JP2001315381A - 感光感熱記録材料への画像記録方法、及び画像記録装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 短波長で発光する半導体レーザを用いて、感
光感熱記録材料へ、高品位の画像を記録する。 【解決手段】 短波長のレーザ光を出射する半導体レー
ザへ印加する電流として、画像データＤ１，Ｄ２，Ｄ
３，Ｄ４，・・・に対応する光強度Ｉ１，Ｉ２，Ｉ３，
Ｉ４，・・・、の光強度の波高値を有する光強度パルス
信号を生成し、光強度パルス信号立ち上がりから所定時
間ｔ以前に立ち上がるように、予め定めた閾値近傍の電
流値Ｂのバイアス電流を生成する。これらの光強度パル
ス信号及びバイアスパルス信号を合成して、半導体レー
ザを変調するための電流信号（生成パルス）すなわちパ
ルス信号電流を生成し出力する。バイアス電流の印加で
光出力の減少が低減されかつ、間欠的な印加で発振遅延
時間を減少できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、感光感熱記録材料
への画像記録方法、及び画像記録装置にかかり、特に、
感光感熱記録材料を用いて画像を記録する感光感熱記録
材料への画像記録方法、及び画像記録装置に関する。

【０００２】

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】銀塩写
真に代表される従来の光記録システムでは、ネガフィル
ムやポジフィルム等の写真フィルムを用いて撮影を行
い、その写真フィルムを現像し、現像後の写真フィルム
に記録された画像情報を光学的に露光した潜像を顕像化
する処理を印画紙や普通紙等の記録材料に施してプリン
トを得ている。なお、以下の説明では、写真フィルムと
は、被写体を撮影後、現像処理されて、ネガ画像または
ポジ画像が可視化されたフィルムをいう。このように、
写真フィルムからプリントを得るには、写真フィルムに
記録された画像情報を記録材料に顕像化する必要がある
が、近年、処理液やトナー等の現像定着材料が不要な記
録材料を用いて、画像情報を顕像化することが行われて
いる。例えば、その記録材料には、画像情報を光学的に
露光することで潜像を得て、熱現像により顕像化し定着
する感光感熱記録材料がある。

【０００３】ところで、画像情報を記録材料へ光学的に
露光して潜像を記録するときには、光変調の容易性や小
型であることから半導体レーザを用いることが多くなっ
てきている。また、半導体レーザは、画像記録、光ディ
スク、内視鏡における蛍光による癌検診などの様々な応
用にも用いられており、レーザ光をパルス電流印加によ
るパルス変調して利用している。一般的に、半導体レー
ザの駆動では、パルス電流を印加してからレーザ光が発
光するまでの発振遅延時間やレーザ発光の立ち上がり時
間を短くするため、ＤＣバイアスを印加している。

【０００４】半導体レーザの一例としては近年進歩が著
しい、短波長で発光が可能なＧａＮ系の発光デバイスが
あり、４００〜４１０ｎｍ程度のＩｎＧａＮを活性層と
する波長域の半導体レーザが流通してきている。

【０００５】ところが、ＩｎＧａＮ系の半導体レーザ
は、従来のＧａＡｓ基板上に形成された半導体レーザと
異なり、基板となるサファイヤやバッファ層などで用い
られる層が発光波長において完全に透明であるため、画
像形成用に不要な迷光が多く生じることになる不要部分
を有している。特に低光出力時には不要部分からの光が
強い迷光となって、高品位の画像形成をするときに支障
を生じる場合がある。

【０００６】しかしながら、従来の半導体レーザより、
発振閾値以下における発光強度が大きいＧａＮ系の半導
体レーザは、閾値以下であっても、ＤＣバイアスにより
比較的大きな発光強度を生じるため、発光のためのパル
ス電流を印加していない時間でも、本来の発光以外の雑
音となる、ある程度の発光強度を有する背景光を発生す
る。この背景光により最低露光量が上昇するため、レー
ザ光を強度変調して画像記録をする場合には、画像のコ
ントラストが低下する。また、パルス光の照射（パルス
励起光）により感光感熱記録材料への露光を行う場合に
は、即時性が要求されるが、パルス励起光を照射してい
ないときにもバイアスによる背景光が照射されることに
なり、高品位の画像形成の妨げとなる。

【０００７】すなわち、パルス変調により記録材料に露
光して画像を形成する場合、ＤＣバイアスを加えた時の
光（以下、ＥＬ光という）によって記録材料が露光され
るため、最小露光量が大きくなる。一方、最大露光量は
レーザ出力の最大値によって上限があるため、得られる
画像のコントラストが小さくなる。

【０００８】本発明は、上記事実を考慮して、短波長で
発光する半導体レーザを用いて、感光感熱記録材料へ、
高品位の画像を記録することができる感光感熱記録材料
への画像記録方法、及び画像記録装置を得ることが目的
である。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明者は、短波長で発光する半導体レーザとし
て、ＧａＮ系の半導体レーザを用いた各種実験を行い、
ＧａＮ系の半導体レーザ固有の問題を見出した。図３に
は、発振波長４０５ｎｍの半導体レーザのＤＣ駆動電流
と光出力との関係を表す電流−光出力特性を示した。図
から理解されるように、ＤＣ駆動における閾値電流は約
５０ｍＡであった。この半導体レーザにパルス電流を印
加すると、デューティ比１０％程度で閾値電流は１０％
程度低減し、約４５ｍＡとなった。また、この半導体レ
ーザは、高速変調時には正常な応答を示した。すなわ
ち、立ちあがり２ｎｓｅｃ以下、８ｎｓｅｃ幅の高速パ
ルスにて変調した場合には、文献（S.Nakamura and G.F
asol: The Blue Laser Doide,Springer-Verlag, Berli
n, 1997, p252）に記載されているように、遅延時間が
閾値電流とバイアス電流、キャリア寿命とで決定される
特性（参考文献：R.Nagarajan and J.E.Bowers: Semico
nductor Laser I, Fundamentals, Academic Press, San
Diego, 1999, p267）を示し、ｎｓｅｃオーダの高速変
調が可能であった。

【００１０】一方、図４には、比較的低周波のパルス電
流により変調したときの印加電流波形と光出力波形のＤ
Ｃバイアス依存性を示した。駆動条件は、図４−ａ：Ｄ
Ｃバイアスなし、図４−ｂ：ＤＣバイアス１０ｍＡ、図
４−ｃ：ＤＣバイアス４０ｍＡ、でパルス尖頭値は６０
ｍＡである。ＤＣバイアスなしでは、８０μｓｅｃ程度
以上のきわめて大きな発振遅れがある。これは、ＤＣバ
イアス印加により光出力の減少は低減するが、バイアス
電流を増加するほど発振遅延時間が減少し、閾値電流近
傍までバイアスしないと、遅延時間をなくすことができ
なかった。しかし、バイアス電流を増加するほど背景光
が増加する。

【００１１】以上のことにより、本発明者は、背景光を
少なくするためにバイアス電流を極力小さくしたい、ま
た発振遅延時間を少なくするためにバイアス電流を閾値
電流近傍まで大きくしたい、という二律相反する点を解
消するため、本発明に到達した。

【００１２】本発明の感光感熱記録材料への画像記録方
法は、ＧａＮ系の半導体レーザから出射されるレーザ光
により感光感熱記録材料を露光して潜像を記録する感光
感熱記録材料への画像記録方法であって、前記半導体レ
ーザに、記録すべき画像に対応するパルス電流を印加す
ることにより前記レーザ光をパルス光として出射させる
と共に、前記パルス電流の印加以前から印加終了まで、
バイアス電流を印加することを特徴とする。

【００１３】本発明では、感光感熱記録材料を露光して
潜像を記録する。感光感熱記録材料は、露光され加熱さ
れることにより発色する感光感熱記録層を含んでいる。
この感光感熱記録層は、１色の単層で構成し単色画像を
形成するようにしてもよく、複数層で構成してカラー画
像を形成してもよい。この潜像は、加熱により現像さ
れ、光の照射で定着される。潜像の記録は、ＧａＮ系の
半導体レーザから出射されるレーザ光（短波長のレーザ
光）による露光でなされる。この半導体レーザには、記
録すべき画像に対応するパルス電流が印加される。これ
により、レーザ光がパルス光として出射される。これと
共に、半導体レーザには、バイアス電流が印加される。
このバイアス電流は、パルス電流の印加以前から印加終
了まで、バイアス電流を印加する。このように、半導体
レーザには、直流的に常時バイアス電流が印加されるの
ではなく、パルス電流の印加以前から印加終了までの
間、パルス電流に同期して間欠的に印加されるので、そ
の印加するバイアス電流の印加特性によって、例えば、
デューティ比で制御すれば、背景光を増加させない程度
でかつ発振遅延時間を増加させない程度にバイアス電流
を閾値電流近傍まで増加させることができる。

