JPH10241118A - 磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ワイヤーボンディングの保護用の接着剤の流
れ込みを防止するとともにボンディングパッド部の構造
を簡単にする。 【解決手段】 磁気ヘッドの基板３上に形成された電極
１０上に機械的に形成されたバンプ２２ｂと、該バンプ
２２ｂを覆うように形成された保護膜１２とからなり、
該保護膜１２の一部を除去してバンプを露出させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は浮上型磁気ヘッド
（ＨＤＤ）等の磁気記録装置に用いられる磁気ヘッドお
よびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来技術における浮上型磁気ヘッドの構
成と製造方法について図９，１０，１１を用いて説明す
る。

【０００３】浮上型磁気ヘッド５０は、図９に示すよう
に、レール面５１ａを有するスライダー５１の側面部に
磁気記録再生素子５２を設ける構造からなる。この浮上
型磁気ヘッド５０は、半導体集積回路製造プロセスで用
いられるのと同様の薄膜形成法や、フォトリソグラフィ
技術とエッチング技術とによって形成される。

【０００４】つぎに図１０を用いて、従来の浮上型磁気
ヘッドの構造と製造方法について説明する。

【０００５】（ａ）表面平滑性を有する非磁性材料から
なる基板５３の上にＡｌ₂ ０₃ 等の絶縁層５４を形成す
る。

【０００６】（ｂ）絶縁層上に下部磁極材料としてコバ
ルト系アモルファスやパーマロイをスパッタリング法に
より全面に形成し、その後フォトエッチング処理を行う
ことにより、下部磁極５５を形成する。

【０００７】（ｃ）ギャップ層５６となるＡｌ₂ ０₃ 等
の絶縁層を形成する。

【０００８】（ｄ）レジストやポリイミド樹脂などによ
る絶縁層５７を介してコイル５８を形成する。複数層の
コイル５８を形成するときは、絶縁層５７の形成と、コ
イル５８の形成とを交互に行う。このコイルは、スパッ
タリング法あるいは真空蒸着法により、銅（Ｃｕ）や金
（Ａｕ）などの金属膜を形成し、そしてこれら金属膜を
フォトエッチング処理により、所定のコイルのパターン
形状に加工する。コイル５８の形成方法は、感光性材料
であるレジストでコイルのパターン形状と反転したパタ
ーン形状を形成し、コイルパターンのみに選択的に金属
膜を形成するリフトオフ法によって形成することも可能
である。ここで、コイルの形状は、渦巻状のソレノイド
コイル形状や、あるいはジグザグ状のスパイラルコイル
形状のどちらを用いても良い。

【０００９】（ｅ）レジストやポリイミド樹脂からなる
絶縁層５７上に、下層磁極５５と同じ材料からなる上部
磁極をスパッタリング法により全面に形成し、しかる
後、フォトエッチング処理を行い上層磁極５９を形成す
る。次にコイルと後工程で形成する電極パッドとを接続
する引き出し電極６０を形成する。

【００１０】（ｆ）銅からなる電極パッド６１をメッキ
法を用いて形成する。

【００１１】（ｇ）Ａｌ₂ Ｏ₃ ，ＳｉＯ₂ 膜等の無機絶
縁膜によって１５〜３０μｍ程度の膜厚の保護膜６２を
形成する。

【００１２】（ｈ）保護膜６２を研削、研磨等の機械加
工を行い、銅からなる電極パッド６１を露出させる。そ
して密着層６３としてのＮｉをメッキ等で形成した後、
ボンディングパッド層６４としてＡｕをメッキ等で形成
することにより磁気記録再生素子５２は完成する。

