JPH10259432A - 低酸素チタン材および低酸素チタン溶解素材の製造方法 - Google Patents

低酸素チタン材および低酸素チタン溶解素材の製造方法

Info

Publication number
JPH10259432A
JPH10259432A JP2263698A JP2263698A JPH10259432A JP H10259432 A JPH10259432 A JP H10259432A JP 2263698 A JP2263698 A JP 2263698A JP 2263698 A JP2263698 A JP 2263698A JP H10259432 A JPH10259432 A JP H10259432A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
titanium
sponge
atmosphere
oxygen
titanium material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2263698A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2921790B2 (ja
Inventor
Kazuhiko Kobayashi
一彦 小林
Katsuichi Takahashi
勝一 高橋
Susumu Kosemura
晋 小瀬村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toho Titanium Co Ltd
Original Assignee
Toho Titanium Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=26358102&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JPH10259432(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Toho Titanium Co Ltd filed Critical Toho Titanium Co Ltd
Priority to JP2263698A priority Critical patent/JP2921790B2/ja
Publication of JPH10259432A publication Critical patent/JPH10259432A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2921790B2 publication Critical patent/JP2921790B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
  • Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 酸素含有率が250ppm以下の高品位を有
し、スパッタリング用ターゲット材などの用途に十分適
用可能な低酸素チタン材および低酸素チタン溶解素材の
製造方法を提供する。 【解決手段】 クロール法で製造したスポンジチタンケ
ーキを、切断して選別し、選別したスポンジチタンを粉
砕し、さらに、粉砕したスポンジチタンを整粒してチタ
ン材を得るといった一連の破砕工程、ならびに破砕工程
を経て得たチタン材を溶解素材に加工・成形する成形工
程を、絶対湿度が10g−H2O/m3以下の雰囲気下で
行うことにより、チタン材およびチタン溶解素材の酸素
含有率を、少なくとも250ppm以下に抑える。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、スポンジチタンケーキ
から低酸素のチタン材を製造する方法および製造したチ
タン材をチタン溶解素材に加工・成形する方法、さらに
はこの溶解素材をEB炉やVAR炉に装着する方法に係
り、特に、LSI等の半導体素子の製造に用いられるス
パッタリング用ターゲット材に適した低酸素チタン材お
よび低酸素チタン溶解素材の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】LSIの配線層やバリヤ層をスパッタリ
ング法により形成するために使用されるチタンターゲッ
ト材には、最近のLSIの高密度化に伴い、4N(フォ
ー・ナイン(ガス成分を除く金属成分の純度))は勿論
のこと、場合によっては5Nないし6Nというグレード
のきわめて高純度の品位が要求されている。具体的に
は、不純物元素であるFe、Cr、Niについては5p
