JPH10223977A - 半導体レ−ザ素子の端面保護膜形成治具 - Google Patents
半導体レ−ザ素子の端面保護膜形成治具Info
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- JPH10223977A JPH10223977A JP3311697A JP3311697A JPH10223977A JP H10223977 A JPH10223977 A JP H10223977A JP 3311697 A JP3311697 A JP 3311697A JP 3311697 A JP3311697 A JP 3311697A JP H10223977 A JPH10223977 A JP H10223977A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 発光領域に損傷を与えることなく、半導体レ
−ザバ−上に端面保護膜を形成するための端面保護膜形
成治具を提供することを目的とする。 【解決手段】 矩形状の基板２上面２ａの一方の側面２
ｂより他方の側面２ｃに向かって所定の溝深さで形成さ
れた第１の溝３Ａ、３Ｂ、３Ｃと、前記第１の溝３Ａ、
３Ｂ、３Ｃに連接しており、かつ、前記第１の溝３Ａ、
３Ｂ、３Ｃより深い溝深さで形成された第２の溝５とを
設けた。
−ザバ−上に端面保護膜を形成するための端面保護膜形
成治具を提供することを目的とする。 【解決手段】 矩形状の基板２上面２ａの一方の側面２
ｂより他方の側面２ｃに向かって所定の溝深さで形成さ
れた第１の溝３Ａ、３Ｂ、３Ｃと、前記第１の溝３Ａ、
３Ｂ、３Ｃに連接しており、かつ、前記第１の溝３Ａ、
３Ｂ、３Ｃより深い溝深さで形成された第２の溝５とを
設けた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体レ−ザ素子の
光出射端面に端面保護膜を形成するための治具に関す
る。
光出射端面に端面保護膜を形成するための治具に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体レ−ザ素子の端面保護膜の形成
は、半導体レ−ザ素子の光学特性を左右する重要な技術
の一つである。通常、半導体レ−ザ素子の端面保護膜
は、誘電体材料（ＳｉＯ2 、ＳｉＯ、ＴｉＯ2 など）の
スパッタリング、蒸着などの方法で形成される。
は、半導体レ−ザ素子の光学特性を左右する重要な技術
の一つである。通常、半導体レ−ザ素子の端面保護膜
は、誘電体材料（ＳｉＯ2 、ＳｉＯ、ＴｉＯ2 など）の
スパッタリング、蒸着などの方法で形成される。
【０００３】図７（ａ）は、従来の半導体レ−ザ素子の
端面保護膜形成治具１９の斜視図であり、（ｂ）は、Ｂ
Ｂ方向から見た断面図、（ｃ）は、（ａ）の上面から見
た半導体レ−ザバ−の平面図である。平板２０上には、
Ｌ字型の支持板２１とＩ字型の支持板２２とがあり、Ｉ
字型の支持板２２はＬ字型支持板２１の一辺２１ａに接
し、コの字型になるように配置されている。Ｌ字型の支
持板２１とＩ字型の支持板２２で囲まれたコの字型領域
内には、図７（ｂ）に示すようなスペ−サ２７とスペ−
サ２８で挟まれた半導体レ−ザバ−２３がスペ−サ２７
とＬ字型の支持板２１の一辺２１ａとが接して載置され
ている。半導体レ−ザバ−２３は一方の端面２３の側を
上に向けて整列して配置されている。半導体レ−ザバ−
２３の長手方向には、切り出される前の発光領域２４を
