JPH10228078A - 感光性媒体及び光応用装置 - Google Patents

感光性媒体及び光応用装置

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JPH10228078A
JPH10228078A JP9033587A JP3358797A JPH10228078A JP H10228078 A JPH10228078 A JP H10228078A JP 9033587 A JP9033587 A JP 9033587A JP 3358797 A JP3358797 A JP 3358797A JP H10228078 A JPH10228078 A JP H10228078A
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JP
Japan
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photosensitive medium
light
cause
unit
substance
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JP9033587A
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English (en)
Inventor
Atsuko Naruse
篤子 成瀬
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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  • Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】光解離に伴い導電性が生じるスピロピラン系フ
ォトクロミック物質で、吸収波長が410nmであり表
面密度高く製膜できる簡便な手段及び手段で製膜した感
光性媒体及び感光性媒体を用いた光記録装置及び画像形
成装置。 【解決手段】吸収スペクトルでレーザの室温発振波長で
ある410nmにピークを有するスピロピラン系物質を
1種類以上含む層を積層させた感光体層からなる感光性
媒体。応用例として、光記録装置では、光ピックアップ
部,信号処理部,半導体レーザ駆動部,光ピックアップ
の位置制御部,感光性媒体駆動部,ターンテーブル,光
ビーム制御部,光システム部等を感光性媒体に具備す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は画像形成装置,光記
録装置及び光伝送路に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の半導体レーザ発振波長で、記録方
式や信号処理等を駆使して記録媒体では面記録密度は
4.7GBが最密であった。プリンタの解像度は、12
00dpiが最高であった。また、短波長用にはレーザは
高出力光を照射する非線形物質の高調波を用いることに
なり、装置のコンパクト化を考慮すると、装置の性能の
向上が望めなかった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記課題を解決する本
発明の要旨は以下の通りである。さらなる記録密度の向
上や解像度の向上で、発光源である室温発振レーザの短
波長化は重要である。又、発振波長が変化すると、光変
換系を利用する場合は波長対応の材料探索が必要とな
る。従来例では光変換系用の該波長域にあった物質が見
い出されなかった。本発明の目的は、室温発振波長41
0nmのGaNとし、光変換系では該波長域にあった物
質を見い出すことで、より高性能でコンパクトな記録装
置や画像形成装置を提供することにある。尚、記録密度
の向上は媒体のコンパクト化が装置に対応することをも
意味する。
【0004】
【課題を解決するための手段】上記目的は、GaNレー
ザを光源に配備し、適当な材料を見い出し感光性媒体を
形成することで達成される。レーザの熱反応を利用する
非可逆的変化で事足りる場合は、レーザの波長とは無関
係にレーザの出力制御で達成される。一方、光可逆的変
化が要求される場合は、410nm波長域で変化する材
