JPH10229639A - 集積化供給保護 - Google Patents

集積化供給保護

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JPH10229639A
JPH10229639A JP9345994A JP34599497A JPH10229639A JP H10229639 A JPH10229639 A JP H10229639A JP 9345994 A JP9345994 A JP 9345994A JP 34599497 A JP34599497 A JP 34599497A JP H10229639 A JPH10229639 A JP H10229639A
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JP
Japan
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battery
transistor device
condition
transistor
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JP9345994A
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English (en)
Inventor
Joseph Notaro
ノタロ ジョセフ
David Frank Swanson
フランク スワンソン デイビッド
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STMicroelectronics lnc USA
Original Assignee
SGS Thomson Microelectronics Inc
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H11/00—Emergency protective circuit arrangements for preventing the switching-on in case an undesired electric working condition might result
    • H02H11/002—Emergency protective circuit arrangements for preventing the switching-on in case an undesired electric working condition might result in case of inverted polarity or connection; with switching for obtaining correct connection
    • H02H11/003—Emergency protective circuit arrangements for preventing the switching-on in case an undesired electric working condition might result in case of inverted polarity or connection; with switching for obtaining correct connection using a field effect transistor as protecting element in one of the supply lines
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H9/00—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
    • H02H9/04—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage
    • H02H9/045—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage adapted to a particular application and not provided for elsewhere
    • H02H9/046—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage adapted to a particular application and not provided for elsewhere responsive to excess voltage appearing at terminals of integrated circuits

