JPS6013066A - マグネトロンスパツタリング電極 - Google Patents
マグネトロンスパツタリング電極Info
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- JPS6013066A JPS6013066A JP11816383A JP11816383A JPS6013066A JP S6013066 A JPS6013066 A JP S6013066A JP 11816383 A JP11816383 A JP 11816383A JP 11816383 A JP11816383 A JP 11816383A JP S6013066 A JPS6013066 A JP S6013066A
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- target
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- film
- substrate
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は、多元素系合金薄膜を形成する際に、膜組成の
＊＊を容易にし、しかも基板面内の組成を一様にするた
めのマグネトロンスパッタリング電極に関するものであ
る。
＊＊を容易にし、しかも基板面内の組成を一様にするた
めのマグネトロンスパッタリング電極に関するものであ
る。
（背景技術）
従来、マグネトロンスパッタリング電極を用いた多元素
系合金薄膜を製造するにあたっては、複数個のスパッタ
電極を用いる方法と、１つのカソードに組成の異なるタ
ーゲットを取り付ける方法とがある。
系合金薄膜を製造するにあたっては、複数個のスパッタ
電極を用いる方法と、１つのカソードに組成の異なるタ
ーゲットを取り付ける方法とがある。
複数個のスパッタ電極を用いる前者の方法では、独立に
スパッタリング量を制御した各々組成の異ナルターゲッ
トからスパッタリングされた原料を基板上に合金化させ
る。従来のマグネ）ｏンスパッタリング電極は磁気発生
源が電極内部に組み込まれているので、一般のスパッタ
電極と比較シて大聖である。他方、基板面内の組成を均
一にするためには、各ターゲット間距離をなるべく短か
くすることが必要である。ところが、従来のマグネトロ
ンスパッタリング装置は大型であるから、このように各
ターゲット間距離をなるべく短かくするという条件を満
足できない欠点を有していた。
スパッタリング量を制御した各々組成の異ナルターゲッ
トからスパッタリングされた原料を基板上に合金化させ
る。従来のマグネ）ｏンスパッタリング電極は磁気発生
源が電極内部に組み込まれているので、一般のスパッタ
電極と比較シて大聖である。他方、基板面内の組成を均
一にするためには、各ターゲット間距離をなるべく短か
くすることが必要である。ところが、従来のマグネトロ
ンスパッタリング装置は大型であるから、このように各
ターゲット間距離をなるべく短かくするという条件を満
足できない欠点を有していた。
１つのカソードに組成の異なるターゲットを組み合わせ
る後者の方法では、基板面内の組成均一化を達成Ｔるた
めには基板２回転させる以外に方法はなく、さらに組成
を制御するためには、基板位置を移動させる必要があっ
た。これがため、この種の方法では、所望の合金組成を
得るための基板設定位置の決定が難かしく、現実には、
機械的な基板移動では精密な組成制御を行うことが困難
であった。
る後者の方法では、基板面内の組成均一化を達成Ｔるた
めには基板２回転させる以外に方法はなく、さらに組成
を制御するためには、基板位置を移動させる必要があっ
た。これがため、この種の方法では、所望の合金組成を
得るための基板設定位置の決定が難かしく、現実には、
機械的な基板移動では精密な組成制御を行うことが困難
であった。
（目 的）
本発明の目的は、これらの問題点を解決し、膜組成の制
御が容易であり、しかも基板面内の組成を一様にすると
とのできるマグネトロンスパッタリング電極を提供する