料を見い出し特定することで装置化が可能となる。前記
物質及び前記製膜法を用いると例えば、光記録装置及び
画像形成装置への応用が考えられる。或いは、410n
mの波長域における増感色素のポンプ光源装置としての
活用が考えられる。対応物質として、例えば2−[2−
[4−(Dimetylamino)phenyl]ethnyl]naphtho[1,
2−3]thiazole(412nm,MeOH)や2−[2
−[4−(Dimetylamino)phenyl]ethnyl]−3,3−d
imethyl−3H−indole(410nm,MeOH)等が
考えられる。
【0005】前記課題を解決する本発明の要旨は以下の
通りである。
【0006】感光性媒体は、光照射に伴い光解離するス
ピロピラン系フォトクロミック物質で、前記スピロピラ
ン系フォトクロミック物質が1,3,3−Trimetylindo
lino−6′−nitrobenzorylospiranを含む有機フォトク
ロミック物質、例えば光可逆異性化物質であるトラン
ス,シス異性化を起こすスチルベン系,アゾベンゼン
系,ケトーエノール互変異性を起こすアゾヒドラゾン
系,開閉反応を起こすスピロピラン系,閉開反応を起こ
すフルキド系,イオン解離反応を起こすトリフェニルメ
タン系,酸化反応を起こすトリフェニルメタン系,酸化
反応を起こすテトラベンゾペンタセン系,光照射によっ
て表面張力の極性項が変化する物質及びその誘導体を1
種類以上含む層を1層以上形成することで達成される。
光照射に伴いフォトクロミック物質及びその誘導体が構
造変換するために必要な分子間隙を最小限にあけるた
め、予め光解離させた状態で基板に付着させるために
は、GaNレーザを照射しながら製膜し、製膜した感光
性媒体を光解離前の状態へ戻す場合はその後可視光を照
射することで達成される。
【0007】画像形成装置への応用は、光照射に伴い光
解離するスピロピラン系フォトクロミック物質で、前記
スピロピラン系フォトクロミック物質が1,3,3−Tr
imetylindolino−6′−nitrobenzorylospiranを含む有
機フォトクロミック物質、例えば光可逆異性化物質であ
るトランス,シス異性化を起こすスチルベン系,アゾベ
ンゼン系,ケトーエノール互変異性を起こすアゾヒドラ
ゾン系,開閉反応を起こすスピロピラン系,閉開反応を
起こすフルキド系,イオン解離反応を起こすトリフェニ
ルメタン系,酸化反応を起こすトリフェニルメタン系,
酸化反応を起こすテトラベンゾペンタセン系,光照射に
よって表面張力の極性項が変化する物質及びその誘導体
を1種類以上含む層を1層以上形成した感光性媒体で、
前記感光性媒体に対向して設置された印字データの書き
込み消去をする光照射部,光照射によって形成された潜
像に付着させる現像液を入れるための現像液カートリッ
ジ,前記潜像に付着した現像液を写す対象となる被転写
体を搬送する被転写体物搬送ローラ,前記潜像に付着し
た現像液を前記被転写体へ転写した後、不要となった現
像液を取り去るインク取り部,外部より前記印字データ
を受けとるデータ受信部,前記印字データを書き込み消
去するために照射する光の波数と出力を決定するデータ
処理部及び前記処理されたデータに合わせて出力或いは
光源の照射オン/オフ等を制御する出力制御部からな
り、前記感光体は、少なくとも1,3,3−Trimetylin
dolino−6′−nitrobenzorylospiranを含む水との濡れ
性が光照射によって可逆的に変化する前記可逆性物質で
あり、前記光照射部の記録部がGaNレーザであり、前
記出力制御部は複数種類の波長と一つの波長につき1種
類以上の出力制御ができるものとするとさらに汎用性が
増す。
【0008】感光性媒体及び光記録再生装置へ応用する
ため、光照射に伴い光解離するスピロピラン系フォトク
ロミック物質で、前記スピロピラン系フォトクロミック
物質が1,3,3−Trimetylindolino−6′−nitroben
zorylospiranを含む有機フォトクロミック物質、例えば
光可逆異性化物質であるトランス,シス異性化を起こす
スチルベン系,アゾベンゼン系,ケトーエノール互変異
性を起こすアゾヒドラゾン系,開閉反応を起こすスピロ
ピラン系,閉開反応を起こすフルキド系,イオン解離反
応を起こすトリフェニルメタン系,酸化反応を起こすト