pm以下、場合によっては1ppm以下であることが要
求される。また、Na、Kについてはそれぞれ0.1p
pm以下、場合によっては0.05ppm以下であるこ
とが要求される。さらに、酸素については250ppm
以下であることが要求され、望ましくは200ppm以
下、さらに望ましくは150ppm以下がよいとされて
いる。これらの不純物元素の含有率は、低ければ低い程
好ましいことは言うまでもない。
【0003】高純度のチタン材の製造方法としては、従
来、多くの製造方法が提案されている。たとえば、特開
平7−258765号公報には、原料となるスポンジチ
タンの製造工程において、スポンジチタンの中心部分を
選別し、これを10〜700mmに切断した後に溶解す
ることにより酸素含有率が300ppm以下の高純度チ
タン材を製造する方法が開示されている。また、特開平
3−130339号公報には、スポンジチタン粒を篩別
した後、プレス成形後にEB(Electron beam)溶解す
ることにより、製品インゴット中の酸素含有率が350
ppm以下のチタン材を得る方法も提案されている。こ
のほか、高純度チタン材の製造方法については、特開平
3−215633号公報や特開平7−173551号公
報に開示されているヨード法、また、特開平7−418
90号公報や特開平8−60350号公報に開示されて
いる電解法とEB溶解を組み合わせた製造方法も知られ
ている。さらには、特開平7−258765号公報に開
示されているように、クロール法で得られたスポンジチ
タンをVAR(Consumable electrode vacuum arcremel
ting)溶解して製造する方法等も開示されている。
【0004】これらの製造方法のうち、クロール法は大
量生産に向いているため経済性の点では他の方法より優
れている。しかしながら、通常のクロール法で製造され
たスポンジチタンでは、高純度チタン材に要求される品
質を満足することができないため、不純物元素の含有率
がきわめて低いTiCl4 およびMgをスポンジチタン
の原料とするとともに、還元反応を行う容器に特別な工
夫を凝らして、Fe、Cr、Ni、Na、K等の不純物
金属成分を低レベルに抑えるようにしている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】一方、酸素について
は、大気と接触する機会の多いスポンジチタンの破砕工
程において汚染される可能性が高い。通常、クロール法
で製造したスポンジチタンケーキは、まず、ギロチン式
のプレス切断機で切断した後、部位別に選別し、次に、
選別したスポンジチタンを粉砕して粒度を調整(整粒)
し、整粒したスポンジチタンをドラム缶内にアルゴン封
入する包装工程を経て製品としている。このような、切
断、選別、粉砕、整粒、包装といった一連の工程(ここ
でこの一連の工程を破砕工程と包括的に称する。また、
その一部の工程とは、切断、選別、粉砕、整粒、包装の
いずれか、もしくは2つ以上の工程の組み合わせを言
う。)を経て製造されたチタン材は、各工程を経る毎に
比表面積が大きくなるので、大気中の水分および酸素と
の接触で酸化され易く、しかも、酸化防止の対策を講じ
ることが困難である。このため、破砕して得られたチタ
ン材の中で酸素の低い部分だけを選別して酸素含有率の
基準を満足させているのが実情である。もっとも、目標
とする純度を満足する部分を有するチタン材を製造でき
ないこともあるから、出来上がったものをただ選別する
だけでは品位の安定した製品の供給は望めない。また、
湿度の高い夏季に製造されたチタン材は、冬季に製造さ
れたものに比べて酸素含有率が高くなる傾向にあって製
品歩留まりが低下するという問題がある。しかも、この
ようにしてチタン材に吸収された酸素は、後に、チタン
材をプレス成形もしくはチタン製容器に充填する等によ
り得たチタン溶解素材をVAR溶解やEB溶解で溶解し
てチタンインゴットを得る際にも除去できずチタンイン
ゴット中に持ち込まれる。したがって、溶融塩電解法も
しくはヨード法により精製したチタン材を使用するか、
もしくは同法によって得られたチタン材をクロール法で
得られたスポンジチタンに混合する等の方法を除いて
は、酸素の含有率を下げる手段はない。
【0006】このように、クロール法で製造したスポン
ジチタンをもとに低酸素のチタン材を製造する際には、
破砕工程のみならず、破砕工程で製造されたスポンジチ
タンを溶解素材に加工・成形する工程、さらにはこの溶
解素材を溶解炉に装着する工程を経る間に、酸素含有率
をいかにして上昇させないかが重要な課題である。よっ
て本発明は、クロール法により製造したスポンジチタン
から、酸素含有率が250ppm以下、好ましくは20