ことにある。
御が容易であり、しかも基板面内の組成を一様にすると
とのできるマグネトロンスパッタリング電極を提供する
ことにある。
（発明の構成）
かかる目的【達成するために、本発明では、１つの磁場
発生源の中にスパッタリング量をそれぞれ独立に制御す
ることが可能な複数個のターゲットを組み込む。これに
よれば、各ターゲット間の距離を短かくシ、同一プラズ
マ領域を形成するために一体の電極構造にすることがで
きる。
発生源の中にスパッタリング量をそれぞれ独立に制御す
ることが可能な複数個のターゲットを組み込む。これに
よれば、各ターゲット間の距離を短かくシ、同一プラズ
マ領域を形成するために一体の電極構造にすることがで
きる。
（実施例）
以下に図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第７図は本発明マグネトロンスパッタリング電極のｌ実
施例として、２個の同軸マグネトロンターゲットを有す
るマグネトロンスパッタリング電極の基本的な構成を、
磁力線と平行な断面で示す断面図である。
施例として、２個の同軸マグネトロンターゲットを有す
るマグネトロンスパッタリング電極の基本的な構成を、
磁力線と平行な断面で示す断面図である。
ここで、／／および７．２は板状ターゲットであり、１
３は電子反射板である。／ｌＩは接地した陽極である。
３は電子反射板である。／ｌＩは接地した陽極である。
１３は絶縁体である。１６および１７はターゲットｌ／
およびｌコのターゲツト面に平行な磁力線をそれぞれ形
成させるための板状磁性体であり、その下面はそれぞれ
永久磁石のＮ極およびＳ極に接続しである。ここで、多
元素系合金薄膜が形成される基板の位置は第１１ｉｌの
紙面の上方にあるものとする。
およびｌコのターゲツト面に平行な磁力線をそれぞれ形
成させるための板状磁性体であり、その下面はそれぞれ
永久磁石のＮ極およびＳ極に接続しである。ここで、多
元素系合金薄膜が形成される基板の位置は第１１ｉｌの
紙面の上方にあるものとする。
さらに、ＶｌｌおよびＶ１２は、それぞれ、ターゲット
／／と陽極／４１およびターゲット／ａと陽極／４１と
の間に、各ターゲットに独立に電圧値を制御できるよう
にして配置したスパッタリング量調整用の直流電源であ
る。
／／と陽極／４１およびターゲット／ａと陽極／４１と
の間に、各ターゲットに独立に電圧値を制御できるよう
にして配置したスパッタリング量調整用の直流電源であ
る。
第２１ｉ！！ｌは第１図示のターゲット部の構成を示す
斜視図である。
斜視図である。
かかるマグネトロンスパッタリング電極を動作させるに
あたっては、このマグネトロンスパッタリング電極を不
活性ガス雰囲気中に設置し、陽極／４１とターゲットｌ
ｌおよびｌコの各々との間に第１図に示すように直流電
圧を電源ＶｌｌおよびＶ１２よりそれぞれ独立に印加す
る。この電圧印加によって放電がターゲットｌｌおよび
／コの各々の周囲に起こり、プラズマループが各ターゲ
ット／／およびｌコを軸として形成される。かかるプラ
ズマループの形成を、ターゲット部の磁力線に画直な断
面で示すと、第３図のようになる。
あたっては、このマグネトロンスパッタリング電極を不
活性ガス雰囲気中に設置し、陽極／４１とターゲットｌ
ｌおよびｌコの各々との間に第１図に示すように直流電
圧を電源ＶｌｌおよびＶ１２よりそれぞれ独立に印加す
る。この電圧印加によって放電がターゲットｌｌおよび
／コの各々の周囲に起こり、プラズマループが各ターゲ
ット／／およびｌコを軸として形成される。かかるプラ
ズマループの形成を、ターゲット部の磁力線に画直な断
面で示すと、第３図のようになる。
ターゲット／／およびｌコの各々に負の電圧を印加する
と、これらターゲットｌ／およびｌコの各々のまわりに
独立なプラズマループ３１および３コがそれぞれ形成さ
れる。これらプラズマ３１および３コ内の電子は、ター
ゲツト面に平行な磁場お、印加電圧によってターゲツト
面に垂直に誘起される電界Ｅ内で次式の運動方程式に従
ってそれぞれ運動する。
と、これらターゲットｌ／およびｌコの各々のまわりに
