JPH10256609A - 発光素子用リードおよびそれを用いた半導体発光素子 - Google Patents
発光素子用リードおよびそれを用いた半導体発光素子Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 同一面側に一対の電極が設けられ、両電極に
ワイヤボンディングがなされる場合に、ＬＥＤチップが
回転してマウントされても、容易に自動的にワイヤボン
ディングを行うことができる発光素子用リードおよびそ
れを用いた半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 ＬＥＤチップ２０がダイボンディングさ
れるダイパッド１ａを先端に有する第１のリード１と、
該第１のリードのダイパッドの外周を取り巻くように設
けられるワイヤボンディングが可能なリング状のワイボ
ン用パッド２ａを先端に有する第２のリード２とからな
っている。そのダイパッド１ａにＬＥＤチップ２０がダ
イボンディングされ、その一対の電極がそれぞれ前記第
１および第２のリードとワイヤにより接続されることに
より発光ランプが形成される。
ワイヤボンディングがなされる場合に、ＬＥＤチップが
回転してマウントされても、容易に自動的にワイヤボン
ディングを行うことができる発光素子用リードおよびそ
れを用いた半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 ＬＥＤチップ２０がダイボンディングさ
れるダイパッド１ａを先端に有する第１のリード１と、
該第１のリードのダイパッドの外周を取り巻くように設
けられるワイヤボンディングが可能なリング状のワイボ
ン用パッド２ａを先端に有する第２のリード２とからな
っている。そのダイパッド１ａにＬＥＤチップ２０がダ
イボンディングされ、その一対の電極がそれぞれ前記第
１および第２のリードとワイヤにより接続されることに
より発光ランプが形成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は基板上に半導体層が
積層され、積層される半導体層の表面側にｐ側およびｎ
側の両電極が形成される発光素子チップをリードの先端
にボンディングして発光ランプを形成する場合に適した
発光素子用リードおよびそれを用いる半導体発光素子に
関する。さらに詳しくは、両電極にワイヤボンディング
をする場合に、自動機で行っても間違いなく容易に行う
ことができるようにリードが形成される発光素子用リー
ドおよびそれを用いる半導体発光素子に関する。
積層され、積層される半導体層の表面側にｐ側およびｎ
側の両電極が形成される発光素子チップをリードの先端
にボンディングして発光ランプを形成する場合に適した
発光素子用リードおよびそれを用いる半導体発光素子に
関する。さらに詳しくは、両電極にワイヤボンディング
をする場合に、自動機で行っても間違いなく容易に行う
ことができるようにリードが形成される発光素子用リー
ドおよびそれを用いる半導体発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】たとえば青色系の半導体発光素子は、図
５にその発光素子チップ（以下、ＬＥＤチップという）
の一例の概略図が示されるように、サファイアからなる
絶縁性の基板２１上にチッ化ガリウム系化合物半導体層
が積層されて、その表面側にｐ側電極２８およびｎ側電
極２９の両方が設けられることにより形成されている。
すなわち、サファイア基板２１上にたとえばｎ形のＧａ
Ｎがエピタキシャル成長されたｎ形層（クラッド層）２
３と、バンドギャップエネルギーがクラッド層のそれよ
りも小さくなる材料、たとえばＩｎＧａＮ系（ＩｎとＧ
ａの比率が種々変わり得ることを意味する、以下同じ）
化合物半導体からなる活性層２４と、ｐ形のＧａＮから
なるｐ形層（クラッド層）２５とが積層され、その表面
のｐ形層２５に電気的に接続してｐ側電極２８が、積層
された半導体層の一部がエッチングされて露出したｎ形
層２３と電気的に接続してｎ側電極２９が設けられるこ
とにより、ＬＥＤチップ２０が形成されている。
５にその発光素子チップ（以下、ＬＥＤチップという）