0ppm以下のチタン材を安定して製造することができ
る低酸素チタン材の製造方法、およびこの製造方法で得
られたチタン材をプレス成形もしくはチタン製容器に充
填する等により得られるチタン溶解素材をEB溶解やV
AR溶解して得るチタンインゴットの酸素含有率が25
0ppm以下、さらには200ppm以下のチタンイン
ゴットとなり得るような製造方法を提供することを目的
としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明のチタン材の製造
方法の説明に先立ち、クロール法によるスポンジチタン
の製造方法の一例について簡単に説明する。クロール法
では、原料鉱石を塩素ガスで塩化して粗四塩化チタンを
製造する塩化工程と、この塩化工程で製造された粗四塩
化チタンを蒸留して精製する蒸留工程と、アルゴン等の
不活性ガス雰囲気の容器の中で四塩化チタンをマグネシ
ウムで還元する還元工程とを有している。この場合の還
元反応は、下記式で表される。なお、下記式に示すよう
に、余剰のMgを添加するのは、スポンジチタンの網目
にMgが捕捉されるからである。
【0008】
【式1】 TiCl4+3Mg→Ti+2MgCl2+Mg
【0009】上記反応により生成するチタン材は、スポ
ンジ状に成長する。そして、上記生成物から残留マグネ
シウムと還元反応で副生した塩化マグネシウムを真空分
離し、この後、破砕工程、すなわち、スポンジチタンを
プレス切断して高純度部分を選別し、粉砕、整粒、包装
する工程を経て、チタン材を得る。なお、上記反応によ
り副生する塩化マグネシウムは電気分解してマグネシウ
ムと塩素ガスに分離し、塩素ガスは塩化工程で再利用
し、マグネシウムは還元工程で再利用する。
【0010】さて、真空分離後のスポンジチタンの表面
は活性なため酸化を受けやすく、大気に接触すると酸化
膜が形成される。ところが、酸化膜が一旦形成されると
緻密であるためそれ以上内部に酸素が供給されにくくな
り、その後は、酸素含有率は殆ど上昇しないことが知ら
れている。しかしながら、本発明者の検討によれば、ス
ポンジチタンの網目にMgCl2 が残留していると大気
中の水分がこれに吸収され、そのため、スポンジチタン
の破砕工程(特に破砕工程の中でも粉砕工程)における
雰囲気中の湿度が高いと、スポンジチタン中の酸素含有
量が増加する傾向にあり、逆に、破砕工程における雰囲
気中の湿度が低ければ低い程、スポンジチタンの酸素汚
染が抑制されるものと推論している。
【0011】本発明者は、クロール法で製造したスポン
ジチタンをLSI用ターゲット材に使用するために、上
記推論のもとに、特に、高純度スポンジチタンにつき、
その破砕方法および破砕したチタン材を溶解素材(ブリ
ケットやコンパクト、あるいはチタン製容器にスポンジ
チタンを充填したもの等)に加工・成形する方法につい
て種々検討を重ねた結果、所定の雰囲気条件下では酸素
汚染がきわめて少なくなり、溶解素材を溶解して最終的
に得られたチタンインゴットが、目的とする酸素レベル
になることを見い出した。
【0012】すなわち、本発明者は、まず上記破砕工程
中の粉砕工程を行う雰囲気中の絶対湿度を種々設定した
ところ、雰囲気中の絶対湿度が10g−H2O/m3以下
であると、粉砕工程後に得られるチタン材中の酸素含有
率が250ppm以下になることを見い出した。また、
雰囲気中の絶対湿度が7g−H2O/m3以下の場合に
は、チタン材中の酸素含有率が200ppm以下になる
こと、さらに、雰囲気中の絶対湿度が5g−H2O/m3
以下の場合には、チタン材中の酸素含有率がさらに低下
することを見い出した。
【0013】よって、本発明は上記知見に基づいてなさ
れたもので、クロール法で製造したスポンジチタンケー
キを切断して選別し、選別したスポンジチタンを工具を
用いて粉砕するチタン材の製造方法において、スポンジ
チタンの粉砕を、絶対湿度が10g−H2O/m3以下の
雰囲気下で行うことを特徴とするものである。なお、要
求されるチタン材の純度によっては、破砕工程を行う雰
囲気中の絶対湿度は7g−H2O/m3以下であることが好
ましく、5g−H2O/m3以下であればさらに好適であ
る。
【0014】ここで、本発明者の検討によれば、粉砕を
行う雰囲気の温度が25゜C以下であると、スポンジチ
タン中の酸素含有量が200ppm以下になることも判
った。よって、チタン材に要求される純度によっては、
上記湿度条件に加えて雰囲気の温度を25゜C以下にす
ることが望ましい。さらに、本発明者は、工具に付着し
た僅かな水分も酸素汚染の原因となっていることも見い
出した。よって、粉砕に使用する工具も上記のような空
気雰囲気下でコンディショニングしておくことが望まし
い。
