JPH07129925A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH07129925A JPH07129925A JP27472093A JP27472093A JPH07129925A JP H07129925 A JPH07129925 A JP H07129925A JP 27472093 A JP27472093 A JP 27472093A JP 27472093 A JP27472093 A JP 27472093A JP H07129925 A JPH07129925 A JP H07129925A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 薄膜磁気ヘッドのボンディングパッド部とリ
ード線とのボンディング性を高め、リード線の剥離等を
防止できる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供すること。 【構成】 磁気抵抗効果素子用ボンディングパッド部８
及び磁気誘導素子用ボンディングパッド部１５の形成
後、ウェハプロセスの最終段階において、電極パッド部
８，１５の上に有機保護膜４０が形成される。そしてウ
ェハ切断や研磨工程の後、ボンディング工程が施される
が、電極パッド部８，１５の表面には有機保護膜４０が
被覆されているので、機械加工工程中でパッド部８，１
５の表面が汚染されることはない。そしてボンディング
工程の直前において、有機保護膜４０を有機溶媒で除去
した後、その清浄なパッド面に対しリード線をボンディ
ングする。パッド面には汚物付着等がないので、リード
線のボンディング性が良く、リード線剥離等の不良発生
を無くすことができる。
ード線とのボンディング性を高め、リード線の剥離等を
防止できる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供すること。 【構成】 磁気抵抗効果素子用ボンディングパッド部８
及び磁気誘導素子用ボンディングパッド部１５の形成
後、ウェハプロセスの最終段階において、電極パッド部
８，１５の上に有機保護膜４０が形成される。そしてウ
ェハ切断や研磨工程の後、ボンディング工程が施される
が、電極パッド部８，１５の表面には有機保護膜４０が
被覆されているので、機械加工工程中でパッド部８，１
５の表面が汚染されることはない。そしてボンディング
工程の直前において、有機保護膜４０を有機溶媒で除去
した後、その清浄なパッド面に対しリード線をボンディ
ングする。パッド面には汚物付着等がないので、リード
線のボンディング性が良く、リード線剥離等の不良発生
を無くすことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜磁気ヘッドの製造
方法に関し、特に、薄膜磁気ヘッドとリード線のボンデ
ィング技術に関するものである。
方法に関し、特に、薄膜磁気ヘッドとリード線のボンデ
ィング技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】磁気抵抗素子（再生専用素子）及び磁気
誘導素子（記録専用素子）とをワンチップ化した薄膜磁
気ヘッド１００は、図３に示すように、ヘッドスライダ
ーとなるＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ等の基板（ウェハ）１と、
この上に絶縁膜２を介して形成された下部シールド膜３
と、下部シールド膜３上に絶縁膜４を介して形成された
磁気抵抗効果膜５と、磁気抵抗効果膜５上に形成された
磁気抵抗効果素子用電極膜６と、この磁気抵抗効果素子
用電極膜６の上に絶縁膜７を介して形成された上部シー
ルド膜９と、磁気抵抗効果素子（ＭＲ）用電極膜６の上
に形成されたＴｉ膜８ａ及びＡｕ膜８ｂの磁気抵抗効果
素子用ボンディングパッド部８と、上部シールド膜９上
に絶縁膜１０を介して形成された下部磁極膜１１と、下
部磁極膜１１の上及びその非形成領域上にコイル絶縁材
料を挟んで螺旋状にパターニングされたＣｕ等のコイル
線１２と、下部磁極膜１１の上に合わせて形成された上
部磁極膜１３と、上部磁極膜１３等の上に形成されたＡ
ｌ2 Ｏ3 等の絶縁保護膜１４と、コイル線１２の両端に
形成されたＣｕ膜１５ａ，Ｔｉ膜１５ｂｂ及びＡｕ膜１
５ｃの磁気誘導素子用ボンディングパッド部１５とを有
している。このように、基板１上には磁気抵抗効果膜５
のギャップｇ１を持つ磁気抵抗効果素子と磁極膜１１，
１３間のギャップｇ２を持つ磁気誘導素子が積層されて
いる。このような製造プロセスは半導体製造プロセスと