有した半導体レ−ザ素子２５が等間隔ピッチで形成さ
れ、発光領域２４は、一方の端面２３ａ側から他方の端
面２３ｂ側方向に形成されている。Ｉ字型の支持板２２
は、底部にストライプ状の突起を持ち、これが平板２０
に設けられた案内溝２６にはめ込まれているので、前後
に平行移動でき、調整ビス３１で固定することができ
る。
端面保護膜形成治具１９の斜視図であり、（ｂ）は、Ｂ
Ｂ方向から見た断面図、（ｃ）は、（ａ）の上面から見
た半導体レ−ザバ−の平面図である。平板２０上には、
Ｌ字型の支持板２１とＩ字型の支持板２２とがあり、Ｉ
字型の支持板２２はＬ字型支持板２１の一辺２１ａに接
し、コの字型になるように配置されている。Ｌ字型の支
持板２１とＩ字型の支持板２２で囲まれたコの字型領域
内には、図７（ｂ）に示すようなスペ−サ２７とスペ−
サ２８で挟まれた半導体レ−ザバ−２３がスペ−サ２７
とＬ字型の支持板２１の一辺２１ａとが接して載置され
ている。半導体レ−ザバ−２３は一方の端面２３の側を
上に向けて整列して配置されている。半導体レ−ザバ−
２３の長手方向には、切り出される前の発光領域２４を
有した半導体レ−ザ素子２５が等間隔ピッチで形成さ
れ、発光領域２４は、一方の端面２３ａ側から他方の端
面２３ｂ側方向に形成されている。Ｉ字型の支持板２２
は、底部にストライプ状の突起を持ち、これが平板２０
に設けられた案内溝２６にはめ込まれているので、前後
に平行移動でき、調整ビス３１で固定することができ
る。
【０００４】複数個の半導体レ−ザバ−２３と反対側の
スペ−サ２８の端には、加圧ブロック２８、スプリング
３０及び調整ビス３１が順次配置されている。調整ビス
３１から加えられる力をスプリング３０により適度な圧
力にして、加圧ブロック２９に加えて、複数個の半導体
レ−ザバ−２３同志の密着性を高めている。
スペ−サ２８の端には、加圧ブロック２８、スプリング
３０及び調整ビス３１が順次配置されている。調整ビス
３１から加えられる力をスプリング３０により適度な圧
力にして、加圧ブロック２９に加えて、複数個の半導体
レ−ザバ−２３同志の密着性を高めている。
【０００５】こうして、図示しないスパッタ等の真空装
置内により、端面保護膜形成治具１９を導入し、上方か
ら下方に向かって端面保護材料を半導体レ−ザバ−２３
の一方の端面２３ａ側に端面保護膜を形成する。次に、
他方の端面２３ｂ側を上に向けて、同様にして、他方の
端面２３ｂ側に端面保護膜を形成する。
置内により、端面保護膜形成治具１９を導入し、上方か
ら下方に向かって端面保護材料を半導体レ−ザバ−２３
の一方の端面２３ａ側に端面保護膜を形成する。次に、
他方の端面２３ｂ側を上に向けて、同様にして、他方の
端面２３ｂ側に端面保護膜を形成する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、スプリ
ング３０により適度の圧力を加え、半導体レ−ザバ−２
３を整列させる際、平板２０に接したまま半導体レ−ザ
バ−２３が移動するので、平板２０上に突起物、ゴミや
傷等があった場合には、平板２０に面した複数個の半導
体レ−ザバ−２３の面２３ａあるいは、２３ｂを傷つけ
たり、破損したりする恐れがある。半導体レ−ザバ−２
３に形成されている発光領域２４が傷ついたり、破損し
たりすると、レ−ザ発振しなかったり、しきい値電流が
高くなったりし、半導体レ−ザ素子２５の信頼性を著し
く損なわれる。そこで、本発明は、上記のような問題点
を解消するためになされたもので、半導体レ−ザバ−上