の一例の概略図が示されるように、サファイアからなる
絶縁性の基板２１上にチッ化ガリウム系化合物半導体層
が積層されて、その表面側にｐ側電極２８およびｎ側電
極２９の両方が設けられることにより形成されている。
すなわち、サファイア基板２１上にたとえばｎ形のＧａ
Ｎがエピタキシャル成長されたｎ形層（クラッド層）２
３と、バンドギャップエネルギーがクラッド層のそれよ
りも小さくなる材料、たとえばＩｎＧａＮ系（ＩｎとＧ
ａの比率が種々変わり得ることを意味する、以下同じ）
化合物半導体からなる活性層２４と、ｐ形のＧａＮから
なるｐ形層（クラッド層）２５とが積層され、その表面
のｐ形層２５に電気的に接続してｐ側電極２８が、積層
された半導体層の一部がエッチングされて露出したｎ形
層２３と電気的に接続してｎ側電極２９が設けられるこ
とにより、ＬＥＤチップ２０が形成されている。
【０００３】このＬＥＤチップ２０が、たとえば図６に
断面図および平面図が示されるように、第１のリード１
１の先端部の湾曲部内にダイボンディングされ、ｎ側電
極２９が第１のリード１１の先端部の突出部１１ａと、
ｐ側電極２８が第２のリード１２の先端部とそれぞれ金
線１３によりワイヤボンディングされ、その周囲が発光
層で発光する光を透過させる樹脂で被覆されて樹脂パッ
ケージ１４が形成されることにより、発光ランプが形成
される。
断面図および平面図が示されるように、第１のリード１
１の先端部の湾曲部内にダイボンディングされ、ｎ側電
極２９が第１のリード１１の先端部の突出部１１ａと、
ｐ側電極２８が第２のリード１２の先端部とそれぞれ金
線１３によりワイヤボンディングされ、その周囲が発光
層で発光する光を透過させる樹脂で被覆されて樹脂パッ
ケージ１４が形成されることにより、発光ランプが形成
される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ＬＥＤチップ
の電極の形成が前述の構造であると、図７（ａ）に示さ
れるような位置で、ＬＥＤチップ２０が第１のリード１
１の先端にダイボンディングされると、ワイヤボンディ
ングするときにｎ側電極２９とｐ側電極２８とがリード
１１、１２側のボンディングされる位置から遠くなり、
ワイヤを引き回して接続しなければならない。そのた
め、ワイヤの撓みなどによる接触事故やワイヤボンディ
ング時に移動が多く、ワイヤボンディングミスを起こし
やすいという問題がある。また、図７（ｂ）に示される
ような位置でＬＥＤチップ２０がマウントされると、ワ
イヤボンディングの金線がクロスすることになり、ワイ
ヤボンディングをすることができない。
の電極の形成が前述の構造であると、図７（ａ）に示さ
れるような位置で、ＬＥＤチップ２０が第１のリード１
１の先端にダイボンディングされると、ワイヤボンディ
ングするときにｎ側電極２９とｐ側電極２８とがリード
１１、１２側のボンディングされる位置から遠くなり、
ワイヤを引き回して接続しなければならない。そのた
め、ワイヤの撓みなどによる接触事故やワイヤボンディ
ング時に移動が多く、ワイヤボンディングミスを起こし
やすいという問題がある。また、図７（ｂ）に示される
ような位置でＬＥＤチップ２０がマウントされると、ワ
イヤボンディングの金線がクロスすることになり、ワイ
ヤボンディングをすることができない。
【０００５】一方、ＬＥＤチップは自動機による吸着コ
レットにより吸着して第１のリードの先端のダイパッド
上にボンディングされるため、その向きを常に一定方向
にダイボンディングすることは難しい。
レットにより吸着して第１のリードの先端のダイパッド
上にボンディングされるため、その向きを常に一定方向
にダイボンディングすることは難しい。
【０００６】本発明は、このような問題を解決するため
になされたもので、同一面側に一対の電極が設けられ、
両電極にワイヤボンディングがなされる場合に、ＬＥＤ
チップが回転してマウントされても、容易に自動的にワ
イヤボンディングを行うことができる発光素子用リード
を提供することを目的とする。
になされたもので、同一面側に一対の電極が設けられ、
両電極にワイヤボンディングがなされる場合に、ＬＥＤ
チップが回転してマウントされても、容易に自動的にワ
イヤボンディングを行うことができる発光素子用リード