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 過電圧条件及び逆バッテリ電圧条件に対して
保護を与えることが可能な単一のチップ上に構成するこ
との可能な電気的パワー保護回路を提供することを目的
とする。 【解決手段】 本発明の電気的パワー保護集積回路装置
は、バッテリ電源から直接的に又は間接的にパワーが供
給され、バッテリ電源の逆バッテリ条件に対して保護を
与える逆バッテリ条件保護要素と、該逆バッテリ条件保
護要素へ結合されており、バッテリ電源の過電圧条件に
対して保護を与え且つバッテリ過電圧条件及び逆バッテ
リ電圧条件の両方から分離されている保護パワー出力を
発生する過電圧保護要素を有している。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、大略、電気的パワ
ー保護回路に関するものであって、更に詳細には、自動
車適用例において使用されるような電気的パワー保護回
路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】パワー異常から電気的回路及びシステム
を保護することの必要性は当該技術分野において公知で
ある。全ての電気的装置は、それが動作するプライム電
気的パワーのタイプ及び範囲に関して制限を有してお
り、且つプライム電気的パワーがこれらの制限を超える
場合には、適切な装置の性能を確保するために特別の予
防策を使用せねばならない。
【０００３】より一般的なタイプのプライムパワー異常
としては、過電圧条件、不足電圧条件、逆バッテリ条
件、停電及びノイズ等がある。過電圧及び逆バッテリ条
件は、それが発生した場合に装置に損傷を与える可能性
があるという点において特に問題である。
【０００４】多くの適用例及び特に自動車の適用例にお
いて、電気的装置及び回路は、損傷を発生することなし
に厳しい主直流（ＤＣ）パワー過電圧条件に耐え、且つ
ある場合には、中断されることのない動作を与えること
が必要とされる。逆バッテリ電源の付与も自動車適用例
においてはかなり一般的である。これらの不所望のパワ
ー条件を取除くか又は適切に制御するために、主電源と
電気的装置との間に何等かの形態のパワー条件付けを与
えることは通常の設計予防策である。
【０００５】従来技術におけるパワーライン即ち電力線
条件付けは、個別の電気的部品、集積回路及びハイブリ
ッド構成を使用して達成されている。あるパワー集積回
路は過電圧保護集積化オンチップを有しているが、従来
技術においてはこのことは非常にシリコンを消費するも
のでありそれによりコスト増加となるという欠点を有し
ていた。集積回路信号パワー出力段も、これらの一層高
い電圧に耐えるべく設計されねばならず、その結果、例
えばＶｃｅ（ｃａｔ）及びＲｄｓ（ｏｎ）等のある装置
特性が劣化されている。しばしば、例えばハイパワーツ
ェナーダイオード等の付加的な外部個別部品を、そうで
なければ、電気的回路内に存在するその他の低電圧デジ
タル／アナログ回路に損傷を与えるような電圧スパイク
を吸収するために設けられている。これらの外部的部品
は寸法、コストを増加させ、且つパワー効率を低下させ
る可能性がある。
【０００６】逆バッテリ条件に関しては、種々の従来技
術の回路トポロジィ（低／高側、半／全ブリッジ）にお
いて、大きな誘導性又は低抵抗性負荷を駆動する場合
に、非常に大きな電流がパワー装置寄生基板ダイオード
又はフリーホイーリングダイオード内を流れる場合があ
る。電気的回路において使用される部品は、損傷を発生
することなしに予測される逆バッテリ条件に耐えるよう
に設計されねばならず、且つ従来技術においては、この
ことは、典型的に、シリコンを消費する集積回路構成体
を使用することを意味していた。
【０００７】従来公知の如く、前述した大きな電流は、
負荷、パワー装置及び／又は回路内のその他の電気的部
品を損傷する場合がある。通常、ヒューズが挿入されて
いるが、ある個別的な従来の解決方法では供給ライン側
か接地ライン側のいずれかにパワーＭＯＳＦＥＴ（金属
・酸化物・シリコン電界効果トランジスタ）を使用して
いる。パワーＭＯＳＦＥＴは、通常動作期間中、ターン
オンされ、且つ逆バッテリ条件期間中にターンオフされ
て電流の流れを中断させる。供給側上のパワーＭＯＳＦ
ＥＴの場合には、チャージポンプと論理回路が通常必要
とされる。接地側上のパワーＭＯＳＦＥＴの場合には、
最小供給電圧に依存してチャージポンプが必要とされる
場合も必要とされない場合もあるが、何等かのタイプの
制御回路が必要とされる。接地側に対する従来のＭＯＳ
ＦＥＴアプローチの欠点は不所望の接地バウンス（跳ね
返り）効果である。
