JPH10260103A - 圧力測定装置 - Google Patents
圧力測定装置Info
- Publication number
- JPH10260103A JPH10260103A JP6469697A JP6469697A JPH10260103A JP H10260103 A JPH10260103 A JP H10260103A JP 6469697 A JP6469697 A JP 6469697A JP 6469697 A JP6469697 A JP 6469697A JP H10260103 A JPH10260103 A JP H10260103A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- measurement
- pressure sensor
- pressure
- semiconductor pressure
- change
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡単なスクリーニングに依って選出選出され
た半導体圧力センサを用いて簡便且つ高精度な温度補償
が可能な圧力測定を実現すること。 【解決手段】 測定用半導体圧力センサ１６1が設けら
れた圧力測定手段１６と、測定用半導体圧力センサ１６
1と静電容量の温度特性が略一致した基準用の半導体圧
力センサ１２1が設けられたレファレンス手段１２と、
基準用半導体圧力センサ１２1の静電容量の変化を用い
て測定用半導体圧力センサ１６1の静電容量の変化を補
償する温度補償回路１０を有し、測定用半導体圧力セン
サ１６1を用いて圧力を測定する場合に、基準用半導体
圧力センサ１２1を測定用半導体圧力センサ１６1と同一
の温度雰囲気内に設けた状態で温度補償回路１０が同一
温度雰囲気における基準用半導体圧力センサ１２1の静
電容量の変化を用いて同一温度雰囲気における測定用半
導体圧力センサ１６1の静電容量の変化を補償する。
た半導体圧力センサを用いて簡便且つ高精度な温度補償
が可能な圧力測定を実現すること。 【解決手段】 測定用半導体圧力センサ１６1が設けら
れた圧力測定手段１６と、測定用半導体圧力センサ１６
1と静電容量の温度特性が略一致した基準用の半導体圧
力センサ１２1が設けられたレファレンス手段１２と、
基準用半導体圧力センサ１２1の静電容量の変化を用い
て測定用半導体圧力センサ１６1の静電容量の変化を補
償する温度補償回路１０を有し、測定用半導体圧力セン
サ１６1を用いて圧力を測定する場合に、基準用半導体
圧力センサ１２1を測定用半導体圧力センサ１６1と同一
の温度雰囲気内に設けた状態で温度補償回路１０が同一
温度雰囲気における基準用半導体圧力センサ１２1の静
電容量の変化を用いて同一温度雰囲気における測定用半
導体圧力センサ１６1の静電容量の変化を補償する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、気体や液体の圧力
を測定する圧力測定装置に関し、特に、印加圧力の変化
に応じて静電容量が変化する半導体圧力センサを用いそ
の静電容量変化を用いて印加圧力の測定を行う圧力測定
装置に関する。
を測定する圧力測定装置に関し、特に、印加圧力の変化
に応じて静電容量が変化する半導体圧力センサを用いそ
の静電容量変化を用いて印加圧力の測定を行う圧力測定
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来この種の圧力測定装置としては、例
えば、図２に示すようなものがある。
えば、図２に示すようなものがある。
【０００３】すなわち、図２に示す圧力測定装置は、基
準用の水晶振動子Ｘ１、コンデンサ、抵抗素子及び論理
素子ＮＯＴで構成されている基準用の発振回路と測定用
の水晶振動子Ｘ２、コンデンサ、抵抗素子及び論理素子
ＮＯＴで構成されている測定用の発振回路とを有する発
振信号検出回路１、基準用の発振回路の出力信号（周波
数ｆ1）を分周する分周器５、分周器５の出力８を用い
てトリガパルスＣを生成するワンショットマルチバイブ
レータ６、トリガパルスＣを用いてリセットパルスＤを
生成するワンショットマルチバイブレータ７、基準用の
発振回路の出力信号をアップカウントし測定用の発振回
路の出力信号（周波数ｆ2）をダウンカウントしリセッ
トパルスＤに応じてカウント値のリセット動作を行うア
ップダウンカウンタ２、アップダウンカウンタ２から出
力される計数値をラッチするフリップフロップ３、フリ
ップフロップ３にラッチされている計数値に対して、水
晶振動子の２次係数特性を用いた温度補償を行って圧力
のデータに変換するデータ処理回路４を有していた。
準用の水晶振動子Ｘ１、コンデンサ、抵抗素子及び論理
素子ＮＯＴで構成されている基準用の発振回路と測定用
の水晶振動子Ｘ２、コンデンサ、抵抗素子及び論理素子
ＮＯＴで構成されている測定用の発振回路とを有する発
振信号検出回路１、基準用の発振回路の出力信号（周波
数ｆ1）を分周する分周器５、分周器５の出力８を用い
てトリガパルスＣを生成するワンショットマルチバイブ
レータ６、トリガパルスＣを用いてリセットパルスＤを
生成するワンショットマルチバイブレータ７、基準用の
発振回路の出力信号をアップカウントし測定用の発振回
路の出力信号（周波数ｆ2）をダウンカウントしリセッ
トパルスＤに応じてカウント値のリセット動作を行うア
ップダウンカウンタ２、アップダウンカウンタ２から出
力される計数値をラッチするフリップフロップ３、フリ
ップフロップ３にラッチされている計数値に対して、水
晶振動子の２次係数特性を用いた温度補償を行って圧力
のデータに変換するデータ処理回路４を有していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の圧力測定装置では、基準用水晶振動子Ｘ１や
測定用水晶振動子Ｘ２の２次係数特性を用いて温度補償
を行っているが、基準用水晶振動子Ｘ１や測定用水晶振
動子Ｘ２は、機械的なカットの仕方に大きく依存してそ
の発振周波数や２次係数特性が変化してしまうため、同
じ発振周波数や２次係数特性を有する水晶振動子をスク
リーニングすることは、技術的に困難であると考えら
れ、又スクリーニングに多くの労力や作業コストを要し
てしまうという技術的課題があった。
うな従来の圧力測定装置では、基準用水晶振動子Ｘ１や
測定用水晶振動子Ｘ２の２次係数特性を用いて温度補償
を行っているが、基準用水晶振動子Ｘ１や測定用水晶振
動子Ｘ２は、機械的なカットの仕方に大きく依存してそ
の発振周波数や２次係数特性が変化してしまうため、同
じ発振周波数や２次係数特性を有する水晶振動子をスク
リーニングすることは、技術的に困難であると考えら
れ、又スクリーニングに多くの労力や作業コストを要し
てしまうという技術的課題があった。
