JPH10239358A - 電流検出装置及び電流検出方法、並びに２次電池装置 - Google Patents
電流検出装置及び電流検出方法、並びに２次電池装置Info
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- JPH10239358A JPH10239358A JP4349197A JP4349197A JPH10239358A JP H10239358 A JPH10239358 A JP H10239358A JP 4349197 A JP4349197 A JP 4349197A JP 4349197 A JP4349197 A JP 4349197A JP H10239358 A JPH10239358 A JP H10239358A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、電流検出装置及び電流検出方法、並
びに２次電池装置において、電流検出幅を拡大し得ると
共に双方向の電流検出を行い得るようにする。 【解決手段】各々異なる抵抗値のインピーダンス素子を
有する複数の電気経路と、インピーダンス素子の両端電
圧を測定して導電電流の電流値及び電流方向を検出する
電流検出手段と、複数の電気経路上に各々設けられたト
ランジスタ素子でなり制御信号に応じて整流方向が切り
換わるスイツチ手段と、検出結果に応じて各スイツチ手
段の整流方向を切り換えて各電気経路の導通及び遮断状
態を切換え制御する切換え制御手段とを設ける。スイツ
チ手段の整流方向を検出結果に応じて切り換えて導通及
び遮断を各電気経路毎に制御することにより導電経路制
御を双方向で容易に行い得、これにより所望のインピー
ダンス素子を電流値に応じて適応的に用いた電流検出を
行うことができる。
びに２次電池装置において、電流検出幅を拡大し得ると
共に双方向の電流検出を行い得るようにする。 【解決手段】各々異なる抵抗値のインピーダンス素子を
有する複数の電気経路と、インピーダンス素子の両端電
圧を測定して導電電流の電流値及び電流方向を検出する
電流検出手段と、複数の電気経路上に各々設けられたト
ランジスタ素子でなり制御信号に応じて整流方向が切り
換わるスイツチ手段と、検出結果に応じて各スイツチ手
段の整流方向を切り換えて各電気経路の導通及び遮断状
態を切換え制御する切換え制御手段とを設ける。スイツ
チ手段の整流方向を検出結果に応じて切り換えて導通及
び遮断を各電気経路毎に制御することにより導電経路制
御を双方向で容易に行い得、これにより所望のインピー
ダンス素子を電流値に応じて適応的に用いた電流検出を
行うことができる。
Description
【０００１】
【目次】以下の順序で本発明を説明する。
【０００２】発明の属する技術分野 従来の技術 発明が解決しようとする課題 課題を解決するための手段 発明の実施の形態 （１）第１実施例（図１〜図３） （２）第２実施例（図４〜図６） （３）第３実施例（図７及び図８） （４）他の実施例（図９） 発明の効果
【０００３】
【発明の属する技術分野】本発明は電流検出装置及び電
流検出方法、並びに２次電池装置に関し、例えば電池電
源である２次電池に対する充電電流及び放電電流の電流
検出を行う電流検出装置及び電流検出方法、並びに２次
電池装置に適用して好適なものである。
流検出方法、並びに２次電池装置に関し、例えば電池電
源である２次電池に対する充電電流及び放電電流の電流
検出を行う電流検出装置及び電流検出方法、並びに２次
電池装置に適用して好適なものである。
【０００４】
【従来の技術】近年、ヘツドホンステレオ、カメラ一体
型ＶＴＲ、移動通信端末装置等を小型化して容易に携帯
し得るようになされた小型電子機器の需要が拡大してい
る。これらの小型電子機器には高容量の２次電池を収納
する２次電池装置が電源として用いられており、こうし
た２次電池装置では所定の充電装置を用いて充電が行わ
れるようになされている。
型ＶＴＲ、移動通信端末装置等を小型化して容易に携帯
し得るようになされた小型電子機器の需要が拡大してい
る。これらの小型電子機器には高容量の２次電池を収納
する２次電池装置が電源として用いられており、こうし
た２次電池装置では所定の充電装置を用いて充電が行わ
れるようになされている。
【０００５】ところで、こうした２次電池装置を電源と
する小型電子機器では、充電装置から２次電池に供給す
る充電電流及び２次電池から放電する放電電流の電流値
の検出精度の向上が要求されている。
する小型電子機器では、充電装置から２次電池に供給す
る充電電流及び２次電池から放電する放電電流の電流値
の検出精度の向上が要求されている。
【０００６】すなわち電池電源である２次電池への過充
電、又は当該２次電池からの過放電を防止するために２
次電池装置内には一般に保護回路が設けられており、２
次電池に供給される充電電流の電流検出を行うことによ
り過充電状態を検出し、また２次電池からの放電電流の
電流検出を行うことにより過放電状態を検出するように
なされている。こうした過放電、過充電状態を検出した
場合、保護回路は２次電池への電気経路を遮断すること
で２次電池への充電電流の過剰入力、２次電池からの放
電電流の過剰放出を防止する。
電、又は当該２次電池からの過放電を防止するために２
次電池装置内には一般に保護回路が設けられており、２
次電池に供給される充電電流の電流検出を行うことによ
り過充電状態を検出し、また２次電池からの放電電流の
電流検出を行うことにより過放電状態を検出するように
なされている。こうした過放電、過充電状態を検出した
場合、保護回路は２次電池への電気経路を遮断すること
で２次電池への充電電流の過剰入力、２次電池からの放
電電流の過剰放出を防止する。
【０００７】また一般に２次電池への充電電力において
は充電電圧を一定電圧に維持しながら充電を行うように
なされているため、電流検出装置は充電電流の電流値が
基準電流値以下となつたことを検出することによつて、
２次電池が満充電状態となつたことを識別するようにな
されている。従来、こうした電流検出は、２次電池への
電気経路上に抵抗を配し、当該抵抗の両端電圧を測定す
ることによりなされている。
は充電電圧を一定電圧に維持しながら充電を行うように
なされているため、電流検出装置は充電電流の電流値が
基準電流値以下となつたことを検出することによつて、
２次電池が満充電状態となつたことを識別するようにな
されている。従来、こうした電流検出は、２次電池への
電気経路上に抵抗を配し、当該抵抗の両端電圧を測定す
ることによりなされている。
【０００８】近年、上述したように大容量でなる２次電
池が電源として用いられるようになつており、こうした
２次電池に充電を行う際に供給する充電電流の電流量も
大電流を供給するようになつているため、充電開始時の
大電流を導電する状態から充電完了時の小電流を導電す
る状態まで広範囲な電流検出が必要となつている。この
ため、こうした電流検出においては検出し得る電流幅を
拡大するため、また２次電池に一定電圧を維持しながら
充電電流を供給する上でインピーダンスによる電力損失
を回避するために、入出力端子と２次電池との間に抵抗
値の異なる複数の抵抗を並列に配して複数の電気経路を
設けると共に各抵抗の前段又は後段にスイツチング素子
を配しておき、２次電池に供給する電流量に応じてスイ
ツチング素子のオン／オフ状態を切り換えて所望の電気
経路を選定し、選定した電気経路上の抵抗を適応的に用
いて電流検出を行うようになされている。
池が電源として用いられるようになつており、こうした
２次電池に充電を行う際に供給する充電電流の電流量も
大電流を供給するようになつているため、充電開始時の
大電流を導電する状態から充電完了時の小電流を導電す
る状態まで広範囲な電流検出が必要となつている。この
ため、こうした電流検出においては検出し得る電流幅を
拡大するため、また２次電池に一定電圧を維持しながら
充電電流を供給する上でインピーダンスによる電力損失
を回避するために、入出力端子と２次電池との間に抵抗
値の異なる複数の抵抗を並列に配して複数の電気経路を
設けると共に各抵抗の前段又は後段にスイツチング素子
を配しておき、２次電池に供給する電流量に応じてスイ
ツチング素子のオン／オフ状態を切り換えて所望の電気
経路を選定し、選定した電気経路上の抵抗を適応的に用
いて電流検出を行うようになされている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところでかかる構成の
電流検出装置においては、導電経路を導電電流の電流量
に応じて切り換えるスイツチング素子として半導体素子
が用いられている。こうした半導体素子としては、例え
ばトランジスタ素子が用いられている。
電流検出装置においては、導電経路を導電電流の電流量
に応じて切り換えるスイツチング素子として半導体素子
が用いられている。こうした半導体素子としては、例え
ばトランジスタ素子が用いられている。
【００１０】しかし、こうしたトランジスタ素子のスイ
ツチング制御により導電経路を切り換える場合、例えば
バイポーラトランジスタを用いた場合、一方向への導電
電流は制御し得るが、逆方向への導電電流では導電経路
を制御し得ない。
ツチング制御により導電経路を切り換える場合、例えば
バイポーラトランジスタを用いた場合、一方向への導電
電流は制御し得るが、逆方向への導電電流では導電経路
を制御し得ない。
【００１１】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、順方向及び逆方向の双方向で電流検出を行い得ると
共に電流検出幅を拡大し得る電流検出装置及び電流検出
方法、並びに２次電池装置を提案しようとするものであ
る。
で、順方向及び逆方向の双方向で電流検出を行い得ると
共に電流検出幅を拡大し得る電流検出装置及び電流検出
方法、並びに２次電池装置を提案しようとするものであ
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、一方及び他方の端子間に設けられ
各々異なる抵抗値のインピーダンス素子を有する複数の
電気経路と、インピーダンス素子の両端電圧を測定する
ことにより所望の電気経路を介して導電する導電電流の
電流値及び電流方向を検出する電流検出手段と、複数の
電気経路上に各々直列に接続して設けられたトランジス
タ素子でなり制御信号に応じて整流方向が切り換わるス
イツチ手段と、電流検出手段の検出結果に応じた制御信
号を送出して各スイツチ手段の整流方向を切り換えるこ
とにより各電気経路の導通及び遮断状態を切換え制御す
る切換え制御手段とを設ける。
め本発明においては、一方及び他方の端子間に設けられ
各々異なる抵抗値のインピーダンス素子を有する複数の
電気経路と、インピーダンス素子の両端電圧を測定する
ことにより所望の電気経路を介して導電する導電電流の
電流値及び電流方向を検出する電流検出手段と、複数の
電気経路上に各々直列に接続して設けられたトランジス
タ素子でなり制御信号に応じて整流方向が切り換わるス
イツチ手段と、電流検出手段の検出結果に応じた制御信
号を送出して各スイツチ手段の整流方向を切り換えるこ
とにより各電気経路の導通及び遮断状態を切換え制御す
る切換え制御手段とを設ける。
【００１３】スイツチ手段による整流方向を検出結果に
応じて切り換えて導電電流の導通及び遮断を各電気経路
毎に制御するようにしたことにより、順方向又は逆方向
の双方向で導電電流の導電経路制御を容易に行うことが
でき、これにより複数の電気経路のうち、所望の電気経
路が有するインピーダンス素子を電流値に応じて適応的
に用いた電流検出を行うことができる。
応じて切り換えて導電電流の導通及び遮断を各電気経路
毎に制御するようにしたことにより、順方向又は逆方向
の双方向で導電電流の導電経路制御を容易に行うことが
でき、これにより複数の電気経路のうち、所望の電気経
路が有するインピーダンス素子を電流値に応じて適応的
に用いた電流検出を行うことができる。
【００１４】また本発明においては、入出力端子と２次
電池の正極又は負極との間に複数形成され各々異なる抵
抗値でなるインピーダンス素子を有する電気経路と、イ
ンピーダンス素子の両端電圧を測定することにより電気
経路を介して導電する充電電流又は放電電流の電流値及
び電流方向を検出する電流検出手段と、複数の電気経路
上に各々直列に接続して設けられたトランジスタ素子で
なり制御信号に応じて整流方向が切り換わる第１のスイ
ツチ手段と、一端が各第１のスイツチ手段に共通に接続
されると共に他端が入出力端子に接続され制御信号に応
じて整流方向が切り換わる第２のスイツチ手段と、電流
検出手段の検出結果に応じた制御信号を送出して各第１
のスイツチ手段及び第２のスイツチ手段の整流方向を切
り換えることにより各電気経路の導通及び遮断状態を切
換え制御する切換え制御手段とを設ける。
電池の正極又は負極との間に複数形成され各々異なる抵
抗値でなるインピーダンス素子を有する電気経路と、イ
ンピーダンス素子の両端電圧を測定することにより電気
経路を介して導電する充電電流又は放電電流の電流値及
び電流方向を検出する電流検出手段と、複数の電気経路
上に各々直列に接続して設けられたトランジスタ素子で
なり制御信号に応じて整流方向が切り換わる第１のスイ
ツチ手段と、一端が各第１のスイツチ手段に共通に接続
されると共に他端が入出力端子に接続され制御信号に応
じて整流方向が切り換わる第２のスイツチ手段と、電流
検出手段の検出結果に応じた制御信号を送出して各第１
のスイツチ手段及び第２のスイツチ手段の整流方向を切
り換えることにより各電気経路の導通及び遮断状態を切
換え制御する切換え制御手段とを設ける。
【００１５】第１及び第２のスイツチ手段による整流方
向を検出結果に応じて切り換えて導電電流の導通及び遮
断を各電気経路毎に制御するようにしたことにより、順
方向又は逆方向の双方向で導電電流の導電経路制御を容
易に行うことができ、これにより複数の電気経路のう
ち、所望の電気経路が有するインピーダンス素子を電流
値に応じて適応的に用いた電流検出を行うことができる
と共に過電流又は過電圧状態の検出時に全電気経路の遮
断を行うことができる。
向を検出結果に応じて切り換えて導電電流の導通及び遮
