JPH10244612A - ガス遮断性プラスチック包装材とその製造方法 - Google Patents
ガス遮断性プラスチック包装材とその製造方法Info
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- JPH10244612A JPH10244612A JP9127197A JP9127197A JPH10244612A JP H10244612 A JPH10244612 A JP H10244612A JP 9127197 A JP9127197 A JP 9127197A JP 9127197 A JP9127197 A JP 9127197A JP H10244612 A JPH10244612 A JP H10244612A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ガス遮断性に優れた透明な包装材を提供す
る。 【解決手段】 プラスチックからなる基材の少なくとも
片面に、Ｓｉアルコキシドの加水分解物と、Ｔｉ、Ｚ
ｒ、Ａｌ、から選んだ１種類または２種以上の金属アル
コキシドの加水分解物の混合物を被覆し、該加水分解物
を縮重合して形成した被膜を配置したガス遮断性プラス
チック包装材とその製造方法である。
る。 【解決手段】 プラスチックからなる基材の少なくとも
片面に、Ｓｉアルコキシドの加水分解物と、Ｔｉ、Ｚ
ｒ、Ａｌ、から選んだ１種類または２種以上の金属アル
コキシドの加水分解物の混合物を被覆し、該加水分解物
を縮重合して形成した被膜を配置したガス遮断性プラス
チック包装材とその製造方法である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はガスの透過を遮断した透
明な包装材料とその製造方法に関する。
明な包装材料とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】プラスチック基材に次の一般式に示され
るアルコキシシランの加水分解物を被覆してガス遮断性
被膜を形成した包装材は、例えば特開昭６２−１１２６
３５号、特開平７−２０５３６５号公報等で提案されて
いる。アルコキシシランの加水分解物の焼成により得ら
れる被覆は一種のガラス的被膜であってガス遮断性が大
きいが焼成時に膜の収縮が大きいのでクラックが発生す
る傾向が大きい欠点があった。前述の特開昭６２−１１
２６３５号公報の提案はアルコキシシランの加水分解物
のＳｉ原子に結合するＲ１基を炭素数１〜４とすること
で焼成時のクラックの発生を防止したものである。この
ようなＲ１基が結合したアルコキシシランの加水分解物
は焼成時のクラックの発生は防止できるが形成された被
膜のガス遮断性を低下することがわかった。また特開平
３−６２７５号公報、特開平６−１９２４５４号公報等
には金属アルコキシドにポリマーやイソシアネートを加
えた塗布材が示されているが、ガスバリヤ性が低い問題
がある。
るアルコキシシランの加水分解物を被覆してガス遮断性
被膜を形成した包装材は、例えば特開昭６２−１１２６
３５号、特開平７−２０５３６５号公報等で提案されて
いる。アルコキシシランの加水分解物の焼成により得ら
れる被覆は一種のガラス的被膜であってガス遮断性が大
きいが焼成時に膜の収縮が大きいのでクラックが発生す
る傾向が大きい欠点があった。前述の特開昭６２−１１
２６３５号公報の提案はアルコキシシランの加水分解物
のＳｉ原子に結合するＲ１基を炭素数１〜４とすること
で焼成時のクラックの発生を防止したものである。この
ようなＲ１基が結合したアルコキシシランの加水分解物
は焼成時のクラックの発生は防止できるが形成された被
膜のガス遮断性を低下することがわかった。また特開平
３−６２７５号公報、特開平６−１９２４５４号公報等
には金属アルコキシドにポリマーやイソシアネートを加
えた塗布材が示されているが、ガスバリヤ性が低い問題
がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明はクラックの発
生を防止し、またガス遮断性の優れたシリコン酸化物と
Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌの酸化物の縮重合した被覆を設けた可
撓性を有する包装材とその製造方法を提供する。
生を防止し、またガス遮断性の優れたシリコン酸化物と
Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌの酸化物の縮重合した被覆を設けた可
撓性を有する包装材とその製造方法を提供する。
【０００４】
【課題を解決した手段】本発明は、 「１． プラスチックからなる基材の少なくとも片面
に、アミノ基含有シランカップリング剤を被覆しその上
に一般式Ｉで示されるＳｉアルコキシドの加水分解物
と、一般式ＩＩおよび／または一般式ＩＩＩで示される
Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ、から選んだ１種類または２種以上の
金属アルコキシドの加水分解物の混合物を被覆し、該加
水分解物を縮重合して形成した被膜を配置したガス遮断
性プラスチック包装材 一般式Ｉ Ｒ１−Ｓｉ−（ＯＲ２）３ （Ｒ１は炭素数が１〜２０の飽和または不飽和の炭化水
素残基、Ｒ２は炭素数が１〜４のアルキル基） 一般式ＩＩ Ｒ３ ｘ−Ａｌ−（ＯＲ２）ｎ （Ｒ２は炭素数１〜４のアルキル基であり、Ｒ３は酸素
を介してＡｌに結合する炭素数１〜２０の炭化水素残基
であり、０≦ｎ≦３、０≦ｘ≦３、ｘ＋ｎ＝３である） 一般式ＩＩＩ Ｒ３ ｙ−Ｍ−（ＯＲ２）ｍ （ＭはＴｉ、Ｚｒから選んだ１または２以上であり、Ｒ
２は炭素数１〜４のアルキル基であり、Ｒ３は酸素を介
してＭに結合する炭素数１〜２０の炭化水素残基であ
り、０≦ｍ≦３、０≦ｙ≦３、ｍ＋ｙ＝４である） ２． 加水分解物中のＳｉアルコキシドの加水分解物の
含有量が５０〜９５ｍｏｌ％である、１項に記載されれ
たガス遮断性プラスチック包装材。 ３． 被膜が低温プラズマ処理あるいはイオン照射処理
あるいは電子線照射処理で縮重合を行って得た被膜であ
る、１項または２項に記載されれたガス遮断性プラスチ
ック包装材。 ４．被膜の膜厚が０．０１乃至０．１ｕｍである、１項
ないし３項のいずれか１項に記載されれたガス遮断性プ
ラスチック包装材。 ５． アミノ基含有シランカップリング剤が、３−（Ｎ
−アリルアミノ）プロピルトリメトキシシラン、４−ア
ミノブチルトリエトキシシラン、（アミノエチルアミノ
メチル）フェネチルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−ア
ミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシ
ラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピル
トリメトキシシラン、Ｎ−（６−アミノヘキシル）アミ
ノプロピルトリメトキシシラン、３−（ｍ−アミノフェ
ノキシ）プロピルトリメトキシシラン、ｍ−アミノフェ
ニルトリメトキシシラン、ｐ−アミノフェニルトリメト
キシシラン、３−（１−アミノプロポキシ）−３，３−
ジメチル−１−プロペニルトリメトキシシラン、３−ア
ミノプロピルジイソプロピルエトキシシラン、３−アミ
ノプロピルジメチルエトキシシラン、３−アミノプロピ
ルメチルジエトキシシラン、３−アミノプロピルトリエ
トキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン
から選んだ１または２以上である、１項ないし４項のい
ずれか１項に記載されたガス遮断性プラスチック包装
材。 ６． プラスチックからなる基材の少なくとも片面に、
アミノ基含有シランカップリング剤を被覆し、その上に
一般式Ｉで示されるＳｉアルコキシドをアルコール系溶
剤に溶解し酸触媒を用いて加水分解した加水分解物と、
一般式ＩＩおよび／または一般式ＩＩＩで示されるＴ
ｉ、Ｚｒ、Ａｌ、から選んだ１種類または２種以上の金
属アルコキシドとを夫々アルコール系溶剤に溶解し、酸
触媒を用いて加水分解して生成した加水分解生成物の混
合物を塗布し、乾燥後低温プラズマ処理して、該加水分
解物を縮重合し被覆層を形成することを特徴とするガス
遮断性プラスチック包装材の製造方法。 一般式Ｉ Ｒ１−Ｓｉ−（ＯＲ２）３ （Ｒ１は炭素数が１〜２０の飽和または不飽和の炭化水
素残基、Ｒ２は炭素数が１〜４のアルキル基） 一般式ＩＩ Ｒ３ ｘ−Ａｌ−（ＯＲ２）ｎ （Ｒ２は炭素数１〜４のアルキル基であり、Ｒ３は酸素
を介してＡｌに結合する炭素数１〜２０の炭化水素残基
であり、０≦ｎ≦３、０≦ｘ≦３、ｘ＋ｎ＝３である） 一般式ＩＩＩ Ｒ３ ｙ−Ｍ−（ＯＲ２）ｍ （ＭはＴｉ、Ｚｒから選んだ１または２以上であり、Ｒ
２は炭素数１〜４のアルキル基であり、Ｒ３は酸素を介
してＭに結合する炭素数１〜２０の炭化水素残基であ
り、０≦ｍ≦３、０≦ｙ≦３、ｍ＋ｙ＝４である） ７． プラスチックからなる基材の少なくとも片面に、
アミノ基含有シランカップリング剤を被覆しその上に一
般式Ｉで示されるＳｉアルコシキドをアルコール系溶剤
に溶解し、酸触媒を用いて加水分解を行って生成した加
水分解生成物に、一般式ＩＩおよび／または一般式ＩＩ
Ｉ示されるＴｉ、Ｚｒ、Ａｌ、から選んだ１種類または
２種以上の金属アルコキシドを添加して加水分解し生成
した加水分解物の混合物を塗布し、乾燥後低温プラズマ
処理して、該加水分解物を縮重合し被覆層を形成するこ
とを特徴とするガス遮断性プラスチック包装材の製造方
法。 一般式Ｉ Ｒ１−Ｓｉ−（ＯＲ２）３ （Ｒ１は炭素数が１〜２０の飽和または不飽和の炭化水
素残基、Ｒ２は炭素数が１〜４のアルキル基） 一般式ＩＩ Ｒ３ ｘ−Ａｌ−（ＯＲ２）ｎ （Ｒ２は炭素数１〜４のアルキル基であり、Ｒ３は酸素
を介してＡｌに結合する炭素数１〜２０の炭化水素残基
であり、０≦ｎ≦３、０≦ｘ≦３、ｘ＋ｎ＝３である） 一般式ＩＩＩ Ｒ３ ｙ−Ｍ−（ＯＲ２）ｍ （ＭはＴｉ、Ｚｒから選んだ１または２以上であり、Ｒ
２は炭素数１〜４のアルキル基であり、Ｒ３は酸素を介
してＭに結合する炭素数１〜２０の炭化水素残基であ
り、０≦ｍ≦３、０≦ｙ≦３、ｍ＋ｙ＝４である） ８． プラスチックからなる基材の少なくとも片面に、
アミノ基含有シランカップリング剤を被覆し、その上に
一般式Ｉで示されるＳｉアルコキシドのアルコール系溶
液と、一般式ＩＩおよび／または一般式ＩＩＩで示され
るＴｉ、Ｚｒ、Ａｌ、から選んだ１種類または２種以上
の金属アルコキシドとをアルコール系溶剤に溶解した溶
液の混合溶液に酸触媒を加えて加水分解を行って生成し
た加水分解生成物の混合物を塗布し、乾燥後低温プラズ
マ処理して、該加水分解物を縮重合し被覆層を形成する
ことを特徴とするガス遮断性プラスチック包装材の製造
方法。 一般式Ｉ Ｒ１−Ｓｉ−（ＯＲ２）３ （Ｒ１は炭素数が１〜２０の飽和または不飽和の炭化水
素残基、Ｒ２は炭素数が１〜４のアルキル基） 一般式ＩＩ Ｒ３ ｘ−Ａｌ−（ＯＲ２）ｎ （Ｒ２は炭素数１〜４のアルキル基であり、Ｒ３は酸素
を介してＡｌに結合する炭素数１〜２０の炭化水素残基
であり、０≦ｎ≦３、０≦ｘ≦３、ｘ＋ｎ＝３である） 一般式ＩＩＩ Ｒ３ ｙ−Ｍ−（ＯＲ２）ｍ （ＭはＴｉ、Ｚｒから選んだ１または２以上であり、Ｒ
２は炭素数１〜４のアルキル基であり、Ｒ３は酸素を介
してＭに結合する炭素数１〜２０の炭化水素残基であ
り、０≦ｍ≦３、０≦ｙ≦３、ｍ＋ｙ＝４である） ９． プラスチックからなる基材の少なくとも片面に、
