JPH10226692A - 不飽和ホスホニウム塩およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 所望の有機酸又は無機酸の対アニオンを有す
ることが可能な不飽和第四級ホスホニウム塩の製造方法
を提供する。 【解決手段】 一般式１の不飽和ホスホニウム塩、およ
びその製造方法であってトリオルガノホスフィンと不飽
和カルボン酸化合物を反応させてベタイン構造を有する
ホスホニウム塩とし（第一工程）、該化合物と対アニオ
ンとなる任意の有機酸または無機酸を反応させてカルボ
キシル基を有する第四級ホスホニウム塩とし（第二工
程）、該化合物と特定のアクリレート化合物を反応させ
る（第三工程）方法。 （Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３はＣ１〜８の直鎖状または分岐状の
アルキル基、Ｂは 、Ｘは水素、Ｃ１〜４の直鎖状もしくは分岐状のアルキ
ル基またはフェニル基、Ｙは水素またはメチル基、Ａは
有機酸アニオンまたは無機酸アニオンを示す）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、不飽和ホスホニウ
ム塩およびその製造方法、詳しくは対アニオンとしてい
かなる有機酸あるいは無機酸のアニオンを有することが
可能な不飽和結合を有する第四級ホスホニウム塩及びそ
の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】不飽和ホスホニウム塩は、凝集剤、染色
改良剤、帯電防止剤、土壌改良剤、導電加工剤、紙力増
強剤などに用いられるカチオン性重合体の製造原料とな
るのは、もちろんのこと、さらにカチオン電着塗料に用
いられるカチオン性重合体の製造原料として、特に好適
である。カチオン電着塗料は、アニオン種に酢酸アニオ
ン、蟻酸アニオン、乳酸アニオンなどの有機酸アニオン
を使用する場合が多い。通常の方法で製造したホスホニ
ウム塩は、一般にアニオンはハロゲンに限定される場合
が多いが、ハロゲンイオンは、電着塗装した塗膜の耐腐
食性に乏しいため使用されない。

【０００３】不飽和ホスホニウム塩の製造方法として知
られている方法は、メタクリル酸クロライドのような不
飽和カルボン酸ハロゲン化物と２−クロロエタノールの
ようなハロゲンを有する脂肪族アルコールを、アミンの
存在下で反応させ、蒸留精製後、トリオルガノホスフィ
ンと反応させて不飽和ホスホニウム塩を製造する方法
（特開平７−２５７１４号公報）や、トリオルガノホス
フィンをハロゲンを有する脂肪族アルコールと反応さ
せ、次にメタクリロイルクロライドと反応させることに
より、不飽和ホスホニウム塩を製造する方法（特願平８
−６６５９２号公報）等が知られている。

【０００４】しかし、いずれの方法から製造される不飽
和ホスホニウム塩も、対アニオンがクロル、ブロム、ヨ
ードのハロゲンに限定され、本発明により製造されるよ
うに、対アニオンの種類を限定せずに、不飽和ホスホニ
ウム塩を製造する方法は、今までまったく知られていな
い。

【０００５】一般に、対アニオンをハロゲンから有機酸
または無機酸のアニオンに変換する方法としては、イオ
ン交換樹脂を用いる方法（特開昭５２−１０８４９９号
公報）により、水酸化ホスホニウム塩を製造し、次に所
定の有機酸または無機酸で中和することにより対応する
アニオン種を持つホスホニウム塩を製造する方法が知ら
れている。

【０００６】しかし、共重合可能な不飽和結合を有する
ホスホニウム塩をイオン交換樹脂等で処理して水酸化ホ
スホニウム塩を製造する方法は、以下の理由により一般
に用いられていない。イオン交換カラムを通す時に、カ
ラム内で重合禁止剤と分離してしまい、また通常強アル
カリ性の条件下で処理するので、重合が進行するためで
ある。また、この方法は、希薄な水溶液でしか処理でき
ないために、工業的に実施する場合、製造装置や設備に
かかる費用が大きく、非常に高価なものとなり用途が限
定されている。また、イオン交換樹脂から遊離するアミ
ンが混入することや、ハロゲンが完全に除去されずに残
ってしまうことが多く、純度良く製造することができな
い。

【０００７】そのほかに、ホスホニウムハロゲン化物を
アルカリ金属またはアルカリ土類金属の有機酸塩と反応
させる方法や、ホスホニウムハライド塩と有機酸銀化合
物を反応させる方法等が知られているが、これらの方法
では、得られたホスホニウム塩中の原料ハロゲンを完全
に除去することは困難であり、また有機酸銀化合物は、
非常に高価なので工業的に実施することは不適当であ
る。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、前記課
題に鑑み、新規な不飽和ホスホニウム塩の製造方法につ
いて鋭意研究を重ねた結果、トリオルガノホスフィンと
不飽和カルボン酸化合物とを反応させることによリベタ
イン構造を有するホスホニウム塩を製造し、さらに該化
合物と任意の有機酸または無機酸を反応させることによ
リカルボキシル基を有するホスホニウム塩を製造し、さ
らに該化合物と特定のアクリレート化合物を反応させる
ことにより不飽和結合を有するホスホニウム塩が得られ
ることを知見し、本発明を完成させた。

【０００９】即ち、本発明は、対アニオンとして所望の
有機酸あるいは無機酸のアニオンを有することが可能な
不飽和結合を有するホスホニウム塩及びその製造方法を
提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明が提供しようとす
る不飽和結合を有するホスホニウム塩は、下記一般式
（１）

【００１１】

【化１０】 （式中、Ｒ₁ 、Ｒ₂ 、Ｒ₃ は炭素数１〜８の直鎖状また
は分岐状のアルキル基、Ｂは

【００１２】

【化１１】 、Ｘは水素原子、炭素数１〜４の直鎖状もしくは分岐状
のアルキル基またはフェニル基、Ｙは水素原子またはメ
チル基、Ａは有機酸アニオンまたは無機酸アニオンを示
す）で表される不飽和ホスホニウム塩である。

【００１３】また、その製造方法は、下記一般式（２）

【００１４】

【化１２】 （式中、Ｒ₁ 、Ｒ₂ 、Ｒ₃ は炭素数１〜８の直鎖状また
は分岐状のアルキル基を示す）で表されるトリオルガノ
ホスフィンと、下記一般式（３）

【００１５】

【化１３】 （式中、Ｘは水素原子、炭素数１〜４の直鎖状もしくは
分岐状のアルキル基またはフェニル基、Ｙは水素原子ま
たはメチル基を示す）で表される不飽和カルボン酸化合
物を反応させて、下記一般式（４）

【００１６】

【化１４】 （式中、Ｒ₁ 、Ｒ₂ 、Ｒ₃ 、ＸおよびＹは前記と同じも
のを示す）で表されるベタイン構造を有するホスホニウ
ム塩を製造する第一工程と、生成したベタイン構造を有
するホスホニウム塩をＨ⁺ Ａ^- （式中、Ａは有機酸アニ
オンまたは無機酸アニオンを示す）で表される有機酸ま
たは無機酸と反応させて、下記一般式（５）

【００１７】

【化１５】 （式中、Ｒ₁ 、Ｒ₂ 、Ｒ₃ 、Ｘ、ＹおよびＡは前記と同
じものを示す）で表されるカルボキシル基を有するホス
ホニウム塩を製造する第二工程と、生成したカルボキシ
ル基を有するホスホニウム塩を下記一般式（６）

【００１８】

【化１６】 （式中、Ｄは

【００１９】

【化１７】 を示し、Ｙは前記と同じものを示す）で表されるアクリ
レート化合物と反応させる第三工程からなることを特徴
とする、下記一般式（１）で表される不飽和ホスホニウ
ム塩の製造方法である。

【００２０】

【化１８】 （式中、Ｒ₁ 、Ｒ₂ 、Ｒ₃ 、Ｂ、Ｘ、ＹおよびＡは前記
と同じものを示す）

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の不飽和ホスホニウム塩は、下記一般式（１）で
表される化合物である。

【００２２】

【化１９】 （式中、Ｒ₁ 、Ｒ₂ 、Ｒ₃ は炭素数１〜８の直鎖状また
は分岐状のアルキル基、Ｂは

【００２３】

【化２０】 、Ｘは水素原子、炭素数１〜４の直鎖状もしくは分岐状
のアルキル基またはフェニル基、Ｙは水素原子またはメ
チル基、Ａは有機酸アニオンまたは無機酸アニオンを示
す）

【００２４】上記の一般式（１）で表される本発明の不
飽和ホスホニウム塩は、出発物質としてトリオルガノホ
スフィンを用いて、不飽和カルボン酸化合物と反応させ
る第一工程、次いで対アニオンとなる有機酸または無機
酸と反応させる第二工程、さらに不飽和結合を付与する
アクリレート化合物と反応させる第三工程により製造さ
れる。

【００２５】以下に上記の各反応物質について説明す
る。 （出発物質） （トリオルガノホスフィン）本発明の不飽和結合を有す
る不飽和ホスホニウム塩の製造に使用するトリオルガノ
ホスフィンは、下記一般式（２）

【００２６】

【化２１】

【００２７】で表され、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３はそれぞれ炭
素数１〜８の直鎖状または分岐状のアルキル基からな
る。Ｒ₁ 、Ｒ₂ 及びＲ₃ は、同一の基であっても、そう
でなくてもよく、例えば、メチル基、エチル基、プロピ
ル基、ブチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル
基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、５
−メチルヘキシル基、イソプロピル基、イソブチル基、
ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル
基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、イソヘキ
シル基等が挙げられる。