独立なプラズマループ３１および３コがそれぞれ形成さ
れる。これらプラズマ３１および３コ内の電子は、ター
ゲツト面に平行な磁場お、印加電圧によってターゲツト
面に垂直に誘起される電界Ｅ内で次式の運動方程式に従
ってそれぞれ運動する。
ここで、
マ：電子の速度ベクトル
・：電子の電荷量
ｍ：電子の質量
この方程式に従う電子はターゲット／ｌおよびｌユのま
わりにおいて軌跡３３および３弘で示すようなトルコイ
ダル運動をする。
わりにおいて軌跡３３および３弘で示すようなトルコイ
ダル運動をする。
本実施例では、ターゲット／／とｌ−との間の隙間をｋ
ｍからｖＫｍまで変化させたが、その場合に、基板３３
の面内の組成に均一性があり、各ターゲラ）／／オＪ：
び／、２のプラズマループＪ／および３コが独立であり
、しかもプラズマループの重なりを最も多くとれるター
ゲット間の隙間は〃■であることが分った。本発明によ
れば、このようにターゲット間（Ｄ ｉｌｌ 間ｒｉ：
Ｘ） ｗｓまで近づけられるので、複数個のターゲット
を配列してもマグネトロンスパッタリング電極【一体に
構成できることは明らかである。
ｍからｖＫｍまで変化させたが、その場合に、基板３３
の面内の組成に均一性があり、各ターゲラ）／／オＪ：
び／、２のプラズマループＪ／および３コが独立であり
、しかもプラズマループの重なりを最も多くとれるター
ゲット間の隙間は〃■であることが分った。本発明によ
れば、このようにターゲット間（Ｄ ｉｌｌ 間ｒｉ：
Ｘ） ｗｓまで近づけられるので、複数個のターゲット
を配列してもマグネトロンスパッタリング電極【一体に
構成できることは明らかである。
さらに、ターゲラ）／／および／、２の基板３５に対す
る開き角度０を／１００から９００まで変化させたとこ
ろ、プラズマループの重なりをできるだけ多くし、かつ
堆積速度を大きくするためには、θ＝ｌ〃０が最適であ
った〇 このように複数個のターゲットを有するマグネトロンス
パッタリング電極を一体に構成できることにより、ター
ゲット１個当りの価格を廉価とすることができる。また
、このように電極構成をコンパクトにできるので、基板
面内の組成を均一にするための設計が容易となる。さら
にまた−各ターゲットに形成されるプラズマループが独
立であることから、各ターゲットのスパッタリング量を
独立に制御できることは明らかである。しかもまた、各
々のプラズマが重なった部分ではプラズマ密度が高まっ
ていることが予想される。
る開き角度０を／１００から９００まで変化させたとこ
ろ、プラズマループの重なりをできるだけ多くし、かつ
堆積速度を大きくするためには、θ＝ｌ〃０が最適であ
った〇 このように複数個のターゲットを有するマグネトロンス
パッタリング電極を一体に構成できることにより、ター
ゲット１個当りの価格を廉価とすることができる。また
、このように電極構成をコンパクトにできるので、基板
面内の組成を均一にするための設計が容易となる。さら
にまた−各ターゲットに形成されるプラズマループが独
立であることから、各ターゲットのスパッタリング量を
独立に制御できることは明らかである。しかもまた、各
々のプラズマが重なった部分ではプラズマ密度が高まっ
ていることが予想される。
上述した構造の本発明マグネトロンスパッタリング電極
を用いて、第１表の製造条件によってＮｂ ＝ Ｓ１合
金薄膜を形成し、面内の組成分布および基板温度とｓｉ
濃度で決まる結晶相を調べた。
を用いて、第１表の製造条件によってＮｂ ＝ Ｓ１合
金薄膜を形成し、面内の組成分布および基板温度とｓｉ
濃度で決まる結晶相を調べた。
第 ｌ 表
各ターゲラ）／／およびｌ−に直流電圧−コＱＱｖを印
加し、放電電流をＯ，ダＡとした。基板３ｊ上に膜厚３
０００ ＸのＮｂ−ａｔ合金薄膜を形成し・面内のＳｉ
中心を基板面内距離の測定点とした結果を第９図に示す
。ここで、基板面内の８１濃度の分布は、１１ｔ９０％
以内に抑えられ、中央で一一、’ｋ ａｔ、％Ｓｌであ
り、／７ ａｔ、％Ｓ１ターゲット側でｊＪ ａｔ、％
、Ｈａｔ、’ ％ Ｓｉターゲット側で、ＺＪ ａｔ、
％であった。