【０００５】また、基準用水晶振動子Ｘ１や測定用水晶
振動子Ｘ２の２次係数特性を用いた複雑な温度補償を行
うために、回路規模が大きくなる可能性があるという技
術的課題もあった。
振動子Ｘ２の２次係数特性を用いた複雑な温度補償を行
うために、回路規模が大きくなる可能性があるという技
術的課題もあった。
【０００６】本発明は、このような従来の問題点を解決
することを課題としており、特に、印加圧力の変化に応
じて静電容量が変化する半導体圧力センサを用いて圧力
の測定を行う圧力測定装置において、測定用半導体圧力
センサが設けられた圧力測定手段と、測定用半導体圧力
センサと静電容量の温度特性が略一致した基準用の半導
体圧力センサが設けられたレファレンス手段と、基準用
半導体圧力センサの静電容量の変化を用いて測定用半導
体圧力センサの静電容量の変化を補償する温度補償回路
を有し、測定用半導体圧力センサを用いて圧力を測定す
る場合に、基準用半導体圧力センサを測定用半導体圧力
センサと同一の温度雰囲気内に設けた状態で温度補償回
路が同一温度雰囲気における基準用半導体圧力センサの
静電容量の変化を用いて同一温度雰囲気における測定用
半導体圧力センサの静電容量の変化を補償する圧力測定
装置に依り、同一ウェハー上に同一の半導体プロセスを
用いて同時に作成される半導体圧力センサの中から略一
致した静電容量の温度特性を有する基準用半導体圧力セ
ンサ及び測定用半導体圧力センサを簡単なスクリーニン
グに依って選出でき、又この様にして選出された基準用
半導体圧力センサ及び測定用半導体圧力センサを用い
て、簡便且つ高精度な温度補償が可能な圧力測定を実現
することを課題としている。
することを課題としており、特に、印加圧力の変化に応
じて静電容量が変化する半導体圧力センサを用いて圧力
の測定を行う圧力測定装置において、測定用半導体圧力
センサが設けられた圧力測定手段と、測定用半導体圧力
センサと静電容量の温度特性が略一致した基準用の半導
体圧力センサが設けられたレファレンス手段と、基準用
半導体圧力センサの静電容量の変化を用いて測定用半導
体圧力センサの静電容量の変化を補償する温度補償回路
を有し、測定用半導体圧力センサを用いて圧力を測定す
る場合に、基準用半導体圧力センサを測定用半導体圧力
センサと同一の温度雰囲気内に設けた状態で温度補償回
路が同一温度雰囲気における基準用半導体圧力センサの
静電容量の変化を用いて同一温度雰囲気における測定用
半導体圧力センサの静電容量の変化を補償する圧力測定
装置に依り、同一ウェハー上に同一の半導体プロセスを
用いて同時に作成される半導体圧力センサの中から略一
致した静電容量の温度特性を有する基準用半導体圧力セ
ンサ及び測定用半導体圧力センサを簡単なスクリーニン
グに依って選出でき、又この様にして選出された基準用
半導体圧力センサ及び測定用半導体圧力センサを用い
て、簡便且つ高精度な温度補償が可能な圧力測定を実現
することを課題としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、印加圧力の変化に応じて静電容量が変化する半導体
圧力センサを用いて圧力の測定を行う圧力測定装置にお
いて、前記測定用半導体圧力センサ１６1が設けられた
圧力測定手段１６と、前記測定用半導体圧力センサ１６
1と静電容量の温度特性が略一致した基準用の半導体圧
力センサ１２1が設けられたレファレンス手段１２が設
けられ、前記基準用半導体圧力センサ１２1の静電容量
の変化を用いて前記測定用半導体圧力センサ１６1の静
電容量の変化を補償する温度補償回路１０を有し、前記
測定用半導体圧力センサ１６1を用いて圧力を測定する
場合に、前記基準用半導体圧力センサ１２1を前記測定
用半導体圧力センサ１６1と同一の温度雰囲気内に設け
た状態で前記温度補償回路１０が当該同一温度雰囲気に
おける基準用半導体圧力センサ１２1の静電容量の変化
を用いて当該同一温度雰囲気における測定用半導体圧力
センサ１６1の静電容量の変化を補償する、ことを特徴
とする圧力測定装置３０である。
は、印加圧力の変化に応じて静電容量が変化する半導体
圧力センサを用いて圧力の測定を行う圧力測定装置にお
いて、前記測定用半導体圧力センサ１６1が設けられた
圧力測定手段１６と、前記測定用半導体圧力センサ１６
1と静電容量の温度特性が略一致した基準用の半導体圧
力センサ１２1が設けられたレファレンス手段１２が設
けられ、前記基準用半導体圧力センサ１２1の静電容量
の変化を用いて前記測定用半導体圧力センサ１６1の静
電容量の変化を補償する温度補償回路１０を有し、前記
測定用半導体圧力センサ１６1を用いて圧力を測定する
場合に、前記基準用半導体圧力センサ１２1を前記測定
用半導体圧力センサ１６1と同一の温度雰囲気内に設け
た状態で前記温度補償回路１０が当該同一温度雰囲気に
おける基準用半導体圧力センサ１２1の静電容量の変化
を用いて当該同一温度雰囲気における測定用半導体圧力
センサ１６1の静電容量の変化を補償する、ことを特徴
とする圧力測定装置３０である。
【０００８】請求項１に記載の発明に依れば、略一致し
た静電容量の温度特性を有する基準用半導体圧力センサ
１２1及び測定用半導体圧力センサ１６1は、同一ウェハ
ー上に同一の半導体プロセスを用いて同時に作成される
半導体圧力センサの中から同一ウェハー上に隣接する半
導体圧力センサを選択すれば、簡単なスクリーニングに
依って選出できるといった効果を奏する。
た静電容量の温度特性を有する基準用半導体圧力センサ
１２1及び測定用半導体圧力センサ１６1は、同一ウェハ
ー上に同一の半導体プロセスを用いて同時に作成される
半導体圧力センサの中から同一ウェハー上に隣接する半
導体圧力センサを選択すれば、簡単なスクリーニングに
依って選出できるといった効果を奏する。
【０００９】更に、この様にして選出された基準用半導
体圧力センサ１２1及び測定用半導体圧力センサ１６1を
同一の温度雰囲気内に設けることに依り、測定用半導体
圧力センサ１６1と略一致した静電容量の温度特性を有
する基準用半導体圧力センサ１２1を用いて簡便且つ高
精度な温度補償が可能な圧力測定ができるようになると
いった効果を奏する。
体圧力センサ１２1及び測定用半導体圧力センサ１６1を
同一の温度雰囲気内に設けることに依り、測定用半導体
圧力センサ１６1と略一致した静電容量の温度特性を有
する基準用半導体圧力センサ１２1を用いて簡便且つ高
精度な温度補償が可能な圧力測定ができるようになると
いった効果を奏する。
【００１０】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の圧力測定装置３０において、前記温度補償回路１０
は、前記測定用半導体圧力センサ１６1の静電容量の変
化から前記基準用半導体圧力センサ１２1の静電容量の
変化を差し引くことに依り前記補償を行うように構成さ