断を各電気経路毎に制御するようにしたことにより、順
方向又は逆方向の双方向で導電電流の導電経路制御を容
易に行うことができ、これにより複数の電気経路のう
ち、所望の電気経路が有するインピーダンス素子を電流
値に応じて適応的に用いた電流検出を行うことができる
と共に過電流又は過電圧状態の検出時に全電気経路の遮
断を行うことができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下図面について、本発明の一実
施例を詳述する。
施例を詳述する。
【００１７】（１）第１実施例 図１において、１は全体として電流検出装置を示し、一
方の端子部から他方の端子部へ導電する導電電流Ｉ1 、
また他方の端子部から一方の端子部へ導電する導電電流
Ｉ2 について、それぞれ電流検出を行うようになされて
いる。
方の端子部から他方の端子部へ導電する導電電流Ｉ1 、
また他方の端子部から一方の端子部へ導電する導電電流
Ｉ2 について、それぞれ電流検出を行うようになされて
いる。
【００１８】電流検出装置１は、一方の端子部Ａ及び他
方の端子部Ｂ間に電気経路を複数並列に形成すると共に
各電気経路に各々抵抗値の異なる抵抗Ｒ１及びＲ２を直
列に接続した構成でなり、抵抗Ｒ１の両端子に電流検出
部２を接続し又抵抗Ｒ２の両端子に電流検出部３を接続
している。ここで抵抗Ｒ１としては、抵抗Ｒ２に比して
抵抗値の小さいインピーダンス素子が用いられている。
電流検出部２及び３は抵抗Ｒ１又はＲ２の両端電圧を測
定して、各抵抗を介して導電する電流値の検出を行うよ
うになされている。
方の端子部Ｂ間に電気経路を複数並列に形成すると共に
各電気経路に各々抵抗値の異なる抵抗Ｒ１及びＲ２を直
列に接続した構成でなり、抵抗Ｒ１の両端子に電流検出
部２を接続し又抵抗Ｒ２の両端子に電流検出部３を接続
している。ここで抵抗Ｒ１としては、抵抗Ｒ２に比して
抵抗値の小さいインピーダンス素子が用いられている。
電流検出部２及び３は抵抗Ｒ１又はＲ２の両端電圧を測
定して、各抵抗を介して導電する電流値の検出を行うよ
うになされている。
【００１９】また電流検出装置１は、ＦＥＴ４をスイツ
チ手段として抵抗Ｒ１の後段に配しており、当該ＦＥＴ
４のオン又はオフ状態を切り換えることにより、導電電
流Ｉ1 及び導電電流Ｉ2 を抵抗Ｒ１又はＲ２の何方か一
方を介して導電するようになされている。ここでＦＥＴ
４はＭＯＳ型の電界効果トランジスタ（以下、これをＦ
ＥＴと呼ぶ）であり、ソース電極及びドレイン電極間に
寄生ダイオードＤ１を等価的に有している。当該寄生ダ
イオードＤ１は、ＦＥＴがオン状態時にソース電極から
ドレイン電極側に電流を導電するものである場合、ＦＥ
Ｔのオフ状態時にドレイン電極側からソース電極側に導
電するように機能する。これによつてＦＥＴ４はオン／
オフ状態の切換えによつて導電し得る電流の方向を切換
え得るようになされている。
チ手段として抵抗Ｒ１の後段に配しており、当該ＦＥＴ
４のオン又はオフ状態を切り換えることにより、導電電
流Ｉ1 及び導電電流Ｉ2 を抵抗Ｒ１又はＲ２の何方か一
方を介して導電するようになされている。ここでＦＥＴ
４はＭＯＳ型の電界効果トランジスタ（以下、これをＦ
ＥＴと呼ぶ）であり、ソース電極及びドレイン電極間に
寄生ダイオードＤ１を等価的に有している。当該寄生ダ
イオードＤ１は、ＦＥＴがオン状態時にソース電極から
ドレイン電極側に電流を導電するものである場合、ＦＥ
Ｔのオフ状態時にドレイン電極側からソース電極側に導
電するように機能する。これによつてＦＥＴ４はオン／
オフ状態の切換えによつて導電し得る電流の方向を切換
え得るようになされている。
【００２０】例えば順方向電流である導電電流Ｉ1 を導
電する場合、ゲート電極にバイアス電圧を印加してＦＥ
Ｔ４をオン状態とすることにより充電電流Ｉ1 の導電が
なされ、抵抗Ｒ１を配した電気経路を介して電流が流れ
る。この際、抵抗Ｒ２側の電気経路にも電流の導電がな
されるが、抵抗Ｒ２は抵抗Ｒ１に比して抵抗値が大きい
ため、電流の大部分が抵抗Ｒ１側に導電する。したがつ
て、この際に抵抗Ｒ２側に導電する電流はほぼ無視し得
る。またＦＥＴ４をオフ状態とすることにより寄生ダイ
オードＤ１が機能してＦＥＴ４を介して流れる導電電流
Ｉ1 の遮断がなされ、抵抗Ｒ２を配した電気経路を介し
て電流が流れる。
電する場合、ゲート電極にバイアス電圧を印加してＦＥ
Ｔ４をオン状態とすることにより充電電流Ｉ1 の導電が
なされ、抵抗Ｒ１を配した電気経路を介して電流が流れ
る。この際、抵抗Ｒ２側の電気経路にも電流の導電がな
されるが、抵抗Ｒ２は抵抗Ｒ１に比して抵抗値が大きい
ため、電流の大部分が抵抗Ｒ１側に導電する。したがつ
て、この際に抵抗Ｒ２側に導電する電流はほぼ無視し得
る。またＦＥＴ４をオフ状態とすることにより寄生ダイ
オードＤ１が機能してＦＥＴ４を介して流れる導電電流
Ｉ1 の遮断がなされ、抵抗Ｒ２を配した電気経路を介し
て電流が流れる。
【００２１】また逆方向電流である導電電流Ｉ2 を導電
する場合、ＦＥＴ４をオフ状態とすることにより導電電
流Ｉ2 が寄生ダイオードＤ１を介して導電され、抵抗Ｒ
１を配した電気経路に電流が流れる。またＦＥＴ４をオ
ン状態とすることにより寄生ダイオードＤ１の機能が停
止して導電電流Ｉ2 が遮断され、抵抗Ｒ２を配した電気
経路を介して電流が流れる。
する場合、ＦＥＴ４をオフ状態とすることにより導電電
流Ｉ2 が寄生ダイオードＤ１を介して導電され、抵抗Ｒ
１を配した電気経路に電流が流れる。またＦＥＴ４をオ
ン状態とすることにより寄生ダイオードＤ１の機能が停
止して導電電流Ｉ2 が遮断され、抵抗Ｒ２を配した電気
経路を介して電流が流れる。
【００２２】さらに電流検出部２及び３は切換え制御部
５に接続されており、導電電流Ｉ1及び導電電流Ｉ2 が
基準電流以下か、または基準電流以上である場合にそれ
ぞれ検出信号Ｓ１又はＳ２を切換え制御部５に供給する
ようになされている。
５に接続されており、導電電流Ｉ1及び導電電流Ｉ2 が
基準電流以下か、または基準電流以上である場合にそれ
ぞれ検出信号Ｓ１又はＳ２を切換え制御部５に供給する
ようになされている。
【００２３】すなわち導電電流Ｉ1 を導電する場合、電
流検出装置１は基準電流以下の小電流を抵抗Ｒ２を介し
て導電するようになされており、当該電流が基準電流以
上となつた際に、電流検出部３は切換え制御部５に検出
信号Ｓ１を送出する。これにより切換え制御部５はＦＥ
Ｔ４のオン状態への切換えを行う。また電流検出装置１
は基準電流以上の大電流を抵抗Ｒ１を介して導電するよ
うになされており、当該電流が基準電流以下となつた場
合、電流検出部２は切換え制御部５に検出信号Ｓ２を送
出する。これにより、切換え制御部５はＦＥＴ４をオフ
状態へ切り換える。
流検出装置１は基準電流以下の小電流を抵抗Ｒ２を介し
て導電するようになされており、当該電流が基準電流以
上となつた際に、電流検出部３は切換え制御部５に検出
信号Ｓ１を送出する。これにより切換え制御部５はＦＥ
Ｔ４のオン状態への切換えを行う。また電流検出装置１
は基準電流以上の大電流を抵抗Ｒ１を介して導電するよ
うになされており、当該電流が基準電流以下となつた場
合、電流検出部２は切換え制御部５に検出信号Ｓ２を送
出する。これにより、切換え制御部５はＦＥＴ４をオフ
状態へ切り換える。
【００２４】なお、電流検出部２及び３は電流方向の検
出も行うようになされており、当該導電電流Ｉ1 の逆方
向電流である導電電流Ｉ2 を導電する場合は上述の場合
とは逆に、基準電流以上の際に電流検出部３が検出信号
Ｓ２を送出してＦＥＴ４をオフ状態に切り換え、また基
準電流以下の際に電流検出部２が検出信号Ｓ１を送出し
てＦＥＴ４をオン状態に切り換えるようになされてい
る。電流検出部２及び３は、例えば抵抗Ｒ１又はＲ２の
両端電圧を測定する際に電位の高い側の端子を検出する
ことで、高電位側を入力側として電流方向を判別するよ
うになされている。
出も行うようになされており、当該導電電流Ｉ1 の逆方
向電流である導電電流Ｉ2 を導電する場合は上述の場合
とは逆に、基準電流以上の際に電流検出部３が検出信号
Ｓ２を送出してＦＥＴ４をオフ状態に切り換え、また基
準電流以下の際に電流検出部２が検出信号Ｓ１を送出し
てＦＥＴ４をオン状態に切り換えるようになされてい
る。電流検出部２及び３は、例えば抵抗Ｒ１又はＲ２の
両端電圧を測定する際に電位の高い側の端子を検出する
ことで、高電位側を入力側として電流方向を判別するよ
うになされている。
【００２５】電流検出装置１は、ＦＥＴ４の切換え制御
を以下に説明する制御手順によつて実現している。すな
わち図２及び図３に示すように、電流検出装置１はステ
ツプＳＰ１で手順を開始する。手順開始後、まずステツ
プＳＰ２で、電流検出部２及び３によつて電流の導電方
向を検出する。電流検出装置１は、ステツプＳＰ３で、
こうした検出により導電電流が順方向電流か逆方向電流
かを判別し、判別結果に応じてステツプＳＰ４又はステ
ツプＳＰ１０に移行する。
を以下に説明する制御手順によつて実現している。すな
わち図２及び図３に示すように、電流検出装置１はステ
ツプＳＰ１で手順を開始する。手順開始後、まずステツ
プＳＰ２で、電流検出部２及び３によつて電流の導電方
向を検出する。電流検出装置１は、ステツプＳＰ３で、
こうした検出により導電電流が順方向電流か逆方向電流
かを判別し、判別結果に応じてステツプＳＰ４又はステ
ツプＳＰ１０に移行する。
【００２６】電流検出装置１はステツプＳＰ３で導電電
流が逆方向電流であると判別した場合、ステツプＳＰ４
に移行し、電流検出部２によつて抵抗Ｒ１を介して導電
する電流検出を行う。ここでＦＥＴ４がオン状態である
場合、電流検出部３から検出信号Ｓ２を切換え制御部５
に与えてＦＥＴ４をオフ状態に切り換えることにより、
抵抗Ｒ１側の電気経路へ導電電流Ｉ2 を導電する。な
お、こうして電流検出部２によつて検出した電流値は、
検出値として外部に出力するようになされている（図示
せず）。
流が逆方向電流であると判別した場合、ステツプＳＰ４
に移行し、電流検出部２によつて抵抗Ｒ１を介して導電
する電流検出を行う。ここでＦＥＴ４がオン状態である
場合、電流検出部３から検出信号Ｓ２を切換え制御部５
に与えてＦＥＴ４をオフ状態に切り換えることにより、
抵抗Ｒ１側の電気経路へ導電電流Ｉ2 を導電する。な
お、こうして電流検出部２によつて検出した電流値は、
検出値として外部に出力するようになされている（図示
せず）。
【００２７】次に電流検出装置１は、ステツプＳＰ５
で、得られた導電電流の電流値が、予め設定された基準
電流値以下に低下したか否かを電流検出部２によつて判
別する。導電電流が基準電流以下に低下したことを検出
した場合、電流検出装置１はステツプＳＰ６で、電流検
出部２から検出信号Ｓ１を切換え制御部５に与えてＦＥ
Ｔ４をオン状態に切り換えることにより、抵抗Ｒ２側の
電気経路へ導電電流Ｉ2の導電を切換え制御する。続い
て電流検出装置１は、ステツプＳＰ７で、電流検出部３
によつて抵抗Ｒ２を介して導電する電流検出を行う。な
お、こうして電流検出部３によつて検出した電流値は、
上述の電流検出部２の場合と同様に、検出値として外部
に出力するようになされている（図示せず）。
で、得られた導電電流の電流値が、予め設定された基準
電流値以下に低下したか否かを電流検出部２によつて判
別する。導電電流が基準電流以下に低下したことを検出
した場合、電流検出装置１はステツプＳＰ６で、電流検
出部２から検出信号Ｓ１を切換え制御部５に与えてＦＥ
Ｔ４をオン状態に切り換えることにより、抵抗Ｒ２側の
電気経路へ導電電流Ｉ2の導電を切換え制御する。続い
て電流検出装置１は、ステツプＳＰ７で、電流検出部３
によつて抵抗Ｒ２を介して導電する電流検出を行う。な
お、こうして電流検出部３によつて検出した電流値は、
上述の電流検出部２の場合と同様に、検出値として外部
に出力するようになされている（図示せず）。
【００２８】次に電流検出装置１は、ステツプＳＰ８
で、得られた電流の電流値が、予め設定された基準電流
値以上に上昇したか否かを電流検出部３によつて判別す
る。導電電流が基準電流以上に上昇したことを検出した
場合、電流検出装置１はステツプＳＰ９で、電流検出部
３から検出信号Ｓ２を切換え制御部５に与えてＦＥＴ４
をオフ状態に切り換えることにより、抵抗Ｒ１側の電気
経路へ導電電流Ｉ2 の導電を切換え制御する。この後、
電流検出装置１はステツプＳＰ４に移行して処理を続け
る。
で、得られた電流の電流値が、予め設定された基準電流
値以上に上昇したか否かを電流検出部３によつて判別す
る。導電電流が基準電流以上に上昇したことを検出した
場合、電流検出装置１はステツプＳＰ９で、電流検出部
３から検出信号Ｓ２を切換え制御部５に与えてＦＥＴ４
をオフ状態に切り換えることにより、抵抗Ｒ１側の電気
経路へ導電電流Ｉ2 の導電を切換え制御する。この後、
電流検出装置１はステツプＳＰ４に移行して処理を続け
る。
【００２９】またステツプＳＰ３で導電電流が順方向電
流であると判別した場合、電流検出装置１はステツプＳ
Ｐ１０に移行し、電流検出部２によつて抵抗Ｒ１を介し
て導電する電流検出を行う。ここでＦＥＴ４がオフ状態
である場合、電流検出部３から検出信号Ｓ１を切換え制
御部５に与えてＦＥＴ４をオン状態に切り換えることに
より、抵抗Ｒ１側の電気経路へ導電電流Ｉ1 を導電す
る。なお、こうして電流検出部２によつて検出した電流
値は、検出値として外部に出力するようになされている
（図示せず）。
流であると判別した場合、電流検出装置１はステツプＳ
Ｐ１０に移行し、電流検出部２によつて抵抗Ｒ１を介し
て導電する電流検出を行う。ここでＦＥＴ４がオフ状態
である場合、電流検出部３から検出信号Ｓ１を切換え制
御部５に与えてＦＥＴ４をオン状態に切り換えることに
より、抵抗Ｒ１側の電気経路へ導電電流Ｉ1 を導電す
る。なお、こうして電流検出部２によつて検出した電流
値は、検出値として外部に出力するようになされている
（図示せず）。
【００３０】次に電流検出装置１は、ステツプＳＰ１１
で、得られた電流の電流値が、予め設定された基準電流
値以下に低下したか否かを電流検出部２により判別す
る。導電電流が基準電流以下に低下したことを検出した
