイプや外装が絶縁されたパイプが使用
されている。
【００１３】図４は第３実施例の図３に示すＡ−Ａ断面
を表した図であり半導体素子３を装着した後、１０の絶
縁性で接着性があり時間を経過すると凝固する封止樹脂
で固定する。このように第３の実施例においては直接半
導体素子３を直接側面より冷却することで小型で簡単な
構造となり、しかも効果的な冷却が可能である。
を表した図であり半導体素子３を装着した後、１０の絶
縁性で接着性があり時間を経過すると凝固する封止樹脂
で固定する。このように第３の実施例においては直接半
導体素子３を直接側面より冷却することで小型で簡単な
構造となり、しかも効果的な冷却が可能である。
【００１４】次に第４の実施例について図５を用いて説
明する。尚、第１実施例と同様の部分については同じ符
号を付して説明を省略する。１１は副回路基板で副基板
１１上に半導体素子３が複数個実装された、例えばハイ
ブリッドＩＣ（ＨＩＣ）等である。そして、副回路基板
１１の中に冷却水１３を流す副パイプ１２が設けられて
いる。
明する。尚、第１実施例と同様の部分については同じ符
号を付して説明を省略する。１１は副回路基板で副基板
１１上に半導体素子３が複数個実装された、例えばハイ
ブリッドＩＣ（ＨＩＣ）等である。そして、副回路基板
１１の中に冷却水１３を流す副パイプ１２が設けられて
いる。
【００１５】又、主回路基板１にも冷却水１３を流すた
めの主パイプ７が設けられて、副回路基板１１の外部接
続端子が副回路基板１１の半導体素子３が実装されてい
る面と反対の面（裏面）に設けられており、主回路基板
１の回路パターン２の端子とバンプ４により実装されて
いる。そして、そのバンプ４の中を貫通して主回路基板
１の冷却水主パイプ７と副回路基板１１の冷却水副パイ
プ１２を結ぶパイプで連結される構造になっている。
めの主パイプ７が設けられて、副回路基板１１の外部接
続端子が副回路基板１１の半導体素子３が実装されてい
る面と反対の面（裏面）に設けられており、主回路基板
１の回路パターン２の端子とバンプ４により実装されて
いる。そして、そのバンプ４の中を貫通して主回路基板
１の冷却水主パイプ７と副回路基板１１の冷却水副パイ
プ１２を結ぶパイプで連結される構造になっている。
【００１６】従って、冷却用の流水は主回路基板１の主
パイプ７から副回路基板１１の冷却水副パイプ１２にも
流れて副回路基板１１に実装されている半導体素子３が
発熱する熱を吸収し、主回路基板１の冷却水主パイプ７
を通って冷却を行う。又、これらの放熱は第１実施例で
も述べたように最終的には外部の放熱装置に接続され冷
却水は循環する。又、副回路基板１１の冷却水副パイプ
１２と主回路基板１の冷却水主パイプ７を結ぶパイプが
貫通されたバンプ４は各バンプ間の冷却パイプ７で短絡
する可能性があるため主パイプ７と副パイプ１２とを結
ぶパイプが貫通されたバンプ４は接地回路のパターン端
子が望ましく、適当な場所にダミー接地回路のパターン
端子を設け、冷却用のバンプを作ってもよい。
パイプ７から副回路基板１１の冷却水副パイプ１２にも
流れて副回路基板１１に実装されている半導体素子３が
発熱する熱を吸収し、主回路基板１の冷却水主パイプ７
を通って冷却を行う。又、これらの放熱は第１実施例で
も述べたように最終的には外部の放熱装置に接続され冷
却水は循環する。又、副回路基板１１の冷却水副パイプ
１２と主回路基板１の冷却水主パイプ７を結ぶパイプが
貫通されたバンプ４は各バンプ間の冷却パイプ７で短絡
する可能性があるため主パイプ７と副パイプ１２とを結
ぶパイプが貫通されたバンプ４は接地回路のパターン端
子が望ましく、適当な場所にダミー接地回路のパターン
端子を設け、冷却用のバンプを作ってもよい。
【００１７】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明におい
ては、半導体素子から発せられる熱を効果的に冷却し、
小型で安価な冷却構造を実現する。
ては、半導体素子から発せられる熱を効果的に冷却し、
小型で安価な冷却構造を実現する。
【図１】第１実施例に於ける構成図。
【図２】第２実施例に於ける構成図。
【図３】第３実施例に於ける構成斜視図
【図４】図３に於けるＡ−Ａ断面図
【図５】第４実施例に於ける構成図。
【図６】従来の実施例に於ける構成図。
１・・・・・・・回路基板 ２・・・・・・・半導体素子 ３・・・・・・・バンプ ４・・・・・・・冷却用のパイプ ５・・・・・・・回路パターン ６・・・・・・・封止樹脂 ７・・・・・・・冷却用パイプ ８・・・・・・・リード線
Claims (4)
- 【請求項１】 回路基板上の配線パターンと半導体素子
とが複数の導電性材料によるバンプを介して接続され、
該バンプは前記半導体素子と前記回路基板との間で挟ま
れた構造からなる半導体素子の実装構造に於いて、 前記各バンプ間に存在する間隙に、冷却水を流すパイプ
を設け、前記各バンプ周辺から発生する熱を前記パイプ
に流れる冷却水により冷却してなることを特徴とする半
導体素子の実装構造。 - 【請求項２】 回路基板上の配線パターンと半導体素子
とが複数の導電性材料によるバンプを介して接続され、
該バンプは前記半導体素子と前記回路基板との間で挟ま
れた構造からなる半導体素子の実装構造に於いて、 前記バンプ内部まで挿通された、冷却水を流すパイプを
設け、前記各バンプ周辺からの発熱を前記パイプに流れ
