JPH10226879A - スパッタリング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 矩形平板ターゲットを有する単純な磁石構成
による小型スパッタリング電極で、大型の基板に薄膜を
形成できるとともにその薄膜の膜厚及び膜質の均一性を
向上でき、さらにターゲットの高い利用効率を実現でき
るスパッタリング装置を提供する。 【解決手段】 ターゲット１の両側縁に沿うように配置
した複数個の磁石２４を有し、かつこれら磁石２４は相
隣合うもの同士の極性が逆になるとともに、ターゲット
１を挟んで対向する磁石間の極性が逆になるように配設
して成るスパッタリング電極３１を用い、このスパッタ
リング電極３１に対向させて配置する基板をスパッタリ
ング電極３１の中心軸を中心点として回転させるように
した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、単純な磁石構成に
よる小型のスパッタリング電極で、大型基板に薄膜を形
成できるスパッタリング装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】スパッタリング法は、真空蒸着に比べ、
高融点材料や化合物の薄膜が容易に形成できる薄膜形成
技術であることから、現在広く半導体や電子部品等の工
業分野で普及している。特に、永久磁石や電磁石を磁気
回路として用いるマグネトロンスパッタリング法は薄膜
の形成速度が真空蒸着に比べ約１桁遅いというスパッタ
リング法の欠点を解決し、スパッタリング法による薄膜
形成の量産化を可能にした。

【０００３】以下、従来のマグネトロンスパッタリング
電極を備えたスパッタリング装置について図１０〜図１
２を参照して説明する。

【０００４】図１０、図１１に従来の矩形平板ターゲッ
トを有するマグネトロンスパッタリング電極１２を示
す。１は矩形平板ターゲットであり、インジウム等のハ
ンダ剤によりバッキングプレート２に接着され、真空シ
ール用のＯリング３を介して電極本体４に設置されてい
る。ターゲット１の裏側にはマグネトロン放電用の磁気
回路５が、閉じた磁力線６を形成しかつ少なくとも磁力
線６の一部がターゲット１表面で平行になるように配置
されている。そのため、ターゲット１表面には、図１１
に示すようにトロイダル型の閉じたトンネル状の磁場７
が形成される。

【０００５】以上の構成のマグネトロンスパッタリング
電極１２の動作原理を説明する。図１２に上述のスパッ
タリング電極１２を設置したスパッタリング装置を示
す。スパッタリング電極１２は真空チャンバー９に絶縁
材１０を介して設置されている。薄膜形成を行うには、
真空チャンバー９を真空ポンプ１３により高真空（〜１
０^-7Ｔｏｒｒ程度）まで排気し、Ａｒ等の放電ガス１４
を流量調整器１５を通して導入し、圧力調整バルブ１６
を調整してチャンバー９内を１０^-3〜１０^-2Ｔｏｒｒ程
度の圧力に保つ。ターゲット１を取付けたスパッタリン
グ電極１２に直流あるいは交流のスパッタリング用電源
１１にて負の電圧を印加することで、電場と磁気回路５
によるトロイダル型トンネル状の磁場７の周辺で、マグ
ネトロン放電が起こり、ターゲット１がスパッタされ、
スパッタ粒子が基板ホルダー１７上に設置した基板１８
に堆積され、薄膜が形成される。

【０００６】しかし、従来のマグネトロンスパッタリン
グ電極１２では、ターゲット面と平行に通る磁力線６の
最も強い部分でプラズマ密度が高くなるため、ターゲッ
ト１上にスパッタされる浸食領域８（図１１参照）とス
パッタされた粒子が再付着する領域とができ、ターゲッ
ト１の浸食が不均一に進む。このため、ターゲット１に
対向して設置した基板１８上に形成される薄膜の膜厚均
一性を確保するためには、ターゲット１の大きさや、磁
気回路５、あるいはターゲット１と基板１８との距離を
十分に調整する必要がある。一般に、薄膜の膜厚均一性
を確保するためには、一辺が基板１８の約２倍の大きさ
を有するターゲット１が必要とされている。

【０００７】現在、液晶や半導体、光磁気ディスク等、
スパッタリング技術を必要とする分野では基板１８の大
型化が進んでおり、それに伴うターゲット１の大型化や
スパッタリング電極１２の構成の複雑化が余儀なくされ
ている。その結果、スパッタリング装置の大型化、ター
ゲット材料の高額化等による設備コストや設置面積の増
大が問題となってきている。