同様のウェハプロセスであり、図４（ａ）に示す如く、
基板（ウェハ）１に上述の薄膜磁気ヘッド素子１００が
集積形成される。このウェハプロセスの後、図４（ｂ）
に示すように、ウェハ１を四角形に切断し、続いて図４
（ｃ）に示すように、短冊状に切断して複数のヘッドバ
ー３０を分離する。この後、図４（ｄ）に示すように、
基台治具３１上にヘッドバー３０の切断面（ウェハの縦
断面）３０ａが上になるようにワックス等で固定した
後、切断面３０ａをラップ盤で研磨し、所定位置でギャ
ップｇ１，ｇ２を露出させる。この後、図５（ａ）に示
すように、ジンバルバネ取付け用の複数の溝３０ｂをヘ
ッドバー３０に施した後、図５（ｂ）に示すように、ヘ
ッドバー３０を分離加工して薄膜磁気ヘッド１００のチ
ップ（スライダ）３３を得る。そして、図５（ｃ）に示
すように、チップ３３の磁気抵抗効果素子用ボンディン
グパッド部８及び磁気誘導素子用ボンディングパッド部
１５に対してリード線３４をボンディングした後、スラ
イダ３３の溝３０ｂにジンバルバネ３５の先端を樹脂等
で固着し、磁気記録再生装置の組立部品としての通称ヘ
ッド・ジンバル・アッセンブリー（ＨＧＡ）３６を得
る。
誘導素子（記録専用素子）とをワンチップ化した薄膜磁
気ヘッド１００は、図３に示すように、ヘッドスライダ
ーとなるＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ等の基板（ウェハ）１と、
この上に絶縁膜２を介して形成された下部シールド膜３
と、下部シールド膜３上に絶縁膜４を介して形成された
磁気抵抗効果膜５と、磁気抵抗効果膜５上に形成された
磁気抵抗効果素子用電極膜６と、この磁気抵抗効果素子
用電極膜６の上に絶縁膜７を介して形成された上部シー
ルド膜９と、磁気抵抗効果素子（ＭＲ）用電極膜６の上
に形成されたＴｉ膜８ａ及びＡｕ膜８ｂの磁気抵抗効果
素子用ボンディングパッド部８と、上部シールド膜９上
に絶縁膜１０を介して形成された下部磁極膜１１と、下
部磁極膜１１の上及びその非形成領域上にコイル絶縁材
料を挟んで螺旋状にパターニングされたＣｕ等のコイル
線１２と、下部磁極膜１１の上に合わせて形成された上
部磁極膜１３と、上部磁極膜１３等の上に形成されたＡ
ｌ2 Ｏ3 等の絶縁保護膜１４と、コイル線１２の両端に
形成されたＣｕ膜１５ａ，Ｔｉ膜１５ｂｂ及びＡｕ膜１
５ｃの磁気誘導素子用ボンディングパッド部１５とを有
している。このように、基板１上には磁気抵抗効果膜５
のギャップｇ１を持つ磁気抵抗効果素子と磁極膜１１，
１３間のギャップｇ２を持つ磁気誘導素子が積層されて
いる。このような製造プロセスは半導体製造プロセスと
同様のウェハプロセスであり、図４（ａ）に示す如く、
基板（ウェハ）１に上述の薄膜磁気ヘッド素子１００が
集積形成される。このウェハプロセスの後、図４（ｂ）
に示すように、ウェハ１を四角形に切断し、続いて図４
（ｃ）に示すように、短冊状に切断して複数のヘッドバ
ー３０を分離する。この後、図４（ｄ）に示すように、
基台治具３１上にヘッドバー３０の切断面（ウェハの縦
断面）３０ａが上になるようにワックス等で固定した
後、切断面３０ａをラップ盤で研磨し、所定位置でギャ
ップｇ１，ｇ２を露出させる。この後、図５（ａ）に示
すように、ジンバルバネ取付け用の複数の溝３０ｂをヘ
ッドバー３０に施した後、図５（ｂ）に示すように、ヘ
ッドバー３０を分離加工して薄膜磁気ヘッド１００のチ
ップ（スライダ）３３を得る。そして、図５（ｃ）に示
すように、チップ３３の磁気抵抗効果素子用ボンディン
グパッド部８及び磁気誘導素子用ボンディングパッド部
１５に対してリード線３４をボンディングした後、スラ
イダ３３の溝３０ｂにジンバルバネ３５の先端を樹脂等
で固着し、磁気記録再生装置の組立部品としての通称ヘ
ッド・ジンバル・アッセンブリー（ＨＧＡ）３６を得
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ようなヘッド・ジンバル・アッセンブリーを得るまでの
製造方法ないし組立方法においては、次のような問題点
がある。即ち、リード線３４のボンディング工程におけ
る磁気抵抗効果素子用ボンディングパッド部８及び磁気
誘導素子用ボンディングパッド部１５の表面は、それ以
前のウェハ１の切断工程，ワックスの付着や研磨工程等
によって汚物付着等により不浄化しているため、リード
線３４のボンディング性が劣化しており、ヘッド・ジン
バル・アッセンブリーでのリード線３４の剥離等による
不良品率が問題となっていた。
ようなヘッド・ジンバル・アッセンブリーを得るまでの
製造方法ないし組立方法においては、次のような問題点
がある。即ち、リード線３４のボンディング工程におけ
