JPH1022442A - Ｌｏｃ用リードフレーム - Google Patents
Ｌｏｃ用リードフレームInfo
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- JPH1022442A JPH1022442A JP8176114A JP17611496A JPH1022442A JP H1022442 A JPH1022442 A JP H1022442A JP 8176114 A JP8176114 A JP 8176114A JP 17611496 A JP17611496 A JP 17611496A JP H1022442 A JPH1022442 A JP H1022442A
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- Japan
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- lead
- semiconductor chip
- lead frame
- loc
- adhesive
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＬＯＣ用リードフレームにあって、絶縁性接
着剤の塗布量のばらつきを低減し、半導体チップの固定
やワイヤボンディングが安定に行えるようにする。 【解決手段】 半導体チップの搭載領域におけるインナ
ーリード１１に対し、前記半導体チップを固定するため
の絶縁性接着材が貼着されるＬＯＣ用リードフレーム１
０を対象とする。このリードフレーム１０に対し、前記
半導体チップの搭載領域の外側で、かつ端部に位置する
インナーリード１１ａ，１１ｂに隣接させて塗布量調整
用リード１４を設ける。これにより、インナーリード１
１の各々にばらつきを生じることなく、均一に絶縁性接
着剤を塗布することができる。
着剤の塗布量のばらつきを低減し、半導体チップの固定
やワイヤボンディングが安定に行えるようにする。 【解決手段】 半導体チップの搭載領域におけるインナ
ーリード１１に対し、前記半導体チップを固定するため
の絶縁性接着材が貼着されるＬＯＣ用リードフレーム１
０を対象とする。このリードフレーム１０に対し、前記
半導体チップの搭載領域の外側で、かつ端部に位置する
インナーリード１１ａ，１１ｂに隣接させて塗布量調整
用リード１４を設ける。これにより、インナーリード１
１の各々にばらつきを生じることなく、均一に絶縁性接
着剤を塗布することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置に用い
られるリードフレーム、特に、ＬＯＣ構造でモールドパ
ッケージが施される半導体装置に用いられるＬＯＣ用リ
ードフレームに関するものである。
られるリードフレーム、特に、ＬＯＣ構造でモールドパ
ッケージが施される半導体装置に用いられるＬＯＣ用リ
ードフレームに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】高密度実装が可能なＬＯＣ（Lead On Ch
ip）構造等の半導体装置に用いられるリードフレームと
して、その片面または両面に熱可塑性や熱硬化性の接着
層の塗布された高耐熱絶縁フィルムを貼着し、この高耐
熱絶縁フィルムに半導体チップを加熱及び加圧して搭載
する方式のリードフレームがある。
ip）構造等の半導体装置に用いられるリードフレームと
して、その片面または両面に熱可塑性や熱硬化性の接着
層の塗布された高耐熱絶縁フィルムを貼着し、この高耐
熱絶縁フィルムに半導体チップを加熱及び加圧して搭載
する方式のリードフレームがある。
【０００３】この方式のリードフレームの場合、高耐熱
絶縁フィルムには、通常、ポリイミド系フィルムが用い
られている。そして、リードフレームへの貼り付け方法
としては、金型による打ち抜き貼り付け方法が採用され
ている。具体的には、リール状に巻かれたフィルムを金
型で所定の形に打ち抜き、これをリードフレームに加熱
及び加圧することにより貼付している。
絶縁フィルムには、通常、ポリイミド系フィルムが用い
られている。そして、リードフレームへの貼り付け方法
としては、金型による打ち抜き貼り付け方法が採用され
ている。具体的には、リール状に巻かれたフィルムを金
型で所定の形に打ち抜き、これをリードフレームに加熱
及び加圧することにより貼付している。
【０００４】しかし、この方法によると、フィルムを金
型で打ち抜き、この打ち抜きフィルムをリードフレーム
の所定位置に貼付しているため、テープの使用量が多く
なるのでコストアップを招くほか、フィルムの打ち抜き
カスが生じるので材料に無駄を生じる。また、ポリイミ
ドフィルムの吸湿によって、パッケージクラックを発生
する恐れもある。
型で打ち抜き、この打ち抜きフィルムをリードフレーム
の所定位置に貼付しているため、テープの使用量が多く
なるのでコストアップを招くほか、フィルムの打ち抜き
カスが生じるので材料に無駄を生じる。また、ポリイミ
ドフィルムの吸湿によって、パッケージクラックを発生