【００１４】前記バイアス電流は、矩形波形、三角波及
び正弦波の何れか１つの波形で印加することができる。
バイアス電流は、間欠的に印加されるが、その間欠的な
印加は、実施の容易さ等のため、一定の周期を有する矩
形波形、三角波及び正弦波の何れか１つの波形による信
号に対応する電流が好ましい。

【００１５】前記パルス電流は、パルス強度変調、パル
ス幅変調、及びパルス位相変調の何れかで変調して印加
することができる。すなわち、パルス電流は、少なくと
もパルスが形成されていればよく、その形成には、画像
記録に用いる等の変調方法が利用できる。このため、パ
ルス強度変調、パルス幅変調、及びパルス位相変調の何
れかで変調して印加することによって、容易に画像記録
を実施することができる。

【００１６】前記感光感熱記録材料への画像記録方法
は、次の画像記録装置によって容易に実現可能である。
詳細には、本発明の画像記録装置は、ＧａＮ系の半導体
レーザを含み、前記半導体レーザから出射されるレーザ
光により感光感熱記録材料を露光して潜像を記録する光
記録手段と、前記半導体レーザに、記録すべき画像に対
応するパルス電流を印加するパルス電流印加手段と、前
記半導体レーザに、前記パルス電流の印加以前から印加
終了まで、バイアス電流を印加するバイアス電流印加手
段と、加熱により潜像を現像する加熱現像手段と、光を
照射して現像された画像を定着する光定着手段と、を備
えている。

【００１７】本発明の画像記録装置は、光記録手段によ
り感光感熱記録材料を露光して潜像を記録する。この感
光感熱記録材料は、露光され加熱されることにより発色
する感光感熱記録層を含んでいる。この感光感熱記録層
は、１色の単層で構成し単色画像を形成するようにして
もよく、複数層で構成してカラー画像を形成してもよ
い。光記録手段は、ＧａＮ系の半導体レーザを含み、前
記半導体レーザから出射されるレーザ光により感光感熱
記録材料を露光して潜像を記録する。この半導体レーザ
には、パルス電流印加手段によって、記録すべき画像に
対応するパルス電流が印加される。また、この半導体レ
ーザには、バイアス電流印加手段によってバイアス電流
が印加される。このバイアス電流は、パルス電流の印加
以前から印加終了まで印加される。そして、感光感熱記
録材料の潜像は、加熱現像手段により加熱により現像さ
れ、光定着手段による光の照射により現像された画像が
定着される。従って、半導体レーザには、直流的に常時
バイアス電流が印加されるのではなく、パルス電流の印
加以前から印加終了までの間、パルス電流に同期して間
欠的に印加されるので、背景光を増加させない程度でか
つ発振遅延時間を増加させない程度のバイアス電流を印
加でき、高品位の画像記録が可能な潜像を記録できる。

【００１８】前記バイアス電流印加手段は、矩形波形、
三角波及び正弦波の何れか１つの波形の電流を生成する
生成手段を含むことができる。すなわち、前記バイアス
電流として、矩形波形、三角波及び正弦波の何れか１つ
の波形となるバイアス電流を印加することができる。

【００１９】前記パルス電流印加手段は、パルス電流
を、パルス強度変調、パルス幅変調、及びパルス位相変
調の何れか１つで変調する変調手段を含むことができ
る。すなわち、前記パルス電流として、パルス強度変
調、パルス幅変調、及びパルス位相変調の何れかで変調
したパルス電流を印加することができる。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ、支持体
上に、イエロー、マゼンタ、シアンの各色相に各々発色
する単色の感光感熱記録層（以下、「記録層」と称する
場合がある）を３層積層したカラー感光感熱記録材料を
用いて画像を記録する画像記録装置に本発明を適用した
実施の形態について説明する。

【００２１】〔第１実施の形態〕図１に、ロール状に巻
回された感光感熱記録材料１２を用いた、第１の実施の
形態に係る画像記録装置の概略構成を示す。図１に示す
ように、画像記録装置のハウジング内部には、感光感熱
記録材料１２を収納する収納部１４、収納部１４から供
給された感光感熱記録材料１２を露光して潜像を記録す
る光記録部１６、加熱により潜像を現像する加熱現像部
１８、光を照射して現像された画像を定着する光定着部
２０、及び画像が記録された感光感熱記録材料１２が排
出される排出部２２が設けられており、収納部１４、光
記録部１６、加熱現像部１８、光定着部２０、及び排出
部２２は、水平方向にこの順に配置されている。

【００２２】これら各部の間には、感光感熱記録材料１
２を挟んで搬送するための搬送ローラ対２４、２７、４
６、５０がそれぞれ配置されており、これら搬送ローラ
対２４、２７、４６、５０により感光感熱記録材料１２
を収納部１４から排出部２２の方向に搬送するための搬
送路が形成されている。また、搬送ローラ対２４、２
７、４６、５０は、搬送駆動部（図示せず）に接続さ
れ、この搬送駆動部によりそれぞれ駆動されている。

【００２３】また、収納部１４と光記録部１６とは、感
光感熱記録材料１２の通過口を備えた仕切板２３で仕切
られ、加熱現像部１８と光定着部２０とは、感光感熱記
録材料１２の通過口を備えた仕切板２５で仕切られてい
る。また、排出部２２には、感光感熱記録材料１２を外
部に排出するための排出口２２Ａが設けられており、光
定着部２０内の排出口２２Ａ近傍には、感光感熱記録材
料１２を画像形成領域毎に切断するカッタ５２が設けら
れている。

【００２４】収納部１４には、記録層側を内側にしてロ
ール状に巻回された感光感熱記録材料１２を収納したマ
ガジン２１が収納されている。一対の搬送ローラ２４
は、仕切板２３に設けられた通過口の光記録部１６側に
配置されており、この一対の搬送ローラ２４が感光感熱
記録材料１２をニップした状態で回転することにより、
収納部１４内のマガジン２１から感光感熱記録材料１２
が記録層側を上側にして引き出され、所定の搬送路に沿
って搬送されて、搬送方向下流側に配置された光記録部
１６に供給される。

【００２５】光記録部１６には、搬送路の上方に配置さ
れ、駆動回路９０に接続された光ビーム走査装置２６が
設けられている。光ビーム走査装置２６は、図２に示す
ように、赤色用のレーザ光源２８Ｒ、緑色用のレーザ光
源２８Ｇ、及び青色用のレーザ光源２８Ｂの３色のレー
ザ光源を備えている。これらのレーザ光源２８Ｒ、２８
Ｇ、２８Ｂには駆動回路９０が接続されている。詳細は
後述するが、駆動回路９０は、各レーザ光源からレーザ
光を発振させるための回路であり、レーザ光源２８Ｒに
は駆動回路９０Ｒが対応して接続され、レーザ光源２８
Ｇには駆動回路９０Ｇが対応して接続され、レーザ光源
２８Ｂには駆動回路９０Ｂが対応して接続されている。

【００２６】各色のレーザ光源には、それぞれに対応し
て、コリメータレンズ３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂ、及びシ
リンドリカルレンズ３４Ｒ、３４Ｇ、３４Ｂが設けられ
ている。また、シリンドリカルレンズ３４Ｒ、３４Ｇ、
３４Ｂの光出射側には、ポリゴンミラー３６、ｆθレン
ズ３８、及びシリンドリカルレンズ４０が配置されてい
る。

【００２７】レーザ光源２８Ｒ、２８Ｇ、２８Ｂとして
は、半導体レーザの他、固体レーザ、ファイバーレー
ザ、波長変換固体レーザ、ガスレーザ、面発光レーザ
等、特に制限無く使用することができる。なお、本実施
の形態では、少なくともレーザ光源２８Ｂに、短波長の
レーザ光を出射するＧａＮ系の半導体レーザを用いてい
る。例えば、青色用のレーザ光源２８Ｂとして、発振波
長域が４００〜４１０ｎｍのＧａＮ系半導体レーザを用
いることができる。

【００２８】なお、本実施の形態では、外部変調器を用
いずに半導体レーザを直接変調駆動して画像を記録する
場合を説明する。半導体レーザを直接変調せずに、外部
変調器を用いて変調する一例としては、レーザ光源の各
々に対応して音響光学変調器（ＡＯＭ）等により構成さ
れた光変調器を、光路の途中、例えば、コリメータレン
ズ３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂ、及びシリンドリカルレンズ
３４Ｒ、３４Ｇ、３４Ｂの間に設ければよい。本実施の
形態では、少なくとも短波長のレーザ光を出射する半導
体レーザ２８Ｂを直接変調することで、背景光の低減及
び良好なパルス応答を得るものであるため、長波長のレ
ーザ光を出射する半導体レーザを用いた場合には、外部
変調器を用いて変調するようにしてもよい。