【００１３】このようにして作製されたボンディングパ
ッド層６４にワイヤー６６をボンディングした状態を図
１１に示す。通常、ワイヤーボンディングの接合強度は
弱いためボンディング箇所に保護接着剤６５を塗布して
硬化し、その後の組立作業等におけるワイヤー引き回し
時のワイヤー６６の剥離を防止する。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】図９において、浮上型
磁気ヘッド５０は、スライダ５１の小型化に伴い膜面
（スライダ基板端面）の面積が小さくなる。このため、
保護接着剤６５の塗布量にばらつきがある場合、図１１
に示すように保護接着剤６５がレール面５１ａに流れ込
むことがあった。レール面５１ａは鏡面に仕上げられ、
記録媒体（ディスク）との対向面として特に高い精度が
要求される部分であり、わずかの汚れに対しても不良の
原因となる。このため、保護接着剤６５がレール面５１
ａに流れ出した場合は不良品としていた。

【００１５】特開平７−３０２４２０公報では、ワイヤ
ボンディングの接合強度を高めるための接着剤がレール
面に流れ込むのを防止した浮上型磁気ヘッドが提案され
ているが、次のような問題点があった。

【００１６】（１）Ｃｕメッキ等で嵩上げしワイヤーボ
ンディング圧着材を形成して保護膜を形成し、パッドが
露出するように研磨を行っているがワイヤーボンディン
グ圧着材はＮｉとＡｕの積層膜であるため、保護膜の研
磨によってＡｕ層がなくなる恐れがあるため研磨量を高
精度に制御する必要がある。

【００１７】（２）Ｃｕメッキ等で嵩上げした後にＮｉ
とＡｕの積層膜からなるワイヤーボンディング圧着材を
形成するため、成膜および、パターニング工程が非常に
煩雑となる。

【００１８】本発明はワイヤボンディングの接合強度を
高めるための接着剤がレール面に流れ込むのを防止する
ために、浮上型磁気ヘッドのボンディングパッド層の高
さが保護膜の表面と同じ高さあるいはそれ以下の高さに
なるようなワイヤボンディングパッド形成面の構造を提
供しようとするものであり、保護膜の研磨量を高精度に
制御する必要がなく、さらに成膜，パターニング工程を
簡略化することを目的としている。

【００１９】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、磁気ヘッドの基板上に形成された電極上に機械的に
形成されたバンプと、該バンプを覆うように形成された
保護膜とからなり、該保護膜の一部を除去してバンプを
露出させた磁気ヘッドである。

【００２０】請求項２に記載の発明は、前記バンプはＡ
ｕバンプであることを特徴とする請求項１に記載の磁気
ヘッドである。

【００２１】請求項３に記載の発明は、前記Ａｕバンプ
の一部を除去することにより、前記Ａｕバンプを前記保
護膜の表面よりも低い位置にすることを特徴とする請求
項２に記載の磁気ヘッドである。

【００２２】請求項４に記載の発明は、浮上型磁気ヘッ
ドの基板上に形成された電極上に機械的にバンプを形成
する工程と、保護膜を全面に形成する工程と、前記保護
膜の一部を除去してバンプを露出させる工程とを少なく
とも含む磁気ヘッドの製造方法である。

【００２３】請求項５に記載の発明は、前記バンプはＡ
ｕバンプからなり、該Ａｕバンプはボールボンディング
で機械的に形成することを特徴とする、請求項４に記載
の磁気ヘッドの製造方法である。

【００２４】請求項６に記載の発明は、前記バンプはＡ
ｕバンプからなり、該Ａｕバンプは転写バンプ方式で機
械的に形成することを特徴とする、請求項４に記載の磁
気ヘッドの製造方法である。

【００２５】請求項７に記載の発明は、前記バンプはＡ
ｕバンプからなり、王水によるウェットエッチングによ
り、前記Ａｕバンプの一部を除去することにより、前記
Ａｕバンプを前記保護膜の表面よりも低い位置にするこ
とを特徴とする、請求項４に記載の磁気ヘッドの製造方
法である。

【００２６】請求項８に記載の発明は、前記バンプはＡ
ｕバンプからなり、回転刃を使用した機械加工を行うこ
とにより、前記Ａｕバンプを前記保護膜の表面よりも低
い位置にすることを特徴とする、請求項４に記載の磁気
ヘッドの製造方法である。