場合、電流検出装置１はステツプＳＰ１２で、電流検出
部２から検出信号Ｓ２を切換え制御部５に与えてＦＥＴ
４をオフ状態に切り換えることにより、抵抗Ｒ２側の電
気経路へ導電電流Ｉ1 の導電を切換え制御する。続いて
電流検出装置１は、ステツプＳＰ１３で、電流検出部３
によつて抵抗Ｒ２を介して導電する電流検出を行う。な
お、こうして電流検出部３によつて検出した電流値は、
上述の電流検出部２の場合と同様に、検出値として外部
に出力するようになされている（図示せず）。
で、得られた電流の電流値が、予め設定された基準電流
値以下に低下したか否かを電流検出部２により判別す
る。導電電流が基準電流以下に低下したことを検出した
場合、電流検出装置１はステツプＳＰ１２で、電流検出
部２から検出信号Ｓ２を切換え制御部５に与えてＦＥＴ
４をオフ状態に切り換えることにより、抵抗Ｒ２側の電
気経路へ導電電流Ｉ1 の導電を切換え制御する。続いて
電流検出装置１は、ステツプＳＰ１３で、電流検出部３
によつて抵抗Ｒ２を介して導電する電流検出を行う。な
お、こうして電流検出部３によつて検出した電流値は、
上述の電流検出部２の場合と同様に、検出値として外部
に出力するようになされている（図示せず）。
【００３１】次に電流検出装置１は、ステツプＳＰ１４
で、得られた電流の電流値が、予め設定された基準電流
値以上に上昇したか否かを電流検出部３により判別す
る。導電電流が基準電流以上に上昇したことを検出した
場合、電流検出装置１はステツプＳＰ１５で、電流検出
部３から検出信号Ｓ１を切換え制御部５に与えてＦＥＴ
４をオン状態に切り換えることにより、抵抗Ｒ１側の電
気経路へ導電電流Ｉ1 の導電を切換え制御する。この
後、電流検出装置１はステツプＳＰ１０に移行して処理
を続ける。
で、得られた電流の電流値が、予め設定された基準電流
値以上に上昇したか否かを電流検出部３により判別す
る。導電電流が基準電流以上に上昇したことを検出した
場合、電流検出装置１はステツプＳＰ１５で、電流検出
部３から検出信号Ｓ１を切換え制御部５に与えてＦＥＴ
４をオン状態に切り換えることにより、抵抗Ｒ１側の電
気経路へ導電電流Ｉ1 の導電を切換え制御する。この
後、電流検出装置１はステツプＳＰ１０に移行して処理
を続ける。
【００３２】以上の構成において、電流検出装置１は、
予め設定した基準電流以上か以下かに応じて抵抗Ｒ１又
はＲ２の何方か一方の抵抗を配した電気経路を選択し、
基準電流以上の大電流である導電電流を抵抗Ｒ１を介し
て導電し、また基準電流以下の小電流である導電電流を
抵抗Ｒ２を介して導電するようになされており、こうし
て何方か一方の抵抗を介して導電する電流の電流検出を
行う。電流検出装置１は抵抗値の異なる抵抗Ｒ１及びＲ
２を並列に接続しており、大電流を導電する場合は抵抗
Ｒ１を用いて電流値の検出を行い、小電流である場合は
抵抗Ｒ１に比して抵抗値の大きい抵抗Ｒ２を用いて電流
値の検出を行う。
予め設定した基準電流以上か以下かに応じて抵抗Ｒ１又
はＲ２の何方か一方の抵抗を配した電気経路を選択し、
基準電流以上の大電流である導電電流を抵抗Ｒ１を介し
て導電し、また基準電流以下の小電流である導電電流を
抵抗Ｒ２を介して導電するようになされており、こうし
て何方か一方の抵抗を介して導電する電流の電流検出を
行う。電流検出装置１は抵抗値の異なる抵抗Ｒ１及びＲ
２を並列に接続しており、大電流を導電する場合は抵抗
Ｒ１を用いて電流値の検出を行い、小電流である場合は
抵抗Ｒ１に比して抵抗値の大きい抵抗Ｒ２を用いて電流
値の検出を行う。
【００３３】例えば、ある程度大きな抵抗値を有する抵
抗１つのみを用いた場合でも、広い変動幅で変化する電
流値を検出することは可能である。しかし、この場合、
当該抵抗の抵抗値によつてインピーダンスが大きくなる
ため、導電電流の電力損失が増大することになる。
抗１つのみを用いた場合でも、広い変動幅で変化する電
流値を検出することは可能である。しかし、この場合、
当該抵抗の抵抗値によつてインピーダンスが大きくなる
ため、導電電流の電力損失が増大することになる。
【００３４】電流検出装置１は抵抗値の異なる抵抗Ｒ１
及びＲ２を設けて、導電電流の電流値に応じて当該導電
電流をそれぞれ何方の抵抗を介して導電するかを切換え
制御することにより、電力損失を低減しかつ幅広い変動
幅を有する電流値を検出することができる。
及びＲ２を設けて、導電電流の電流値に応じて当該導電
電流をそれぞれ何方の抵抗を介して導電するかを切換え
制御することにより、電力損失を低減しかつ幅広い変動
幅を有する電流値を検出することができる。
【００３５】また電流検出装置１は、抵抗Ｒ１側又は抵
抗Ｒ２側の電気経路への電流の導電を、寄生ダイオード
Ｄ１を有するＦＥＴ４によつて切換え制御している。す
なわち導電電流Ｉ1 を導電する場合、ＦＥＴ４をオン状
態とすることで抵抗Ｒ１側に電流を導電し得、またＦＥ
Ｔ４をオフ状態に切り換えることで寄生ダイオードＤ１
によつて電流を遮断して抵抗Ｒ２側へ導電を行うことが
できる。また導電電流Ｉ2 を導電する場合、ＦＥＴ４を
オフ状態とすることで寄生ダイオードＤ１を介して抵抗
Ｒ１側に電流を導電し得、またＦＥＴ４をオン状態に切
り換えることで電流を遮断して抵抗Ｒ２側へ導電を行う
ことができる。
抗Ｒ２側の電気経路への電流の導電を、寄生ダイオード
Ｄ１を有するＦＥＴ４によつて切換え制御している。す
なわち導電電流Ｉ1 を導電する場合、ＦＥＴ４をオン状
態とすることで抵抗Ｒ１側に電流を導電し得、またＦＥ
Ｔ４をオフ状態に切り換えることで寄生ダイオードＤ１
によつて電流を遮断して抵抗Ｒ２側へ導電を行うことが
できる。また導電電流Ｉ2 を導電する場合、ＦＥＴ４を
オフ状態とすることで寄生ダイオードＤ１を介して抵抗
Ｒ１側に電流を導電し得、またＦＥＴ４をオン状態に切
り換えることで電流を遮断して抵抗Ｒ２側へ導電を行う
ことができる。
【００３６】こうした双方向の電流をスイツチング制御
する手法として、正方向電流をスイツチングするトラン
ジスタ素子及び逆方向電流をスイツチング制御するトラ
ンジスタ素子を並列に接続して、各々の電気経路上に設
けることが考えられる。すなわち正方向に導電する場
合、一方のトランジスタ素子をオン状態とすると共に他
方のトランジスタ素子をオフ状態にする。また逆方向に
導電する場合は、一方のトランジスタ素子をオフ状態に
切り換えると共に他方のトランジスタ素子をオン状態に
切り換える。この場合も、双方向で導電電流の導電経路
を切換え制御することは可能である。しかし、こうした
構成では回路構成が複雑化し、また各トランジスタ素子
のスイツチング制御が困難になるという問題がある。
する手法として、正方向電流をスイツチングするトラン
ジスタ素子及び逆方向電流をスイツチング制御するトラ
ンジスタ素子を並列に接続して、各々の電気経路上に設
けることが考えられる。すなわち正方向に導電する場
合、一方のトランジスタ素子をオン状態とすると共に他
方のトランジスタ素子をオフ状態にする。また逆方向に
導電する場合は、一方のトランジスタ素子をオフ状態に
切り換えると共に他方のトランジスタ素子をオン状態に
切り換える。この場合も、双方向で導電電流の導電経路
を切換え制御することは可能である。しかし、こうした
構成では回路構成が複雑化し、また各トランジスタ素子
のスイツチング制御が困難になるという問題がある。
【００３７】電流検出装置１は、上述したように寄生ダ
イオードＤ１を有するＦＥＴ４によつて導電電流の導通
及び遮断を制御するようにしたことにより、簡易な構成
で順方向及び逆方向に導電する電流の導電経路を容易に
切換え制御でき、導電電流Ｉ1 及び導電電流Ｉ2 の双方
向電流の電流検出を実現することができる。
イオードＤ１を有するＦＥＴ４によつて導電電流の導通
及び遮断を制御するようにしたことにより、簡易な構成
で順方向及び逆方向に導電する電流の導電経路を容易に
切換え制御でき、導電電流Ｉ1 及び導電電流Ｉ2 の双方
向電流の電流検出を実現することができる。
【００３８】以上の構成によれば、入出力端子Ａ及びＢ
間に並列に形成した複数（ここでは２つ）の電気経路に
抵抗値の異なる抵抗Ｒ１及びＲ２をそれぞれ直列接続し
て配すると共に、抵抗Ｒ２に比して抵抗値の小さい抵抗
Ｒ１を設けた一方の電気経路上に寄生ダイオードＤ１を
有するＦＥＴ４を直列接続して設け、さらに抵抗Ｒ１又
はＲ２を介する導電電流の電流値を検出する電流検出部
２及び３と当該電流検出部２及び３の検出結果に応じて
ＦＥＴ４の駆動状態を切換え制御する切換え制御部５と
を設け、電流検出結果に応じてＦＥＴ４のオン／オフ状
態を切り換えることによつて、導電電流が基準電流値以
上の電流である場合は抵抗Ｒ１側の電気経路を介して導
電し得ると共に基準電流値以下の場合は抵抗Ｒ２側の電
気経路を介して導電することができ、かくするにつき、
簡易な構成によつて、広い変動幅を有する導電電流の電
流検出を電力損失を低減しながら行い得ると共に順方向
及び逆方向の双方向で電流検出を行うことができる。
間に並列に形成した複数（ここでは２つ）の電気経路に
抵抗値の異なる抵抗Ｒ１及びＲ２をそれぞれ直列接続し
て配すると共に、抵抗Ｒ２に比して抵抗値の小さい抵抗
Ｒ１を設けた一方の電気経路上に寄生ダイオードＤ１を
有するＦＥＴ４を直列接続して設け、さらに抵抗Ｒ１又
はＲ２を介する導電電流の電流値を検出する電流検出部
２及び３と当該電流検出部２及び３の検出結果に応じて
ＦＥＴ４の駆動状態を切換え制御する切換え制御部５と
を設け、電流検出結果に応じてＦＥＴ４のオン／オフ状
態を切り換えることによつて、導電電流が基準電流値以
上の電流である場合は抵抗Ｒ１側の電気経路を介して導
電し得ると共に基準電流値以下の場合は抵抗Ｒ２側の電
気経路を介して導電することができ、かくするにつき、
簡易な構成によつて、広い変動幅を有する導電電流の電
流検出を電力損失を低減しながら行い得ると共に順方向
及び逆方向の双方向で電流検出を行うことができる。
【００３９】（２）第２実施例 図１との対応部分に同一符号を付して示す図４におい
て、１０は全体として電流検出装置を示し、電流検出装
置１（図１）と同様に一方の端子部Ａから他方の端子部
Ｂに導電する導電電流Ｉ1 、また他方の端子部Ｂから一
方の端子部Ａへ導電する導電電流Ｉ2 について、それぞ
れ電流検出を行うようになされており、基本的な構成と
して電流検出装置１と同一構成となつている。
て、１０は全体として電流検出装置を示し、電流検出装
置１（図１）と同様に一方の端子部Ａから他方の端子部
Ｂに導電する導電電流Ｉ1 、また他方の端子部Ｂから一
方の端子部Ａへ導電する導電電流Ｉ2 について、それぞ
れ電流検出を行うようになされており、基本的な構成と
して電流検出装置１と同一構成となつている。
【００４０】一方、電流検出装置１０は、抵抗Ｒ２を配
した電気経路上にＦＥＴ素子を配して当該ＦＥＴ素子を
切換え制御部５によつてＦＥＴ４と共に切換え制御する
ようにした点について、電流検出装置１の構成と異なつ
ている。
した電気経路上にＦＥＴ素子を配して当該ＦＥＴ素子を
切換え制御部５によつてＦＥＴ４と共に切換え制御する
ようにした点について、電流検出装置１の構成と異なつ
ている。
【００４１】電流検出装置１０は、抵抗Ｒ２を配した電
気経路上にＦＥＴ４と同様のＭＯＳ型ＦＥＴでなるＦＥ
Ｔ１１を設けて、抵抗Ｒ１を配した電気経路上で電流の
導電及び遮断の切換え制御を行うと共に抵抗Ｒ２を配し
た電気経路上でも電流の導電及び遮断の切換え制御を行
うようになされている。ＦＥＴ１１はＦＥＴ４と同様に
切換え制御部５に接続されており、電流検出部２又は３
の検出結果に応じて切換え制御がなされる。ここで切換
え制御部５は、ＦＥＴ４をオン状態に切り換える際にＦ
ＥＴ１１をオフ状態とし、ＦＥＴ４をオフ状態に切り換
える際にＦＥＴ１１をオン状態に切り換えるようにして
いる。すなわち切換え制御部５は、ＦＥＴ４のオン又は
オフ状態と排他的にＦＥＴ１１のオン又はオフ状態を切
換え制御するようになされている。
気経路上にＦＥＴ４と同様のＭＯＳ型ＦＥＴでなるＦＥ
Ｔ１１を設けて、抵抗Ｒ１を配した電気経路上で電流の
導電及び遮断の切換え制御を行うと共に抵抗Ｒ２を配し
た電気経路上でも電流の導電及び遮断の切換え制御を行
うようになされている。ＦＥＴ１１はＦＥＴ４と同様に
切換え制御部５に接続されており、電流検出部２又は３
の検出結果に応じて切換え制御がなされる。ここで切換
え制御部５は、ＦＥＴ４をオン状態に切り換える際にＦ
ＥＴ１１をオフ状態とし、ＦＥＴ４をオフ状態に切り換
える際にＦＥＴ１１をオン状態に切り換えるようにして
いる。すなわち切換え制御部５は、ＦＥＴ４のオン又は
オフ状態と排他的にＦＥＴ１１のオン又はオフ状態を切
換え制御するようになされている。
【００４２】電流検出装置１０は、こうしたＦＥＴ４及
びＦＥＴ１１の切換え制御を、以下に説明する手順にし
たがつて実行するようになされている。すなわち図５及
び図６に示すように、電流検出装置１０はステツプＳＰ
２０で手順を開始する。電流検出装置１０は手順開始
後、まずステツプＳＰ２１で、電流検出部２又は３によ
つて電流の導電方向を検出する。次に電流検出装置１０
は、ステツプＳＰ２２で、こうした検出により導電電流
が順方向電流か逆方向電流かを判別し、判別結果に応じ
てステツプＳＰ２３又はステツプＳＰ２９に移行する。
びＦＥＴ１１の切換え制御を、以下に説明する手順にし
たがつて実行するようになされている。すなわち図５及
び図６に示すように、電流検出装置１０はステツプＳＰ
２０で手順を開始する。電流検出装置１０は手順開始
後、まずステツプＳＰ２１で、電流検出部２又は３によ
つて電流の導電方向を検出する。次に電流検出装置１０
は、ステツプＳＰ２２で、こうした検出により導電電流
が順方向電流か逆方向電流かを判別し、判別結果に応じ
てステツプＳＰ２３又はステツプＳＰ２９に移行する。
【００４３】電流検出装置１０はステツプＳＰ２２で導
電電流が逆方向電流であると判別した場合、ステツプＳ
Ｐ２３に移行し、電流検出部２によつて抵抗Ｒ１を介し
て導電する電流検出を行う。ここでＦＥＴ４がオン状態
である場合、電流検出部３から検出信号Ｓ２を切換え制
御部５に与えてＦＥＴ４をオフ状態に切り換えることに
より、抵抗Ｒ１側の電気経路へ導電電流Ｉ2 を導電す