【０００８】そこで、これらの問題を解決するため、小
型のスパッタリング電極１２で大型の基板１８への薄膜
形成を可能にする取組みが行われてきた。

【０００９】その一例として、図１３に示すように、複
数個の平板状のマグネトロンスパッタリング電極１２を
基板１８に対して傾斜配置する方法があり、大型の基板
１８における膜厚均一性の確保に有効である。

【００１０】また、図１４に示すように、平板状の内周
ターゲット２１ａと傾斜角を持つ外周ターゲット２１ｂ
を組合せ、２種類のターゲットを独立に制御してスパッ
タすることができるスパッタリング電極２０も提案され
ている。この装置では、内周電磁石コイル２２ａと外周
電磁石コイル２２ｂの電流を磁石用電源２３によりそれ
ぞれ独立に制御することで内周ターゲット２１ａと外周
ターゲット２１ｂの磁場を最適化し、さらにそれぞれの
ターゲット２１ａ、２１ｂへのスパッタ電力もスパッタ
リング用電源１１により独立して制御することで、大型
の基板１８での膜厚均一性の確保が可能となる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１
３、図１４の構成のスパッタリング装置でもターゲット
１、２１ａ、２１ｂの浸食は一様でない。図１５は図１
３のスパッタリング装置のターゲット１の浸食の様子を
ターゲット１の断面で示したものであり、斜線部分は侵
食された領域８を示す。浸食の初期の段階では図１５
（ａ）に示す状態であり、ターゲット１が使用できなく
なる直前の段階では図１５（ｂ）に示す状態になる。こ
のように、ターゲット１の侵食は一様でなく、また場所
によっても大きく異なるため、ターゲット１にはまだス
パッタされていない部分が多く残っているにもかかわら
ず、ターゲット１の一部分が局所的に薄くなるので使用
できず、高価なターゲット１の利用効率が悪いという問
題がある。

【００１２】また、浸食形状も相似形を成していないの
で、基板１８に対するスパッタ粒子の入射角が大きく変
化する。このためターゲット１の初期段階と終了段階と
でターゲット１近傍の磁場や電極に印加する電力を同じ
にしていたのでは基板１８に形成される薄膜の膜厚及び
膜質均一性が大きく損なわれるという問題がある。

【００１３】さらに、ターゲット１を基板１８に対して
傾ける必要があるため、スパッタリング装置のハード構
成が複雑になるという問題がある。

【００１４】また、図１４に示す構成の装置におけるタ
ーゲット２１ａ、２１ｂの浸食の様子を図１６に示す。
上記と同様に斜線部分が浸食された領域８であり、図１
６（ａ）は侵食初期段階、図１６（ｂ）はターゲット２
１ａ、２１ｂが使用できなくなる直前の状態を示してい
る。図１４に示す構成を持つ装置でも、ターゲット２１
ａ、２１ｂの浸食の様子は初期段階と終了段階では著し
く異なるが、磁石用電源２３によりコイル２２ａ、２２
ｂに流れる電流を調整することで、ターゲット２１ａ、
２１ｂ近傍の磁場が調整できるので、膜厚均一性は保つ
ことができる。

【００１５】しかし、この磁場の調整は微妙で複雑な制
御が要求されるという問題がある。

【００１６】さらに、ターゲット２１ａ、２１ｂの経時
変化に対する膜厚均一性は確保できても、化合物のスパ
ッタリングや反応性スパッタリングにおいては、基板１
８面内やロット間での膜組織や構造などの薄膜物性に不
均一性が生じるという問題がある。

【００１７】本発明は、上記従来の問題点に鑑み、矩形
平板ターゲットを有する単純な磁石構成による小型のス
パッタリング電極で、大型基板に薄膜を形成できかつそ
の薄膜の膜厚及び膜質の均一性を向上でき、さらにター
ゲットの利用効率を向上できるスパッタリング装置を提
供することを目的としている。

【００１８】

【課題を解決するための手段】本発明のスパッタリング
装置は、矩形ターゲットを用いてスパッタリングを行
い、基板に薄膜を形成するスパッタリング装置におい
て、ターゲットの両側縁に沿うように配置した複数個の
磁石を有し、かつこれら磁石は相隣合うもの同士の極性
が逆になるとともに、ターゲットを挟んで対向する磁石
間の極性が逆になるように配置したスパッタリング電極
と、スパッタリング電極に対向した位置で基板を保持す
るとともに、スパッタリング電極の中心軸を中心点とし
て基板を回転させる回転手段を有する基板ホルダーとを
備えたものであり、矩形ターゲットを用いた単純な磁石
構成による小型のスパッタリング電極で、大型基板に薄
膜を形成できるとともに、その薄膜の膜厚および膜質の
均一性を向上でき、さらにターゲットの利用効率も向上
することができる。