【００２７】

【発明の実施の形態】従来の浮上型磁気ヘッドにおい
て、保護用接着剤の流れ出しが起きやすいのは、保護膜
の表面よりもボンディングパッド層の高さが高いことが
原因しているものと思われる。したがって接着剤の流れ
出しを防止するためにはボンディングパッド層の高さを
保護膜の表面と同じかまたは低くすることが有効であ
る。

【００２８】本発明は、以上の考えに基づきなされたも
のであり、請求項１の発明によれば、磁気ヘッドの基板
上に形成された電極上に機械的に形成されたバンプと、
前記バンプを覆うように形成された保護膜であって、前
記保護膜の一部を除去してバンプを露出させた磁気ヘッ
ドであり、バンプを高速で形成することができる。ま
た、メッキ等によるバンプの作製と比較して作製装置が
簡単であり、作製工程も簡略化することが可能となるた
め磁気ヘッドの製造コストを下げることができる。

【００２９】請求項２の発明によれば、前記バンプはＡ
ｕバンプであることを特徴とする請求項１に記載の磁気
ヘッドであり、ボンディングパッド層が露出するように
保護層を研磨した場合、Ａｕバンプの高さが高いため研
磨量をシビアにコントロールする必要がなく容易にボン
ディングパッド層を露出させることができる。

【００３０】また、バンプがＡｕであるためボンディン
グパッド層を露出させた後に直接ボンディングを行うこ
とが可能となり、従来のようにボンディング圧着材等を
成膜する必要がないため工程の簡略化が可能である。

【００３１】請求項３の発明によれば、前記Ａｕバンプ
の一部を除去することにより、前記Ａｕバンプを前記保
護膜の表面よりも低い位置にすることを特徴とする請求
項２に記載の磁気ヘッドであり、Ａｕバンプの一部を除
去することにより、前記Ａｕバンプを前記保護膜の表面
よりも低い位置にすることにより、ボンディングパッド
層の高さが保護層の高さよりも低くなるため接着剤が、
より流れ出しにくくなる。

【００３２】請求項４の発明によれば、磁気ヘッドの基
板上に形成された電極上に機械的にバンプを形成する工
程と、保護膜を全面に形成する工程と、前記保護膜の一
部を除去してバンプを露出させる工程とを少なくとも含
む磁気ヘッドの製造方法であり、バンプを高速で形成す
ることができる。また、メッキ等によるバンプの作製と
比較して作製装置が簡単であり、作製工程も簡略化する
ことが可能となるため磁気ヘッドの製造コストを下げる
ことができる。

【００３３】請求項５の発明によれば、請求項４に記載
の磁気ヘッドの製造方法であり、ボンディングパッド層
が露出するように保護層を研磨した場合、Ａｕバンプの
高さが高いため研磨量をシビアにコントロールする必要
がなく容易にボンディングパッド層を露出させることが
できる。また、バンプがＡｕであるためボンディングパ
ッド層を露出させた後に直接ボンディングを行うことが
可能となり、従来のようにボンディング圧着材等を成膜
する必要がないため工程の簡略化が可能である。さら
に、Ａｕバンプをボールボンディングで機械的に形成す
ることによって、浮上型磁気ヘッドのリード引き出しに
用いられるボンディング装置をそのまま利用してＡｕバ
ンプを形成することが可能であり、新たな設備投資を必
要としなくてもよい。

【００３４】請求項６の発明によれば、前記Ａｕバンプ
は転写バンプ方式で機械的に形成することを特徴とする
請求項４に記載の磁気ヘッドの製造方法であり、Ａｕバ
ンプを転写バンプ方式で機械的に形成することにより、
Ａｕバンプ形成工程は浮上型磁気ヘッドの工程とは別工
程で作製することが可能であるために引き出し電極にＡ
ｕバンプを転写するだけでよい。さらにこの転写バンプ
は他社から購入することが可能であり、転写バンプの作
製工程を考えなくても良い。