リフェニルメタン系,酸化反応を起こすテトラベンゾペ
ンタセン系等の物質及びその誘導体を1種類以上含む層
を1層形成したトラッキングガイドを有する感光性媒体
で、前記感光性媒体に対向して設置された光ピックアッ
プ部と、前記光ピックアップ部から受光した信号を処理
する信号処理部と、前記感光性媒体に光を照射する際の
パワー設定や照射のオンオフを制御する半導体レーザ駆
動部と、光ピックアップの位置を制御する位置制御部
と、前記感光性媒体を回転させる感光性媒体駆動部と、
前記感光性媒体を支持するターンテーブルと、前記感光
性録媒体に記録するための光ビームを照射するための制
御を行う光ビーム制御部と、システム全体の制御や外部
情報を導入するシステム制御部から構成し、半導体レー
ザ駆動部にGaNレーザを配する。
【0009】レーザの熱緩和を利用した非可逆性版の場
合は、トラッキングガイドを有する感光性媒体で、前記
感光性媒体に対向して設置された光ピックアップ部と前
記光ピックアップ部から受光した信号を処理する信号処
理部と、前記感光性媒体に光を照射する際のパワー設定
や照射のオンオフを制御する半導体レーザ駆動部と、光
ピックアップの位置を制御する位置制御部と、前記感光
性媒体を回転させる感光性媒体駆動部と、前記感光性媒
体を支持するターンテーブルと、前記感光性録媒体に記
録するための光ビームを照射するための制御を行う光ビ
ーム制御部と、システム全体の制御や外部情報を導入す
るシステム制御部から構成し、半導体レーザ駆動部にG
aNレーザを配する。
【0010】光伝送路への応用のため、光照射に伴い光
解離するスピロピラン系フォトクロミック物質で、前記
スピロピラン系フォトクロミック物質が有機フォトクロ
ミック物質、例えば光可逆異性化物質であるトランス,
シス異性化を起こすスチルベン系,アゾベンゼン系,ケ
トーエノール互変異性を起こすアゾヒドラゾン系,開閉
反応を起こすスピロピラン系,閉開反応を起こすフルキ
ド系,イオン解離反応を起こすトリフェニルメタン系,
酸化反応を起こすトリフェニルメタン系,酸化反応を起
こすテトラベンゾペンタセン系等の物質及びその誘導体
を1種類以上含む層を1層以上形成した導波路の端面に
GaNレーザを具備する。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の実施
例について説明する。
【0012】(実施例1)スピロピラン系物質の製膜例
を記す。化1で、XをC(CH3)2、R1をH、R2をN
2、R3をH、R4をCH3とした1,3,3−トリメ
チルインドリノ−6′−ニトロスピロベンゾピラン(東
京化成,T366)を用いた。
【0013】
【化1】
【0014】図1は0.0018molのアラキジン酸
((CH2)17CH2COOH,AA)と0.0003molの
T366をクロロホルム(和光純薬)に溶解し単分子膜
化した試料の吸収スペクトルである。この組み合わせの
場合、他の物質と異なり410nmに吸収領域を確認で
きた。
【0015】(実施例2)図2で、実施例1に従って回
転ドラム1を光照射部2から感光体3を形成し、データ
受信部4で受け取った印字データを処理部5で波数,周
波数及び出力に関して処理されたデータに基づいて出力
周波数波長制御部6で制御しながら、光照射部2より光
を照射する。光照射によって水との濡れ性が増加する本
材料の場合、光照射部は現像液が付着しにくく、光未照
射部は現像液が付着するため印字できる。処理した印字
データに基づいて光を照射し感光体3上に潜像を形成
し、カートリッジ7に内包した現像液を付着させ、被転
写体体搬送ローラ8で搬送された被転写体9へ印字す
る。印字後現像液取り部10で不要な現像液を拭いさ
る。印字データ受信後、データ処理部5で光照射(レー
ザ出射部位或いはランプ遮断部位)のオン/オフ,波
数,周波数及び出力に関して分類された照射関数に基づ
いて、出力周波数波長制御部21で光照射を制御する。
現像液取り部10はデータ処理部5と被転写体9の間に
任意に設置できる。感光体3の製膜数は1層以上であ
る。室温最短波長のGaNレーザの410nmで動作確
認をしたところ、照射した部分が親水性化し、未照射部
分にインクが付着し転写画像を得た。
【0016】一方、p−フェニルアゾメタクリルアニリ