【００２９】また、レーザ光源２８Ｒ、２８Ｇは、３０
０〜１１００ｎｍの波長範囲に最大強度を有するものを
用いることができる。３００ｎｍより短波長では適当な
光源がないため安価なシステムにすることができず、１
１００ｎｍより長波長の光源を用いても、１１００ｎｍ
より長波長に感光性を有する感光感熱記録材料は不安定
なものが多く、長期の経時安定性を有する感光感熱記録
材料を設計するのが困難になる。そこで、短波長のレー
ザ光が要求されるレーザ光源２８Ｂ以外のレーザ光源
は、３００〜１１００ｎｍの波長範囲から選択された波
長に最大強度を有するものを適宜選択することができ
る。本実施の形態では、例えば、赤色用レーザ光源２８
Ｒとして中心発振波長６８０ｎｍの半導体レーザを用
い、緑色用のレーザ光源２８Ｇとして中心発振波長５３
２ｎｍの半導体励起の波長変換固体レーザを用いること
ができる。

【００３０】感光感熱記録材料１２表面上の最大照射光
量は、０．０１〜５０ｍＪ／ｃｍ²とすることが好まし
く、０．０５〜１０ｍＪ／ｃｍ²がより好ましい。最大
照射光量が５０ｍＪ／ｃｍ²より大きいと、露光時間が
長いシステムとなり利便性が失われると共に、光源が大
型化してコストが高いシステムになってしまう。一方、
感光感熱記録材料１２の一般的な感度を考慮すると、最
大照射光量は０．０１ｍＪ／ｃｍ²以上必要であり、仮
に高感度の感光感熱記録材料であっても、最大照射光量
０．０１ｍＪ／ｃｍ²未満では、外界からの光を遮光す
る遮光設備が必要となりコストの高いシステムになって
しまう。

【００３１】レーザ光源２８Ｒ、２８Ｇ、２８Ｂから発
せられたレーザ光の各々は、コリメータレンズ３０Ｒ、
３０Ｇ、３０Ｂにより平行光化されて、シリンドリカル
レンズ３４Ｒ、３４Ｇ、３４Ｂによりそれぞれポリゴン
ミラー３６面上に集光するように入射される。ポリゴン
ミラー３６により反射されたレーザ光は、ｆθレンズ３
８及びシリンドリカルレンズ４０で補正され、感光感熱
記録材料１２上にドット状に収束する。ポリゴンミラー
３６はポリゴン駆動部（図示せず）により回転駆動され
矢印Ｑ方向に所定の角速度で回転しているため、感光感
熱記録材料１２は、ポリゴンミラー３６により反射され
たレーザ光によって、矢印Ｍで示す方向に主走査され
る。

【００３２】一対の搬送ローラ２７は、光記録部１６の
搬送方向下流側に配置されており、感光感熱記録材料１
２は、この一対の搬送ローラ２７によりニップされ、搬
送路に沿って搬送されて、搬送方向下流側に配置された
加熱現像部１８に供給される。感光感熱記録材料１２
は、上記の通り、ポリゴンミラー３６により反射された
レーザ光によって主走査されると共に、搬送方向とは逆
方向に副走査されて、露光され、感光感熱記録材料１２
に潜像が記録される。

【００３３】レーザ光源２８Ｒ、２８Ｇ、２８Ｂ（半導
体レーザ）を直接変調する駆動回路９０について説明す
る。図５には、青色用のレーザ光源２８Ｂとして、例え
ば、発振波長域が４００〜４１０ｎｍのＧａＮ系半導体
レーザを用いた場合の駆動回路９０Ｂ周辺の概略構成を
ブロック図として示した。ＧａＮ系半導体レーザである
青色用のレーザ光源２８Ｂには、光強度変調回路９４及
びバイアス回路９６から構成される駆動回路９０Ｂが接
続されている。この駆動回路９０Ｂには、画像処理装置
９２のフレームメモリ（図示せず）から画像処理済の画
像データが入力されるように画像処理装置９２に接続さ
れている。すなわち、画像処理装置９２は、光強度変調
回路９４を介してレーザ光源２８Ｂに接続され、光強度
変調回路９４にはバイアス回路も接続されている。

【００３４】レーザ光源２８Ｂに印加される電流は、画
像処理装置９２から入力された画像データにより光強度
変調されたパルス電流及びバイアス回路９６でバイアス
電流が変調信号として印加される。これにより、レーザ
光源２８Ｂは、画像データに応じてレーザ光の強度が直
接変調される。

【００３５】他のレーザ光源２８Ｒ，２８Ｇは、上記レ
ーザ光源２８Ｂと同様に構成することができるため、説
明を省略する。他のレーザ光源２８Ｒ，２８Ｇにおいて
は、バイアス電流の印加が不要な場合もあり、この場合
にはバイアス回路９６は不要である。

【００３６】なお、上記のポリゴン駆動部、搬送駆動部
は、画像処理装置（図示せず）のフレームメモリから画
像処理済の画像データを読み出し、読み出した画像デー
タに基づいて感光感熱記録材料１２を露光する露光制御
部（図示せず）により露光に同期して制御される。

【００３７】加熱現像部１８は、搬送路の上方に配置さ
れて感光感熱記録材料１２の露光面側を加熱する加熱装
置としての遠赤外線ヒータ４２、及び遠赤外線ヒータ４
２の背後に設けられ、ヒータから放射された遠赤外線を
感光感熱記録材料１２方向に反射する反射板４４から構
成されている。遠赤外線ヒータ４２は、感光感熱記録材
料１２を所定温度に加熱できるように、感光感熱記録材
料１２の近傍に設けられた温度センサ（図示せず）の出
力データに基づき、温度制御装置（図示せず）により制
御される。この加熱現像部１８において、感光感熱記録
材料１２は、遠赤外線ヒータ４２により所定温度に加熱
され、感光感熱記録材料１２に記録された潜像が現像さ
れる。

【００３８】加熱温度は、感光感熱記録材料１２の現像
温度以上の温度とされ、５０〜２００℃の範囲が好まし
く、９０〜１４０℃の範囲がより好ましい。加熱温度を
が５０℃より低いと、現像温度が５０℃より低い感光感
熱記録材料では、露光前の感光材料の保存性が著しく損
なわれるため、感光感熱記録材料の設計が困難となる。
一方、加熱温度が２００℃より高いと、感光感熱記録材
料の支持体が熱により変形し寸度安定性が確保できな
い。また、加熱温度は、設定温度に対する変動幅が±５
℃以内となるように制御される。感光感熱記録材料は温
度変動に対して許容範囲が比較的広い系であり、±５℃
以内でも性能を確保することができる。

【００３９】また、遠赤外線ヒータ４２の搬送方向下流
側上方には、加熱現像時に発生する水等の蒸散物を除去
するための排気装置４５が設けられており、加熱現像時
に発生する蒸散物を吸引し、内部に備えられたガス吸着
フィルターにより蒸散物を吸着して除去する。

【００４０】一対の搬送ローラ４６は、加熱現像部１８
の搬送方向下流側に配置されており、加熱現像後の感光
感熱記録材料１２は、この一対の搬送ローラ４６により
ニップされ、搬送路に沿って搬送されて、搬送方向下流
側に配置された光定着部２０に供給される。

【００４１】光定着部２０は、現像後の感光感熱記録材
料１２の画像形成面側に光を照射する定着光源４８Ａ、
４８Ｂ、４８Ｃ、４８Ｄ、及び定着光源４８Ａ、４８
Ｂ、４８Ｃ、４８Ｄの背後に配置された反射板４９から
構成され、定着光源４８Ａ、４８Ｂ、４８Ｃ、４８Ｄ
は、搬送路の上方に配置されている。この光定着部２０
において、感光感熱記録材料１２は、定着光源４８Ａ、
４８Ｂ、４８Ｃ、４８Ｄにより光を照射され、現像され
た画像が定着される。

【００４２】定着光源４８としては、蛍光灯等の白色光
源のほか、ＬＥＤ、ハロゲンランプ、冷陰極管、レーザ
等、種々の光源を使用することができる。感光感熱記録
材料１２の照射部の照度は定着に必要な光強度が得られ
る範囲であればよく、基本的には感光感熱記録材料１２
の特性に応じて選択されるが、１００００〜５００００
０００ルクスの範囲が好ましく、２００００〜６０００
０００ルクスの範囲がより好ましい。照度が１００００
より小さいと、光定着性（光消色性）が不充分となり、
５０００００００ルクスより大きな照度が必要なシステ
ムでは、装置が大型化してコストが高くなるため、利便
性が得られないからである。

【００４３】一対の搬送ローラ５０は、光定着部２０の
搬送方向下流側に配置されており、光定着後の感光感熱
記録材料１２は、この一対の搬送ローラ５０によりニッ
プされ、搬送路に沿って搬送されて、搬送方向下流側に
配置された排出部２２に供給される。