を提供することを目的とする。
【０００７】本発明の他の目的は、同一面側に一対の電
極を有するＬＥＤチップの組立てが容易な構造の半導体
発光素子を提供することにある。
極を有するＬＥＤチップの組立てが容易な構造の半導体
発光素子を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明による発光素子用
リードは、発光素子チップがダイボンディングされるダ
イパッドを先端に有する第１のリードと、該第１のリー
ドのダイパッドの外周を取り巻くように設けられるワイ
ヤボンディングが可能なリング状のワイボン用パッドを
先端に有する第２のリードとからなっている。ここにリ
ング状とは、完全なリングを意味するものではなく、一
部が切欠しているものも含む。
リードは、発光素子チップがダイボンディングされるダ
イパッドを先端に有する第１のリードと、該第１のリー
ドのダイパッドの外周を取り巻くように設けられるワイ
ヤボンディングが可能なリング状のワイボン用パッドを
先端に有する第２のリードとからなっている。ここにリ
ング状とは、完全なリングを意味するものではなく、一
部が切欠しているものも含む。
【０００９】この構造にすることにより、ＬＥＤチップ
をリードなどの先端にマウントし、ＬＥＤチップの両電
極と２本のリードとがワイヤボンディングにより接続さ
れる場合に、ＬＥＤチップがどの向きに（回転して）マ
ウントされても、ＬＥＤチップの電極さえ認識すれば、
常にその最短距離の位置で各リードとの電気的接続をす
ることができる。
をリードなどの先端にマウントし、ＬＥＤチップの両電
極と２本のリードとがワイヤボンディングにより接続さ
れる場合に、ＬＥＤチップがどの向きに（回転して）マ
ウントされても、ＬＥＤチップの電極さえ認識すれば、
常にその最短距離の位置で各リードとの電気的接続をす
ることができる。
【００１０】前記ワイボン用パッドは、その表面が前記
ダイパッドの表面より高い位置になるように設けられる
ことにより、ダイパッドの上面周囲に壁ができて斜めに
放射された光を中心方向に反射させることができ、利用
できる光の強度を強くすることができると共に、ワイヤ
ボンディングをするときに、ワイヤがダイパッドの縁に
接触しにくいため好ましい。
ダイパッドの表面より高い位置になるように設けられる
ことにより、ダイパッドの上面周囲に壁ができて斜めに
放射された光を中心方向に反射させることができ、利用
できる光の強度を強くすることができると共に、ワイヤ
ボンディングをするときに、ワイヤがダイパッドの縁に
接触しにくいため好ましい。
【００１１】本発明の半導体発光素子は、発光素子チッ
プが、基板と、該基板上に発光層を形成すべくｎ形層お
よびｐ形層が積層された半導体積層部と、前記半導体層
が積層される側に前記ｎ形層およびｐ形層にそれぞれ電
気的に接続して設けられる一対の電極とからなり、該発
光素子チップが請求項１記載の第１のリードのダイパッ
ドにダイボンディングされ、前記一対の電極がそれぞれ
前記第１および第２のリードとワイヤにより電気的に接
続されている。その結果、ＬＥＤチップのボンディング
の向きに拘らず、各リードとのワイヤボンディングが容
易で、短時間で組立てをすることができる。
プが、基板と、該基板上に発光層を形成すべくｎ形層お
よびｐ形層が積層された半導体積層部と、前記半導体層
が積層される側に前記ｎ形層およびｐ形層にそれぞれ電
気的に接続して設けられる一対の電極とからなり、該発
光素子チップが請求項１記載の第１のリードのダイパッ
ドにダイボンディングされ、前記一対の電極がそれぞれ
前記第１および第２のリードとワイヤにより電気的に接
続されている。その結果、ＬＥＤチップのボンディング
の向きに拘らず、各リードとのワイヤボンディングが容
易で、短時間で組立てをすることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】つぎに、図面を参照しながら本発
明の発光素子用リードおよび半導体発光素子について説
明をする。図１には、たとえば青色系の発光に適するチ
ッ化ガリウム系化合物半導体が積層されたＬＥＤチップ
が、本発明の発光素子用のリードにダイボンディングさ