れている、ことを特徴とする圧力測定装置３０である。
の圧力測定装置３０において、前記温度補償回路１０
は、前記測定用半導体圧力センサ１６1の静電容量の変
化から前記基準用半導体圧力センサ１２1の静電容量の
変化を差し引くことに依り前記補償を行うように構成さ
れている、ことを特徴とする圧力測定装置３０である。
【００１１】請求項２に記載の発明に依れば、請求項１
に記載の効果に加えて、温度変化に対して略一致した温
度特性を有する基準用半導体圧力センサ１２1及び測定
用半導体圧力センサ１６1の静電容量の差を求めること
に依り、簡便且つ高精度な温度補償が可能な圧力測定が
できるようになるといった効果を奏する。
に記載の効果に加えて、温度変化に対して略一致した温
度特性を有する基準用半導体圧力センサ１２1及び測定
用半導体圧力センサ１６1の静電容量の差を求めること
に依り、簡便且つ高精度な温度補償が可能な圧力測定が
できるようになるといった効果を奏する。
【００１２】請求項３に記載の発明は、印加圧力の変化
に応じて静電容量が変化する半導体圧力センサを用いて
圧力の測定を行う圧力測定装置において、前記測定用半
導体圧力センサ１６1と、当該測定用半導体圧力センサ
１６1の静電容量に応じた周波数の測定圧発振信号１６
ａを生成する発振回路が設けられた圧力測定手段１６
と、前記測定用半導体圧力センサ１６1と静電容量の温
度特性が略一致した基準用の半導体圧力センサ１２1
と、当該基準用半導体圧力センサ１２1の静電容量に応
じた周波数の基準発振信号１２ａを生成する発振回路が
設けられたレファレンス手段１２が設けられ、前記基準
発振信号１２ａの変化を用いて前記測定圧発振信号１６
ａの変化を補償する温度補償回路１０を有し、前記測定
用半導体圧力センサ１６1を用いて圧力を測定する場合
に、前記基準用半導体圧力センサ１２1を前記測定用半
導体圧力センサ１６1と同一の温度雰囲気内に設けた状
態で前記温度補償回路１０が当該同一温度雰囲気におけ
る前記基準発振信号１２ａの変化を用いて当該同一温度
雰囲気における測定圧発振信号１６ａの変化を補償す
る、ことを特徴とする圧力測定装置３０である。
に応じて静電容量が変化する半導体圧力センサを用いて
圧力の測定を行う圧力測定装置において、前記測定用半
導体圧力センサ１６1と、当該測定用半導体圧力センサ
１６1の静電容量に応じた周波数の測定圧発振信号１６
ａを生成する発振回路が設けられた圧力測定手段１６
と、前記測定用半導体圧力センサ１６1と静電容量の温
度特性が略一致した基準用の半導体圧力センサ１２1
と、当該基準用半導体圧力センサ１２1の静電容量に応
じた周波数の基準発振信号１２ａを生成する発振回路が
設けられたレファレンス手段１２が設けられ、前記基準
発振信号１２ａの変化を用いて前記測定圧発振信号１６
ａの変化を補償する温度補償回路１０を有し、前記測定
用半導体圧力センサ１６1を用いて圧力を測定する場合
に、前記基準用半導体圧力センサ１２1を前記測定用半
導体圧力センサ１６1と同一の温度雰囲気内に設けた状
態で前記温度補償回路１０が当該同一温度雰囲気におけ
る前記基準発振信号１２ａの変化を用いて当該同一温度
雰囲気における測定圧発振信号１６ａの変化を補償す
る、ことを特徴とする圧力測定装置３０である。
【００１３】請求項３に記載の発明に依れば、略一致し
た静電容量に対して相関関係にある発振周波数の温度特
性を有する基準用半導体圧力センサ１２1及び測定用半
導体圧力センサ１６1は、同一ウェハー上に同一の半導
体プロセスを用いて同時に作成される半導体圧力センサ
の中から同一ウェハー上に隣接する半導体圧力センサを
選択すれば、簡単なスクリーニングに依って選出できる
といった効果を奏する。
た静電容量に対して相関関係にある発振周波数の温度特
性を有する基準用半導体圧力センサ１２1及び測定用半
導体圧力センサ１６1は、同一ウェハー上に同一の半導
体プロセスを用いて同時に作成される半導体圧力センサ
の中から同一ウェハー上に隣接する半導体圧力センサを
選択すれば、簡単なスクリーニングに依って選出できる
といった効果を奏する。
【００１４】更に、この様にして選出された基準用半導
体圧力センサ１２1及び測定用半導体圧力センサ１６1を
同一の温度雰囲気内に設けることに依り、測定用半導体
圧力センサ１６1と略一致した静電容量に対して相関関
係にある発振周波数の温度特性を有する基準用半導体圧
力センサ１２1を用いて簡便且つ高精度な温度補償が可
能な圧力測定ができるようになるといった効果を奏す
る。
体圧力センサ１２1及び測定用半導体圧力センサ１６1を
同一の温度雰囲気内に設けることに依り、測定用半導体
圧力センサ１６1と略一致した静電容量に対して相関関
係にある発振周波数の温度特性を有する基準用半導体圧
力センサ１２1を用いて簡便且つ高精度な温度補償が可
能な圧力測定ができるようになるといった効果を奏す
る。
【００１５】請求項４に記載の発明は、請求項３に記載
の圧力測定装置３０において、前記温度補償回路１０
は、前記測定圧発振信号１６ａの変化から前記基準発振
信号１２ａの変化を差し引くことに依り前記補償を行う
ように構成されている、ことを特徴とする圧力測定装置
３０である。
の圧力測定装置３０において、前記温度補償回路１０
は、前記測定圧発振信号１６ａの変化から前記基準発振
信号１２ａの変化を差し引くことに依り前記補償を行う
ように構成されている、ことを特徴とする圧力測定装置
３０である。
【００１６】請求項４に記載の発明に依れば、請求項３
に記載の効果に加えて、温度変化に対して略一致した温
度特性を有する基準用半導体圧力センサ１２1及び測定
用半導体圧力センサ１６1の静電容量に対して相関関係
にある発振周波数の差を求めることに依り、簡便且つ高
精度な温度補償が可能な圧力測定ができるようになると
いった効果を奏する。
に記載の効果に加えて、温度変化に対して略一致した温
度特性を有する基準用半導体圧力センサ１２1及び測定
用半導体圧力センサ１６1の静電容量に対して相関関係
にある発振周波数の差を求めることに依り、簡便且つ高
精度な温度補償が可能な圧力測定ができるようになると
いった効果を奏する。
【００１７】請求項５に記載の発明は、請求項４に記載
の圧力測定装置３０において、前記温度補償回路１０
は、前記基準発振信号１２ａのパルス数を計数すると共
に、所定のパルス数に応じた時間幅を有するゲートパル
ス１４2aを当該基準発振信号１２ａの発振周波数に応じ
た周期で生成するゲート回路１４2と、前記ゲートパル
ス１４2aにかかるゲート時間内における前記測定圧発振
信号１６ａのパルス数を計数して測定パルス数データ１
８ａを生成する測定側パルス計数回路１８を有する、こ
とを特徴とする圧力測定装置３０である。
の圧力測定装置３０において、前記温度補償回路１０
は、前記基準発振信号１２ａのパルス数を計数すると共