ドの末端ビニル基に実施例1と同様にしてエタンチオー
ルを付加させて合成したp−フェニルアゾメタクリルエ
チルスルフィルアニリド(AZS)1mmolと1mmolの
MSHSからなる混合溶液を用いて、実施例1と同様に
して感光性物質4を含む層を製膜した。可視域の最大吸
収波長がAZSは450nm付近、MSHSは550n
m付近で異なる。この場合も同様な特性を示した。尚、
数種類のフォトクロミック物質を混合することで、照射
波長の選択幅も広がり汎用性が向上する。
【0017】(実施例3)図3は光記録装置の一例であ
る。実施例2で作製したトラッキングガイドを有する感
光性媒体11で、前記感光性媒体11に対向して設置さ
れた光ピックアップ部12から受光した信号を信号処理
部13で処理し、半導体レーザ駆動部14で前記感光性
媒体11に光を照射する際のパワー設定や照射のオンオ
フを制御し、前記光ピックアップ部12の位置は位置制
御部15で制御し、前記感光性媒体11を回転させる記
録媒体駆動部16と前記感光性媒体11を支持するター
ンテーブル17と前記感光性媒体に記録するための光ビ
ームを照射するための制御は、光ビーム制御部18で行
い、システム全体の制御や外部情報の導入はシステム制
御部19で行う。
【0018】
【発明の効果】本発明によれば、光照射により導電性,
親水性が変化するスピロピラン系物質を基板上へ展開す
る製膜法及び製膜した感光性媒体及び前記感光性媒体を
応用した光記録装置の記録密度及び画像形成装置の高解
像度化が可能となる。従来の最密面記録密度にして2.
4 倍以上が望める。
【図面の簡単な説明】
【図1】吸収スペクトルを示す特性図。
【図2】本発明の光記録装置の一例を示すブロック図。
【図3】本発明の画像形成装置の一例を示すブロック
図。
【符号の説明】
1…回転ドラム、2…光照射部、3…感光体、4…デー
タ受信部、5…データ処理部、6…出力周波数波長制御
部、7…現像液カートリッジ、8…被転写体搬送ロー
ラ、9…被転写体、10…現像液取り部。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】光照射に伴い光解離するスピロピラン系フ
    ォトクロミック物質において、前記スピロピラン系フォ
    トクロミック物質が1,3,3−Trimetylindolino−
    6′−nitrobenzorylospiranを含む有機フォトクロミッ
    ク物質、例えば光可逆異性化物質であるトランス,シス
    異性化を起こすスチルベン系,アゾベンゼン系,ケトー
    エノール互変異性を起こすアゾヒドラゾン系,開閉反応
    を起こすスピロピラン系,閉開反応を起こすフルキド
    系,イオン解離反応を起こすトリフェニルメタン系,酸
    化反応を起こすトリフェニルメタン系,酸化反応を起こ
    すテトラベンゾペンタセン系,光照射によって表面張力
    の極性項が変化する物質及びその誘導体を1種類以上含
    む層を1層以上形成したことを特徴とする感光性媒体。
  2. 【請求項2】請求項1において、光照射に伴いフォトク
    ロミック物質及びその誘導体が構造変換するために必要
    な分子間隙を最小限にあけるために予め光解離させた状
    態で基板に付着させるため、GaNレーザを照射しなが
    ら製膜し、製膜した感光性媒体を光解離前の状態へ戻す
    場合はその後可視光を照射する製膜法及び感光性媒体。
  3. 【請求項3】請求項1又は2において、前記感光性媒体
    に対向して設置された印字データの書き込み消去をする
    光照射部,光照射によって形成された潜像に付着させる
    現像液を入れるための現像液カートリッジ,前記潜像に
    付着した現像液を写す対象となる被転写体を搬送する被
    転写体物搬送ローラ,前記潜像に付着した現像液を前記
    被転写体へ転写した後、不要となった現像液を取り去る
    インク取り部,外部より前記印字データを受けとるデー
    タ受信部,前記印字データを書き込み消去するために照
    射する光の波数と出力を決定するデータ処理部及び前記
    処理されたデータに合わせて出力或いは光源の照射オン
    /オフ等を制御する出力制御部からなり、前記感光体