【００１９】また、磁場と電場による電子の運動方向が
ターゲット縁部に配置された磁石に平行でかつスパッタ
リング電極の中心から外向きになるように磁石の極性を
設定することにより、大型基板に形成される薄膜の膜厚
及び膜質の均一性とターゲット利用効率をより一層向上
することができる。

【００２０】さらに、スパッタリング電極を、複数の電
極ユニットをそれぞれのターゲット面が同一平面上に位
置するように配置して構成すると、メンテナンス及び製
造の容易な小さなターゲットを用いて大型基板に形成さ
れる薄膜及び膜質の均一性と、ターゲット利用効率を向
上できる。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明のスパッタリング装
置の第１の実施形態について、図１〜図５を参照して説
明する。

【００２２】まず、スパッタリング電極３１について図
１、図２を参照して説明する。図１において、１は矩形
平板ターゲット、２はバッキングプレート、３は真空シ
ール用のＯリング、４は電極本体である。２４は磁場発
生用の磁気回路を構成する磁石、２４ａは左側磁気回
路、２４ｂは右側磁気回路である。磁石２４はターゲッ
ト１の表面の側縁に沿って左右２箇所にこのターゲット
１の長軸に平行に配置されている。左側磁気回路２４ａ
及び対向する位置にある右側磁気回路２４ｂは、それぞ
れ直方体の永久磁石２４を２個配置して構成され、かつ
隣合う磁石２４の極性が逆転するとともに、左右間でＮ
極からＳ極へと磁束２７が通るように構成されている。

【００２３】図２に、図１（ａ）のＢ−Ｂ’上におけ
る、ターゲット１の長軸方向に対して直角かつターゲッ
ト表面に平行な磁力線による磁場強度を示す。磁束密度
の符号は、図１の左側磁気回路２４ａから右側磁気回路
２４ｂへと磁束２７が通る時を正、逆に右側から左側へ
磁束２７が通る時を負と定義している。また、ターゲッ
ト１の中心からの距離はターゲット中心線（Ａ−Ａ’）
上を０とし、Ｂ側を正、Ｂ’側を負としている。

【００２４】以上の構成のスパッタリング電極３１を用
いてスパッタリングを行うと、磁場と電場による電子の
螺旋運動の運動方向２６はＡ−Ａ’を中心に外側へと移
動することになる。

【００２５】図３に上記スパッタリング電極３１を用い
たスパッタリング装置を示す。スパッタリング電極３１
は、絶縁材１０を介して真空チャンバー９に設置され、
スパッタリング用電源１１に接続されている。薄膜が形
成される基板１８を保持する基板ホルダー１７は、真空
チャンバー９内におけるスパッタリング電極３１と対向
しかつ中心がスパッタリング電極３１の中心軸（Ａ−
Ａ’とＢ−Ｂ’の交点）上となる位置に設置され、その
軸を中心に基板１８を自転させることができるようにモ
ータ等の回転手段１９が設けられている。

【００２６】なお、図３において、図１２を参照して説
明した従来例と同一のその他の構成要素については同一
参照番号を付して説明を省略する。また、その動作方法
も従来例と同様であるので、その説明は省略する。

【００２７】本実施形態においてスパッタリングを行う
場合、まずスパッタリング電極３１に着目すると、図１
において磁石２４をターゲット１表面の前方両側の左右
２箇所にこのターゲット１の長軸に平行に配置している
ことにより、ターゲット１表面全域にわたり水平でかつ
長軸に垂直な磁束２７が通る。しかも、ターゲット１表
面上で、ターゲット１の両側縁に配置した磁石２４によ
り発生する磁束２７がＡ−Ａ’に対称な位置において逆
向きになるように、かつ磁場と電場による電子の運動方
向２６が中心から外側に向かって移動するように磁石２
４の極性を設定しているため、Ａ−Ａ’を中心に対称に
外側に向かうほどプラズマ密度が高くなる。