【００２８】（不飽和カルボン酸化合物）本発明の製造
方法の第一工程で、トリオルガノホスフィンと反応させ
る不飽和カルボン酸は、下記一般式（３）

【００２９】

【化２２】

【００３０】で表される構造を有し、式中、Ｘは水素原
子、炭素数１〜４の直鎖状もしくは分岐状のアルキル
基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル
基、ｔｅｒｔ−ブチル基等のアルキル基、またはフェニ
ル基、Ｙとしては、水素原子、メチル基が挙げられる。

【００３１】（対アニオン）本発明の製造方法の第二工
程で使用されるアニオンは、Ｈ⁺ Ａ^- （式中、Ａは有機
酸アニオンまたは無機酸アニオンを示す）で表される有
機酸または無機酸が用いられ、該有機酸アニオン、無機
酸アニオン等には広範囲のものを使用することができ、
特に制約はない。

【００３２】有機酸のアニオンの具体例として、蟻酸、
酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、エナ
ント酸、カプリル酸、ペラルゴン酸、カプリン酸、ウン
デカン酸、ラウリン酸、トリデカン酸、ミリスチン酸、
ペンタデカン酸、パルミチン酸、ヘプタデカン酸、ステ
アリン酸、ノナデカン酸、アラキジン酸、イソ酪酸、ピ
バル酸、イソ吉草酸、イソカプロン酸、２−エチル酪
酸、３，３−ジメチル酪酸、イソカプリル酸、２−エチ
ルヘキサン酸、イソカプリン酸、アクリル酸、メタクリ
ル酸、クロトン酸、イソクロトン酸、３−ブテン酸、ペ
ンテン酸、ヘキセン酸、ヘプテン酸、オクテン酸、ノネ
ン酸、デセン酸、ウンデセン酸、ドデセン酸、オレイン
酸、リノール酸、リノレイン酸、エライジン酸、２−メ
チルクロトン酸、３−メチルクロトン酸、チグリン酸、
シナモン酸、シクロプロパンカルボン酸、シクロブタン
カルボン酸、シクロペンタンカルボン酸、シクロヘキサ
ンカルボン酸、トリクロロ酢酸、トリブロモ酢酸、トリ
フルオロ酢酸、フェニル酢酸、グリコール酸、乳酸など
の脂肪族モノカルボン酸、蓚酸、マロン酸、コハク酸、
グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、ア
ゼライン酸、セバシン酸、ドデカン二酸、マレイン酸、
フマル酸、シトラコン酸、イタコン酸、マレイン酸モノ
メチル、リンゴ酸、グルタミン酸、酒石酸、クエン酸な
どの脂肪族多価カルボン酸、安息香酸、トルイル酸、エ
チル安息香酸、プロピル安息香酸、ブチル安息香酸、ヒ
ドロキシ安息香酸、アニス酸、エトキシ安息香酸、プロ
ポキシ安息香酸、ブトキシ安息香酸、アミノ安息香酸、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ安息香酸、ニトロ安息香酸、フ
ロロ安息香酸、レゾルシン酸などの芳香族モノカルボン
酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、トリメッ
ト酸、トリメシン酸、ピロメット酸などの芳香族多価カ
ルボン酸、フェノール、ｏ−フェニルフェノール、ｐ−
アミノフェノール、ｐ−ニトロフェノール、カテコー
ル、レゾルシン、β−ナフトール、２−クロロフェノー
ルなどの石炭酸類を例示することができる。

【００３３】無機酸のアニオンの具体例として、塩化水
素酸、臭化水素酸、沃化水素酸、フッ化水素酸、硫酸、
亜硫酸、アミド硫酸、メタンスルホン酸、エタンスルホ
ン酸、プロパンスルホン酸、ブタンスルホン酸、ベンゼ
ンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、過塩素酸、過
沃素酸、オルト過沃素酸、過マンガン酸、硝酸、亜硝
酸、燐酸、亜燐酸、次亜燐酸、砒酸、亜砒酸、ホウ酸、
ホウフッ化水素酸、六フッ化燐酸、六フッ化アンチモン
酸、六フッ化砒酸、クロム酸、亜塩素酸、次亜塩素酸、
セレン酸、亜セレン酸、シアン酸、チオシアン酸、テル
ル酸、亜テルル酸、珪酸、けいフッ化水素酸、ヘキサフ
ルオロ珪酸、ポリ燐酸、メタ燐酸、モリブデン酸などを
挙げることができる。

【００３４】（アクリレート化合物）本発明の製造方法
の第三工程で使用されるアクリレート化合物は、下記一
般式（６）

【００３５】

【化２３】 で表される構造を有する。式中、Ｄは

【００３６】

【化２４】 を示し、Ｙは水素原子またはメチル基を示す。

【００３７】一般式（６）で表されるアクリレート化合
物の具体例を示すと下記の化合物が挙げられる。

【００３８】

【化２５】

【００３９】（生成物：不飽和結合を有するホスホニウ
ム塩）前記一般式（１）で表される本発明の不飽和結合
を有するホスホニウム塩は、例えば、トリエチル［２−
（２−ヒドロキシ−３−メタクリロイルオキシプロポキ
シカルボニル）エチル］ホスホニウム・アセタート、ト
リエチル［２−（２−ヒドロキシ−３−メタクリロイル
オキシプロポキシカルボニル）エチル］ホスホニウム・
ｐ−トルエンスルホネート、トリエチル［２−（２−ヒ
ドロキシ−３−メタクリロイルオキシプロポキシカルボ
ニル）エチル］ホスホニウム・クロライド、トリエチル
［２−（２−ヒドロキシ−３−メタクリロイルオキシプ
ロポキシカルボニル）エチル］ホスホニウム・ベンゾエ
ート、トリエチル［２−（２−ヒドロキシ−３−メタク
リロイルオキシプロポキシカルボニル）エチル］ホスホ
ニウム・テトラフルオロボレート、トリ−ｎ−ブチル
［２−（２−ヒドロキシ−３−メタクリロイルオキシプ
ロポキシカルボニル）エチル］ホスホニウム・アセター
ト、トリ−ｎ−ブチル［２−（２−ヒドロキシ−３−メ
タクリロイルオキシプロポキシカルボニル）エチル］ホ
スホニウム・ｐ−トルエンスルホネート、トリ−ｎ−ブ
チル［２−（２−ヒドロキシ−３−メタクリロイルオキ
シプロポキシカルボニル）エチル］ホスホニウム・クロ
ライド、

【００４０】トリ−ｎ−ブチル［２−（２−ヒドロキシ
−３−メタクリロイルオキシプロポキシカルボニル）エ
チル］ホスホニウム・ベンゾエート、トリ−ｎ−ブチル
［２−（２−ヒドロキシ−３−メタクリロイルオキシプ
ロポキシカルボニル）エチル］ホスホニウム・テトラフ
ルオロボレート、トリ−ｎ−オクチル［２−（２−ヒド
ロキシ−３−メタクリロイルオキシプロポキシカルボニ
ル）エチル］ホスホニウム・アセタート、トリ−ｎ−オ
クチル［２−（２−ヒドロキシ−３−メタクリロイルオ
キシプロポキシカルボニル）エチル］ホスホニウム・ｐ
−トルエンスルホネート、トリ−ｎ−オクチル［２−
（２−ヒドロキシ−３−メタクリロイルオキシプロポキ
シカルボニル）エチル］ホスホニウム・クロライド、ト
リ−ｎ−オクチル［２−（２−ヒドロキシ−３−メタク
リロイルオキシプロポキシカルボニル）エチル］ホスホ
ニウム・ベンゾエート、トリ−ｎ−オクチル［２−（２
−ヒドロキシ−３−メタクリロイルオキシプロポキシカ
ルボニル）エチル］ホスホニウム・テトラフルオロボレ
ート、

【００４１】トリエチル［２−（２−ヒドロキシ−３−
メタクリロイルオキシプロポキシカルボニル）１−メチ
ルエチル］ホスホニウム・アセタート、トリエチル［２
−（２−ヒドロキシ−３−メタクリロイルオキシプロポ
キシカルボニル）１−メチルエチル］ホスホニウム・ｐ
−トルエンスルホネート、トリエチル［２−（２−ヒド
ロキシ−３−メタクリロイルオキシプロポキシカルボニ
ル）１−メチルエチル］ホスホニウム・クロライド、ト
リエチル［２−（２−ヒドロキシ−３−メタクリロイル
オキシプロポキシカルボニル）１−メチルエチル］ホス
ホニウム・ベンゾエート、トリエチル［２−（２−ヒド
ロキシ−３−メタクリロイルオキシプロポキシカルボニ
ル）１−メチルエチル］ホスホニウム・テトラフルオロ
ボレート、トリ−ｎ−ブチル［２−（２−ヒドロキシ−
３−メタクリロイルオキシプロポキシカルボニル）１−
メチルエチル］ホスホニウム・アセタート、トリ−ｎ−
ブチル（２−カルボ（２−ヒドロキシ−３−メタクリロ
イルオキシ）プロポキ−１−メチルエチル）ホスホニウ
ム・ｐ−トルエンスルホネート、トリ−ｎ−ブチル［２
−（２−ヒドロキシ−３−メタクリロイルオキシプロポ
キシカルボニル）１−メチルエチル］ホスホニウム・ク
ロライド、