する恐れもある。
【０００５】このような不具合を解消するため、リード
フレーム上の半導体素子を搭載すべき部分に接着剤を塗
布し、この接着剤によって半導体素子とリードフレーム
を接合（接着）する方法が提案されている。接着剤を塗
布する方法として、一般には、Ｘ−Ｙロボットとディス
ペンサとを組み合わせた装置を使用し、リードフレーム
上の半導体素子を搭載すべき部分（例えば、インナーリ
ードの先端部）に接着剤が塗布される。特に、リードの
先端部に接着剤を塗布する場合、点塗布方式が用いられ
る。この方法は、必要量をリードフレーム上に塗布する
のみであるため、材料に余りが発生せず、かつ高価な金
型も必要としないので、製造コストを低減できるという
利点がある。
フレーム上の半導体素子を搭載すべき部分に接着剤を塗
布し、この接着剤によって半導体素子とリードフレーム
を接合（接着）する方法が提案されている。接着剤を塗
布する方法として、一般には、Ｘ−Ｙロボットとディス
ペンサとを組み合わせた装置を使用し、リードフレーム
上の半導体素子を搭載すべき部分（例えば、インナーリ
ードの先端部）に接着剤が塗布される。特に、リードの
先端部に接着剤を塗布する場合、点塗布方式が用いられ
る。この方法は、必要量をリードフレーム上に塗布する
のみであるため、材料に余りが発生せず、かつ高価な金
型も必要としないので、製造コストを低減できるという
利点がある。
【０００６】ワニス状の接着剤（例えば、接着性の樹脂
を溶媒で溶いたもの）の塗布は、リードフレーム上に細
管状のニードル（又はノズル）を移動させながら接着剤
をニードルからリードフレームの所定部分に空気圧によ
って吐出することにより行われる。図２は絶縁性接着剤
を塗布した従来のリードフレームを示す平面図である。
リードフレーム１は半導体チップの搭載部に集中し、且
つ両方向から対向するように配設されたインナーリード
２、このインナーリード２の夫々に接続され且つ平行す
るように設けられたアウターリード３、このアウターリ
ード３の樹脂封止後に露出する部分にリード間を連結す
るように設けられたタイバー４、タイバー４を支持する
ようにして両側に設けられる枠部５を備えている。
を溶媒で溶いたもの）の塗布は、リードフレーム上に細
管状のニードル（又はノズル）を移動させながら接着剤
をニードルからリードフレームの所定部分に空気圧によ
って吐出することにより行われる。図２は絶縁性接着剤
を塗布した従来のリードフレームを示す平面図である。
リードフレーム１は半導体チップの搭載部に集中し、且
つ両方向から対向するように配設されたインナーリード
２、このインナーリード２の夫々に接続され且つ平行す
るように設けられたアウターリード３、このアウターリ
ード３の樹脂封止後に露出する部分にリード間を連結す
るように設けられたタイバー４、タイバー４を支持する
ようにして両側に設けられる枠部５を備えている。
【０００７】このような構造のリードフレームにおい
て、インナーリード２の先端部には、絶縁性接着剤６が
上記した方法により塗布される。半導体チップ（不図
示）は、図２の点線で示すチップ外形ライン７の内側に
搭載される。半導体チップは搭載時にリード上の絶縁性
接着剤６に加熱及び加圧を施して接着される。
て、インナーリード２の先端部には、絶縁性接着剤６が
上記した方法により塗布される。半導体チップ（不図
示）は、図２の点線で示すチップ外形ライン７の内側に
搭載される。半導体チップは搭載時にリード上の絶縁性
接着剤６に加熱及び加圧を施して接着される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の接着剤
塗布手段を用いたリードフレームによると、容器にワニ
ス状の接着剤を収納し、これに対して空気圧により吐出
を行っているが、加圧開始からニードルの吐出開始まで
にタイムラグがあり、これが容器内の接着剤の変化とし
て現れる。また、空気圧の印加を中止しても容器内の残
圧等の影響により直ちに停止にはならない。このため、
塗布開始時及び塗布終了時の塗布量が不安定になる。塗
布量のばらつきが大きいと半導体チップの固定やワイヤ
ボンディングに支障を及ぼすことになる。
塗布手段を用いたリードフレームによると、容器にワニ
ス状の接着剤を収納し、これに対して空気圧により吐出
を行っているが、加圧開始からニードルの吐出開始まで
にタイムラグがあり、これが容器内の接着剤の変化とし
て現れる。また、空気圧の印加を中止しても容器内の残
圧等の影響により直ちに停止にはならない。このため、
塗布開始時及び塗布終了時の塗布量が不安定になる。塗
布量のばらつきが大きいと半導体チップの固定やワイヤ
ボンディングに支障を及ぼすことになる。
【０００９】そこで本発明は、絶縁性接着剤の塗布量の
ばらつきを低減し、半導体チップの固定やワイヤボンデ
ィングが安定に行えるようにするＬＯＣ用リードフレー
ムを提供することを目的としている。
ばらつきを低減し、半導体チップの固定やワイヤボンデ
ィングが安定に行えるようにするＬＯＣ用リードフレー
