JPH10256359A - 静電チャック - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 静電吸着した半導体基板等の被処理物の温度
を急速制御、精密制御できる静電チャックの構造に係わ
る。 【解決方法】 誘電体セラミックと該セラミックの底面
に形成された電極を備えてなる静電吸着機構底面に加熱
機構を結合し、該加熱機構の底面に冷却機構を結合した
構造からなり、該加熱機構は、電気絶縁性で、線膨張係
数が同じあるいは近似した二枚のセラミック基材の間に
該セラミックに融着性の電熱材料の膜を挟み、該膜が該
二枚の基材に焼結あるいは溶融融着した構造からなるこ
とを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、静電チャックの構造に
係わり、さらに詳しくは、静電吸着した半導体基板等の
被処理材の温度を急速制御、精密制御できる静電チャッ
クの構造に係わるものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体のプラズマ加工は集積度が高くな
るほど、より極細化し、より厳しい精度が要求される。
プラズマ加工の極細化、高精度化を達成する上でプラズ
マ処理温度は極めて重要なファクターになるが、現状設
備では、処理するシリコンウエハーの過昇温防止のため
に冷却するだけ（エッチング処理）、成膜処理（ＣＶ
Ｄ）では、設定温度よりも低めに設定して処理中の自然
昇温は放任されているのが実情である。現実は以上のよ
うな状況であるが、これは温度管理の重要さが認識され
ていないためではなくて、現実、経済的なスピードで温
度管理できる機構が存在しないためである。実験室的に
生産性を無視すれば、精密な温度管理は可能であるが、
現状の生産ラインの中で、例えば処理する薄膜の材質に
応じて、膜ごとに、生産性を落とすことなく素早くその
膜質に最適な温度に変えて処理する様な、クイック制
御、精密制御できる機構が存在しないためである。この
問題を解決するには現実の処理スピードに対応して迅速
に温度を調節できる機構が必要となる。つまり処理スピ
ードを落とすことなく迅速かつ連続的に温度調節できる
機構が必要となる。一方プラズマ処理以外でも、装置の
稼働率を上げるために、設定した温度に素早く加熱した
り、あるいは加熱後、素早く冷やしたりする要求も多
い。ここでも迅速かつ連続的に温度調節できる機構が求
められている。一方真空処理の場合、非処理物の表面に
は湿分が付着しており、所定の真空度に早く到達させる
ためには、非処理物は加熱したほうがよいが、現実、非
処理物だけを速やかに加熱する方法はない。

【０００３】

【発明が解決する課題】本発明は、かかる状況に鑑みて
なされたもので、その目的とするところは、半導体基板
やその他の被処理物を吸着固定すると共に、所定温度に
急速加熱あるいは急速昇降温させて速やかに設定温度に
精密調節できる新しい構造の静電チャックを提供せんと
するものである。

【０００４】

【課題を解決するための手段】上記問題は次の構造の静
電チャックによって解決される。すなわち、 １．誘電体セラミックと該セラミックの底面に形成され
た電極を備えてなる静電吸着機構の底面に加熱機構を結
合した構造からなり、該加熱機構は、電気絶縁性で、線
膨張係数が同じあるいは近似した二枚のセラミック基材
の間に該セラミックに融着性の電熱材料の膜を挟み、該
膜が該二枚の基材に溶融融着した構造からなることを特
徴とする静電チャック。 ２．誘電体セラミックと該セラミックの底面に形成され
た電極を備えてなる静電吸着機構底面に加熱機構を結合
し、該加熱機構の底面に冷却機構を結合した構造からな
り、該加熱機構は、電気絶縁性で、線膨張係数が同じあ
るいは近似した二枚のセラミック基材の間に該セラミッ
クに融着性の電熱材料の膜を挟み、該膜が該二枚の基材
に溶融融着した構造からなることを特徴とする半導体基
板の静電チャック。 ３．上記誘電体セラミックと加熱機構の二枚のセラミッ
ク基材が窒化アルミニウム系セラミックである１〜２の
いずれかに記載の静電チャック。 ４．上記電熱材料が、ミクロ組織が珪化物とＳｉの混在
組織の金属である３に記載の静電チャック。

【０００５】

【発明の実施の形態】本発明の加熱機構は、電気絶縁性
で、線膨張係数が同じあるいは近似した二枚のセラミッ
ク基材の間に、このセラミックに融着性の電熱材料の膜
を挟み、該二枚の基材に溶融融着させた構造のセラミッ
クヒーターからなる。