に形成された発光領域に損傷を与えることなく、端面保
護膜を形成する半導体レ−ザ素子の端面保護膜形成治具
を提供することを目的とする。
ング３０により適度の圧力を加え、半導体レ−ザバ−２
３を整列させる際、平板２０に接したまま半導体レ−ザ
バ−２３が移動するので、平板２０上に突起物、ゴミや
傷等があった場合には、平板２０に面した複数個の半導
体レ−ザバ−２３の面２３ａあるいは、２３ｂを傷つけ
たり、破損したりする恐れがある。半導体レ−ザバ−２
３に形成されている発光領域２４が傷ついたり、破損し
たりすると、レ−ザ発振しなかったり、しきい値電流が
高くなったりし、半導体レ−ザ素子２５の信頼性を著し
く損なわれる。そこで、本発明は、上記のような問題点
を解消するためになされたもので、半導体レ−ザバ−上
に形成された発光領域に損傷を与えることなく、端面保
護膜を形成する半導体レ−ザ素子の端面保護膜形成治具
を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レ−ザ素
子の端面保護膜形成治具によれば、矩形状の基板上面の
一方の側面より他方の側面に向かって所定の溝深さで形
成された第１の溝と、前記第１の溝に連接しており、か
つ、前記第１の溝より深い溝深さで形成された第２の溝
とを有したことを特徴とする。
子の端面保護膜形成治具によれば、矩形状の基板上面の
一方の側面より他方の側面に向かって所定の溝深さで形
成された第１の溝と、前記第１の溝に連接しており、か
つ、前記第１の溝より深い溝深さで形成された第２の溝
とを有したことを特徴とする。
【０００８】第２の発明として、請求項１記載の半導体
レ−ザ素子の端面保護膜形成治具において、前記第１の
溝を互いに平行になるように複数個設けたことを特徴と
する。
レ−ザ素子の端面保護膜形成治具において、前記第１の
溝を互いに平行になるように複数個設けたことを特徴と
する。
【０００９】第３の発明として、請求項１及び請求項２
記載の半導体レ−ザ素子の端面保護膜形成治具におい
て、前記第１の溝に複数個の貫通穴を設けたことを特徴
とする。
記載の半導体レ−ザ素子の端面保護膜形成治具におい
て、前記第１の溝に複数個の貫通穴を設けたことを特徴
とする。
【００１０】本発明によれば、半導体レ−ザバ−を第１
の溝中に収納して端面保護膜を形成する場合には、第２
の溝上に半導体レ−ザバ−の発光領域が位置するように
できる。このため、発光領域は接する部分がなくなるの
で、傷がついたり、破損したりすることがなくなる。
の溝中に収納して端面保護膜を形成する場合には、第２
の溝上に半導体レ−ザバ−の発光領域が位置するように
できる。このため、発光領域は接する部分がなくなるの
で、傷がついたり、破損したりすることがなくなる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下本発明を実施例に基づき図面
を参照しながら説明する。図１（ａ）は、本発明の半導
体レ−ザ素子の端面保護膜形成治具１の斜視図で、
（ｂ）は、図１（ａ）の上から見た平面図、（ｃ）は、
図１の横方向から見た側面図、（ｄ）は、図１（ｂ）の
ＡＡ断面図である。図２は、半導体レ−ザバ−の斜視図
である。図３乃至図６は、本発明の半導体レ−ザ素子の
端面保護膜形成治具１により半導体レ−ザ素子の端面保
護膜を形成する製造工程図である。
を参照しながら説明する。図１（ａ）は、本発明の半導
体レ−ザ素子の端面保護膜形成治具１の斜視図で、
（ｂ）は、図１（ａ）の上から見た平面図、（ｃ）は、