加し、放電電流をＯ，ダＡとした。基板３ｊ上に膜厚３
０００ ＸのＮｂ−ａｔ合金薄膜を形成し・面内のＳｉ
中心を基板面内距離の測定点とした結果を第９図に示す
。ここで、基板面内の８１濃度の分布は、１１ｔ９０％
以内に抑えられ、中央で一一、’ｋ ａｔ、％Ｓｌであ
り、／７ ａｔ、％Ｓ１ターゲット側でｊＪ ａｔ、％
、Ｈａｔ、’ ％ Ｓｉターゲット側で、ＺＪ ａｔ、
％であった。
本発明マグネ）１＝＋ンスパツタリング電極では、各タ
ーゲットｌｌおよび／コの周囲に形成されたプラズマル
ープ３／および３コをターゲット／ｌおよびｌコと基板
３５との間の空間で重ね合せるようにしたので、たとえ
ターゲット／／とターゲットノコで形成するプラズマ密
度に差が生じても、プラズマを重ね合わせである部分で
は、プラズマ密度が一様になる。
ーゲットｌｌおよび／コの周囲に形成されたプラズマル
ープ３／および３コをターゲット／ｌおよびｌコと基板
３５との間の空間で重ね合せるようにしたので、たとえ
ターゲット／／とターゲットノコで形成するプラズマ密
度に差が生じても、プラズマを重ね合わせである部分で
は、プラズマ密度が一様になる。
このために、各ターゲットｌｌおよびｌコから飛来して
きたＮｂおよびＳｉの元素がプラズマ１重ねである空間
で一様に混合される。この効果によって、基板面内の５
ｉｌｋ度の分布が／ ａｔ、弧以内に抑えられたものと
考えられる◇ 第３図は基板温度と５ｊ上１度をパラメータとして作製
した種々の膜について、ｘ’ｌ！ｘ回折で結晶相を同定
したものである。ここで、膜組成は各ターゲットのスパ
ッタリング量で決まる。しかして、スパッタリング量は
各ターゲットへの入力パワー（放電電圧Ｘ放電電流：ｖ
Ｉ・Ｉｓ ）に比例する。ＩｓはＶｍで決定され、マグ
ネトロンスノぐツタリングの場合にはＩｓ”Ｖｎである
。ここで、ｎはＡｒガス圧に依存するパラメータであり
、１００ ｍＴＯｒｒで約１０であった。従って、スパ
ッタリング量はＶ に比例関係をもつので、膜組成は各
ターゲットに印加する電圧の値を変えることによって制
御することができる。
きたＮｂおよびＳｉの元素がプラズマ１重ねである空間
で一様に混合される。この効果によって、基板面内の５
ｉｌｋ度の分布が／ ａｔ、弧以内に抑えられたものと
考えられる◇ 第３図は基板温度と５ｊ上１度をパラメータとして作製
した種々の膜について、ｘ’ｌ！ｘ回折で結晶相を同定
したものである。ここで、膜組成は各ターゲットのスパ
ッタリング量で決まる。しかして、スパッタリング量は
各ターゲットへの入力パワー（放電電圧Ｘ放電電流：ｖ
Ｉ・Ｉｓ ）に比例する。ＩｓはＶｍで決定され、マグ
ネトロンスノぐツタリングの場合にはＩｓ”Ｖｎである
。ここで、ｎはＡｒガス圧に依存するパラメータであり
、１００ ｍＴＯｒｒで約１０であった。従って、スパ
ッタリング量はＶ に比例関係をもつので、膜組成は各
ターゲットに印加する電圧の値を変えることによって制
御することができる。
第Ｓ図において、コ／ ａｔ、％ＳＬ以下では、白丸で
示すように、ＡＩ！ｆ単相膜である。コｌＮココａｔ、
％Ｓ１領域では、白と黒の混在する丸で示すように、Ａ
１５相とＴｉ３Ｐ構造をもつＴｏｔｒａｇｏｎＩＬ７Ｉ
相の二相混合膜である◎Ｗ ａｔ、％Ｓ１以上では、黒
丸で示すように、ＴｅｔｒａｇｏｎａＡ’相の膜である
。そして、また、基板温度が低くなると、内側が黒丸の
二重光で示すように、非晶質膜となる。
示すように、ＡＩ！ｆ単相膜である。コｌＮココａｔ、
％Ｓ１領域では、白と黒の混在する丸で示すように、Ａ
１５相とＴｉ３Ｐ構造をもつＴｏｔｒａｇｏｎＩＬ７Ｉ
相の二相混合膜である◎Ｗ ａｔ、％Ｓ１以上では、黒
丸で示すように、ＴｅｔｒａｇｏｎａＡ’相の膜である
。そして、また、基板温度が低くなると、内側が黒丸の
二重光で示すように、非晶質膜となる。
本発明マグネトロンスパッタリング電極によれば、各タ
ーゲット間の隙間を狭くシ、各ターゲツトの周囲に形成
されたプラズマがターゲラ）と基板との間の空間で重ね
合わされるようにできるので、その領域におけるプラズ
マの密度が高くなる。