アミノ基含有シランカップリング剤を被覆しその上に一
般式Ｉで示されるＳｉアルコキシドと、一般式ＩＩおよ
び／または一般式ＩＩＩで示されるＴｉ、Ｚｒ、Ａｌ、
から選んだ１種類または２種以上の金属アルコキシドと
をアルコール系溶剤に溶解した混合物に酸触媒を加えて
塗布し、水蒸気雰囲気中を通してアルコキシドを加水分
解した後乾燥して溶剤を除去してから低温プラズマ処理
して、該加水分解物を縮重合することを特徴とするガス
遮断性プラスチック包装材の製造方法。 一般式Ｉ Ｒ１−Ｓｉ−（ＯＲ２）３ （Ｒ１は炭素数が１〜２０の飽和または不飽和の炭化水
素残基、Ｒ２は炭素数が１〜４のアルキル基） 一般式ＩＩ Ｒ３ ｘ−ｎ−Ａｌ−（ＯＲ２）ｎ （Ｒ２は炭素数１〜４のアルキル基であり、Ｒ３は酸素
を介してＡｌに結合する炭素数１〜２０の炭化水素残基
であり、０≦ｎ≦３、０≦ｘ≦３、ｘ＋ｎ＝３である） 一般式ＩＩＩ Ｒ３ ｙ−Ｍ−（ＯＲ２）ｍ （ＭはＴｉ、Ｚｒから選んだ１または２以上であり、Ｒ
２は炭素数１〜４のアルキル基であり、Ｒ３は酸素を介
してＭに結合する炭素数１〜２０の炭化水素残基であ
り、０≦ｍ≦３、０≦ｙ≦３、ｍ＋ｙ＝４である） １０． アミノ基含有シランカップリング剤が、３−
（Ｎ−アリルアミノ）プロピルトリメトキシシラン、４
−アミノブチルトリエトキシシラン、（アミノエチルア
ミノメチル）フェネチルトリメトキシシラン、Ｎ−（２
−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキ
シシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロ
ピルトリメトキシシラン、Ｎ−（６−アミノヘキシル）
アミノプロピルトリメトキシシラン、３−（ｍ−アミノ
フェノキシ）プロピルトリメトキシシラン、ｍ−アミノ
フェニルトリメドキシシラン、ｐ−アミノフェニルトリ
メトキシシラン、３−（１−アミノプロポキシ）−３，
３−ジメチル−１−プロペニルトリメドキシシラン、３
−アミノプロピルジイソプロピルエトキシシラン、３−
アミノプロピルジメチルエトキシシラン、３−アミノプ
ロピルメチルジエトキシシラン、３−アミノプロピルト
リエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシ
ランから選んだ１または２以上である、１項ないし９項
のいずれか１項に記載されたガス遮断性プラスチック包
装材の製造方法。 １１． 縮重合をイオン照射処理で行うことを特徴とす
る、６項ないし１０項のいずれか１項に記載されたガス
遮断性プラスチック包装材の製造方法。 １２． 縮重合を電子線照射処理で行うことを特徴とす
る、６項ないし１０項のいずれか１項に記載されたガス
遮断性プラスチック包装材の製造方法。 １３． 膜厚が０．０１乃至０．１ｕｍの被膜を形成す
ることを特徴とする、６項ないし１２項のいずれか１項
に記載されれたガス遮断性プラスチック包装材の製造方
法。」に関する。
に、アミノ基含有シランカップリング剤を被覆しその上
に一般式Ｉで示されるＳｉアルコキシドの加水分解物
と、一般式ＩＩおよび／または一般式ＩＩＩで示される
Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ、から選んだ１種類または２種以上の
金属アルコキシドの加水分解物の混合物を被覆し、該加
水分解物を縮重合して形成した被膜を配置したガス遮断
性プラスチック包装材 一般式Ｉ Ｒ１−Ｓｉ−（ＯＲ２）３ （Ｒ１は炭素数が１〜２０の飽和または不飽和の炭化水
素残基、Ｒ２は炭素数が１〜４のアルキル基） 一般式ＩＩ Ｒ３ ｘ−Ａｌ−（ＯＲ２）ｎ （Ｒ２は炭素数１〜４のアルキル基であり、Ｒ３は酸素
を介してＡｌに結合する炭素数１〜２０の炭化水素残基
であり、０≦ｎ≦３、０≦ｘ≦３、ｘ＋ｎ＝３である） 一般式ＩＩＩ Ｒ３ ｙ−Ｍ−（ＯＲ２）ｍ （ＭはＴｉ、Ｚｒから選んだ１または２以上であり、Ｒ
２は炭素数１〜４のアルキル基であり、Ｒ３は酸素を介
してＭに結合する炭素数１〜２０の炭化水素残基であ
り、０≦ｍ≦３、０≦ｙ≦３、ｍ＋ｙ＝４である） ２． 加水分解物中のＳｉアルコキシドの加水分解物の
含有量が５０〜９５ｍｏｌ％である、１項に記載されれ
たガス遮断性プラスチック包装材。 ３． 被膜が低温プラズマ処理あるいはイオン照射処理
あるいは電子線照射処理で縮重合を行って得た被膜であ
る、１項または２項に記載されれたガス遮断性プラスチ
ック包装材。 ４．被膜の膜厚が０．０１乃至０．１ｕｍである、１項
ないし３項のいずれか１項に記載されれたガス遮断性プ
ラスチック包装材。 ５． アミノ基含有シランカップリング剤が、３−（Ｎ
−アリルアミノ）プロピルトリメトキシシラン、４−ア
ミノブチルトリエトキシシラン、（アミノエチルアミノ
メチル）フェネチルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−ア
ミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシ
ラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピル
トリメトキシシラン、Ｎ−（６−アミノヘキシル）アミ
ノプロピルトリメトキシシラン、３−（ｍ−アミノフェ
ノキシ）プロピルトリメトキシシラン、ｍ−アミノフェ
ニルトリメトキシシラン、ｐ−アミノフェニルトリメト
キシシラン、３−（１−アミノプロポキシ）−３，３−
ジメチル−１−プロペニルトリメトキシシラン、３−ア
ミノプロピルジイソプロピルエトキシシラン、３−アミ
ノプロピルジメチルエトキシシラン、３−アミノプロピ
ルメチルジエトキシシラン、３−アミノプロピルトリエ
トキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン
から選んだ１または２以上である、１項ないし４項のい
ずれか１項に記載されたガス遮断性プラスチック包装
材。 ６． プラスチックからなる基材の少なくとも片面に、
アミノ基含有シランカップリング剤を被覆し、その上に
一般式Ｉで示されるＳｉアルコキシドをアルコール系溶
剤に溶解し酸触媒を用いて加水分解した加水分解物と、
一般式ＩＩおよび／または一般式ＩＩＩで示されるＴ
ｉ、Ｚｒ、Ａｌ、から選んだ１種類または２種以上の金
属アルコキシドとを夫々アルコール系溶剤に溶解し、酸
触媒を用いて加水分解して生成した加水分解生成物の混
合物を塗布し、乾燥後低温プラズマ処理して、該加水分
解物を縮重合し被覆層を形成することを特徴とするガス
遮断性プラスチック包装材の製造方法。 一般式Ｉ Ｒ１−Ｓｉ−（ＯＲ２）３ （Ｒ１は炭素数が１〜２０の飽和または不飽和の炭化水
素残基、Ｒ２は炭素数が１〜４のアルキル基） 一般式ＩＩ Ｒ３ ｘ−Ａｌ−（ＯＲ２）ｎ （Ｒ２は炭素数１〜４のアルキル基であり、Ｒ３は酸素
を介してＡｌに結合する炭素数１〜２０の炭化水素残基
であり、０≦ｎ≦３、０≦ｘ≦３、ｘ＋ｎ＝３である） 一般式ＩＩＩ Ｒ３ ｙ−Ｍ−（ＯＲ２）ｍ （ＭはＴｉ、Ｚｒから選んだ１または２以上であり、Ｒ
２は炭素数１〜４のアルキル基であり、Ｒ３は酸素を介
してＭに結合する炭素数１〜２０の炭化水素残基であ
り、０≦ｍ≦３、０≦ｙ≦３、ｍ＋ｙ＝４である） ７． プラスチックからなる基材の少なくとも片面に、
アミノ基含有シランカップリング剤を被覆しその上に一
般式Ｉで示されるＳｉアルコシキドをアルコール系溶剤
に溶解し、酸触媒を用いて加水分解を行って生成した加
水分解生成物に、一般式ＩＩおよび／または一般式ＩＩ
Ｉ示されるＴｉ、Ｚｒ、Ａｌ、から選んだ１種類または
２種以上の金属アルコキシドを添加して加水分解し生成
した加水分解物の混合物を塗布し、乾燥後低温プラズマ
処理して、該加水分解物を縮重合し被覆層を形成するこ
とを特徴とするガス遮断性プラスチック包装材の製造方
法。 一般式Ｉ Ｒ１−Ｓｉ−（ＯＲ２）３ （Ｒ１は炭素数が１〜２０の飽和または不飽和の炭化水
素残基、Ｒ２は炭素数が１〜４のアルキル基） 一般式ＩＩ Ｒ３ ｘ−Ａｌ−（ＯＲ２）ｎ （Ｒ２は炭素数１〜４のアルキル基であり、Ｒ３は酸素
を介してＡｌに結合する炭素数１〜２０の炭化水素残基
であり、０≦ｎ≦３、０≦ｘ≦３、ｘ＋ｎ＝３である） 一般式ＩＩＩ Ｒ３ ｙ−Ｍ−（ＯＲ２）ｍ （ＭはＴｉ、Ｚｒから選んだ１または２以上であり、Ｒ
２は炭素数１〜４のアルキル基であり、Ｒ３は酸素を介
してＭに結合する炭素数１〜２０の炭化水素残基であ
り、０≦ｍ≦３、０≦ｙ≦３、ｍ＋ｙ＝４である） ８． プラスチックからなる基材の少なくとも片面に、
アミノ基含有シランカップリング剤を被覆し、その上に
一般式Ｉで示されるＳｉアルコキシドのアルコール系溶
液と、一般式ＩＩおよび／または一般式ＩＩＩで示され
るＴｉ、Ｚｒ、Ａｌ、から選んだ１種類または２種以上
の金属アルコキシドとをアルコール系溶剤に溶解した溶
液の混合溶液に酸触媒を加えて加水分解を行って生成し
た加水分解生成物の混合物を塗布し、乾燥後低温プラズ
マ処理して、該加水分解物を縮重合し被覆層を形成する
ことを特徴とするガス遮断性プラスチック包装材の製造
方法。 一般式Ｉ Ｒ１−Ｓｉ−（ＯＲ２）３ （Ｒ１は炭素数が１〜２０の飽和または不飽和の炭化水
素残基、Ｒ２は炭素数が１〜４のアルキル基） 一般式ＩＩ Ｒ３ ｘ−Ａｌ−（ＯＲ２）ｎ （Ｒ２は炭素数１〜４のアルキル基であり、Ｒ３は酸素
を介してＡｌに結合する炭素数１〜２０の炭化水素残基
であり、０≦ｎ≦３、０≦ｘ≦３、ｘ＋ｎ＝３である） 一般式ＩＩＩ Ｒ３ ｙ−Ｍ−（ＯＲ２）ｍ （ＭはＴｉ、Ｚｒから選んだ１または２以上であり、Ｒ
２は炭素数１〜４のアルキル基であり、Ｒ３は酸素を介
してＭに結合する炭素数１〜２０の炭化水素残基であ
り、０≦ｍ≦３、０≦ｙ≦３、ｍ＋ｙ＝４である） ９． プラスチックからなる基材の少なくとも片面に、
アミノ基含有シランカップリング剤を被覆しその上に一
般式Ｉで示されるＳｉアルコキシドと、一般式ＩＩおよ
び／または一般式ＩＩＩで示されるＴｉ、Ｚｒ、Ａｌ、
から選んだ１種類または２種以上の金属アルコキシドと
をアルコール系溶剤に溶解した混合物に酸触媒を加えて
塗布し、水蒸気雰囲気中を通してアルコキシドを加水分
解した後乾燥して溶剤を除去してから低温プラズマ処理
して、該加水分解物を縮重合することを特徴とするガス
遮断性プラスチック包装材の製造方法。 一般式Ｉ Ｒ１−Ｓｉ−（ＯＲ２）３ （Ｒ１は炭素数が１〜２０の飽和または不飽和の炭化水
素残基、Ｒ２は炭素数が１〜４のアルキル基） 一般式ＩＩ Ｒ３ ｘ−ｎ−Ａｌ−（ＯＲ２）ｎ （Ｒ２は炭素数１〜４のアルキル基であり、Ｒ３は酸素
を介してＡｌに結合する炭素数１〜２０の炭化水素残基
であり、０≦ｎ≦３、０≦ｘ≦３、ｘ＋ｎ＝３である） 一般式ＩＩＩ Ｒ３ ｙ−Ｍ−（ＯＲ２）ｍ （ＭはＴｉ、Ｚｒから選んだ１または２以上であり、Ｒ
２は炭素数１〜４のアルキル基であり、Ｒ３は酸素を介
してＭに結合する炭素数１〜２０の炭化水素残基であ
り、０≦ｍ≦３、０≦ｙ≦３、ｍ＋ｙ＝４である） １０． アミノ基含有シランカップリング剤が、３−
（Ｎ−アリルアミノ）プロピルトリメトキシシラン、４
−アミノブチルトリエトキシシラン、（アミノエチルア
ミノメチル）フェネチルトリメトキシシラン、Ｎ−（２
−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキ
シシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロ
ピルトリメトキシシラン、Ｎ−（６−アミノヘキシル）
アミノプロピルトリメトキシシラン、３−（ｍ−アミノ