図１の横方向から見た側面図、（ｄ）は、図１（ｂ）の
ＡＡ断面図である。図２は、半導体レ−ザバ−の斜視図
である。図３乃至図６は、本発明の半導体レ−ザ素子の
端面保護膜形成治具１により半導体レ−ザ素子の端面保
護膜を形成する製造工程図である。
【００１２】矩形状の基板２の上面２ａの一方の側面２
ｂより他方の側面２ｃに向かって深さｈ1 の溝３Ａ、３
Ｂ及び３Ｃが互いに平行に形成されている。溝３Ａ、３
Ｂ及び３Ｃはその一端３ａ1 、３ｂ1 、３ｃ1 が、側面
２ｂにそれぞれに対応した開口部４Ａ、４Ｂ、４Ｃを有
し、他端３ａ3 、３ｂ3 、３ｃ3 が基板２の内部に形成
された形状をしている。ここで、溝３Ａ、３Ｂ及び３Ｃ
の形状は同一であるので、溝３Ａについて詳細に説明
し、溝３Ｂ及び３Ｃについては、同様であるので、説明
を省略する。溝３Ａは、基板２内にある他端３ａ3 から
くびれ部３ａ2 までは一定幅ｄ2 を有し、くびれ部３ａ
2 から基板２の側面２ｂ方向に向かってテ−パ状に広が
り、一端３ａ1 では、幅ｄ1 の開口部４Ａを有してい
る。溝５は、溝３Ａ中に形成され、溝５の一方の側壁
は、溝３Ａの側壁６と同一であり、他方の側壁８は、溝
３Ａの他端３ａ3 に垂直に形成されている。くびれ部３
ａ2 から他端３ａ3 間の溝５の幅は、ｄ3 である。ま
た、溝３Ａの底面３ａ4 には、基板２の底面２ｄ側に向
かって、貫通穴９、１０が所定の間隔を持って形成され
ている。
ｂより他方の側面２ｃに向かって深さｈ1 の溝３Ａ、３
Ｂ及び３Ｃが互いに平行に形成されている。溝３Ａ、３
Ｂ及び３Ｃはその一端３ａ1 、３ｂ1 、３ｃ1 が、側面
２ｂにそれぞれに対応した開口部４Ａ、４Ｂ、４Ｃを有
し、他端３ａ3 、３ｂ3 、３ｃ3 が基板２の内部に形成
された形状をしている。ここで、溝３Ａ、３Ｂ及び３Ｃ
の形状は同一であるので、溝３Ａについて詳細に説明
し、溝３Ｂ及び３Ｃについては、同様であるので、説明
を省略する。溝３Ａは、基板２内にある他端３ａ3 から
くびれ部３ａ2 までは一定幅ｄ2 を有し、くびれ部３ａ
2 から基板２の側面２ｂ方向に向かってテ−パ状に広が
り、一端３ａ1 では、幅ｄ1 の開口部４Ａを有してい
る。溝５は、溝３Ａ中に形成され、溝５の一方の側壁
は、溝３Ａの側壁６と同一であり、他方の側壁８は、溝
３Ａの他端３ａ3 に垂直に形成されている。くびれ部３
ａ2 から他端３ａ3 間の溝５の幅は、ｄ3 である。ま
た、溝３Ａの底面３ａ4 には、基板２の底面２ｄ側に向
かって、貫通穴９、１０が所定の間隔を持って形成され
ている。
【００１３】ところで、幅ｄ4 を有した半導体レ−ザバ
−１１の長手方向には、図２に示すように、半導体基板
１２の両側に電極１３、１４が形成され、発光領域１５
を有した半導体レ−ザ１６が等間隔ピッチで形成されて
いる。発光領域１５は電極１３から距離ｄ5 （通常、１
０μｍ以内）の位置に形成され、一方の端面１１ａ側か
ら他方の端面１１ｂ側方向に形成されている。
−１１の長手方向には、図２に示すように、半導体基板
１２の両側に電極１３、１４が形成され、発光領域１５
を有した半導体レ−ザ１６が等間隔ピッチで形成されて
いる。発光領域１５は電極１３から距離ｄ5 （通常、１
０μｍ以内）の位置に形成され、一方の端面１１ａ側か
ら他方の端面１１ｂ側方向に形成されている。
【００１４】開口部４Ａの幅ｄ1 は、半導体レ−ザバ−
１１の幅ｄ4 よりも十分広く、半導体レ−ザバ−１１の
溝３Ａへの収納を容易にしている。溝３Ａの幅ｄ2 は、