【００４４】排出部２２の排出口２２Ａの外側には、排
出トレイ５３が設けられている。帯状の状態で露光、現
像、及び定着の各処理が連続して行われた感光感熱記録
材料１２は、光定着部２０内の排出口２２Ａ近傍に設け
られたカッタ５２により切断されて１枚のプリントとさ
れ、排出口２２Ａより排出トレイ５３に排出される。

【００４５】この装置では、感光感熱記録材料への光記
録、加熱現像、及び光定着の全工程を１つの装置内で行
うことができる。また、この装置では、加熱現像により
現像を行い、光定着により現像された画像を定着するの
で、処理液が不要で完全ドライシステムとすることがで
き、受像部材等が不要で廃棄物が発生しない。

【００４６】なお、上記構成による本実施の形態の画像
記録装置では、光記録部１６が本発明の光記録手段に相
当し、加熱現像部１８が本発明の加熱現像手段に相当
し、光定着部２０が本発明の光定着手段に相当する。ま
た、光強度変調回路９４が本発明のパルス電流印加手段
に相当し、バイアス回路９６が本発明のバイアス電流印
加手段に相当する。

【００４７】次に、直接変調されるレーザ光源２８Ｂ
（半導体レーザ）の作動について説明する。本実施の形
態は、上記構成で説明したように、画像形成のための露
光の応用で、レーザ光をパルス光として記録材料に照射
するときに、画像データに応じて光強度を変調して露光
量を調整し、画像記録するものである。ここでは、光強
度変調として、１０ＭＨｚ、パルス幅が１０ｎｓｅｃ、
すなわちデューティ１０％のパルス電流変調した場合を
説明する。

【００４８】図６には、レーザ光源２８Ｂ（半導体レー
ザ）を変調するときの各種信号をタイミングチャートと
して示した。光強度変調回路９４には、図６（Ａ）に示
すように、画像データＤ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４，・・・
が順次入力される。光強度変調回路９４は、図示しない
基準クロック回路を備えており、図６（Ｂ）に示す画像
クロックが生成される。この画像クロックに同期して読
み出した画像データから、画像の濃淡に相当する光強度
パルス信号が生成される（図６（Ｃ）参照）。図６の例
では、画像データＤ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４，・・・に対
応する光強度Ｉ１，Ｉ２，Ｉ３，Ｉ４，・・・、の光強
度の波高値を有する光強度パルス信号が生成される。

【００４９】また、光強度変調回路９４には、バイアス
回路９６から予め定めた閾値近傍の電流値Ｂのバイアス
電流が入力される。そして、光強度変調回路９４は、画
像クロック及び読み出した画像データに同期して、バイ
アスパルス信号が生成される（図６（Ｄ）参照）。この
バイアスパルス信号は、画像データに対応する光強度の
レーザ光をパルス応答よく、すなわち遅延時間が抑制さ
れて出射するように、パルス応答を向上させるため、予
め計測された所定電流値（例えば、約４５ｍＡ）が設定
されている。本実施の形態では、光強度パルス信号立ち
上がりから所定時間ｔ以前に立ち上がるように、バイア
スパルス信号が生成される。この所定時間ｔは、例え
ば、約１５ｎｓｅｃに設定する。

【００５０】光強度パルス信号及びバイアスパルス信号
が生成されると、光強度変調回路９４は、これらを合成
して、レーザ光源２８Ｂ（半導体レーザ）を変調するた
めの電流信号（生成パルス）すなわちパルス信号電流を
生成し出力する（図６（Ｅ）参照）。このパルス信号電
流は、画像記録のための光強度（例えば光強度Ｉ１）の
電流をレーザ光源２８Ｂに印加する直前に所定時間ｔ
（＝約１５ｎｓｅｃ）だけ電流値Ｂのバイアス電流を印
加している。

【００５１】すなわち、レーザ光源２８Ｂ（半導体レー
ザ）には、光強度変調回路９４によって、記録すべき画
像に対応する強度で一定パルス幅のパルス電流が印加さ
れる。これによりレーザ光がパルス光として出射され
る。これと共に、光強度変調回路９４には、バイアス回
路９６からパルス電流の印加以前から印加終了まで、バ
イアス電流が印加される。これにより、半導体レーザに
は、直流的に常時バイアス電流が印加されるのではな
く、パルス電流の印加以前から印加終了までの間、パル
ス電流に同期して間欠的に印加されるので、背景光を増
加させない程度でかつ発振遅延時間を増加させない程度
のバイアス電流を印加でき、高品位の画像記録が可能な
潜像を記録できる。

【００５２】従って、本実施の形態では、ＧａＮ系半導
体レーザであるレーザ光源２８Ｂを高速変調するとき
に、バイアス電流の印加により、光出力の減少は低減さ
れる。また、レーザ光源２８Ｂには、バイアス電流は直
流的に印加するのではなく、画像記録のための光強度電
流を印加する直前から所定時間だけバイアスパルス信号
として間欠的に印加しているので、閾値電流近傍までバ
イアスしても、バイアス電流を直流的に印加することに
比較して発振遅延時間を減少することができる。すなわ
ち、応答性が向上し、高速応答性を確保することができ
る。これによって、高速応答性を維持しつつ背景光を抑
制してレーザ光源を駆動することができる。これによっ
て、良好なパルス応答を実現でき、さらに最小露光量を
低減して露光ダイナミックレンジを大きくすることがで
きる。

【００５３】〔第２実施の形態〕上記実施の形態では、
光強度変調した場合を説明したが、本実施の形態は、パ
ルス幅変調した電流をレーザ光源へ印加するものであ
る。なお、本実施の形態は、上記実施の形態と略同様の
構成であるため、同一部分には同一符号を付して詳細な
説明を省略する。

【００５４】まず、レーザ光源２８Ｒ、２８Ｇ、２８Ｂ
（半導体レーザ）を直接変調する駆動回路９０について
説明する。上記実施の形態では、青色用のレーザ光源２
８Ｂ（ＧａＮ系半導体レーザ）には光強度変調回路９４
により強度変調した電流画印加したが（図５参照）、本
実施の形態では、パルス幅変調した電流をレーザ光源へ
印加する。

【００５５】図７に示すように、ＧａＮ系半導体レーザ
である青色用のレーザ光源２８Ｂには、パルス幅変調回
路９５及びバイアス回路９６から構成される駆動回路９
０Ｂが接続されている。従って、レーザ光源２８Ｂに印
加される電流は、画像処理装置９２から入力された画像
データによりパルス幅変調されたパルス電流及びバイア
ス回路９６でバイアス電流が変調信号として印加され
る。これにより、レーザ光源２８Ｂは、画像データに応
じてレーザ光のパルス幅が直接変調される。

【００５６】他のレーザ光源２８Ｒ，２８Ｇは、上記レ
ーザ光源２８Ｂと同様に構成することができるため、説
明を省略する。他のレーザ光源２８Ｒ，２８Ｇにおいて
は、バイアス電流の印加が不要な場合もあり、この場合
にはバイアス回路９６は不要である。

【００５７】なお、上記構成による本実施の形態の画像
記録装置では、光記録部１６が本発明の光記録手段に相
当し、加熱現像部１８が本発明の加熱現像手段に相当
し、光定着部２０が本発明の光定着手段に相当する。ま
た、パルス幅変調回路９５が本発明のパルス電流印加手
段に相当し、バイアス回路９６が本発明のバイアス電流
印加手段に相当する。

【００５８】次に、直接変調されるレーザ光源２８Ｂ
（半導体レーザ）の作動について説明する。本実施の形
態は、上記構成で説明したように、画像形成のための露
光の応用で、レーザ光をパルス光として記録材料に照射
するときに、画像データに応じてパルス幅を変調して露
光量を調整し、画像記録するものである。ここでは、パ
ルス幅変調として、１ＭＨｚで変調するとき、パルス幅
として１％〜９０％に可変可能な構成とし、この場合、
１０ｎｓｅｃから９０ｎｓｅｃの可変パルス幅で電流変
調した場合を説明する。

【００５９】図８には、レーザ光源２８Ｂ（半導体レー
ザ）をパルス幅変調するときの各種信号をタイミングチ
ャートとして示した。パルス幅変調回路９５は、図８
（Ａ）に示すように、画像データＤ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ
４，・・・が順次入力され、図８（Ｂ）に示す画像クロ
ックが生成され、バイアス回路９６から予め定めた閾値
近傍の電流値Ｂのバイアス電流を印加するためのバイア
スパルス信号が入力される（図８（Ｄ）参照）。このバ
イアスパルス信号は、本実施の形態では、光強度パルス
信号立ち上がりから所定時間ｔ（例えば、約１０ｎｓｅ
ｃ）以前に立ち上がるように、バイアスパルス信号が生
成される。パルス幅変調回路９５では、画像クロックに
同期して読み出した画像データから、画像の濃淡に相当
するパルス幅のパルス信号が生成される（図８（Ｃ）参
照）。図８の例では、画像データＤ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ
４，・・・に対応する時間Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４，・
・・、のパルス幅を有するパルス信号が生成される。

