JPH10239861A

JPH10239861A - パタン形成方法

Info

Publication number: JPH10239861A
Application number: JP4037397A
Authority: JP
Inventors: Katsuya Hayano; 勝也早野; Norio Hasegawa; 昇雄長谷川
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1997-02-25
Filing date: 1997-02-25
Publication date: 1998-09-11

Abstract

(57)【要約】【課題】ハーフトーン位相シフトマスクを用いた場合の
サイドピークによる不要転写パタン部のレジスト膜減り
を埋戻す。【解決手段】現像後の熱処理により、サイドピークに該
るパタン部のみの感光材料を軟化流動させることによ
り、レジストの膜厚が薄くなった部分の膜厚を選択的に
厚くする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、各種固体素子の製
造方法に関し、特に微細なパタンを安定して形成するこ
とが可能なパタン形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】穴及び溝パタンの微細化法の従来技術と
して、特開平4−136854 号公報に記載の方法では、単一
透明パタンの周囲を半透明とし、半透明部を通過するわ
ずかな光と、透明パタンを通過する光の位相を反転させ
るようにしている。すなわち従来型マスクの遮光部を半
透明とし、パタンを転写するレジストの感度以下の光を
通過させ、この光と透明パタンを通過する光の位相が反
転するようにした。半透明部を通過させた光は、主パタ
ンを通過してきた光に対して位相が反転しているため、
その境界部の光強度が０に近づく。これにより、相対的
に透明パタンを通過した光強度とパタン境界部の光強度
の比が大きくなり、従来法に比べてコントラストの高い
光強度分布が得られる。このマスク構造は、従来の遮光
膜を位相反転機能を持つ半透明膜に変更するだけで実現
できるため、マスク製作が簡単である。

【０００３】また、特開平1−307228号及び特開平7−45
510 号に記載されているように、レジストパタンを形成
後、レジストの軟化点以上の温度で熱処理し、レジスト
の熱流動によりパタンを縮小する方法がある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術において
得られる投影像では、透明領域からなる主パタンの周り
にリング状に第２のピークが現われる。主パタンのピー
ク強度に対して上記第２の光強度ピークが十分小さくな
いと、本来転写したくない第２の光強度ピークまで転写
されてしまい、パタン異常となってしまう。通常、マス
クの設計寸法を転写寸法より大きくすることによって、
主パタンに対する第２の光強度ピークがパタン転写にほ
とんど問題にならない、１／４程度以下となる様な条件
でパタン形成する。ところがマスクの設計寸法を大きく
するにしたがって、前記主パタンの光強度に対する第２
の光強度ピークは小さくなると、同時に得られる焦点深
度が小さくなり、問題となる。また感光材料所謂レジス
トに第２の光強度ピークを転写して主パタンを形成する
場合、前述の通り焦点深度は大きくなるが、レジストを
マスクとして被加工材料をエッチングする場合、第２の
ピークが転写した部分ではレジストが薄くなっているた
め、エッチングに十分な耐性がなく、第２の光強度ピー
クまで被加工材料に転写されてしまい問題となる。

【０００５】本発明の目的は、不要な光強度ピークがレ
ジスト上に積極的に転写させることにより、大きな焦点
裕度で安定したパタンを形成することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では主パタン転写に不要な第２の光強度ピー
ク部分を被加工材料が露出しない程度にレジストに転写
させ、転写した第２の光強度ピーク部分のみの感光材料
所謂レジストを、半透明部に該る部分のレジストが軟化
流動しない温度で熱処理し、レジストの膜厚が薄くなっ
た部分を選択的に軟化流動させた。

【０００７】通常のレジストは、パタン形成後ある温度
までは加熱しても軟化流動しない。しかしパタン形成後
に一定量以上の露光を加えるとレジスト中の溶解抑止剤
の一部が分解し、その結果半透明部に該る部分のレジス
ト軟化温度よりも低くなる。また同時にレジストの粘度
が小さくなるため、流動しやすくなる。従って軟化流動
させたい部分のみに一定量以上の露光量を加えることに
より、露光を行っていない部分よりも低い温度で軟化流
動させて選択的にレジストの膜厚を変化させることがで
きる。