【０００６】溶融、融着させる電熱合金としてＳｉ基合
金が好ましい。Ｓｉと全率固溶体を作る元素、例えばＧ
ｅを除いて、Ｓｉはほとんどの金属と珪化物を作る。Ｓ
ｉ基合金をＳｉ−Ｘと表示した時、ＸはＳｉと珪化物を
作る元素とすると、Ｓｉ−Ｘ合金のＳｉの変化によるミ
クロ組織の基本的な変化は次のようになる。

【０００７】 Ｓｉが徐々に増えていくと、ある組成
のところで最初の珪化物を形成する。ここの組成をＳｉ
（１）とする。Ｓｉ＜Ｓｉ（１）の区域では、Ｘなる金
属のマトリックスにＸなる金属の珪化物相が混在する組
織。あるいはＳｉが多少固溶したＸなる金属のマトリッ
クスにＸなる金属の珪化物相が混在する組織。

【０００８】 Ｓｉ（１）からさらにＳｉが増加する
と、組成のことなる珪化物が次々と現れ、ある組成Ｓｉ
（２）を過ぎたところから珪化物とＳｉの混在する共晶
が現れる。Ｓｉ（１）はＸ元素の最もリッチな珪化物、
Ｓｉ（２）はＳｉの最もリッチな珪化物である。Ｓｉ
（１）≦Ｓｉ≦Ｓｉ（２）の区域では、この区域は、一
種あるいは二種以上の珪化物の混在組織。

【０００９】 Ｓｉ（２）を過ぎてＳｉ（１００％）
未満までの間 Ｓｉ（２）＜Ｓｉ＜Ｓｉ（１００％） この区域は、Ｓｉと珪化物の混在する組織。

【００１０】 Ｓｉ＝１００％ではＳｉの多結晶組織
となる。

【００１１】ここで、上記したＳｉ−Ｘの二元系に第
３，第４，第５，…元素が添加されても、組織そのもの
の基本的な骨格、つまりマトリックスに珪化物が存在す
るという基本的な骨格は変わらない。つまり第３，第
４，第５，…元素はマトリックスに固溶されるか、珪化
物に固溶されて複珪化物を形成するか、あるいは、ほか
の化合物を形成してマトリックスに晶出、あるいは析出
するかであり、少なくとも珪化物（あるいは複珪化物）
がマトリックスから消滅することはない。なお、本発明
では「珪化物」なる表現は、本来の珪化物と複珪化物を
含めた総称として使用した。

【００１２】電熱合金としては、、の組成範囲，と
りわけの組成範囲が好適である。セラミック基材とし
ては、の組成範囲では窒化アルミ系、窒化ケイ素系セ
ラミックが好適で、とりわけ窒化アルミ系セラミックが
好適である。の組成範囲ではアルミナ系セラミックが
好適である。

【００１３】のＳｉ単体組織は電気抵抗が高すぎるの
で電熱合金としては好ましくない。

【００１４】の組成は、窒化アルミ系セラミックに対
して融着性がある上に、線膨張係数が４〜７×１０^−６
で、珪化物の量を調整することにより線膨張係数を窒化
アルミ系セラミックのそれに整合させることができるの
で、融着界面での熱応力を極小にでき融着膜は高温まで
安定して使用できる。また融点も低いので融着温度を低
くできる利点がある。またマトリックス中の珪化物の量
を調整することによって電気抵抗を調整できる。

【００１５】の組成は、線膨張係数が７〜８×１０
^−６でアルミナセラミック基材の線膨張係数に近似して
いるので、基材としてアルミナ系セラミックが使用でき
る。

【００１６】、共、大気中、高温（１０００℃以
上）での耐酸化性に優れている。、共、とりわけ
は、電気抵抗が大きいので抵抗回路の長さを短くでき、
単位面積当たりのワット密度の大きいヒーターが得られ
る。電熱合金として、、とりわけを選択するのは
以上のような理由による。電熱合金を融着させる基材と
して窒化アルミ系、窒化ケイ素系、アルミナ系を選ぶの
は、それぞれ、の線膨張係数がアルミナ、窒化アル
ミ、窒化ケイ素のそれに近似しており、融着界面での熱
応力を極小にできるからである。