る磁気抵抗効果素子用ボンディングパッド部８及び磁気
誘導素子用ボンディングパッド部１５の表面は、それ以
前のウェハ１の切断工程，ワックスの付着や研磨工程等
によって汚物付着等により不浄化しているため、リード
線３４のボンディング性が劣化しており、ヘッド・ジン
バル・アッセンブリーでのリード線３４の剥離等による
不良品率が問題となっていた。
【０００４】そこで上記問題点に鑑み、本発明の課題
は、薄膜磁気ヘッドの電極パッド部とリード線とのボン
ディング性を高め、リード線の剥離等を防止できる薄膜
磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
は、薄膜磁気ヘッドの電極パッド部とリード線とのボン
ディング性を高め、リード線の剥離等を防止できる薄膜
磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、ウェハ上に薄膜磁気ヘッド素子を集積す
るウェハプロセスの後、ウェハを切断してワンチップ化
する機械加工工程と、そのチップの電極パッド部にリー
ド線をボンディングするボンディング工程とを有する薄
膜磁気ヘッドの製造方法であって、上記ウェハプロセス
において少なくとも上記電極パッド部の露出面に電極面
汚染防止用の保護膜を形成すると共に、上記ボンディン
グ工程の直前において上記保護膜を除去する工程を含む
ことを特徴とする。かかる保護膜は、上記電極パッド部
の露出面上にのみ形成しても良いし、また上記ウェハの
全面に形成しても良い。ここで、上記保護膜を有機保護
膜とすると、保護膜除去工程では除去液として有機溶媒
を用いることができる。
に、本発明は、ウェハ上に薄膜磁気ヘッド素子を集積す
るウェハプロセスの後、ウェハを切断してワンチップ化
する機械加工工程と、そのチップの電極パッド部にリー
ド線をボンディングするボンディング工程とを有する薄
膜磁気ヘッドの製造方法であって、上記ウェハプロセス
において少なくとも上記電極パッド部の露出面に電極面
汚染防止用の保護膜を形成すると共に、上記ボンディン
グ工程の直前において上記保護膜を除去する工程を含む
ことを特徴とする。かかる保護膜は、上記電極パッド部
の露出面上にのみ形成しても良いし、また上記ウェハの
全面に形成しても良い。ここで、上記保護膜を有機保護
膜とすると、保護膜除去工程では除去液として有機溶媒
を用いることができる。
【０００６】
【作用】このように、本発明においては、ウェハプロセ
ス段階（ウェハプロセスの最終段階）で電極パッド部の
露出面に保護膜を形成しておくと、機械加工工程ではパ
ッド部の表面がウェハ切断や研磨等による汚染から有効
に保護される。そしてボンディング工程直前においてこ
の保護膜を除去した後、その清浄なパッド面に対しリー
ド線をボンディングする。パッド面には汚物付着等がな
いので、リード線のボンディング性が良く、リード線剥
離等の不良発生を無くすことができる。保護膜を有機保
護膜とすると、有機溶媒により保護膜を簡単に除去でき
るので、除去工程の簡単且つ迅速化を図ることができ
る。
ス段階（ウェハプロセスの最終段階）で電極パッド部の
露出面に保護膜を形成しておくと、機械加工工程ではパ
ッド部の表面がウェハ切断や研磨等による汚染から有効
に保護される。そしてボンディング工程直前においてこ
の保護膜を除去した後、その清浄なパッド面に対しリー
ド線をボンディングする。パッド面には汚物付着等がな
いので、リード線のボンディング性が良く、リード線剥
離等の不良発生を無くすことができる。保護膜を有機保
護膜とすると、有機溶媒により保護膜を簡単に除去でき
るので、除去工程の簡単且つ迅速化を図ることができ
る。
【０００７】
【実施例】次に、本発明の実施例を添付図面に基づいて
説明する。
説明する。
【０００８】図１（ａ）は本発明の第１実施例に係る薄
膜磁気ヘッドの平面構成を示す平面図、図１（ｂ）は図
１（ａ）のＡ−Ａ′線に沿って切断した状態を示す断面
図、図１（ｃ）は図１（ａ）のＢ−Ｂ′線に沿って切断
した状態を示す断面図である。なお、図１において図３
に示す部分と同一部分には同一参照符号を付し、その説
明は省略する。
膜磁気ヘッドの平面構成を示す平面図、図１（ｂ）は図
１（ａ）のＡ−Ａ′線に沿って切断した状態を示す断面
図、図１（ｃ）は図１（ａ）のＢ−Ｂ′線に沿って切断
した状態を示す断面図である。なお、図１において図３
に示す部分と同一部分には同一参照符号を付し、その説
明は省略する。
【０００９】本例の薄膜磁気ヘッド２００は、図３に示
す薄膜磁気ヘッド１００と同様に基板（ウェハ）１上に
集積形成されている。薄膜磁気ヘッド２００は、ヘッド
スライダーとなるＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ等の基板（ウエ
ハ）１と、この上に絶縁膜２を介して形成された下部シ
ールド膜３と、下部シールド膜３上に絶縁膜４を介して
形成された磁気抵抗効果膜５と、磁気抵抗効果膜５上に
形成された磁気抵抗効果素子用電極膜６と、この磁気抵
抗効果素子用電極膜６の上に絶縁膜７を介して形成され
た上部シールド膜９と、磁気抵抗効果素子（ＭＲ）用電
極膜６の上に形成されたＴｉ膜８ａ及びＡｕ膜８ｂの磁
気抵抗効果素子用ボンディングパッド部８と、上部シー
ルド膜９上に絶縁膜１０を介して形成された下部磁極膜
１１と、下部磁極膜１１の上及びその非形成領域上にコ
イル絶縁材料を挟んで螺旋状にパターニングされたＣｕ
等のコイル線１２と、下部磁極膜１１の上に合わせて形
成された上部磁極膜１３と、上部磁極膜１３等の上に形
成されたＡｌ2 Ｏ3 等の絶縁保護膜１４と、コイル線１
２の両端に形成されたＣｕ膜１５ａ，Ｔｉ膜１５ｂ及び
Ａｕ膜１５ｃの磁気誘導素子用ボンディングパッド部１
５とを有している。
す薄膜磁気ヘッド１００と同様に基板（ウェハ）１上に
集積形成されている。薄膜磁気ヘッド２００は、ヘッド
スライダーとなるＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ等の基板（ウエ
ハ）１と、この上に絶縁膜２を介して形成された下部シ
ールド膜３と、下部シールド膜３上に絶縁膜４を介して
形成された磁気抵抗効果膜５と、磁気抵抗効果膜５上に
形成された磁気抵抗効果素子用電極膜６と、この磁気抵
抗効果素子用電極膜６の上に絶縁膜７を介して形成され
た上部シールド膜９と、磁気抵抗効果素子（ＭＲ）用電
極膜６の上に形成されたＴｉ膜８ａ及びＡｕ膜８ｂの磁
気抵抗効果素子用ボンディングパッド部８と、上部シー
ルド膜９上に絶縁膜１０を介して形成された下部磁極膜
１１と、下部磁極膜１１の上及びその非形成領域上にコ
イル絶縁材料を挟んで螺旋状にパターニングされたＣｕ
等のコイル線１２と、下部磁極膜１１の上に合わせて形
成された上部磁極膜１３と、上部磁極膜１３等の上に形
成されたＡｌ2 Ｏ3 等の絶縁保護膜１４と、コイル線１
２の両端に形成されたＣｕ膜１５ａ，Ｔｉ膜１５ｂ及び
Ａｕ膜１５ｃの磁気誘導素子用ボンディングパッド部１
５とを有している。
【００１０】このように磁気抵抗効果素子用ボンディン
グパッド部８及び磁気誘導素子用ボンディングパッド部
１５の形成後、ウェハプロセスの最終段階において、磁
気抵抗効果素子用ボンディングパッド部８及び磁気誘導
素子用ボンディングパッド部１５の上にフォトレジス
ト，ポリイミド等の有機保護膜４０が形成される。本例
でも、図４及び図５に示すように、ウェハ切断や研磨工
程の後、ボンディング工程が施されるが、電極パッド部
８，１５の表面には有機保護膜４０が被覆されているの
で、機械加工工程中でパッド部８，１５の表面が汚染さ
れることはない。
グパッド部８及び磁気誘導素子用ボンディングパッド部
１５の形成後、ウェハプロセスの最終段階において、磁
気抵抗効果素子用ボンディングパッド部８及び磁気誘導
素子用ボンディングパッド部１５の上にフォトレジス
ト，ポリイミド等の有機保護膜４０が形成される。本例
でも、図４及び図５に示すように、ウェハ切断や研磨工
程の後、ボンディング工程が施されるが、電極パッド部
８，１５の表面には有機保護膜４０が被覆されているの
で、機械加工工程中でパッド部８，１５の表面が汚染さ
れることはない。
【００１１】そしてボンディング工程の直前において、
有機保護膜４０を有機溶媒で除去した後、その清浄なパ
ッド面に対しリード線をボンディングする。パッド面に
は汚物付着等がないので、リード線のボンディング性が
良く、リード線剥離等の不良発生を無くすことができ
る。
有機保護膜４０を有機溶媒で除去した後、その清浄なパ
ッド面に対しリード線をボンディングする。パッド面に
は汚物付着等がないので、リード線のボンディング性が
良く、リード線剥離等の不良発生を無くすことができ
る。
【００１２】ここで保護膜４０は無機保護膜でも良く、
イオンミーリング等により保護膜の除去も可能である
が、有機保護膜とし、これを有機溶媒で除去するように
すると、除去工程の簡単且つ迅速化を図ることができ
る。
イオンミーリング等により保護膜の除去も可能である
が、有機保護膜とし、これを有機溶媒で除去するように
すると、除去工程の簡単且つ迅速化を図ることができ
る。
【００１３】図２は本発明の第２実施例に係る薄膜磁気
ヘッドを示す。この例においては、有機保護膜４０が基
板（ウェハ）１の全面に被覆形成されている。第１実施