【００３５】請求項７の発明によれば、前記Ａｕバンプ
の一部を除去することにより、前記Ａｕバンプを前記保
護膜の表面よりも低い位置にすることを特徴とする請求
項４に記載の磁気ヘッドの製造方法であり、Ａｕバンプ
の一部を除去することにより、前記Ａｕバンプを前記保
護膜の表面よりも低い位置にすることにより、ボンディ
ングパッド層の高さが保護層の高さよりも低くなるため
接着剤が、より流れ出しにくくなる。しかも、前記Ａｕ
バンプの一部の除去を王水によるウェットエッチングで
行うものであり、Ａｕバンプの一部の除去を王水による
ウェットエッチングで行うことによりＡｕバンプのみを
選択的にエッチングすることが可能である。

【００３６】請求項８の発明によれば、請求項４に記載
の磁気ヘッドの製造方法において、Ａｕバンプの一部の
除去方法として回転刃を使用した機械加工を行うことに
より、バンプ部付近のみ前記保護膜を除去することが可
能であるため、研削、研磨等により、一旦Ａｕバンプと
保護膜との高さを同一高さに加工する工程を省略するこ
とができる。

【００３７】実施例１ 本発明の第１実施例を以下に説明する。図１は本発明の
浮上型磁気ヘッドの斜視図である。

【００３８】浮上型磁気ヘッドは、図１に示すように、
レール面１ａを有するスライダー１の側面部に磁気記録
再生素子２を設ける構造を有している。この浮上型磁気
ヘッド３０は、半導体集積回路製造プロセスで用いられ
るのと同様の薄膜形成法や、フォトリソグラフィ技術と
エッチング技術とによって形成している。

【００３９】次に、図２を用いて、従来の浮上型磁気ヘ
ッドの構造と製造方法について説明する。

【００４０】（ａ）表面平滑性を有する非磁性材料から
なる基板３の上にＡｌ₂ ０₃ 等の絶縁層４を２〜４μｍ
形成する。

【００４１】（ｂ）絶縁層４上に下部磁極材料としてコ
バルト系アモルファスやパーマロイを、スパッタリング
法により全面に形成し、その後フォトエッチング処理を
行うことにより、下部磁極５を形成する。

【００４２】（ｃ）ギャップ層６となる絶縁層を形成す
る。

【００４３】（ｄ）レジストやポリイミド樹脂などによ
る絶縁層７を介してコイル８を形成する。複数層のコイ
ルを形成するときは、絶縁層７の形成と、コイル８の形
成とを交互に行う。このコイル８は、スパッタリング法
や、あるいは真空蒸着法により、銅（Ｃｕ）や、金（Ａ
ｕ）などの金属膜を形成し、そしてこれら金属膜をフォ
トエッチング処理により、所定のコイルのパターン形状
に加工する。コイル８の形成方法としては、感光性材料
であるレジストでコイルのパターン形状と反転したパタ
ーン形状を形成し、コイルパターンのみに選択的に金属
膜を形成するリフトオフ法によって形成することも可能
である。ここで、コイル８の形状は、渦巻状のソレノイ
ドコイル形状や、あるいはジグザグ状のスパイラルコイ
ル形状のどちらを用いても良い。

【００４４】（ｅ）レジストやポリイミド樹脂からなる
絶縁層７上に、下層磁極５と同じ材料からなる上部磁極
をスパッタリング法により全面に形成し、その後、フォ
トエッチング処理を行い上層磁極９を形成する。つぎ
に、コイル８と、後工程で形成するＡｕバンプ２２ｂか
らなるボンディングパッド層１３とを接続する引き出し
電極１０を形成する。この引き出し電極１０は、コイル
８と同一材料であり、スパッタリング法や、あるいは真
空蒸着法により、銅（Ｃｕ）や、金（Ａｕ）などの金属
膜を形成し、そしてこれら金属膜をフォトエッチング処
理により作製する。