に、所定のパルス数に応じた時間幅を有するゲートパル
ス１４2aを当該基準発振信号１２ａの発振周波数に応じ
た周期で生成するゲート回路１４2と、前記ゲートパル
ス１４2aにかかるゲート時間内における前記測定圧発振
信号１６ａのパルス数を計数して測定パルス数データ１
８ａを生成する測定側パルス計数回路１８を有する、こ
とを特徴とする圧力測定装置３０である。
【００１８】請求項５に記載の発明に依れば、請求項４
に記載の効果に加えて、ゲートパルス１４2aを用いてゲ
ート時間内における測定圧発振信号１６ａのパルス数を
計数することに依り、測定用半導体圧力センサ１６1の
発振周波数と基準用半導体圧力センサ１２1の発振周波
数の差を求めることができ、その結果、簡便且つ高精度
な温度補償が可能な圧力測定ができるようになるといっ
た効果を奏する。
に記載の効果に加えて、ゲートパルス１４2aを用いてゲ
ート時間内における測定圧発振信号１６ａのパルス数を
計数することに依り、測定用半導体圧力センサ１６1の
発振周波数と基準用半導体圧力センサ１２1の発振周波
数の差を求めることができ、その結果、簡便且つ高精度
な温度補償が可能な圧力測定ができるようになるといっ
た効果を奏する。
【００１９】請求項６に記載の発明は、請求項５に記載
の圧力測定装置３０において、前記ゲート幅設定回路１
４は、前記基準発振信号１２ａのパルス数を計数して基
準パルス計数信号１４1aを生成する基準側パルス計数回
路１４1と、前記基準パルス計数信号１４1aの計数値が
所定のパルス数に達する毎に前記ゲートパルス１４2aを
生成するゲート回路１４2を有する、ことを特徴とする
圧力測定装置３０である。
の圧力測定装置３０において、前記ゲート幅設定回路１
４は、前記基準発振信号１２ａのパルス数を計数して基
準パルス計数信号１４1aを生成する基準側パルス計数回
路１４1と、前記基準パルス計数信号１４1aの計数値が
所定のパルス数に達する毎に前記ゲートパルス１４2aを
生成するゲート回路１４2を有する、ことを特徴とする
圧力測定装置３０である。
【００２０】請求項６に記載の発明に依れば、請求項５
に記載の効果と同様の効果を奏する。
に記載の効果と同様の効果を奏する。
【００２１】請求項７に記載の発明は、請求項５又は６
に記載の圧力測定装置３０において、前記温度補償回路
１０は、前記ゲート時間内の前記測定圧発振信号１６ａ
のパルス数を計数することに依り前記測定圧発振信号１
６ａの変化から前記基準発振信号１２ａの変化を差し引
いて前記補償を行うように構成されている、ことを特徴
とする圧力測定装置３０である。
に記載の圧力測定装置３０において、前記温度補償回路
１０は、前記ゲート時間内の前記測定圧発振信号１６ａ
のパルス数を計数することに依り前記測定圧発振信号１
６ａの変化から前記基準発振信号１２ａの変化を差し引
いて前記補償を行うように構成されている、ことを特徴
とする圧力測定装置３０である。
【００２２】請求項７に記載の発明に依れば、請求項５
に記載の効果と同様の効果を奏する。
に記載の効果と同様の効果を奏する。
【００２３】請求項８に記載の発明は、請求項７に記載
の圧力測定装置３０において、前記温度補償回路１０
は、前記ゲートパルス１４2aをラッチして保持するラッ
チ回路１４3を有する、ことを特徴とする圧力測定装置
３０である。
の圧力測定装置３０において、前記温度補償回路１０
は、前記ゲートパルス１４2aをラッチして保持するラッ
チ回路１４3を有する、ことを特徴とする圧力測定装置
３０である。
【００２４】請求項８に記載の発明に依れば、請求項７
に記載の効果に加えて、特別な同期回路を用いることな
く温度補償に関する論理演算が簡便且つ高精度に実行で
きるようになるといった効果を奏する。
に記載の効果に加えて、特別な同期回路を用いることな
く温度補償に関する論理演算が簡便且つ高精度に実行で
きるようになるといった効果を奏する。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づき本発明の一実
施形態を説明する。
施形態を説明する。
【００２６】図１は、本発明の圧力測定装置３０の一実
施形態を説明するための回路図である。
施形態を説明するための回路図である。
【００２７】図１に示す圧力測定装置３０は、印加圧力
（単位は［Ｐａ］）の変化に応じて静電容量（単位は
［ｐＦ］）が変化する半導体圧力センサを用い、その静
電容量変化を用いて印加圧力の測定を行う機能を有し、
温度補償回路１０、圧力測定手段１６、Ｄ／Ａコンバー
タ２０、バッファアンプ２２、ゲインオフセット調整ア
ンプ２４を中心にして構成されている。
（単位は［Ｐａ］）の変化に応じて静電容量（単位は
［ｐＦ］）が変化する半導体圧力センサを用い、その静
電容量変化を用いて印加圧力の測定を行う機能を有し、
温度補償回路１０、圧力測定手段１６、Ｄ／Ａコンバー
タ２０、バッファアンプ２２、ゲインオフセット調整ア
ンプ２４を中心にして構成されている。
【００２８】温度補償回路１０は、測定圧発振信号１６
ａの変化から基準発振信号１２ａの変化を差し引くこと
に依り温度補償を行う機能を有し、図１に示すように、
レファレンス手段１２、ゲート幅設定回路１４、測定側
パルス計数回路１８を中心にして構成されている。
ａの変化から基準発振信号１２ａの変化を差し引くこと
に依り温度補償を行う機能を有し、図１に示すように、
レファレンス手段１２、ゲート幅設定回路１４、測定側
パルス計数回路１８を中心にして構成されている。
【００２９】以下、各回路の説明をする。
【００３０】レファレンス手段１２には、基準用半導体
圧力センサ１２1の静電容量（単位は［ｐＦ］）に応じ
た数ＭＨｚ程度の周波数の基準発振信号１２ａを生成す
るために、抵抗素子１２2、シュミットトリガ素子１２
3、基準用半導体圧力センサ１２1から構成される発振回
路が設けられている。
圧力センサ１２1の静電容量（単位は［ｐＦ］）に応じ
た数ＭＨｚ程度の周波数の基準発振信号１２ａを生成す
るために、抵抗素子１２2、シュミットトリガ素子１２
3、基準用半導体圧力センサ１２1から構成される発振回
路が設けられている。
【００３１】基準用半導体圧力センサ１２1の静電容量
は、雰囲気温度の上昇に対して正の温度特性を示し、基
準発振信号１２ａの周波数も、雰囲気温度の上昇に対し
て正の温度特性を示す。
は、雰囲気温度の上昇に対して正の温度特性を示し、基
準発振信号１２ａの周波数も、雰囲気温度の上昇に対し
て正の温度特性を示す。
【００３２】又、シュミットトリガ素子１２3の出力端
と基準側パルス計数回路１４1の入力端の間には、基準
発振信号１２ａを後段の論理レベル（即ち、論理値Ｈ及
び論理値Ｌ）に適合した信号レベルに変換するための波
形成型用のシュミットトリガ素子１２4が設けられてい
ることが望ましい。
と基準側パルス計数回路１４1の入力端の間には、基準