例のように、電極パッド部８，１５の表面にのみ有機保
護膜４０を形成するには、パターニング工程が必要であ
るが、本例においてはそれを排除できるので保護膜の形
成工程を簡略化することができる。
ヘッドを示す。この例においては、有機保護膜４０が基
板（ウェハ）１の全面に被覆形成されている。第１実施
例のように、電極パッド部８，１５の表面にのみ有機保
護膜４０を形成するには、パターニング工程が必要であ
るが、本例においてはそれを排除できるので保護膜の形
成工程を簡略化することができる。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、ウェハ
プロセス段階で電極パッド部の露出面に保護膜を形成し
ておき、ボンディング工程直前においてこの保護膜を除
去する点に特徴を有するものである。従って、次の効果
を奏する。
プロセス段階で電極パッド部の露出面に保護膜を形成し
ておき、ボンディング工程直前においてこの保護膜を除
去する点に特徴を有するものである。従って、次の効果
を奏する。
【００１５】 ウェハプロセス後の機械加工工程では
パッド部の表面が保護膜によって有効に汚染から保護さ
れる。そしてボンディング工程直前においてこの保護膜
を除去した後、その清浄なパッド面に対しリード線をボ
ンディングすると、パッド面には汚物付着等がないの
で、リード線のボンディング性が良く、リード線剥離等
の不良発生を無くすことができる。
パッド部の表面が保護膜によって有効に汚染から保護さ
れる。そしてボンディング工程直前においてこの保護膜
を除去した後、その清浄なパッド面に対しリード線をボ
ンディングすると、パッド面には汚物付着等がないの
で、リード線のボンディング性が良く、リード線剥離等
の不良発生を無くすことができる。
【００１６】 保護膜形成工程が保護膜をウェハの全
面に形成するものである場合には、パターニングが不要
であり、保護膜の形成工程を簡略化することができる。
面に形成するものである場合には、パターニングが不要
であり、保護膜の形成工程を簡略化することができる。
【００１７】 保護膜を有機保護膜とすると、有機溶
媒により保護膜を簡単に除去できるので、除去工程の簡
単且つ迅速化を図ることができる。
媒により保護膜を簡単に除去できるので、除去工程の簡
単且つ迅速化を図ることができる。
【図１】（ａ）は本発明の第１実施例に係る薄膜磁気ヘ
ッドの平面構成を示す平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−
Ａ′線に沿って切断した状態を示す断面図、（ｃ）は図
１（ａ）のＢ−Ｂ′線に沿って切断した状態を示す断面
図である。
ッドの平面構成を示す平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−
Ａ′線に沿って切断した状態を示す断面図、（ｃ）は図
１（ａ）のＢ−Ｂ′線に沿って切断した状態を示す断面
図である。
【図２】（ａ）は本発明の第２実施例に係る薄膜磁気ヘ
ッドの平面構成を示す平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−
Ａ′線に沿って切断した状態を示す断面図、（ｃ）は図
１（ａ）のＢ−Ｂ′線に沿って切断した状態を示す断面
図である。
ッドの平面構成を示す平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−
Ａ′線に沿って切断した状態を示す断面図、（ｃ）は図
１（ａ）のＢ−Ｂ′線に沿って切断した状態を示す断面
図である。
【図３】（ａ）は従来の薄膜磁気ヘッドの平面構成を示
す平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′線に沿って切断し
た状態を示す断面図、（ｃ）は図１（ａ）のＢ−Ｂ′線
に沿って切断した状態を示す断面図である。
す平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′線に沿って切断し
た状態を示す断面図、（ｃ）は図１（ａ）のＢ−Ｂ′線
に沿って切断した状態を示す断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は薄膜磁気ヘッドのウェハプロ
セス後の機械加工工程をそれぞれ示す斜視図である。
セス後の機械加工工程をそれぞれ示す斜視図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は図４（ｄ）に示す工程以降の
製造工程をそれぞれ示す斜視図である。
製造工程をそれぞれ示す斜視図である。