半導体レ−ザバ−１１の幅ｄ4 よりも数十μｍ（１０〜
２０μｍ）広く、溝３Ａの深さｈ1 は、半導体レ−ザバ
−１１の高さｈ2 よりも数十μｍ（１０〜２０μｍ）低
くしてあり、半導体レ−ザバ−１１の両端面１１ａ、１
１ｂ上に端面保護膜を形成時に、電極面１３、１４上へ
の端面保護材料の付着を極力少なく抑えるようにしてあ
る。また、半導体レ−ザバ−１１の幅ｄ4 には、加工状
のバラツキを生じるが、その幅ｄ4 にバラツキがあった
場合でも半導体レ−ザバ−１１を挿入できるように溝３
Ａの幅ｄ2 は広めに設計されている。溝５は、その幅ｄ
3 が半導体レ−ザバ−１１の電極１３から発光領域１５
までの距離ｄ5 よりも広く、その深さがｈ0であり、溝
５上に発光領域１５が位置するように半導体レ−ザバ−
１１を溝３Ａへ収納した場合、溝３Ａの底面３ａ4 に接
触しないような形状をしている。こうすることによっ
て、半導体レ−ザバ−１１に形成されている発光領域１
５は溝５上に位置するため接する部分がないので、傷を
生じたり、破損したりすることを防止することができ
る。
１１の幅ｄ4 よりも十分広く、半導体レ−ザバ−１１の
溝３Ａへの収納を容易にしている。溝３Ａの幅ｄ2 は、
半導体レ−ザバ−１１の幅ｄ4 よりも数十μｍ（１０〜
２０μｍ）広く、溝３Ａの深さｈ1 は、半導体レ−ザバ
−１１の高さｈ2 よりも数十μｍ（１０〜２０μｍ）低
くしてあり、半導体レ−ザバ−１１の両端面１１ａ、１
１ｂ上に端面保護膜を形成時に、電極面１３、１４上へ
の端面保護材料の付着を極力少なく抑えるようにしてあ
る。また、半導体レ−ザバ−１１の幅ｄ4 には、加工状
のバラツキを生じるが、その幅ｄ4 にバラツキがあった
場合でも半導体レ−ザバ−１１を挿入できるように溝３
Ａの幅ｄ2 は広めに設計されている。溝５は、その幅ｄ
3 が半導体レ−ザバ−１１の電極１３から発光領域１５
までの距離ｄ5 よりも広く、その深さがｈ0であり、溝
５上に発光領域１５が位置するように半導体レ−ザバ−
１１を溝３Ａへ収納した場合、溝３Ａの底面３ａ4 に接
触しないような形状をしている。こうすることによっ
て、半導体レ−ザバ−１１に形成されている発光領域１
５は溝５上に位置するため接する部分がないので、傷を
生じたり、破損したりすることを防止することができ
る。
【００１５】次に、この半導体レ−ザ素子の端面保護膜
形成治具１により端面保護膜を形成する方法について、
図３乃至図６を参照して説明する。 （第１工程）半導体レ−ザバ−１１の電極１３側を端面
保護膜形成治具１の溝５側に向けて溝３Ａ、３Ｂ及び３
Ｃのくびれ部３ａ2 まで挿入する（図３）。こうするこ
とによって、半導体レ−ザバ−１１に形成されている発
光領域１５が溝５上に位置するようになるため発光領域
１５に傷や破損することがなく、挿入可能となる。
形成治具１により端面保護膜を形成する方法について、
図３乃至図６を参照して説明する。 （第１工程）半導体レ−ザバ−１１の電極１３側を端面
保護膜形成治具１の溝５側に向けて溝３Ａ、３Ｂ及び３
Ｃのくびれ部３ａ2 まで挿入する（図３）。こうするこ
とによって、半導体レ−ザバ−１１に形成されている発
光領域１５が溝５上に位置するようになるため発光領域
１５に傷や破損することがなく、挿入可能となる。
【００１６】次に、半導体レ−ザバ−１１を収納した端
面保護膜形成治具１を図示しないスパッタ装置内へ配置
する。端面保護膜材料をスパッタし、半導体レ−ザバ−
１１の一端面に端面保護膜材料を付着させる。半導体レ