る冷却水により冷却してなることを特徴とする半導体素
子の実装構造。 - 【請求項３】 回路基板上の配線パターンと半導体素子
とがワイヤを介して接続されてなる半導体素子の実装構
造に於いて、 前記ワイヤと前記回路基板との間に前記半導体素子の周
囲を取り巻く様に冷却水を流すパイプを設け、前記半導
体素子からの発熱を前記パイプを流れる冷却水により冷
却してなることを特徴とする半導体素子の実装構造。 - 【請求項４】 主回路基板上の配線パターンと半導体素
子が搭載された副回路基板とが複数の導電性材料による
バンプを介して接続されてなる半導体素子の実装構造に
於いて、 前記主回路基板内に挿通された冷却水を流す主パイプ
と、 前記主パイプから分岐され、前記バンプ内を貫通し、更
に前記副回路基板内に挿通された副パイプとを設け、 前記半導体素子から発生する熱を前記副パイプに流れる
冷却水により伝導し、更に前記主パイプまで伝導して、
冷却してなることを特徴とする半導体素子の実装構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6786897A JPH10261748A (ja) | 1997-03-21 | 1997-03-21 | 半導体素子の実装構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6786897A JPH10261748A (ja) | 1997-03-21 | 1997-03-21 | 半導体素子の実装構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10261748A true JPH10261748A (ja) | 1998-09-29 |
Family
ID=13357347
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6786897A Withdrawn JPH10261748A (ja) | 1997-03-21 | 1997-03-21 | 半導体素子の実装構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10261748A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100673380B1 (ko) * | 2004-12-20 | 2007-01-24 | 삼성전자주식회사 | 냉매로가 형성된 반도체 칩과, 그를 이용한 반도체 패키지및 반도체 패키지 냉각 시스템 |
| JP2008112749A (ja) * | 2006-10-27 | 2008-05-15 | Kyocera Corp | 半導体装置および半導体装置を備えた流体装置 |
| JP2008251647A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 電子部品の放熱構造 |
| JP2015012191A (ja) * | 2013-06-28 | 2015-01-19 | 富士通株式会社 | 電子装置及び電子装置の製造方法 |
| US9449896B2 (en) | 2014-01-13 | 2016-09-20 | Stmicroelectronics Sa | Device comprising a three-dimensional integrated structure with simplified thermal dissipation, and corresponding fabrication method |
-
1997
- 1997-03-21 JP JP6786897A patent/JPH10261748A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100673380B1 (ko) * | 2004-12-20 | 2007-01-24 | 삼성전자주식회사 | 냉매로가 형성된 반도체 칩과, 그를 이용한 반도체 패키지및 반도체 패키지 냉각 시스템 |
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| JP2008112749A (ja) * | 2006-10-27 | 2008-05-15 | Kyocera Corp | 半導体装置および半導体装置を備えた流体装置 |
| JP2008251647A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 電子部品の放熱構造 |
| JP2015012191A (ja) * | 2013-06-28 | 2015-01-19 | 富士通株式会社 | 電子装置及び電子装置の製造方法 |
| US9449896B2 (en) | 2014-01-13 | 2016-09-20 | Stmicroelectronics Sa | Device comprising a three-dimensional integrated structure with simplified thermal dissipation, and corresponding fabrication method |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040601 |