【０００８】透明領域からなる主パタン周辺に発生する
第２の光強度ピークにあたる部分の露光量は、半透明部
に該る部分のレジストの露光量よりも大きい。従って半
透明部ではレジストが軟化しない条件で熱処理すること
により、レジスト膜厚が薄くなっている第２の光強度ピ
ークに該る部分のレジスト膜厚を厚くすることが可能で
ある。これにより、不要な第２の光強度ピークがレジス
ト上にパタン転写させてもレジスト膜厚を厚くでき、レ
ジストが十分なエッチング耐性を得られ、大きな焦点裕
度で且つ安定した良好なパタンが形成できる。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の第１の実施の形
態を図３により説明し、第２の実施の形態を図６により
説明する。図１は本発明に使用したホトマスクである。
図１（ａ）はホトマスクの平面図であり、図１（ｂ）は
ホトマスクの断面図である。１はガラス基板、２ａは半
透明膜、２ｂは位相シフトである。ここで半透明膜はＣ
ｒの薄膜を用い、位相シフト膜には塗布ガラス（ＳＯ
Ｇ）を用い、２層で半透明位相シフト膜２を形成し、半
透明部の露光光透過率は８％とした。

【００１０】上記ホトマスクを通過する光の振幅分布を
図１（ｃ）に、レンズを通過してレジスト上に投影され
る光強度分布を図１（ｄ）に示す。ハーフトーン位相シ
フトマスクを用いた露光法では、図１（ｄ）に示す様
に、パタン転写に必要な透明パタン３を通過した光強度
ピーク４以外にパタン転写に必要のない第２の光強度ピ
ーク（以降、サイドピークと記述）５が生じる。通常、
このサイドピークを転写しないように、パタンを形成す
るマスクの設計寸法および露光量（光強度）を決定す
る。

【００１１】マスクの設計寸法は、図２に示すように小
さいほど焦点深度は大きい。従ってより大きな焦点深度
を得ようとすると、マスクの設計寸法は小さな値がよ
い。しかし、マスクの設計寸法を小さくすると、前述し
たサイドピークが転写してしまい、レジストの膜減りが
生じる。この膜減りは被加工材料を加工する際のエッチ
ング耐性を落としてしまい、問題となる。

【００１２】上記ホトマスクを用いて、通常のリソグラ
フィにより、図３（ａ）に示すような被加工材料６の上
にレジスト７を塗布したものに露光，現像し、図３
（ｂ）に示すようにレジストパタンを形成した。ここで
レジストには、透明パタン３を通過した光強度ピーク４
によって形成された被加工材料が露出しているパタン８
と、サイドピーク５が転写した被加工材料が露出してい
ないパタン９が存在する。このときの半透明部レジスト
１０の膜厚はＴ₀ 、サイドピーク部の膜厚はＴ₁ であっ
た。

【００１３】次に図３（ｃ）に示すように、レジスト材
料をベーク炉を用いて半透明部レジスト１０の軟化温度
以下の温度で熱処理を行った。この熱処理を行っても、
半透明部レジスト１０は熱処理温度が半透明部レジスト
の軟化温度以下の温度であるためレジストの流動はな
く、熱処理前のレジスト膜厚Ｔ₀ から変化しない。これ
に対しサイドピークの転写されたパタン９は、サイドピ
ークの光によって転写パタン９とその周辺が露光されて
露光部１１が形成される。この露光部１１はレジスト中
の溶解抑止剤の一部が分解し、その結果軟化点温度が低
くなり且つレジストの粘度が小さくなる。これにより露
光部１１のレジストが半透明部レジスト１０の軟化点以
下の温度で熱流動が可能となり、サイドピークの転写パ
タン９は露光部１１のレジストの流動によって断面形状
が変化し、その結果サイドピーク転写パタン９のレジス
ト膜厚Ｔ₂ は熱処理前のレジスト膜厚Ｔ₁ よりも厚くな
る。したがって、被加工材料加工時のエッチングに対す
る耐性の向上が可能である。

【００１４】図４に半透明部レジスト１０の軟化点以下
の温度で行う熱処理の温度と、サイドピークの転写パタ
ン９のレジスト膜厚Ｔ₁ 及びＴ₂ の関係を、図５に熱処
理温度と透明パタン３の転写パタン８の寸法の関係を示
す。