【００２８】つまり、ターゲット１の長軸方向であるＢ
−Ｂ’方向における基板１８上での膜厚分布は、図４
（ａ）に示すように外側が厚くなる傾向となる。一方、
ターゲット１の短軸方向であるＡ−Ａ’方向における基
板１８上での膜厚分布は、図４（ｂ）に示すようにター
ゲット１の幅が狭いために極端に中心部分が厚い山型に
なる傾向となる。

【００２９】ここで、中心点（Ａ−Ａ’とＢ−Ｂ’の交
点）を軸に、基板ホルダー１７上の基板１８を回転手段
１９にて自転させると、基板１８上での膜厚分布は、ほ
ぼ図４（ａ）と図４（ｂ）を足し合わせた図４（ｃ）に
示すような形（実線で表示）となり、基板１８面内での
膜厚均一性が向上する。

【００３０】しかも、ターゲット１の浸食領域８は、図
５に示すように、浸食の初期段階（図５（ａ））から終
了段階（図５（ｂ））まで、浸食前のターゲット面とほ
ぼ平行な平面状に進行していることがわかる。すなわ
ち、ターゲット１は全面でほぼ均一な浸食が起こり、し
かもターゲット１の初期と終わりで浸食面の形状に大幅
な変化がなく、膜厚分布の経時変化、膜組成や構造など
の薄膜物性の不均一化がほとんど生じない。

【００３１】以上のように本実施形態によれば、ほぼ全
面均一に浸食が進むターゲット１を有するスパッタリン
グ電極３１と、そのスパッタリング電極３１に対向した
位置で、スパッタリング電極３１の中心軸上を中心点と
して基板１８を自転させる回転手段１９を有する基板ホ
ルダー１７とを備えることにより、小型のスパッタリン
グ装置でターゲット１の初期から終わりまで安定した膜
厚及び膜質を有する薄膜形成が可能となる。

【００３２】次に、本発明のスパッタリング装置の第２
の実施形態について、図６〜図９を参照して説明する。

【００３３】本実施形態では、そのスパッタリング電極
３１を、複数のスパッタリング電極３１と同様の構成の
短尺の電極ユニット３２をその長手方向に直列状態に配
置して構成している。各電極ユニット３２において、１
は矩形平板ターゲット、２はバッキングプレート、２４
は磁場発生用の磁気回路を構成する磁石である。２４ａ
は左側磁気回路、２４ｂは右側磁気回路である。

【００３４】２個のターゲット１はＡ−Ａ’に対称でか
つターゲット１の長軸が一直線状になると同時にターゲ
ット面が同一平面になるように配置されている。磁石２
４はターゲット１の表面の側縁に沿って左右２箇所に、
各ターゲット１の長軸に平行に配置されている。左側磁
気回路２４ａ及び対向する位置にある右側磁気回路２４
ｂには直方体の永久磁石２４を使用し、ターゲット面を
上にしてＡ−Ａ’から外側を見たときに、右側磁気回路
２４ｂ（Ｎ極）から左側磁気回路２４ａ（Ｓ極）へと磁
束２７が通るように配置されている。

【００３５】図７に図６のＢ−Ｂ’上において、ターゲ
ット１の長軸方向に対して直角かつターゲット表面に平
行な磁束２７による磁場強度を示す。磁束密度の符号
は、図６において、ターゲット面を上にしてＡ−Ａ’か
ら外側を見たときに、左側磁気回路２４ａから右側磁気
回路２４ｂへと磁力線が通る時を正、右側磁気回路２４
ｂから左側磁気回路２４ａへと磁力線が通る時を負とす
る。図７に示すようにスパッタリング電極３１の長点方
向に磁束密度はほぼ一定となる。

【００３６】以上により、本実施形態の複数の電極ユニ
ット３２から成るスパッタリング電極３１によりスパッ
タリングを行うと、第１の実施形態と同様に磁場と電場
による電子の運動方向２６はＡ−Ａ’を中心に外側へと
移動することになる。

【００３７】図８は上記のような構成された複数の電極
ユニット３２から成るスパッタリング電極３１を用いた
スパッタリング装置を示す。２個の電極ユニット３２が
それぞれ絶縁材１０を介して真空チャンバー９に設置さ
れ、スパッタリング用電源１１に接続されている。その
他の構成は第１の実施形態と同じであり、説明は省略す
る。