【0015】粉砕する場所の雰囲気の絶対湿度や温度
は、温度を調整した乾燥空気を粉砕室内に供給すること
で調整することができる。あるいは、粉砕室内に除湿器
やエアーコンディショナーを配置して絶対湿度と温度と
を制御することもできる。また、粉砕室に作業者が入っ
て粉砕を行うこともできるが、自動粉砕機を利用して無
人で行っても良く、この場合、乾燥空気に代えて乾燥不
活性ガスを粉砕室内に供給することにより、スポンジチ
タンの初期の酸化を抑制することができ、酸素による汚
染をより確実に防止することができる。
【0016】さて、本発明者は、粉砕工程のみならず、
スポンジチタンケーキの切断から始まって、選別、粉
砕、整粒、包装までの破砕工程全体もしくは一部の工程
を、上記と同様の雰囲気下で行うことにより、最終製品
であるチタン材中の酸素含有率が250ppm以下にな
ることを見い出した。さらに、このチタン材をプレス成
形して溶解素材を製造する際の雰囲気中の絶対湿度を種
々設定したところ、雰囲気中の絶対湿度が10g−H2
O/m3以下で製造した溶解素材をEB溶解もしくはV
AR溶解して得たチタンインゴット中の酸素含有率が、
250ppm以下になること、さらに、酸素含有率を低
下させるには、7g−H2O/m3以下が好ましく、3g
−H2O/m3以下であればさらに酸素を低減することが
できることを見い出した。
【0017】よって本発明は、クロール法で製造したス
ポンジチタンケーキを切断して選別し、選別したスポン
ジチタンを粉砕し、粉砕したスポンジチタンを整粒し、
さらに包装するといった破砕工程を、所定の工具を用い
て行うことによってチタン材を得るにあたり、その破砕
の全工程もしくは同工程の一部の工程を、絶対湿度が1
0g−H2O/m3以下の雰囲気下で行うことを特徴とし
ている。ここで、所定の工具とは、切断の際に用いるギ
ロチン式のプレス切断刃および粉砕工程時に使用する小
型プレスの切断刃等を意味する。
【0018】ここで、本発明者の検討によれば、スポン
ジチタンの破砕工程を行う雰囲気中の温度が25℃以下
であると、破砕後のチタン材中の酸素含有率が250p
pm以下になることも見い出した。よって、チタン材に
要求される純度によっては、上記湿度条件に加えて、雰
囲気温度を25℃以下にすることが望ましい。さらに、
破砕工程の際に用いる所定の工具に付着した僅かな水分
も酸素汚染の原因となるので、破砕工程時において使用
する粉砕機、搬送機、混合機などに用いられる工具も、
上記のような空気雰囲気下でコンディショニングしてお
くことが望ましい。
【0019】また、本発明は、上記破砕工程を経て製造
したチタン材をブリケットやコンパクト、あるいはチタ
ン製容器にスポンジチタンを充填したもの等の溶解素材
に加工・成形する工程を、破砕工程と同様に、絶対湿度
が10g−H2O/m3以下、温度が25℃以下の雰囲気
下で行うことを特徴としている。なお、チタン溶解素材
を溶解して得るチタンインゴットに要求される純度によ
っては、加工・成形時の雰囲気中の絶対湿度は7g−H
2O/m3以下であることが好ましく、3g−H2O/m3
以下であればさらに好適である。さらには、前記チタン
溶解素材をEB溶解炉内やVAR溶解炉内に装入する際
にも、その雰囲気中の絶対温度をコントロールすること
で、さらにチタン溶解素材の酸素汚染を抑えることがで
きる。
【0020】破砕工程や加工・成形工程における雰囲気
中の絶対湿度や温度は、絶対湿度の低い乾燥空気を工程
室内に供給することで調整することができる。あるい
は、工程室内に除湿器やエアコンディショナーを設置し
て絶対湿度と温度を制御することもできる。また、工程
室内に作業者が入って作業を行うこともできるが、自動
破砕機や自動成形機を利用して無人で行ってもよく、こ
の場合、乾燥空気に代えて酸素を含まない窒素ガスやア
ルゴンガスのような乾燥不活性ガスを工程室内に供給す
ることによって、スポンジチタンの初期の酸化を抑制す
ることができ、酸素汚染をより確実に防止することがで
きる。
【0021】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。前述したように、スポンジチタン中
の酸素含有率は大気中に含まれる酸素と水分の量に左右
される。そこで、大気中の水分の影響に着目し、とりわ
けスポンジチタンの破砕工程(切断、選別、粉砕、整
粒、包装)およびこの破砕工程を経て得られた製品スポ
ンジチタンの溶解素材への加工・成形工程、さらにはこ
の溶解素材をEB溶解炉やVAR溶解炉に装着する工程
に着目して酸素汚染防止を図った。具体的には、スポン
ジチタンケーキの切断は、通常、大気中で行われるの
で、その作業中はスポンジチタンケーキと切断後のスポ