ーゲット間の隙間を狭くシ、各ターゲツトの周囲に形成
されたプラズマがターゲラ）と基板との間の空間で重ね
合わされるようにできるので、その領域におけるプラズ
マの密度が高くなる。
従って１本発明マグネトリンスバッタリング電極を用い
ると、基板に多量のイオン粒子が流入することになる。
ると、基板に多量のイオン粒子が流入することになる。
平衡状態図中には存在しないＡ／ｊ構造のＮｂ ａ Ｓ
ｉ膜の合成は困難であり、非平衡相合成法の１つであ
る従来のスパッタ電極を用いた場合、ｗｌＯａＬ％６１
以上ではＡ／よ相は得られていない。
ｉ膜の合成は困難であり、非平衡相合成法の１つであ
る従来のスパッタ電極を用いた場合、ｗｌＯａＬ％６１
以上ではＡ／よ相は得られていない。
本発明マグネトシンスパッタリング電極を用いると、コ
／ ａｔ、−８１までＡｌ！単相膜が得られ、さらニＪ
Ｊ ａｔ、％Ｓ１までＡ ／ｊ−相が得られる・このよ
うに高濃度Ｓ１でＡ／ｊ相が得られたのは、基板に多量
のイオン粒子が流入し、これが非平衡Ａ／ｊ相の核生成
を助長したものと考えられる。
／ ａｔ、−８１までＡｌ！単相膜が得られ、さらニＪ
Ｊ ａｔ、％Ｓ１までＡ ／ｊ−相が得られる・このよ
うに高濃度Ｓ１でＡ／ｊ相が得られたのは、基板に多量
のイオン粒子が流入し、これが非平衡Ａ／ｊ相の核生成
を助長したものと考えられる。
第６図は本発明マグネトロンスパッタリング電極の他の
実施例を示し１本例では、同−磁界内に３つのターゲ４
トを一設°ける。第６ｖ！Ｉにおいて、中央に位置する
ターゲット３ノの組成はＮｂ６３８１１７であり、その
両側に位置誓るターゲット３ノおよびｋＪの組成はＮｂ
７ｚＳｌｚａである。膜の製造条件を警１表に示した条
件とした。ターゲット＆／に直流電圧〜−−１００Ｖ
ｓ放電電流Ｏ，ダＡを供給し、ターゲラ）よ−および３
３には直流電圧−／９！ＴＶｓ放電電流Ｏ，コＡを供給
した。基板ＪＪ上に膜厚３θ００ ＡのＮｂ−８ｔ合金
薄膜を形成し、面内のＳｉ濃度をオージェ電子分光法で
評価した。−辺が８露の基板、ｙｓ ｒ、−ｉｏ等分し
、その各区分における中心ｒｉ：基板面内距離の測定点
とした結果ｔ’第７図に示す。ここで、基板面内の８ｔ
濃度の分布は、０＊ｔ ａＬ％以内に抑えられ、中央で
Ｗ ａｔ、％８１であり、両端でｎ、ｋ ａｔ、％引で
あったＯ （効 果） 以上説明したように、本発明によれば鴫組成の異なる多
種類の合金ターゲットを一体の電極として比較的コンパ
クトに構成でき、ここで、各ターゲットの電圧を独立に
制御することによって膜面内の組成分布を一様にして所
望の組成を有する膜を作製することができる。
実施例を示し１本例では、同−磁界内に３つのターゲ４
トを一設°ける。第６ｖ！Ｉにおいて、中央に位置する
ターゲット３ノの組成はＮｂ６３８１１７であり、その
両側に位置誓るターゲット３ノおよびｋＪの組成はＮｂ
７ｚＳｌｚａである。膜の製造条件を警１表に示した条
件とした。ターゲット＆／に直流電圧〜−−１００Ｖ
ｓ放電電流Ｏ，ダＡを供給し、ターゲラ）よ−および３
３には直流電圧−／９！ＴＶｓ放電電流Ｏ，コＡを供給
した。基板ＪＪ上に膜厚３θ００ ＡのＮｂ−８ｔ合金
薄膜を形成し、面内のＳｉ濃度をオージェ電子分光法で
評価した。−辺が８露の基板、ｙｓ ｒ、−ｉｏ等分し
、その各区分における中心ｒｉ：基板面内距離の測定点
とした結果ｔ’第７図に示す。ここで、基板面内の８ｔ
濃度の分布は、０＊ｔ ａＬ％以内に抑えられ、中央で
Ｗ ａｔ、％８１であり、両端でｎ、ｋ ａｔ、％引で
あったＯ （効 果） 以上説明したように、本発明によれば鴫組成の異なる多
種類の合金ターゲットを一体の電極として比較的コンパ
クトに構成でき、ここで、各ターゲットの電圧を独立に
制御することによって膜面内の組成分布を一様にして所
望の組成を有する膜を作製することができる。
なお、上述した本発明の実施例では、各ターゲツト面が
磁力線とほぼ平行になるように複数個のターゲットを配
置したが、本発明はこれら実施例にのみ、′限られるも
のではなく、ターゲラ）面が磁力線と平行にならなくと
もプラズマループがターゲットと基板との間で重なり合