【００６０】パルス幅変調回路９５は、画像の濃淡に相
当するパルス幅のパルス信号及びバイアスパルス信号が
生成されると、これらを合成して、レーザ光源２８Ｂ
（半導体レーザ）を変調するための電流信号（生成パル
ス）すなわちパルス信号電流を生成し出力する（図８
（Ｅ）参照）。このパルス信号電流では、画像記録のた
めの光強度（例えば光強度Ｉ）の電流をレーザ光源２８
Ｂに印加する直前に所定時間ｔ（＝約１０ｎｓｅｃ）だ
け電流値Ｂのバイアス電流を印加している。

【００６１】すなわち、レーザ光源２８Ｂ（半導体レー
ザ）には、パルス幅変調回路９５によって、記録すべき
画像に対応するパルス幅で一定強度のパルス電流が印加
される。これによりレーザ光がパルス光として出射され
る。これと共に、パルス幅変調回路９５には、バイアス
回路９６からパルス電流の印加以前から印加終了まで、
バイアス電流が印加される。これにより、半導体レーザ
には、直流的に常時バイアス電流が印加されるのではな
く、パルス電流の印加以前から印加終了までの間、パル
ス電流に同期して間欠的に印加されるので、背景光を増
加させない程度でかつ発振遅延時間を増加させない程度
のバイアス電流を印加でき、高品位の画像記録が可能な
潜像を記録できる。

【００６２】従って、本実施の形態では、ＧａＮ系半導
体レーザであるレーザ光源２８Ｂを高速変調するとき
に、バイアス電流の印加により、光出力の減少は低減さ
れる。また、レーザ光源２８Ｂには、バイアス電流は直
流的に印加するのではなく、画像記録のためのパルス幅
の電流を印加する直前から所定時間だけバイアスパルス
信号として間欠的に印加しているので、閾値電流近傍ま
でバイアスしても、バイアス電流を直流的に印加するこ
とに比較して発振遅延時間を減少することができる。す
なわち、応答性が向上し、高速応答性を確保することが
できる。これによって、高速応答性を維持しつつ背景光
を抑制してレーザ光源を駆動することができる。これに
よって、良好なパルス応答を実現でき、さらに最小露光
量を低減して露光ダイナミックレンジを大きくすること
ができる。

【００６３】なお、上記実施の形態では、矩形波による
信号特性の電流をレーザ光源に印加した場合を説明した
が、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、
三角波や正弦波による信号特性の電流をレーザ光源に印
加してもよい。このようにすることによって、駆動電源
に矩形波を用いるより簡便な回路構成を実現できる。ま
た、矩形波、三角波、及び正弦波の何れかを組み合わせ
て用いてもよい。一例を図９に示した。図９（Ａ）は、
第１実施の形態の矩形波による信号特性の電流を光強度
変調してレーザ光源に印加した場合を示し、図９（Ｂ）
は、第２実施の形態の矩形波による信号特性の電流をパ
ルス幅変調してレーザ光源に印加した場合を示した。図
９（Ｃ）は、バイアス電流を三角波で印加した場合を示
した。

【００６４】また、上記実施の形態では、光強度変調
と、パルス幅変調とを単独で用いて、レーザ光源を変調
した場合を説明したが、光強度変調と、パルス幅変調と
を組み合わせて用いてもよい。このようにすることによ
り、光強度変調と、パルス幅変調との各々の段階を組み
合わせた段階で変調することができ、より多い段階の階
調を有する露光がかのうとなる。また、パルス位置（位
相）を変調するようにしてもよい。

【００６５】〔感光感熱記録材料〕次に、本発明の画像
記録装置での画像記録に使用する感光感熱記録材料につ
いて説明する。本発明に使用する感光感熱記録材料は、
支持体上に感光感熱記録層（画像記録層）を備えたもの
である。この感光感熱記録層は、露光により潜像を形成
し、加熱によりこの潜像が現像されて画像を形成する。
また、本発明に使用する感光感熱記録材料は、この感光
感熱記録層の他、公知のその他の層、例えば、保護層、
中間層、ＵＶ吸収層等がいずれかの位置に形成されてい
てもよい。また、本発明に使用する感光感熱記録材料
は、支持体上に、イエロー発色成分、マゼンタ発色成
分、及び、シアン発色成分をそれぞれ含む、少なくとも
３層の感光感熱記録層を備えることにより、カラー感光
感熱記録材料としてカラー画像形成に用いることができ
る。また、必要に応じて、ブラック発色成分を含む感光
感熱記録層を備えていてもよい。

【００６６】本発明では、（ａ）発色成分Ａを内包した
熱応答性マイクロカプセルと、該マイクロカプセル外
に、少なくとも、同一分子内に重合性基と前記発色成分
Ａと反応して発色する部位とを有する実質的に無色の化
合物Ｂと、光重合開始剤と、からなる光重合性組成物
と、を含有する感光感熱記録層、（ｂ）発色成分Ａを内
包した熱応答性マイクロカプセル、該マイクロカプセル
外に、少なくとも、前記発色成分Ａと反応して発色する
実質的に無色の化合物Ｃと、光重合性化合物Ｄと、光重
合開始剤と、からなる光重合性組成物と、を含有する感
光感熱記録層、（ｃ）発色成分Ａを内包した熱応答性マ
イクロカプセル、該マイクロカプセル外に、少なくと
も、前記発色成分Ａと反応して発色する実質的に無色の
化合物Ｃと、発色成分Ａと化合物Ｃとの反応を抑制する
部位を有する光重合性化合物Ｄｐと、光重合開始剤と、
からなる光重合性組成物と、を含有する感光感熱記録
層、（ｄ）発色成分Ａと反応して発色する実質的に無色
の化合物Ｃを内包した熱応答性マイクロカプセルと、該
マイクロカプセル外に、少なくとも、発色成分Ａと、光
重合性化合物Ｄと、光重合開始剤と、を含む光重合性組
成物と、を含む感光感熱記録層を備えた感光感熱記録材
料を好適に使用することができる。

【００６７】上記感光感熱記録層（ａ）は、所望の画像
形状に露光することにより、マイクロカプセル外部にあ
る光重合性組成物が、光重合開始剤から発生するラジカ
ルにより重合反応を起こして硬化し、所望の画像形状の
潜像を形成する。次いで、加熱することにより未露光部
分に存在する前記化合物Ｂが記録材料内を移動し、カプ
セル内の発色成分Ａと反応し発色する。従って、上記感
光感熱記録層（ａ）は、露光部では発色せず、未露光部
の硬化されなかった部分が発色し画像を形成するポジ型
の感光感熱記録層である。例えば、具体的態様として、
特開平３−８７８２７号に記載の、マイクロカプセル外
部に、電子受容性基と重合性基を同一分子内に有する化
合物、光重合開始剤を含有する光硬化性組成物およびマ
イクロカプセルに内包された電子供与性無色染料を含有
する感光感熱記録層が挙げられる。この感光感熱記録層
においては、露光によりマイクロカプセル外部にある光
硬化性組成物が重合して硬化し、潜像が形成される。そ
の後、加熱により未露光部分に存在する電子受容性化合
物が記録材料内を移動し、マイクロカプセル内の電子供
与性無色染料と反応、発色する。従って、露光部の硬化
した潜像部分は発色せず、硬化されなかった部分のみが
発色し、コントラストの高い鮮明なポジ画像を形成する
ことができる。

【００６８】上記感光感熱記録層（ｂ）は、所望の画像
形状に露光することにより光重合性化合物Ｄが、露光に
より反応した光重合開始剤から発生するラジカルにより
重合して膜が硬化し、所望の画像形状の潜像を形成す
る。光重合性化合物Ｄが発色成分Ａと化合物Ｃとの反応
を抑制する部位を有していないので、加熱することによ
り未露光部分に存在する前記化合物Ｃが記録材料内を移
動し、カプセル内の発色成分Ａと反応し発色する。従っ
て、上記感光感熱記録層（ｂ）は、露光部では発色せ
ず、未露光部の硬化されなかった部分が発色し画像を形
成するポジ型の感光感熱記録層となる。例えば、具体的
態様として、マイクロカプセルに内包されたアゾメチン
色素前駆体、該色素前駆体からアゾメチン色素を生成す
る脱保護剤、光重合性化合物、及び光重合開始剤を含有
する感光感熱記録層が挙げられる。この感光感熱記録層
においては、露光によりマイクロカプセル外部にある光
重合性化合物が重合して硬化し、潜像が形成される。そ
の後、加熱により未露光部分に存在する脱保護剤が記録
材料内を移動し、マイクロカプセル内のアゾメチン色素
前駆体と反応、発色する。従って、露光部の硬化した潜
像部分は発色せず、硬化されなかった部分のみが発色
し、ポジ画像を形成することができる。