ンジチタンとが大気と直接接触する。このため、水分の
高い夏季にはチタン材中の酸素含有率が上昇する傾向に
ある。また、スポンジチタンケーキを切断して得られた
スポンジチタンの粉砕は、通常、シャーと呼ばれる自動
粉砕機を用いて行われるが、この粉砕時には、スポンジ
チタンの粉砕後のチタン材が大気と直接接触するので、
やはり、水分の高い夏期にはチタン材中の酸素含有率が
上昇しやすい。さらに、破砕工程を経たチタン材のプレ
ス成形工程においても、同様にして酸素含有率が上昇す
るおそれがある。
【0022】そこで、本実施の形態では、スポンジチタ
ンケーキのプレス切断、プレス切断して得たスポンジチ
タンの選別、選別したスポンジチタンの粉砕および整粒
といった一連の破砕工程、さらには、整粒して得たチタ
ン材をブリケットやコンパクト、あるいはチタン製容器
にスポンジチタンを充填したもの等の溶解素材を製造す
る加工・成形工程を行う各工程室を、さらにはこの溶解
素材をEB溶解炉やVAR溶解炉に装着する工程室を、
それぞれ密閉性の高いものとし、絶対湿度の低い乾燥空
気を工程室内に供給してそれぞれの工程の雰囲気中の絶
対湿度を抑えた。これによって、大気中の水分吸収によ
る酸素汚染防止を図った。なお、各工程室内を調湿する
にあたっては、専用の除湿器を工程室内に設置して雰囲
気中の絶対湿度を制御してもよい。本実施の形態では、
各工程室内の絶対湿度および温度の目標値は、本発明の
作用、効果を得ることができる上限値として、それぞれ
10g−H2O/m3以下、25℃以下とした。
【0023】破砕工程においては、破砕工程室内に乾燥
空気を供給し、同室内の絶対湿度および温度が前記目標
値で安定するまで待ってから、まず、搬入しておいたス
ポンジチタンケーキをプレス切断機で切断してスポンジ
チタン塊を得る。次に、該スポンジチタン塊から、酸素
含有率の少ない部分を選別し、それらを粉砕機で粉砕す
る。粉砕機は前記シャーでもよいが、湿度および温度管
理を容易にする点で、小型プレス粉砕機の方が好まし
い。次に、粉砕したスポンジチタンを整粒してチタン材
とし、これを素早くドラム缶に入れ、アルゴンガスを封
入して密閉する。ただし、調湿開始後の温度変化によっ
て大気中の水分がプレス切断機や小型プレス粉砕機に結
露し、その結果、最終的に得るチタン材中の酸素が上昇
するおそれがある。このため、破砕工程を開始する前
に、破砕工程室内への乾燥空気の供給を十分に行い、使
用する各工具を十分に乾燥しておく。このような方法で
破砕工程室内の調湿を行ってスポンジチタンの破砕工程
を行うことにより、得られるチタン材の酸素含有率を、
250ppm以下に抑えることができる。
【0024】次に、チタン材を保存したドラム缶を加工
・成形工程室内に搬入してから、同工程室内に乾燥空気
を供給し、同室内の絶対湿度および温度が前記目標値で
安定するまで待つ。この後、ドラム缶内からチタン材を
取り出し、プレス成形機等によってチタン材をブリケッ
トやコンパクトといった溶解素材に加工・成形する。こ
の加工・成形工程においても、調湿開始後の温度変化に
よって大気中の水分がプレス成形機等に結露して加工・
成形後の溶解素材中の酸素が上昇するおそれがあるか
ら、加工・成形工程室内への乾燥空気の供給を十分に行
い、使用する加工・成形機を十分に乾燥しておく。この
ような方法で加工・成形工程室内の調湿を行ってチタン
材の加工・成形を行って溶解素材を製造することによ
り、得られた溶解素材を溶解して得るチタンインゴット
の酸素含有率を、250ppm以下に抑えることができ
る。
【0025】なお、破砕工程と加工・成形工程とを同じ
室内で行っても勿論よく、この場合、酸素汚染のおそれ
がより低減する。また、溶解素材を溶解してチタンイン
ゴットを製造するに際しては、溶解素材を溶解炉(VA
R溶解炉やEB溶解炉)に装入することになるが、この
装入時にも溶解素材が大気に曝されて大気中の水分を吸
収するおそれがある。そこで、少なくとも溶解炉へ溶解
素材を装入するための作業スペースを密閉し、その作業
スペースに乾燥空気を供給して装入雰囲気中の絶対湿度
を下げ、溶解素材が水分を吸収することを抑えるように
すると、溶解後に得られるチタンインゴットへの酸素汚
染防止をより確実なものとすることができる。また、破
砕工程を経て得たチタン材を溶解素材に加工・成形せず
直接溶解する場合もあり、このときも、同様にして溶解
後に得られるチタンインゴットの酸素汚染防止を確実な
ものとすることができる。また、溶解素材(あるいは破
砕後のチタン材)を溶解してチタンインゴットを製造す
る際の溶解方法としては、EB溶解やVAR溶解のみな
らず、PB(Plasma beam)溶解やコールドクルーシブル