【００４５】（ｆ）Ａｕバンプ２２ｂからなるボンディ
ングパッド層１３をボンディング装置により形成する。
このボンディングパッド層１３の形成方法を図３に示
す。

【００４６】このボンディングパッド層１３の形成方法
は、ワイヤーボンディング方式であるボールボンディン
グ装置でバンプを形成する方式であり、（ａ）に示すよ
うにキャピラリー２０の先端のＡｕワイヤー２１にＡｕ
ボール２２ａを形成する。次に（ｂ）に示すように、Ａ
ｕボール２２ａに超音波を引加しながら、引き出し電極
１０上にボンディングする。次に、（ｃ）に示すよう
に、ボンディングした状態でキャピラリー２０をそのま
ま横滑りさせて、Ａｕボール２２ａのネック部分でＡｕ
ワイヤー２１を切断させる。このようにして形成したＡ
ｕバンプ２２ｂは、使用するＡｕワイヤー径が３０μｍ
の場合は約１１０μｍ径のバンプとなり、バンプ高さは
４０μｍ程度である。

【００４７】Ａｕボールボンディングは通常Ａｌ電極、
Ａｕ電極に対してはボンディング性は良好であるが、Ｃ
ｕ電極に対してはボンディング性は良くない。これはＣ
ｕ電極の酸化膜の進行によるものである。Ａｌ表面の酸
化膜の深さは表面から約２００Åであるためボンディン
グにより酸化膜は破壊され、Ａｌの新生面が露出し、こ
の新生面とＡｕボールとで金属間化合物が形成され接合
されるが、Ｃｕの酸化膜は、時間とともに膜厚方向に進
行するためにボンディングにより酸化膜を破壊すること
ができない場合がある。したがって、引き出し電極がＣ
ｕの場合には、Ｃｕ表面にＡｌをスパッタ等によって３
０００Å程度形成し、ボンディングによりＡｕバンプ２
２ｂからなるボンディングパッド層１３を形成する。

【００４８】（ｇ）Ａｌ₂ ０₃ ，ＳｉＯ₂ 膜等の無機絶
縁膜によって１５〜３０μｍ程度の膜厚の保護膜１２を
形成する。

【００４９】（ｈ）保護膜１２を研削、研磨等の機械加
工を行い、Ａｕバンプ２２ｂによって形成されたボンデ
ィングパッド層１３を露出させ磁気記録再生素子２は完
成する。このようにして作製されたボンディングパッド
層１３は保護層１２と同一面であるため、図４に示すよ
うにワイヤー１６をボンディングした後、ボンディング
箇所に保護用の接着剤１５を塗布しても接着剤の流れ出
しを抑えることができる。

【００５０】実施例２ 以下、本発明の第２実施例を以下説明する。

【００５１】引き出し電極形成までは第１実施例と同様
であるため、図５に示すＡｕバンプ形成工程から説明を
行う。本実施例のＡｕバンプは転写バンプ方式であり、
まず、（ａ）Ｓｉ，ポリイミド，セラミック等からなる
バンプ形成用基板２３に５００〜３０００ÅのＡｕ膜２
４を蒸着により形成し、次に、浮上型磁気ヘッド３０の
引き出し電極１０の配置と同一の配置となるように感光
性樹脂２５をパターニングする。次にこの感光性樹脂２
５のパターンをマスクとして電解メッキ法によりＡｕバ
ンプ２６を３０〜４０μｍの厚さに形成する。

【００５２】（ｂ）不用となった感光性樹脂２５を除去
し、さらにＡｕバンプ２６周辺のＡｕ膜２４を除去する
ことによりＡｕバンプ２６は完成する。次に図６（ａ）
に示すようにバンプ形成用基板２３上に形成されたＡｕ
バンプ２６と浮上型磁気ヘッド３０の引き出し電極１０
との位置合わせを行い、加熱、加圧を行い引き出し電極
１０側にＡｕバンプ２６を転写させる。バンプ形成用基
板２３とＡｕ膜２４とは比較的密着強度が小さいため容
易にＡｕバンプ２６を引き出し電極１０に転写すること
ができる。Ａｕバンプ２６の寸法は、任意に設定するこ
とが可能であるが、通常はバンプ径が１２０μｍ、バン
プ高さは３０〜４０μｍ程度である。