【０００８】従って、従来技術においては、外部部品又
は回路を必要とすることのない単一チップ上に集積化さ
せたパワー保護回路を提供することが可能であることの
必要性が存在している。従って、特に厳しい過電圧及び
逆バッテリ電圧保護条件を有するものとして知られてい
る自動車適用例において必要とされる保護を与えること
が可能な単一チップ解決手段を提供することが可能であ
ることが有益的である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上の点に
鑑みなされたものであって、上述した如き従来技術の欠
点を解消し、電気的パワー保護回路を実現するために外
部的部品や回路が必要とされることのない集積回路装置
として単一チップ上に設けた電気的パワー保護回路を提
供することを目的とする。本発明の別の目的とするとこ
ろは、過電圧及び逆バッテリ電圧条件に対して保護を与
えることの可能な電気的パワー保護回路を提供すること
である。本発明の更に別の目的とするところは、自動車
適用例における過電圧及び逆バッテリ電圧条件に対して
保護を与えることの可能な電気的パワー保護回路を提供
することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、電気的
パワー保護集積回路が逆バッテリ及び過電圧条件が一般
的である自動車適用例において特に価値のある逆バッテ
リ及び過電圧条件に対する保護を提供する。電気的パワ
ー保護集積回路は、バッテリ電源から直接的又は間接的
にパワーが供給され、バッテリ電源の逆バッテリ条件に
対する保護を与える逆バッテリ条件保護要素と、前記逆
バッテリ条件保護要素へ結合されており、前記バッテリ
電源の過電圧条件に対して保護を与え且つバッテリ過電
圧条件及び逆バッテリ電圧条件から分離されている保護
パワー出力を発生する過電圧保護要素とを有している。
更に、本集積回路装置は、更に、逆バッテリ電圧条件か
ら分離されている補助的保護パワー出力を発生すること
が可能である。
【００１１】逆バッテリ条件保護要素は、バッテリ電源
で直接的に又は間接的にパワーが供給され且つ例えばＭ
ＯＳＦＥＴ等の第一トランジスタ要素と、該第一トラン
ジスタ要素へ結合されており電気的パワー保護回路の通
常動作条件期間中に該第一トランジスタ装置へ一定電圧
を供給する第一ドライバ装置と、該第一トランジスタ装
置及び該第一ドライバ装置へ結合されているスイッチと
を有している。バッテリ電源の逆バッテリ条件期間中、
該逆バッテリ条件保護要素は動作不能であり、従って該
バッテリ電源から該過電圧保護要素へ電流が流れること
はなく、それにより該保護パワー出力は該バッテリ電源
から分離される。該第一トランジスタ装置は、該バッテ
リ電源と該第一ドライバ装置によって発生される該一定
電圧との間に短絡条件を与える該スイッチによってター
ンオフされる。該バッテリ電源と該一定電圧との間の短
絡条件は、該第一トランジスタ装置のゲート対ソース電
圧を強制的に０とさせる。
【００１２】該過電圧保護要素は該逆バッテリ条件保護
要素へ結合されており且つ保護パワー出力（即ち、保護
されたパワー出力）を発生し且つ該保護パワー出力を発
生する該第一トランジスタ装置へ結合している第二トラ
ンジスタ装置と、該第二トランジスタ装置へ結合されて
おり該第二トランジスタ装置へ供給される電圧を発生す
る第二ドライバ装置と、該第二ドライバ装置へ結合され
ているレギュレータ（調整器）装置とを有している。該
バッテリ電源の過電圧条件期間中、該過電圧保護要素は
該バッテリ電源の過電圧条件から分離されている該保護
パワー出力を一定値に維持すべく動作する。該第二トラ
ンジスタ装置は該レギュレータ装置によって一定とされ
る該第二ドライバ装置によって発生される電圧によって
調整される。該第二トランジスタ装置の調整は、該第二
トランジスタ装置をして飽和動作領域に入らせ、従って
該第二トランジスタ装置は該保護パワー出力を該一定値
に維持すべく動作する。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明は、過電圧条件及び逆バッ
テリ条件に対して完全に保護されている供給電圧を供給
する新規な方法を使用する集積回路を提供している。
【００１４】図１を参照すると、本発明の電気的パワー
保護回路１０５の全体的なブロック図１００が示されて
いる。電気的パワー保護回路１０５の構成要素は、集積
回路装置上に設けることが可能であり、且つ本発明の集
積回路構成は従来技術の問題を解消している。電源Ｖｂ
ａｔｔがパワー入力端１１５へ印加される。保護されて
いる電圧出力即ち保護電圧出力Ｖｐｒｏｔが保護パワー
出力端１２０からとられる。通常の電流経路は、パワー
入力端１１５から第一ＭＯＳＦＥＴトランジスタ１４０