【００６９】上記感光感熱記録層（ｃ）は、所望の画像
形状に露光することにより光重合性化合物Ｄｐが、露光
により反応した光重合開始剤から発生するラジカルによ
り重合して膜が硬化し、所望の画像形状の潜像を形成す
る。光重合性化合物Ｄｐが発色成分Ａと化合物Ｃとの反
応を抑制する部位を有しているので、露光により形成さ
れた潜像（硬化部）の持つ膜性に依存して、前記化合物
Ｃが移動し、カプセル内の発色成分Ａと反応して画像を
形成する。従って、上記感光感熱記録層（ｃ）は、露光
部が発色して、画像を形成するネガ型の感光感熱記録層
となる。例えば、具体的態様として、特開平４−２１１
２５２号に記載の、マイクロカプセル外部に電子受容性
化合物、重合性ビニルモノマー、光重合開始剤およびマ
イクロカプセルに内包された電子供与性無色染料を含有
する感光感熱記録層が挙げられる。この感光感熱記録層
における画像形成の機構は明確ではないが、露光により
マイクロカプセル外部に存在するビニルモノマーが重合
される一方、露光部分に共存する電子受容性化合物は、
形成された重合体には全く取り込まれず、むしろビニル
モノマーとの相互作用が低下して、拡散速度の高い移動
可能な状態で存在する。一方、未露光部の電子受容性化
合物は、共存するビニルモノマーにトラップされて存在
するため、加熱した際、露光部における電子受容性化合
物が優先的に記録材料内で移動し、マイクロカプセル内
の電子供与性無色染料と反応するが、未露光部の電子受
容性化合物は、加熱してもカプセル壁を透過できず、電
子供与性無色染料と反応せず、発色に寄与できないため
と考えられる。従って、この感光感熱記録層では、露光
部分が発色し、未露光部分では発色せずに画像を形成す
るため、コントラストの高い鮮明なネガ画像を形成する
ことができる。

【００７０】上記感光感熱記録層（ｄ）は、所望の画像
形状に露光することにより光重合性化合物Ｄが、露光に
より反応した光重合開始剤から発生するラジカルにより
重合して膜が硬化し、所望の画像形状の潜像を形成す
る。光重合性化合物Ｄが発色成分Ａと化合物Ｃとの反応
を抑制する部位を有していないので、加熱することによ
り未露光部分に存在する前記発色成分Ａが記録材料内を
移動し、カプセル内の化合物Ｃと反応し発色する。従っ
て、上記感光感熱記録層（ｄ）は、露光部では発色せ
ず、未露光部の硬化されなかった部分が発色し画像を形
成するポジ型の感光感熱記録層となる。

【００７１】以下に、上記感光感熱記録層（ａ）〜
(ｄ）を構成する構成成分について説明する。

【００７２】感光感熱記録層（ａ）〜(ｄ）中の発色成
分Ａとしては、実質的に無色の電子供与性無色染料また
はジアゾニウム塩化合物が挙げられる。このような電子
供与性無色染料としては、例えば特願平１１−３６３０
８号明細書の段落番号［００５１］〜段落番号［００６
１］に記載された電子供与性無色染料を使用することが
でき、ジアゾニウム塩化合物としては、例えば特願平１
１−３６３０８号明細書の段落番号［００６２］〜段落
番号［００７７］に記載されたジアゾニウム塩化合物を
使用することができる。

【００７３】感光感熱記録層（ａ）中に使用する、同一
分子内に重合性基と前記発色成分Ａと反応して発色する
部位とを有する実質的に無色の化合物Ｂとしては、重合
性基を有する電子受容性化合物または重合性基を有する
カプラー化合物等の前記発色成分Ａと反応して発色し、
かつ光に反応して重合し、硬化するという両機能を有す
るものであれば全て使用することができる。重合性基を
有する電子受容性化合物、即ち、同一分子中に電子受容
性基と重合性基とを有する化合物は、重合性基を有し、
かつ前記発色成分Ａの一つである電子供与性無色染料と
反応して発色し、かつ光重合して膜を硬化しうるもので
あれば全て使用することができる。このような重合性基
を有する電子受容性化合物としては、例えば特願平１１
−３６３０８号明細書の段落番号［００７９］〜段落番
号［００８８］に記載された電子受容性化合物を使用す
ることができる。また、重合性基を有するカプラー化合
物としては、例えば特願平１１−３６３０８号明細書の
段落番号［００８９］〜段落番号［０１０５］に記載さ
れたカプラー化合物を使用することができる。

【００７４】また、感光感熱記録層（ｂ）〜（ｄ）で
は、前記発色成分Ａと反応して発色する化合物として、
前記のような重合性基を有する化合物Ｂに代えて、重合
性基を有しない、発色成分Ａと反応して発色する実質的
に無色の化合物Ｃを使用する。但し、化合物Ｃは重合性
基を有さないため、記録層に光重合による膜硬化作用を
付与する必要があることから、他に重合性基を有する光
重合成化合物Ｄを併用して用いる。上記化合物Ｃとして
は、重合性基を有しない全ての電子受容性化合物または
カプラー化合物を使用することができる。重合性基を有
しない電子受容性化合物としては、例えば特願平１１−
３６３０８号明細書の段落番号［０１０７］〜段落番号
［０１１１］に記載された電子受容性化合物を使用する
ことができ、重合性基を有しないカプラー化合物として
は、例えば特願平１１−３６３０８号明細書の段落番号
［０１１７］〜段落番号［０１２６］に記載されたカプ
ラー化合物を使用することができる。

【００７５】光重合成化合物Ｄとしては、光重合性モノ
マーを使用することができる。光重合性モノマーとして
は分子内に少なくとも１個のビニル基を有する光重合性
モノマーを使用することができる。また、ネガ画像を得
たい場合には、光重合成化合物として発色成分Ａと化合
物Ｃとの反応を抑制する部位を有する光重合性化合物Ｄ
ｐを使用する。光重合性化合物Ｄｐは、用いる上記化合
物Ｃに応じて適合する光重合性化合物Ｄｐ、即ち、特定
の光重合性モノマー（Ｄｐ１、Ｄｐ２）を選択して用い
る。重合性基を有しない電子受容性化合物を用いる場
合、特定の光重合性モノマーＤｐ１を併用するが、該光
重合性モノマーＤｐ１としては、電子供与性無色染料と
電子受容性化合物との反応抑制機能を有し、分子内に少
なくとも１個のビニル基を有する光重合性モノマーであ
ることが好ましい。このような光重合性モノマーＤｐ１
としては、例えば特願平１１−３６３０８号明細書の段
落番号［０１１２］〜段落番号［０１１６］に記載され
た光重合性モノマーを使用することができる。また、重
合性基を有しないカプラー化合物を用いる場合、特定の
光重合性モノマーＤｐ２を併用して用いるが、該光重合
性モノマーＤｐ２としては、カップリング反応の抑制効
果を有する酸性基を有し、金属塩化合物でない光重合性
モノマーであることが好ましい。このような光重合性モ
ノマーＤｐ２としては、例えば特願平１１−３６３０８
号明細書の段落番号［０１２８］〜段落番号［０１３
１］に記載の光重合性モノマーを使用することができ
る。

【００７６】また、感光感熱記録層（ｂ）〜（ｄ）にお
いて、発色成分Ａとしてアゾメチン色素前駆体を用い、
化合物Ｃとしてアゾメチン色素前駆体との接触によりア
ゾメチン色素を生成（発色）させる脱保護剤を用いるこ
ともできる。また、光重合成化合物としてアゾメチン色
素前駆体と脱保護剤との反応を抑制する部位を有する光
重合性化合物（Ｄｐ）を使用することにより、ネガ画像
を得ることもできる。このようなアゾメチン色素前駆体
としては、例えば特願２０００−１８４２５号明細書の
段落番号［００２８］〜段落番号［０１０６］に記載の
アゾメチン色素前駆体を使用することができる。また、
脱保護剤としては、例えば特願２０００−１８４２５号
明細書の段落番号［０１４３］〜段落番号［０１６４］
に記載の脱保護剤を使用することができる。なお、感光
感熱記録層（ａ）において、発色成分Ａとしてアゾメチ
ン色素前駆体を用い、化合物Ｂとして重合性基を有する
脱保護剤を用いることもできる。重合性基を有する脱保
護剤としては、例えば特願２０００−１８４２５号明細
書の段落番号［０２３３］〜段落番号［０２３８］に記
載の脱保護剤を使用することができる。