【００５３】引き出し電極がＣｕの場合には、Ｃｕ表面
にＡｌをスパッタ等によって３０００Å程度形成し、加
熱、加圧によりＡｕバンプ２６からなるボンディングパ
ッド層１１を転写する。 以上のような転写バンプ方式
において、Ａｕバンプ形成工程はバンプ形成用基板２３
を用いて作製することが可能であるために浮上型磁気ヘ
ッド３０の工程とは別工程で行うことが可能である。さ
らにこのこの転写バンプはバンプ形成用基板２３にＡｕ
バンプ２６を形成した状態のものを他社から購入するこ
とが可能であり、この場合は、バンプ形成用基板２３上
に形成されたＡｕバンプ２６と浮上型磁気ヘッド３０の
引き出し電極１０との位置合わせを行い、加熱、加圧を
行い引き出し電極１０側にＡｕバンプ２６を転写させる
だけでよく、Ａｕバンプ２６の作製工程を考えなくても
良い。

【００５４】次に図６（ｂ）に示すように、Ａｌ₂ ０
₃ ，ＳｉＯ２膜等の無機絶縁膜によって１５〜３０μｍ
程度の膜厚の保護膜１２を形成する。

【００５５】次に、同図（ｃ）に示すように保護膜１２
を研削、研磨等の機械加工を行い、Ａｕバンプ２６によ
って形成されたボンディングパッド層１３を露出させ磁
気記録再生素子２は完成する。

【００５６】このようにして作製されたボンディングパ
ッド層１３は保護層１２と同一面であるため、図４に示
すようにワイヤー１６をボンディングした後、ボンディ
ング箇所に保護用の接着剤１５を塗布しても接着剤の流
れ出しを抑えることができる。

【００５７】実施例３ 本発明の第３実施例を以下に説明する。

【００５８】保護膜１２を研削、研磨等の機械加工を行
い、Ａｕバンプによって形成されたボンディングパッド
層を露出させる工程までは第１、第２実施例と同様であ
るため、図７に示すようにワイヤーボンディング方式、
あるいは転写バンプ方式により形成したＡｕバンプ２２
ｂ、２６からなるボンディングパッド層１３のエッチン
グ工程から説明を行う。

【００５９】保護膜１２を研削、研磨等の機械加工によ
り、ボンディングパッド層１３の高さと保護膜１２の高
さを同一にした後、王水に浸積させボンディングパッド
層１３の表面のエッチングを行いボンディングパッド層
１３の高さを保護膜１２の高さよりも低くすることによ
り磁気記録再生素子２は完成する。

【００６０】このようにして作製されたボンディングパ
ッド層１３は保護膜１２よりも低いため、図４に示すよ
うにワイヤー１６をボンディングした後、ボンディング
箇所に保護用の接着剤１５を塗布しても接着剤の流れ出
しを抑えることができる。

【００６１】実施例４ 本発明の第４実施例を以下に説明する。

【００６２】実施例１，２に示す工程により図８（ａ）
に示すようにワイヤーボンディング方式、あるいは転写
バンプ方式により引き出し電極１０にＡｕバンプ２２
ｂ、２６を形成する。次に（ｂ）に示すように、Ａｌ₂
０₃ ，ＳｉＯ₂ 膜等の無機絶縁膜によって１５〜３０μ
ｍ程度の膜厚の保護膜１２を形成する。次に、Ａｕバン
プ２２ｂ、２６付近の保護膜１２とＡｕバンプ２２ｂ、
２６の一部を回転刃２７によって除去しボンディングパ
ッド層１３の高さを保護膜１２の高さよりも低くするこ
とにより磁気記録再生素子２は完成する。

【００６３】このようにして作製されたボンディングパ
ッド層１３は保護膜１２よりも低いため、図４に示すよ
うにワイヤー１６をボンディングした後、ボンディング
箇所に保護用の接着剤１５を塗布しても接着剤の流れ出
しを抑えることができる。

【００６４】また、上述のようにＡｕバンプ２２ｂ，２
６付近のみ前記保護膜１２を除去することが可能である
ため、研削、研磨等により、一旦Ａｕバンプ２２ｂ、２
６と保護膜１２との高さを同一高さに加工する工程を省
略することができる。