−ザバ−１１の幅ｄ4 と溝３Ａ、３Ｂ及び３Ｃの幅ｄ2
との間の隙間は数十μｍ（１０〜２０μｍ）であり、そ
の高さｈ2 は、溝３Ａ、３Ｂ及び３Ｃの高さｈ1 よりも
数十μｍ（１０〜２０μｍ）高く設定しているので、半
導体レ−ザバ−１１の電極１３、１４上への端面材料の
付着は最小限に抑えることができる。また、半導体レ−
ザバ−１１の幅ｄ4 に加工状のバラツキがある場合にお
いても、溝３Ａ、３Ｂ及び３Ｃの幅ｄ2 は、幅ｄ4 より
もやや広くしているので、半導体レ−ザバ−１１を挿入
することができる。
面保護膜形成治具１を図示しないスパッタ装置内へ配置
する。端面保護膜材料をスパッタし、半導体レ−ザバ−
１１の一端面に端面保護膜材料を付着させる。半導体レ
−ザバ−１１の幅ｄ4 と溝３Ａ、３Ｂ及び３Ｃの幅ｄ2
との間の隙間は数十μｍ（１０〜２０μｍ）であり、そ
の高さｈ2 は、溝３Ａ、３Ｂ及び３Ｃの高さｈ1 よりも
数十μｍ（１０〜２０μｍ）高く設定しているので、半
導体レ−ザバ−１１の電極１３、１４上への端面材料の
付着は最小限に抑えることができる。また、半導体レ−
ザバ−１１の幅ｄ4 に加工状のバラツキがある場合にお
いても、溝３Ａ、３Ｂ及び３Ｃの幅ｄ2 は、幅ｄ4 より
もやや広くしているので、半導体レ−ザバ−１１を挿入
することができる。
【００１７】（第２工程）一方、端面保護形成治具１´
は端面保護膜形成治具１に形成されている溝５を側壁７
側に形成したものであり、端面保護膜形成治具１と同様
の開口部４Ａ´を有した溝３Ａ´、開口部４Ｂ´を有し
た溝３Ｂ´及び開口部４Ｃ´を有した溝３Ｃ´が形成さ
れている。図示しないスパッタ装置内から端面保護膜形
成治具１を取り出した後、端面保護膜形成治具１上に端
面保護膜形成治具１´を端面保護膜形成治具１の溝３Ａ
が溝３Ａ´、溝３Ｂが溝３Ｂ´、溝３Ｃが溝３Ｃ´と向
き合う方向にして基板２の上面２ａに載置する（図
４）。この状態から開口部４が開口部４´に重なるよう
に、端面保護膜形成治具１´をＦ方向に移動して、端面
保護膜形成治具１´を端面保護膜形成治具１に重ねる
（図５）。
は端面保護膜形成治具１に形成されている溝５を側壁７
側に形成したものであり、端面保護膜形成治具１と同様
の開口部４Ａ´を有した溝３Ａ´、開口部４Ｂ´を有し
た溝３Ｂ´及び開口部４Ｃ´を有した溝３Ｃ´が形成さ
れている。図示しないスパッタ装置内から端面保護膜形
成治具１を取り出した後、端面保護膜形成治具１上に端
面保護膜形成治具１´を端面保護膜形成治具１の溝３Ａ
が溝３Ａ´、溝３Ｂが溝３Ｂ´、溝３Ｃが溝３Ｃ´と向
き合う方向にして基板２の上面２ａに載置する（図
４）。この状態から開口部４が開口部４´に重なるよう
に、端面保護膜形成治具１´をＦ方向に移動して、端面
保護膜形成治具１´を端面保護膜形成治具１に重ねる
（図５）。
【００１８】（第３工程）端面保護膜形成治具１に形成
されている貫通穴９、１０に突き棒１７、１８を差し込
み溝３Ａ、３Ｂ及び３Ｃに収納されている半導体レ−ザ
バ−１１を底面２ｄ側から突き上げ半導体レ−ザバ−１
１を端面保護膜形成治具１´の溝３Ａ´、３Ｂ´及び３
Ｃ´側に移動する。この状態から、端面保護膜形成治具
１と端面保護膜形成治具１´を逆さにし、端面保護膜形
成治具１が上、端面保護膜形成治具１´が下になるよう
にし、半導体レ−ザバ−１１を端面保護膜形成治具１´
側に移動する（図６）。
されている貫通穴９、１０に突き棒１７、１８を差し込
み溝３Ａ、３Ｂ及び３Ｃに収納されている半導体レ−ザ