を用いた高周波溶解を用いることができるが、より低酸
素を狙うには、高い真空度で溶解するEB溶解が好適で
ある。
【0026】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。 [実施例1]破砕に係る全工程室内の雰囲気を、絶対湿
度:8〜10g−H2O/m3 、室温:23℃に設定し、
クロール法で製造した3500kgのスポンジチタンケ
ーキの中心部から、プレス切断により300Kgのスポ
ンジチタン塊を採取した。次いで、該スポンジチタン塊
の全量を粉砕、整粒して1/2インチ〜75mmの粒度
のスポンジチタンを得た。破砕工程に用いたプレス切断
機および粉砕機は、上記雰囲気中に2時間放置した後、
使用した。 [実施例2]破砕工程に係る全工程室内の雰囲気を、絶
対湿度:5〜7g−H2O/m3 、室温:8℃に設定し、
クロール法で製造した3300kgのスポンジチタンケ
ーキの中心部から、プレス切断により200Kgのスポ
ンジチタン塊を採取した。次いで、該スポンジチタン塊
の全量を粉砕、整粒して1/2インチ〜75mmの粒度
のスポンジチタンを得た。破砕工程に用いたプレス切断
機および粉砕機は、上記雰囲気中に2時間放置した後、
使用した。 [比較例]上記実施例1と同じ方法で採取したスポンジ
チタンを、調湿していない破砕工程でプレス切断、粉
砕、整粒してチタン材を得た。この時の破砕工程の絶対
湿度は20〜30g−H2O/m3、室温は30℃であっ
た。実施例1のスポンジチタンからサンプルA,B,C
を、また、実施例2のスポンジチタンからサンプルD,
E,Fを、さらに比較例のスポンジチタンからサンプル
G,H,Iをそれぞれ採取した。これらサンプルの酸素
含有率を、表1に示す。
【0027】
【表1】
【0028】表1から明らかなように、実施例1の各サ
ンプルの酸素含有率は200ppm以下に抑えられてお
り、また、実施例1よりも絶対湿度と室温がともに低い
実施例2の各サンプルの酸素含有率は、さらに低下して
いる。一方、調湿せずに得た比較例のサンプルの酸素含
有率は、実施例1,2の各サンプルのそれよりもかなり
高く、しかもバラツキが大きい。よって、破砕工程にお
ける絶対湿度と温度は低ければ低いほど、破砕後に得ら
れるチタン材の酸素含有率が低下し、高純度になること
が確かめられた。
【0029】[実施例3]実施例1で得たスポンジチタ
ンのサンプルA、B、Cを混合し、この混合物をVAR
溶解して、チタンインゴットのサンプルA’、B’、
C’を得た。 [実施例4]実施例2で得たスポンジチタンのサンプル
D、E、Fを混合し、この混合物をEB溶解して、チタ
ンインゴットのサンプルD’、E’、F’を得た。実施
例3,4の各サンプルの酸素含有率を、表2に示す。
【0030】
【表2】
【0031】表2から明らかなように、チタンインゴッ
トの各サンプル中の酸素含有率は、いずれも200pp
mを大幅に下回る値であり、したがって、スパッタリン
グ用チタン材ターゲット材として十分な高純度を有す
る。
【0032】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ス
ポンジチタンを原料として、酸素含有率が250ppm
以下であることは勿論のこと、200ppm以下のチタ
ン材ないしはチタンインゴットの原料となるチタン溶解
素材を製造することができ、しかも、年間を通して安定
して製造することができる。よって、スパッタリング用
ターゲット材に用いる高純度チタン材の製造方法として
きわめて有望である。

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 クロール法で製造したスポンジチタンケ
    ーキを切断して選別し、選別したスポンジチタンを工具
    を用いて粉砕するチタン材の製造方法において、前記粉
    砕を、絶対湿度が10g−H2O/m3以下の雰囲気下で
    行うことを特徴とする低酸素チタン材の製造方法。
  2. 【請求項2】 前記粉砕時の雰囲気温度が25゜C以下
    であることを特徴とする請求項1に記載の低酸素チタン
    材の製造方法。
  3. 【請求項3】 前記工具は、絶対湿度が10g−H2
    /m3以下、温度が25゜C以下の空気雰囲気のもとで
    保存されたものであることを特徴とする請求項1または
    2に記載の低酸素チタン材の製造方法。
  4. 【請求項4】 クロール法で製造したスポンジチタンケ
    ーキを、絶対湿度が10g−H2O/m3以下の雰囲気下
    で、所定の工具を用いて破砕工程もしくは破砕工程の一
    部を行うことを特徴とする低酸素チタン材の製造方法。
  5. 【請求項5】 前記破砕工程時の雰囲気温度が、25℃