ムを提供することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は、インナーリードの半導体チップの搭載
領域に前記半導体チップを固定するための絶縁性接着材
が塗布されるＬＯＣ用リードフレームにおいて、前記半
導体チップの搭載領域内の最外端に位置するインナーリ
ードに隣接して前記半導体チップの搭載領域外に塗布量
調整用リードを設けた構成にしている。
めに、本発明は、インナーリードの半導体チップの搭載
領域に前記半導体チップを固定するための絶縁性接着材
が塗布されるＬＯＣ用リードフレームにおいて、前記半
導体チップの搭載領域内の最外端に位置するインナーリ
ードに隣接して前記半導体チップの搭載領域外に塗布量
調整用リードを設けた構成にしている。
【００１１】この構成によれば、ワニス状の絶縁性接着
材の塗布開始時には半導体チップの搭載領域の外側に配
設された塗布量調整用リードに対して塗布が行われ、収
納容器内の圧力変動が安定した後にインナーリードに対
する吐出が行われる。同様に、吐出終了時には最後のイ
ンナーリードに隣接配置した塗布量調整用リードに対し
て吐出を行い、最後のインナーリードの塗布に影響を与
えないようにしている。この結果、インナーリードの各
々には、塗布量にばらつきを生じることなく、接着剤を
塗布することができる。したがって、半導体チップの固
定やワイヤボンディングが安定に行えるようになる。
材の塗布開始時には半導体チップの搭載領域の外側に配
設された塗布量調整用リードに対して塗布が行われ、収
納容器内の圧力変動が安定した後にインナーリードに対
する吐出が行われる。同様に、吐出終了時には最後のイ
ンナーリードに隣接配置した塗布量調整用リードに対し
て吐出を行い、最後のインナーリードの塗布に影響を与
えないようにしている。この結果、インナーリードの各
々には、塗布量にばらつきを生じることなく、接着剤を
塗布することができる。したがって、半導体チップの固
定やワイヤボンディングが安定に行えるようになる。
【００１２】また、前記塗布量調整用リードは、前記半
導体チップの搭載領域内のインナーリードに結合した構
成にすることができる。この構成によれば、両サイドの
インナーリードに枝別れさせた状態で塗布量調整用リー
ドを設けることができ、製造工程及びコストを従来構成
と同等に抑えることができる。
導体チップの搭載領域内のインナーリードに結合した構
成にすることができる。この構成によれば、両サイドの
インナーリードに枝別れさせた状態で塗布量調整用リー
ドを設けることができ、製造工程及びコストを従来構成
と同等に抑えることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を基に説明する。図１は本発明によるＬＯＣ用リ
ードフレームを示す平面図である。リードフレーム１０
は、インナーリード１１及びアウターリード１２を主体
に構成されている。インナーリード１１は、半導体チッ
プ（不図示）の搭載領域であるチップ外形ライン１３内
に先端部が配設されるように加工され、かつ両方向から
対向するように配設されている。このインナーリード群
の両サイド（図１では上端及び下端）のチップ外形ライ
ン１３の近傍には、塗布量調整用リード１４が設けら
れ、夫々隣接のインナーリード１１にアウターリード１
２との境界付近で結合されている。
て図面を基に説明する。図１は本発明によるＬＯＣ用リ
ードフレームを示す平面図である。リードフレーム１０
は、インナーリード１１及びアウターリード１２を主体
に構成されている。インナーリード１１は、半導体チッ
プ（不図示）の搭載領域であるチップ外形ライン１３内
に先端部が配設されるように加工され、かつ両方向から
対向するように配設されている。このインナーリード群
の両サイド（図１では上端及び下端）のチップ外形ライ
ン１３の近傍には、塗布量調整用リード１４が設けら
れ、夫々隣接のインナーリード１１にアウターリード１
２との境界付近で結合されている。
【００１４】また、アウターリード１２はインナーリー
ド１１の夫々（リードによっては２本のインナーリード
１１が並列接続されている）に接続され、かつ平行する
ように形成されている。このアウターリード１２には、
樹脂封止後に露出する部分に対して、リード間を連結す
るようにタイバー１５が設けられている。更に、このタ
イバー１５を支持するようにして、両側には幅広の枠部
１６が設けられている。
ド１１の夫々（リードによっては２本のインナーリード
１１が並列接続されている）に接続され、かつ平行する
ように形成されている。このアウターリード１２には、
樹脂封止後に露出する部分に対して、リード間を連結す
るようにタイバー１５が設けられている。更に、このタ
イバー１５を支持するようにして、両側には幅広の枠部
１６が設けられている。
【００１５】このような構造のリードフレーム１０に対
し、インナーリード１１の先端部に絶縁性接着剤１７が
塗布され、塗布量調整用リード１４の先端部には絶縁性
接着剤１８が塗布される。絶縁性接着剤１７，１８に
は、例えば、ガラス転移温度が２２０℃の熱可塑性の接
着剤を溶媒でワニス状に溶かしたものを用いる。これを