【００４２】トリ−ｎ−ブチル［２−（２−ヒドロキシ
−３−メタクリロイルオキシプロポキシカルボニル）１
−メチルエチル］ホスホニウム・ベンゾエート、トリ−
ｎ−ブチル［２−（２−ヒドロキシ−３−メタクリロイ
ルオキシプロポキシカルボニル）１−メチルエチル］ホ
スホニウム・テトラフルオロボレート、トリ−ｎ−オク
チル［２−（２−ヒドロキシ−３−メタクリロイルオキ
シプロポキシカルボニル）１−メチルエチル］ホスホニ
ウム・アセタート、トリ−ｎ−オクチル［２−（２−ヒ
ドロキシ−３−メタクリロイルオキシプロポキシカルボ
ニル）１−メチルエチル］ホスホニウム・ｐ−トルエン
スルホネート、トリ−ｎ−オクチル［２−（２−ヒドロ
キシ−３−メタクリロイルオキシプロポキシカルボニ
ル）１−メチルエチル］ホスホニウム・クロライド、ト
リ−ｎ−オクチル［２−（２−ヒドロキシー３−メタク
リロイルオキシプロポキシカルボニル）１−メチルエチ
ル］ホスホニウム・ベンゾエート、

【００４３】トリ−ｎ−オクチル［２−（２−ヒドロキ
シー３−メタクリロイルオキシプロポキシカルボニル）
１−メチルエチル］ホスホニウム・テトラフルオロボレ
ート、トリエチル［２−（２−ヒドロキシー３−メタク
リロイルオキシプロポキシカルボニル）１−フェニルエ
チル］ホスホニウム・アセタート、トリエチル［２−
（２−ヒドロキシ−３−メタクリロイルオキシプロポキ
シカルボニル）１−フェニルエチル］ホスホニウム・ｐ
−トルエンスルホネート、トリエチル［２−（２−ヒド
ロキシ−３−メタクリロイルオキシプロポキシカルボニ
ル）１−フェニルエチル］ホスホニウム・クロライド、
トリエチル［２−（２−ヒドロキシ−３−メタクリロイ
ルオキシプロポキシカルボニル）１−フェニルエチル］
ホスホニウム・ベンゾエート、トリエチル［２−（２−
ヒドロキシ−３−メタクリロイルオキシプロポキシカル
ボニル）１−フェニルエチル］ホスホニウム・テトラフ
ルオロボレート、トリ−ｎ−ブチル［２−（２−ヒドロ
キシ−３−メタクリロイルオキシプロポキシカルボニ
ル）１−フェニルエチル］ホスホニウム・アセタート、
トリ−ｎ−ブチル（２−カルボ（２−ヒドロキシ−３−
メタクリロイルオキシ）プロポキ−１−フェニルエチ
ル）ホスホニウム・ｐ−トルエンスルホネート、

【００４４】トリ−ｎ−ブチル［２−（２−ヒドロキシ
−３−メタクリロイルオキシプロポキシカルボニル）１
−フェニルエチル］ホスホニウム・クロライド、トリ−
ｎ−ブチル［２−（２−ヒドロキシ−３−メタクリロイ
ルオキシプロポキシカルボニル）１−フェニルエチル］
ホスホニウム・ベンゾエート、トリ−ｎ−ブチル［２−
（２−ヒドロキシ−３−メタクリロイルオキシプロポキ
シカルボニル）１−フェニルエチル］ホスホニウム・テ
トラフルオロボレート、トリ−ｎ−オクチル［２−（２
−ヒドロキシ−３−メタクリロイルオキシプロポキシカ
ルボニル）１−フェニルエチル］ホスホニウム・アセタ
ート、トリ−ｎ−オクチル［２−（２−ヒドロキシ−３
−メタクリロイルオキシプロポキシカルボニル）１−フ
ェニルエチル］ホスホニウム・ｐ−トルエンスルホネー
ト、

【００４５】トリ−ｎ−オクチル（２−カルボ（２−ヒ
ドロキシ−３−メタクリロイルオキシ）プロポキシ−１
−フェニルホスホニウム・クロライド、トリ−ｎ−オク
チル［２−（２−ヒドロキシ−３−メタクリロイルオキ
シプロポキシカルボニル）１−フェニルエチル］ホスホ
ニウム・ベンゾエート、トリ−ｎ−オクチル［２−（２
−ヒドロキシ−３−メタクリロイルオキシプロポキシカ
ルボニル）１−フェニルエチル］ホスホニウム・テトラ
フルオロボレート、トリエチル［２−（２−ヒドロキシ
−３−メタクリロイルオキシプロポキシカルボニル）２
−メチルエチル］ホスホニウム・アセタート、トリエチ
ル［２−（２−ヒドロキシ−３−メタクリロイルオキシ
プロポキシカルボニル）２−メチルエチル］ホスホニウ
ム・ｐ−トルエンスルホネート、トリエチル［２−（２
−ヒドロキシ−３−メタクリロイルオキシプロポキシカ
ルボニル）２−メチルエチル］ホスホニウム・クロライ
ド、トリエチル［２−（２−ヒドロキシ−３−メタクリ
ロイルオキシプロポキシカルボニル）２−メチルエチ
ル］ホスホニウム・ベンゾエート、

【００４６】トリエチル［２−（２−ヒドロキシ−３−
メタクリロイルオキシプロポキシカルボニル）２−メチ
ルエチル］ホスホニウム・テトラフルオロボレート、ト
リ−ｎ−ブチル［２−（２−ヒドロキシ−３−メタクリ
ロイルオキシプロポキシカルボニル）２−メチルエチ
ル］ホスホニウム・アセタート、トリ−ｎ−ブチル（２
−カルボ（２−ヒロドキシ−３−メタクリロイルオキ
シ）プロポキ−２−メチルシエチル）ホスホニウム・ｐ
−トルエンスルホネート、トリ−ｎ−ブチル［２−（２
−ヒロドキシ−３−メタクリロイルオキシプロポキシカ
ルボニル）２−メチルエチル］ホスホニウム・クロライ
ド、トリ−ｎ−ブチル［２−（２−ヒロドキシ−３−メ
タクリロイルオキシプロポキシカルボニル）２−メチル
エチル］ホスホニウム・ベンゾエート、トリ−ｎ−ブチ
ル［２−（２−ヒロドキシ−３−メタクリロイルオキシ
プロポキシカルボニル）２−メチルエチル］ホスホニウ
ム・テトラフルオロボレート、

【００４７】トリ−ｎ−オクチル［２−（２−ヒロドキ
シ−３−メタクリロイルオキシプロポキシカルボニル）
２−メチルエチル］ホスホニウム・アセタート、トリ−
ｎ−オクチル［２−（２−ヒロドキシ−３−メタクリロ
イルオキシプロポキシカルボニル）２−メチルエチル］
ホスホニウム・ｐ−トルエンスルホネート、トリ−ｎ−
オクチル［２−（２−ヒロドキシ−３−メタクリロイル
オキシプロポキシカルボニル）２−メチルエチル］ホス
ホニウム・クロライド、トリ−ｎ−オクチル［２−（２
−ヒロドキシ−３−メタクリロイルオキシプロポキシカ
ルボニル）２−メチルエチル］ホスホニウム・ベンゾエ
ート、トリ−ｎ−オクチル［２−（２−ヒロドキシ−３
−メタクリロイルオキシプロポキシカルボニル）２−メ
チルエチル］ホスホニウム・テトラフルオロボレート等
が挙げられる。

【００４８】次に、本発明の不飽和ホスホニウム塩の製
造方法の各工程について説明する。 （第一工程）本発明の第一工程は、例えば、トリメチル
ホスフィン、トリエチルホスフィン、トリ−ｎ−プロピ
ルホスフィン、トリ−ｎ−ブチルホスフィン、トリ−ｎ
−オクチルホスフィン等の前記一般式（２）で表される
トリオルガノホスフィンと、例えば、アクリル酸、クロ
トン酸、ｔｒａｎｓ−桂皮酸、メタクリル酸等の前記一
般式（３）で表される不飽和カルボン酸化合物を反応さ
せて、例えば、３−トリエチルホスホニオプロパナー
ト、３−トリ−ｎ−ブチルホスホニオプロパナート、３
−トリ−ｎ−オクチルホスホニオプロパナート、３−ト
リエチルホスホニオブタナート、３−トリ−ｎ−ブチル
ホスホニオブタナート、３−トリ−ｎ−オクチルホスホ
ニオブタナート、３−フェニル−３−トリエチルホスホ
ニオプロパナート、３−フェニル−３−トリ−ｎ−ブチ
ルホスホニオプロパナート、３−フェニル−３−トリ−
ｎ−オクチルホスホニオプロパナート、２−メチル−３
−トリエチルホスホニオプロパナート、２−メチル−３
−トリ−ｎ−ブチルホスホニオプロパナート、２−メチ
ル−３−トリ−ｎ−オクチルホスホニオプロパナート等
の前記一般式（４）で表されるベタイン構造を有するホ
スホニウム塩を得る工程である。

【００４９】第一工程の反応条件は、反応温度は通常１
０〜１００℃、好ましくは３０〜８０℃であり、反応時
間は、通常１〜２４時間、好ましくは２〜１５時間であ
る。反応は、常圧または加圧のいずれで行っても良い
が、窒素、ヘリウム等の不活性気体中で反応させる。

【００５０】トリオルガノホスフィンと不飽和カルボン
酸化合物との反応時のモル比は、１：１〜１：５、好ま
しくは１：１〜１：２モルが適当である。反応終了後、
析出する結晶を濾過するか、反応液を濃縮することによ
り、ベタイン構造を有するホスホニウム塩を得ることが
できる。

【００５１】（第二工程）次いで、行う第二工程は、上
記で得られたベタイン構造を有するホスホニウム塩と、
上記で示したＨ⁺ Ａ^- （式中、Ａは有機酸アニオンまた
は無機酸アニオンを示す）で表される所望の有機酸もし
くは無機酸とを反応溶媒中で反応させて、一般式（５）
で示されるカルボキシル基を有するホスホニウム塩を得
る工程である。