る。なお、こうして電流検出部２によつて検出した電流
値は、検出値として外部に出力するようになされている
（図示せず）。
電電流が逆方向電流であると判別した場合、ステツプＳ
Ｐ２３に移行し、電流検出部２によつて抵抗Ｒ１を介し
て導電する電流検出を行う。ここでＦＥＴ４がオン状態
である場合、電流検出部３から検出信号Ｓ２を切換え制
御部５に与えてＦＥＴ４をオフ状態に切り換えることに
より、抵抗Ｒ１側の電気経路へ導電電流Ｉ2 を導電す
る。なお、こうして電流検出部２によつて検出した電流
値は、検出値として外部に出力するようになされている
（図示せず）。
【００４４】次に電流検出装置１０は、ステツプＳＰ２
３で、得られた電流の電流値が、予め設定された基準電
流値以下に低下したか否かを電流検出部２によつて判別
する。導電電流が基準電流以下に低下したことを検出し
た場合、電流検出装置１０はステツプＳＰ２５で、ＦＥ
Ｔ４及びＦＥＴ１１を切換え制御することにより、導電
電流Ｉ2 の導電を抵抗Ｒ１を配した電気経路側から抵抗
Ｒ２を配した電気経路側に切り換える。具体的に電流検
出装置１０は、電流検出部２から検出信号Ｓ１を切換え
制御部５に与えて、当該切換え制御部５によつてＦＥＴ
４をオン状態に切り換えると共にＦＥＴ１１をオフ状態
に切り換える。これにより電流検出装置１０は、オン状
態のＦＥＴ４によつて抵抗Ｒ１側への導電を遮断すると
共に、ＦＥＴ１１をオフ状態に切り換えることで抵抗Ｒ
２側の電気経路の開放を行つて、導電電流Ｉ2 が導電す
る電気経路の切り換えを行う。
３で、得られた電流の電流値が、予め設定された基準電
流値以下に低下したか否かを電流検出部２によつて判別
する。導電電流が基準電流以下に低下したことを検出し
た場合、電流検出装置１０はステツプＳＰ２５で、ＦＥ
Ｔ４及びＦＥＴ１１を切換え制御することにより、導電
電流Ｉ2 の導電を抵抗Ｒ１を配した電気経路側から抵抗
Ｒ２を配した電気経路側に切り換える。具体的に電流検
出装置１０は、電流検出部２から検出信号Ｓ１を切換え
制御部５に与えて、当該切換え制御部５によつてＦＥＴ
４をオン状態に切り換えると共にＦＥＴ１１をオフ状態
に切り換える。これにより電流検出装置１０は、オン状
態のＦＥＴ４によつて抵抗Ｒ１側への導電を遮断すると
共に、ＦＥＴ１１をオフ状態に切り換えることで抵抗Ｒ
２側の電気経路の開放を行つて、導電電流Ｉ2 が導電す
る電気経路の切り換えを行う。
【００４５】続いて電流検出装置１０は、ステツプＳＰ
２６で、電流検出部３によつて抵抗Ｒ２を介して導電す
る電流検出を行う。なお、こうして電流検出部３によつ
て検出した電流値は、上述の電流検出部２の場合と同様
に、検出値として外部に出力するようになされている
（図示せず）。
２６で、電流検出部３によつて抵抗Ｒ２を介して導電す
る電流検出を行う。なお、こうして電流検出部３によつ
て検出した電流値は、上述の電流検出部２の場合と同様
に、検出値として外部に出力するようになされている
（図示せず）。
【００４６】次に電流検出装置１０は、ステツプＳＰ２
７で、得られた電流の電流値が、予め設定された基準電
流値以上に上昇したか否かを電流検出部３によつて判別
する。導電電流が基準電流以上に上昇したことを検出し
た場合、電流検出装置１０はステツプＳＰ２８で、ＦＥ
Ｔ４及びＦＥＴ１１を切換え制御することにより、導電
電流Ｉ2 の導電を抵抗Ｒ２を配した電気経路側から抵抗
Ｒ１を配した電気経路側に切り換える。具体的に電流検
出装置１０は、電流検出部３から検出信号Ｓ２を切換え
制御部５に与えて、当該切換え制御部５によつてＦＥＴ
４をオフ状態に切り換えると共にＦＥＴ１１をオン状態
に切り換える。これにより電流検出装置１０は、オン状
態のＦＥＴ１１によつて抵抗Ｒ２側への導電を遮断する
と共に、ＦＥＴ４をオフ状態に切り換えることで抵抗Ｒ
１側の電気経路の開放を行つて、導電電流Ｉ2 が導電す
る電気経路の切り換えを行う。この後、電流検出装置１
０はステツプＳＰ２３に移行して処理を続ける。
７で、得られた電流の電流値が、予め設定された基準電
流値以上に上昇したか否かを電流検出部３によつて判別
する。導電電流が基準電流以上に上昇したことを検出し
た場合、電流検出装置１０はステツプＳＰ２８で、ＦＥ
Ｔ４及びＦＥＴ１１を切換え制御することにより、導電
電流Ｉ2 の導電を抵抗Ｒ２を配した電気経路側から抵抗
Ｒ１を配した電気経路側に切り換える。具体的に電流検
出装置１０は、電流検出部３から検出信号Ｓ２を切換え
制御部５に与えて、当該切換え制御部５によつてＦＥＴ
４をオフ状態に切り換えると共にＦＥＴ１１をオン状態
に切り換える。これにより電流検出装置１０は、オン状
態のＦＥＴ１１によつて抵抗Ｒ２側への導電を遮断する
と共に、ＦＥＴ４をオフ状態に切り換えることで抵抗Ｒ
１側の電気経路の開放を行つて、導電電流Ｉ2 が導電す
る電気経路の切り換えを行う。この後、電流検出装置１
０はステツプＳＰ２３に移行して処理を続ける。
【００４７】またステツプＳＰ２２で導電電流が順方向
電流であると判別した場合、電流検出装置１０はステツ
プＳＰ２９に移行し、電流検出部２によつて抵抗Ｒ１を
介して導電する電流検出を行う。ここでＦＥＴ４がオフ
状態である場合、電流検出部３から検出信号Ｓ１を切換
え制御部５に与えてＦＥＴ４をオン状態に切り換えるこ
とにより、抵抗Ｒ１側の電気経路へ導電電流Ｉ1 を導電
する。なお、こうして電流検出部２によつて検出した電
流値は、検出値として外部に出力するようになされてい
る（図示せず）。
電流であると判別した場合、電流検出装置１０はステツ
プＳＰ２９に移行し、電流検出部２によつて抵抗Ｒ１を
介して導電する電流検出を行う。ここでＦＥＴ４がオフ
状態である場合、電流検出部３から検出信号Ｓ１を切換
え制御部５に与えてＦＥＴ４をオン状態に切り換えるこ
とにより、抵抗Ｒ１側の電気経路へ導電電流Ｉ1 を導電
する。なお、こうして電流検出部２によつて検出した電
流値は、検出値として外部に出力するようになされてい
る（図示せず）。
【００４８】次に電流検出装置１０は、ステツプＳＰ３
０で、得られた電流の電流値が、予め設定された基準電
流値以下に低下したか否かを電流検出部２によつて判別
する。導電電流が基準電流以下に低下したことを検出し
た場合、電流検出装置１０はステツプＳＰ３１で、ＦＥ
Ｔ４及びＦＥＴ１１を切換え制御することにより、導電
電流Ｉ1 の導電を抵抗Ｒ１を配した電気経路側から抵抗
Ｒ２を配した電気経路側に切り換える。具体的に電流検
出装置１０は、電流検出部２から検出信号Ｓ２を切換え
制御部５に与えて、当該切換え制御部５によつてＦＥＴ
４をオフ状態に切り換えると共にＦＥＴ１１をオン状態
に切り換える。これにより電流検出装置１０は、オフ状
態のＦＥＴ４によつて抵抗Ｒ１側への導電を遮断すると
共に、ＦＥＴ１１をオン状態に切り換えることで抵抗Ｒ
２側の電気経路の開放を行つて、導電電流Ｉ1 が導電す
る電気経路の切り換えを行う。
０で、得られた電流の電流値が、予め設定された基準電
流値以下に低下したか否かを電流検出部２によつて判別
する。導電電流が基準電流以下に低下したことを検出し
た場合、電流検出装置１０はステツプＳＰ３１で、ＦＥ
Ｔ４及びＦＥＴ１１を切換え制御することにより、導電
電流Ｉ1 の導電を抵抗Ｒ１を配した電気経路側から抵抗
Ｒ２を配した電気経路側に切り換える。具体的に電流検
出装置１０は、電流検出部２から検出信号Ｓ２を切換え
制御部５に与えて、当該切換え制御部５によつてＦＥＴ
４をオフ状態に切り換えると共にＦＥＴ１１をオン状態
に切り換える。これにより電流検出装置１０は、オフ状
態のＦＥＴ４によつて抵抗Ｒ１側への導電を遮断すると
共に、ＦＥＴ１１をオン状態に切り換えることで抵抗Ｒ
２側の電気経路の開放を行つて、導電電流Ｉ1 が導電す
る電気経路の切り換えを行う。
【００４９】続いて電流検出装置１０は、ステツプＳＰ
３２で、電流検出部３によつて抵抗Ｒ２を介して導電す
る電流検出を行う。なお、こうして電流検出部３によつ
て検出した電流値は、上述の電流検出部２の場合と同様
に、検出値として外部に出力するようになされている
（図示せず）。
３２で、電流検出部３によつて抵抗Ｒ２を介して導電す
る電流検出を行う。なお、こうして電流検出部３によつ
て検出した電流値は、上述の電流検出部２の場合と同様
に、検出値として外部に出力するようになされている
（図示せず）。
【００５０】次に電流検出装置１０は、ステツプＳＰ３
３で、得られた電流の電流値が、予め設定された基準電
流値以上に上昇したか否かを電流検出部３によつて判別
する。導電電流が基準電流以上に上昇したことを検出し
た場合、電流検出装置１０はステツプＳＰ３４で、ＦＥ
Ｔ４及びＦＥＴ１１を切換え制御することにより、導電
電流Ｉ1 の導電を抵抗Ｒ２を配した電気経路側から抵抗
Ｒ１を配した電気経路側に切り換える。具体的に電流検
出装置１０は、電流検出部３から検出信号Ｓ１を切換え
制御部５に与えて、当該切換え制御部５によつてＦＥＴ
４をオン状態に切り換えると共にＦＥＴ１１をオフ状態
に切り換える。これにより電流検出装置１０は、オフ状
態のＦＥＴ１１によつて抵抗Ｒ２側への導電を遮断する
と共に、ＦＥＴ４をオン状態に切り換えることで抵抗Ｒ
１側の電気経路の開放を行つて、導電電流Ｉ1 が導電す
る電気経路の切り換えを行う。この後、電流検出装置１
０はステツプＳＰ２９に移行して処理を続ける。
３で、得られた電流の電流値が、予め設定された基準電
流値以上に上昇したか否かを電流検出部３によつて判別
する。導電電流が基準電流以上に上昇したことを検出し
た場合、電流検出装置１０はステツプＳＰ３４で、ＦＥ
Ｔ４及びＦＥＴ１１を切換え制御することにより、導電
電流Ｉ1 の導電を抵抗Ｒ２を配した電気経路側から抵抗
Ｒ１を配した電気経路側に切り換える。具体的に電流検
出装置１０は、電流検出部３から検出信号Ｓ１を切換え
制御部５に与えて、当該切換え制御部５によつてＦＥＴ
４をオン状態に切り換えると共にＦＥＴ１１をオフ状態
に切り換える。これにより電流検出装置１０は、オフ状
態のＦＥＴ１１によつて抵抗Ｒ２側への導電を遮断する
と共に、ＦＥＴ４をオン状態に切り換えることで抵抗Ｒ
１側の電気経路の開放を行つて、導電電流Ｉ1 が導電す
る電気経路の切り換えを行う。この後、電流検出装置１
０はステツプＳＰ２９に移行して処理を続ける。
【００５１】以上の構成において、電流検出装置１０
は、導電電流の電流値が基準電流値以上又は以下となつ
た際に、抵抗Ｒ１を配した第１の電気経路及び抵抗Ｒ２
を配した第２の電気経路の双方に各々スイツチ手段とし
て配したＦＥＴ４及び１１のオン／オフ状態を切換え制
御部５によつて切り換えるようになされている。
は、導電電流の電流値が基準電流値以上又は以下となつ
た際に、抵抗Ｒ１を配した第１の電気経路及び抵抗Ｒ２
を配した第２の電気経路の双方に各々スイツチ手段とし
て配したＦＥＴ４及び１１のオン／オフ状態を切換え制
御部５によつて切り換えるようになされている。
【００５２】これにより、電流値に応じて第１の電気経
路又は第２の電気経路の何方か一方を選択して導電電流
を流すことができ、電流値に応じて異なる抵抗値の抵抗
Ｒ１又はＲ２を介した電流検出を行つて、インピーダン
スによる電力損失を低減しかつ広い変動幅を有する導電
電流の電流検出を行うことができる。
路又は第２の電気経路の何方か一方を選択して導電電流
を流すことができ、電流値に応じて異なる抵抗値の抵抗
Ｒ１又はＲ２を介した電流検出を行つて、インピーダン
スによる電力損失を低減しかつ広い変動幅を有する導電
電流の電流検出を行うことができる。
【００５３】また電流検出装置１０は、第１又は第２の
電気経路への電流の導電を、寄生ダイオードＤ１を有す
るＦＥＴ４及び寄生ダイオードＤ２を有するＦＥＴ１１
によつて切換え制御している。
電気経路への電流の導電を、寄生ダイオードＤ１を有す
るＦＥＴ４及び寄生ダイオードＤ２を有するＦＥＴ１１
によつて切換え制御している。
【００５４】すなわち導電電流Ｉ1 を導電する場合、Ｆ
ＥＴ４をオン状態とすると共にＦＥＴ１１をオフ状態と
することで寄生ダイオードＤ２によつて抵抗Ｒ２側に導
電する電流を遮断して抵抗Ｒ１側に電流を導電し得、ま
たＦＥＴ４をオフ状態に切り換える共にＦＥＴ１１をオ
ン状態に切り換えることで寄生ダイオードＤ１によつて
抵抗Ｒ１側に導電する電流を遮断して抵抗Ｒ２側へ導電
を行い得る。また導電電流Ｉ2 を導電する場合、ＦＥＴ
４をオフ状態とすると共にＦＥＴ１１をオン状態とする
ことで寄生ダイオードＤ１を介して抵抗Ｒ１側に電流を
導電し得、またＦＥＴ４をオン状態に切り換えると共に
ＦＥＴ１１をオフ状態に切り換えることで寄生ダイオー
ドＤ２を介して抵抗Ｒ２側へ導電を行うことができる。
ＥＴ４をオン状態とすると共にＦＥＴ１１をオフ状態と
することで寄生ダイオードＤ２によつて抵抗Ｒ２側に導
電する電流を遮断して抵抗Ｒ１側に電流を導電し得、ま
たＦＥＴ４をオフ状態に切り換える共にＦＥＴ１１をオ
ン状態に切り換えることで寄生ダイオードＤ１によつて
抵抗Ｒ１側に導電する電流を遮断して抵抗Ｒ２側へ導電
を行い得る。また導電電流Ｉ2 を導電する場合、ＦＥＴ
４をオフ状態とすると共にＦＥＴ１１をオン状態とする
ことで寄生ダイオードＤ１を介して抵抗Ｒ１側に電流を
導電し得、またＦＥＴ４をオン状態に切り換えると共に
ＦＥＴ１１をオフ状態に切り換えることで寄生ダイオー
ドＤ２を介して抵抗Ｒ２側へ導電を行うことができる。
【００５５】これにより、電流検出装置１０は簡易な構
成で順方向及び逆方向に導電する電流を容易に切換え制
御でき、導電電流Ｉ1 及び導電電流Ｉ2 の双方向電流の
電流検出を実現することができる。
成で順方向及び逆方向に導電する電流を容易に切換え制
御でき、導電電流Ｉ1 及び導電電流Ｉ2 の双方向電流の
電流検出を実現することができる。
【００５６】さらに電流検出装置１０は、ＦＥＴ４によ
る電流の導電経路の切換え制御に加えてＦＥＴ１１によ
り切換え制御を行うようになされている。例えば抵抗Ｒ
１と抵抗Ｒ２とが十分に離れた値の抵抗である場合、Ｆ
ＥＴ４の切換え制御によつて抵抗Ｒ１を介した導電を行
う際に、抵抗Ｒ１に比して大きな抵抗値でなる抵抗Ｒ２
を介して導電される電流値は十分に小さな値であるた