ってプラズマ密度を一様にできるように複数個のターゲ
ットを磁場内に配置すればよい。
磁力線とほぼ平行になるように複数個のターゲットを配
置したが、本発明はこれら実施例にのみ、′限られるも
のではなく、ターゲラ）面が磁力線と平行にならなくと
もプラズマループがターゲットと基板との間で重なり合
ってプラズマ密度を一様にできるように複数個のターゲ
ットを磁場内に配置すればよい。
第１図はλつのターゲットを有Ｔる本発明マグネトロン
スパッタリング電極の一例を示す断面図、第２ｖＡはそ
のターデフ４部分の構成を示す斜視図、第３図は第１図
示の電極を、ターゲット部分の磁界に垂直な断面で切っ
て、その放電状態を概念的に示す断面図、第４図はター
ゲラ） ｉｔとしてＮｂＢａ５ Ｓ １ｔ合金ターゲツ
）、ターゲットノコとしてＮｂｙｚＳｌｚａ合金ターゲ
ツ〉を取り付けたときの基板面内の８ｔ濃度を示すグ２
７、第３図は基板温度と８ｔ濃度とをパテ゛メータとし
たときの相図、第６図は３つのターゲットを配置した本
発明の他の実施例を示す断面図、第り図は３つのターゲ
ットな配置した第６図示の例における基板面内のＳｉ濃
度を示すグラフである。 ／ｌ…ターゲット、 Ｉコ…ターゲット、 ／３・・・電子反射板、 ／４１−陽極、 ／に一−−絶縁体、 １６・・・永久磁石、 ｌり・・・永久磁石１ Ｖｌｌｅ Ｖ１２・・・スパッタリング量調整用直流電
源１ ３１．３ｔ・・・プラズマループ、 ＪＪ、Ｊ４’・・・電子の軌跡、 ３Ｓ・・・基板、 ０・・・ターゲット／／と／コとの開き角、りＩ・・・
ターゲット（Ｎｂ５ａＳｉ１７合金ターゲット）、 ！λ、りＪ・・・ターゲット（ＮｂｙｚＳｉｚｇ合金タ
ーゲット）。 綜 第４図 基板面内距離 （ｍｍ） 第５図 板８００ 温 蔑 Ｓｉ塞農 （Ｏ↑１％］
スパッタリング電極の一例を示す断面図、第２ｖＡはそ
のターデフ４部分の構成を示す斜視図、第３図は第１図
示の電極を、ターゲット部分の磁界に垂直な断面で切っ
て、その放電状態を概念的に示す断面図、第４図はター
ゲラ） ｉｔとしてＮｂＢａ５ Ｓ １ｔ合金ターゲツ
）、ターゲットノコとしてＮｂｙｚＳｌｚａ合金ターゲ
ツ〉を取り付けたときの基板面内の８ｔ濃度を示すグ２
７、第３図は基板温度と８ｔ濃度とをパテ゛メータとし
たときの相図、第６図は３つのターゲットを配置した本
発明の他の実施例を示す断面図、第り図は３つのターゲ
ットな配置した第６図示の例における基板面内のＳｉ濃
度を示すグラフである。 ／ｌ…ターゲット、 Ｉコ…ターゲット、 ／３・・・電子反射板、 ／４１−陽極、 ／に一−−絶縁体、 １６・・・永久磁石、 ｌり・・・永久磁石１ Ｖｌｌｅ Ｖ１２・・・スパッタリング量調整用直流電
源１ ３１．３ｔ・・・プラズマループ、 ＪＪ、Ｊ４’・・・電子の軌跡、 ３Ｓ・・・基板、 ０・・・ターゲット／／と／コとの開き角、りＩ・・・
ターゲット（Ｎｂ５ａＳｉ１７合金ターゲット）、 ！λ、りＪ・・・ターゲット（ＮｂｙｚＳｉｚｇ合金タ
ーゲット）。 綜 第４図 基板面内距離 （ｍｍ） 第５図 板８００ 温 蔑 Ｓｉ塞農 （Ｏ↑１％］
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ／）磁場を発生する手段と、該手段により発生した磁場
内に配置され、およびスパッタリング」をそれぞれ独立
に制御可能になした複数個のターゲットとを具えたこと
を特徴とするマグネト” ＞ Ｘ ハ７タリング電極。 コ） 特許請求の範囲第１項記載のマグネトロンスパッ
タリング電極において、前記複数個のターゲラ）の各タ
ーゲツト面が前記磁場の磁力線とほぼ平行になるように
したことを特徴とするマグネトロンスパッタリング電極
。 ３）特許請求の範囲第１項または第２項のいずれかに記
載のマグネトロンスパッタリング電極において、前艷複
数個のターゲットに印加する放電電圧をそれぞれ個別に
制御可能となして前記スパッタリング量を制御するよう
にしたことを特徴とするマグネトシンスパッタリング電