れると共に、ワイヤボンディングされた状態の平面およ
び断面の説明図が示されている。
明の発光素子用リードおよび半導体発光素子について説
明をする。図１には、たとえば青色系の発光に適するチ
ッ化ガリウム系化合物半導体が積層されたＬＥＤチップ
が、本発明の発光素子用のリードにダイボンディングさ
れると共に、ワイヤボンディングされた状態の平面およ
び断面の説明図が示されている。
【００１３】本発明の発光素子用リードは、図１に示さ
れるように、第１のリード１の先端に、内面が湾曲状に
形成された凹部１ｂと、周囲にワイヤをボンディングす
ることができる平坦部１ｃとを有するダイパッド１ａが
設けられている。また、第２のリード２は、その先端に
リング状のワイヤをボンディングすることができるワイ
ボン用パッド２ａが設けられている。第２のリード２の
ワイボン用パッド２ａは、図１に示されるように、ダイ
パッド１ａの周囲に一定間隙を有するように形成され、
ダイパッド１ａとワイボン用パッド２ａとが同心的に設
けられている。
れるように、第１のリード１の先端に、内面が湾曲状に
形成された凹部１ｂと、周囲にワイヤをボンディングす
ることができる平坦部１ｃとを有するダイパッド１ａが
設けられている。また、第２のリード２は、その先端に
リング状のワイヤをボンディングすることができるワイ
ボン用パッド２ａが設けられている。第２のリード２の
ワイボン用パッド２ａは、図１に示されるように、ダイ
パッド１ａの周囲に一定間隙を有するように形成され、
ダイパッド１ａとワイボン用パッド２ａとが同心的に設
けられている。
【００１４】この第１および第２のリード１、２は、た
とえばアルミニウムや銅などのリードフレームなどから
形成される。すなわち、第２のリード２の先端にワイボ
ン用パッド２ａを連続させて第１のリード１と共にフレ
ームを打ち抜き、第１のリード１の先端にスタンピング
などによりダイパッド１ａ部を形成し、第２のリードの
先端のワイボン用パッド２ａ部分（またはリード部分）
を折り曲げることにより形成される。また、第１のリー
ド１の先端にダイパッド１ａ部も連続して形成してお
き、打抜き後にダイパッド１ａ部（またはリード部分）
を折り曲げて形成してもよい。この場合、フレームの効
率的な利用のため、図２に示されるように、ワイボン用
パッド２ａの内部にダイパッド１ａをとる構造にするこ
ともできる。すなわち、図２に示されるような形状にフ
レームから打ち抜いて発光素子用リードを形成し、ダイ
ボンディングおよびワイヤボンディングをした後に、パ
ッド１ａ、２ａ部分またはリード１、２部分を折り曲げ
て樹脂でモールドすることにより発光ランプが形成され
る。このとき、図２に示されるように、ワイボン用パッ
ド２ａが分割され、完全なリングではなくなるが、切欠
部は狭い間隔であり問題はない。また、リードフレーム
から形成しないで、ダイパッド部やワイボン用パッド部
を別途形成し、それを板状のフレームなどに固着された
棒状リードの先端に溶接などにより固着したものでもよ
い。なお、図１〜２において５はリードフレームのサイ
ドレールである。
とえばアルミニウムや銅などのリードフレームなどから
形成される。すなわち、第２のリード２の先端にワイボ
ン用パッド２ａを連続させて第１のリード１と共にフレ
ームを打ち抜き、第１のリード１の先端にスタンピング
などによりダイパッド１ａ部を形成し、第２のリードの
先端のワイボン用パッド２ａ部分（またはリード部分）
を折り曲げることにより形成される。また、第１のリー
ド１の先端にダイパッド１ａ部も連続して形成してお
き、打抜き後にダイパッド１ａ部（またはリード部分）
を折り曲げて形成してもよい。この場合、フレームの効
率的な利用のため、図２に示されるように、ワイボン用
パッド２ａの内部にダイパッド１ａをとる構造にするこ
ともできる。すなわち、図２に示されるような形状にフ
レームから打ち抜いて発光素子用リードを形成し、ダイ
ボンディングおよびワイヤボンディングをした後に、パ
ッド１ａ、２ａ部分またはリード１、２部分を折り曲げ
て樹脂でモールドすることにより発光ランプが形成され
る。このとき、図２に示されるように、ワイボン用パッ
ド２ａが分割され、完全なリングではなくなるが、切欠