め、無視することができる。しかし、抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ
２とが比較的近い値の抵抗である場合、一方の電気経路
を選択した際に、他方の電気経路を介して流れる漏れ電
流は十分に小さな値の電流とならず、一方の電気経路を
介する電流検出において上述した漏れ電流の分だけ誤差
が生じることになる。
る電流の導電経路の切換え制御に加えてＦＥＴ１１によ
り切換え制御を行うようになされている。例えば抵抗Ｒ
１と抵抗Ｒ２とが十分に離れた値の抵抗である場合、Ｆ
ＥＴ４の切換え制御によつて抵抗Ｒ１を介した導電を行
う際に、抵抗Ｒ１に比して大きな抵抗値でなる抵抗Ｒ２
を介して導電される電流値は十分に小さな値であるた
め、無視することができる。しかし、抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ
２とが比較的近い値の抵抗である場合、一方の電気経路
を選択した際に、他方の電気経路を介して流れる漏れ電
流は十分に小さな値の電流とならず、一方の電気経路を
介する電流検出において上述した漏れ電流の分だけ誤差
が生じることになる。
【００５７】電流検出装置１０は、ＦＥＴ４をオン状態
として導電電流を一方の電気経路に導電する際にＦＥＴ
１１をオフ状態として他方の電気経路に流れる漏れ電流
を遮断するようにしたことにより、より精度良く電流検
出を行うことができる。
として導電電流を一方の電気経路に導電する際にＦＥＴ
１１をオフ状態として他方の電気経路に流れる漏れ電流
を遮断するようにしたことにより、より精度良く電流検
出を行うことができる。
【００５８】以上の構成によれば、一方及び他方の端子
間に異なる値を有する抵抗Ｒ１及びＲ２を並列に配して
第１及び第２の電気経路を形成すると共に、当該第１の
電気経路上にＦＥＴ４を又第２の電気経路上にＦＥＴ１
１を設けて、抵抗Ｒ１又はＲ２を介した導電電流の電流
値に応じて切換え制御部５によつてＦＥＴ４及び１１の
オン／オフ状態を排他的に切り換えるようにしたことに
より、電流検出部２又は３の検出結果により第１又は第
２の電気経路の何方か一方を選択して電流値に応じた抵
抗Ｒ１又はＲ２を介して電流検出し得ると共に順方向及
び逆方向の双方向の電流で導電電流の導電経路を容易に
切換え制御でき、さらにＦＥＴ４をオン状態として導電
電流を一方の電気経路に導電する際に、ＦＥＴ１１をオ
フ状態として他方の電気経路に流れる漏れ電流を遮断す
ることができ、かくするにつき、電力損失を低減しかつ
広い変動幅を有する導電電流の電流検出を行うことがで
き、また簡易な構成で導電電流Ｉ1 及び導電電流Ｉ2 の
双方向電流の電流検出を実現することができ、さらによ
り精度良く電流検出を行うことができる。
間に異なる値を有する抵抗Ｒ１及びＲ２を並列に配して
第１及び第２の電気経路を形成すると共に、当該第１の
電気経路上にＦＥＴ４を又第２の電気経路上にＦＥＴ１
１を設けて、抵抗Ｒ１又はＲ２を介した導電電流の電流
値に応じて切換え制御部５によつてＦＥＴ４及び１１の
オン／オフ状態を排他的に切り換えるようにしたことに
より、電流検出部２又は３の検出結果により第１又は第
２の電気経路の何方か一方を選択して電流値に応じた抵
抗Ｒ１又はＲ２を介して電流検出し得ると共に順方向及
び逆方向の双方向の電流で導電電流の導電経路を容易に
切換え制御でき、さらにＦＥＴ４をオン状態として導電
電流を一方の電気経路に導電する際に、ＦＥＴ１１をオ
フ状態として他方の電気経路に流れる漏れ電流を遮断す
ることができ、かくするにつき、電力損失を低減しかつ
広い変動幅を有する導電電流の電流検出を行うことがで
き、また簡易な構成で導電電流Ｉ1 及び導電電流Ｉ2 の
双方向電流の電流検出を実現することができ、さらによ
り精度良く電流検出を行うことができる。
【００５９】（３）第３実施例 図７において、２０は全体として電源装置を示し、電流
検出装置１０（図４）を内部に配した構成でなる。電源
装置２０は２次電池を電源部とするバツテリーパツクで
なり、当該２次電池に供給される充電電流及び２次電池
から放電する放電電流の過電流状態を検出して電気経路
の遮断を行う保護回路を、電流検出装置１０と同一回路
で形成するようになされている。
検出装置１０（図４）を内部に配した構成でなる。電源
装置２０は２次電池を電源部とするバツテリーパツクで
なり、当該２次電池に供給される充電電流及び２次電池
から放電する放電電流の過電流状態を検出して電気経路
の遮断を行う保護回路を、電流検出装置１０と同一回路
で形成するようになされている。
【００６０】電源装置２０は、入出力端子Ｄと２次電池
２３の負極側との電気経路上にスイツチ部２１、検出部
２２、２次電池２３を順次配して接続している。電源装
置２０は充電時、所定の充電装置から供給される充電電
流を２次電池２３に供給することにより２次電池２３の
充電を行い、また放電時、２次電池２３から放電電流を
出力する。
２３の負極側との電気経路上にスイツチ部２１、検出部
２２、２次電池２３を順次配して接続している。電源装
置２０は充電時、所定の充電装置から供給される充電電
流を２次電池２３に供給することにより２次電池２３の
充電を行い、また放電時、２次電池２３から放電電流を
出力する。
【００６１】検出部２２には制御部２４が接続されてお
り、また制御部２４にはスイツチ部２１が接続されてい
る。制御部２４は検出部２２による検出結果に応じてス
イツチ部２１のオン／オフ状態を制御することにより、
２次電池に所定値以上の過電流でなる充電電流が供給さ
れたり、当該２次電池から所定値以上の過電流でなる放
電電流が送出された場合、検出部２２の検出結果によつ
てこれを判別し、スイツチ部２１を制御して電気経路を
遮断して２次電池２３を過充電又は過放電状態から保護
するようになされている。
り、また制御部２４にはスイツチ部２１が接続されてい
る。制御部２４は検出部２２による検出結果に応じてス
イツチ部２１のオン／オフ状態を制御することにより、
２次電池に所定値以上の過電流でなる充電電流が供給さ
れたり、当該２次電池から所定値以上の過電流でなる放
電電流が送出された場合、検出部２２の検出結果によつ
てこれを判別し、スイツチ部２１を制御して電気経路を
遮断して２次電池２３を過充電又は過放電状態から保護
するようになされている。
【００６２】図４及び図７との対応部分に同一符号を付
して示す図８は、電源装置２０の詳細構成を示し、スイ
ツチ部２１、検出部２２及び制御部２４の内部構成を示
している。
して示す図８は、電源装置２０の詳細構成を示し、スイ
ツチ部２１、検出部２２及び制御部２４の内部構成を示
している。
【００６３】スイツチ部２１は入出力端子Ｃ及びＤ間の
電気経路上に配されたスイツチ手段であり、従来の保護
回路におけるスイツチ部である。電源装置２０は当該ス
イツチ部として、寄生ダイオードＤ１又はＤ２をそれぞ
れ有するＦＥＴ４及びＦＥＴ１１を並列に接続して配し
ており、また当該スイツチ部にＦＥＴ２５を直列に接続
している。ここでＦＥＴ２５はＦＥＴ４及びＦＥＴ１１
と逆方向を駆動時の導電方向とするＭＯＳ型ＦＥＴ素子
であり、ＦＥＴ４及びＦＥＴ１１と同様に寄生ダイオー
ドＤ３を有している。
電気経路上に配されたスイツチ手段であり、従来の保護
回路におけるスイツチ部である。電源装置２０は当該ス
イツチ部として、寄生ダイオードＤ１又はＤ２をそれぞ
れ有するＦＥＴ４及びＦＥＴ１１を並列に接続して配し
ており、また当該スイツチ部にＦＥＴ２５を直列に接続
している。ここでＦＥＴ２５はＦＥＴ４及びＦＥＴ１１
と逆方向を駆動時の導電方向とするＭＯＳ型ＦＥＴ素子
であり、ＦＥＴ４及びＦＥＴ１１と同様に寄生ダイオー
ドＤ３を有している。
【００６４】検出部２２は、ＦＥＴ４を配した第１の電
気経路上に設けた抵抗Ｒ１及び電流検出部２と、ＦＥＴ
１１を配した第２の電気経路上に設けた抵抗Ｒ２及び電
流検出部３と、電圧検出部２６からなる。電流検出部２
及び３は、それぞれ抵抗Ｒ１を介して導電する電流の電
流値、抵抗Ｒ２を介して導電する電流の電流値を検出し
て検出結果を送出すると共に、導電電流の電流方向を検
出して検出結果を送出するようになされている。また電
圧検出部２６は、２次電池２３の端子電圧を検出するよ
うになされている。なお、電流検出部２又は３による検
出結果は、２次電池２３に充電電流を供給する際の、定
電流回路の制御信号として用いるようになされている。
気経路上に設けた抵抗Ｒ１及び電流検出部２と、ＦＥＴ
１１を配した第２の電気経路上に設けた抵抗Ｒ２及び電
流検出部３と、電圧検出部２６からなる。電流検出部２
及び３は、それぞれ抵抗Ｒ１を介して導電する電流の電
流値、抵抗Ｒ２を介して導電する電流の電流値を検出し
て検出結果を送出すると共に、導電電流の電流方向を検
出して検出結果を送出するようになされている。また電
圧検出部２６は、２次電池２３の端子電圧を検出するよ
うになされている。なお、電流検出部２又は３による検
出結果は、２次電池２３に充電電流を供給する際の、定
電流回路の制御信号として用いるようになされている。
【００６５】具体的に電流検出部２は抵抗Ｒ１を介して
導電する大電流でなる導電電流の電流値検出及び電流方
向検出を行い、得られた電流値が所定の基準電流値以下
である場合に電流方向に応じて検出信号Ｓ１又はＳ２を
送出すると共に、当該導電電流の電流方向が放電方向で
ある場合に検出信号Ｓ３を送出する。さらに電流検出部
２は、予め設定された電流値以上の過電流の導電を検出
した場合、保護動作要求信号Ｓ４を送出する。また、電
流検出部３は抵抗Ｒ２を介して導電する小電流でなる導
電電流の電流値検出及び電流方向検出を行い、得られた
電流値が所定の基準電流値以上である場合に電流方向に
応じて検出信号Ｓ１又はＳ２を送出すると共に、当該導
電電流の電流方向が放電方向である場合に検出信号Ｓ３
を送出する。さらに電流検出部３は、予め設定された電
流値以下に導電電流の電流値が低下した場合、これによ
つて２次電池２３が満充電状態となつたことを認識し
て、満充電検出信号Ｓ５を満充電検出端子Ｅに送出す
る。
導電する大電流でなる導電電流の電流値検出及び電流方
向検出を行い、得られた電流値が所定の基準電流値以下
である場合に電流方向に応じて検出信号Ｓ１又はＳ２を
送出すると共に、当該導電電流の電流方向が放電方向で
ある場合に検出信号Ｓ３を送出する。さらに電流検出部
２は、予め設定された電流値以上の過電流の導電を検出
した場合、保護動作要求信号Ｓ４を送出する。また、電
流検出部３は抵抗Ｒ２を介して導電する小電流でなる導
電電流の電流値検出及び電流方向検出を行い、得られた
電流値が所定の基準電流値以上である場合に電流方向に
応じて検出信号Ｓ１又はＳ２を送出すると共に、当該導
電電流の電流方向が放電方向である場合に検出信号Ｓ３
を送出する。さらに電流検出部３は、予め設定された電
流値以下に導電電流の電流値が低下した場合、これによ
つて２次電池２３が満充電状態となつたことを認識し
て、満充電検出信号Ｓ５を満充電検出端子Ｅに送出す
る。
【００６６】また電圧検出部２６は２次電池２３の端子
電圧を検出する検出部であり、予め設定された規定電圧
値以上の過電圧状態を検出した場合、保護動作要求信号
Ｓ６を送出する。
電圧を検出する検出部であり、予め設定された規定電圧
値以上の過電圧状態を検出した場合、保護動作要求信号
Ｓ６を送出する。
【００６７】制御部２４は、電流検出部２又は３による
電流値の検出結果及び電流方向の検出結果に応じて電流
の導電経路を切り換える切換え制御部５と、電流検出部
２又は３による電流方向の検出結果により導電電流が放
電方向である際に、電流検出部２から過電流状態を示す
通知がなされた場合又は電圧検出部２６により過電圧状
態が通知された場合に電気経路の遮断を行う保護制御部
２７と、電流検出部２又は３による電流方向の検出結果
により導電電流が充電方向である際に、電流検出部２か
ら過電流状態を示す通知がなされた場合又は電圧検出部
２６により過電圧状態が通知された場合に電気経路の遮
断を行う保護制御部２８とから構成されている。
電流値の検出結果及び電流方向の検出結果に応じて電流
の導電経路を切り換える切換え制御部５と、電流検出部
２又は３による電流方向の検出結果により導電電流が放
電方向である際に、電流検出部２から過電流状態を示す
通知がなされた場合又は電圧検出部２６により過電圧状
態が通知された場合に電気経路の遮断を行う保護制御部
２７と、電流検出部２又は３による電流方向の検出結果
により導電電流が充電方向である際に、電流検出部２か
ら過電流状態を示す通知がなされた場合又は電圧検出部
２６により過電圧状態が通知された場合に電気経路の遮
断を行う保護制御部２８とから構成されている。
【００６８】具体的に、切換え制御部５は電流検出部２
及び３から送出される検出信号Ｓ１及びＳ２、検出信号
Ｓ３を入力しており、検出信号Ｓ３によつて導電電流が
充電電流Ｉ3 であることを識別した場合、充電電流Ｉ3
が大電流であることを示す検出信号Ｓ１に応じてＦＥＴ
４をオフ状態にすると共にＦＥＴ１１をオン状態に切り
換える。また充電電流Ｉ3 が小電流であることを示す検
出信号Ｓ２に応じてＦＥＴ４をオン状態にすると共にＦ
ＥＴ１１をオフ状態に切り換える（図６）。
及び３から送出される検出信号Ｓ１及びＳ２、検出信号
Ｓ３を入力しており、検出信号Ｓ３によつて導電電流が
充電電流Ｉ3 であることを識別した場合、充電電流Ｉ3
が大電流であることを示す検出信号Ｓ１に応じてＦＥＴ
４をオフ状態にすると共にＦＥＴ１１をオン状態に切り
換える。また充電電流Ｉ3 が小電流であることを示す検
出信号Ｓ２に応じてＦＥＴ４をオン状態にすると共にＦ
ＥＴ１１をオフ状態に切り換える（図６）。
【００６９】また切換え制御部５は、検出信号Ｓ３によ
つて導電電流が放電電流Ｉ4 であることを識別した場
合、放電電流Ｉ4 が大電流であることを示す検出信号Ｓ
２に応じてＦＥＴ４をオン状態にすると共にＦＥＴ１１
をオフ状態に切り換える。また放電電流Ｉ4 が小電流で
あることを示す検出信号Ｓ１に応じてＦＥＴ４をオフ状
態にすると共にＦＥＴ１１をオン状態に切り換える（図
５）。
つて導電電流が放電電流Ｉ4 であることを識別した場
合、放電電流Ｉ4 が大電流であることを示す検出信号Ｓ
２に応じてＦＥＴ４をオン状態にすると共にＦＥＴ１１