へ、第二ＭＯＳＦＥＴトランジスタ１４５へ、保護パワ
ー出力端１２０への経路である。第一基板ダイオード１
３０及び第二基板ダイオード１３５は基板ダイオードで
あって且つ夫々、図示した如く、第一ＭＯＳＦＥＴトラ
ンジスタ１４０及び第二ＭＯＳＦＥＴトランジスタ１４
５と一体的である。第一ＭＯＳＦＥＴトランジスタ１４
０及び関連する部品である第一ドライバ１５５及びスイ
ッチ１５０は逆バッテリ条件（Ｖｂａｔｔ＜０）に対し
て保護を与えることが意図されている。第二ＭＯＳＦＥ
Ｔトランジスタ１４５及び関連する部品である第二ドラ
イバ１６０及びレギュレータ／クランプ１６５は、パワ
ー入力端１１５において存在する場合のある過電圧条件
に対する保護を与える。補助的出力端１１０が逆バッテ
リ条件に対してのみ保護されているパワー出力を得るこ
とを可能とするために設けられている。接地１２５は電
気的パワー保護回路１０５に対するパワー接地である。
【００１５】逆バッテリ電圧の場合には、第一ＭＯＳＦ
ＥＴトランジスタ１４０がターンオフされ、従ってパワ
ー入力端１１５と補助的出力端１１０との間において電
流は流れることは不可能である。このことは、スイッチ
１５０によって達成され、該スイッチ１５０は、逆電圧
条件期間中に第一ゲート電圧１７０とパワー入力端１１
５との間に短絡を与え、第一ＭＯＳＦＥＴトランジスタ
１４０のＶｇｓ（ゲート対ソース電圧）を強制的にゼロ
とさせる。Ｖｇｓ＝０である場合には、第一ＭＯＳＦＥ
Ｔトランジスタ１４０がターンオフされ、且つパワー入
力端１１５から保護パワー出力端１２０へ電流が流れる
ことはない。このことは、保護パワー出力端１２０がパ
ワー入力端１１５へ印加された逆バッテリ条件から分離
されていることを意味している。
【００１６】注意すべきことであるが、スイッチ１５０
はスイッチング機能を提供し、その場合に、パワー入力
端１１５及び第一ゲート電圧１７０は、Ｖｇｎｄ＞Ｖｂ
ａｔｔである場合に短絡され、これらはそうでない場合
には短絡されない。このスイッチング機能は基本的なも
のであり且つ当該技術において公知の如く、スイッチ１
５０に対して示したＦＥＴ以外の手段によって達成する
ことも可能である。
【００１７】第一ドライバ１５５の目的は、第一ゲート
電圧１７０において一定電圧を維持することであり、従
って第一ＭＯＳＦＥＴトランジスタ１４０が通常動作期
間中において常にターンオンされる。第一ドライバ１５
５は、典型的に、調整された供給電圧又はチャージポン
プであって、第一ゲート電圧１７０において一定電圧を
供給することは当該技術分野において種々の方法が公知
である。第一ゲート電圧１７０における電圧は装置タイ
プに依存し且つ第一ＭＯＳＦＥＴトランジスタ１４０が
ターンオン状態を維持することを確保するのに充分な値
を有している。公称的なＶｂａｔｔを超えるパワー入力
端１１５における過電圧過渡的状態はどの装置がより小
さな電圧降下を有しているかに依存して第一基板ダイオ
ード１３０又は第一ＭＯＳＦＥＴトランジスタ１４０に
よってパスされて補助的出力端１１０上に表われる。第
二ＭＯＳＦＥＴトランジスタ１４５のゲートはレギュレ
ータ／クランプ１６５、レギュレータ／クランプ電圧１
８０及び第二ドライバ１６０の結合によって第二ゲート
電圧１８５における一定値へクランプ又は調整される。
補助的出力端１１０における過電圧条件及び一定な第二
ゲート電圧１８５の結果は、第二ＭＯＳＦＥＴトランジ
スタ１４５が飽和動作領域へ入り、それにより、保護パ
ワー出力端１２０は一定であるが増加された電圧に維持
される。換言すると、補助的出力端１１０において増加
された電圧は第二ＭＯＳＦＥＴトランジスタ１４５によ
って吸収され、第二ＭＯＳＦＥＴトランジスタ１４５を
横断する電圧差における増加として表われ、それは保護
パワー出力端１２０を基本に一定に維持し且つパワー入
力端１１５における過電圧条件から分離状態とさせる。
【００１８】第二ドライバ１６０とレギュレータ／クラ
ンプ１６５との結合の目的は、第二ゲート電圧１８５に
おいて一定電圧を維持することであり、従って第二ＭＯ
ＳＦＥＴトランジスタ１４０は通常動作期間中は常にタ
ーンオンされるが、前述した如く補助的出力端１１０に
おける過電圧条件に応答する。第二ドライバ１６０は、
典型的に、調整された供給電圧か又はチャージポンプで
あり、且つレギュレータ／クランプ１６５はレギュレー
タか又は電圧クランプである。一定の第二ゲート電圧１
８５を供給することは当該技術分野において多くの方法
が公知である。第二ゲート電圧１８５は、典型的に、装
置タイプに依存し且つ第二ＭＯＳＦＥＴトランジスタ１
４５が前述した如くにターンオンされた状態を維持する
ことを確保するのに充分な値を有している。