フェノキシ）プロピルトリメトキシシラン、ｍ−アミノ
フェニルトリメドキシシラン、ｐ−アミノフェニルトリ
メトキシシラン、３−（１−アミノプロポキシ）−３，
３−ジメチル−１−プロペニルトリメドキシシラン、３
−アミノプロピルジイソプロピルエトキシシラン、３−
アミノプロピルジメチルエトキシシラン、３−アミノプ
ロピルメチルジエトキシシラン、３−アミノプロピルト
リエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシ
ランから選んだ１または２以上である、１項ないし９項
のいずれか１項に記載されたガス遮断性プラスチック包
装材の製造方法。 １１． 縮重合をイオン照射処理で行うことを特徴とす
る、６項ないし１０項のいずれか１項に記載されたガス
遮断性プラスチック包装材の製造方法。 １２． 縮重合を電子線照射処理で行うことを特徴とす
る、６項ないし１０項のいずれか１項に記載されたガス
遮断性プラスチック包装材の製造方法。 １３． 膜厚が０．０１乃至０．１ｕｍの被膜を形成す
ることを特徴とする、６項ないし１２項のいずれか１項
に記載されれたガス遮断性プラスチック包装材の製造方
法。」に関する。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明は、プラスチックからなる
基材の少なくとも片面に、アミノ基含有シランカップリ
ング剤を被覆しその上に 一般式Ｉ Ｒ１−Ｓｉ−（ＯＲ２）３ （Ｒ１は炭素数が１〜２０の飽和または不飽和の炭化水
素残基、Ｒ２は炭素数が１〜４のアルキル基）で示され
るＳｉアルコキシドを加水分解した加水分解物と、一般
式ＩＩおよび／または一般式ＩＩＩで 一般式ＩＩ Ｒ３ ｘ−Ａｌ−（ＯＲ２）ｎ （Ｒ２は炭素数１〜４のアルキル基であり、Ｒ３は酸索
を介してＡｌに結合する炭素数１〜２０の炭化水素残基
であり、０≦ｎ≦３、０≦ｘ≦３、ｘ＋ｎ＝３である） 一般式ＩＩＩ Ｒ３ ｙ−Ｍ−（ＯＲ２）ｍ （ＭはＴｉ、Ｚｒから選んだ１または２以上であり、Ｒ
２は炭素数１〜４のアルキル基であり、Ｒ３は酸素を介
してＭに結合する炭素数１〜２０の炭化水素残基であ
り、０≦ｍ≦３、０≦ｙ≦３、ｍ＋ｙ＝４である）で示
されるＴｉ、Ｚｒ、Ａｌから選んだ１種または２種以上
の金属アルコキシドを加水分解した加水分解物の混合物
を縮重合して形成した被膜を配置したことに第１の特徴
を有する。この被膜は、Ｒ１−ＳｉＯｐ（ｐは１〜２）
とＲ１−ＭＯｑ（ｑは１〜２）の結合により形成された
被膜であって、可撓性を有し耐クラック防止性とガス遮
断性に非常に優れている。
基材の少なくとも片面に、アミノ基含有シランカップリ
ング剤を被覆しその上に 一般式Ｉ Ｒ１−Ｓｉ−（ＯＲ２）３ （Ｒ１は炭素数が１〜２０の飽和または不飽和の炭化水
素残基、Ｒ２は炭素数が１〜４のアルキル基）で示され
るＳｉアルコキシドを加水分解した加水分解物と、一般
式ＩＩおよび／または一般式ＩＩＩで 一般式ＩＩ Ｒ３ ｘ−Ａｌ−（ＯＲ２）ｎ （Ｒ２は炭素数１〜４のアルキル基であり、Ｒ３は酸索
を介してＡｌに結合する炭素数１〜２０の炭化水素残基
であり、０≦ｎ≦３、０≦ｘ≦３、ｘ＋ｎ＝３である） 一般式ＩＩＩ Ｒ３ ｙ−Ｍ−（ＯＲ２）ｍ （ＭはＴｉ、Ｚｒから選んだ１または２以上であり、Ｒ
２は炭素数１〜４のアルキル基であり、Ｒ３は酸素を介
してＭに結合する炭素数１〜２０の炭化水素残基であ
り、０≦ｍ≦３、０≦ｙ≦３、ｍ＋ｙ＝４である）で示
されるＴｉ、Ｚｒ、Ａｌから選んだ１種または２種以上
の金属アルコキシドを加水分解した加水分解物の混合物
を縮重合して形成した被膜を配置したことに第１の特徴
を有する。この被膜は、Ｒ１−ＳｉＯｐ（ｐは１〜２）
とＲ１−ＭＯｑ（ｑは１〜２）の結合により形成された
被膜であって、可撓性を有し耐クラック防止性とガス遮
断性に非常に優れている。
【０００６】Ｓｉアルコキシド加水分解物を縮重合して
生成したシリカ被膜はガス遮断性に優れているが、可撓
性が乏しい欠点があった。可撓性を付与するために有機
成分、例えば有機高分子物を添加することが試みられた
が、ガス遮断性が低下する欠点がある。膜厚が１／１０
０ミクロン程度の薄膜として可撓性を付与することも考
えられたが、薄膜化するためにＳｉアルコキシド加水分
解物の濃度を小さくすると生成する被膜に小孔が発生す
るためガス遮断性が低下し実用上問題となる。この小孔
の発生を防止するためにＴｉ、Ｚｒ、Ａｌ等のアルコキ
シド分化物を配合してＳｉアルコキシド加水分解物と共
縮合させると薄膜でもガス遮断性は著しく向上する。し
かしながら用途によっては可撓性が充分とは言えない場
合がある。本発明はこの優れたガス遮断性被膜に可撓性
を付与したところに第２の特徴がある。本発明は，プラ
スチック基材にＳｉアルコキシド加水分解物の縮重合に
より生成したガス遮断性被膜を形成する際に、アミノ基
含有シランカップリング剤を用いてプラスチック基材を
前処理することによりその上に形成されるガス遮断性層
の可撓性を改善したものである。学問的解明は必ずしも
充分ではないが本発明者は、アミノ基含有シランカップ
リング剤で前処理することによりプラスチック基材とガ
ス遮断層の密着が向上することと、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、
Ａｌ、アルコキシドの加水分解物の縮重合時に、アミノ
基含有シランカップリング剤が薄膜の構造を可撓性が発
揮される構造に制御していると考えている。いずれにし
ても、アミノ基含有シランカップリング剤で前処理する
ことによりガス遮断層の可撓性は良好な反復再現性をも
って著しく向上する。アルコキシドに炭化水素基が存在
しないと製膜時のクラックの発生が防止できなくなり、
炭化水素基の炭素数が２０以上ではガス遮断性が著しく
低下する。
生成したシリカ被膜はガス遮断性に優れているが、可撓
性が乏しい欠点があった。可撓性を付与するために有機
成分、例えば有機高分子物を添加することが試みられた
が、ガス遮断性が低下する欠点がある。膜厚が１／１０
０ミクロン程度の薄膜として可撓性を付与することも考
えられたが、薄膜化するためにＳｉアルコキシド加水分
解物の濃度を小さくすると生成する被膜に小孔が発生す
るためガス遮断性が低下し実用上問題となる。この小孔
の発生を防止するためにＴｉ、Ｚｒ、Ａｌ等のアルコキ
シド分化物を配合してＳｉアルコキシド加水分解物と共
縮合させると薄膜でもガス遮断性は著しく向上する。し
かしながら用途によっては可撓性が充分とは言えない場
合がある。本発明はこの優れたガス遮断性被膜に可撓性
を付与したところに第２の特徴がある。本発明は，プラ
スチック基材にＳｉアルコキシド加水分解物の縮重合に
より生成したガス遮断性被膜を形成する際に、アミノ基
含有シランカップリング剤を用いてプラスチック基材を
前処理することによりその上に形成されるガス遮断性層
の可撓性を改善したものである。学問的解明は必ずしも
充分ではないが本発明者は、アミノ基含有シランカップ
リング剤で前処理することによりプラスチック基材とガ
ス遮断層の密着が向上することと、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、
Ａｌ、アルコキシドの加水分解物の縮重合時に、アミノ
基含有シランカップリング剤が薄膜の構造を可撓性が発
揮される構造に制御していると考えている。いずれにし
ても、アミノ基含有シランカップリング剤で前処理する
ことによりガス遮断層の可撓性は良好な反復再現性をも
って著しく向上する。アルコキシドに炭化水素基が存在
しないと製膜時のクラックの発生が防止できなくなり、
炭化水素基の炭素数が２０以上ではガス遮断性が著しく
低下する。
【０００７】本発明は、プラスチックからなる基材の表
面にアルコキシドの加水分解物を塗布する前にアミノ基
含有シランカップリング剤を被覆することによりガス遮
断層に可撓性を付与する効果を奏する。本発明の他の特
徴は、プラスチック材の表面に被覆して縮重合を行う加
水分解物中にＳｉアルコキシドの加水分解物が５０〜９
５ｍｏｌ％含まれていることである。Ｓｉアルコキシド
の加水分解物が５０ｍｏｌ％以下では、焼成被膜の基体
との密着性が著しく低下し、９５ｍｏｌ％以上ではガス
遮断性の向上は望めない。本発明のもう一つの特徴は、
加水分解物の縮重合を低温プラズマ処理またはイオン照
射処理または電子線照射処理で行うことである。低温プ
ラズマ処理およびイオン照射処理および電子線照射処理
により縮重合を行うと、低温で被膜の表層部分の縮重合
反応が促進され緻密化が起こり、ガス遮断性が向上する
という利点がある。本発明のさらに他の特徴は、プラス
チック材の表面に配置する加水分解物の縮重合により形
成される被膜の厚さを０．０１〜０．１μｍとしたこと
である。０．０１μｍ以下ではピンホールが多くガス遮
断性が付与できない。０．１μｍ以上では充分な可撓性
が得られない。
面にアルコキシドの加水分解物を塗布する前にアミノ基
含有シランカップリング剤を被覆することによりガス遮
断層に可撓性を付与する効果を奏する。本発明の他の特
徴は、プラスチック材の表面に被覆して縮重合を行う加
水分解物中にＳｉアルコキシドの加水分解物が５０〜９
５ｍｏｌ％含まれていることである。Ｓｉアルコキシド
の加水分解物が５０ｍｏｌ％以下では、焼成被膜の基体
との密着性が著しく低下し、９５ｍｏｌ％以上ではガス
遮断性の向上は望めない。本発明のもう一つの特徴は、
加水分解物の縮重合を低温プラズマ処理またはイオン照
射処理または電子線照射処理で行うことである。低温プ
ラズマ処理およびイオン照射処理および電子線照射処理
により縮重合を行うと、低温で被膜の表層部分の縮重合
反応が促進され緻密化が起こり、ガス遮断性が向上する
という利点がある。本発明のさらに他の特徴は、プラス
チック材の表面に配置する加水分解物の縮重合により形
成される被膜の厚さを０．０１〜０．１μｍとしたこと
である。０．０１μｍ以下ではピンホールが多くガス遮
断性が付与できない。０．１μｍ以上では充分な可撓性
が得られない。
【０００８】本発明の製造方法の特徴は、プラスチック
からなる基材の少なくとも片面に、アミノ基含有シラン
カップリング剤を被覆し、その上に一般式Ｉで示される
Ｓｉアルコキシドをアルコール系溶剤に溶解し酸触媒で
加水分解した加水分解物と、一般式ＩＩおよび／または
一般式ＩＩＩで示されるＴｉ、Ｚｒ、Ａｌ、から選んだ
１種類または２種以上の金属アルコキシドとを夫々アル
コール系溶剤に溶解し、酸触媒を用いて加水分解して生
成した加水分解生成物の混合物を塗布し、乾燥後低温プ
ラズマ処理して、該加水分解物を縮重合し被覆層を形成
することである。 一般式Ｉ Ｒ１−Ｓｉ−（ＯＲ２）３ （Ｒ１は炭素数が１〜２０の飽和または不飽和の炭化水
素残基、Ｒ２は炭素数が１〜４のアルキル基） 一般式ＩＩ Ｒ３ ｘ−Ａｌ−（ＯＲ２）ｎ （Ｒ２は炭素数１〜４のアルキル基であり、Ｒ３は酸素
を介してＡｌに結合する炭素数１〜２０の炭化水素残基
であり、０≦ｎ≦３、０≦ｘ≦３、ｘ＋ｎ＝３である） 一般式ＩＩＩ Ｒ３ ｙ−Ｍ−（ＯＲ２）ｍ （ＭはＴｉ、Ｚｒから選んだ１または２以上であり、Ｒ
２は炭素数１〜４のアルキル基であり、Ｒ３は酸素を介
してＭに結合する炭素数１〜２０の炭化水素残基であ
り、０≦ｍ≦３、０≦ｙ≦３、ｍ＋ｙ＝４である）。ま
たＳｉアルコキシドをアルコール系溶液に酸触媒を加え
て加水分解し、この中にＴｉ、Ｚｒ、Ａｌから選んだ１
種または２種以上のアルコキシドを加えて加水分解した
混合物を用いてもよい。この他炭素数が１〜２０の炭化
水素基を含むＳｉアルコキシドと炭素数が１〜２０の炭