部は狭い間隔であり問題はない。また、リードフレーム
から形成しないで、ダイパッド部やワイボン用パッド部
を別途形成し、それを板状のフレームなどに固着された
棒状リードの先端に溶接などにより固着したものでもよ
い。なお、図１〜２において５はリードフレームのサイ
ドレールである。
【００１５】本発明の半導体発光素子は、たとえば前述
の図５に示されるようなＬＥＤチップ２０が、図１に示
されるように、リード１の先端に設けられるダイパッド
１ａの凹部１ｂ内にダイボンディングされ、そのｎ側電
極がダイパッド１ａの平坦部１ｃと金線３によりワイヤ
ボンディングされ、ｐ側電極が第２のリード２の先端に
設けられるワイボン用パッド２ａに金線３によりワイヤ
ボンディングされることにより形成されている。そして
その周囲がＬＥＤチップ２０により発光する光に対して
透明な樹脂からなる樹脂パッケージ４により覆われてい
る。
の図５に示されるようなＬＥＤチップ２０が、図１に示
されるように、リード１の先端に設けられるダイパッド
１ａの凹部１ｂ内にダイボンディングされ、そのｎ側電
極がダイパッド１ａの平坦部１ｃと金線３によりワイヤ
ボンディングされ、ｐ側電極が第２のリード２の先端に
設けられるワイボン用パッド２ａに金線３によりワイヤ
ボンディングされることにより形成されている。そして
その周囲がＬＥＤチップ２０により発光する光に対して
透明な樹脂からなる樹脂パッケージ４により覆われてい
る。
【００１６】ＬＥＤチップ２０は、前述のように、基板
と、該基板上に発光層を形成すべくｎ形層およびｐ形層
により活性層が挟持される構造もしくは直接ｐ形層とｎ
形層とが接合してｐｎ接合が形成される半導体積層部
と、前記半導体層が積層される側に前記ｎ形層およびｐ
形層にそれぞれ電気的に接続して設けられる一対のｐ側
電極およびｎ側電極とからなっている。すなわち、ｎ側
電極とｐ側電極とが同一面側に設けられるタイプのもの
で、半導体層が積層される基板は絶縁性基板には限定さ
れず、導電性の半導体基板上に半導体層が積層されるも
のでもよいが、青色系のチッ化ガリウム系化合物半導体
のように絶縁性基板上に半導体層が積層される構造のも
のが一般的には多く利用される。
と、該基板上に発光層を形成すべくｎ形層およびｐ形層
により活性層が挟持される構造もしくは直接ｐ形層とｎ
形層とが接合してｐｎ接合が形成される半導体積層部
と、前記半導体層が積層される側に前記ｎ形層およびｐ
形層にそれぞれ電気的に接続して設けられる一対のｐ側
電極およびｎ側電極とからなっている。すなわち、ｎ側
電極とｐ側電極とが同一面側に設けられるタイプのもの
で、半導体層が積層される基板は絶縁性基板には限定さ
れず、導電性の半導体基板上に半導体層が積層されるも
のでもよいが、青色系のチッ化ガリウム系化合物半導体
のように絶縁性基板上に半導体層が積層される構造のも
のが一般的には多く利用される。
【００１７】本発明によれば、第１のリードのダイパッ
ドの周囲に第２のリードのワイボン用パッドが設けられ
ているため、ＬＥＤチップがどの向きでダイパッドにダ
イボンディングされても、その電極と第２のリードとの
ワイヤボンディングを、その電極の直近の位置で行うこ
とができる。そのため、ＬＥＤチップの向きにより電極
の位置が円周方向で変わっても、自動機によりダイボン
ディングをし、自動機によりワイヤボンディングをする
ことができる。その結果、ワイヤを引き回したり、交差
させなくてもよいため、タッチ不良などが発生せず、歩
留りが向上する。
ドの周囲に第２のリードのワイボン用パッドが設けられ
ているため、ＬＥＤチップがどの向きでダイパッドにダ
イボンディングされても、その電極と第２のリードとの
ワイヤボンディングを、その電極の直近の位置で行うこ
とができる。そのため、ＬＥＤチップの向きにより電極
の位置が円周方向で変わっても、自動機によりダイボン
ディングをし、自動機によりワイヤボンディングをする
ことができる。その結果、ワイヤを引き回したり、交差
させなくてもよいため、タッチ不良などが発生せず、歩
留りが向上する。
【００１８】図３は、図１の変形例を示す図で、第２の
リード２の先端に設けられるワイボン用パッド２ａがダ