【００５２】反応温度は、通常１０〜１００℃、好まし
くは２０〜５０℃である。反応時間は、通常０．１〜３
時間、好ましくは０．５〜２時間である。ベタイン構造
を有するホスホニウム塩と酸との反応時の当量比は、
１：１〜１：５、好ましくは１：１が適当である。反応
終了後、反応液を常法により、濃縮することにより、目
的とするカルボキシル基を有するホスホニウム塩を得る
ことができる。

【００５３】（第三工程）次いで、行う第三工程は、上
記で得られたカルボキシル基を有するホスホニウム塩
と、一般式（６）で表されるアクリレート化合物とを反
応溶媒中で反応させて、一般式（１）で示される不飽和
結合を有するホスホニウム塩を得る工程である。反応温
度は、通常１０〜１００℃、好ましくは２０〜８０℃で
ある。反応時間は、通常１〜２４時間、好ましくは１〜
５時間である。カルボキシル基を有するホスホニウム塩
と一般式（６）で表されるアクリレート化合物との反応
時のモル比は、１：１〜１：５、好ましくは１：１が適
当である。

【００５４】また、この時必要に応じて重合禁止剤を添
加して反応を行う。重合禁止剤の種類は、例えば、ハイ
ドロキノン、ハイドロキノンモノメチルエーテル、フェ
ノチアジン、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ｐ−クレ
ゾール、チオ尿素、尿素、Ｎ−フェニル−Ｎ’−イソプ
ロピル−ｐ−フェニルンジアミン等を挙げることができ
るが、これに特に制限されるものではない。

【００５５】また、重合禁止剤の添加量は、得られる目
的物に対して１００〜１００００ｐｐｍ、好ましくは５
００〜５０００ｐｐｍ程度であるが、これらは特に制限
されるものではない。反応終了後、反応液を常法によ
り、濃縮することにより、目的とする不飽和結合を有す
るホスホニウム塩を得ることができる。

【００５６】なお、第一工程、第二工程及び第三工程の
反応溶媒としては、原料、生成物と反応しない不活性溶
媒であれば特に限定はないが、例えばアセトニトリル、
プロピオニトリル、ブチロニトリル等のニトリル化合
物、メタノール、エタノール、プロパノール等のアルコ
ール類、ヘキサン、オクタン等の脂肪族炭化水素、ベン
ゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素、水が挙
げられる。また、溶媒量は、通常生成物に対して重量で
２〜１０倍、好ましくは２〜５倍程度であるが、これは
特に制限されるものではない。

【００５７】本発明の製造方法で得られる不飽和結合を
有するホスホニウム塩は、各種のアクリル化合物、スチ
レン等のオレフィン、ビニル化合物、アリル化合物等と
容易に共重合することができる。得られたカチオン性重
合体は、凝集剤、染色改良剤、帯電防止剤、土壌改良
剤、導電加工剤、紙力増強剤などに用いることができ
る。さらに、アニオン種を限定されないので、酢酸アニ
オン、蟻酸アニオン、乳酸アニオンなどの有機酸アニオ
ンを有するカチオン電着塗料用途のカチオン性重合体の
製造原料として、特に好適である。

【００５８】

【実施例】以下、本発明を実施例によって更に説明す
る。

【００５９】実施例１ （トリ−ｎ−ブチル［２−（２−ヒロドキシ−３−メタ
クリロイルオキシプロポキシカルボニル）エチル］ホス
ホニウム・アセタートの合成）温度計、コンデンサー、
撹拌機、滴下ロートを備えたｌＬ四つ口フラスコを十分
に窒素で置換し、トリ−ｎ−ブチルホスフィン２０２．
３ｇ（１．０モル）、水３００ｍｌを仕込んだ。５０℃
に昇温し、アクリル酸７５．７ｇ（１．０５モル）を徐
々に滴下した。滴下終了後、液温を８０℃にあげて、さ
らに３時間熟成した。冷却後、二硫化炭素で未反応のア
ルキルホスフィンをチェックしたが、検出されなかっ
た。反応液をエバポレーターで濃縮し、さらに真空ポン
プで乾燥することにより、白色固体２７８．５ｇを得
た。この固体を、酢酸エチルで再結精製し、真空ポンプ
で乾燥して白色結晶２５４．８ｇを得た。過塩素酸滴定
により求めた純度は、９８．８％で、収率は９１．７％
であった。結晶は、非常に吸湿性が強く、潮解しやすか
った。融点は、１６１．５〜１６２．８℃であった。分
析の結果、３−トリ−ｎ−ブチルホスホニオプロパナー
トであった。

【００６０】ＦＡＢ−ＭＳ：２７５［Ｍ＋Ｈ］^{+ 1} Ｈ−ＮＭＲ（ＴＭＳ、δ）：０．９６（９Ｈ、ｔ、Ｊ
＝７．ｌＨｚ）、１．４１〜１．６３（１２Ｈ、ｍ）、
２．１９〜２．３５（６Ｈ、ｍ）、２．３５〜２．４３
（２Ｈ、ｍ）、２．４３〜２．６１（２Ｈ、ｍ） ＦＴ−ＩＲ（ＫＢｒ、ｃｍ^-1）：２９６１、２９３４、
２８７４、１５８４、１４６６、１３９１、１０９９、
９１８

【００６１】得られた３−トリ−ｎ−ブチルホスホニオ
プロパナート１３８．７ｇ（０．５モル）をｌＬのなす
型フラスコにいれ、メタノール４００ｍｌに溶解させ
た。この溶液に撹拌しながら、氷酢酸３０．０ｇ（０．
５モル）を滴下した。３０分間室温で撹拌後、エバポレ
ーターで濃縮し、さらに真空ポンプで乾燥することによ
り、無色透明粘性液体１６８．７ｇを得た。過塩素酸に
よる非水中和滴定の純度は、９９．０％であった。分析
の結果、トリ−ｎ−ブチル（２−カルボキシエチル）ホ
スホニウム・アセタートであった。

【００６２】ＦＡＢ−ＭＳ（Ｐｏｓ．）：２７５ ＦＡＢ−ＭＳ（Ｎｅｇ．）：５９¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＴＭＳ、δ）：０．９７（９Ｈ、ｔ、Ｊ
＝７．ｌＨｚ）、１．４１〜１．６０（１２Ｈ、ｍ）、
２．０２（３Ｈ、ｓ）、２．１２〜２．３１（６Ｈ、
ｍ）、２．３８〜２．５１（２Ｈ、ｍ）、２．５６〜
２．７２（２Ｈ、ｍ）、１１．５５（ｌＨ、ｓ） ＦＴ−ＩＲ（ＫＢｒ、ｃｍ^-1）：２９６１、２９３５、
２８７５、１７１２、１５８４、１３８３、１２５６、
１０９６、８２４

【００６３】得られたトリ−ｎ−ブチル（２−カルボキ
シエチル）ホスホニウム・アセタート３３．ｌｇ（０．
１モル）を、脱水したアセトニトリル４００ｍｌに溶解
させ、重合禁止剤として、ヒドロキノンモノメチルエー
テル５０ｍｇ添加して、常圧で容量が半分になるまで、
アセトニトリルを留去させ、系内の水分を除去した。次
に、グリシジルメタクリレート１４．９ｇ（０．１モ
ル）を添加し６０℃で２時間熟成させた。エバポレータ
ーで濃縮した結果、無色透明な粘性液体を４５．６ｇ得
た。過塩素酸滴定で求めた純度は、９６．３％であっ
た。分析の結果、生成物は、トリ−ｎ−ブチル［２−
（２−ヒロドキシ−３−メタクリロイルオキシプロポキ
シカルボニル）エチル］ホスホニウム・アセタートであ
った。

【００６４】ＦＡＢ−ＭＳ（Ｐｏｓ．）：４１７ ＦＡＢ−ＭＳ（Ｎｅｇ．）：５９¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＴＭＳ、δ）：０．９７（９Ｈ、ｔ、Ｊ
＝６．９Ｈｚ）、１．３６〜１．５６（１２Ｈ、ｍ）、
１．９４（３Ｈ、ｓ）、１．９７（３Ｈ、ｓ）、２．１
５〜２．４２（６Ｈ、ｍ）、２．４２〜２．９９（４
Ｈ、ｍ）、３．５０（ｌＨ、ｓ）、３．６８〜３．８０
（ｌＨ、ｍ）、４．１０〜４．４１（４Ｈ、ｍ）、５．
５８（ｌＨ、ｓ）、６．１２（ｌＨ、ｓ） ＦＴ−ＩＲ（液膜、ｃｍ^-1）：３１７５、２９７５、２
９４０、２８９０、１７２０、１５４０、１４５０、１
３８０、１２９５、１２４０、１１６８、８１４

【００６５】実施例２ （トリ−ｎ−ブチル［２−（２−ヒドロキシ−３−メタ
クリロイルオキシプロポキシカルボニル）エチル］ホス
ホニウム・ｐ−トルエンスルホネートの合成）実施例１
で得られた３−トリ−ｎ−ブチルホスホニオプロパナー
ト１３８．７ｇ（０．５モル）をｌＬのなす型フラスコ
にいれ、純水２００ｍｌに溶解させた。この溶液に撹拌
しながら、ｐ−トルエンスルホン酸・一水塩９５．ｌｇ
（０．５モル）を純水２００ｍｌに溶解させた溶液を添
加した。３０分間室温で撹拌後、エバポレーターで濃縮
し、さらに真空ポンプで乾燥することにより、融点７８
〜８１℃の白色固体２２２．６ｇを得た。過塩素酸によ
る非水中和滴定の純度は、９８．３％であった。分析の
結果、トリ−ｎ−ブチル（２−カルボキシエチル）ホス
ホニウム・ｐ−トルエンスルホネートであった。