【００６５】

【発明の効果】請求項１の発明によれば、磁気ヘッドの
基板上に形成された電極上に機械的に形成されたバンプ
と、前記バンプを覆うように形成された保護膜であっ
て、前記保護膜の一部を除去してバンプを露出させた磁
気ヘッドであり、バンプを高速で形成することができ
る。また、メッキ等によるバンプの作製と比較して作製
装置が簡単であり、作製工程も簡略化することが可能と
なるため磁気ヘッドの製造コストを下げることができ
る。

【００６６】請求項２の発明によれば、前記バンプはＡ
ｕバンプであることを特徴とする請求項１に記載の磁気
ヘッドであり、ボンディングパッド層が露出するように
保護層を研磨した場合、Ａｕバンプの高さが高いため研
磨量をシビアにコントロールする必要がなく容易にボン
ディングパッド層を露出させることができる。また、バ
ンプがＡｕであるためボンディングパッド層を露出させ
た後に直接ボンディングを行うことが可能となり、従来
のようにボンディング圧着材等を成膜する必要がないた
め工程の簡略化が可能である。

【００６７】請求項３の発明によれば、前記Ａｕバンプ
の一部を除去することにより、前記Ａｕバンプを前記保
護膜の表面よりも低い位置にすることを特徴とする請求
項２に記載の磁気ヘッドであり、Ａｕバンプの一部を除
去することにより、前記Ａｕバンプを前記保護膜の表面
よりも低い位置にすることにより、ボンディングパッド
層の高さが保護層の高さよりも低くなるため接着剤が、
より流れ出しにくくなる。

【００６８】請求項４の発明によれば、磁気ヘッドの基
板上に形成された電極上に機械的にバンプを形成する工
程と、保護膜を全面に形成する工程と、前記保護膜の一
部を除去してバンプを露出させる工程とを少なくとも含
む磁気ヘッドの製造方法であり、バンプを高速で形成す
ることができる。また、メッキ等によるバンプの作製と
比較して作製装置が簡単であり、作製工程も簡略化する
ことが可能となるため磁気ヘッドの製造コストを下げる
ことができる。

【００６９】請求項５の発明によれば、請求項４に記載
の磁気ヘッドの製造方法であり、ボンディングパッド層
が露出するように保護層を研磨した場合、Ａｕバンプの
高さが高いため研磨量をシビアにコントロールする必要
がなく容易にボンディングパッド層を露出させることが
できる。また、バンプがＡｕであるためボンディングパ
ッド層を露出させた後に直接ボンディングを行うことが
可能となり、従来のようにボンディング圧着材等を成膜
する必要がないため工程の簡略化が可能である。さら
に、Ａｕバンプをボールボンディングで機械的に形成す
ることによって、浮上型磁気ヘッドのリード引き出しに
用いられるボンディング装置をそのまま利用してＡｕバ
ンプを形成することが可能であり、新たな設備投資を必
要としなくてもよい。

【００７０】請求項６の発明によれば、前記Ａｕバンプ
は転写バンプ方式で機械的に形成することを特徴とする
請求項４に記載の磁気ヘッドの製造方法であり、Ａｕバ
ンプを転写バンプ方式で機械的に形成することにより、
Ａｕバンプ形成工程は浮上型磁気ヘッドの工程とは別工
程で作製することが可能であるために引き出し電極にＡ
ｕバンプを転写するだけでよい。さらにこの転写バンプ
は他社から購入することが可能であり、転写バンプの作
製工程を考えなくても良い。請求項７の発明によれば、
前記Ａｕバンプの一部を除去することにより、前記Ａｕ
バンプを前記保護膜の表面よりも低い位置にすることを
特徴とする請求項９に記載の磁気ヘッドの製造方法であ
り、Ａｕバンプの一部を除去することにより、前記Ａｕ
バンプを前記保護膜の表面よりも低い位置にすることに
より、ボンディングパッド層の高さが保護層の高さより
も低くなるため接着剤が、より流れ出しにくくなる。し
かも、前記Ａｕバンプの一部の除去を王水によるウェッ
トエッチングで行うものであり、Ａｕバンプの一部の除
去を王水によるウェットエッチングで行うことによりＡ
ｕバンプのみを選択的にエッチングすることが可能であ
る。