塗布するには、ディスペンサが用いられる。即ち、外部
からエアーを供給可能な容器にワニス状に溶かした絶縁
性接着剤を収納し、この容器内の接着剤をニードルに導
いてリード上に吐出する。
し、インナーリード１１の先端部に絶縁性接着剤１７が
塗布され、塗布量調整用リード１４の先端部には絶縁性
接着剤１８が塗布される。絶縁性接着剤１７，１８に
は、例えば、ガラス転移温度が２２０℃の熱可塑性の接
着剤を溶媒でワニス状に溶かしたものを用いる。これを
塗布するには、ディスペンサが用いられる。即ち、外部
からエアーを供給可能な容器にワニス状に溶かした絶縁
性接着剤を収納し、この容器内の接着剤をニードルに導
いてリード上に吐出する。
【００１６】ところで、上記したように、塗布開始時及
び塗布終了時の塗布量は不安定になる。塗布量のばらつ
きが大きいと半導体チップの固定やワイヤボンディング
に支障を及ぼすことになる。そこで、本発明では塗布開
始時及び塗布終了時の塗布を塗布量調整用リード１４に
対して行うようにしている。塗布量調整用リード１４は
チップ外形ライン１３の外側にあるため、塗布量調整用
リード１４に塗布された絶縁性接着剤１８は半導体チッ
プの固定には用いられない。したがって、塗布量調整用
リード１４の塗布量にばらつきがあっても問題は生じな
い。
び塗布終了時の塗布量は不安定になる。塗布量のばらつ
きが大きいと半導体チップの固定やワイヤボンディング
に支障を及ぼすことになる。そこで、本発明では塗布開
始時及び塗布終了時の塗布を塗布量調整用リード１４に
対して行うようにしている。塗布量調整用リード１４は
チップ外形ライン１３の外側にあるため、塗布量調整用
リード１４に塗布された絶縁性接着剤１８は半導体チッ
プの固定には用いられない。したがって、塗布量調整用
リード１４の塗布量にばらつきがあっても問題は生じな
い。
【００１７】ニードルが塗布量調整用リード１４から隣
接のインナーリード１１に移る時点では、容器に送る空
気圧は安定状態になっており、以後、インナーリード１
１の塗布は安定に行われ、均一な塗布厚を得ることがで
きる。インナーリード１１の端まで塗布が終了して、下
端の塗布量調整用リード１４にニードルが移動すると、
容器への空気供給が停止し、容器内に変動が生じるが、
上記したようにチップ外形ライン１３の領域外であるの
で半導体チップの搭載に際して影響が出ることはない。
接のインナーリード１１に移る時点では、容器に送る空
気圧は安定状態になっており、以後、インナーリード１
１の塗布は安定に行われ、均一な塗布厚を得ることがで
きる。インナーリード１１の端まで塗布が終了して、下
端の塗布量調整用リード１４にニードルが移動すると、
容器への空気供給が停止し、容器内に変動が生じるが、
上記したようにチップ外形ライン１３の領域外であるの
で半導体チップの搭載に際して影響が出ることはない。
【００１８】以上説明したように、本発明によれば、半
導体チップの搭載領域におけるインナーリードの各々に
対する絶縁性接着剤の塗布量をばらつき無く均一にする
ことができ、半導体チップの固定及びワイヤボンディン
グが安定に行えるようになり、半導体装置の信頼性を向
上させることが可能になる。また、このような特性のリ
ードフレームを低価格に製造することができる。
導体チップの搭載領域におけるインナーリードの各々に
対する絶縁性接着剤の塗布量をばらつき無く均一にする
ことができ、半導体チップの固定及びワイヤボンディン
グが安定に行えるようになり、半導体装置の信頼性を向
上させることが可能になる。また、このような特性のリ
ードフレームを低価格に製造することができる。
【００１９】
【発明の効果】以上より明らかな如く、本発明によれ
ば、半導体チップの搭載領域の外側で、かつ端部に位置
するインナーリードに隣接させて塗布量調整用リードを
設けたので、この塗布量調整用リードに対してワニス状
の絶縁性接着材の塗布開始時及び塗布終了時の塗布を行
えば、インナーリードに対する吐出は収納容器内の圧力
変動が安定した後に行われるので、チップ搭載部のイン
ナーリードには、ばらつきの無い絶縁性接着剤の塗布が
可能になる。この結果、半導体チップの固定やワイヤボ
ンディングが安定に行えるようになる。
ば、半導体チップの搭載領域の外側で、かつ端部に位置
するインナーリードに隣接させて塗布量調整用リードを
設けたので、この塗布量調整用リードに対してワニス状
の絶縁性接着材の塗布開始時及び塗布終了時の塗布を行
えば、インナーリードに対する吐出は収納容器内の圧力
変動が安定した後に行われるので、チップ搭載部のイン
ナーリードには、ばらつきの無い絶縁性接着剤の塗布が
可能になる。この結果、半導体チップの固定やワイヤボ
ンディングが安定に行えるようになる。
【図１】本発明によるＬＯＣ用リードフレームを示す平
面図である。
面図である。
【図２】絶縁性接着剤を塗布した従来のリードフレーム
を示す平面図である。
を示す平面図である。
１０ リードフレーム １１ インナーリード １１ａ，１１ｂ 端部に位置するインナーリード １２ アウターリード １３ チップ外形ライン １４ 塗布量調整用リード １７，１８ 絶縁性接着剤