    以下であることを特徴とする請求項4に記載の低酸素チ
    タン材の製造方法。
  6. 【請求項6】 前記工具は、絶対湿度が10g−H2
    /m3以下、雰囲気温度が25℃以下の雰囲気のもとで
    保存されたものであることを特徴とする請求項4または
    5に記載の低酸素チタン材の製造方法。
  7. 【請求項7】 前記請求項1〜6に記載された方法で製
    造したチタン材をチタン溶解素材に加工・成形するにあ
    たり、絶対湿度が10g−H2O/m3以下、温度が25
    ℃以下の雰囲気下で行うことを特徴とする低酸素チタン
    溶解素材の製造方法。
JP2263698A 1997-01-20 1998-01-20 低酸素チタン材および低酸素チタン溶解素材の製造方法 Expired - Lifetime JP2921790B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2263698A JP2921790B2 (ja) 1997-01-20 1998-01-20 低酸素チタン材および低酸素チタン溶解素材の製造方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9-21083 1997-01-20
JP2108397 1997-01-20
JP2263698A JP2921790B2 (ja) 1997-01-20 1998-01-20 低酸素チタン材および低酸素チタン溶解素材の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10259432A true JPH10259432A (ja) 1998-09-29
JP2921790B2 JP2921790B2 (ja) 1999-07-19

Family

ID=26358102

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2263698A Expired - Lifetime JP2921790B2 (ja) 1997-01-20 1998-01-20 低酸素チタン材および低酸素チタン溶解素材の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2921790B2 (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002088403A (ja) * 2000-03-08 2002-03-27 Sumitomo Special Metals Co Ltd 希土類合金磁性粉末成形体の作製方法および希土類磁石の製造方法
WO2004024977A1 (ja) * 2002-09-11 2004-03-25 Nikko Materials Co., Ltd. 珪化鉄スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP2004323911A (ja) * 2003-04-24 2004-11-18 Sumitomo Titanium Corp 高純度チタンインゴットの製造方法
JP2007332399A (ja) * 2006-06-12 2007-12-27 Toho Titanium Co Ltd チタン合金の製造方法
JP2008095168A (ja) * 2006-10-16 2008-04-24 Osaka Titanium Technologies Co Ltd 高純度チタンインゴットの製造方法
JP2010116320A (ja) * 2010-01-13 2010-05-27 Nippon Mining & Metals Co Ltd 珪化鉄スパッタリングターゲットの製造方法及び珪化鉄スパッタリングターゲット
JP2019157248A (ja) * 2018-03-16 2019-09-19 トーホーテック株式会社 低塩素濃度チタン粉、チタン合金粉、およびそれらの製造方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002088403A (ja) * 2000-03-08 2002-03-27 Sumitomo Special Metals Co Ltd 希土類合金磁性粉末成形体の作製方法および希土類磁石の製造方法
WO2004024977A1 (ja) * 2002-09-11 2004-03-25 Nikko Materials Co., Ltd. 珪化鉄スパッタリングターゲット及びその製造方法
KR100689597B1 (ko) 2002-09-11 2007-03-02 닛코킨조쿠 가부시키가이샤 규화철 스퍼터링 타겟트 및 그 제조방법