    は、少なくとも1,3,3−Trimetylindolino−6′−
    nitrobenzorylospiranを含む水との濡れ性が光照射によ
    って可逆的に変化する前記可逆性物質であり、前記光照
    射部の記録部がGaNレーザであり、前記出力制御部は
    複数種類の波長と一つの波長につき1種類以上の出力制
    御が可能である画像形成装置。
  4. 【請求項4】請求項1又は2において、光照射に伴い光
    解離するスピロピラン系フォトクロミック物質で、前記
    スピロピラン系フォトクロミック物質が1,3,3−Tr
    imetylindolino−6′−nitrobenzorylospiranを含む有
    機フォトクロミック物質、例えば光可逆異性化物質であ
    るトランス,シス異性化を起こすスチルベン系,アゾベ
    ンゼン系,ケトーエノール互変異性を起こすアゾヒドラ
    ゾン系,開閉反応を起こすスピロピラン系,閉開反応を
    起こすフルキド系,イオン解離反応を起こすトリフェニ
    ルメタン系,酸化反応を起こすトリフェニルメタン系,
    酸化反応を起こすテトラベンゾペンタセン系等の物質及
    びその誘導体を1種類以上含む層を1層形成したトラッ
    キングガイドを有する感光性媒体で、前記感光性媒体に
    対向して設置された光ピックアップ部と、前記光ピック
    アップ部から受光した信号を処理する信号処理部と、前
    記感光性媒体に光を照射する際のパワー設定や照射のオ
    ンオフを制御する半導体レーザ駆動部と、光ピックアッ
    プの位置を制御する位置制御部と、前記感光性媒体を回
    転させる感光性媒体駆動部と、前記感光性媒体を支持す
    るターンテーブルと、前記感光性録媒体に記録するため
    の光ビームを照射するための制御を行う光ビーム制御部
    と、システム全体の制御や外部情報を導入するシステム
    制御部から構成され、半導体レーザ駆動部にGaNレー
    ザを配する感光性媒体及び光記録再生装置。
  5. 【請求項5】トラッキングガイドを有する感光性媒体に
    おいて、前記感光性媒体に対向して設置された光ピック
    アップ部と、前記光ピックアップ部から受光した信号を
    処理する信号処理部と、前記感光性媒体に光を照射する
    際のパワー設定や照射のオンオフを制御する半導体レー
    ザ駆動部と、光ピックアップの位置を制御する位置制御
    部と、前記感光性媒体を回転させる感光性媒体駆動部
    と、前記感光性媒体を支持するターンテーブルと、前記
    感光性録媒体に記録するための光ビームを照射するため
    の制御を行う光ビーム制御部と、システム全体の制御や
    外部情報を導入するシステム制御部から構成され、半導
    体レーザ駆動部にGaNレーザを配することを特徴とす
    る感光性媒体及び光記録再生装置。
  6. 【請求項6】照射に伴い光解離するスピロピラン系フォ
    トクロミック物質で、前記スピロピラン系フォトクロミ
    ック物質が有機フォトクロミック物質、例えば光可逆異
    性化物質であるトランス,シス異性化を起こすスチルベ
    ン系,アゾベンゼン系,ケトーエノール互変異性を起こ
    すアゾヒドラゾン系,開閉反応を起こすスピロピラン
    系,閉開反応を起こすフルキド系,イオン解離反応を起
    こすトリフェニルメタン系,酸化反応を起こすトリフェ
    ニルメタン系,酸化反応を起こすテトラベンゾペンタセ
    ン系等の物質及びその誘導体を1種類以上含む層を1層
    以上形成した導波路の端面にGaNレーザを具備するこ
    とを特徴とする光伝送路。
JP9033587A 1997-02-18 1997-02-18 感光性媒体及び光応用装置 Pending JPH10228078A (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN111690236A (zh) * 2020-06-15 2020-09-22 清华大学 可逆光致变薄膜、制备方法、光致变方法及应用

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