イパッド１ａの表面より高い位置になるように設けられ
ている。すなわち、図１に示されるように、ダイパッド
１ａと同じ高さに形成されていると、ＬＥＤチップ２０
から斜め方向に放射される光は有効に利用されないと共
に、ワイボン用パッド２ａとボンディングされたワイヤ
（金線）３がダイパッド１ａの縁と接触しやすく、信頼
性の点で劣る。しかし、図３に示されるように、ワイボ
ン用パッド２ａが高く形成されていることにより、斜め
に放射された光も中心方向に反射されて有効に利用され
ると共に、ワイヤ３のダイパッド１ａとの接触の虞れも
なくなり、信頼性が向上する。なお、図３において、図
１と同じ部分には同じ符号を付してその説明を省略す
る。
リード２の先端に設けられるワイボン用パッド２ａがダ
イパッド１ａの表面より高い位置になるように設けられ
ている。すなわち、図１に示されるように、ダイパッド
１ａと同じ高さに形成されていると、ＬＥＤチップ２０
から斜め方向に放射される光は有効に利用されないと共
に、ワイボン用パッド２ａとボンディングされたワイヤ
（金線）３がダイパッド１ａの縁と接触しやすく、信頼
性の点で劣る。しかし、図３に示されるように、ワイボ
ン用パッド２ａが高く形成されていることにより、斜め
に放射された光も中心方向に反射されて有効に利用され
ると共に、ワイヤ３のダイパッド１ａとの接触の虞れも
なくなり、信頼性が向上する。なお、図３において、図
１と同じ部分には同じ符号を付してその説明を省略す
る。
【００１９】前述の各例はリードフレームなどから単独
のリードを形成する例であったが、リードが単独で前述
の位置関係になくても、基板上に導電膜などで形成され
るものでもよい。すなわち、図４（ａ）に示されるよう
に、プリント基板６上に導電膜によりダイパッド部７ａ
を有する第１のリード７と、ダイパッド７ａの外周を取
り巻くように設けられるワイボン用パッド８ａを有する
第２のリード８が銅箔などの導電膜で形成されておれ
ば、ＬＥＤチップ２０の向きに拘らず容易に金線３によ
りワイヤボンディングをすることができ、簡単にプリン
ト基板６上にベアチップをマウントすることができる。
のリードを形成する例であったが、リードが単独で前述
の位置関係になくても、基板上に導電膜などで形成され
るものでもよい。すなわち、図４（ａ）に示されるよう
に、プリント基板６上に導電膜によりダイパッド部７ａ
を有する第１のリード７と、ダイパッド７ａの外周を取
り巻くように設けられるワイボン用パッド８ａを有する
第２のリード８が銅箔などの導電膜で形成されておれ
ば、ＬＥＤチップ２０の向きに拘らず容易に金線３によ
りワイヤボンディングをすることができ、簡単にプリン
ト基板６上にベアチップをマウントすることができる。
【００２０】また、図４（ｂ）に示されるように、セラ
ミックスなどの基板９上に同様に導電膜によりダイパッ
ド７ａを有する第１のリード７とワイボン用パッド８ａ
を有する第２のリード８が設けられることにより、前述
と同様にＬＥＤチップ２０の向きに拘らず、自動的に金
線３によりワイヤボンディングをすることができ、簡単
にチップ型発光素子を得ることができる。なお、図４
（ｂ）において、１０はＬＥＤチップ２０部分を覆う樹
脂パッケージを示す。
ミックスなどの基板９上に同様に導電膜によりダイパッ
ド７ａを有する第１のリード７とワイボン用パッド８ａ
を有する第２のリード８が設けられることにより、前述
と同様にＬＥＤチップ２０の向きに拘らず、自動的に金
線３によりワイヤボンディングをすることができ、簡単
にチップ型発光素子を得ることができる。なお、図４
（ｂ）において、１０はＬＥＤチップ２０部分を覆う樹
脂パッケージを示す。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、ワイヤボンディングが
非常に容易になると共に、ｎ側電極とｐ側電極とでワイ
ヤボンディングのワイヤがクロスすることがなく、ボン
ディング工数の削減および歩留りの向上を果たすことが
できる。
非常に容易になると共に、ｎ側電極とｐ側電極とでワイ
ヤボンディングのワイヤがクロスすることがなく、ボン
ディング工数の削減および歩留りの向上を果たすことが
できる。
【図１】本発明の発光素子用リードおよびそのリードに