【００１５】ここでパタン転写には、露光波長０.３６
５μｍ，レンズの開口数ＮＡ０.６０のステッパを用い
た。またレジスト７にノボラック系ポジレジストを膜厚
1.07μｍ塗布し、半透明膜の透過率が８％，透明部と半
透明部の位相差が１８０°，転写する透明パタン３の設
計寸法０.３５μｍのパタン転写用ホトマスクを用いて
露光，現像した。その後レジストの軟化流動によってサ
イドピーク転写パタン９の膜厚Ｔ₁ を厚くすることを目
的とする熱処理を、ベーク炉を用いて１８０秒間行っ
た。熱処理前の半透明部レジスト１０の膜厚Ｔ₀ は１.
０μｍ、サイドピーク転写パタン９のレジスト膜厚は
０.７μｍである。また透明パタン３の転写パタン８の
熱処理前寸法Ｄは０.３５μｍである。

【００１６】サイドピーク転写パタン９のレジスト膜厚
Ｔ₁ は、熱処理温度が１００℃以上で変化をはじめ、１
２０℃以上でほとんど変化しなくなった。また図５に示
すように透明パタン３の転写パタン８の寸法Ｄは熱処理
温度が１４０℃未満ではほとんど変化はなく、１４０℃
以上でレジストの軟化点温度を超えてしまうため寸法変
動をはじめ、１７０℃で非開孔となった。

【００１７】上記パタン転写用ホトマスクを用いてパタ
ン形成を行った後熱処理温度１３０℃で１８０秒間の熱
処理を行ったところ、サイドピークの転写パタン９のレ
ジスト膜厚は０.８５μｍとなった。また熱処理後の透
明パタン３の転写パタン８の寸法Ｄは０.３５μｍであ
り、熱処理前と変化はなかった。従って半透明部レジス
ト１０の軟化点以下の温度で行う熱処理の温度は１２０
℃以上１４０℃未満で設定することにより、サイドピー
クの転写パタンのみの選択的なレジスト熱流動が可能と
なり、被加工材料加工時のエッチングに対する耐性の向
上が実現できた。

【００１８】なおここでは膜減りしているサイドピーク
転写パタンのレジスト膜厚をレジストの軟化流動によっ
て厚くすることを目的とする熱処理温度及び熱処理時
間，パタン転写用ホトマスクの半透明膜の透過率及びパ
タン寸法，形状を上記のように限定したが、これに限ら
ない。また、レジストの軟化流動によってサイドピーク
の転写パタンのレジスト膜厚を厚くすることを目的とす
る熱処理温度を半透明部レジストの軟化点温度未満の温
度としたが、軟化点以上の温度においても同様の効果が
得られる。この場合、サイドピークの転写パタン部のレ
ジストと半透明部レジストの流動の度合が異なることを
利用する。ここではレジスト７にはノボラック系の樹脂
を主成分とするポジレジストを用いたが、これに限らな
い。熱流動を起こす材料であり且つ光照射によって軟化
点温度が低下する材料であれば、用いることができる。
ここで使用したノボラック系レジストの、半透明部が熱
流動を起こす温度は１４０℃以上であった。

【００１９】また、半透明膜及び位相シフト膜に上記の
材料を用いた２層構造を使用したが、ＣｒＯＮ，ＭｏＳ
ｉＯ，ＭｏＳｉＯＮなど、半透明膜で且つ半透明部と透
明部と通過する光の位相がほぼ反転する材料であればよ
い。これらの膜を用いた場合、１層で露光光を半透明と
する効果と光の位相を反転する効果が得られ、マスク作
成が簡単である。なお実施の形態では透明パタンの平面
形状は穴パタン，溝パタンを対象としたが、これに限ら
ない。また穴パタンとして本実施例では正方形を用いた
が、これに限らず円，楕円はもちろん、三角形又は五角
形等の多角形でも良い。たとえばパタンを楕円形状とし
た場合、上層の材料と下地材料との接着面積が大きくな
り、その結果抵抗を低くすることができる。