【００１７】上記したＳｉ−Ｘ合金のＸ元素としては、
Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ、Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｂ，Ｐおよび活性
金属、およびＰｔ，Ｐｄ、Ｒｈ，Ｉｒ，Ｃｕ、Ａｇおよ
びその他の珪化物形成元素等を目的に応じて適宜選択で
きる。また、これらの元素は目的に応じて一種あるいは
二種以上を適宜混ぜて使用してよい。

【００１８】これらの元素の中でとくに好ましいのは、
活性金属元素である。活性金属とはセラミックに対して
濡れ、拡散を促進する元素で、本発明では、Ｖ，Ｎｂ，
Ｔａ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｙ，Ｍｎ，Ｃａ，Ｍｇ，希土
類元素およびアルミニウム等々を活性金属と表現した。
Ｓｉに活性金属が添加されると、濡れが著しく促進さ
れ、濡れ角が小さくなる。この結果、融着させる融着膜
の平滑化と平坦化と薄膜化が可能になり、均一でかつ電
気抵抗の大きな被膜が得られるようになり、また融着強
度も向上する。濡れ性の改善は、０．１％程度の微量添
加から効果が現れてくるが、実用的な効果を得るために
は、０．５％以上の添加がよい。Ｓｉ−Ｘ合金でＸがＴ
ｉのとき、の区域は、０％＜Ｔｉ＜４６％ の区域は、４６％（ＴｉＳｉ_２）≦Ｔｉ≦７５％（Ｔ
ｉ_５Ｓｉ_３）。の区域の珪化物はＴｉＳｉ_２で、Ｓｉ
＋ＴｉＳｉ_２のミクロ組織。ＸがＺｒのとき、の区域
は、０％＜Ｔｉ＜４０％、の区域は、４０％（ＺｒＳ
ｉ_２）≦Ｔｉ≦９３％（Ｚｒ_４Ｓｉ） の区域の珪化物はＺｒＳｉ_２で、Ｓｉ＋ＺｒＳｉ_２の
ミクロ組織。最も好ましい範囲は、Ｓｉ−Ｔｉ合金で、
Ｔｉ：１０〜２５％、Ｓｉ−Ｚｒ合金で、Ｚｒ：１０〜
３０％である。なお、いずれも重量％である。

【００１９】本発明静電チャックの吸着機構部底面には
上記したセラミックヒーターが一体的に接合されてお
り、吸着した半導体基板等の被処理物を速やかに加熱す
ることができる。また加熱機構の底面にさらに冷却機構
を一体的に接合することによって、冷却機能も付加さ
れ、加熱、冷却併用することによって精密な温度制御が
可能になる。

【００２０】静電吸着機構に加熱機構、冷却機構を一体
的に結合させる際、冷却機構−加熱機構−静電吸着機構
の順が必須条件となる。順序が逆、つまり加熱機構−冷
却機構−静電吸着機構の場合、加熱機構と静電吸着機構
の間に冷却機構が入り、冷却機構の冷媒循環路の空隙部
分が断熱層になり、加熱機構から静電吸着機構への熱移
動を阻害するために、基板加熱時、昇温速度が遅くなる
問題がある。つまり、現実の処理に際しては、低温→高
温、高温→低温に温度変化している時間は完全にロスタ
イムであるので、このロスタイムがおおきくなることは
生産性の低下を招く。順序が逆になることによって加熱
時のロスタイムが大きくなり、生産性の著しい低下を招
く。

【００２１】ここで、静電吸着機構、加熱機構、冷却機
構の「一体的結合」なる表現は以下のようなことを意味
するものである。 冶金的な接合による結合 静電吸着機構とセラミックヒーター、冷却機構がロー付
される場合に相当する。 膜の積層による結合 溶射、ＰＶＤ，ＣＶＤ，スパッタリング等の成膜処理に
よって膜を積層させて基材と密に結合させる場合。具体
的には誘電体セラミックがセラミックヒーターの上に成
膜によって形成される場合に相当する。つまりセラミッ
クヒーターの上に電極金属が膜生成され、この上にさら
に誘電体セラミックが膜生成される場合、あるいはセラ
ミックヒーターの上に電極金属の板が接合され、この板
の上に誘体セラミックが膜生成される場合。 焼結、あるいは焼成による結合 金属−金属は冶金的な接合の範疇にいるが、金属−セラ
ミック、セラミック−セラミックの組合わせで冶金的接
合の範疇に入らないものの焼結、あるいは焼成による結
合。