【００６６】ＦＡＢ−ＭＳ（Ｐｏｓ．）：２７５ ＦＡＢ−ＭＳ（Ｎｅｇ．）：１７１¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＴＭＳ、δ）：０．９２（９Ｈ、ｔ、Ｊ
＝６．８Ｈｚ）、１．３１〜１．７２（１２Ｈ、ｍ）、
２．１９〜２．４１（６Ｈ、ｍ）、２．４０（３Ｈ、
ｓ）、２．５０〜２．６８（２Ｈ、ｍ）、２．９５〜
３．１２（２Ｈ、ｍ）、７．１１〜７．２９（２Ｈ、
ｍ）、７．７１〜７．８９（２Ｈ、ｍ）、９．８（ｌ
Ｈ、ｓ） ＦＴ−ＩＲ（ＫＢｒ、ｃｍ^-1）：３４５０、２９６１、
２９３３、２８７４、１７３６、１２４０、１１１９、
１０１１、６８２

【００６７】得られたトリ−ｎ−ブチル（２−カルボキ
シエチル）ホスホニウム・ｐ−トルエンスルホネート４
５．４ｇ（０．１モル）を、脱水したアセトニトリル４
００ｍｌに溶解させ、重合禁止剤として、ヒドロキノン
モノメチルエーテル５０ｍｇを添加して、常圧で容量が
半分になるまで、アセトニトリルを留去させ、系内の水
分を除去した。次に、グリシジルメタクリレート１４．
９ｇ（０．１モル）を添加し６０℃で２時間熟成させ
た。エバポレーターで濃縮した結果、無色透明な粘性液
体を５７．６ｇ得た。過塩素酸滴定で求めた純度は、９
８．４％であった。分析の結果、生成物は、トリ−ｎ−
ブチル［２−（２−ヒドロキシ−３−メタクリロイルオ
キシプロポキシカルボニル）エチル］ホスホニウム・ｐ
−トルエンスルホネートであつた。

【００６８】ＦＡＢ−ＭＳ（Ｐｏｓ．）：４１７ ＦＡＢ−ＭＳ（Ｎｅｇ．）：１７１¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＴＭＳ、δ）：０．９２（９Ｈ、ｔ、Ｊ
＝７．０Ｈｚ）、１．３６〜１．５６（１２Ｈ、ｍ）、
１．９６（３Ｈ、ｓ）、２．１５〜２．３５（６Ｈ、
ｍ）、２．３７（３Ｈ、ｓ）、２．４２〜２．９９（４
Ｈ、ｍ）、３．５０（ｌＨ、ｓ）、３．６８〜３．８０
（ｌＨ、ｍ）、４．１０〜４．４１（４Ｈ、ｍ）、５．
６１（ｌＨ、ｓ）、６．１６（ｌＨ、ｓ）、７．１１〜
７．２９（２Ｈ、ｍ）、７．７１〜７．８９（２Ｈ、
ｍ） ＦＴ−ＩＲ（液膜、ｃｍ^-1）：３２１０、２９７５、２
９４０、２８９０、１７２０、１５４０、１４５０、１
３８０、１２９５、１２４０、１１６８、８１４

【００６９】実施例３ （トリ−ｎ−ブチル［２−（２−ヒドロキシ−３−メタ
クリロイルオキシプロポキシカルボニル）エチル］ホス
ホニウム・クロライドの合成）実施例１で得られた３−
トリ−ｎ−ブチルホスホニオプロパナート１３８．７ｇ
（０．５モル）をｌＬのなす型フラスコにいれ、純水４
００ｍｌに溶解させた。この溶液に撹拌しながら、３５
％塩酸５２．ｌｇ（０．５モル）を添加した。３０分間
室温で撹拌後、エバポレーターで濃縮し、さらに真空ポ
ンプで乾燥することにより、融点８０〜８２℃の白色固
体１５３．７ｇを得た。過塩素酸による中和滴定の純度
は、９９．０％であった。分析の結果、トリ−ｎ−ブチ
ル（２−カルボキシエチル）ホスホニウム・クロライド
であった。

【００７０】ＦＡＢ−ＭＳ（Ｐｏｓ．）：２７５ ＦＡＢ−ＭＳ（Ｎｅｇ．）：３５、３７¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＴＭＳ、δ）：０．９２（９Ｈ、ｔ、Ｊ
＝６．６Ｈｚ）、１．３１〜１．７２（１２Ｈ、ｍ）、
２．２９〜２．５０（６Ｈ、ｍ）、２．６２〜２．８０
（２Ｈ、ｍ）、２．８１〜３．０５（２Ｈ、ｍ）、８．
３５（ｌＨ、ｓ） ＦＴ−ＩＲ（ＫＢｒ、ｃｍ^-1）：３４５０、２９６０、
２９３２、２８７３、１７２５、１４６５、１３９２、
１２４０、１１８９、８１６

【００７１】得られたトリ−ｎ−ブチル（２−カルボキ
シエチル）ホスホニウム・クロライド３１．４ｇ（０．
１モル）を、脱水したアセトニトリル４００ｍｌに溶解
させ、重合禁止剤として、ヒドロキノンモノメチルエー
テル５０ｍｇを添加して、常圧で容量が半分になるま
で、アセトニトリルを留去させ、系内の水分を除去し
た。次に、グリシジルメタクリレート１４．９ｇ（０．
１モル）を添加し６０℃で２時間熟成させた。エバポレ
ーターで濃縮した結果、無色透明な粘性液体を４６．ｌ
ｇ得た。過塩素酸滴定で求めた純度は、９４．４％であ
つた。分析の結果、生成物は、トリ−ｎ−ブチル［２−
（２−ヒドロキシ−３−メタクリロイルオキシプロポキ
シカルボニル）エチル］ホスホニウム・クロライドであ
った。

【００７２】ＦＡＢ−ＭＳ（Ｐｏｓ．）：４１７ ＦＡＢ−ＭＳ（Ｎｅｇ．）：３５、３７¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＴＭＳ、δ）：０．９７（９Ｈ、ｔ、Ｊ
＝７．０Ｈｚ）、１．３６〜１．５６（１２Ｈ、ｍ）、
１．９４（３Ｈ、ｓ）、２．１８〜２．４０（６Ｈ、
ｍ）、２．４０〜２．８０（４Ｈ、ｍ）、３．５０（ｌ
Ｈ、ｓ）、３．６８〜３．８０（ｌＨ、ｍ）、４．１０
〜４．４１（４Ｈ、ｍ）、５．５８（ｌＨ、ｓ）、６．
１３（ｌＨ、ｓ） ＦＴ−ＩＲ（液膜、ｃｍ^-1）：３１７５、２９７５、２
９４０、２８９０、１７２０、１６００、１４５０、１
３８０、１２９５、１２４０、１１６８、８１４

【００７３】実施例４ （トリ−ｎ−ブチル［２−（２−ヒドロキシ−３−メタ
クリロイルオキシプロポキシカルボニル）エチル］ホス
ホニウム・ベンゾエートの合成）実施例１の生成物であ
る３−トリ−ｎ−ブチルホスホニオプロパナート１３
８．７ｇ（０．５モル）をｌＬのなす型フラスコにい
れ、メタノール２００ｍｌに溶解させた。この溶液に撹
拌しながら、安息香酸６１．ｌｇ（０．５モル）をメタ
ノール２００ｍｌに溶解した溶液を滴下した。３０分間
室温で撹拌後、エバポレーターで濃縮し、さらに真空ポ
ンプで乾燥することにより、無色透明粘性液体２００．
０ｇを得た。過塩素酸による中和滴定の純度は、９９．
１％であった。分析の結果、トリ−ｎ−ブチル（２−カ
ルボキシエチル）ホスホニウム・ベンゾエートであっ
た。

【００７４】ＦＡＢ−ＭＳ（Ｐｏｓ．）：２７５ ＦＡＢ−ＭＳ（Ｎｅｇ．）：１２１¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＴＭＳ、δ）：０．９１（９Ｈ、ｔ、Ｊ
＝６．８Ｈｚ）、１．３２〜１．６１（１２Ｈ、ｍ）、
２．０５〜２．４０（６Ｈ、ｍ）、２．４０〜２．６１
（２Ｈ、ｍ）、２．６１〜２．８３（２Ｈ、ｍ）、７．
２９〜７．５１（３Ｈ、ｍ）、８．０１〜８．１２（２
Ｈ、ｍ）、１２．３８（１Ｈ、ｓ） ＦＴ−ＩＲ（ＫＢｒ、ｃｍ^-1）：３０６０、２９６１、
２９３３、２８７４、１７０２、１６５８、１３８３、
１２４１、７１８

【００７５】得られたトリ−ｎ−ブチル（２−カルボキ
シエチル）ホスホニウム・ベンゾエート４０．０ｇ
（０．１モル）を、脱水したアセトニトリル４００ｍｌ
に溶解させ、重合禁止剤として、ヒドロキノンモノメチ
ルエーテル５０ｍｇを添加して、常圧で容量が半分にな
るまで、アセトニトリルを留去させ、系内の水分を除去
した。次に、グリシジルメタクリレート１４．９ｇ
（０．１モル）を添加し６０℃で２時間熟成させた。エ
バポレーターで濃縮した結果、無色透明な粘性液体を５
４．３ｇ得た。過塩素酸滴定で求めた純度は、９８．４
％であつた。分析の結果、生成物は、トリ−ｎ−ブチル
［２−（２−ヒドロキシ−３−メタクリロイルオキシプ
ロポキシカルボニル）エチル］ホスホニウム・ベンゾエ
ートであった。