発振信号１２ａを後段の論理レベル（即ち、論理値Ｈ及
び論理値Ｌ）に適合した信号レベルに変換するための波
形成型用のシュミットトリガ素子１２4が設けられてい
ることが望ましい。
【００３３】ここで、基準用の半導体圧力センサ１２1
は、同一ウェハー上に同一の半導体プロセスを用いて同
時に作成される同一ウェハー上の測定用半導体圧力セン
サ１６1に隣接する半導体圧力センサの中から選択され
るので、測定用半導体圧力センサ１６1と静電容量の温
度特性が実質的に同一の温度特性を有することになる。
は、同一ウェハー上に同一の半導体プロセスを用いて同
時に作成される同一ウェハー上の測定用半導体圧力セン
サ１６1に隣接する半導体圧力センサの中から選択され
るので、測定用半導体圧力センサ１６1と静電容量の温
度特性が実質的に同一の温度特性を有することになる。
【００３４】圧力測定手段１６には、測定用半導体圧力
センサ１６1と、測定用半導体圧力センサ１６1の静電容
量に応じた数ＭＨｚ程度の周波数の測定圧発振信号１６
ａを生成するために、抵抗素子１６2、シュミットトリ
ガ素子１６3、測定用半導体圧力センサ１６1から構成さ
れる発振回路が設けられている。
センサ１６1と、測定用半導体圧力センサ１６1の静電容
量に応じた数ＭＨｚ程度の周波数の測定圧発振信号１６
ａを生成するために、抵抗素子１６2、シュミットトリ
ガ素子１６3、測定用半導体圧力センサ１６1から構成さ
れる発振回路が設けられている。
【００３５】測定用半導体圧力センサ１６1の静電容量
は、雰囲気温度の上昇に対して正の温度特性を示し、測
定圧発振信号１６ａの周波数も、雰囲気温度の上昇に対
して正の温度特性を示す。
は、雰囲気温度の上昇に対して正の温度特性を示し、測
定圧発振信号１６ａの周波数も、雰囲気温度の上昇に対
して正の温度特性を示す。
【００３６】又、シュミットトリガ素子１６3の出力端
と測定側パルス計数回路１８の入力端の間には、測定圧
発振信号１６ａを後段の論理レベルに適合した信号レベ
ルに変換するための波形成型用波形成型用のシュミット
トリガ素子１６4が設けられていることが望ましい。
と測定側パルス計数回路１８の入力端の間には、測定圧
発振信号１６ａを後段の論理レベルに適合した信号レベ
ルに変換するための波形成型用波形成型用のシュミット
トリガ素子１６4が設けられていることが望ましい。
【００３７】ゲート幅設定回路１４は、ゲート時間内の
測定圧発振信号１６ａのパルス数を計数することに依り
測定圧発振信号１６ａの変化から基準発振信号１２ａの
変化を差し引いて補償を行う機能を有し、図１に示すよ
うに、基準側パルス計数回路１４1、ゲート回路１４2、
ラッチ回路１４3を有している。
測定圧発振信号１６ａのパルス数を計数することに依り
測定圧発振信号１６ａの変化から基準発振信号１２ａの
変化を差し引いて補償を行う機能を有し、図１に示すよ
うに、基準側パルス計数回路１４1、ゲート回路１４2、
ラッチ回路１４3を有している。
【００３８】具体的には、雰囲気温度が上昇すると基準
発振信号１２ａの周波数が大きくなる結果、ゲート時間
が短くなる。これに依り、雰囲気温度が上昇に伴って測
定圧発振信号１６ａの周波数が大きくなった場合であっ
ても、ゲート時間が短くなることに依り、温度補償がで
きるようになる。
発振信号１２ａの周波数が大きくなる結果、ゲート時間
が短くなる。これに依り、雰囲気温度が上昇に伴って測
定圧発振信号１６ａの周波数が大きくなった場合であっ
ても、ゲート時間が短くなることに依り、温度補償がで
きるようになる。
【００３９】同様の主旨で、雰囲気温度が下降すると基
準発振信号１２ａの周波数が小さくなる結果、ゲート時
間が長くなる。これに依り、雰囲気温度が下降に伴って
測定圧発振信号１６ａの周波数が小さくなった場合であ
っても、ゲート時間が長くなることに依り、温度補償が
できるようになる。
準発振信号１２ａの周波数が小さくなる結果、ゲート時
間が長くなる。これに依り、雰囲気温度が下降に伴って
測定圧発振信号１６ａの周波数が小さくなった場合であ
っても、ゲート時間が長くなることに依り、温度補償が
できるようになる。
【００４０】基準側パルス計数回路１４1は、基準発振
信号１２ａのパルス数を計数して基準パルス計数信号１
４1aを生成する機能を有し、８〜３２ビット程度のアッ
プカウンタを用いることが望ましい。
信号１２ａのパルス数を計数して基準パルス計数信号１
４1aを生成する機能を有し、８〜３２ビット程度のアッ
プカウンタを用いることが望ましい。
【００４１】ゲート回路１４2は、基準発振信号１２ａ
のパルス数を計数すると同時に、所定のパルス数（具体
的には、５０パルス）に応じた時間幅を有するゲートパ
ルス１４2aを基準発振信号１２ａの発振周波数に応じた
周期で生成する機能を有し、図１に示すように、基準側
パルス計数回路１４1の出力ビットＢ１，Ｂ２，Ｂ３の
ＡＮＤ論理演算を実行するための論理素子ＡＮＤを用い
ることが望ましい。なお、本実施形態では、出力ビット
をＢ１，Ｂ２，Ｂ３としているが、これに限定されるも
のではなく、作成したいゲートパルス１４2aのパルス幅
に応じて、基準側パルス計数回路１４1の出力ビットの
中から任意の出力ビットを選択してゲート回路１４2を
用いてＡＮＤ論理演算することができる。
のパルス数を計数すると同時に、所定のパルス数（具体
的には、５０パルス）に応じた時間幅を有するゲートパ
ルス１４2aを基準発振信号１２ａの発振周波数に応じた
周期で生成する機能を有し、図１に示すように、基準側
パルス計数回路１４1の出力ビットＢ１，Ｂ２，Ｂ３の
ＡＮＤ論理演算を実行するための論理素子ＡＮＤを用い
ることが望ましい。なお、本実施形態では、出力ビット
をＢ１，Ｂ２，Ｂ３としているが、これに限定されるも
のではなく、作成したいゲートパルス１４2aのパルス幅
に応じて、基準側パルス計数回路１４1の出力ビットの
中から任意の出力ビットを選択してゲート回路１４2を
用いてＡＮＤ論理演算することができる。
【００４２】ラッチ回路１４3は、ゲートパルス１４2a
をラッチして保持する機能を有し、本実施形態では、Ｄ
フリップフロップを用いることが望ましい。
をラッチして保持する機能を有し、本実施形態では、Ｄ
フリップフロップを用いることが望ましい。
【００４３】これに依り、特別な同期回路を用いること
なく温度補償に関する論理演算が簡便且つ高精度に実行
できるようになるといった効果を奏する。
なく温度補償に関する論理演算が簡便且つ高精度に実行
できるようになるといった効果を奏する。
【００４４】測定側パルス計数回路１８は、ゲートパル
ス１４2aのパルス幅であるゲート時間内における測定圧
発振信号１６ａのパルス数を計数して測定パルス数デー
タ１８ａを生成する機能を有し、図１に示すように、８
〜３２ビット程度のアップカウンタを用いることが望ま