【００１９】本発明の過電圧保護メカニズムのより詳細
な説明として、第一ＭＯＳＦＥＴトランジスタ１４０が
ターンオンされるか又は第一基板ダイオード１３０を順
方向バイアスさせるので、パワー入力端１１５における
過電圧条件が補助的出力端１１０上に表われることに注
意すべきである。何等のアクションがとられない場合に
は、保護パワー出力端１２０は補助的出力端１１０に追
従する。第二ゲート電圧１８５が一定電圧に維持される
場合には（第二ドライバ１６０及びレギュレータ／クラ
ンプ１６５によって）、補助的出力端１１０が増加する
と、保護パワー出力端１２０は追従しようとし、そのこ
とは第二ＭＯＳＦＥＴトランジスタ１４５のＶｇｓにお
いて減少を発生する。このＶｇｓにおける減少は、第二
ＭＯＳＦＥＴトランジスタ１４５のＲｄｓ（ｏｎ）をし
て増加させ、そのことは保護パワー出力端１２０におけ
る電圧を減少させる。これは、Ｖｐｒｏｔを基本的に一
定値に維持することが可能なメカニズムである。
【００２０】図２を参照すると、波形Ａは過電圧過渡的
条件期間中におけるパワー入力端１１５において存在す
る電圧Ｖｂａｔｔを表わしている。この電圧は公称動作
電圧Ｖｂａｔｔ−ｎｏｍにおいて開始し、Ｖｂａｔｔ−
ｎｏｍへ復帰する前に、瞬間的に過電圧Ｖｂａｔｔ−ｏ
ｖへ増加する。波形Ｂは補助的出力端１１０におけるそ
の結果得られる電圧を表わしており、且つパワー入力端
１１５から補助的出力端１１０へどのようにして過電圧
条件が伝搬されるかを示している。補助的出力端１１０
における電圧はどちらの装置がより小さな電圧降下を有
しているかに依存して第一基板ダイオード１３０又は第
一ＭＯＳＦＥＴトランジスタ１４０の順方向電圧降下に
よってＶｂａｔｔ−ｏｖより僅かに小さい。波形Ｃは過
電圧過渡的期間中における第二ＭＯＳＦＥＴトランジス
タ１４５のＶｇｓを示しており、且つ波形Ｄは、保護パ
ワー出力端１２０における電圧がこの過渡的期間中にど
のようにして拘束されるかを示している。保護パワー出
力端１２０において存在する電圧は、通常動作期間中、
［Ｖｂａｔｔ−ｎｏｍ−ｌｌｏａｄ（Ｒｄｓ（ｏｎｔｏ
ｔａｌ））］であり、その場合にｌｌｏａｄは保護パワ
ー出力端１２０へ取付けられている負荷（不図示）によ
って引出される電流であり、且つＲｄｓ（ｏｎ）（オン
状態におけるドレイン対ソース抵抗）ｔｏｔａｌは第一
ＭＯＳＦＥＴトランジスタ１４０のＲｄｓ（ｏｎ）と加
算された第二ＭＯＳＦＥＴトランジスタ１４５のＲｄｓ
（ｏｎ）である。過電圧過渡的期間中、保護パワー出力
端１２０における最大電圧は、第二ゲート電圧１８５に
おけるクランプ電圧の値によって制限される。
【００２１】前述した説明から理解されるように、本発
明は、保護パワー出力端１２０へ接続されている電気的
装置を、パワー入力端１１５上に存在することのある過
電圧条件及び逆バッテリ電圧条件からの保護を与えてい
る。このことは、電気的装置の回路の簡単化を可能とし
ている。何故ならば、それらは過電圧条件又は逆バッテ
リ電圧条件を受けることがないからである。本発明は、
保護出力端を分離させるために過電圧条件及び逆バッテ
リ電圧条件をクランピングではなくブロッキングする新
規な技術によってこの保護を提供している。本発明は、
連続したドレインを具備する新規なデュアルパワーＭＯ
ＳＦＥＴ構造及び関連する制御構造を使用することによ
って何等外部の部品を必要とすることなしに単一のチッ
プ上においてこの保護を実現している。
【００２２】以上、本発明の具体的実施の態様について
詳細に説明したが、本発明は、これら具体例にのみ限定
されるべきものではなく、本発明の技術的範囲を逸脱す
ることなしに種々の変形が可能であることは勿論であ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明に基づく集積化供給保護回路を示した
概略ブロック図。
【図２】 （Ａ）−（Ｄ）は本発明に基づく過電圧過渡
的条件期間中において発生する種々の波形を示した各グ
ラフ図。
【符号の説明】
１０５ 電気的パワー保護回路 １１５ パワー入力端 １２０ 保護パワー出力端 １３０ 第一基板ダイオード １３５ 第二基板ダイオード １４０ 第一ＭＯＳＦＥＴトランジスタ １４５ 第二ＭＯＳＦＥＴトランジスタ １５０ スイッチ １５５ 第一ドライバ １６０ 第二ドライバ １６５ レギュレータ／クランプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジョセフ ノタロ アメリカ合衆国， ミシガン 48167， ノースビル， ノースビル プレイス ド ライブ 20556 (72)発明者 デイビッド フランク スワンソン アメリカ合衆国， ミシガン 48843， ハウエル， ディンケル ドライブ 301