【００２２】［静電吸着機構部］本発明の静電吸着機構
部とは、いわゆる静電チャックの静電吸着機構部を意味
する。静電吸着機構部は誘電体セラミックと、このセラ
ミック背面に形成された静電誘導電極を含んだ構造を主
要部とする構造体の総称である。すなわち、単極方式電
の静電チャックにあっては、誘電体セラミックと、この
セラミック背面に形成された静電誘導電極を併せた構造
体を主要部とし、双極方式にあっては誘電体セラミック
と、このセラミック背面に形成された静電誘導電極、お
よびこの電極の背面を裏打ちするセラミック絶縁板から
なる構造体を主要部とする構造体が吸着機構部となる。

【００２３】誘電体セラミックは，誘電体セラミックの
焼結体を、あるいは誘電体セラミックの膜、つまり溶射
によって誘電体セラミックの被膜を形成したもの、ある
いはスパッタリング、ＣＶＤ等の薄膜処理によって形成
したもの、あるいはその他の成膜処理によって形成され
たもの、いずれでも選択できる。ここで誘電体セラミッ
クとは誘電率が特に高いセラミックのみに限定されるも
のではない。通常の電気絶縁セラミックでも厚さを薄く
すると吸着力は大きくなる現象に鑑み、本発明では誘電
率の高くない通常の電気絶縁体セラミック全般もこの
「誘電体セラミック」の範疇に含まれる。チタン酸アル
ミナ、チタン酸バリウム等の高誘電率セラミックから、
窒化ケイ素、窒化アルミ、アルミナ、サファイア、炭化
ケイ素、成膜形成されたダイヤモンド、ＣＢＮ等、絶縁
体セラミックがこの範疇にいる。なお接合時の歪をなく
すために、誘電体セラミックの材質はセラミックヒータ
ーと同じセラミックを使用するか、あるいは線膨張係数
が同じあるいは近似したものを選択するほうが好まし
い。つまりセラミックヒーターが窒化アルミ系の場合、
同じ窒化アルミ系のセラミックあるいは線膨張係数が同
じあるいは近似したものを選択するほうが好ましい。な
お誘電率の高くない通常の電気絶縁体セラミックを誘電
体セラミックとして使用する際（例えば窒化アルミを誘
電体セラミックとして使用する際）、誘電率を高くする
目的で、高誘電率セラミック（チタニア、ＳｉＣ等）成
分を添加するのも効果がある。

【００２４】静電吸着機構部背面には加熱機構（セラミ
ックヒーター）が結合されるが、双極の場合、加熱機構
つまりセラミックヒーターのセラミック面を静電吸着機
構部背面の絶縁体として代用してもよい。

【００２５】また、吸着機構部背面に加熱機構（セラミ
ックヒーター）を結合するに当たり、結合面に応力緩衝
の目的で異種材料の層をインサートする場合もある。本
発明の「静電吸着機構部」はこれらインサートされる層
の部分まで含めて総称するものである。

【００２６】［冷却機構］基材に冷媒循環路を設け、こ
の中に液体、気体冷媒を循環させて冷却する。循環路
は、基材に溝加工して、あるいは基材に管路の埋め込
み、あるいは仕切り板を渦巻状に巻回し、両端面にめく
ら板を接合して渦巻状の循環路形成、あるいは管路を内
蔵する構造を鋳造金属、あるいは溶接で形成、あるいは
管路を内蔵する構造をセラミック焼結体で形成等々、種
々の方法で形成する。循環路を形成する基材の材料は、
良熱伝導性の金属、セラミックあるいは金属セラミック
の複合材料等、いずれを採用してもよい。とくに金属／
セラミック複合材料はその割合を変えることによって線
膨脹係数を自在に調節できるので、接合部の残留応力軽
減の点で有利である。また、セラミックヒーターと冷却
機構の接合に際して、残留応力緩和の目的で、異種材料
の層をインサートして接合するのは効果的である。

【００２７】図面によって実施の形態を説明する。本発
明は基本的には４つの構造に大別できる。一つは誘電体
セラミックが焼結体で形成された構造（図１）、一つは
誘電体が成膜手法、例えば溶射、ＣＶＤ，ＰＶＤ，スパ
ッタリング、その他の成膜手法で形成された構造（図
２）、そしてそれぞれについて加熱機構に冷却機構が接
合された構造（図３，４）である。図１〜４はこれらの
状況を説明した図である。