【００７７】その他の発色成分Ａと、発色成分Ａと反応
して発色する化合物Ｂまたは化合物Ｃの組み合わせとし
ては、下記（ア）〜（ソ）の組合せが挙げられる。な
お、下記の組合せは、発色成分Ａ、化合物Ｂまたは化合
物Ｃの順に示した。 （ア）ベヘン酸銀、ステアリン酸銀のような有機酸金属
塩と、プロトカテキン酸、スピロインダン、ハイドロキ
ノンのような還元剤と、の組み合わせ。 （イ）ステアリン酸第二鉄、ミリスチン酸第二鉄のよう
な長鎖脂肪酸鉄塩と、タンニン酸、没食子酸、サリチル
酸アンモニウムのようなフェノール類と、の組み合わ
せ。 （ウ）酢酸、ステアリン酸、パルミチン酸などのニッケ
ル、コバルト、鉛、銅、鉄、水銀、銀塩のような有機酸
重金属塩と、硫化カルシウム、硫化ストロンチウム、硫
化カリウムのようなアルカリ土類金属硫化物と、の組み
合わせ、又は、前記有機酸重金属塩と、ｓ−ジフェニル
カルバジド、ジフェニルカルバゾンのような有機キレー
ト剤と、の組み合わせ。 （エ）銀、鉛、水銀、ナトリウム等の硫酸塩のような重
金属硫酸塩と、ナトリウムテトラチオネート、チオ硫酸
ソーダ、チオ尿素のような硫黄化合物と、の組み合わ
せ。 （オ）ステアリン酸第二鉄のような脂肪酸第二鉄塩と、
３，４−ヒドロキシテトラフェニルメタンのような芳香
族ポリヒドロキシ化合物と、の組み合わせ。 （カ）シュウ酸塩、シュウ酸水銀のような有機金属塩
と、ポリヒドロキシアルコール、グリセリン、グリコー
ルのような有機ポリヒドロキシ化合物と、の組み合わ
せ。 （キ）ペラルゴン酸第二鉄、ラウリン酸第二鉄のような
脂肪酸第二鉄塩と、チオセシルカルバミドやイソチオセ
シルカルバミド誘導体と、の組み合わせ。 （ク）カプロン酸鉛、ペラルゴン酸鉛、ベヘン酸鉛のよ
うな有機酸鉛塩と、エチレンチオ尿素、Ｎ−ドデシルチ
オ尿素のようなチオ尿素誘導体と、の組み合わせ。
（ケ）ステアリン酸第二鉄、ステアリン酸銅のような高
級脂肪酸重金属塩と、ジアルキルジチオカルバミン酸亜
鉛と、の組み合わせ。 （コ）レゾルシンとニトロソ化合物との組み合わせのよ
うなオキサジン染料を形成するもの。 （サ）ホルマザン化合物と還元剤および／または金属塩
との組み合わせ。 （シ）酸化型発色剤と酸化剤との組み合わせ。 （ス）フタロニトリル類とジイミノイソインドリン類と
の組み合わせ（フタロシアニンが生成する組み合わ
せ）。 （セ）イソシアナート類とジイミノイソインドリン類と
の組み合わせ（着色顔料が生成する組み合わせ）。 （ソ）顔料プレカーサと酸または塩基の組み合わせ（顔
料が生成する組み合わせ）。

【００７８】上述した発色成分の組合せの中でも、電子
供与性染料前駆体と電子受容性化合物の組み合わせ、ジ
アゾ化合物とカプラー化合物との組み合わせ、保護され
た色素前駆体と脱保護剤との組み合わせ、パラフェニレ
ンジアミン誘導体またはパラアミノフェノール誘導体の
酸化体前駆体とカプラー化合物との組合せが好ましい。
即ち、発色成分Ａとしては、電子供与性染料前駆体、ジ
アゾ化合物、保護された色素前駆体、または酸化体前駆
体が好ましく、化合物Ｂまたは化合物Ｃとしては、電子
受容性化合物、カプラー化合物、または脱保護剤が好ま
しい。

【００７９】次に、感光感熱記録層（ａ）〜(ｄ）中に
使用する光重合開始剤について説明する。この光重合開
始剤は、前記の感光感熱記録材料（ａ）〜(ｄ）のいず
れにも使用し、光露光することによりラジカルを発生し
て層内で重合反応を起こし、かつその反応を促進させる
ことができる。この重合反応により記録層膜は硬化し、
所望の画像形状の潜像を形成することができる。上記光
重合開始剤は、３００〜１０００ｎｍに最大吸収波長を
有する分光増感化合物と、該分光増感化合物と相互作用
する化合物と、を含有するものであることが好ましい
が、上記分光増感化合物と相互作用する化合物が、その
構造内に３００〜１０００ｎｍに最大吸収波長を有する
色素部とボレート部との両機能を併せ持つ化合物であれ
ば、上記分光増感色素を用いなくてもよい。カラー画像
を形成する場合には、これらを含む光重合開始剤を含有
する感光感熱記録層を有する感光感熱記録材料を用いる
ことが好適である。これらの光重合開始剤としては、例
えば特願平１１−３６３０８号明細書の段落番号［０１
３３］〜段落番号［０１７９］に記載された光重合性モ
ノマーを使用することができる。

【００８０】なお、上記感光願熱記録材料において、感
光感熱記録層の他の添加剤、感光感熱記録層以外の層構
成、及びマイクロカプセル化の方法については、特願平
１１−３６３０８号明細書の段落番号［０１８０］〜段
落番号［０２２６］に記載されたものを適宜用いること
ができる。

【００８１】また、本発明では、上述の感光感熱記録層
（ａ）〜(ｄ）を備えた感光感熱記録材料のほかに、
（ｅ）熱応答性マイクロカプセルに内包された酸化体前
駆体Ｅと、該熱応答性マイクロカプセル外部に在って前
記酸化体前駆体Ｅと反応して酸化体Ｆを生成する活性化
剤Ｇ、及び該酸化体Ｆとカップリング反応して色素を形
成する色素形成カプラーＨを含む感光感熱記録層であっ
て、光照射により被照射部分が硬化する光硬化性の感光
感熱記録層、（ｆ）熱応答性マイクロカプセルに外部に
在る酸化体前駆体Ｅと、該熱応答性マイクロカプセルに
内包された前記酸化体前駆体Ｅと反応して酸化体Ｆを生
成する活性化剤Ｇ、及び該酸化体Ｆとカップリング反応
して色素を形成する色素形成カプラーＨを含む感光感熱
記録層であって、光照射により被照射部分が硬化する光
硬化性の感光感熱記録層を備えた感光感熱記録材料も好
適に使用することができる。

【００８２】上記感光感熱記録層（ｅ）は、所望の画像
形状に露光することにより照射部分が硬化し、所望の画
像形状の潜像を形成する。次いで、加熱することにより
未露光部分に存在する活性化剤Ｇが記録材料内を移動
し、カプセル内の酸化体前駆体Ｅと反応して酸化体Ｆを
生成する。生成された酸化体Ｆは色素形成カプラーＨと
カップリング反応して色素を形成する（発色する）。従
って、上記感光感熱記録層（ｅ）は、露光部では発色せ
ず、未露光部の硬化されなかった部分が発色し画像を形
成するポジ型の感光感熱記録層である。例えば、具体的
態様として、特願平１１−３２４５４８号に記載の、マ
イクロカプセルに内包されたパラフェニレンジアミン誘
導体またはパラアミノフェノール誘導体の酸化体前駆体
と色素形成カプラー、マイクロカプセル外部に在ってこ
れら酸化体前駆体と反応してパラフェエレンジアミン誘
導体またはパラアミノフェノール誘導体の酸化体を生成
する活性化剤、光重合性モノマー、及び光重合開始剤を
含有する感光感熱記録層が挙げられる。この感光感熱記
録層においては、露光により光重合性モノマーが重合し
て硬化し、潜像が形成される。その後、加熱により未露
光部分に存在する活性化剤が記録材料内を移動し、マイ
クロカプセル内のパラフェニレンジアミン誘導体または
パラアミノフェノール誘導体の酸化体前駆体と反応し、
マイクロカプセル内で発色現像主薬であるパラフェニレ
ンジアミン誘導体またはパラアミノフェノール誘導体の
酸化体が生成する。この発色現像主薬の酸化体はマイク
ロカプセル内の色素形成カプラーと更に反応し、発色す
る。従って、露光部の硬化した潜像部分は発色せず、硬
化されなかった部分のみが発色し、コントラストの高い
鮮明なポジ画像を形成することができる。