ＬＥＤチップがダイボンディングされた本発明の発光素
子を示す説明図である。
ＬＥＤチップがダイボンディングされた本発明の発光素
子を示す説明図である。
【図２】本発明の発光素子用リードをフレームから製造
する場合の説明図である。
する場合の説明図である。
【図３】図１の変形例を示す説明図である。
【図４】本発明の発光素子用リードの他の形態を示す説
明図である。
明図である。
【図５】従来の半導体発光素子のＬＥＤチップの一例の
斜視説明図である。
斜視説明図である。
【図６】従来の発光ランプのＬＥＤチップのワイヤボン
ディングの説明図である。
ディングの説明図である。
【図７】従来のＬＥＤチップのワイヤボンディングの説
明図である。
明図である。
１ 第１のリード １ａ ダイパッド ２ 第２のリード ２ａ ワイボン用パッド ７ 第１のリード ７ａ ダイパッド ８ 第２のリード ８ａ ワイボン用パッド ２０ ＬＥＤチップ
Claims (3)
- 【請求項１】 発光素子チップがダイボンディングされ
るダイパッドを先端に有する第１のリードと、該第１の
リードのダイパッドの外周を取り巻くように設けられる
ワイヤボンディングが可能なリング状のワイボン用パッ
ドを先端に有する第２のリードとからなる発光素子用リ
ード。 - 【請求項２】 前記ワイボン用パッドは、その表面が前
記ダイパッドの表面より高い位置になるように設けられ
てなる請求項１記載の発光素子用リード。 - 【請求項３】 発光素子チップが、基板と、該基板上に
発光層を形成すべくｎ形層およびｐ形層が積層される半
導体積層部と、前記半導体層が積層される側に前記ｎ形
層およびｐ形層にそれぞれ電気的に接続して設けられる
一対の電極とからなり、該発光素子チップが請求項１記
載の第１のリードのダイパッドにダイボンディングさ
れ、前記一対の電極がそれぞれ前記第１および第２のリ
ードとワイヤにより電気的に接続されてなる半導体発光
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5577397A JPH10256609A (ja) | 1997-03-11 | 1997-03-11 | 発光素子用リードおよびそれを用いた半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5577397A JPH10256609A (ja) | 1997-03-11 | 1997-03-11 | 発光素子用リードおよびそれを用いた半導体発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10256609A true JPH10256609A (ja) | 1998-09-25 |
Family
ID=13008206
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5577397A Pending JPH10256609A (ja) | 1997-03-11 | 1997-03-11 | 発光素子用リードおよびそれを用いた半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10256609A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001257301A (ja) * | 2000-02-04 | 2001-09-21 | Lumileds Lighting Us Llc | 同心状にリードが設けられたパワー半導体デバイスパッケージ |
-
1997
- 1997-03-11 JP JP5577397A patent/JPH10256609A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001257301A (ja) * | 2000-02-04 | 2001-09-21 | Lumileds Lighting Us Llc | 同心状にリードが設けられたパワー半導体デバイスパッケージ |
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