しい。
ス１４2aのパルス幅であるゲート時間内における測定圧
発振信号１６ａのパルス数を計数して測定パルス数デー
タ１８ａを生成する機能を有し、図１に示すように、８
〜３２ビット程度のアップカウンタを用いることが望ま
しい。
【００４５】この様に、ゲートパルス１４2aを用いてゲ
ート時間内における測定圧発振信号１６ａのパルス数を
計数することに依り、測定用半導体圧力センサ１６1の
発振周波数と基準用半導体圧力センサ１２1の発振周波
数の差を求めることができ、その結果、簡便且つ高精度
な温度補償が可能な圧力測定ができるようになるといっ
た効果を奏する。
ート時間内における測定圧発振信号１６ａのパルス数を
計数することに依り、測定用半導体圧力センサ１６1の
発振周波数と基準用半導体圧力センサ１２1の発振周波
数の差を求めることができ、その結果、簡便且つ高精度
な温度補償が可能な圧力測定ができるようになるといっ
た効果を奏する。
【００４６】このような回路構成において、温度補償回
路１０は、測定用半導体圧力センサ１６1を用いて圧力
を測定する場合に、基準用半導体圧力センサ１２1を測
定用半導体圧力センサ１６1と同一の温度雰囲気内に設
けた状態で同一温度雰囲気における基準発振信号１２ａ
の変化を用いて同一温度雰囲気における測定圧発振信号
１６ａの変化を補償することができる。
路１０は、測定用半導体圧力センサ１６1を用いて圧力
を測定する場合に、基準用半導体圧力センサ１２1を測
定用半導体圧力センサ１６1と同一の温度雰囲気内に設
けた状態で同一温度雰囲気における基準発振信号１２ａ
の変化を用いて同一温度雰囲気における測定圧発振信号
１６ａの変化を補償することができる。
【００４７】Ｄ／Ａコンバータ２０は、測定側パルス計
数回路１８の測定パルス数データ１８ａ（ディジタル信
号）に対応するアナログ信号２０ａを生成する機能を有
している。
数回路１８の測定パルス数データ１８ａ（ディジタル信
号）に対応するアナログ信号２０ａを生成する機能を有
している。
【００４８】ゲインオフセット調整アンプ２４は、アナ
ログ信号２０ａを所定の倍率に増幅して増幅信号２２ａ
を生成する機能を有し、本実施形態では、オペアンプを
用いることが望ましい。
ログ信号２０ａを所定の倍率に増幅して増幅信号２２ａ
を生成する機能を有し、本実施形態では、オペアンプを
用いることが望ましい。
【００４９】バッファアンプ２２は、Ｄ／Ａコンバータ
２０がオペアンプ２４を負荷として駆動することが難し
い様な場合に増幅信号２２ａを受けてバッファ信号２４
ａを生成するときに用いられることが望ましい。
２０がオペアンプ２４を負荷として駆動することが難し
い様な場合に増幅信号２２ａを受けてバッファ信号２４
ａを生成するときに用いられることが望ましい。
【００５０】以上説明したように、圧力測定装置３０に
依れば、実質的に同一の静電容量に対して相関関係にあ
る発振周波数の温度特性を有する基準用半導体圧力セン
サ１２1及び測定用半導体圧力センサ１６1は、同一ウェ
ハー上に同一の半導体プロセスを用いて同時に作成され
る半導体圧力センサの中から同一ウェハー上に隣接する
半導体圧力センサを選択すれば、簡単なスクリーニング
に依って選出できるといった効果を奏する。
依れば、実質的に同一の静電容量に対して相関関係にあ
る発振周波数の温度特性を有する基準用半導体圧力セン
サ１２1及び測定用半導体圧力センサ１６1は、同一ウェ
ハー上に同一の半導体プロセスを用いて同時に作成され
る半導体圧力センサの中から同一ウェハー上に隣接する
半導体圧力センサを選択すれば、簡単なスクリーニング
に依って選出できるといった効果を奏する。
【００５１】更に、この様にして選出された基準用半導
体圧力センサ１２1及び測定用半導体圧力センサ１６1を
同一の温度雰囲気内に設けることに依り、測定用半導体
圧力センサ１６1と実質的に同一の静電容量に対して相
関関係にある発振周波数の温度特性を有する基準用半導
体圧力センサ１２1を用いて簡便且つ高精度な温度補償
が可能な圧力測定ができるようになるといった効果を奏
する。
体圧力センサ１２1及び測定用半導体圧力センサ１６1を
同一の温度雰囲気内に設けることに依り、測定用半導体
圧力センサ１６1と実質的に同一の静電容量に対して相
関関係にある発振周波数の温度特性を有する基準用半導
体圧力センサ１２1を用いて簡便且つ高精度な温度補償
が可能な圧力測定ができるようになるといった効果を奏
する。
【００５２】
【発明の効果】請求項１に記載の発明に依れば、略一致
した静電容量の温度特性を有する基準用半導体圧力セン
サ及び測定用半導体圧力センサは、同一ウェハー上に同
一の半導体プロセスを用いて同時に作成される半導体圧
力センサの中から同一ウェハー上に隣接する半導体圧力
センサを選択すれば、簡単なスクリーニングに依って選
出できるといった効果を奏する。
した静電容量の温度特性を有する基準用半導体圧力セン
サ及び測定用半導体圧力センサは、同一ウェハー上に同
一の半導体プロセスを用いて同時に作成される半導体圧
力センサの中から同一ウェハー上に隣接する半導体圧力
センサを選択すれば、簡単なスクリーニングに依って選
出できるといった効果を奏する。
【００５３】更に、この様にして選出された基準用半導
体圧力センサ及び測定用半導体圧力センサを同一の温度
雰囲気内に設けることに依り、測定用半導体圧力センサ
と略一致した静電容量の温度特性を有する基準用半導体
圧力センサを用いて簡便且つ高精度な温度補償が可能な
圧力測定ができるようになるといった効果を奏する。
体圧力センサ及び測定用半導体圧力センサを同一の温度
雰囲気内に設けることに依り、測定用半導体圧力センサ
と略一致した静電容量の温度特性を有する基準用半導体
圧力センサを用いて簡便且つ高精度な温度補償が可能な
圧力測定ができるようになるといった効果を奏する。
【００５４】請求項２に記載の発明に依れば、請求項１
に記載の効果に加えて、温度変化に対して略一致した温
度特性を有する基準用半導体圧力センサ及び測定用半導
体圧力センサの静電容量の差を求めることに依り、簡便
且つ高精度な温度補償が可能な圧力測定ができるように
なるといった効果を奏する。
に記載の効果に加えて、温度変化に対して略一致した温
度特性を有する基準用半導体圧力センサ及び測定用半導
体圧力センサの静電容量の差を求めることに依り、簡便
且つ高精度な温度補償が可能な圧力測定ができるように
なるといった効果を奏する。
【００５５】請求項３に記載の発明に依れば、略一致し
た静電容量に対して相関関係にある発振周波数の温度特
性を有する基準用半導体圧力センサ及び測定用半導体圧
力センサは、同一ウェハー上に同一の半導体プロセスを
用いて同時に作成される半導体圧力センサの中から同一
ウェハー上に隣接する半導体圧力センサを選択すれば、
簡単なスクリーニングに依って選出できるといった効果
を奏する。