【００３８】本実施形態においてスパッタリングを行う
場合、まずスパッタリング電極３１に着目すると、図６
において磁石２４をターゲット１表面の前方両側の左右
２箇所にこのターゲット１の長軸に平行に配置している
ことにより、ターゲット１表面全域にわたり水平でかつ
長軸に垂直な磁束２７が通る。しかも、ターゲット１表
面上で、ターゲット１の両側縁に配置した磁石２４によ
り発生する磁束２７がＡ−Ａ’に対称な位置において逆
向きになるように、かつ磁場と電場による螺旋状の電子
の運動方向２６が中心から外側に向かって移動するよう
に磁石２４を配置しているため、Ａ−Ａ’を中心に対称
に外側に向かうほどプラズマ密度が高くなる。

【００３９】つまり、ターゲット１の長軸方向であるＢ
−Ｂ’方向における基板１８上での膜厚分布は、図４
（ａ）に示すように外側が厚くなる傾向にある。一方、
ターゲット１の短軸方向であるＡ−Ａ’方向における基
板１８上での膜厚分布は、図４（ｂ）に示すようにター
ゲット１の幅が狭いために極端に中心部分が厚い山型に
なる傾向にある。

【００４０】ここで、中心点（Ａ−Ａ’とＢ−Ｂ’の交
点）を軸に、基板１８を自転させると、基板１８上での
膜厚分布は、ほぼ図４（ａ）と図４（ｂ）を足し合わせ
た図４（ｃ）に示すような形となり、基板面内での膜厚
均一性が向上する。

【００４１】つまり、大型の基板１８に対しても、外周
での膜厚を補正するために基板１８に対してスパッタリ
ング電極を傾斜させて配置する等の複雑な構造を必要と
せずに膜厚分布が確保できる。

【００４２】しかも、本実施形態においても、ターゲッ
ト１の浸食領域８は、図９に示すように、浸食の初期段
階（図９（ａ））から終了段階（図９（ｂ））まで、浸
食前のターゲット面とほぼ平行な平面状に進行している
ことがわかる。すなわち、本実施形態におけるターゲッ
ト１でも、全面でほぼ均一な浸食が起こり、しかもター
ゲット１の初期と終わりで浸食面の形状に大幅な変化が
なく、膜厚分布の経時変化、膜組成や構造などの薄膜物
性の不均一化がほとんど生じない。

【００４３】以上のように本実施形態においても、ほぼ
全面均一に浸食が進むターゲット１を２ユニット有する
スパッタリング電極３１と、そのスパッタリング電極３
１に対向した位置でかつスパッタリング電極３１の中心
軸上を中心点として基板１８を自転させる回転手段１９
を有する基板ホルダー１７とを備えることにより、スパ
ッタリング電極３１を基板１８に対して傾けて配置する
ような複雑な構造を必要とせずに、小型のスパッタリン
グ装置でターゲット１の初期から終わりまで安定した膜
厚及び膜質を有する薄膜形成が可能となる。

【００４４】本実施形態は第１の実施形態と比較して、
ターゲット１の交換等のメンテナンス作業性やターゲッ
ト１の製造上の問題で、あまり大型のターゲット１が使
用できないときに特に有効である。

【００４５】なお、本実施形態ではスパッタリング電極
３１を構成するターゲット１の数を２個としたが、スパ
ッタリング電極３１の中心に対して対称で、磁場と電場
による電子の螺旋運動が中心から外側に向かって移動す
るように構成してあれば、ターゲット１の個数は幾らで
も良い。また、磁気回路２４ａ、２４ｂは永久磁石のほ
か電磁石で構成しても構わない。

【００４６】さらに、本実施形態では２個の電極ユニッ
ト３２に１つのスパッタリング用電源１１を単純に接続
したが、各電極ユニット３２毎に独立にスパッタリング
電源を接続したり、あるいは１つのスパッタリング用電
源で各ユニットへの電力比を制御するようにしても構わ
ない。

【００４７】

【発明の効果】本発明のスパッタリング装置によれば、
以上の説明から明らかなように、ターゲットの両側縁に
沿うように配置した複数個の磁石を有し、かつこれら磁
石は相隣合うもの同士の極性が逆になるとともに、ター
ゲットを挟んで対向する磁石間の極性が逆になるように
配置したスパッタリング電極と、スパッタリング電極に
対向した位置で基板を保持するとともに、スパッタリン
グ電極の中心軸を中心点として基板を回転させる回転手
段を有する基板ホルダーとを備えているので、ターゲッ
トの浸食をほぼ一様にすることができて基板に形成され
る薄膜の膜厚及び膜質の均一性を向上することができ
る。したがって、矩形平板ターゲットを有する単純な磁
石構成による小型のスパッタリング電極を用いた小型の
スパッタリング装置によって複雑な制御なしで大型基板
に薄膜を形成できるとともにその薄膜の膜厚および膜質
の均一性を向上でき、さらにターゲットを十分に使い切
ることができて利用効率が向上する。