化水素基を含むＴｉ、Ｚｒ、Ａｌのアルコキシドから選
んだ１または２以上のアルコキシドをアルコール系溶剤
に溶解して混合し、この混合物に酸触媒を加えて加水分
解することにより加水分解物の混合物としてもよい。加
水分解を終了してから縮重合を行うので均一な重合体を
生成することができる。こうしてプラスチック材表面に
ガス遮断性透明被覆を設けることができる。
からなる基材の少なくとも片面に、アミノ基含有シラン
カップリング剤を被覆し、その上に一般式Ｉで示される
Ｓｉアルコキシドをアルコール系溶剤に溶解し酸触媒で
加水分解した加水分解物と、一般式ＩＩおよび／または
一般式ＩＩＩで示されるＴｉ、Ｚｒ、Ａｌ、から選んだ
１種類または２種以上の金属アルコキシドとを夫々アル
コール系溶剤に溶解し、酸触媒を用いて加水分解して生
成した加水分解生成物の混合物を塗布し、乾燥後低温プ
ラズマ処理して、該加水分解物を縮重合し被覆層を形成
することである。 一般式Ｉ Ｒ１−Ｓｉ−（ＯＲ２）３ （Ｒ１は炭素数が１〜２０の飽和または不飽和の炭化水
素残基、Ｒ２は炭素数が１〜４のアルキル基） 一般式ＩＩ Ｒ３ ｘ−Ａｌ−（ＯＲ２）ｎ （Ｒ２は炭素数１〜４のアルキル基であり、Ｒ３は酸素
を介してＡｌに結合する炭素数１〜２０の炭化水素残基
であり、０≦ｎ≦３、０≦ｘ≦３、ｘ＋ｎ＝３である） 一般式ＩＩＩ Ｒ３ ｙ−Ｍ−（ＯＲ２）ｍ （ＭはＴｉ、Ｚｒから選んだ１または２以上であり、Ｒ
２は炭素数１〜４のアルキル基であり、Ｒ３は酸素を介
してＭに結合する炭素数１〜２０の炭化水素残基であ
り、０≦ｍ≦３、０≦ｙ≦３、ｍ＋ｙ＝４である）。ま
たＳｉアルコキシドをアルコール系溶液に酸触媒を加え
て加水分解し、この中にＴｉ、Ｚｒ、Ａｌから選んだ１
種または２種以上のアルコキシドを加えて加水分解した
混合物を用いてもよい。この他炭素数が１〜２０の炭化
水素基を含むＳｉアルコキシドと炭素数が１〜２０の炭
化水素基を含むＴｉ、Ｚｒ、Ａｌのアルコキシドから選
んだ１または２以上のアルコキシドをアルコール系溶剤
に溶解して混合し、この混合物に酸触媒を加えて加水分
解することにより加水分解物の混合物としてもよい。加
水分解を終了してから縮重合を行うので均一な重合体を
生成することができる。こうしてプラスチック材表面に
ガス遮断性透明被覆を設けることができる。
【０００９】またプラスチック材にアミノ基含有シラン
カップリング剤を塗布したその上にアルコキシシランの
加水分解物を塗布するのにかえて、アルコキシシランの
アルコール系溶液、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌから選んだ１種ま
たは２種以上のアルコキシドのアルコール系溶液に酸触
媒を加えてプラスチック材に塗布し、水蒸気雰囲気中を
通してプラスチック材上で加水分解を行ってもよい。こ
の方法は連続加工性が良い利点がある。
カップリング剤を塗布したその上にアルコキシシランの
加水分解物を塗布するのにかえて、アルコキシシランの
アルコール系溶液、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌから選んだ１種ま
たは２種以上のアルコキシドのアルコール系溶液に酸触
媒を加えてプラスチック材に塗布し、水蒸気雰囲気中を
通してプラスチック材上で加水分解を行ってもよい。こ
の方法は連続加工性が良い利点がある。
【００１０】本発明で使用する、Ｓｉに直接炭素原子が
結合したＲ１−Ｓｉ基を有するアルコキシシランとして
を例示する。アミルトリエトキシシラン、３，３−ジメ
トキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシ
プロピルトリメトキシシラン、ｎ−ヘキシルトリメトキ
シシラン、フェニルトリエトキシシラン、５−ビシクロ
ヘプテニルトリエトキシシラン、３−メタクリロキシプ
ロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピ
ルトリエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルト
リプロポキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリ
ブトキシシラン、ベンジルトリエトキシシラン、ｎ−オ
クチルトリエトキシシラン、２−（３−シクロヘキセニ
ル）エチルトリメトキシシラン、３−シクロペンタジエ
ニルプロピルトリエトキシシラン、２−（３，４−エポ
キシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、フェ
ネチルトリエトキシシラン、ｎ−ノニルトリエトキシシ
ラン、ｎ−デシルトリエトキシシラン、ジエチルトリメ
チルシリルメチルマロネート、スチリルエチルトリメト
キシシラン等がある。
結合したＲ１−Ｓｉ基を有するアルコキシシランとして
を例示する。アミルトリエトキシシラン、３，３−ジメ
トキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシ
プロピルトリメトキシシラン、ｎ−ヘキシルトリメトキ
シシラン、フェニルトリエトキシシラン、５−ビシクロ
ヘプテニルトリエトキシシラン、３−メタクリロキシプ
ロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピ
ルトリエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルト
リプロポキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリ
ブトキシシラン、ベンジルトリエトキシシラン、ｎ−オ
クチルトリエトキシシラン、２−（３−シクロヘキセニ
ル）エチルトリメトキシシラン、３−シクロペンタジエ
ニルプロピルトリエトキシシラン、２−（３，４−エポ
キシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、フェ
ネチルトリエトキシシラン、ｎ−ノニルトリエトキシシ
ラン、ｎ−デシルトリエトキシシラン、ジエチルトリメ
チルシリルメチルマロネート、スチリルエチルトリメト
キシシラン等がある。
【００１１】本発明で使用するＴｉアルコキシドを例示
する。チタンアリルアセトアセテートトリイソプロポキ
シド、チタン−ｎ−ブトキシド、チタンジ−ｎ−ブトキ
シド（ビス−２，４−ペンタンジオネート）、チタンジ
イソプロポキシド（ビス−２，４−ペンタンジオネー
ト）、チタンジイソプロポキシドビス（テトラメチルヘ
プタンジオネート）、チタンジイソプロポキシドビス
（エチルアセトアセテート）、チタンエトキシド、チタ
ンイソブトキシド、チタンイソプロポキシド、チタンメ
タクリレートトリイソプロポキシド、チタンメタクリル
オキシエチルアセトアセテートトリイソプロポキシド、
（２−メタクリルオキシエトキシ）トリイソプロポキシ
チタネート、チタンメトキシド、チタン−ｎ−プロポキ
シド等がある。
する。チタンアリルアセトアセテートトリイソプロポキ
シド、チタン−ｎ−ブトキシド、チタンジ−ｎ−ブトキ
シド（ビス−２，４−ペンタンジオネート）、チタンジ
イソプロポキシド（ビス−２，４−ペンタンジオネー
ト）、チタンジイソプロポキシドビス（テトラメチルヘ
プタンジオネート）、チタンジイソプロポキシドビス
（エチルアセトアセテート）、チタンエトキシド、チタ
ンイソブトキシド、チタンイソプロポキシド、チタンメ
タクリレートトリイソプロポキシド、チタンメタクリル
オキシエチルアセトアセテートトリイソプロポキシド、
（２−メタクリルオキシエトキシ）トリイソプロポキシ
チタネート、チタンメトキシド、チタン−ｎ−プロポキ
シド等がある。
【００１２】本発明で使用するＺｒアルコキシドを例示
する。ジルコニウム−ｎ−ブトキシド、ジルコニウム−
ｔ−ブトキシド、ジルコニムジ−ｎ−ブトキシド（ビス
−２，４−ペンタンジオネート）ジルコニウムジメタク
リレートジブトキシド、ジルコニウムエトキシド、ジル
コニウムイソプロポキシド、ジルコニウムメタクリルオ
キシエチルアセトアセテートトリ−ｎ−プロポキシド、
ジルコニウム−ｎ−プロポキシド等がある。
する。ジルコニウム−ｎ−ブトキシド、ジルコニウム−
ｔ−ブトキシド、ジルコニムジ−ｎ−ブトキシド（ビス
−２，４−ペンタンジオネート）ジルコニウムジメタク
リレートジブトキシド、ジルコニウムエトキシド、ジル
コニウムイソプロポキシド、ジルコニウムメタクリルオ
キシエチルアセトアセテートトリ−ｎ−プロポキシド、
ジルコニウム−ｎ−プロポキシド等がある。
【００１３】本発明で使用するＡｌアルコキシドを例示
する。アルミニウム−ｎ−ブトキシド、アルミニウム−
ｓ−ブトキシド、アルミニウム−ｓ−ブトキシドビス
（エチルアセテート）、アルミニウム−ｔ−ブトキシ
ド、アルミニウムジ−ｓ−ブトキシドエチルアセトアセ
テート、アルミニウムジイソプロポキシドエチルアセト
アセテート、アルミニウムエトキシド、アルミニウムイ
ソプロポキシド等がある。
する。アルミニウム−ｎ−ブトキシド、アルミニウム−
ｓ−ブトキシド、アルミニウム−ｓ−ブトキシドビス
（エチルアセテート）、アルミニウム−ｔ−ブトキシ
ド、アルミニウムジ−ｓ−ブトキシドエチルアセトアセ
テート、アルミニウムジイソプロポキシドエチルアセト
アセテート、アルミニウムエトキシド、アルミニウムイ
ソプロポキシド等がある。
【００１４】本発明で使用するアミノ基含有シランカッ
プリング剤を例示する。３−（Ｎ−アリルアミノ）プロ
ピルトリメトキシシラン、４−アミノブチルトリエトキ
シシラン、（アミノエチルアミノメチル）フェネチルト
リメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−ア
ミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−（２−アミ
ノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、
Ｎ−（６−アミノヘキシル）アミノプロピルトリメトキ
シシラン、３−（ｍ−アミノフェノキシ）プロピルトリ
メトキシシラン、ｍ−アミノフェニルトリメトキシシラ
ン、ｐ−アミノフェニルトリメトキシシラン、３−（１
−アミノプロポキシ）−３，３−ジメチル−１−プロペ
ニルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルジイソプ
ロピルエトキシシラン、３−アミノプロピルジメチルエ
トキシシラン、３−アミノプロピルメチルジエトキシシ
ラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−ア
ミノプロピルトリメトキシシラン。
プリング剤を例示する。３−（Ｎ−アリルアミノ）プロ
ピルトリメトキシシラン、４−アミノブチルトリエトキ
シシラン、（アミノエチルアミノメチル）フェネチルト
リメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−ア
ミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−（２−アミ
ノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、
Ｎ−（６−アミノヘキシル）アミノプロピルトリメトキ
シシラン、３−（ｍ−アミノフェノキシ）プロピルトリ
メトキシシラン、ｍ−アミノフェニルトリメトキシシラ
ン、ｐ−アミノフェニルトリメトキシシラン、３−（１