【００８３】上記感光感熱記録層（ｆ）は、所望の画像
形状に露光することにより照射部分が硬化し、所望の画
像形状の潜像を形成する。次いで、加熱することにより
未露光部分に存在する酸化体前駆体Ｅが記録材料内を移
動し、カプセル内の活性化剤Ｇと反応して酸化体Ｆを生
成する。生成された酸化体Ｆは色素形成カプラーＨとカ
ップリング反応して色素を形成する（発色する）。従っ
て、上記感光感熱記録層（ｆ）は、露光部では発色せ
ず、未露光部の硬化されなかった部分が発色し画像を形
成するポジ型の感光感熱記録層である。例えば、具体的
態様として、特願平１１−３２４５４８号に記載の、マ
イクロカプセル外部に在るパラフェニレンジアミン誘導
体またはパラアミノフェノール誘導体の酸化体前駆体、
マイクロカプセルに内包されたこれら酸化体前駆体と反
応してパラフェエレンジアミン誘導体またはパラアミノ
フェノール誘導体の酸化体を生成する活性化剤と色素形
成カプラー、光重合性モノマー、及び光重合開始剤を含
有する感光感熱記録層が挙げられる。この感光感熱記録
層においては、露光により光重合性モノマーが重合して
硬化し、潜像が形成される。その後、加熱により未露光
部分に存在するパラフェニレンジアミン誘導体またはパ
ラアミノフェノール誘導体の酸化体前駆体が記録材料内
を移動し、マイクロカプセル内の活性化剤と反応し、マ
イクロカプセル内で発色現像主薬であるパラフェニレン
ジアミン誘導体またはパラアミノフェノール誘導体の酸
化体が生成する。この発色現像主薬の酸化体はマイクロ
カプセル内の色素形成カプラーと更に反応して発色す
る。従って、露光部の硬化した潜像部分は発色せず、硬
化されなかった部分のみが発色し、コントラストの高い
鮮明なポジ画像を形成することができる。

【００８４】以下に、上記感光感熱記録層（ｅ）、
(ｆ）を構成する構成成分について説明する。感光感熱
記録層（ｅ）、(ｆ）中において生成する酸化体Ｆは発
色現像主薬の酸化体であり、酸化体前駆体Ｅとしては、
例えば特願平１１−３２４５４８号明細書の段落番号
［０００９］〜段落番号［００２４］に記載された化合
物を用いることができ、活性化剤Ｇとしては、例えば特
願平１１−３２４５４８号明細書の段落番号［００２
４］〜段落番号［００３２］に記載された化合物を用い
ることができる。また、色素形成カプラーＨとしては、
例えば特願平１１−３２４５４８号明細書の段落番号
［００３３］に記載された化合物を用いることができ
る。

【００８５】感光感熱記録層（ｂ）〜(ｄ）と同様に、
上記感光感熱記録層（ｅ）、(ｆ）に光重合性化合物Ｄ
及び光重合開始剤を添加することにより、光硬化性の感
光感熱記録層とすることができる。また、酸化体前駆体
Ｅ、活性化剤Ｇ、及び色素形成カプラーＨのいずれかが
重合性基を有することによっても、光硬化性の感光感熱
記録層とすることができる。また、光重合性化合物とし
て、酸化体Ｆ及び色素形成カプラーＨのいずれかと大き
な相互作用を有する光重合性化合物Ｄｐを用いることに
より、ネガ画像を得ることもできる。なお、光重合性化
合物Ｄ、光重合開始剤については、上記感光感熱記録層
（ｂ）〜(ｄ）と同様のものを使用することができる。

【００８６】また、感光感熱記録層の他の添加剤、感光
感熱記録層以外の層構成、及びマイクロカプセル化の方
法についても、上記感光感熱記録層（ａ）〜(ｄ）と同
様、特願平１１−３６３０８号明細書の段落番号［０１
８０］〜段落番号［０２２６］に記載されたものを適宜
用いることができる。

【００８７】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、潜
像を記録するときの露光時に、短波長の光を発光する半
導体レーザへ印加する電流として、バイアス電流を、パ
ルス電流の印加以前から印加終了までの間、パルス電流
に同期して間欠的に印加するので、背景光を増加させず
かつ発振遅延時間を増加させずに高品位の画像を記録こ
とができる、という効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の第１実施の形態に係る画像記録装置
の概略構成を示すブロック図である。

【図２】 本発明の実施の形態に係る画像記録装置の光
記録部に含まれる光ビーム走査装置周辺の概略構成を示
すブロック図である。

【図３】 短波長発振の半導体レーザのＤＣ駆動電流と
光出力との関係を表す電流−光出力特性を示す特性図で
ある。

【図４】 低周波パルス電流信号により半導体レーザを
変調したときの印加電流波形と光出力波形のＤＣバイア
ス依存性を示す線図である。

【図５】 本発明の第１実施の形態に係る画像記録装置
に含まれる駆動回路の概略構成を示すブロック図であ
る。

【図６】 第１実施の形態の駆動回路によりレーザ光源
を変調するときの各種信号を示したタイミングチャート
である。

【図７】 本発明の第２実施の形態に係る画像記録装置
に含まれる駆動回路の概略構成を示すブロック図であ
る。

【図８】 第２実施の形態の駆動回路によりレーザ光源
を変調するときの各種信号を示したタイミングチャート
である。

【図９】 レーザ光源を変調するときの印加電流特性の
他例を示す電流信号波形図である。

【符号の説明】

１２ 感光感熱記録材料 １４ 収納部 １６ 光記録部 １８ 加熱現像部 ２０ 光定着部 ２１ マガジン ２２ 排出部 ２６ 光ビーム走査装置 ２８Ｒ、２８Ｇ、２８Ｂ レーザ光源 ３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂ コリメータレンズ ３４Ｒ、３４Ｇ、３４Ｂ シリンドリカルレンズ ３６ ポリゴンミラー ３８ レンズ ４０ シリンドリカルレンズ ４８ 定着光源 ９０ 駆動回路 ９２ 画像処理装置 ９４ 光強度変調回路 ９５ パルス幅変調回路 ９６ バイアス回路

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０４Ｎ 1/036 Ｈ０４Ｎ 1/23 １０３Ｂ ５Ｆ０７３ 1/113 Ｂ４１Ｊ 3/00 Ｍ 1/23 １０３ Ｈ０４Ｎ 1/04 １０４Ｚ Ｆターム(参考） 2C362 AA03 AA61 AA63 AA64 CA09 CA10 CA11 CA14 CB47 CB71 CB80 DA28 2H106 AA41 AA72 AB10 BG05 BG21 5C051 AA02 CA01 CA07 DA01 DB02 DB04 DB07 DE03 DE17 FA04 5C072 AA03 BA05 HA02 HA13 HB02 HB04 HB06 VA03 5C074 AA02 BB03 DD07 DD08 GG02 5F073 AB27 AB29 BA07 CA07 EA14 GA04 GA24

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ＧａＮ系の半導体レーザから出射される
   レーザ光により感光感熱記録材料を露光して潜像を記録
   する感光感熱記録材料への画像記録方法であって、 前記半導体レーザに、記録すべき画像に対応するパルス
   電流を印加することにより前記レーザ光をパルス光とし
   て出射させると共に、前記パルス電流の印加以前から印
   加終了まで、バイアス電流を印加することを特徴とする
   感光感熱記録材料への画像記録方法。
2. 【請求項２】 前記バイアス電流を、矩形波形、三角波
   及び正弦波の何れか１つの波形で印加することを特徴と
   する請求項１に記載の感光感熱記録材料への画像記録方
   法。
3. 【請求項３】 前記パルス電流を、パルス強度変調、パ
   ルス幅変調、及びパルス位相変調の何れかで変調して印
   加することを特徴とする請求項１または請求項２に記載
   の感光感熱記録材料への画像記録方法。
4. 【請求項４】 ＧａＮ系の半導体レーザを含み、前記半
   導体レーザから出射されるレーザ光により感光感熱記録
   材料を露光して潜像を記録する光記録手段と、 前記半導体レーザに、記録すべき画像に対応するパルス
   電流を印加するパルス電流印加手段と、 前記半導体レーザに、前記パルス電流の印加以前から印
   加終了まで、バイアス電流を印加するバイアス電流印加
   手段と、 加熱により潜像を現像する加熱現像手段と、 光を照射して現像された画像を定着する光定着手段と、
   を含む画像記録装置。
5. 【請求項５】 前記バイアス電流印加手段は、矩形波
   形、三角波及び正弦波の何れか１つの波形の電流を生成
   する生成手段を含むことを特徴とする請求項４に記載の
   画像記録装置。
6. 【請求項６】 前記パルス電流印加手段は、パルス電流
   を、パルス強度変調、パルス幅変調、及びパルス位相変
   調の何れか１つで変調する変調手段を含むことを特徴と
   する請求項４または請求項５に記載の画像記録装置。