をオフ状態に切り換える。また放電電流Ｉ4 が小電流で
あることを示す検出信号Ｓ１に応じてＦＥＴ４をオフ状
態にすると共にＦＥＴ１１をオン状態に切り換える（図
５）。
【００７０】また保護制御部２７は放電電流Ｉ4 を導電
する際の保護動作を制御する制御部であり、電流検出部
２及び３から送出される検出信号Ｓ３、電流検出部２か
ら送出される保護動作要求信号Ｓ４及び電圧検出部２６
から送出される保護動作要求信号Ｓ６を入力している。
保護制御部２７は検出信号Ｓ３によつて導電電流が放電
電流Ｉ4 であることを識別した場合、過電流状態を通知
する保護動作要求信号Ｓ４又は過電圧状態を通知する保
護動作要求信号Ｓ６に応じてＦＥＴ４及び１１を共にオ
フ状態に切り換えることにより、２次電池２３への電気
経路を遮断するようになされている。
する際の保護動作を制御する制御部であり、電流検出部
２及び３から送出される検出信号Ｓ３、電流検出部２か
ら送出される保護動作要求信号Ｓ４及び電圧検出部２６
から送出される保護動作要求信号Ｓ６を入力している。
保護制御部２７は検出信号Ｓ３によつて導電電流が放電
電流Ｉ4 であることを識別した場合、過電流状態を通知
する保護動作要求信号Ｓ４又は過電圧状態を通知する保
護動作要求信号Ｓ６に応じてＦＥＴ４及び１１を共にオ
フ状態に切り換えることにより、２次電池２３への電気
経路を遮断するようになされている。
【００７１】また保護制御部２８は充電電流Ｉ3 を導電
する際の保護動作を制御する制御部であり、電流検出部
２及び３から送出される検出信号Ｓ３、電流検出部２か
ら送出される保護動作要求信号Ｓ４及び電圧検出部２６
から送出される保護動作要求信号Ｓ６を入力している。
保護制御部２８は検出信号Ｓ３によつて導電電流が充電
電流Ｉ3 であることを識別した場合、過電流状態を通知
する保護動作要求信号Ｓ４又は過電圧状態を通知する保
護動作要求信号Ｓ６に応じてＦＥＴ２５をオフ状態に切
り換えることにより、２次電池２３への電気経路を遮断
するようになされている。
する際の保護動作を制御する制御部であり、電流検出部
２及び３から送出される検出信号Ｓ３、電流検出部２か
ら送出される保護動作要求信号Ｓ４及び電圧検出部２６
から送出される保護動作要求信号Ｓ６を入力している。
保護制御部２８は検出信号Ｓ３によつて導電電流が充電
電流Ｉ3 であることを識別した場合、過電流状態を通知
する保護動作要求信号Ｓ４又は過電圧状態を通知する保
護動作要求信号Ｓ６に応じてＦＥＴ２５をオフ状態に切
り換えることにより、２次電池２３への電気経路を遮断
するようになされている。
【００７２】以上の構成において、電源装置２０は、導
電電流が充電電流Ｉ3 である際に、電流検出部２又は３
による検出結果によつて当該導電電流が大電流であるこ
とを判別した場合、ＦＥＴ４をオフ状態にすると共にＦ
ＥＴ１１をオン状態に切り換える。これにより、寄生ダ
イオードＤ１が機能して抵抗Ｒ１を介する電気経路が開
くと共に寄生ダイオードＤ２の機能が停止して抵抗Ｒ２
を介する電気経路が遮断され、充電電流Ｉ3 が抵抗Ｒ１
を介して導電する。また電流検出部２又は３による検出
結果によつて当該導電電流が小電流であることを判別し
た場合、ＦＥＴ４をオン状態にすると共にＦＥＴ１１を
オフ状態に切り換える。これにより、寄生ダイオードＤ
１の機能が停止して抵抗Ｒ１を介する電気経路が遮断さ
れると共に寄生ダイオードＤ２が機能して抵抗Ｒ２を介
する電気経路が開き、充電電流Ｉ3 が抵抗Ｒ２を介して
導電する。
電電流が充電電流Ｉ3 である際に、電流検出部２又は３
による検出結果によつて当該導電電流が大電流であるこ
とを判別した場合、ＦＥＴ４をオフ状態にすると共にＦ
ＥＴ１１をオン状態に切り換える。これにより、寄生ダ
イオードＤ１が機能して抵抗Ｒ１を介する電気経路が開
くと共に寄生ダイオードＤ２の機能が停止して抵抗Ｒ２
を介する電気経路が遮断され、充電電流Ｉ3 が抵抗Ｒ１
を介して導電する。また電流検出部２又は３による検出
結果によつて当該導電電流が小電流であることを判別し
た場合、ＦＥＴ４をオン状態にすると共にＦＥＴ１１を
オフ状態に切り換える。これにより、寄生ダイオードＤ
１の機能が停止して抵抗Ｒ１を介する電気経路が遮断さ
れると共に寄生ダイオードＤ２が機能して抵抗Ｒ２を介
する電気経路が開き、充電電流Ｉ3 が抵抗Ｒ２を介して
導電する。
【００７３】同様に、導電電流が放電電流Ｉ4 である際
に、電流検出部２又は３による検出結果によつて当該導
電電流が大電流であることを判別した場合、ＦＥＴ４を
オン状態にすると共にＦＥＴ１１をオフ状態に切り換え
る。これにより、寄生ダイオードＤ１の機能が停止して
抵抗Ｒ１を介する電気経路が開くと共に寄生ダイオード
Ｄ２が機能して抵抗Ｒ２を介する電気経路が遮断され、
放電電流Ｉ4 が抵抗Ｒ１を介して導電する。また電流検
出部２又は３による検出結果によつて当該導電電流が小
電流であることを判別した場合、ＦＥＴ４をオフ状態に
すると共にＦＥＴ１１をオン状態に切り換える。これに
より、寄生ダイオードＤ１が機能して抵抗Ｒ１を介する
電気経路が遮断されると共に寄生ダイオードＤ２の機能
が停止して抵抗Ｒ２を介する電気経路が開き、放電電流
Ｉ4 が抵抗Ｒ２を介して導電する。
に、電流検出部２又は３による検出結果によつて当該導
電電流が大電流であることを判別した場合、ＦＥＴ４を
オン状態にすると共にＦＥＴ１１をオフ状態に切り換え
る。これにより、寄生ダイオードＤ１の機能が停止して
抵抗Ｒ１を介する電気経路が開くと共に寄生ダイオード
Ｄ２が機能して抵抗Ｒ２を介する電気経路が遮断され、
放電電流Ｉ4 が抵抗Ｒ１を介して導電する。また電流検
出部２又は３による検出結果によつて当該導電電流が小
電流であることを判別した場合、ＦＥＴ４をオフ状態に
すると共にＦＥＴ１１をオン状態に切り換える。これに
より、寄生ダイオードＤ１が機能して抵抗Ｒ１を介する
電気経路が遮断されると共に寄生ダイオードＤ２の機能
が停止して抵抗Ｒ２を介する電気経路が開き、放電電流
Ｉ4 が抵抗Ｒ２を介して導電する。
【００７４】このように電源装置２０は、導電電流の電
流値及び電流方向に応じてＦＥＴ４及び１１のオン／オ
フ状態を切り換えるようにしたことにより、充電方向及
び放電方向の双方向において、導電電流の導電経路を抵
抗Ｒ１を介する経路又は抵抗Ｒ２を介する経路の何方か
一方に選定することができる。これにより電源装置２０
は、導電電流が大電流である場合に低インピーダンスで
なる抵抗Ｒ１による電流検出によつて電力損失を低減し
得ると共に、導電電流が小電流である場合に高インピー
ダンスでなる抵抗Ｒ２による電流検出によつて広範囲な
電流検出を行うことができ、より正確に満充電状態を判
別することができる。
流値及び電流方向に応じてＦＥＴ４及び１１のオン／オ
フ状態を切り換えるようにしたことにより、充電方向及
び放電方向の双方向において、導電電流の導電経路を抵
抗Ｒ１を介する経路又は抵抗Ｒ２を介する経路の何方か
一方に選定することができる。これにより電源装置２０
は、導電電流が大電流である場合に低インピーダンスで
なる抵抗Ｒ１による電流検出によつて電力損失を低減し
得ると共に、導電電流が小電流である場合に高インピー
ダンスでなる抵抗Ｒ２による電流検出によつて広範囲な
電流検出を行うことができ、より正確に満充電状態を判
別することができる。
【００７５】また電源装置２０は、導電電流が充電電流
Ｉ3 である際に、当該導電電流の電流値及び電圧値が所
定の規定範囲内である場合は保護制御部２８によつてＦ
ＥＴ２５をオン状態とすることで２次電池２３への電気
経路を開くと共に、過電流又は過電圧状態を電流検出部
２又は電圧検出部２６によつて検出した場合はＦＥＴ２
５をオフ状態に切り換えて電気経路を遮断することによ
り、充電状態での過電流又は過電圧状態から２時電池２
３を保護することができる。
Ｉ3 である際に、当該導電電流の電流値及び電圧値が所
定の規定範囲内である場合は保護制御部２８によつてＦ
ＥＴ２５をオン状態とすることで２次電池２３への電気
経路を開くと共に、過電流又は過電圧状態を電流検出部
２又は電圧検出部２６によつて検出した場合はＦＥＴ２
５をオフ状態に切り換えて電気経路を遮断することによ
り、充電状態での過電流又は過電圧状態から２時電池２
３を保護することができる。
【００７６】また導電電流が放電電流Ｉ4 である際に、
当該導電電流の電流値及び電圧値が所定の規定範囲内で
ある場合は切換え制御部５によつてＦＥＴ４又は１１の
何方か一方をオン又はオフ状態とすることで２次電池２
３への電気経路を開くと共に、過電流又は過電圧状態を
電流検出部２又は電圧検出部２６によつて検出した場合
は保護制御部２７によつてＦＥＴ４及び１１の双方共に
オフ状態に切り換えて電気経路を遮断することにより、
電流の導電経路を切り換えるためのスイツチ手段である
ＦＥＴ４及び１１を用いて、放電状態での過電流又は過
電圧状態から２時電池２３を保護することができる。
当該導電電流の電流値及び電圧値が所定の規定範囲内で
ある場合は切換え制御部５によつてＦＥＴ４又は１１の
何方か一方をオン又はオフ状態とすることで２次電池２
３への電気経路を開くと共に、過電流又は過電圧状態を
電流検出部２又は電圧検出部２６によつて検出した場合
は保護制御部２７によつてＦＥＴ４及び１１の双方共に
オフ状態に切り換えて電気経路を遮断することにより、
電流の導電経路を切り換えるためのスイツチ手段である
ＦＥＴ４及び１１を用いて、放電状態での過電流又は過
電圧状態から２時電池２３を保護することができる。
【００７７】電源装置２０は、従来、放電保護スイツチ
であるスイツチ部２１（図７）にＦＥＴ４及び１１を用
いたことにより、導電電流の電流及び電圧が所定の規定
範囲内である場合は導電経路のスイツチ手段としてスイ
ツチ部２１を用いることができると共に、過電流又は過
電圧状態である場合は２次電池２３の保護手段としてス
イツチ部２１を用いることができる。これにより電源装
置２０は、簡易な構成によつて導電経路の切り換え及び
放電保護を行うことができる。
であるスイツチ部２１（図７）にＦＥＴ４及び１１を用
いたことにより、導電電流の電流及び電圧が所定の規定
範囲内である場合は導電経路のスイツチ手段としてスイ
ツチ部２１を用いることができると共に、過電流又は過
電圧状態である場合は２次電池２３の保護手段としてス
イツチ部２１を用いることができる。これにより電源装
置２０は、簡易な構成によつて導電経路の切り換え及び
放電保護を行うことができる。
【００７８】なお、ダイオードＤ１及びＤ２の向きは充
電方向であるため、導電電流が充電方向である場合に過
電流又は過電圧状態となつた際、当該ダイオードＤ１及
びＤ２のしきい値を超過してしまい、ＦＥＴ４及び１１
のオン／オフ状態に関わらず、ダイオードＤ１及びＤ２
が電流を導電してしまう。このため電源装置２０は、Ｆ
ＥＴ４及び１１と逆方向を駆動時の導電方向とするＦＥ
Ｔ２５をＦＥＴ４及び１１による並列回路に直列接続し
て配し、充電時の過電流又は過電圧状態時に当該ＦＥＴ
２５をオフ状態とすることにより、ダイオードＤ３によ
つて電気経路を遮断して保護制御を行うようになされて
いる。
電方向であるため、導電電流が充電方向である場合に過
電流又は過電圧状態となつた際、当該ダイオードＤ１及
びＤ２のしきい値を超過してしまい、ＦＥＴ４及び１１
のオン／オフ状態に関わらず、ダイオードＤ１及びＤ２
が電流を導電してしまう。このため電源装置２０は、Ｆ
ＥＴ４及び１１と逆方向を駆動時の導電方向とするＦＥ
Ｔ２５をＦＥＴ４及び１１による並列回路に直列接続し
て配し、充電時の過電流又は過電圧状態時に当該ＦＥＴ
２５をオフ状態とすることにより、ダイオードＤ３によ
つて電気経路を遮断して保護制御を行うようになされて
いる。
【００７９】以上の構成によれば、２次電池２３への電
気経路上に異なる抵抗値を有する抵抗Ｒ１及びＲ２を並
列に配すると共に、従来、放電保護スイツチであつたス
イツチ部に寄生ダイオードＤ１、Ｄ２又はＤ３を有する
ＦＥＴ４、１１及び２５を用いたことにより、導電電流
が所定の規定範囲内である場合はＦＥＴ４及び１１のオ
ン／オフ状態を排他的に切り換えることで抵抗Ｒ１又は
Ｒ２の何方か一方を配した電気経路を介する導電を充電
方向及び放電方向の双方向において制御でき、また放電
電流が過電流又は過電圧状態となつた場合にはＦＥＴ４
及び１１の双方共にオフ状態とし又充電電流が過電流又
は過電圧状態となつた場合にはＦＥＴ２５をオフ状態と
することで電気経路を遮断することができ、かくするに
つき、簡易な構成によつて、インピーダンスによる電力
損失を低減しながら広範囲な電流検出を電流方向に関わ
らずに行うことができ、さらに２次電池２３の過放電及
び過充電を防止することができる。
気経路上に異なる抵抗値を有する抵抗Ｒ１及びＲ２を並
列に配すると共に、従来、放電保護スイツチであつたス
イツチ部に寄生ダイオードＤ１、Ｄ２又はＤ３を有する
ＦＥＴ４、１１及び２５を用いたことにより、導電電流
が所定の規定範囲内である場合はＦＥＴ４及び１１のオ
ン／オフ状態を排他的に切り換えることで抵抗Ｒ１又は
Ｒ２の何方か一方を配した電気経路を介する導電を充電
方向及び放電方向の双方向において制御でき、また放電
電流が過電流又は過電圧状態となつた場合にはＦＥＴ４
及び１１の双方共にオフ状態とし又充電電流が過電流又
は過電圧状態となつた場合にはＦＥＴ２５をオフ状態と
することで電気経路を遮断することができ、かくするに
つき、簡易な構成によつて、インピーダンスによる電力
損失を低減しながら広範囲な電流検出を電流方向に関わ
らずに行うことができ、さらに２次電池２３の過放電及
び過充電を防止することができる。
【００８０】（４）他の実施例 なお上述の第１実施例においては、一方及び他方の端子
である端子Ａ及びＢ間に各々抵抗値の異なる抵抗Ｒ１及
びＲ２を並列に配して複数の電気経路を形成した電流検
出装置１の場合について述べたが、本発明はこれに限ら
ず、例えば抵抗Ｒ１及びＲ２を直列に接続すると共に抵
抗Ｒ２と並列に電気経路を設けて、抵抗Ｒ１のみを介し
て導電する場合と抵抗Ｒ１及びＲ２を介して導電する場
合と切換え制御し得るような構成としてもよい。
である端子Ａ及びＢ間に各々抵抗値の異なる抵抗Ｒ１及