−アミノプロポキシ）−３，３−ジメチル−１−プロペ
ニルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルジイソプ
ロピルエトキシシラン、３−アミノプロピルジメチルエ
トキシシラン、３−アミノプロピルメチルジエトキシシ
ラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−ア
ミノプロピルトリメトキシシラン。
【００１５】酸触媒としては加水分解生成段階で酸性に
するものであれば特に限定されないが、具体的には塩
酸、硝酸、リン酸、酢酸などが好ましい。
するものであれば特に限定されないが、具体的には塩
酸、硝酸、リン酸、酢酸などが好ましい。
【００１６】溶剤としては次のようなものが使用され
る。Ｒ１−Ｓｉ基を有するアルコキシシラン及びＲ１−
Ｔｉ、Ｒ１−Ｚｒ、Ｒ１−Ａｌ基を有するアルコキシド
が溶解するものであれば特に限定されないが、メタノー
ル、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノー
ル、ブタノール等のアルコール類、エチレングリコー
ル、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、
プロピレングリコール等の多価アルコール類、エチレン
グリコールイソプロピルエーテル、エチレングリコール
モノブチルエーテル、メトキシメトキシエタノール、プ
ロピレングリコール、プロピレングリコールモノエチル
エーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル
などが好ましい。基材のプラスチックスとしてはＰＥＴ
等のポリエステル、ＰＰ、ＰＥ等のポリオレフィン、ナ
イロン、ポリビニルアルコール、塩化ビニリデン、ポリ
カーボネート等である。これ等のプラスチックスは、被
膜との密着性を補うために予めコロナ処理、紫外線照射
処理、シランカップリング剤等の前処理や、被膜の乾燥
後に紫外線照射処理などを行うことが好ましい。
る。Ｒ１−Ｓｉ基を有するアルコキシシラン及びＲ１−
Ｔｉ、Ｒ１−Ｚｒ、Ｒ１−Ａｌ基を有するアルコキシド
が溶解するものであれば特に限定されないが、メタノー
ル、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノー
ル、ブタノール等のアルコール類、エチレングリコー
ル、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、
プロピレングリコール等の多価アルコール類、エチレン
グリコールイソプロピルエーテル、エチレングリコール
モノブチルエーテル、メトキシメトキシエタノール、プ
ロピレングリコール、プロピレングリコールモノエチル
エーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル
などが好ましい。基材のプラスチックスとしてはＰＥＴ
等のポリエステル、ＰＰ、ＰＥ等のポリオレフィン、ナ
イロン、ポリビニルアルコール、塩化ビニリデン、ポリ
カーボネート等である。これ等のプラスチックスは、被
膜との密着性を補うために予めコロナ処理、紫外線照射
処理、シランカップリング剤等の前処理や、被膜の乾燥
後に紫外線照射処理などを行うことが好ましい。
【００１７】低温プラズマ処理は次の通りである。低温
プラズマ処理としては、高周波プラズマ法、交流プラズ
マ法、直流プラズマ法、マイクロ波プラズマ法のいずれ
でも良い。またプラズマ処理に使用するガスは、酸素、
窒素、ヘリウム、アルゴンなどが好ましい。またイオン
照射処理は次の通りである。イオン照射処理に置けるイ
オン形成法としては、高周波放電型、マイクロ波放電
型、熱陰極型、冷陰極型のいずれでもよい。またイオン
照射処理に使用するガスは、酸素、窒素、ヘリウム、ア
ルゴンなどが好ましい。また電子線照射処理は次の通り
である。電子線照射処理は真空中でフィラメントの加熱
により熱電子を発生させ、フィラメント基板間に加速電
圧をかけて基板に電子を照射するか、あるいは真空室に
設けられた金属箔製窓を通過させるための大きな加速電
圧をかけて大気圧下で電子を基板に照射させる方法であ
る。
プラズマ処理としては、高周波プラズマ法、交流プラズ
マ法、直流プラズマ法、マイクロ波プラズマ法のいずれ
でも良い。またプラズマ処理に使用するガスは、酸素、
窒素、ヘリウム、アルゴンなどが好ましい。またイオン
照射処理は次の通りである。イオン照射処理に置けるイ
オン形成法としては、高周波放電型、マイクロ波放電
型、熱陰極型、冷陰極型のいずれでもよい。またイオン
照射処理に使用するガスは、酸素、窒素、ヘリウム、ア
ルゴンなどが好ましい。また電子線照射処理は次の通り
である。電子線照射処理は真空中でフィラメントの加熱
により熱電子を発生させ、フィラメント基板間に加速電
圧をかけて基板に電子を照射するか、あるいは真空室に
設けられた金属箔製窓を通過させるための大きな加速電
圧をかけて大気圧下で電子を基板に照射させる方法であ
る。
【００１８】
【実施例】使用した低温プラズマ処理装置について説明
する。
する。
【００１９】図１は本発明でプラズマ処理に使用する高
周波プラズマ処理装置である。ガス導入口６、７を備え
た直径６０ｃｍのステンレス製ベルジャー型真空チャン
バー１と日本電子株式会社製、高周波電源５（１３．５
６ＭＨｚ、１．５ＫＷ、ＪＥＨ−０１Ｂ）及びマッチン
グボックス４、直径１３ｍの円盤状高周波電極３、直径
２０ｃｍ、高さ１．５ｃｍの円筒状アース電極２、両極
電極間に設置した試料用治具８等からなる。真空ポンプ
は油回転ポンプと油拡散ポンプを使用し処理中は常にポ
ンプを引き続けた。得られた被覆フイルムは酸素透過量
をモダンコントロール社製、ＯＸ−ＴＲＡＮ ２／２０
にて２５℃８０％ＲＨの条件で測定した。また得られた
被覆フイルムの薄膜の膜厚は蛍光Ｘ線装置及びエリプソ
メーター装置にて測定した。耐クラック性は、製膜後に
膜表面をレーザー顕微鏡にて４００倍の倍率でクラック
の有無を観察し、クラックがなければ○、あれば×で評
価した。密着性は、製膜後にテープ剥離試験を行って、
剥がれなければ○、剥がれた箇所があれば△、完全に剥
がれたら×で評価した。可とう性は、被覆フイルムをゲ
ルボフレックステスターによるクラッシュ処理（ひねり
角度：３６０゜）を１０回行って、その後の酸素透過量
を測定して評価した。イオン照射処理について説明す
る。イオン照射処理はヒラノ光音株式会社製、マルチイ
オンコーター ＭＩＣ−２００のイオン照射部を用いて
行った。
周波プラズマ処理装置である。ガス導入口６、７を備え
た直径６０ｃｍのステンレス製ベルジャー型真空チャン
バー１と日本電子株式会社製、高周波電源５（１３．５
６ＭＨｚ、１．５ＫＷ、ＪＥＨ−０１Ｂ）及びマッチン
グボックス４、直径１３ｍの円盤状高周波電極３、直径
２０ｃｍ、高さ１．５ｃｍの円筒状アース電極２、両極
電極間に設置した試料用治具８等からなる。真空ポンプ
は油回転ポンプと油拡散ポンプを使用し処理中は常にポ
ンプを引き続けた。得られた被覆フイルムは酸素透過量
をモダンコントロール社製、ＯＸ−ＴＲＡＮ ２／２０
にて２５℃８０％ＲＨの条件で測定した。また得られた
被覆フイルムの薄膜の膜厚は蛍光Ｘ線装置及びエリプソ
メーター装置にて測定した。耐クラック性は、製膜後に
膜表面をレーザー顕微鏡にて４００倍の倍率でクラック
の有無を観察し、クラックがなければ○、あれば×で評
価した。密着性は、製膜後にテープ剥離試験を行って、
剥がれなければ○、剥がれた箇所があれば△、完全に剥
がれたら×で評価した。可とう性は、被覆フイルムをゲ
ルボフレックステスターによるクラッシュ処理（ひねり
角度：３６０゜）を１０回行って、その後の酸素透過量
を測定して評価した。イオン照射処理について説明す
る。イオン照射処理はヒラノ光音株式会社製、マルチイ
オンコーター ＭＩＣ−２００のイオン照射部を用いて
行った。
【００２０】電子線照射処理について説明する。図２は
本発明で使用した電子線照射処理装置である。直径６０
ｃｍのステンレス製ベルジャー型真空チャンバー９と直
流電子加速電源１０とタングステンフィラメント１１等
からなる。１２はＰＥＴフイルムである。真空ポンプ１
３は油回転ポンプと油拡散ポンプを使用し処理中は常に
ポンプを引き続けた。
本発明で使用した電子線照射処理装置である。直径６０
ｃｍのステンレス製ベルジャー型真空チャンバー９と直
流電子加速電源１０とタングステンフィラメント１１等
からなる。１２はＰＥＴフイルムである。真空ポンプ１
３は油回転ポンプと油拡散ポンプを使用し処理中は常に
ポンプを引き続けた。
【００２１】実施例１ ポリメトキシシロキサン（三菱化学株式会社製、ＭＫＣ
シリケート ＭＳ５１）をＳｉ量に換算して０．２５モ
ルとメチルトリエトキシシランをＳｉ量に換算して０．
３モルをプロピレングリコールモノプロピルエーテル１
１モルに溶解し１時間撹拌した。この溶液に、水２モ
ル、硝酸０．０５モルをプロピレングリコールモノプロ
ピルエーテル２モルに溶解した溶液を１時間かけて徐々
に滴下し、２４時間撹拌してＳｉの加水分解生成物を得
た。このＳｉの加水分解生成物に、チタンイソプロポキ
シドをＴｉ量に換算して０．４５モルをプロピレングリ
コールモノプロピルエーテル１１モルに溶解し１時間撹
拌した溶液を、１時間かけて徐々に滴下してさらに２４
時間撹拌し、ＳｉとＴｉの加水分解生成物の混合物を得
た。一方３−アミノプロピルトリエトキシシランをプロ
ピレングリコールモノプロピルエーテルに溶解して５ｗ
ｔ％溶液とし、その溶液中にＰＥＴ２５μｍフイルムを
浸してディップコート法により３−アミノプロピルトリ
エトキシシランを被覆した。７０℃、１時間の熱処理に
より乾燥した後、該ＰＥＴ２５μｍフイルムにＳｉとＴ
ｉの加水分解混合物をディップコート法により塗布し、
７０℃、１時間の熱処理により乾燥した後、酸素ガスに
より真空度０．０５Ｔｏｒｒ、出力２００Ｗにて１分間
プラズマ処理を施し、被膜フイルムを得た。得られた被
膜の膜厚は約０．０４５μｍであった。得られた被覆材
の酸素透過量及びゲルボフレックステスターによるクラ
ッシュ処理試験後の酸素透過量を表１に示した。
シリケート ＭＳ５１）をＳｉ量に換算して０．２５モ
ルとメチルトリエトキシシランをＳｉ量に換算して０．
３モルをプロピレングリコールモノプロピルエーテル１
１モルに溶解し１時間撹拌した。この溶液に、水２モ
ル、硝酸０．０５モルをプロピレングリコールモノプロ
ピルエーテル２モルに溶解した溶液を１時間かけて徐々
に滴下し、２４時間撹拌してＳｉの加水分解生成物を得
た。このＳｉの加水分解生成物に、チタンイソプロポキ
シドをＴｉ量に換算して０．４５モルをプロピレングリ
コールモノプロピルエーテル１１モルに溶解し１時間撹
拌した溶液を、１時間かけて徐々に滴下してさらに２４
時間撹拌し、ＳｉとＴｉの加水分解生成物の混合物を得
た。一方３−アミノプロピルトリエトキシシランをプロ
ピレングリコールモノプロピルエーテルに溶解して５ｗ
ｔ％溶液とし、その溶液中にＰＥＴ２５μｍフイルムを
浸してディップコート法により３−アミノプロピルトリ
エトキシシランを被覆した。７０℃、１時間の熱処理に
より乾燥した後、該ＰＥＴ２５μｍフイルムにＳｉとＴ
ｉの加水分解混合物をディップコート法により塗布し、
７０℃、１時間の熱処理により乾燥した後、酸素ガスに
より真空度０．０５Ｔｏｒｒ、出力２００Ｗにて１分間
プラズマ処理を施し、被膜フイルムを得た。得られた被
膜の膜厚は約０．０４５μｍであった。得られた被覆材
の酸素透過量及びゲルボフレックステスターによるクラ