【００２０】次に本発明の第２の実施の形態を図６によ
り説明する。図６は、レジストパタンを形成後レジスト
の熱流動により被加工材料が露出している転写パタンを
縮小することを目的とする熱処理により、同時に被加工
材料が露出していないサイドピーク転写パタンの選択的
なレジスト熱流動を行った説明図である。図６（ａ）に
示すような被加工材料１２の上にレジスト１３を塗布し
たものに、図１に示すホトマスクを用いて、通常のリソ
グラフィにより、露光，現像し、図６（ｂ）に示すよう
にレジストパタンを形成した。ここでレジストには、透
明パタン３を通過した光強度ピーク４によって形成され
た被加工材料が露出している転写パタン１４と、サイド
ピーク５が転写した被加工材料が露出していないパタン
１５が存在する。このときの半透明部レジスト１６の膜
厚はＴ₀ 、サイドピーク部の膜厚はＴ₁ であった。次に
図６（ｃ）に示すように、全面に水溶性の樹脂１７を塗
布した。次に図６（ｄ）に示すように、レジスト材料を
ベーク炉を用いて半透明部レジスト１６の軟化温度以上
の温度で熱処理を行った。

【００２１】次に図６（ｅ）に示すように、水洗により
水溶性の樹脂１７を除去した。以上の工程により、リソ
グラフィで形成した被加工材料が露出している転写パタ
ン１４を縮小した転写パタン１８を形成することができ
る。またサイドピークの転写された被加工材料が露出し
ていないパタン１５も同時にレジストの流動によって断
面形状が変化し、サイドピーク転写パタン１９のレジス
ト膜厚Ｔ₂ は熱処理前のレジスト膜厚Ｔ₁ よりも厚くな
る。したがって、転写パタン１４の寸法縮小と同時にサ
イドピーク転写パタン１５のレジスト膜厚を厚くするこ
とができ、被加工材料加工時のエッチングに対する耐性
の向上が可能である。

【００２２】図７に半透明部レジスト１６の軟化点以上
の温度で行う熱処理の温度と、サイドピークの転写パタ
ン１５及び１９のレジスト膜厚の関係を、図８に熱処理
温度と透明パタン３の転写パタン１４及び１８の寸法の
関係を示す。

【００２３】ここでパタン転写には、露光波長０.３６
５μｍ，レンズの開口数ＮＡ０.６０のステッパを用い
た。またレジスト１３にノボラック系ポジレジストをレ
ジスト膜厚１.０７μｍ塗布し、半透明膜の透過率が８
％，透明部と半透明部の位相差が１８０°，転写する透
明パタン３の設計寸法０.３５μｍのパタン転写用ホト
マスクを用いて露光，現像した。

【００２４】その後樹脂１７としてポリビニルアルコー
ルを膜厚０.３μｍ塗布した後、レジストの軟化流動に
よって被加工材料が露出している転写パタン１４を縮小
すると同時に、被加工材料が露出していないサイドピー
ク転写パタン１５の膜厚Ｔ₁を厚くすることを目的とす
る熱処理を、ベーク炉を用いて１８０秒間行った。その
後樹脂１７を、６０秒間の水洗により除去した。熱処理
前の半透明部レジスト１６の膜厚Ｔ₀ は１.０ μｍ、サ
イドピーク転写パタン１５のレジスト膜厚は０.７μｍ
である。また透明パタン３の転写パタン１４の熱処理前
寸法Ｄ₀ は０.３５μｍである。

【００２５】サイドピーク転写パタン１９のレジスト膜
厚Ｔ₁ は、熱処理温度が１００℃以上で変化をはじめ、
１２５℃以上でほとんど変化しなくなった。また図８に
示すように透明パタン３の転写パタン１８の寸法Ｄ₁ は
熱処理温度が１４０℃未満ではほとんど変化はなく、１
４０℃以上でレジストの軟化点温度を超えてしまうため
一定量寸法縮小し、１６０℃まで転写パタン１８の寸法
Ｄ₁ は安定する。160℃を超えるとさらに寸法縮小し、
１７０℃で非開孔となった。上記パタン転写用ホトマス
クを用いてパタン形成を行った後に熱処理温度１５０℃
で１８０秒間の熱処理を行ったところ、熱処理後の透明
パタン３の転写パタン１８の寸法Ｄ₁ は０.２８μｍと
なり、熱処理前寸法Ｄ₀ から０.０７μｍの寸法縮小が
でき、同時にサイドピークの転写パタン１９のレジスト
膜厚は０.９５μｍとなった。