【００７６】ＦＡＢ−ＭＳ（Ｐｏｓ．）：４１７ ＦＡＢ−ＭＳ（Ｎｅｇ．）：１２１¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＴＭＳ、δ）：０．９７（９Ｈ、ｔ、Ｊ
＝７．０Ｈｚ）、１．３５〜１．５８（１２Ｈ、ｍ）、
１．９３（３Ｈ、ｓ）、２．１８〜２．４０（６Ｈ、
ｍ）、２．４０〜２．８０（４Ｈ、ｍ）、３．５０（１
Ｈ、ｓ）、３．６８〜３．８０（１Ｈ、ｍ）、４．１０
〜４．４２（４Ｈ、ｍ）、５．５８（１Ｈ、ｓ）、６．
１３（１Ｈ、ｓ）、７．２９〜７．５１（３Ｈ、ｍ）、
８．０１〜８．１２（２Ｈ、ｍ） ＦＴ−ＩＲ（液膜、ｃｍ^-1）：３２００、３０３０、２
９７５、２９４０、２８９０、１７２０、１６００、１
５５６、１４５０、１３８０、１２９５、１１６８、８
１４

【００７７】実施例５ （トリ−ｎ−ブチル［２−（２−ヒドロキシ−３−メタ
クリロイルオキシプロポキシカルボニル）エチル］ホス
ホニウム・テトラフルオロボレートの合成）実施例１で
得られた３−トリ−ｎ−ブチルホスホニオプロパナート
１３８．７ｇ（０．５モル）をｌＬのなす型フラスコに
いれ、純水４００ｍｌに溶解させた。この溶液に撹拌し
ながら、４２％ほうフッ化水素酸１０４．５ｇ（０．５
モル）を添加した。３０分間室温で撹拌後、エバポレー
ターで濃縮し、さらに真空ポンプで乾燥することによ
り、無色透明粘性液体１８０．２ｇを得た。過塩素酸に
よる中和滴定の純度は、９８．５％であった。分析の結
果、トリ−ｎ−ブチル（２−カルボキシエチル）ホスホ
ニウム・テトラフルオロボレートであった。

【００７８】ＦＡＢ−ＭＳ（Ｐｏｓ．）：２７５ ＦＡＢ−ＭＳ（Ｎｅｇ．）：８６、８７¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＴＭＳ、δ）：０．９２（９Ｈ、ｔ、Ｊ
＝６．９Ｈｚ）、１．３９〜１．７２（１２Ｈ、ｍ）、
２．０６〜２．３１（６Ｈ、ｍ）、２．４８〜２．５６
（２Ｈ、ｍ）、２．６６〜２．８２（２Ｈ、ｍ）、８．
０８（１Ｈ、ｓ） ＦＴ−ＩＲ（液膜、ｃｍ^-1）：３４５０、２９６３、２
９３７、２８７６、１７４０、１４６７、１４１８、１
２４０、１１８８、１０６１、８２１

【００７９】得られたトリ−ｎ−ブチル（２−カルボキ
シエチル）ホスホニウム・テトラフルオロボレート３
６．８ｇ（０．１モル）を、脱水したアセトニトリル４
００ｍｌに溶解させ、重合禁止剤として、ヒドロキノン
モノメチルエーテル５０ｍｇを添加して、常圧で容量が
半分になるまで、アセトニトリルを留去させ、系内の水
分を除去した。次に、グリシジルメタクリレート１４．
９ｇ（０．１モル）を添加し６０℃で２時間熟成させ
た。エバポレーターで濃縮した結果、無色透明な粘性液
体を４９．ｌｇ得た。過塩素酸滴定で求めた純度は、９
７．８％であった。分析の結果、生成物は、トリ−ｎ−
ブチル［２−（２−ヒドロキシ−３−メタクリロイルオ
キシプロポキシカルボニル）エチル］ホスホニウム・テ
トラフルオロボレートであった。

【００８０】ＦＡＢ−ＭＳ（Ｐｏｓ．）：４１７ ＦＡＢ−ＭＳ（Ｎｅｇ．）：８６、８７¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＴＭＳ、δ）：０．９７（９Ｈ、ｔ、Ｊ
＝６．９Ｈｚ）、１．３６〜１．５６（１２Ｈ、ｍ）、
１．９４（３Ｈ、ｓ）、２．１８〜２．４０（６Ｈ、
ｍ）、２．４０〜２．８２（４Ｈ、ｍ）、３．４１（１
Ｈ、ｓ）、３．６８〜３．８０（１Ｈ、ｍ）、４．０９
〜４．４１（４Ｈ、ｍ）、５．５８（１Ｈ、ｓ）、６．
１６（１Ｈ、ｓ） ＦＴ−ＩＲ（液膜、ｃｍ^-1）：３５５０、２９７５、２
９４０、２８９０、１７２０、１６４０、１５２１、１
４５０、１３８０、１２９５、１１６８、８１４

【００８１】実施例６ （トリ−ｎ−ブチル［２−（２−ヒドロキシ−３−メタ
クリロイルオキシプロポキシカルボニル）１−メチルエ
チル］ホスホニウム・アセタートの合成）実施例１と同
様の装置を十分に窒素で置換し、トリ−ｎ−ブチルホス
フィン２０２．３ｇ（１．０モル）、クロトン酸８６．
５ｇ（１．０モル）、水４００ｍｌを仕込んだ。還流す
る温度で８時間反応させた。冷却後、二硫化炭素で未反
応のアルキルホスフィンをチェックしたが、検出されな
かった。反応液をエバポレーターで濃縮し、さらに真空
ポンプで乾燥することにより、融点１５８〜１６０℃の
白色固体２６３．３ｇを得た。過塩素酸滴定により求め
た純度は、９８．１％で、収率は８９．６％であった。
分析結果は、次のとおりで、生成物は、３−トリ−ｎ−
ブチルホスホニオブタノエートであつた。

【００８２】ＦＡＢ−ＭＳ：２８９［Ｍ＋Ｈ］^{+ 1} Ｈ−ＮＭＲ（ＴＭＳ、δ）：０．９７（１２Ｈ、ｔ、
Ｊ＝６．０Ｈｚ）、１．２３〜１．８５（１２Ｈ、
ｍ）、１．９３〜２．５５（６Ｈ、ｍ）、２．３３〜
２．８０（２Ｈ、ｍ）、２．７４〜３．３７（１Ｈ、
ｍ） ＦＴ−ＩＲ（ＫＢｒ、ｃｍ^-1）：２９６０、１５８８、
１４６２、１３８２、１３１７、１２３７、１０９８、
９１５

【００８３】３−トリ−ｎ−ブチルホスホニオブタノエ
ート１４７．０ｇ（０．５モル）をｌＬのなす型フラス
コにいれ、メタノール４００ｍｌに溶解させた。この溶
液に撹拌しながら、氷酢酸３０．０ｇ（０．５モル）を
滴下した。３０分間室温で撹拌後、エバポレーターで濃
縮し、さらに真空ポンプで乾燥することにより、無色透
明粘性液体１７５．６ｇを得た。過塩素酸による中和滴
定の純度は、９９．１％であった。分析の結果、トリ−
ｎ−ブチル（２−カルボキシ−１−メチルエチル）ホス
ホニウム・アセタートであった。

【００８４】ＦＡＢ−ＭＳ（Ｐｏｓ．）：２８９ ＦＡＢ−ＭＳ（Ｎｅｇ．）：５９¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＴＭＳ、δ）：０．９７（９Ｈ、ｔ、Ｊ
＝７．１Ｈｚ）、１．３７（３Ｈ、ｄｄ、Ｊ＝１７．
１、Ｊ＝７．５Ｈｚ）、１．４３〜１．６２（１２Ｈ、
ｍ）、２．０３（３Ｈ、ｓ）、２．０８〜２．４０（６
Ｈ、ｍ）、２．５０〜２．７１（２Ｈ、ｍ）、２．８３
〜２．９９（１Ｈ、ｍ）、１１．９７（１Ｈ、ｓ） ＦＴ−ＩＲ（ＫＢｒ、ｃｍ^-1）：２９６１、２９３５、
２８７５、１７１３、１５９４、１３８５、１２５６、
１０９９、１００９、８８０

【００８５】得られたトリ−ｎ−ブチル（２−カルボキ
シ−１−メチルエチル）ホスホニウム・アセタート３
５．２ｇ（０．１モル）を、脱水したアセトニトリル４
００ｍｌに溶解させ、重合禁止剤として、ヒドロキノン
モノメチルエーテル５０ｍｇを添加して、常圧で容量が
半分になるまで、アセトニトリルを留去させ、系内の水
分を除去した。次に、グリシジルメタクリレート１４．
９ｇ（０．１モル）を添加し６０℃で２時間熟成させ
た。エバポレーターで濃縮した結果、無色透明な粘性液
体を４９．６ｇ得た。過塩素酸滴定で求めた純度は、９
８．０％であつた。分析の結果、生成物は、トリ−ｎ−
ブチル［２−（２−ヒドロキシ−３−メタクリロイルオ
キシプロポキシカルボニル）１−メチルエチル］ホスホ
ニウム・アセタートであつた。