た静電容量に対して相関関係にある発振周波数の温度特
性を有する基準用半導体圧力センサ及び測定用半導体圧
力センサは、同一ウェハー上に同一の半導体プロセスを
用いて同時に作成される半導体圧力センサの中から同一
ウェハー上に隣接する半導体圧力センサを選択すれば、
簡単なスクリーニングに依って選出できるといった効果
を奏する。
【００５６】更に、この様にして選出された基準用半導
体圧力センサ及び測定用半導体圧力センサを同一の温度
雰囲気内に設けることに依り、測定用半導体圧力センサ
と略一致した静電容量に対して相関関係にある発振周波
数の温度特性を有する基準用半導体圧力センサを用いて
簡便且つ高精度な温度補償が可能な圧力測定ができるよ
うになるといった効果を奏する。
体圧力センサ及び測定用半導体圧力センサを同一の温度
雰囲気内に設けることに依り、測定用半導体圧力センサ
と略一致した静電容量に対して相関関係にある発振周波
数の温度特性を有する基準用半導体圧力センサを用いて
簡便且つ高精度な温度補償が可能な圧力測定ができるよ
うになるといった効果を奏する。
【００５７】請求項４に記載の発明に依れば、請求項３
に記載の効果に加えて、温度変化に対して略一致した温
度特性を有する基準用半導体圧力センサ及び測定用半導
体圧力センサの静電容量に対して相関関係にある発振周
波数の差を求めることに依り、簡便且つ高精度な温度補
償が可能な圧力測定ができるようになるといった効果を
奏する。
に記載の効果に加えて、温度変化に対して略一致した温
度特性を有する基準用半導体圧力センサ及び測定用半導
体圧力センサの静電容量に対して相関関係にある発振周
波数の差を求めることに依り、簡便且つ高精度な温度補
償が可能な圧力測定ができるようになるといった効果を
奏する。
【００５８】請求項５に記載の発明に依れば、請求項４
に記載の効果に加えて、ゲートパルスを用いてゲート時
間内における測定圧発振信号のパルス数を計数すること
に依り、測定用半導体圧力センサの発振周波数と基準用
半導体圧力センサの発振周波数の差を求めることがで
き、その結果、簡便且つ高精度な温度補償が可能な圧力
測定ができるようになるといった効果を奏する。
に記載の効果に加えて、ゲートパルスを用いてゲート時
間内における測定圧発振信号のパルス数を計数すること
に依り、測定用半導体圧力センサの発振周波数と基準用
半導体圧力センサの発振周波数の差を求めることがで
き、その結果、簡便且つ高精度な温度補償が可能な圧力
測定ができるようになるといった効果を奏する。
【００５９】請求項６に記載の発明に依れば、請求項５
に記載の効果と同様の効果を奏する。
に記載の効果と同様の効果を奏する。
【００６０】請求項７に記載の発明に依れば、請求項５
に記載の効果と同様の効果を奏する。
に記載の効果と同様の効果を奏する。
【００６１】請求項８に記載の発明に依れば、請求項７
に記載の効果に加えて、特別な同期回路を用いることな
く温度補償に関する論理演算が簡便且つ高精度に実行で
きるようになるといった効果を奏する。
に記載の効果に加えて、特別な同期回路を用いることな
く温度補償に関する論理演算が簡便且つ高精度に実行で
きるようになるといった効果を奏する。
【図１】本発明の圧力測定装置の一実施形態を説明する
ための回路図である。
ための回路図である。
【図２】従来の圧力測定装置を説明するための回路図で
ある。
ある。
１０ 温度補償回路 １２ レファレンス手段 １２ａ 基準発振信号 １２1 基準用半導体圧力センサ １４ ゲート幅設定回路 １４1 基準側パルス計数回路 １４1a 基準パルス計数信号 １４2 ゲート回路 １４2a ゲートパルス １４3 ラッチ回路 １６ 圧力測定手段 １６ａ 測定圧発振信号 １６1 測定用半導体圧力センサ １８ 測定側パルス計数回路 １８ａ 測定パルス数データ ３０ 圧力測定装置
Claims (8)
- 【請求項１】 印加圧力の変化に応じて静電容量が変化
する半導体圧力センサを用いて圧力の測定を行う圧力測
定装置において、 前記測定用半導体圧力センサが設けられた圧力測定手段
と、前記測定用半導体圧力センサと静電容量の温度特性
が略一致した基準用の半導体圧力センサが設けられたレ
ファレンス手段が設けられ、前記基準用半導体圧力セン
サの静電容量の変化を用いて前記測定用半導体圧力セン
サの静電容量の変化を補償する温度補償回路を有し、 前記測定用半導体圧力センサを用いて圧力を測定する場
合に、前記基準用半導体圧力センサを前記測定用半導体
圧力センサと同一の温度雰囲気内に設けた状態で前記温
度補償回路が当該同一温度雰囲気における基準用半導体
圧力センサの静電容量の変化を用いて当該同一温度雰囲
気における測定用半導体圧力センサの静電容量の変化を
補償する、 ことを特徴とする圧力測定装置。 - 【請求項２】 前記温度補償回路は、前記測定用半導体
圧力センサの静電容量の変化から前記基準用半導体圧力
センサの静電容量の変化を差し引くことに依り前記補償
を行うように構成されている、 ことを特徴とする請求項１に記載の圧力測定装置。 - 【請求項３】 印加圧力の変化に応じて静電容量が変化
する半導体圧力センサを用いて圧力の測定を行う圧力測
定装置において、 前記測定用半導体圧力センサと、当該測定用半導体圧力
センサの静電容量に応じた周波数の測定圧発振信号を生
成する発振回路が設けられた圧力測定手段と、前記測定
用半導体圧力センサと静電容量の温度特性が略一致した
基準用の半導体圧力センサと、当該基準用半導体圧力セ
ンサの静電容量に応じた周波数の基準発振信号を生成す
る発振回路が設けられたレファレンス手段が設けられ、
前記基準発振信号の変化を用いて前記測定圧発振信号の
変化を補償する温度補償回路を有し、 前記測定用半導体圧力センサを用いて圧力を測定する場
合に、前記基準用半導体圧力センサを前記測定用半導体
圧力センサと同一の温度雰囲気内に設けた状態で前記温
度補償回路が当該同一温度雰囲気における前記基準発振
信号の変化を用いて当該同一温度雰囲気における測定圧
発振信号の変化を補償する、 ことを特徴とする圧力測定装置。 - 【請求項４】 前記温度補償回路は、前記測定圧発振信
号の変化から前記基準発振信号の変化を差し引くことに
依り前記補償を行うように構成されている、 ことを特徴とする請求項３に記載の圧力測定装置。 - 【請求項５】 前記温度補償回路は、前記基準発振信号
のパルス数を計数すると共に、所定のパルス数に応じた
時間幅を有するゲートパルスを当該基準発振信号の発振
周波数に応じた周期で生成するゲート回路と、 前記ゲートパルスにかかるゲート時間内における前記測
定圧発振信号のパルス数を計数して測定パルス数データ
を生成する測定側パルス計数回路を有する、 ことを特徴とする請求項４に記載の圧力測定装置。 - 【請求項６】 前記ゲート幅設定回路は、前記基準発振
信号のパルス数を計数して基準パルス計数信号を生成す