ッシュ処理試験後の酸素透過量を表１に示した。
【００２２】実施例２ 実施例１のポリメトキシシロキサン（三菱化学株式会社
製、ＭＫＣシリケートＭＳ５１）をＳｉ量に換算して
０．４モルにし、チタンイソプロポキシドをＴｉ量に換
算して０．３モルにして同様の操作を行った。得られた
被膜の膜厚は約０．０５０μｍであった。得られた被覆
材の酸素透過量及びゲルボフレックステスターによるク
ラッシュ処理試験後の酸素透過量を表１に示した。
製、ＭＫＣシリケートＭＳ５１）をＳｉ量に換算して
０．４モルにし、チタンイソプロポキシドをＴｉ量に換
算して０．３モルにして同様の操作を行った。得られた
被膜の膜厚は約０．０５０μｍであった。得られた被覆
材の酸素透過量及びゲルボフレックステスターによるク
ラッシュ処理試験後の酸素透過量を表１に示した。
【００２３】実施例３ 実施例１のポリメトキシシロキサン（三菱化学株式会社
製、ＭＫＣシリケートＭＳ５１）をＳｉ量に換算して
０．６２モルにし、チタンイソプロポキシドをＴｉ量に
換算して０．０８モルにして同様の操作を行った。得ら
れた被膜の膜厚は約０．０５７μｍであった。得られた
被覆材の酸素透過量及びゲルボフレックステスターによ
るクラッシュ処理試験後の酸素透過量を表１に示した。
製、ＭＫＣシリケートＭＳ５１）をＳｉ量に換算して
０．６２モルにし、チタンイソプロポキシドをＴｉ量に
換算して０．０８モルにして同様の操作を行った。得ら
れた被膜の膜厚は約０．０５７μｍであった。得られた
被覆材の酸素透過量及びゲルボフレックステスターによ
るクラッシュ処理試験後の酸素透過量を表１に示した。
【００２４】
【表１】
【００２５】実施例４ 実施例２のメチルトリエトキシシランを３−メタクリロ
キシプロピルトリメトキシシランに変更して同様の操作
を行った。得られた被膜の膜厚は約０．０６０μｍであ
った。得られた被覆材の酸素透過量及びゲルボフレック
ステスターによるクラッシュ処理試験後の酸素透過量を
表２に示した。
キシプロピルトリメトキシシランに変更して同様の操作
を行った。得られた被膜の膜厚は約０．０６０μｍであ
った。得られた被覆材の酸素透過量及びゲルボフレック
ステスターによるクラッシュ処理試験後の酸素透過量を
表２に示した。
【００２６】実施例５ 実施例２のメチルトリエトキシシランをｎ−オクタデシ
ルトリエドキシシランに変更して同様の操作を行った。
得られた被膜の膜厚は約０．０９４μｍであった。得ら
れた被覆材の酸素透過量及びゲルボフレックステスター
によるクラッシュ処理試験後の酸素透過量を表２に示し
た。
ルトリエドキシシランに変更して同様の操作を行った。
得られた被膜の膜厚は約０．０９４μｍであった。得ら
れた被覆材の酸素透過量及びゲルボフレックステスター
によるクラッシュ処理試験後の酸素透過量を表２に示し
た。
【００２７】実施例６ 実施例４のチタンイソプロポキシドをチタンジイソプロ
ポキシド（ビス−２，４−ペンタジオネート）に変更し
て同様の操作を行った。得られた被膜の膜厚は約０．０
６２μｍであった。得られた被覆材の酸素透過量及びゲ
ルボフレックステスターによるクラッシュ処理試験後の
酸素透過量を表２に示した。
ポキシド（ビス−２，４−ペンタジオネート）に変更し
て同様の操作を行った。得られた被膜の膜厚は約０．０
６２μｍであった。得られた被覆材の酸素透過量及びゲ
ルボフレックステスターによるクラッシュ処理試験後の
酸素透過量を表２に示した。
【００２８】
【表２】
【００２９】実施例７ 実施例４のチタンイソプロポキシドをジルコニウム−ｎ
−ブトキシドに変更して同様の操作を行った。得られた
被膜の膜厚は約０．０４６μｍであった。得られた被覆
材の酸素透過量及びゲルボフレックステスターによるク
ラッシュ処理試験後の酸素透過量を表３に示した。
−ブトキシドに変更して同様の操作を行った。得られた
被膜の膜厚は約０．０４６μｍであった。得られた被覆
材の酸素透過量及びゲルボフレックステスターによるク
ラッシュ処理試験後の酸素透過量を表３に示した。
【００３０】実施例８ 実施例４のチタンイソプロポキシドをアルミニウムイソ
プロポキシドに変更して同様の操作を行った。得られた
被膜の膜厚は約０．０５３μｍであった。得られた被覆
材の酸素透過量及びゲルボフレックステスターによるク
ラッシュ処理試験後の酸素透過量を表３に示した。
プロポキシドに変更して同様の操作を行った。得られた
被膜の膜厚は約０．０５３μｍであった。得られた被覆
材の酸素透過量及びゲルボフレックステスターによるク
ラッシュ処理試験後の酸素透過量を表３に示した。
【００３１】
【表３】
【００３２】実施例９ ポリメトキシシロキサン（三菱化学株式会社製、ＭＫＣ
シリケート ＭＳ５１）をＳｉ量に換算して０．４モル
と、３−アミノメタクリロキシプロピルトリメトキシシ
ランをＳｉ量に換算して０．３モルをプロピレングリコ
ールモノプロピルエーテル１２モルに溶解し１時間撹拌
した。この溶液に、水１．９モル、硝酸０．０４５モル
をプロピレングリコールモノプロピルエーテル１モルに
溶解した溶液を１時間かけて徐々に滴下し、２４時間撹
拌してＳｉの加水分解生成物を得た。チタンイソプロポ
キシドをＴｉ量に換算して０．３モルをプロピレングリ
コールモノプロピルエーテル１１モルに溶解し１時間撹
拌した。この溶液に、水０．１モル、硝酸０．００５モ
ルをプロピレングリコールモノプロピルエーテル１モル
に溶解した溶液を１時間かけて徐々に滴下し、１時間撹
拌してＴｉの加水分解生成物を得た。このＳｉとＴｉの
加水分解生成物を混合し、４８時間撹拌してＳｉとＴｉ
の加水分解生成物の混合物を得た。一方３−アミノプロ
ピルトリエトキシシランをプロピレングリコールモノプ
ロピルエーテルに溶解して５ｗｔ％溶液とし、その溶液
中にＰＥＴ２５μｍフイルムを浸してディップコート法
により３−アミノプロピルトリエトキシシランを被覆し
た。７０℃、１時間の熱処理により乾燥した後、該ＰＥ
Ｔ２５μｍフイルムにＳｉとＴｉの加水分解混合物をデ
ィップコート法により塗布し、７０℃、１時間の熱処理
により乾燥した後、酸素ガスにより真空度０．０５Ｔｏ
ｒｒ、出力２００Ｗにて１分間プラズマ処理を施し、被
膜フイルムを得た。得られた被膜の膜厚は約０．０６０
μｍであった。得られた被覆材の酸素透過量及びゲルボ
フレックステスターによるクラッシュ処理試験後の酸素
透過量を表４に示した。
シリケート ＭＳ５１）をＳｉ量に換算して０．４モル
と、３−アミノメタクリロキシプロピルトリメトキシシ
ランをＳｉ量に換算して０．３モルをプロピレングリコ
ールモノプロピルエーテル１２モルに溶解し１時間撹拌
した。この溶液に、水１．９モル、硝酸０．０４５モル
をプロピレングリコールモノプロピルエーテル１モルに
溶解した溶液を１時間かけて徐々に滴下し、２４時間撹
拌してＳｉの加水分解生成物を得た。チタンイソプロポ
キシドをＴｉ量に換算して０．３モルをプロピレングリ
コールモノプロピルエーテル１１モルに溶解し１時間撹
拌した。この溶液に、水０．１モル、硝酸０．００５モ
ルをプロピレングリコールモノプロピルエーテル１モル
に溶解した溶液を１時間かけて徐々に滴下し、１時間撹
拌してＴｉの加水分解生成物を得た。このＳｉとＴｉの
加水分解生成物を混合し、４８時間撹拌してＳｉとＴｉ
の加水分解生成物の混合物を得た。一方３−アミノプロ
ピルトリエトキシシランをプロピレングリコールモノプ
ロピルエーテルに溶解して５ｗｔ％溶液とし、その溶液
中にＰＥＴ２５μｍフイルムを浸してディップコート法
により３−アミノプロピルトリエトキシシランを被覆し
た。７０℃、１時間の熱処理により乾燥した後、該ＰＥ
Ｔ２５μｍフイルムにＳｉとＴｉの加水分解混合物をデ
ィップコート法により塗布し、７０℃、１時間の熱処理
により乾燥した後、酸素ガスにより真空度０．０５Ｔｏ
ｒｒ、出力２００Ｗにて１分間プラズマ処理を施し、被
膜フイルムを得た。得られた被膜の膜厚は約０．０６０
μｍであった。得られた被覆材の酸素透過量及びゲルボ
フレックステスターによるクラッシュ処理試験後の酸素
透過量を表４に示した。
【００３３】実施例１０ テトラエトキシシランをＳｉ量に換算して０．４モル
と、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランを
Ｓｉ量に換算して０．３モルと、チタンイソプロポキシ
ドをＴｉ量に換算して０．３モルをイソプロパノール２
２モルに溶解し、８５℃にて２４時間加熱還流して混合
溶液を得た。この混合溶液に、水２モル、硝酸０．０５
モルをプロピレングリコールモノプロピルエーテル２モ
ルに溶解した溶液を１時間かけて徐々に滴下し、２４時
間撹拌してＳｉとＴｉの加水分解生成物の混合物を得
た。一方３−アミノプロピルトリエトキシシランをプロ
ピレングリコールモノプロピルエーテルに溶解して５ｗ
ｔ％溶液とし、その溶液中にＰＥＴ２５μｍフイルムを
浸してディップコート法により３−アミノプロピルトリ
エトキシシランを被覆した。７０℃、１時間の熱処理に
より乾燥した後、該ＰＥＴ２５μｍフイルムにＳｉとＴ
ｉの加水分解混合物をディップコート法により塗布し、
７０℃、１時間の熱処理により乾燥した後、酸素ガスに
より真空度０．０５Ｔｏｒｒ、出力２００Ｗにて１分間
プラズマ処理を施し、被膜フイルムを得た。得られた被
膜の膜厚は約０．０５５μｍであった。得られた被覆材
の酸素透過量及びゲルボフレックステスターによるクラ
ッシュ処理試験後の酸素透過量を表４に示した。
と、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランを
Ｓｉ量に換算して０．３モルと、チタンイソプロポキシ
ドをＴｉ量に換算して０．３モルをイソプロパノール２
２モルに溶解し、８５℃にて２４時間加熱還流して混合
溶液を得た。この混合溶液に、水２モル、硝酸０．０５
モルをプロピレングリコールモノプロピルエーテル２モ
ルに溶解した溶液を１時間かけて徐々に滴下し、２４時
間撹拌してＳｉとＴｉの加水分解生成物の混合物を得
た。一方３−アミノプロピルトリエトキシシランをプロ
ピレングリコールモノプロピルエーテルに溶解して５ｗ
ｔ％溶液とし、その溶液中にＰＥＴ２５μｍフイルムを
浸してディップコート法により３−アミノプロピルトリ
エトキシシランを被覆した。７０℃、１時間の熱処理に
より乾燥した後、該ＰＥＴ２５μｍフイルムにＳｉとＴ
ｉの加水分解混合物をディップコート法により塗布し、
７０℃、１時間の熱処理により乾燥した後、酸素ガスに
より真空度０．０５Ｔｏｒｒ、出力２００Ｗにて１分間
プラズマ処理を施し、被膜フイルムを得た。得られた被
膜の膜厚は約０．０５５μｍであった。得られた被覆材
の酸素透過量及びゲルボフレックステスターによるクラ
ッシュ処理試験後の酸素透過量を表４に示した。
【００３４】実施例１１ テトラエトキシシランをＳｉ量に換算して０．４モル
と、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランを
Ｓｉ量に換算して０．３モルと、チタンイソプロポキシ
ドをＴｉ量に換算して０．３モルをイソプロパノール２
２モルに溶解し、８５℃にて２４時間加熱還流して混合
溶液を得た。この混合溶液に、硝酸０．０５モルをプロ
ピレングリコールモノプロピルエーテル２モルに溶解し
た溶液を加えて１時間撹拌した。一方３−アミノプロピ
ルトリエトキシシランをプロピレングリコールモノプロ
ピルエーテルに溶解して５ｗｔ％溶液とし、その溶液中
にＰＥＴ２５μｍフイルムを浸してディップコート法に
より３−アミノプロピルトリエドキシシランを被覆し
た。該ＰＥＴ２５μｍフイルムにＳｉアルコキシドとＴ