【００２８】図１は静電吸着機構部の誘電体セラミック
が焼結体、図２は静電吸着機構部の誘電体セラミックが
成膜形成されたもの、図３は図１の構造に冷却機構が接
合されたもの、図４は図２の構造に冷却機構が接合され
たものである。

【００２９】誘電体セラミックが焼結体の場合、電極の
形成の仕方で二つの構造に別れる。一つは図５のように
セラミックと電極を一体焼結した構造。電極はセラミッ
クの中にくるまれる。もう一つは図６のように焼結体を
ヒーターにロー付し、ロー付層が電極を兼ねる構造であ
る。

【００３０】図５の構造の場合、セラミックヒーターの
電熱合金を誘電体セラミックの片面に直接融着させても
よい。つまり図７の様にヒーターの片面のセラミックを
誘電体セラミックの片面で代用させてもよい。

【００３１】次に実施例を示す。 実施例１（構造：図８の構造） 誘電吸着機構部：窒化アルミ円板（φ５０×０．２ｍｍ
厚さ）を使用 加熱機構 ：φ５０×１ｔの窒化アルミ板、２枚使
用。 電熱合金はＳｉ＋ＴｉＳｉ_２のミクロ組織の合金使用。 （Ｓｉ−２５％Ｔｉ合金） 二枚の窒化アルミ板（φ５０×１ｔ）の片面にそれぞれ
Ｓｉ−２５％Ｔｉ合金の粉末を電熱回路模様に印刷し、
仮焼結後、二枚を重ね合せ、真空中、１４３０℃で溶
融、融着させた。電熱合金膜の厚さは１００ミクロンで
あった。 ［接合］誘電吸着機構部の窒化アルミニウム板とヒータ
ーの接合も、電熱合金と同じＳｉ−２５％Ｔｉ合金使
用。接合はヒーターの接合時同時に接合した。接合金属
を電極として使用（単極） ［テスト］ 静電吸着：電極とシリコンウエハーの間に７００Ｖの直
流電圧を印加して誘電体セラミックの表面に２インチシ
リコンウエハーを吸着させた。 加熱 常温（２０℃）から加熱開始。ヒーターに通電、ウエハ
ー表面は、６０秒で７００℃に加熱できた。 保持 ヒーター加熱をＯＮ−ＯＦＦ制御してシリコンウエハー
表面温度を７００℃±５℃の範囲に保持できた。本発明
はシリコンウエハーを急速加熱でき、かつ均一に保持で
きることが確認できた。

【００３２】実施例２ 図９の構造 実施例１の構造に冷却機構を接合した構造 誘電吸着機構部、セラミックヒーターは実施例１と同じ
方法で製造。電熱合金は、Ｓｉ−２０％Ｚｒ合金使用。
真空中１４３０℃で接合。電熱合金の厚さ、１００μｍ
であった。電極は接合金属層を単極として利用。 冷却機構の構造：幅１０ｍｍ、厚さ０．５ｍｍのタング
ステンの帯を渦巻き状に巻回し、これを二枚のφ５０×
１ｔのタングステンの円板の間に挟み端面を二枚のタン
グステン円板と銀ロー付した構造。冷却は水冷、空冷 ［冷却機構との接合］窒化アルミヒーターと冷却機構は
Ｔｉ入りの銀ろうで直接ロー付した。ロー付の際、窒化
アルミヒーターとタングステンの冷却機構の間に応力緩
衝を目的として５０％Ｗ−５０％窒化アルミ（体積％）
の複合焼結体の円板（φ５０×１ｍｍ）を間に挟んで接
合した。 ［テスト］ 静電吸着：電極とシリコンウエハーの間に７００Ｖの直
流電圧を印加して誘電体セラミックの表面に２インチシ
リコンウエハーを吸着させた。 加熱 ０℃から加熱開始。ヒーターに通電、ウエハー表面は、
２５秒で１００℃に加熱できた。 冷却 ヒーターを切った後、水冷開始。ウエハー表面は４０秒
で１５℃まで冷却できた。 保持 ヒーター加熱と同時に水冷併用してシリコンウエハー表
面温度を５０℃±１℃の範囲に保持できた。本発明はシ
リコンウエハーを急速昇降温でき、かつ均一温度に保持
できることが確認できた。