る基準側パルス計数回路と、前記基準パルス計数信号の
計数値が所定のパルス数に達する毎に前記ゲートパルス
を生成するゲート回路を有する、 ことを特徴とする請求項５に記載の圧力測定装置。 - 【請求項７】 前記温度補償回路は、前記ゲート時間内
の前記測定圧発振信号のパルス数を計数することに依り
前記測定圧発振信号の変化から前記基準発振信号の変化
を差し引いて前記補償を行うように構成されている、 ことを特徴とする請求項５又は６に記載の圧力測定装
置。 - 【請求項８】 前記温度補償回路は、前記ゲートパルス
をラッチして保持するラッチ回路を有する、 ことを特徴とする請求項７に記載の圧力測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6469697A JPH10260103A (ja) | 1997-03-18 | 1997-03-18 | 圧力測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6469697A JPH10260103A (ja) | 1997-03-18 | 1997-03-18 | 圧力測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10260103A true JPH10260103A (ja) | 1998-09-29 |
Family
ID=13265581
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6469697A Withdrawn JPH10260103A (ja) | 1997-03-18 | 1997-03-18 | 圧力測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10260103A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100433329C (zh) * | 2005-11-14 | 2008-11-12 | 旺玖科技股份有限公司 | 电容不匹配自动校正电路 |
| CN112838023A (zh) * | 2019-11-25 | 2021-05-25 | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司 | 一种半导体制造设备的补偿调节方法、装置及系统 |
-
1997
- 1997-03-18 JP JP6469697A patent/JPH10260103A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100433329C (zh) * | 2005-11-14 | 2008-11-12 | 旺玖科技股份有限公司 | 电容不匹配自动校正电路 |
| CN112838023A (zh) * | 2019-11-25 | 2021-05-25 | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司 | 一种半导体制造设备的补偿调节方法、装置及系统 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH01502933A (ja) | 周波数カウント装置および方法 | |
| Reverter et al. | Analysis of power-supply interference effects on direct sensor-to-microcontroller interfaces | |
| US3338100A (en) | Non-contact resonant thermometer | |
| US7184908B2 (en) | Calibration method of time measurement apparatus | |
| JP3196254B2 (ja) | 微小時間計測方法及び微小時間計測装置 | |
| EP3687071B1 (en) | Circuit for sensing an analog signal generated by a sensor, corresponding electronic system and method | |
| US5831485A (en) | Method and apparatus for producing a temperature stable frequency using two oscillators | |
| JPH08278336A (ja) | 静電センサ装置 | |
| JPH10260103A (ja) | 圧力測定装置 | |
| JPH06241972A (ja) | 化学センシング装置 | |
| JPH02156102A (ja) | ガラス容器の肉厚の検査機械 | |
| EP0434030A1 (en) | Pressure detector by use of quartz oscillator | |
| US7519484B2 (en) | Power supply monitor | |
| Schneider et al. | Novel impedance interface for resonant high-temperature gas sensors | |
| US10317443B2 (en) | Integrated capacitance measurement | |
| JP4763683B2 (ja) | 波形測定装置の評価装置および評価方法ならびにジッター測定方法 | |
| Zakrzewski | Error Propagation in the Interface Electronics for Passive Sensors | |
| JPS5895230A (ja) | 電子式温度測定方法及び装置 | |
| TWI841958B (zh) | 溫度測量電路、方法 | |
| JP3849014B2 (ja) | 高周波発振回路 | |
| JPH11298317A (ja) | 計数装置、静電容量型センサ及び周波数差測定装置 | |
| JPH07109845B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
| Waltrip et al. | Improved time-base for waveform parameter estimation | |
| TW202344815A (zh) | 溫度測量電路、方法 | |
| CN115307756A (zh) | 温度测量电路、方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040601 |