Claims (41)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 過電圧及びバッテリ電圧条件に対して保
    護を与える電気的パワー保護回路において、 バッテリ電源が供給され、前記バッテリ電源の逆バッテ
    リ条件に対する保護を与える逆バッテリ条件保護要素、 前記逆バッテリ条件保護要素に結合されており、前記バ
    ッテリ電源の過電圧条件に対して保護を与え且つ保護パ
    ワー出力を発生する過電圧保護要素、を有することを特
    徴とする電気的パワー保護回路。
  2. 【請求項２】 請求項１において、前記バッテリ電源の
    逆バッテリ条件期間中に、前記逆バッテリ条件保護要素
    が動作不能であり、従って前記バッテリ電源から前記過
    電圧保護要素へ電流が流れることがなく、それにより前
    記保護パワー出力を前記バッテリ電源から分離させるこ
    とを特徴とする電気的パワー保護回路。
  3. 【請求項３】 請求項２において、前記逆バッテリ条件
    保護要素が、 第一トランジスタ装置、 前記第一トランジスタ装置へ結合されており、前記電気
    的パワー保護回路の通常動作条件期間中に前記第一トラ
    ンジスタ装置へ一定電圧を供給する第一ドライバ装置、 前記第一トランジスタ装置及び前記第一ドライバ装置へ
    結合されているスイッチ、 を有しており、前記バッテリ電源の逆バッテリ条件期間
    中に、前記第一トランジスタ装置がターンオフされるこ
    とを特徴とする電気的パワー保護回路。
  4. 【請求項４】 請求項３において、前記バッテリ電源の
    逆バッテリ条件期間中に、前記第一トランジスタ装置が
    前記バッテリ電源と前記第一ドライバ装置によって発生
    される前記一定電圧との間に短絡条件を与える前記スイ
    ッチによってターンオフされることを特徴とする電気的
    パワー保護回路。
  5. 【請求項５】 請求項４において、前記第一トランジス
    タ装置がＭＯＳＦＥＴトランジスタであり、且つ前記バ
    ッテリ電源と前記一定電圧との間の短絡条件が前記第一
    トランジスタ装置のゲート対ソース電圧を強制的に０と
    させることを特徴とする電気的パワー保護回路。
  6. 【請求項６】 請求項３において、前記第一トランジス
    タ装置が基板ダイオードを有することを特徴とする電気
    的パワー保護回路。
  7. 【請求項７】 請求項３において、前記スイッチがＦＥ
    Ｔ（電界効果トランジスタ）であることを特徴とする電
    気的パワー保護回路。
  8. 【請求項８】 請求項３において、前記第一ドライバ装
    置が調整された電源であることを特徴とする電気的パワ
    ー保護回路。
  9. 【請求項９】 請求項３において、前記第一ドライバ装
    置がチャージポンプであることを特徴とする電気的パワ
    ー保護回路。
  10. 【請求項１０】 請求項１において、前記バッテリ電源
    の過電圧条件期間中に、前記過電圧保護要素が動作して
    前記保護パワー出力を前記バッテリ電源の過電圧条件か
    ら分離されている一定電圧に維持することを特徴とする
    電気的パワー保護回路。
  11. 【請求項１１】 請求項１０において、前記過電圧保護
    要素が、 第二トランジスタ装置、 前記第二トランジスタ装置へ結合されており、前記第二
    トランジスタ装置へ供給する電圧を発生する第二ドライ
    バ装置、 前記第二ドライバ装置へ結合されているレギュレータ装
    置、を有しており、前記バッテリ電源の過電圧条件期間
    中、前記第二トランジスタ装置が前記レギュレータ装置
    によって一定とされる前記第二ドライバ装置によって発
    生される電圧によって調整され且つ前記第二トランジス
    タ装置の調整が前記第二トランジスタ装置をして飽和動
    作領域へ入らせ、従って前記第二トランジスタ装置が前
    記保護パワー出力を一定電圧に維持すべく動作すること
    を特徴とする電気的パワー保護回路。
  12. 【請求項１２】 請求項１１において、前記第二トラン
    ジスタ装置が基板ダイオードを有していることを特徴と
    する電気的パワー保護回路。
  13. 【請求項１３】 請求項１１において、前記第二ドライ
    バ装置が調整された電源であることを特徴とする電気的
    パワー保護回路。
  14. 【請求項１４】 請求項１１において、前記第二ドライ
    バ装置がチャージポンプであることを特徴とする電気的
    パワー保護回路。
  15. 【請求項１５】 請求項１１において、前記レギュレー