ｉアルコキシドの混合溶液をスプレーコート法により塗
布し、続いて７０℃、１００％ＲＨの水蒸気雰囲気中に
２分間置いた。７０℃、１時間の熱処理により乾燥した
後、酸素ガスにより真空度０．０５Ｔｏｒｒ、出力２０
０Ｗにて１分間プラズマ処理を施し、被膜フイルムを得
た。得られた被膜の膜厚は約０．０９０μｍであった。
得られた被覆材の酸素透過量及びゲルボフレックステス
ターによるクラッシュ処理試験後の酸素透過量を表４に
示した。
と、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランを
Ｓｉ量に換算して０．３モルと、チタンイソプロポキシ
ドをＴｉ量に換算して０．３モルをイソプロパノール２
２モルに溶解し、８５℃にて２４時間加熱還流して混合
溶液を得た。この混合溶液に、硝酸０．０５モルをプロ
ピレングリコールモノプロピルエーテル２モルに溶解し
た溶液を加えて１時間撹拌した。一方３−アミノプロピ
ルトリエトキシシランをプロピレングリコールモノプロ
ピルエーテルに溶解して５ｗｔ％溶液とし、その溶液中
にＰＥＴ２５μｍフイルムを浸してディップコート法に
より３−アミノプロピルトリエドキシシランを被覆し
た。該ＰＥＴ２５μｍフイルムにＳｉアルコキシドとＴ
ｉアルコキシドの混合溶液をスプレーコート法により塗
布し、続いて７０℃、１００％ＲＨの水蒸気雰囲気中に
２分間置いた。７０℃、１時間の熱処理により乾燥した
後、酸素ガスにより真空度０．０５Ｔｏｒｒ、出力２０
０Ｗにて１分間プラズマ処理を施し、被膜フイルムを得
た。得られた被膜の膜厚は約０．０９０μｍであった。
得られた被覆材の酸素透過量及びゲルボフレックステス
ターによるクラッシュ処理試験後の酸素透過量を表４に
示した。
【００３５】
【表４】
【００３６】実施例１２ ３−アミノプロピルトリエトキシシランをプロビレング
リコールモノプロピルエーテルに溶解して５ｗｔ％溶液
とし、その溶液中にＰＥＴ２５μｍフイルムを浸してデ
ィップコート法により３−アミノプロピルトリエトキシ
シランを被覆した。７０℃、１時間の熱処理により乾燥
した後、該ＰＥＴ２５μｍフイルムに実施例４の加水分
解混合物をディップコート法により塗布し、７０℃、１
時間の熱処理により乾燥した後、Ａｒガスにより真空度
０．００１Ｔｏｒｒ、出力１００Ｗにて１分間イオン照
射処理を施し、被膜フイルムを得た。得られた被膜の膜
厚は約０．０５９μｍであった。得られた被覆材の酸素
透過量及びゲルボフレックステスターによるクラッシュ
処理試験後の酸素透過量を表５に示した。
リコールモノプロピルエーテルに溶解して５ｗｔ％溶液
とし、その溶液中にＰＥＴ２５μｍフイルムを浸してデ
ィップコート法により３−アミノプロピルトリエトキシ
シランを被覆した。７０℃、１時間の熱処理により乾燥
した後、該ＰＥＴ２５μｍフイルムに実施例４の加水分
解混合物をディップコート法により塗布し、７０℃、１
時間の熱処理により乾燥した後、Ａｒガスにより真空度
０．００１Ｔｏｒｒ、出力１００Ｗにて１分間イオン照
射処理を施し、被膜フイルムを得た。得られた被膜の膜
厚は約０．０５９μｍであった。得られた被覆材の酸素
透過量及びゲルボフレックステスターによるクラッシュ
処理試験後の酸素透過量を表５に示した。
【００３７】実施例１３ ３−アミノプロピルトリエトキシシランをプロピレング
リコールモノプロピルエーテルに溶解して５ｗｔ％溶液
とし、その溶液中にＰＥＴ２５μｍフイルムを浸してデ
ィップコート法により３−アミノプロピルトリエドキシ
シランを被覆した。７０℃、１時間の熱処理により乾燥
した後、該ＰＥＴ２５μｍフイルムに実施例４の加水分
解混合物をディップコート法により塗布し、７０℃、１
時間の熱処理により乾燥した後、真空度１０−１０Ｔｏ
ｒｒ、加速電圧１０００Ｖにて２分間電子線照射処理を
施し、被膜フイルムを得た。得られた被膜の膜厚は約
０．０５９μｍであった。得られた被覆材の酸素透過量
及びゲルボフレックステスターによるクラッシュ処理試
験後の酸素透過量を表５に示した。
リコールモノプロピルエーテルに溶解して５ｗｔ％溶液
とし、その溶液中にＰＥＴ２５μｍフイルムを浸してデ
ィップコート法により３−アミノプロピルトリエドキシ
シランを被覆した。７０℃、１時間の熱処理により乾燥
した後、該ＰＥＴ２５μｍフイルムに実施例４の加水分
解混合物をディップコート法により塗布し、７０℃、１
時間の熱処理により乾燥した後、真空度１０−１０Ｔｏ
ｒｒ、加速電圧１０００Ｖにて２分間電子線照射処理を
施し、被膜フイルムを得た。得られた被膜の膜厚は約
０．０５９μｍであった。得られた被覆材の酸素透過量
及びゲルボフレックステスターによるクラッシュ処理試
験後の酸素透過量を表５に示した。
【００３８】
【表５】
【００３９】比較例１ 実施例１のポリメトキシシロキサン（三菱化学社製、Ｍ
ＫＣシリケート ＭＳ５１）をＳｉ量に換算して０．７
モルにして、チタンイソプロポキシドは使わずＳｉの加
水分解生成物のみを得て、以下同様の操作を行った。得
られた被膜の膜厚は約０．０６５μｍであった。得られ
た被覆材の酸素透過量を表１に示す。この比較例は、Ｔ
ｉ、Ｚｒ、Ａｌから選んだ１種類または２種類以上の金
属アルコキシドの加水分解物を含まない例である。酸素
透過量が非常の大きいことがわかる。
ＫＣシリケート ＭＳ５１）をＳｉ量に換算して０．７
モルにして、チタンイソプロポキシドは使わずＳｉの加
水分解生成物のみを得て、以下同様の操作を行った。得
られた被膜の膜厚は約０．０６５μｍであった。得られ
た被覆材の酸素透過量を表１に示す。この比較例は、Ｔ
ｉ、Ｚｒ、Ａｌから選んだ１種類または２種類以上の金
属アルコキシドの加水分解物を含まない例である。酸素
透過量が非常の大きいことがわかる。
【００４０】比較例２ 実施例１のメチルトリエトキシシランを使わずに、ポリ
メトキシシロキサン（三菱化学社製、ＭＫＣシリケート
ＭＳ５１）をＳｉ量に換算して０．７モルにして、チ
タンイソプロポキシドをＴｉ量に換算して０．３モルに
して同様の操作を行った。得られた被膜の膜厚は約０．
０５２μｍであった。得られた被覆材の酸素透過量を表
２に示す。この比較例は、一般式ＩのＲ１の部分を持た
ないＳｉアルコキシドを使った例である。酸素透過量が
非常の大きいことがわかる。
メトキシシロキサン（三菱化学社製、ＭＫＣシリケート
ＭＳ５１）をＳｉ量に換算して０．７モルにして、チ
タンイソプロポキシドをＴｉ量に換算して０．３モルに
して同様の操作を行った。得られた被膜の膜厚は約０．
０５２μｍであった。得られた被覆材の酸素透過量を表
２に示す。この比較例は、一般式ＩのＲ１の部分を持た
ないＳｉアルコキシドを使った例である。酸素透過量が
非常の大きいことがわかる。
【００４１】比較例３ 実施例４のチタンイソプロポキシドをＯ−アリルオキシ
（ポリエチレンオキシ）トリイソプロポキシチタネート
に変更して同様の操作を行った。得られた被膜の膜厚は
約０．０９７μｍであった。得られた被覆材の酸素透過
量を表２に示した。この比較例は、一般式（Ｉ）の炭素
数が２０を超える例である。
（ポリエチレンオキシ）トリイソプロポキシチタネート
に変更して同様の操作を行った。得られた被膜の膜厚は
約０．０９７μｍであった。得られた被覆材の酸素透過
量を表２に示した。この比較例は、一般式（Ｉ）の炭素
数が２０を超える例である。
【００４２】比較例４ 実施例４の加水分解混合物を、３−アミノプロピルトリ
エトキシシランを被覆していないフレッシュなＰＥＴ２
５μｍフイルムにデップコート法により塗布し、７０
℃、１時間の熱処理により乾燥した後、酸素ガスにより
真空度０．０５Ｔｏｒｒ、出力２００Ｗにて１分間プラ
ズマ処理を施し、被膜フイルムを得た。得られた被膜の
膜厚は約０．０５８μｍであった。得られた被覆材の酸
素透過量及びゲルボフレックステスターによるクラック
処理試験後の酸素透過量を表６に示す。この比較例は、
アミノ基シランカップリング剤を被覆していない例であ
る。クラッシュ後の酸素の透過量が非常に大きく、ガス
遮断層の可撓性が小さいことがわかる。
エトキシシランを被覆していないフレッシュなＰＥＴ２
５μｍフイルムにデップコート法により塗布し、７０
℃、１時間の熱処理により乾燥した後、酸素ガスにより
真空度０．０５Ｔｏｒｒ、出力２００Ｗにて１分間プラ
ズマ処理を施し、被膜フイルムを得た。得られた被膜の
膜厚は約０．０５８μｍであった。得られた被覆材の酸
素透過量及びゲルボフレックステスターによるクラック
処理試験後の酸素透過量を表６に示す。この比較例は、
アミノ基シランカップリング剤を被覆していない例であ
る。クラッシュ後の酸素の透過量が非常に大きく、ガス
遮断層の可撓性が小さいことがわかる。
【００４３】比較例５ ３−グリシドキシプロピルトリメドキシシランをプロピ
レングリコールモノプロピルエーテルに溶解して５ｗｔ
％溶液とし、その溶液中にＰＥＴ２５μｍフイルムを浸
してデップコート法により３−グリシドキシプロピルト
リメドキシシランを被覆した。７０℃、１時間の熱処理
により乾燥した後、該ＰＥＴ２５μｍフイルムに実施例
４の加水分解混合物をデップコート法により膜厚が０．
０６１μｍになるように塗布し、７０℃、１時間の熱処
理により乾燥した後、酸素ガスにより真空度０．０５Ｔ
ｏｒｒ、出力２００Ｗにて１分間プラズマ処理を施し、
被膜フイルムを得た。得られた被膜の膜厚は約０．０５
８μｍであった。得られた被覆材の酸素透過量及びゲル
ボフレックステスターによるクラック処理試験後の酸素
透過量を表６に示す。この比較例は、アミノ基以外の官
能基を持つシランカップリング剤を被覆した例である。
クラッシュ後の酸素の透過量が非常に大きく、ガス遮断
層の可撓性が小さいことがわかる。
レングリコールモノプロピルエーテルに溶解して５ｗｔ
％溶液とし、その溶液中にＰＥＴ２５μｍフイルムを浸
してデップコート法により３−グリシドキシプロピルト
リメドキシシランを被覆した。７０℃、１時間の熱処理
により乾燥した後、該ＰＥＴ２５μｍフイルムに実施例
４の加水分解混合物をデップコート法により膜厚が０．
０６１μｍになるように塗布し、７０℃、１時間の熱処
理により乾燥した後、酸素ガスにより真空度０．０５Ｔ
ｏｒｒ、出力２００Ｗにて１分間プラズマ処理を施し、
被膜フイルムを得た。得られた被膜の膜厚は約０．０５
８μｍであった。得られた被覆材の酸素透過量及びゲル
ボフレックステスターによるクラック処理試験後の酸素
透過量を表６に示す。この比較例は、アミノ基以外の官
能基を持つシランカップリング剤を被覆した例である。
クラッシュ後の酸素の透過量が非常に大きく、ガス遮断
層の可撓性が小さいことがわかる。
【００４４】
【表６】
【００４５】
【発明の効果】本発明の包材はクラック発生がない可撓
性の良好な、ガス遮断性に優れた効果を奏する。また本
発明の製造方法は品質が均一でバラツキのない包材が容
易に得られる効果を奏する。
性の良好な、ガス遮断性に優れた効果を奏する。また本
発明の製造方法は品質が均一でバラツキのない包材が容
易に得られる効果を奏する。
【図１】本発明で使用する高周波プラズマ処理装置の説
明図でる。
明図でる。
【図２】本発明で使用する電子線照射装置の説明図であ
る。
る。
１ チャンバー ２ アース電極 ３ 高周波電極 ４ マッチングボックス ５ 電源 ６ ガス導入口 ７ ガス導入口 ８ 試料用治具 ９ 電子線照射装置のチャンバー １０ 直流電子加速電源 １１ フィラメント １２ ＰＥＴフイルム １３ 真空ポンプ側開口
Claims (13)
- 【請求項１】 プラスチックからなる基材の少なくとも