【００２６】従って半透明部レジスト１６の軟化点以上
の温度で行う熱処理の温度は１４０℃以上１６０℃未満
で設定することにより、目標の転写パタンとサイドピー
クの転写パタンのレジスト熱流動が可能となり、目標の
パタンの縮小と同時に被加工材料加工時のエッチングに
対する耐性の向上が実現できた。

【００２７】なおここではレジストの軟化流動によって
転写パタンの寸法を縮小すると同時に膜減りしているサ
イドピーク転写パタンのレジスト膜厚を厚くすることを
目的とする熱処理温度及び熱処理時間，パタン転写用ホ
トマスクの半透明膜の透過率及びパタン寸法，形状を上
記のように限定したが、これに限らない。また、レジス
トの軟化流動によって目標転写パタンの寸法を縮小する
と同時にサイドピークの転写パタンのレジスト膜厚を厚
くすることを目的とする熱処理前に、水溶性の樹脂を塗
布し、熱処理後に除去したが、水溶性樹脂のない場合に
おいても同様の効果が得られる。

【００２８】ここではレジスト１３にはポジ型ノボラッ
ク系の樹脂を主成分とするレジストを用いたが、これに
限らない。熱流動を起こす材料であれば、用いることが
できる。ここで使用したノボラック系レジストの、半透
明部が熱流動を起こす温度は１４０℃以上であった。樹
脂１７についてもここでは水溶性の樹脂であるポリビニ
ルアルコールを用いたが、これに限らず、必ずしも水溶
性である必要性はない。レジスト１３の上に樹脂１７を
塗布したときに、両者が混ざり合わないことが必要であ
る。また樹脂１７は無機膜と置き換えることも可能であ
る。また樹脂１７の除去の際にレジスト１３を溶かさな
いことも必要である。樹脂１７の除去方法は湿式によら
ない。

【００２９】上記パタン方法で超ＬＳＩの電極取り出し
用穴パタンを形成した結果、サイドピークの転写パタン
のレジスト膜厚を厚くすることができ、その結果被加工
材料加工時のエッチング耐性の拡大が実現でき、また目
標パタンを縮小できることにより、より高密度な配線が
実現できた。

【００３０】

【発明の効果】本発明の適用により、微細なパタンをよ
り大きな焦点深度で、パタン転写に必要のない第２の光
強度ピーク所謂サイドピークの転写部のレジスト膜減り
を選択的に簡単な処理で埋戻すことができ、被加工材料
加工時のエッチング耐性を拡大することができる。特に
微細化の困難な超ＬＳＩの電極取り出し用穴パタンのエ
ッチング耐性を大きくすることができ、超ＬＳＩの製造
を光リソグラフィを用いて実現することが可能となり、
工業的に有利である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の種々の一実施形態の説明図。