【００４８】また、磁場と電場による電子の運動方向が
ターゲット縁部に配置された磁石に平行でかつスパッタ
リング電極の中心から外向きになるように磁石の極性を
設定することにより、大型基板に形成される薄膜の膜厚
及び膜質の均一性とターゲット利用効率をより一層向上
することができる。

【００４９】さらに、スパッタリング電極を、複数の電
極ユニットをそれぞれのターゲット面が同一平面上に位
置するように配置して構成すると、メンテナンス及び製
造の容易な小さなターゲットを用いて大型基板に形成さ
れる薄膜及び膜質の均一性と、ターゲット利用効率を向
上できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のスパッタリング装置の第１の実施形態
におけるスパッタリング電極の構成を示し、（ａ）は平
面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ’断面図である。

【図２】同実施形態のスパッタリング装置におけるター
ゲット表面上の磁束密度分布図である。

【図３】同実施形態のスパッタリング装置の概略構成図
である。

【図４】同実施形態における膜厚分布を示し、（ａ）は
図１のＢ−Ｂ’方向の膜厚分布図、（ｂ）は図１のＡ−
Ａ’方向の膜厚分布図、（ｃ）は基板回転時の膜厚分布
図である。

【図５】同実施形態におけるターゲットの浸食状態を示
し、（ａ）は浸食初期段階の断面図、（ｂ）は浸食終了
段階の断面図である。

【図６】本発明のスパッタリング装置の第２の実施形態
におけるスパッタリング電極の構成を示す平面図であ
る。

【図７】同実施形態のスパッタリング装置におけるター
ゲット表面上の磁束密度分布図である。

【図８】同実施形態のスパッタリング装置の概略構成図
である。

【図９】同実施形態におけるターゲットの浸食状態を示
し、（ａ）は浸食初期段階の断面図、（ｂ）は浸食終了
段階の断面図である。

【図１０】従来例のスパッタリング装置におけるスパッ
タリング電極の構成を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は
（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。

【図１１】同従来例におけるスパッタリング電極の斜視
図である。

【図１２】同従来例のスパッタリング装置の概略構成図
である。

【図１３】他の従来例のスパッタリング電極の配置構成
図である。

【図１４】さらに別の従来例のスパッタリング電極の配
置構成図である。

【図１５】図１３の従来例におけるターゲットの浸食状
態を示し、（ａ）は浸食初期段階の断面図、（ｂ）は浸
食終了段階の断面図である。

【図１６】図１４の従来例におけるターゲットの浸食状
態を示し、（ａ）は浸食初期段階の断面図、（ｂ）は浸
食終了段階の断面図である。

【符号の説明】

１ ターゲット １７ 基板ホルダー １８ 基板 １９ 回転手段 ２４ 磁石 ２６ 電子の運動方向 ２７ 磁束 ３１ スパッタリング電極 ３２ 電極ユニット

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 矩形ターゲットを用いてスパッタリング
   を行い、基板に薄膜を形成するスパッタリング装置にお
   いて、ターゲットの両側縁に沿うように配置した複数個
   の磁石を有し、かつこれら磁石は相隣合うもの同士の極
   性が逆になるとともに、ターゲットを挟んで対向する磁
   石間の極性が逆になるように配置したスパッタリング電
   極と、スパッタリング電極に対向した位置で基板を保持
   するとともに、スパッタリング電極の中心軸を中心点と
   して基板を回転させる回転手段を有する基板ホルダーと
   を備えたことを特徴とするスパッタリング装置。
2. 【請求項２】 磁場と電場による電子の運動方向がター
   ゲット縁部に配置された磁石に平行でかつスパッタリン
   グ電極の中心から外向きになるように磁石の極性を設定
   したことを特徴とする請求項１記載のスパッタリング装
   置。
3. 【請求項３】 スパッタリング電極を、複数の電極ユニ
   ットをそれぞれのターゲット面が同一平面上に位置する
   ように配置して構成したことを特徴とする請求項１又は
   ２記載のスパッタリング装置。