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 米本 隆治 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電線 株式会社システムマテリアル研究所内 (72)発明者 吉岡 修 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電線 株式会社システムマテリアル研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】インナーリードの半導体チップの搭載領域
に前記半導体チップを固定するための絶縁性接着材が塗
布されるＬＯＣ用リードフレームにおいて、 前記半導体チップの搭載領域内の最外端に位置するイン
ナーリードに隣接して前記半導体チップの搭載領域外に
塗布量調整用リードを設けたことを特徴とするＬＯＣ用
リードフレーム。 - 【請求項２】前記塗布量調整用リードは、前記半導体チ
ップの搭載領域内のインナーリードに結合されることを
特徴とする請求項１記載のＬＯＣ用リードフレーム。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8176114A JPH1022442A (ja) | 1996-07-05 | 1996-07-05 | Ｌｏｃ用リードフレーム |
| TW086109256A TW353227B (en) | 1996-07-05 | 1997-07-01 | Lead frame for LOC |
| KR1019970030676A KR100432348B1 (ko) | 1996-07-05 | 1997-07-02 | 리드온칩(loc)용리드프레임 |
| US08/888,121 US6040620A (en) | 1996-07-05 | 1997-07-03 | Lead frame for LOC having a regulating lead to prevent variation in adhesive coverage |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8176114A JPH1022442A (ja) | 1996-07-05 | 1996-07-05 | Ｌｏｃ用リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1022442A true JPH1022442A (ja) | 1998-01-23 |
Family
ID=16007935
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8176114A Pending JPH1022442A (ja) | 1996-07-05 | 1996-07-05 | Ｌｏｃ用リードフレーム |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1022442A (ja) |
| KR (1) | KR100432348B1 (ja) |
| TW (1) | TW353227B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6259152B1 (en) | 1998-05-01 | 2001-07-10 | Nec Corporation | Hybrid leadframe having conductive leads less deformable and semiconductor device using the same |
-
1996
- 1996-07-05 JP JP8176114A patent/JPH1022442A/ja active Pending
-
1997
- 1997-07-01 TW TW086109256A patent/TW353227B/zh active
- 1997-07-02 KR KR1019970030676A patent/KR100432348B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6259152B1 (en) | 1998-05-01 | 2001-07-10 | Nec Corporation | Hybrid leadframe having conductive leads less deformable and semiconductor device using the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR980012374A (ko) | 1998-04-30 |
| KR100432348B1 (ko) | 2004-10-26 |
| TW353227B (en) | 1999-02-21 |
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