    タ装置がクランプ装置によって置換されていることを特
    徴とする電気的パワー保護回路。
  16. 【請求項１６】 請求項１において、更に、前記バッテ
    リ電源の逆バッテリ条件に対して保護されている逆バッ
    テリ条件保護要素によって発生される補助的保護パワー
    出力を有することを特徴とする電気的パワー保護回路。
  17. 【請求項１７】 請求項１において、前記逆バッテリ条
    件保護要素が、 第一トランジスタ装置、 前記第一トランジスタ装置へ結合されており、前記電気
    的パワー保護回路の通常動作条件期間中に前記第一トラ
    ンジスタ装置へ一定電圧を供給する第一ドライバ装置、 前記第一トランジスタ装置及び前記第一ドライバ装置へ
    結合されているスイッチ、を有しており、且つ前記過電
    圧保護要素が、 第二トランジスタ装置、 前記第二トランジスタ装置へ結合されており、前記第二
    トランジスタ装置へ供給される電圧を発生する第二ドラ
    イバ装置、 前記第二ドライバ装置へ結合しているレギュレータ装
    置、を有していることを特徴とする電気的パワー保護回
    路。
  18. 【請求項１８】 請求項１７において、前記バッテリ電
    源の逆バッテリ条件期間中、前記逆バッテリ条件保護要
    素は動作不能であり、従って前記バッテリ電源から前記
    過電圧保護要素へ電流が流れることはなく、それにより
    前記保護パワー出力を前記バッテリ電源から分離させる
    ことを特徴とする電気的パワー保護回路。
  19. 【請求項１９】 請求項１８において、前記バッテリ電
    源の逆バッテリ条件期間中、前記第一トランジスタ装置
    がターンオフされることを特徴とする電気的パワー保護
    回路。
  20. 【請求項２０】 請求項１９において、前記第一トラン
    ジスタ装置が、前記バッテリ電源と前記第一ドライバ装
    置によって発生される一定電圧との間に短絡条件を与え
    る前記スイッチによってターンオフされることを特徴と
    する電気的パワー保護回路。
  21. 【請求項２１】 請求項２０において、前記第一トラン
    ジスタ装置がＭＯＳＦＥＴトランジスタであり、且つ前
    記バッテリ電源と前記一定電圧との間の短絡条件が前記
    第一トランジスタ装置のゲート対ソース電圧を強制的に
    ０とさせることを特徴とする電気的パワー保護回路。
  22. 【請求項２２】 請求項１７において、前記バッテリ電
    源の過電圧条件期間中、前記過電圧保護要素が動作して
    前記保護パワー出力を前記バッテリ電源の過電圧条件か
    ら分離されている一定電圧に維持すべく動作することを
    特徴とする電気的パワー保護回路。
  23. 【請求項２３】 請求項２２において、前記バッテリ電
    源の過電圧条件期間中、前記第二トランジスタ装置が前
    記レギュレータ装置によって一定とされる前記第二ドラ
    イバ装置によって発生される電圧によって調整され、且
    つ前記第二トランジスタ装置の調整が前記第二トランジ
    スタ装置をして飽和動作領域へ入らせ、従って前記第二
    トランジスタ装置が前記保護パワー出力を前記一定電圧
    に維持すべく動作することを特徴とする電気的パワー保
    護回路。
  24. 【請求項２４】 請求項１７において、前記第一トラン
    ジスタ装置が基板ダイオードを有しており且つ前記第二
    トランジスタ装置が基板ダイオードを有していることを
    特徴とする電気的パワー保護回路。
  25. 【請求項２５】 請求項１７において、前記第一トラン
    ジスタ装置が第一ＭＯＳＦＥＴトランジスタであり且つ
    前記第二トランジスタ装置が第二ＭＯＳＦＥＴトランジ
    スタであることを特徴とする電気的パワー保護回路。
  26. 【請求項２６】 請求項１において、前記電気的パワー
    保護回路が集積回路であることを特徴とする電気的パワ
    ー保護回路。
  27. 【請求項２７】 過電圧及び逆バッテリ電圧条件に対し
    て保護を与える電気的パワー保護集積回路において、 バッテリ電源が供給され、前記バッテリ電源の逆バッテ
    リ条件に対して保護を与える逆バッテリ条件保護要素で
    あって、バッテリ電源が供給される第一トランジスタ装
    置と、前記第一トランジスタ装置へ結合されており、前
    記電気的パワー保護回路の通常動作条件期間中に前記第
    一トランジスタ装置へ一定電圧を供給する第一ドライバ
    装置と、前記第一トランジスタ装置及び前記第一ドライ
    バ装置へ結合されているスイッチとを有する逆バッテリ