１…基板（ウェハ） ２，４，７，１０…絶縁膜 ３…下部シールド膜 ５…磁気抵抗効果膜 ６…磁気抵抗効果素子用電極膜 ８…磁気抵抗効果素子用ボンディングパッド部 ８ａ，１５ｂ…Ｔｉ膜 ８ｂ，１５ｃ…Ａｕ膜 １１…下部磁極膜 １２…コイル線 １３…上部磁極膜 １４…絶縁保護膜 １５…磁気誘導素子用ボンディングパッド部 ３０…ヘッドバー ３０ａ…切断面 ３３…チップ（スライダー） ３４…リード線 ３５…ジンバルバネ １００，２００…薄膜磁気ヘッド ｇ１，ｇ２…ギャップ。
Claims (4)
- 【請求項１】 ウェハ上に薄膜磁気ヘッド素子を集積す
るウェハプロセスの後、該ウェハを切断してワンチップ
化する機械加工工程と、該チップの電極パッド部にリー
ド線をボンディングするボンディング工程とを有する薄
膜磁気ヘッドの製造方法であって、前記ウェハプロセス
において少なくとも前記電極パッド部の露出面に電極面
汚染防止用の保護膜を形成すると共に、前記ボンディン
グ工程の直前において前記保護膜を除去する工程を含む
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の薄膜磁気ヘッドの製造
方法において、前記保護膜は前記電極パッド部の露出面
上にのみ形成されて成ることを特徴とする薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法。 - 【請求項３】 請求項１に記載の薄膜磁気ヘッドの製造
方法において、前記保護膜は前記ウェハの全面に形成さ
れて成ることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項４】 請求項１乃至請求項３のいずれか一項に
記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、前記保護膜
は有機保護膜であり、前記保護膜除去工程は有機溶媒を
用いることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27472093A JPH07129925A (ja) | 1993-11-04 | 1993-11-04 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27472093A JPH07129925A (ja) | 1993-11-04 | 1993-11-04 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07129925A true JPH07129925A (ja) | 1995-05-19 |
Family
ID=17545637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27472093A Pending JPH07129925A (ja) | 1993-11-04 | 1993-11-04 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07129925A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7110340B2 (en) | 2002-03-18 | 2006-09-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and apparatus for recording data on an optical recording medium |
-
1993
- 1993-11-04 JP JP27472093A patent/JPH07129925A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7110340B2 (en) | 2002-03-18 | 2006-09-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and apparatus for recording data on an optical recording medium |
| US7342861B2 (en) | 2002-03-18 | 2008-03-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and apparatus for recording data on an optical recording medium |
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