びＲ２を並列に配して複数の電気経路を形成した電流検
出装置１の場合について述べたが、本発明はこれに限ら
ず、例えば抵抗Ｒ１及びＲ２を直列に接続すると共に抵
抗Ｒ２と並列に電気経路を設けて、抵抗Ｒ１のみを介し
て導電する場合と抵抗Ｒ１及びＲ２を介して導電する場
合と切換え制御し得るような構成としてもよい。
【００８１】すなわち図１との対応部分に同一符号を付
した図９に示すように、抵抗Ｒ２と並列にＦＥＴ素子を
配すると共に、当該抵抗Ｒ２及びＦＥＴ素子でなる並列
回路に直列に抵抗Ｒ１を接続する。これにより順方向電
流を導電する場合にＦＥＴ素子をオフ状態に切り換える
ことで抵抗Ｒ１、抵抗Ｒ２を順次介して導電を行うこと
ができ、またＦＥＴ素子をオン状態に切り換えることで
抵抗Ｒ１、ＦＥＴ素子を順次介して導電を行うことがで
きる。このように抵抗Ｒ１及びＲ２を直列に接続した場
合でも、ＦＥＴ素子のオン及びオフ状態の切換えによつ
て抵抗Ｒ２を介した導電を行うか否かを選択して切換え
制御することができ、上述の第１実施例と同様の効果を
得ることができる。
した図９に示すように、抵抗Ｒ２と並列にＦＥＴ素子を
配すると共に、当該抵抗Ｒ２及びＦＥＴ素子でなる並列
回路に直列に抵抗Ｒ１を接続する。これにより順方向電
流を導電する場合にＦＥＴ素子をオフ状態に切り換える
ことで抵抗Ｒ１、抵抗Ｒ２を順次介して導電を行うこと
ができ、またＦＥＴ素子をオン状態に切り換えることで
抵抗Ｒ１、ＦＥＴ素子を順次介して導電を行うことがで
きる。このように抵抗Ｒ１及びＲ２を直列に接続した場
合でも、ＦＥＴ素子のオン及びオフ状態の切換えによつ
て抵抗Ｒ２を介した導電を行うか否かを選択して切換え
制御することができ、上述の第１実施例と同様の効果を
得ることができる。
【００８２】また上述の第１実施例においては、寄生ダ
イオードＤ１を有するＦＥＴ４による電気経路の切換え
制御によつて、抵抗Ｒ１又はＲ２の何方か一方を介して
導電を行う場合について述べたが、本発明はこれに限ら
ず、例えばＦＥＴ素子に換えてバイポーラトランジスタ
を用いるようにしてもよい。この場合、バイポーラトラ
ンジスタにはＭＯＳ型ＦＥＴ素子の場合と異なり寄生ダ
イオードが存在しないため、トランジスタによる導電方
向と逆方向を導電方向とするダイオードを当該トランジ
スタに並列に接続することが必要である。
イオードＤ１を有するＦＥＴ４による電気経路の切換え
制御によつて、抵抗Ｒ１又はＲ２の何方か一方を介して
導電を行う場合について述べたが、本発明はこれに限ら
ず、例えばＦＥＴ素子に換えてバイポーラトランジスタ
を用いるようにしてもよい。この場合、バイポーラトラ
ンジスタにはＭＯＳ型ＦＥＴ素子の場合と異なり寄生ダ
イオードが存在しないため、トランジスタによる導電方
向と逆方向を導電方向とするダイオードを当該トランジ
スタに並列に接続することが必要である。
【００８３】また上述の第１〜第３実施例においては、
電流検出部２又は３によつて導電電流の電流量を検出し
て、導電電流が基準電流値以下に低下した際、または導
電電流が基準電流値以上に上昇した際にそれぞれ検出信
号Ｓ１又はＳ２を切換え制御部５に送出することによ
り、ＦＥＴ４のオン／オフ状態を切り換えて抵抗Ｒ１を
配した電気経路又は抵抗Ｒ２を配した電気経路に導電し
分ける場合について述べたが、本発明はこれに限らず、
例えばＦＥＴの端子電圧を測定する電圧検出部を設けて
所定時間毎に当該端子電圧を測定し、所定の基準電圧値
をしきい値とする測定により得られた電圧値に応じてＦ
ＥＴのオン／オフ状態を切り換えるようにしてもよい。
これにより電圧検出部による検出結果のみによつてＦＥ
Ｔの切換え制御を行うことができ、構成を簡易化してＦ
ＥＴのスイツチング制御を簡素化し得る。
電流検出部２又は３によつて導電電流の電流量を検出し
て、導電電流が基準電流値以下に低下した際、または導
電電流が基準電流値以上に上昇した際にそれぞれ検出信
号Ｓ１又はＳ２を切換え制御部５に送出することによ
り、ＦＥＴ４のオン／オフ状態を切り換えて抵抗Ｒ１を
配した電気経路又は抵抗Ｒ２を配した電気経路に導電し
分ける場合について述べたが、本発明はこれに限らず、
例えばＦＥＴの端子電圧を測定する電圧検出部を設けて
所定時間毎に当該端子電圧を測定し、所定の基準電圧値
をしきい値とする測定により得られた電圧値に応じてＦ
ＥＴのオン／オフ状態を切り換えるようにしてもよい。
これにより電圧検出部による検出結果のみによつてＦＥ
Ｔの切換え制御を行うことができ、構成を簡易化してＦ
ＥＴのスイツチング制御を簡素化し得る。
【００８４】また上述の第１〜第３実施例においては、
抵抗Ｒ１及びＲ２を並列に配して第１及び第２の電気経
路を形成し、導電電流の電流値が基準電流値以上か以下
かに応じてＭＯＳ型ＦＥＴ素子のオン／オフ状態を切換
え制御することにより、大電流でなる導電電流を抵抗Ｒ
１を介して第１の電気経路に導電すると共に、小電流で
なる導電電流を抵抗Ｒ２を介して第２の電気経路に導電
するようにした電流検出装置１及び１０、並びに電源装
置２０の場合について述べたが、本発明はこれに限ら
ず、例えば並列に３つ以上の電気経路を形成して、導電
電流の電流値に応じて何方か一つの電気経路を選択して
導電を行い、電流検出を行うようにしてもよい。これに
より、より広い範囲で変動する導電電流の電流検出を精
度良く行うことができる。
抵抗Ｒ１及びＲ２を並列に配して第１及び第２の電気経
路を形成し、導電電流の電流値が基準電流値以上か以下
かに応じてＭＯＳ型ＦＥＴ素子のオン／オフ状態を切換
え制御することにより、大電流でなる導電電流を抵抗Ｒ
１を介して第１の電気経路に導電すると共に、小電流で
なる導電電流を抵抗Ｒ２を介して第２の電気経路に導電
するようにした電流検出装置１及び１０、並びに電源装
置２０の場合について述べたが、本発明はこれに限ら
ず、例えば並列に３つ以上の電気経路を形成して、導電
電流の電流値に応じて何方か一つの電気経路を選択して
導電を行い、電流検出を行うようにしてもよい。これに
より、より広い範囲で変動する導電電流の電流検出を精
度良く行うことができる。
【００８５】また上述の第３実施例においては、検出部
２２による充電電流の電流検出により満充電状態を判別
する電源装置２０の場合について述べたが、本発明はこ
れに限らず、例えば検出部による検出結果を用いて充放
電における充電又は放電電力計算を行う電源装置に適用
してもよい。すなわち検出部２２により得られる電流値
及び２次電池の端子電圧値を積算する積算回路を設け、
当該積算により得られる値を時間経過に基づいて処理す
ることにより、２次電池の充電状態及び放電状態を判別
することができ、２次電池の残電力容量や充電完了まで
の残り時間を識別することができる。ここで当該積算回
路に与える電流値を上述した検出部２２によつて得るよ
うにしたことにより広範囲で電流検出を行うことがで
き、積算及び時間経過に基づく処理によつて得られる２
次電池の残電力容量や充電完了までの残り時間を、より
精度良く算出することができる。
２２による充電電流の電流検出により満充電状態を判別
する電源装置２０の場合について述べたが、本発明はこ
れに限らず、例えば検出部による検出結果を用いて充放
電における充電又は放電電力計算を行う電源装置に適用
してもよい。すなわち検出部２２により得られる電流値
及び２次電池の端子電圧値を積算する積算回路を設け、
当該積算により得られる値を時間経過に基づいて処理す
ることにより、２次電池の充電状態及び放電状態を判別
することができ、２次電池の残電力容量や充電完了まで
の残り時間を識別することができる。ここで当該積算回
路に与える電流値を上述した検出部２２によつて得るよ
うにしたことにより広範囲で電流検出を行うことがで
き、積算及び時間経過に基づく処理によつて得られる２
次電池の残電力容量や充電完了までの残り時間を、より
精度良く算出することができる。
【００８６】さらに上述の第３実施例においては、過電
流又は過電圧状態が生じた際に、充電方向電流をＦＥＴ
２５によつて遮断し、また放電方向電流をＦＥＴ４及び
１１によつて遮断する場合について述べたが、本発明は
これに限らず、例えばＦＥＴ４、１１及び２５の向きを
それぞれ逆方向にして配すると共に、保護制御部２７に
よるＦＥＴ４及び１１のオフ状態への切り換えを導電電
流が充電方向である場合に行うようにし、また保護制御
部２８によるＦＥＴ２５のオフ状態への切り換えを導電
電流が放電方向である場合に行うようにしてもよい。こ
の場合も、実施例と同様の効果を得ることができる。
流又は過電圧状態が生じた際に、充電方向電流をＦＥＴ
２５によつて遮断し、また放電方向電流をＦＥＴ４及び
１１によつて遮断する場合について述べたが、本発明は
これに限らず、例えばＦＥＴ４、１１及び２５の向きを
それぞれ逆方向にして配すると共に、保護制御部２７に
よるＦＥＴ４及び１１のオフ状態への切り換えを導電電
流が充電方向である場合に行うようにし、また保護制御
部２８によるＦＥＴ２５のオフ状態への切り換えを導電
電流が放電方向である場合に行うようにしてもよい。こ
の場合も、実施例と同様の効果を得ることができる。
【００８７】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、一方及び
他方の端子間に設けられ各々異なる抵抗値のインピーダ
ンス素子を有する複数の電気経路と、インピーダンス素
子の両端電圧を測定することにより所望の電気経路を介
して導電する導電電流の電流値及び電流方向を検出する
電流検出手段と、複数の電気経路上に各々直列に接続し
て設けられたトランジスタ素子でなり制御信号に応じて
整流方向が切り換わるスイツチ手段と、電流検出手段の
検出結果に応じた制御信号を送出して各スイツチ手段の
整流方向を切り換えることにより各電気経路の導通及び
遮断状態を切換え制御する切換え制御手段とを設けて、
スイツチ手段による整流方向を検出結果に応じて切り換
えて導電電流の導通及び遮断を各電気経路毎に制御する
ようにしたことにより、順方向又は逆方向の双方向で導
電電流の導電経路制御を容易に行うことができ、これに
より複数の電気経路のうち、所望の電気経路が有するイ
ンピーダンス素子を電流値に応じて適応的に用いた電流
検出を行うことができ、かくするにつき、順方向及び逆
方向の双方向で電流検出を行い得ると共に電流検出の検
出幅を拡大し得る。
他方の端子間に設けられ各々異なる抵抗値のインピーダ
ンス素子を有する複数の電気経路と、インピーダンス素
子の両端電圧を測定することにより所望の電気経路を介
して導電する導電電流の電流値及び電流方向を検出する
電流検出手段と、複数の電気経路上に各々直列に接続し
て設けられたトランジスタ素子でなり制御信号に応じて
整流方向が切り換わるスイツチ手段と、電流検出手段の
検出結果に応じた制御信号を送出して各スイツチ手段の
整流方向を切り換えることにより各電気経路の導通及び
遮断状態を切換え制御する切換え制御手段とを設けて、
スイツチ手段による整流方向を検出結果に応じて切り換
えて導電電流の導通及び遮断を各電気経路毎に制御する
ようにしたことにより、順方向又は逆方向の双方向で導
電電流の導電経路制御を容易に行うことができ、これに
より複数の電気経路のうち、所望の電気経路が有するイ
ンピーダンス素子を電流値に応じて適応的に用いた電流
検出を行うことができ、かくするにつき、順方向及び逆
方向の双方向で電流検出を行い得ると共に電流検出の検
出幅を拡大し得る。
【００８８】また本発明によれば、入出力端子と２次電
池の正極又は負極との間に複数形成され各々異なる抵抗
値でなるインピーダンス素子を有する電気経路と、イン
ピーダンス素子の両端電圧を測定することにより電気経
路を介して導電する充電電流又は放電電流の電流値及び
電流方向を検出する電流検出手段と、複数の電気経路上
に各々直列に接続して設けられたトランジスタ素子でな
り制御信号に応じて整流方向が切り換わる第１のスイツ
チ手段と、一端が各第１のスイツチ手段に共通に接続さ
れると共に他端が入出力端子に接続され制御信号に応じ
て整流方向が切り換わる第２のスイツチ手段と、電流検
出手段の検出結果に応じた制御信号を送出して各第１の
スイツチ手段及び第２のスイツチ手段の整流方向を切り
換えることにより各電気経路の導通及び遮断状態を切換
え制御する切換え制御手段とを設けて、第１及び第２の
スイツチ手段による整流方向を検出結果に応じて切り換
えて導電電流の導通及び遮断を各電気経路毎に制御する
ようにしたことにより、順方向又は逆方向の双方向で導
電電流の導電経路制御を容易に行うことができ、これに
より複数の電気経路のうち、所望の電気経路が有するイ
ンピーダンス素子を電流値に応じて適応的に用いた電流
検出を行うことができると共に過電流又は過電圧状態の
検出時に全電気経路を遮断することができ、かくするに
つき、順方向及び逆方向の双方向で電流検出を行い得る
と共に電流検出の検出幅を拡大し得、さらに過放電及び
過充電状態から２次電池を保護することができる。
池の正極又は負極との間に複数形成され各々異なる抵抗
値でなるインピーダンス素子を有する電気経路と、イン
ピーダンス素子の両端電圧を測定することにより電気経
路を介して導電する充電電流又は放電電流の電流値及び
電流方向を検出する電流検出手段と、複数の電気経路上
に各々直列に接続して設けられたトランジスタ素子でな
り制御信号に応じて整流方向が切り換わる第１のスイツ
チ手段と、一端が各第１のスイツチ手段に共通に接続さ
れると共に他端が入出力端子に接続され制御信号に応じ
て整流方向が切り換わる第２のスイツチ手段と、電流検
出手段の検出結果に応じた制御信号を送出して各第１の
スイツチ手段及び第２のスイツチ手段の整流方向を切り
換えることにより各電気経路の導通及び遮断状態を切換
え制御する切換え制御手段とを設けて、第１及び第２の
スイツチ手段による整流方向を検出結果に応じて切り換
えて導電電流の導通及び遮断を各電気経路毎に制御する
ようにしたことにより、順方向又は逆方向の双方向で導
電電流の導電経路制御を容易に行うことができ、これに
より複数の電気経路のうち、所望の電気経路が有するイ
ンピーダンス素子を電流値に応じて適応的に用いた電流
検出を行うことができると共に過電流又は過電圧状態の
検出時に全電気経路を遮断することができ、かくするに