【図２】マスクの設計寸法と焦点深度およびサイドピー
クに対するパタン形成露光量の関係を示す測定図。

【図３】本発明の原理の説明図。

【図４】サイドピーク部のレジスト膜厚と熱処理温度の
関係を示す測定図。

【図５】本発明の一実施形態でのレジストパタンの熱処
理温度と主パタンの変形量との関係を示す測定図。

【図６】本発明の他の実施形態の説明図。

【図７】サイドピーク部のレジスト膜厚と熱処理温度の
関係を示す測定図。

【図８】本発明の他の実施形態でのレジストパタンの熱
処理温度と主パタンの変形量との関係を示す測定図。

【符号の説明】

１…ガラス基板、２ａ…半透明膜、２ｂ…位相シフト
膜、２…半透明位相シフト膜、３…透明パタン、４…透
明パタンの光強度ピーク、５…透明パタンの第２の光強
度ピーク所謂サイドピーク、６…被加工材料、７…レジ
スト、８…被加工材料が露出した透明パタンの転写パタ
ン、９…被加工材料が露出していないサイドピークの転
写パタン、１０…半透明部レジスト、１１…サイドピー
クによって露光されたレジスト、１２…被加工材料、１
３…レジスト、１４…被加工材料が露出した透明パタン
の転写パタン、１５…被加工材料が露出していないサイ
ドピークの転写パタン、１６…半透明部レジスト、１７
…水溶性樹脂、１８…熱処理後の透明パタンの転写パタ
ン、１９…熱処理後のサイドピークの転写パタン。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくともホトマスクを用いて材料上の感
光材料にパタンを露光する工程と、露光したパタンを現
像する工程を有するパタン形成方法において、基板上の
感光材料に被加工材料が露出しているパタンを形成する
と同時に、被加工材料が露出していないパタンを形成
し、前記露光後に行う現像後に前記感光材料を有する基
板を加熱処理することにより、前記被加工材料が露出し
ていないパタン部分の感光材料を選択的に軟化流動させ
ることを特徴とするパタン形成方法。
【請求項２】上記パタン形成に、少なくとも露光光に対
して半透明な領域と、透明な領域を含み、上記半透明な
領域と、透明なパタン領域を通過する光の位相差がおよ
そ１８０°となるようにしたホトマスクを用いて基板上
の感光材料にパタンを形成することを特徴とする請求項
１記載のパタン形成方法。
【請求項３】上記感光材料の軟化流動によって被加工材
料が露出していないパタンの膜厚を増加させることを目
的とする熱処理工程が、マスクの半透明部に対応するレ
ジストが熱流動を起こす限界以下の温度であることを特
徴とする請求項１または請求項２記載のパタン形成方
法。
【請求項４】上記パタン転写後に行う現像工程の現像時
間を短くすることにより、被加工材料が露出していない
パタンに該る第２の光強度ピークを実質上大きくし、現
像後に感光材料の軟化温度以下で加熱処理することによ
り、被加工材料が露出していないパタンの感光材料を選
択的に軟化流動させることを特徴とする請求項１，請求
項２または請求項３記載のパタン形成方法。
【請求項５】上記パタン転写後に行う現像工程の現像液
濃度を希釈して現像することにより、被加工材料が露出
していないパタンに該る第２の光強度ピークを実質上大
きくし、現像後に感光材料の軟化温度以下で加熱処理す
ることにより、被加工材料が露出していないパタンの感
光材料を選択的に軟化流動させることを特徴とする請求
項１，請求項２または請求項３記載のパタン形成方法。
【請求項６】上記パタン転写後に行う現像工程の現像時
間を短くし且つ現像液濃度を希釈して現像することによ
り、被加工材料が露出していないパタンに該る第２の光
強度ピークを実質上大きくし、現像後に感光材料の軟化
温度以下で加熱処理することにより、被加工材料が露出
していないパタンの感光材料を選択的に軟化流動させる
ことを特徴とする請求項１，請求項２または請求項３記
載のパタン形成方法。
【請求項７】上記パタン転写後に行う現像工程後に、感
光材料の軟化温度を下げることを目的とした露光を行
い、その後感光材料の軟化温度以下で加熱処理すること
により、被加工材料が露出していないパタンに該る第２
の光強度ピーク部の感光材料を選択的に軟化流動させる
ことを特徴とする請求項１，請求項２または請求項３記
載のパタン形成方法。
【請求項８】少なくとも露光光に対して半透明な領域
と、透明な領域を含み、上記半透明な領域と、透明な領
域を通過する光の位相差がおよそ１８０°となるように
したホトマスクを用いて材料上の感光材料にパタンを露
光する工程と、前記露光したパタンを現像する工程を有
するパタン形成方法において、現像後に前記感光材料を
有する基板を感光材料の軟化流動によって被加工材料が
露出したパタンの寸法縮小を目的とする加熱処理を行
い、被加工材料が露出したパタンの寸法縮小と同時に被
加工材料が露出していないパタンに該る第２の光強度ピ
ーク部の感光材料を選択的に軟化流動させることを特徴
とするパタン形成方法。
【請求項９】前記感光材料を軟化流動させることを目的
とする熱処理工程が、感光材料の熱流動を起こす限界以
上の温度あるいは軟化点以上の温度であることを特徴と
する請求項８記載のパタン形成方法。
【請求項１０】請求項１，請求項２，請求項３，請求項
４，請求項５，請求項６，請求項７，請求項８，請求項
９のいずれか記載のパタン形成方法を用いて作成したこ
とを特徴とする半導体装置。