【００８６】ＦＡＢ−ＭＳ（Ｐｏｓ．）：４３１ ＦＡＢ−ＭＳ（Ｎｅｇ．）：５９¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＴＭＳ、δ）：０．９７（９Ｈ、ｔ、Ｊ
＝６．９Ｈｚ）、１．２８〜１．４６（３Ｈ、ｍ）、
１．４６〜１．５６（１２Ｈ、ｍ）、１．９４（３Ｈ、
ｍ）、１．９７（３Ｈ、ｍ）、２．１５〜２．４８（６
Ｈ、ｍ）、２．５０〜３．２２（３Ｈ、ｍ）、３．４１
（１Ｈ、ｓ）、３．６８〜３．８０（１Ｈ、ｍ）、４．
１０〜４．４１（４Ｈ、ｍ）、５．５８（１Ｈ、ｓ）、
６．１２（１Ｈ、ｓ） ＦＴ−ＩＲ（液膜、ｃｍ^-1）：３１７５、２９７５、２
９４０、２８９０、１７２０、１６００、１４５０、１
３８０、１２９５、１２４２、１１６８、８１４

【００８７】実施例７ （トリ−ｎ−ブチル［２−（２−ヒドロキシ−３−メタ
クリロイルオキシプロポキシカルボニル）１−フェニル
エチル］ホスホニウム・アセタートの合成）実施例１と
同様の装置を十分に窒素で置換し、トリ−ｎ−ブチルホ
スフィン２０２．３ｇ（１．０モル）、ｔｒａｎｓ−桂
皮酸１４８．２ｇ（１．０モル）、純水３００ｍｌを仕
込んだ。還流する温度で８時間反応させた。冷却後、二
硫化炭素で未反応のアルキルホスフィンをチェックした
が、検出されなかつた。反応液をエバポレーターで濃縮
し、さらに真空ポンプで乾燥することにより、融点１６
３〜１６４℃の白色固体３６６．０ｇを得た。過塩素酸
滴定により求めた純度は、９５．２％で、収率は９９．
４％であった。分析結果は、次のとおりで、生成物は、
３−フェニル−３−トリ−ｎ−ブチルホスホニオプロパ
ナートであつた。

【００８８】ＦＡＢ−ＭＳ：３５１［Ｍ＋Ｈ］^{+ 1} Ｈ−ＮＭＲ（ＴＭＳ、δ）：０．９１（９Ｈ、ｔ、Ｊ
＝６．０Ｈｚ）、１．１７〜１．８３（１２Ｈ、ｍ）、
１．８７〜２．５３（６Ｈ、ｍ）、２．６８〜３．２７
（２Ｈ、ｍ）、３．９２〜４．４７（１Ｈ、ｍ）７．２
９（５Ｈ、Ｓ） ＦＴ−ＩＲ（ＫＢｒ、ｃｍ^-1）：２９６０、１５９０、
１５００、１４５５、１３８２、７０５

【００８９】３−フェニル−３−トリ−ｎ−ブチルホス
ホニオプロパナート１８３．８ｇ（０．５モル）をｌＬ
のなす型フラスコにいれ、メタノール４００ｍｌに溶解
させた。この溶液に撹拌しながら、氷酢酸３０．０ｇ
（０．５モル）を滴下した。３０分間室温で撹拌後、エ
バポレーターで濃縮し、さらに真空ポンプで乾燥するこ
とにより、無色透明粘性液体２０８．ｌｇを得た。過塩
素酸による中和滴定の純度は、９８．５％であった。分
析結果は、次のとおりで、生成物は、トリ−ｎ−ブチル
（２−カルボキシ−１−フェニルエチル）ホスホニウム
・アセタートであつた。

【００９０】ＦＡＢ−ＭＳ（Ｐｏｓ．）：３５１ ＦＡＢ−ＭＳ（Ｎｅｇ．）：５９¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＴＭＳ、δ）：０．９１（９Ｈ、ｔ、Ｊ
＝６．８Ｈｚ）、１．３２〜１．６１（１２Ｈ、ｍ）、
１．９５〜２．２６（９Ｈ、ｍ）、２．９２〜３．３１
（２Ｈ、ｍ）、４．３１〜４．４８（１Ｈ、ｍ）、７．
２５〜７．５０（５Ｈ、ｍ）、１１．６８（１Ｈ、ｓ） ＦＴ−ＩＲ（ＫＢｒ、ｃｍ^-1）：３０６１、３０３１、
２９６１、２９３４、２８７４、１７１３、１６０１、
１３８１、１２５１、１０９８、８７８、７０６

【００９１】得られたトリ−ｎ−ブチル（２−カルボキ
シ−１−フェニルエチル）ホスホニウム・アセタート４
１．７ｇ（０．１モル）を、脱水したアセトニトリル４
００ｍｌに溶解させ、重合禁止剤として、ヒドロキノン
モノメチルエーテル５０ｍｇを添加して、常圧で容量が
半分になるまで、アセトニトリルを留去させ、系内の水
分を除去した。次に、グリシジルメタクリレート１４．
９ｇ（０．１モル）を添加し６０℃で２時間熟成させ
た。エバポレーターで濃縮した結果、無色透明な粘性液
体を５６．４ｇ得た。過塩素酸滴定で求めた純度は、９
６．１％であつた。分析の結果、生成物は、トリ−ｎ−
ブチル［２−（２−ヒドロキシ−３−メタクリロイルオ
キシプロポキシカルボニル）１−フェニルエチル］ホス
ホニウム・アセタートであつた。

【００９２】ＦＡＢ−ＭＳ（Ｐｏｓ．）：４９３ ＦＡＢ−ＭＳ（Ｎｅｇ．）：５９¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＴＭＳ、δ）：０．９７（９Ｈ、ｔ、Ｊ
＝６．９Ｈｚ）、１．３８〜１．６６（１２Ｈ、ｍ）、
１．９４（３Ｈ、ｍ）、１．９７（３Ｈ、ｍ）、２．０
５〜２．５１（６Ｈ、ｍ）、２．８５〜３．００（２
Ｈ、ｍ）、３．３９（１Ｈ、ｓ）、３．６８〜３．８０
（１Ｈ、ｍ）、４．００〜４．５０（４Ｈ、ｍ）、４．
８９〜５．００（１Ｈ、ｍ）、５．５９（１Ｈ、ｓ）、
６．１２（１Ｈ、ｓ）、７．２３〜７．５６（５Ｈ、
ｍ） ＦＴ−ＩＲ（液膜、ｃｍ^-1）：３０８０、２９７５、２
９４０、２８９０、１７２０、１６００、１５００、１
４５０、１３８０、１２９５、１２４２、１１６８、８
１５、７０５

【００９３】実施例８ （トリ−ｎ−オクチル［２−（２−ヒドロキシ−３−メ
タクリロイルオキシプロポキシカルボニル）エチル］ホ
スホニウム・アセタートの合成）実施例１と同様の装置
を十分に窒素で置換し、トリオクチルホスフィン３７
０．６ｇ（１．０モル）を仕込んだ。アクリル酸７５．
７ｇ（１．０５モル）を水３００ｍｌに溶解させ、約３
０分で滴下した。さらに、８０℃で６時間熟成した。二
硫化炭素で未反応のアルキルホスフィンをチェックした
が、検出されなかった。反応液をエバポレーターで濃縮
し、さらに真空ポンプで乾燥すると、白色結晶４３０．
４ｇが得られた。過塩素酸滴定により求めた純度は、９
７．９％で、収率は９５．２％であった。ＦＡＢ−ＭＳ
で測定した結果、生成物は、３−トリ−ｎ−オクチルホ
スホニオプロパナートであった。

【００９４】３−トリ−ｎ−オクチルホスホニオプロパ
ナート２２６．ｌｇ（０．５モル）をｌＬのなす型フラ
スコにいれ、メタノール４００ｍｌに溶解させた。この
溶液に撹拌しながら、酢酸３０．ｌｇ（０．５モル）を
添加した。３０分間室温で撹拌後、エバポレーターで濃
縮し、さらに真空ポンプで乾燥することにより、無色透
明粘性液体２５６．２ｇを得た。過塩素酸による中和滴
定の純度は、９８．１％であつた。分析の結果、生成物
は、トリ−ｎ−オクチル（２−カルボキシエチル）ホス
ホニウム・アセタートであった。

【００９５】ＦＡＢ−ＭＳ（Ｐｏｓ．）：４４３¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＴＭＳ、δ）：０．８９（９Ｈ、ｔ、Ｊ
＝６．８Ｈｚ）、１．１８〜１．６２（３６Ｈ、ｍ）、
２．０３（３Ｈ、ｓ）、２．０８〜２．３０（６Ｈ、
ｍ）、２．３０〜２．４２（２Ｈ、ｍ）、２．５９〜
２．７８（２Ｈ、ｍ）、１０．９０（１Ｈ、ｓ） ＦＴ−ＩＲ（ＫＢｒ、ｃｍ^-1）：２９５５、２９２７、
２８７４、１７１１、１５９２、１４６７、１３８０、
１２５８、１０１０、７２４

【００９６】得られたトリ−ｎ−オクチル（２−カルボ
キシエチル）ホスホニウム・アセタート５１．２ｇ
（０．１モル）を、脱水したアセトニトリル４００ｍｌ
に溶解させ、重合禁止剤として、ヒドロキノンモノメチ
ルエーテル５０ｍｇを添加して、常圧で容量が半分にな
るまで、アセトニトリルを留去させ、系内の水分を除去
した。次に、グリシジルメタクリレート１４．９ｇ
（０．１モル）を添加し６０℃で２時間熟成させた。エ
バポレーターで濃縮した結果、無色透明な粘性液体を６
５．８ｇ得た。過塩素酸滴定で求めた純度は、９７．０
％であった。分析の結果、生成物は、トリ−ｎ−オクチ
ル［２−（２−ヒドロキシ−３−メタクリロイルオキシ
プロポキシカルボニル）エチル］ホスホニウム・アセタ
ートであった。