極０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11816383A JPS6013066A (ja) | 1983-07-01 | 1983-07-01 | マグネトロンスパツタリング電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11816383A JPS6013066A (ja) | 1983-07-01 | 1983-07-01 | マグネトロンスパツタリング電極 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6013066A true JPS6013066A (ja) | 1985-01-23 |
| JPS639583B2 JPS639583B2 (ja) | 1988-02-29 |
Family
ID=14729662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11816383A Granted JPS6013066A (ja) | 1983-07-01 | 1983-07-01 | マグネトロンスパツタリング電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6013066A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61270369A (ja) * | 1985-05-23 | 1986-11-29 | Nec Corp | 三極スパツタリングソ−ス |
| JPS62158863A (ja) * | 1985-12-30 | 1987-07-14 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 被膜形成装置 |
| JP2006274389A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Utec:Kk | スパッタリング装置及びスパッタリング方法 |
| RU2762756C1 (ru) * | 2021-04-19 | 2021-12-22 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный технический университет" | Способ получения на подложке тонких пленок ниобата лития |
-
1983
- 1983-07-01 JP JP11816383A patent/JPS6013066A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61270369A (ja) * | 1985-05-23 | 1986-11-29 | Nec Corp | 三極スパツタリングソ−ス |
| JPS62158863A (ja) * | 1985-12-30 | 1987-07-14 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 被膜形成装置 |
| JP2006274389A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Utec:Kk | スパッタリング装置及びスパッタリング方法 |
| RU2762756C1 (ru) * | 2021-04-19 | 2021-12-22 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный технический университет" | Способ получения на подложке тонких пленок ниобата лития |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS639583B2 (ja) | 1988-02-29 |
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