US8173093B2 (en) 2002-09-11 2012-05-08 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Iron silicide sputtering target and method for production thereof
JP2004323911A (ja) * 2003-04-24 2004-11-18 Sumitomo Titanium Corp 高純度チタンインゴットの製造方法
JP2007332399A (ja) * 2006-06-12 2007-12-27 Toho Titanium Co Ltd チタン合金の製造方法
JP2008095168A (ja) * 2006-10-16 2008-04-24 Osaka Titanium Technologies Co Ltd 高純度チタンインゴットの製造方法
JP2010116320A (ja) * 2010-01-13 2010-05-27 Nippon Mining & Metals Co Ltd 珪化鉄スパッタリングターゲットの製造方法及び珪化鉄スパッタリングターゲット
JP2019157248A (ja) * 2018-03-16 2019-09-19 トーホーテック株式会社 低塩素濃度チタン粉、チタン合金粉、およびそれらの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2921790B2 (ja) 1999-07-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1090153B1 (en) Method of producing high purity tantalum for sputtering targets
US7585486B2 (en) Production of high-purity niobium monoxide and capacitor production therefrom
US4373947A (en) Process for the preparation of alloy powders which can be sintered and which are based on titanium
JPH02225634A (ja) 溶融金属キャリヤー中で脱酸剤を使用するチタン金属及びその他類以の金属の脱酸法
DE69012700T2 (de) Herstellung von Wasserstoffspeicherlegierungen mit hohem Vanadiumgehalt.
JP2007046090A (ja) ルテニウム粉末を製造する方法
JP2921790B2 (ja) 低酸素チタン材および低酸素チタン溶解素材の製造方法
JP3671133B2 (ja) チタンの製造方法
JP2782665B2 (ja) チタンまたはチタン合金粉末の製造方法
JP3893101B2 (ja) 高純度チタンの製造方法
JP5088927B2 (ja) 高純度チタンインゴットの製造方法
JP5403825B2 (ja) 高純度スポンジチタン粒の保管方法及びこれを用いた高純度チタンインゴット製造方法
JP6123949B2 (ja) Ruを含有する耐食チタン合金の製造方法
JP4203039B2 (ja) スポンジチタン配合用ホッパーおよびそれを用いた配合方法
JP3195156B2 (ja) チタンの製造方法
JPH03166330A (ja) 強靭チタン合金およびその製造方法
EP3847131B1 (de) Verfahren zur raffination von rohsilicium-schmelzen mittels eines partikulären mediators
JP3398318B2 (ja) チタンインゴットの製造方法
JP2915779B2 (ja) 薄膜形成用高純度チタン材の製造方法
EP0801138A2 (en) Producing titanium-molybdenum master alloys
JP4309675B2 (ja) チタン合金の製造方法
JP3129709B2 (ja) 低酸素高純度チタン材の製造方法
JPH0681051A (ja) ハロゲン化金属の還元反応による金属の製造方法
JP2590091B2 (ja) 高融点金属シリサイドターゲットとその製造方法
JP3735060B2 (ja) 低酸素チタン材の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19990413