つき、順方向及び逆方向の双方向で電流検出を行い得る
と共に電流検出の検出幅を拡大し得、さらに過放電及び
過充電状態から２次電池を保護することができる。
【図１】本発明の第１実施例による電流検出装置の構成
を示すブロツク図である。
を示すブロツク図である。
【図２】第１実施例によるスイツチング制御及び電流検
出手順の説明に供するフローチヤートである。
出手順の説明に供するフローチヤートである。
【図３】第１実施例によるスイツチング制御及び電流検
出手順の説明に供するフローチヤートである。
出手順の説明に供するフローチヤートである。
【図４】本発明の第２実施例による電流検出装置の構成
を示すブロツク図である。
を示すブロツク図である。
【図５】第２実施例によるスイツチング制御及び電流検
出手順の説明に供するフローチヤートである。
出手順の説明に供するフローチヤートである。
【図６】第２実施例によるスイツチング制御及び電流検
出手順の説明に供するフローチヤートである。
出手順の説明に供するフローチヤートである。
【図７】本発明の第３実施例による電源装置の構成を示
すブロツク図である。
すブロツク図である。
【図８】電源装置の詳細構成を示すブロツク図である。
【図９】他の実施例による電流検出装置の構成を示すブ
ロツク図である。
ロツク図である。
１、１０……電流検出装置、２、３……電流検出部、
４、１１、２５……ＦＥＴ、５、２９……切換え制御
部、２０……電源装置、２１……スイツチ部、２２……
検出部、２３……２次電池、２４……制御部、２６……
電圧検出部、２７、２８……保護制御部。
４、１１、２５……ＦＥＴ、５、２９……切換え制御
部、２０……電源装置、２１……スイツチ部、２２……
検出部、２３……２次電池、２４……制御部、２６……
電圧検出部、２７、２８……保護制御部。
Claims (7)
- 【請求項１】一方及び他方の端子間に導電する導電電流
の電流値を検出する電流検出装置において、 上記一方及び他方の端子間に設けられ、各々異なる抵抗
値のインピーダンス素子を有する複数の電気経路と、 上記インピーダンス素子の両端電圧を測定することによ
り所望の上記電気経路を介して導電する上記導電電流の
電流値及び電流方向を検出する電流検出手段と、 上記複数の電気経路上に各々直列に接続して設けられた
トランジスタ素子でなり、制御信号に応じて整流方向が
切り換わるスイツチ手段と、 上記電流検出手段の検出結果に応じた上記制御信号を送
出して各上記スイツチ手段の上記整流方向を切り換える
ことにより、各上記電気経路の導通及び遮断状態を切換
え制御する切換え制御手段とを具えることを特徴とする
電流検出装置。 - 【請求項２】上記スイツチ手段は、 所定方向を能動時の整流方向とする電界効果トランジス
タと、 上記電界効果トランジスタ内に設けられ、当該電界効果
トランジスタの非能動時に上記能動時の整流方向と逆方
向に整流を行う寄生ダイオードとを具え、 上記制御手段は、 所望の電気経路が有する上記スイツチ手段を他の上記電
気経路が有する上記スイツチ手段と排他的状態に切り換
えることにより、上記所望の電気経路が有するスイツチ
手段を導通状態とすると共に上記他の電気経路が有する
スイツチ手段を遮断状態に切り換えることを特徴とする
請求項１に記載の電流検出装置。 - 【請求項３】一方及び他方の端子間に導電する導電電流
の電流値を検出する電流検出装置において、 上記一方及び他方の端子間に設けられ、各々異なる抵抗
値のインピーダンス素子を有する複数の電気経路と、 上記インピーダンス素子の両端電圧を測定することによ
り所望の上記電気経路を介して導電する上記導電電流の
電流値及び電流方向を検出する電流検出手段と、 抵抗値が最大である上記インピーダンス素子を有する電
気経路以外の上記複数の電気経路上に各々直列に接続し
て設けられたトランジスタ素子でなり、制御信号に応じ
て整流方向が切り換わるスイツチ手段と、 上記電流検出手段の検出結果に応じた上記制御信号を送
出して各上記スイツチ手段の上記整流方向を切り換える
ことにより、各上記電気経路の導通及び遮断状態を切換
え制御する切換え制御手段とを具えることを特徴とする
電流検出装置。 - 【請求項４】上記スイツチ手段は、 所定方向を能動時の整流方向とする電界効果トランジス
タと、 上記電界効果トランジスタ内に設けられ、当該電界効果
トランジスタの非能動時に上記能動時の整流方向と逆方
向に整流を行う寄生ダイオードとを具え、 上記制御手段は、 所望の上記電気経路が有する上記スイツチ手段を他の上
記電気経路が有する上記スイツチ手段と排他的状態に切
り換えることにより、上記所望の電気経路が有する上記
スイツチ手段を導通状態とすると共に他の電気経路が有
する上記スイツチ手段を遮断状態とし、また全上記スイ
ツチ手段を同一状態に切り換えることにより、上記抵抗
値が最大であるインピーダンス素子を有する電気経路以
外の上記電気経路を遮断状態に切り換えることを特徴と
する請求項３に記載の電流検出装置。 - 【請求項５】一方及び他方の端子間に導電する導電電流
の電流値を検出する電流検出方法において、 上記導電電流の電流値に応じて、上記一方及び他方の端
子間に形成した複数の電気経路から所望の電気経路を適
応的に選定する導電経路選定ステツプと、 上記導電電流の電流値及び電流方向に応じて、上記複数
の電気経路に設けられたトランジスタ素子でなるスイツ
チ手段の整流方向を切り換えることにより、上記所望の
電気経路を導通状態とすると共に他の電気経路を遮断状
態に切り換える切換えステツプと、 上記所望の電気経路を介した上記導電電流の電流値を、
当該所望の電気経路が有するインピーダンス素子の両端
電圧を測定することにより検出する電流検出ステツプと
を具えることを特徴とする電流検出方法。 - 【請求項６】所定の充電装置から入出力端子を介して与
えられる充電電流を、収納した２次電池に供給すること
で充電を行い、また上記２次電池から放電する放電電流
を上記入出力端子を介して上記電子機器に電源電流とし
て供給する２次電池装置において、 上記入出力端子と上記２次電池の正極又は負極との間に
複数形成され、各々異なる抵抗値でなるインピーダンス
素子を有する電気経路と、 上記インピーダンス素子の両端電圧を測定することによ
り上記電気経路を介して導電する上記充電電流又は上記
放電電流の電流値及び電流方向を検出する電流検出手段
と、 上記複数の電気経路上に各々直列に接続して設けられた
トランジスタ素子でなり、制御信号に応じて整流方向が
切り換わる第１のスイツチ手段と、 一端が各上記第１のスイツチ手段に共通に接続されると
共に他端が上記入出力端子に接続されたトランジスタ素
子でなり、上記制御信号に応じて整流方向が切り換わる
第２のスイツチ手段と、 上記電流検出手段の検出結果に応じた上記制御信号を送
出して各上記第１のスイツチ手段及び上記第２のスイツ
チ手段の上記整流方向を切り換えることにより、各上記
電気経路の導通及び遮断状態を切換え制御する切換え制
御手段とを具えることを特徴とする２次電池装置。 - 【請求項７】上記第１のスイツチ手段は、 所定方向を能動時の整流方向とする電界効果トランジス
タと、 上記電界効果トランジスタ内に設けられ、当該電界効果
トランジスタの非能動時に上記能動時の整流方向と逆方
向に整流を行う寄生ダイオードとを具え、 上記第２のスイツチ手段は、 上記所定方向と逆方向を能動時の整流方向とする電界効
果トランジスタと、 上記電界効果トランジスタ内に設けられ、当該電界効果
トランジスタの非能動時に上記能動時の整流方向と逆方
向に整流を行う寄生ダイオードとを具え、 上記制御手段は、 所望の電気経路が有する上記第１のスイツチ手段を他の
上記電気経路が有する上記第１のスイツチ手段と排他的
状態に切り換えることにより、上記所望の電気経路の上
記第１のスイツチ手段を導通状態とすると共に上記他の
電気経路が有する上記第１のスイツチ手段を遮断状態と
し、また上記第２のスイツチ手段の整流方向を切り換え
ることにより、上記複数の電気経路の全てを導通状態又
は遮断状態に切り換えることを特徴とする請求項６に記
載の２次電池装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4349197A JPH10239358A (ja) | 1997-02-27 | 1997-02-27 | 電流検出装置及び電流検出方法、並びに２次電池装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4349197A JPH10239358A (ja) | 1997-02-27 | 1997-02-27 | 電流検出装置及び電流検出方法、並びに２次電池装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10239358A true JPH10239358A (ja) | 1998-09-11 |
Family
ID=12665194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4349197A Pending JPH10239358A (ja) | 1997-02-27 | 1997-02-27 | 電流検出装置及び電流検出方法、並びに２次電池装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10239358A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000134804A (ja) * | 1998-10-27 | 2000-05-12 | Nec Corp | 充放電切替回路 |
| JP2001292593A (ja) * | 2000-04-04 | 2001-10-19 | Canon Inc | 漏電検知を有したｄｃモータ駆動装置および該ｄｃモータ駆動装置を使用した機器 |
| JP2001351697A (ja) * | 2000-06-02 | 2001-12-21 | Sony Corp | バッテリパック |
| JP2002176730A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-06-21 | Ricoh Co Ltd | 充放電保護回路、該充放電保護回路を組み込んだバッテリーパック、該バッテリーパックを用いた電子機器 |
| JP2008283743A (ja) * | 2007-05-08 | 2008-11-20 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 二次電池保護装置及び半導体集積回路装置 |
| WO2011030713A1 (ja) * | 2009-09-11 | 2011-03-17 | 株式会社ソニー・コンピュータエンタテインメント | 充電回路及び充電方法 |
| WO2014167778A1 (ja) * | 2013-04-12 | 2014-10-16 | パナソニック株式会社 | 過電流検出装置、及び当該過電流検出装置を用いた充放電システム、分電盤、充電制御装置、車両用充放電装置、車両用電気機器 |
| CN111697662A (zh) * | 2020-06-24 | 2020-09-22 | 东莞新能德科技有限公司 | 电池保护电路及方法、电化学装置及电子装置 |
-
1997
- 1997-02-27 JP JP4349197A patent/JPH10239358A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000134804A (ja) * | 1998-10-27 | 2000-05-12 | Nec Corp | 充放電切替回路 |
| JP2001292593A (ja) * | 2000-04-04 | 2001-10-19 | Canon Inc | 漏電検知を有したｄｃモータ駆動装置および該ｄｃモータ駆動装置を使用した機器 |
| JP2001351697A (ja) * | 2000-06-02 | 2001-12-21 | Sony Corp | バッテリパック |
| JP4491917B2 (ja) * | 2000-06-02 | 2010-06-30 | ソニー株式会社 | バッテリパック |
| JP2002176730A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-06-21 | Ricoh Co Ltd | 充放電保護回路、該充放電保護回路を組み込んだバッテリーパック、該バッテリーパックを用いた電子機器 |
| JP2008283743A (ja) * | 2007-05-08 | 2008-11-20 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 二次電池保護装置及び半導体集積回路装置 |
| WO2011030713A1 (ja) * | 2009-09-11 | 2011-03-17 | 株式会社ソニー・コンピュータエンタテインメント | 充電回路及び充電方法 |
| WO2014167778A1 (ja) * | 2013-04-12 | 2014-10-16 | パナソニック株式会社 | 過電流検出装置、及び当該過電流検出装置を用いた充放電システム、分電盤、充電制御装置、車両用充放電装置、車両用電気機器 |
| JP2014207766A (ja) * | 2013-04-12 | 2014-10-30 | パナソニック株式会社 | 過電流検出装置、及び当該過電流検出装置を用いた充放電システム、分電盤、充電制御装置、車両用充放電装置、車両用電気機器 |
| CN111697662A (zh) * | 2020-06-24 | 2020-09-22 | 东莞新能德科技有限公司 | 电池保护电路及方法、电化学装置及电子装置 |
| CN111697662B (zh) * | 2020-06-24 | 2023-10-20 | 东莞新能德科技有限公司 | 电池保护电路及方法、电化学装置及电子装置 |
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