【００３３】実施例３（構造：図１０の構造） 誘電吸着機構部：タングステンの電極膜をセラミックの
内部に同時焼成した窒化アルミ円板（φ５０×２ｍｍ厚
さ）を使用 加熱機構 上記電極膜内蔵窒化アルミ円板の裏面（非吸着側）の窒
化アルミ面に電熱合金（Ｓｉ−１５％Ｔｉ合金）の電熱
回路を印刷し、印刷面にさらに窒化アルミ板（φ５０×
１ｔ）を重ね合せ、真空中、１４３０℃で溶融して、電
極膜内蔵窒化アルミ円板と窒化アルミ板を融着させた。
電熱合金膜の厚さは概ね１００ミクロンであった。 冷却機構の構造：アルミニウム板（φ５０×２５ｍｍ厚
さ）の片面に渦巻き状の冷媒循環用の溝を加工し、アル
ミニウムの板（φ５０×５ｍｍ厚さ）を裏当してろう付
（アルミニウムろう付）した構造の冷却ジャケット使用
した。 ［冷却機構との接合］窒化アルミヒーターと冷却機構の
間に応力緩衝を目的としてＭｏ板（φ５０×１ｍｍ）を
挟み、窒化アルミヒーターとＭｏ，Ｍｏと冷却機構、共
にインジウム半田で半田付した。 ［テスト］ 静電吸着：電極とシリコンウエハーの間に７００Ｖの直
流電圧を印加して誘電体セラミックの表面に２インチシ
リコンウエハーを吸着させた。 加熱 ０℃から加熱開始。ヒーターに通電、ウエハー表面は、
２５秒で１００℃に加熱できた。 冷却 ヒーターを切った後、アルミジャケットに水を循環開
始。ウエハー表面は５０秒で１５℃まで冷却できた。 保持 ヒーター加熱と同時に水冷併用してシリコンウエハー表
面温度を５０℃±１℃の範囲に保持できた。本発明はシ
リコンウエハーを急速昇降温でき、かつ均一温度に保持
できることが確認できた。

【００３４】

【発明の効果】以上詳記したように、本発明は半導体基
板表面を極めて短い温度サイクルで昇降温できる特徴が
あり、生産性の向上、プラズマ処理や成膜処理等の品質
向上に多大の貢献が期待できるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】 図１は本発明の基本的な構造の説明図（誘電
体セラミックが焼結体）

【図２】 図２は本発明の基本的な構造の説明図（誘電
体セラミックが成膜形成）

【図３】 図３は本発明の基本的な構造の説明図（図１
の構造に冷却機構が接合されたもの）

【図４】 図４は、本発明の基本的な構造の説明図（図
２の構造に冷却機構が接合されたもの）

【図５】 図５は、誘電体セラミックが焼結体の場合の
電極の構造の説明図

【図６】 図６は、誘電体セラミックが焼結体の場合の
電極の構造の説明図

【図７】 図７は、誘電体セラミックが焼結体の場合の
電極の構造の説明図

【図８】 図８は、実施例の構造の説明図

【図９】 図９は、実施例の構造の説明図

【図１０】図１０は、実施例の構造の説明図

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】誘電体セラミックと該セラミックの底面に
   形成された電極を備えてなる静電吸着機構の底面に加熱
   機構を結合した構造からなり、該加熱機構は、電気絶縁
   性で、線膨張係数が同じあるいは近似した二枚のセラミ
   ック基材の間に該セラミックに融着性の電熱材料の膜を
   挟み、該膜が該二枚の基材に溶融融着した構造からなる
   ことを特徴とする静電チャック。
2. 【請求項２】誘電体セラミックと該セラミックの底面に
   形成された電極を備えてなる静電吸着機構底面に加熱機
   構を結合し、該加熱機構の底面に冷却機構を結合した構
   造からなり、該加熱機構は、電気絶縁性で、線膨張係数
   が同じあるいは近似した二枚のセラミック基材の間に該
   セラミックに融着性の電熱材料の膜を挟み、該膜が該二
   枚の基材に溶融融着した構造からなることを特徴とする
   半導体基板の静電チャック。
3. 【請求項３】上記誘電体セラミックと加熱機構の二枚の
   セラミック基材が窒化アルミニウム系セラミックである
   請求項１〜２のいずれかに記載の静電チャック。
4. 【請求項４】上記電熱材料が、ミクロ組織が珪化物とＳ
   ｉの混在組織の金属である請求項３に記載の静電チャッ
   ク。