【００７１】請求項８の発明によれば、請求項４に記載
の磁気ヘッドの製造方法いおいて、Ａｕバンプの一部の
除去方法として回転刃を使用した機械加工を行うことに
より、バンプ部付近のみ前記保護膜を除去することが可
能であるため、研削、研磨等により、一旦Ａｕバンプと
保護膜との高さを同一高さに加工する工程を省略するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】一般的な浮上型磁気ヘッドを示す斜視図であ
る。

【図２】ワイヤーボンディング方式による本発明の浮上
型磁気ヘッドの製造方法を示す断面図である。

【図３】本発明であるワイヤーボンディング方式による
バンプ形成方法を示す斜視図である。

【図４】本発明の浮上型磁気ヘッドへのボンディング後
の状態を示す斜視図である。

【図５】本発明である転写バンプ方式によるバンプ形成
方法を示す断面図である。

【図６】転写バンプ方式による本発明の浮上型磁気ヘッ
ドの製造方法を示す断面図である。

【図７】一般的な浮上型磁気ヘッドを示す斜視図であ
る。

【図８】本発明の浮上型磁気ヘッドのエッチング方法を
示す断面図である。

【図９】本発明の浮上型磁気ヘッドの回転刃を使用した
機械加工を示す断面図である。

【図１０】従来の浮上型磁気ヘッドの製造方法を示す断
面図である。

【図１１】従来の浮上型磁気ヘッドへのボンディング後
の状態を示す斜視図である。

【符号の説明】

１ スライダ １ａ レール面 ３ 基板 １０ 引き出し電極 １２ 保護膜 １４ ボンディングパッド層 １５ 接着剤 １６ ワイヤー ２２ｂ Ａｕバンプ ２３ バンプ形成用基板 ２６ Ａｕバンプ ２７ 回転刃 ３０ 浮上型磁気ヘッド

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 磁気ヘッドの基板上に形成された電極上
   に機械的に形成されたバンプと、該バンプを覆うように
   形成された保護膜とからなり、該保護膜の一部を除去し
   てバンプを露出させた磁気ヘッド。
2. 【請求項２】 前記バンプはＡｕバンプであることを特
   徴とする請求項１に記載の磁気ヘッド。
3. 【請求項３】 前記Ａｕバンプの一部を除去することに
   より、前記Ａｕバンプを前記保護膜の表面よりも低い位
   置にすることを特徴とする請求項２に記載の磁気ヘッ
   ド。
4. 【請求項４】 浮上型磁気ヘッドの基板上に形成された
   電極上に機械的にバンプを形成する工程と、保護膜を全
   面に形成する工程と、前記保護膜の一部を除去してバン
   プを露出させる工程とを少なくとも含む磁気ヘッドの製
   造方法。
5. 【請求項５】 前記バンプはＡｕバンプからなり、該Ａ
   ｕバンプはボールボンディングで機械的に形成すること
   を特徴とする、請求項４に記載の磁気ヘッドの製造方
   法。
6. 【請求項６】 前記バンプはＡｕバンプからなり、該Ａ
   ｕバンプは転写バンプ方式で機械的に形成することを特
   徴とする、請求項４に記載の磁気ヘッドの製造方法。
7. 【請求項７】 前記バンプはＡｕバンプからなり、王水
   によるウェットエッチングにより、前記Ａｕバンプの一
   部を除去することにより、前記Ａｕバンプを前記保護膜
   の表面よりも低い位置にすることを特徴とする、請求項
   ４に記載の磁気ヘッドの製造方法。
8. 【請求項８】 前記バンプはＡｕバンプからなり、回転
   刃を使用した機械加工を行うことにより、前記Ａｕバン
   プを前記保護膜の表面よりも低い位置にすることを特徴
   とする、請求項４に記載の磁気ヘッドの製造方法。