【００９７】ＦＡＢ−ＭＳ（Ｐｏｓ．）：５８５ ＦＡＢ−ＭＳ（Ｎｅｇ．）：５９¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＴＭＳ、δ）：０．８９（９Ｈ、ｔ、Ｊ
＝６．９Ｈｚ）、１．１８〜１．６２（３６Ｈ、ｍ）、
１．９４（３Ｈ、ｍ）、１．９７（３Ｈ、ｓ）、２．０
７〜２．５０（６Ｈ、ｍ）、２．５０〜３．００（４
Ｈ、ｍ）、３．４０（１Ｈ、ｓ）、３．６８〜３．８０
（１Ｈ、ｍ）、４．０６〜４．７１（４Ｈ、ｍ）、５．
５７（１Ｈ、ｓ）、６．１２（１Ｈ、ｓ） ＦＴ−ＩＲ（液膜、ｃｍ^-1）：３２００、２９３０、２
８９０、１７２０、１５９０、１４５０、１３８０、１
２９５、１１６８、８１４

【００９８】実施例９ （トリエチル［２−（２−ヒドロキシ−３−メタクリロ
イルオキシプロポキシカルボニル）２−メチルエチル］
ホスホニウム・アセタートの合成） 温度計、コンデンサー、撹拌機、滴下ロートを備えたｌ
Ｌ四つ口フラスコを十分に窒素で置換し、２２．２％ト
ルエン溶液トリエチルホスフィン５３２．３ｇ（１．０
モル）を仕込んだ。室温でメタクリル酸９０．４ｇ
（１．０５モル）を３００ｍｌの水で希釈した水溶液を
徐々に滴下したところ、４５℃まで温度が上昇した。滴
下終了後、液温を８０℃にあげて、さらに３時間熟成し
た。冷却後、二硫化炭素で未反応のアルキルホスフィン
をチェックしたが、検出されなかった。反応液をエバポ
レーターで濃縮し、さらに真空ポンプで乾燥することに
より、無色透明液体２３１．３ｇを得た。過塩素酸滴定
により求めた純度は、９８．１％で、収率は９９．２％
であった。分析の結果、２−メチルー３−トリエチルホ
スホニオプロパナートの１水和物であった。

【００９９】ＦＡＢ−ＭＳ：２０５［Ｍ＋Ｈ］^{+ 1} Ｈ−ＮＭＲ（ＴＭＳ、δ）：１．１８〜１．４１（９
Ｈ、ｍ）、１．８５〜２．０２（３Ｈ、ｍ）、２．３１
〜２．５０（６Ｈ、ｍ）、２．５１〜２．７３（１Ｈ、
ｍ） ＦＴ−ＩＲ（ＫＢｒ、ｃｍ^-1）：３４２０、２９８０、
２９５０、１５８０、１４６０、１４００、１２８５、
１０５０、８２５、８００、７７５

【０１００】得られた２−メチル−３−トリエチルホス
ホニオプロパナート１水和物１１３．３ｇ（０．５モ
ル）をｌＬのなす型フラスコにいれ、メタノール４００
ｍｌに溶解させた。この溶液に撹拌しながら、氷酢酸３
０．０ｇ（０．５モル）を滴下した。３０分間室温で撹
拌後、エバポレーターで濃縮し、さらに真空ポンプで乾
燥することにより、無色透明粘性液体１４０．ｌｇを得
た。過塩素酸による非水中和滴定の純度は、１００．１
％であった。分析の結果、トリエチル（２−メチル−２
−カルボキシエチル）ホスホニウム・アセタートであっ
た。

【０１０１】ＦＡＢ−ＭＳ（Ｐｏｓ．）：２０５ ＦＡＢ−ＭＳ（Ｎｅｇ．）：５９¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＴＭＳ、δ）：１．１８〜１．４１（９
Ｈ、ｍ）、１．８５〜２．１０（６Ｈ、ｍ）、２．１１
〜２．５０（６Ｈ、ｍ）、２．５０〜２．８０（３Ｈ、
ｍ）、１１．１４（１Ｈ、ｓ） ＦＴ−ＩＲ（ＫＢｒ、ｃｍ^-1）：３４２０、２９８０、
２９５０、１７００、１５８０、１４５０、１３８０、
１２５０、１０４０、８００、７７０

【０１０２】得られたトリエチル（２−メチル−２−カ
ルボキシエチル）ホスホニウム・アセタート２８．２ｇ
（０．１モル）を、脱水したアセトニトリル４００ｍｌ
に溶解させ、重合禁止剤として、ヒドロキノンモノメチ
ルエーテル５０ｍｇを添加して、常圧で容量が半分にな
るまで、アセトニトリルを留去させ、系内の水分を除去
した。次に、グリシジルメタクリレー卜１４．９ｇ
（０．１モル）を添加し６０℃で２時間熟成させた。エ
バポレーターで濃縮した結果、無色透明な粘性液体を４
１．７ｇ得た。過塩素酸滴定で求めた純度は、９６．１
％であった。分析の結果、生成物は、トリエチル［２−
（２−ヒドロキシ−３−メタクリロイルオキシプロポキ
シカルボニル）２−メチルエチル］ホスホニウム・アセ
タートであった。

【０１０３】ＦＡＢ−ＭＳ（Ｐｏｓ．）：３４７ ＦＡＢ−ＭＳ（Ｎｅｇ．）：５９¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＴＭＳ、δ）：１．１８〜１．４１（１
２Ｈ、ｍ）、１．９４（３Ｈ、ｓ）、１．９７（３Ｈ、
ｍ）、２．０８〜２．５８（９Ｈ、ｍ）、３．４１（１
Ｈ、ｓ）、３．６８〜３．８０（１Ｈ、ｍ）、４．００
〜４．７１（４Ｈ、ｍ）、５．５８（１Ｈ、ｓ）、６．
１３（１Ｈ、ｓ） ＦＴ−ＩＲ（液膜、ｃｍ^-1）：３２００、２９８０、２
９５０、１７２０、１５７０、１４５０、１３９０、１
２４０、１１６５、８０５

【０１０４】

【発明の効果】以上説明した様に、本発明によれば、対
アニオンとして所望の有機酸あるいは無機酸のアニオン
を有することが可能な不飽和結合を有するホスホニウム
塩を得ることができる。

【０１０５】また、本発明の製造方法で得られる不飽和
結合を有するホスホニウム塩は、単独重合及びに、各種
のアクリル化合物、スチレン等のオレフィン、ビニル化
合物、アリル化合物等と共重合することが容易にでき
る。得られたカチオン性重合体は、凝集剤、染色改良
剤、帯電防止剤、土壌改良剤、導電加工剤、紙力増強
剤、抗菌剤などに用いることができる。

【０１０６】さらに、アニオン種を限定されないので、
酢酸アニオン、蟻酸アニオン、乳酸アニオンなどの有機
酸アニオンを有するカチオン電着塗料用途のカチオン性
重合体の製造原料として、特に好適である。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記一般式（１） 【化１】 （式中、Ｒ₁ 、Ｒ₂ 、Ｒ₃ は炭素数１〜８の直鎖状また
   は分岐状のアルキル基、Ｂは 【化２】 、Ｘは水素原子、炭素数１〜４の直鎖状もしくは分岐状
   のアルキル基またはフェニル基、Ｙは水素原子またはメ
   チル基、Ａは有機酸アニオンまたは無機酸アニオンを示
   す）で表される不飽和ホスホニウム塩。
2. 【請求項２】 下記一般式（２） 【化３】 （式中、Ｒ₁ 、Ｒ₂ 、Ｒ₃ は炭素数１〜８の直鎖状また
   は分岐状のアルキル基を示す）で表されるトリオルガノ
   ホスフィンと、下記一般式（３） 【化４】 （式中、Ｘは水素原子、炭素数１〜４の直鎖状もしくは
   分岐状のアルキル基またはフェニル基、Ｙは水素原子ま
   たはメチル基を示す）で表される不飽和カルボン酸化合
   物を反応させて、下記一般式（４） 【化５】 （式中、Ｒ₁ 、Ｒ₂ 、Ｒ₃ 、ＸおよびＹは前記と同じも
   のを示す）で表されるベタイン構造を有するホスホニウ
   ム塩を製造する第一工程と、 生成したベタイン構造を有するホスホニウム塩をＨ⁺ Ａ
   ^- （式中、Ａは有機酸アニオンまたは無機酸アニオンを
   示す）で表される有機酸または無機酸と反応させて、下
   記一般式（５） 【化６】 （式中、Ｒ₁ 、Ｒ₂ 、Ｒ₃ 、Ｘ、ＹおよびＡは前記と同
   じものを示す）で表されるカルボキシル基を有するホス
   ホニウム塩を製造する第二工程と、 生成したカルボキシル基を有するホスホニウム塩を下記
   一般式（６） 【化７】 （式中、Ｄは 【化８】 を示し、Ｙは前記と同じものを示す）で表されるアクリ
   レート化合物と反応させる第三工程からなることを特徴
   とする、下記一般式（１）で表される不飽和ホスホニウ
   ム塩の製造方法。 【化９】 （式中、Ｒ₁ 、Ｒ₂ 、Ｒ₃ 、Ｂ、Ｘ、ＹおよびＡは前記
   と同じものを示す）