片面に、アミノ基含有シランカップリング剤を被覆しそ
の上に一般式Ｉで示されるＳｉアルコキシドの加水分解
物と、一般式ＩＩおよび／または一般式ＩＩＩで示され
るＴｉ、Ｚｒ、Ａｌ、から選んだ１種類または２種以上
の金属アルコキシドの加水分解物の混合物を被覆し、該
加水分解物を縮重合して形成した被膜を配置したガス遮
断性プラスチック包装材。 一般式Ｉ Ｒ１−Ｓｉ−（ＯＲ２）３ （Ｒ１は炭素数が１〜２０の飽和または不飽和の炭化水
素残基、Ｒ２は炭素数が１〜４のアルキル基） 一般式ＩＩ Ｒ３ ｘ−Ａｌ−（ＯＲ２）ｎ （Ｒ２は炭素数１〜４のアルキル基であり、Ｒ３は酸素
を介してＡｌに結合する炭素数１〜２０の炭化水素残基
であり、０≦ｎ≦３、０≦ｘ≦３、ｘ＋ｎ＝３である） 一般式ＩＩＩ Ｒ３ ｙ−Ｍ−（ＯＲ２）ｍ （ＭはＴｉ、Ｚｒから選んだ１または２以上であり、Ｒ
２は炭素数１〜４のアルキル基であり、Ｒ３は酸素を介
してＭに結合する炭素数１〜２０の炭化水素残基であ
り、０≦ｍ≦３、０≦ｙ≦３、ｍ＋ｙ＝４である） - 【請求項２】 加水分解物中のＳｉアルコキシドの加水
分解物の含有量が５０〜９５ｍｏｌ％である、請求項１
に記載されれたガス遮断性プラスチック包装材。 - 【請求項３】 被膜が低温プラズマ処理あるいはイオン
照射処理あるいは電子線照射処理で縮重合を行って得た
被膜である、請求項１または２に記載されれたガス遮断
性プラスチック包装材。 - 【請求項４】 被膜の膜厚が０．０１乃至０．１ｕｍで
ある、請求項１ないし３のいずれか１項に記載されれた
ガス遮断性プラスチック包装材。 - 【請求項５】 アミノ基含有シランカップリング剤が、
３−（Ｎ−アリルアミノ）プロピルトリメトキシシラ
ン、４−アミノブチルトリエトキシシラン、（アミノエ
チルアミノメチル）フェネチルトリメトキシシラン、Ｎ
−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジ
メトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミ
ノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（６−アミノヘキ
シル）アミノプロピルトリメトキシシラン、３−（ｍ−
アミノフェノキシ）プロピルトリメトキシシラン、ｍ−
アミノフェニルトリメトキシシラン、ｐ−アミノフェニ
ルトリメトキシシラン、３−（１−アミノプロポキシ）
−３，３−ジメチル−１−プロペニルトリメトキシシラ
ン、３−アミノプロピルジイソプロピルエトキシシラ
ン、３−アミノプロピルジメチルエトキシシラン、３−
アミノプロピルメチルジエトキシシラン、３−アミノプ
ロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメ
トキシシランから選んだ１または２以上である、請求項
１ないし４のいずれか１項に記載されたガス遮断性プラ
スチック包装材。 - 【請求項６】 プラスチックからなる基材の少なくとも
片面に、アミノ基含有シランカップリング剤を被覆し、
その上に一般式Ｉで示されるＳｉアルコキシドをアルコ
ール系溶液に溶解し酸触媒を用いて加水分解した加水分
解物と、一般式ＩＩおよび／または一般式ＩＩＩで示さ
れるＴｉ、Ｚｒ、Ａｌ、から選んだ１種類または２種以
上の金属アルコキシドとを夫々アルコール系溶剤に溶解
し、酸触媒を用いて加水分解して生成した加水分解生成
物の混合物を塗布し、乾燥後低温プラズマ処理して、該
加水分解物を縮重合し被覆層を形成することを特徴とす
るガス遮断性プラスチック包装材の製造方法。 一般式Ｉ Ｒ１−Ｓｉ−（ＯＲ２）３ （Ｒ１は炭素数が１〜２０の飽和または不飽和の炭化水
素残基、Ｒ２は炭素数が１〜４のアルキル基） 一般式ＩＩ Ｒ３ ｘ−Ａｌ−（ＯＲ２）ｎ （Ｒ２は炭素数１〜４のアルキル基であり、Ｒ３は酸素
を介してＡｌに結合する炭素数１〜２０の炭化水素残基
であり、０≦ｎ≦３、０≦ｘ≦３、ｘ＋ｎ＝３である） 一般式ＩＩＩ Ｒ３ｙ−Ｍ−（ＯＲ２）ｍ （ＭはＴｉ、Ｚｒから選んだ１または２以上であり、Ｒ
２は炭素数１〜４のアルキル基であり、Ｒ３は酸素を介
してＭに結合する炭素数１〜２０の炭化水素残基であ
り、０≦ｍ≦３、０≦ｙ≦３、ｍ＋ｙ＝４である） - 【請求項７】 プラスチックからなる基材の少なくとも
片面に、アミノ基含有シランカップリング剤を被覆しそ
の上に一般式Ｉで示されるＳｉアルコシキドをアルコー
ル系溶剤に溶解し、酸触媒を用いて加水分解を行って生
成した加水分解生成物に、一般式ＩＩおよび／または一
般式ＩＩＩで示されるＴｉ、Ｚｒ、Ａｌ、から選んだ１
種類または２種以上の金属アルコキシドを添加して加水
分解し生成した加水分解物の混合物を塗布し、乾燥後低
温プラズマ処理して、該加水分解物を縮重合し被覆層を
形成することを特徴とするガス遮断性プラスチック包装
材の製造方法。 一般式Ｉ Ｒ１−Ｓｉ−（ＯＲ２）３ （Ｒ１は炭素数が１〜２０の飽和または不飽和の炭化水
素残基、Ｒ２は炭素数が１〜４のアルキル基） 一般式ＩＩ Ｒ３ ｘ−Ａｌ−（ＯＲ２）ｎ （Ｒ２は炭素数１〜４のアルキル基であり、Ｒ３は酸素
を介してＡｌに結合する炭素数１〜２０の炭化水素残基
であり、０≦ｎ≦３、０≦ｘ≦３、ｘ＋ｎ＝３である） 一般式ＩＩＩ Ｒ３ ｙ−Ｍ−（ＯＲ２）ｍ （ＭはＴｉ、Ｚｒから選んだ１または２以上であり、Ｒ
２は炭素数１〜４のアルキル基であり、Ｒ３は酸素を介
してＭに結合する炭素数１〜２０の炭化水素残基であ
り、０≦ｍ≦３、０≦ｙ≦３、ｍ＋ｙ＝４である） - 【請求項８】 プラスチックからなる基材の少なくとも
片面に、アミノ基含有シランカップリング剤を被覆し、
その上に一般式Ｉで示されるＳｉアルコキシドのアルコ
ール系溶液と、一般式ＩＩおよび／または一般式ＩＩＩ
で示されるＴｉ、Ｚｒ、Ａｌ、から選んだ１種類または
２種以上の金属アルコキシドとをアルコール系溶剤に溶
解した溶液の混合溶液に酸触媒を加えて加水分解を行っ
て生成した加水分解生成物の混合物を塗布し、乾燥後低
温プラズマ処理して、該加水分解物を縮重合し被覆層を
形成することを特徴とするガス遮断性プラスチック包装
材の製造方法。 一般式Ｉ Ｒ１−Ｓｉ−（ＯＲ２）３ （Ｒ１は炭素数が１〜２０の飽和または不飽和の炭化水
素残基、Ｒ２は炭素数が１〜４のアルキル基） 一般式ＩＩ Ｒ３ ｘ−Ａｌ−（ＯＲ２）ｎ （Ｒ２は炭素数１〜４のアルキル基であり、Ｒ３は酸素
を介してＡｌに結合する炭素数１〜２０の炭化水素残基
であり、０≦ｎ≦３、０≦ｘ≦３、ｘ＋ｎ＝３である） 一般式ＩＩＩ Ｒ３ ｙ−Ｍ−（ＯＲ２）ｍ （ＭはＴｉ、Ｚｒから選んだ１または２以上であり、Ｒ
２は炭素数１〜４のアルキル基であり、Ｒ３は酸素を介
してＭに結合する炭素数１〜２０の炭化水素残基であ
り、０≦ｍ≦３、０≦ｙ≦３、ｍ＋ｙ＝４である） - 【請求項９】 プラスチックからなる基材の少なくとも
片面に、アミノ基含有シランカップリング剤を被覆しそ
の上に一般式Ｉで示されるＳｉアルコキシドと、一般式
ＩＩおよび／または一般式ＩＩＩで示されるＴｉ、Ｚ
ｒ、Ａｌ、から選んだ１種類または２種以上の金属アル
コキシドとをアルコール系溶剤に溶解した混合物に酸触
媒を加えて塗布し、水蒸気雰囲気中を通してアルコキシ
ドを加水分解した後乾燥して溶剤を除去してから低温プ
ラズマ処理して、該加水分解物を縮重合することを特徴
とするガス遮断性プラスチック包装材の製造方法。 一般式Ｉ Ｒ１−Ｓｉ−（ＯＲ２）３ （Ｒ１は炭素数が１〜２０の飽和または不飽和の炭化水
素残基、Ｒ２は炭素数が１〜４のアルキル基） 一般式ＩＩ Ｒ３ ｘ−ｎ−Ａｌ−（ＯＲ２）ｎ （Ｒ２は炭素数１〜４のアルキル基であり、Ｒ３は酸素
を介してＡｌに結合する炭素数１〜２０の炭化水素残基
であり、０≦ｎ≦３、０≦ｘ≦３、ｘ＋ｎ＝３である） 一般式ＩＩＩ Ｒ３ ｙ−Ｍ−（ＯＲ２）ｍ （ＭはＴi、Ｚｒから選んだ１または２以上であり、Ｒ
２は炭素数１〜４のアルキル基であり、Ｒ３は酸素を介
してＭに結合する炭素数１〜２０の炭化水素残基であ
り、０≦ｍ≦３、０≦ｙ≦３、ｍ＋ｙ＝４である） - 【請求項１０】 アミノ基含有シランカップリング剤
が、３−（Ｎ−アリルアミノ）プロピルトリメトキシシ
ラン、４−アミノブチルトリエトキシシラン、（アミノ
エチルアミノメチル）フェネチルトリメトキシシラン、
Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチル
ジメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−ア
ミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（６−アミノヘ
キシル）アミノプロピルトリメトキシシラン、３−（ｍ
−アミノフェノキシ）プロピルトリメトキシシラン、ｍ
−アミノフェニルトリメトキシシラン、ｐ−アミノフェ
ニルトリメトキシシラン、３−（１−アミノプロポキ
シ）−３，３−ジメチル−１−プロペニルトリメトキシ
シラン、３−アミノプロピルジイソプロピルエトキシシ
ラン、３−アミノプロピルジメチルエトキシシラン、３
−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、３−アミノ
プロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリ
メトキシシランから選んだ１または２以上である、請求
項１ないし９のいずれか１項に記載されたガス遮断性プ
ラスチック包装材の製造方法。 - 【請求項１１】 縮重合をイオン照射処理で行うことを
特徴とする、請求項６ないし１０のいずれか１項に記載
されたガス遮断性プラスチック包装材の製造方法。 - 【請求項１２】 縮重合を電子線照射処理で行うことを
特徴とする、請求項６ないし１０のいずれか１項に記載
されたガス遮断性プラスチック包装材の製造方法。 - 【請求項１３】 膜厚が０．０１乃至０．１ｕｍの被膜
を形成することを特徴とする、請求項６ないし１２のい
ずれか１項に記載されれたガス遮断性プラスチック包装
材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9127197A JPH10244612A (ja) | 1997-03-06 | 1997-03-06 | ガス遮断性プラスチック包装材とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9127197A JPH10244612A (ja) | 1997-03-06 | 1997-03-06 | ガス遮断性プラスチック包装材とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10244612A true JPH10244612A (ja) | 1998-09-14 |
Family
ID=14021793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9127197A Pending JPH10244612A (ja) | 1997-03-06 | 1997-03-06 | ガス遮断性プラスチック包装材とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10244612A (ja) |
-
1997
- 1997-03-06 JP JP9127197A patent/JPH10244612A/ja active Pending
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