    条件保護要素、 前記逆バッテリ条件保護要素へ結合されており、前記バ
    ッテリ電源の過電圧条件に対して保護を与え且つ保護パ
    ワー出力を発生する過電圧保護要素であって、前記第一
    トランジスタ装置へ結合されており保護パワー出力を発
    生する第二トランジスタと、前記第二トランジスタ装置
    へ結合されており前記第二トランジスタ装置へ供給され
    る電圧を発生する第二ドライバ装置と、前記第二ドライ
    バ装置へ結合されているレギュレータ装置とを有する過
    電圧保護要素、を有することを特徴とする電気的パワー
    保護集積回路。
  28. 【請求項２８】 請求項２７において、前記バッテリ電
    源の逆バッテリ条件期間中、前記逆バッテリ条件保護要
    素は動作不能であり、従って前記バッテリ電源から前記
    過電圧保護要素へ電流が流れることはなく、それにより
    前記保護パワー出力を前記バッテリ電源から分離させ、
    且つ前記バッテリ電源の過電圧条件期間中、前記過電圧
    保護要素が動作して前記保護パワー出力を前記バッテリ
    電源の過電圧条件から分離されている一定電圧に維持す
    る、ことを特徴とする電気的パワー保護集積回路。
  29. 【請求項２９】 請求項２８において、前記バッテリ電
    源の逆バッテリ条件期間中、前記第一トランジスタ装置
    がターンオフされることを特徴とする電気的パワー保護
    集積回路。
  30. 【請求項３０】 請求項２９において、前記バッテリ電
    源の逆バッテリ条件期間中、前記第一トランジスタ装置
    が前記バッテリ電源と前記第一ドライバ装置によって発
    生される一定電圧との間に短絡条件を与える前記スイッ
    チによってターンオフされることを特徴とする電気的パ
    ワー保護集積回路。
  31. 【請求項３１】 請求項２７において、前記第一トラン
    ジスタ装置がＭＯＳＦＥＴトランジスタであり且つ前記
    バッテリ電源と前記一定電圧との間の短絡条件が前記第
    一トランジスタ装置のゲート対ソース電圧を強制的に０
    とさせることを特徴とする電気的パワー保護集積回路。
  32. 【請求項３２】 請求項２７において、前記バッテリ電
    源の過電圧条件期間中、前記第二トランジスタ装置が前
    記レギュレータ装置によって一定とされる前記第二ドラ
    イバ装置によって発生される電圧によって調整され、且
    つ前記第二トランジスタ装置の調整が前記第二トランジ
    スタ装置をして飽和動作領域へ入らせ、従って前記第二
    トランジスタ装置が前記保護出力パワーを前記一定電圧
    に維持すべく動作することを特徴とする電気的パワー保
    護集積回路。
  33. 【請求項３３】 請求項２７において、前記第一トラン
    ジスタ装置が基板ダイオードを有することを特徴とする
    電気的パワー保護集積回路。
  34. 【請求項３４】 請求項２７において、前記第二トラン
    ジスタ装置が基板ダイオードを有することを特徴とする
    電気的パワー保護集積回路。
  35. 【請求項３５】 請求項２７において、前記スイッチが
    ＦＥＴ（電界効果トランジスタ）であることを特徴とす
    る電気的パワー保護集積回路。
  36. 【請求項３６】 請求項２７において、前記第一ドライ
    バ装置が調整された電源であることを特徴とする電気的
    パワー保護集積回路。
  37. 【請求項３７】 請求項２７において、前記第一ドライ
    バ装置がチャージポンプであることを特徴とする電気的
    パワー保護集積回路。
  38. 【請求項３８】 請求項２７において、前記第二ドライ
    バ装置が調整された電源であることを特徴とする電気的
    パワー保護集積回路。
  39. 【請求項３９】 請求項２７において、前記第二ドライ
    バ装置がチャージポンプ及びクランプであることを特徴
    とする電気的パワー保護集積回路。
  40. 【請求項４０】 請求項２７において、更に、前記バッ
    テリ電源の逆バッテリ条件に対して保護を与える前記逆
    バッテリ条件保護要素によって発生される補助的保護パ
    ワー出力を有することを特徴とする電気的パワー保護集
    積回路。
  41. 【請求項４１】 請求項２７において、前記第一トラン
    ジスタ装置が第一ＭＯＳＦＥＴトランジスタであり且つ
    第二トランジスタ装置が第二ＭＯＳＦＥＴトランジスタ
    であることを特徴とする電気的パワー保護集積回路。
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