バ−１１を底面２ｄ側から突き上げ半導体レ−ザバ−１
１を端面保護膜形成治具１´の溝３Ａ´、３Ｂ´及び３
Ｃ´側に移動する。この状態から、端面保護膜形成治具
１と端面保護膜形成治具１´を逆さにし、端面保護膜形
成治具１が上、端面保護膜形成治具１´が下になるよう
にし、半導体レ−ザバ−１１を端面保護膜形成治具１´
側に移動する（図６）。
【００１９】（第４工程）この後、端面保護膜形成治具
１を端面保護膜形成治具１´上から取り外し、半導体レ
−ザバ−１１が収納された端面保護膜形成治具１´を図
示しないスパッタ装置内に載置し、（第１工程）と同様
にして半導体レ−ザバ−１１の反対側端面に端面保護材
料を付着させる。こうして、半導体レ−ザバ−１１の両
端面１１ａ及び１１ｂ上に端面保護材料を形成する。
１を端面保護膜形成治具１´上から取り外し、半導体レ
−ザバ−１１が収納された端面保護膜形成治具１´を図
示しないスパッタ装置内に載置し、（第１工程）と同様
にして半導体レ−ザバ−１１の反対側端面に端面保護材
料を付着させる。こうして、半導体レ−ザバ−１１の両
端面１１ａ及び１１ｂ上に端面保護材料を形成する。
【００２０】このようにすると、半導体レ−ザバ−１１
の電極１３側を溝５側に位置するようにして半導体レ−
ザバ−１１を溝３Ａ、３Ｂ及び３Ｃ中に収納するため、
発光領域１５が接触する部分がないので、発光領域１５
に傷を生じたり、破損したりすることがなくなる。その
結果、半導体レ−ザバ−１１から切り出された半導体レ
−ザ素子１６は安定した出力が得られ、信頼性の高い素
子となる。また、半導体レ−ザバ−１１の高さｈ2 と溝
３Ａ、３Ｂ及び３Ｃの高さｈ1 の差が数十μｍであるの
で、電極１３及び１４面に端面保護材料が付着する領域
は、（ｈ2 −ｈ1 ）幅の半導体レ−ザバ−１１領域とな
り、半導体レ−ザバ−１１から切り出された半導体レ−
ザ素子１６の加工アッセンブリの際のボンデングパッド
面積を広く確保でき、安定したワイヤボンデングが可能
となる。なお、本発明では、端面保護膜形成治具１に３
個の溝３Ａ、３Ｂ及び３Ｃ及び２個の貫通穴１７、１８
が形成された例を示したが、更に複数個の溝及び貫通穴
が形成された場合も適応できることは言うまでもない。
の電極１３側を溝５側に位置するようにして半導体レ−
ザバ−１１を溝３Ａ、３Ｂ及び３Ｃ中に収納するため、
発光領域１５が接触する部分がないので、発光領域１５
に傷を生じたり、破損したりすることがなくなる。その
結果、半導体レ−ザバ−１１から切り出された半導体レ
−ザ素子１６は安定した出力が得られ、信頼性の高い素
子となる。また、半導体レ−ザバ−１１の高さｈ2 と溝
３Ａ、３Ｂ及び３Ｃの高さｈ1 の差が数十μｍであるの
で、電極１３及び１４面に端面保護材料が付着する領域
は、（ｈ2 −ｈ1 ）幅の半導体レ−ザバ−１１領域とな
り、半導体レ−ザバ−１１から切り出された半導体レ−
ザ素子１６の加工アッセンブリの際のボンデングパッド
面積を広く確保でき、安定したワイヤボンデングが可能
となる。なお、本発明では、端面保護膜形成治具１に３
個の溝３Ａ、３Ｂ及び３Ｃ及び２個の貫通穴１７、１８
が形成された例を示したが、更に複数個の溝及び貫通穴
が形成された場合も適応できることは言うまでもない。
【００２１】
【発明の効果】本発明による半導体レ−ザ素子の端面保
護膜形成治具によれば、半導体レ−ザバ−を第１の溝に
収納する際、第２の溝上に発光領域を位置させることが
できるので、発光領域が傷ついたり、破損したりするこ
とがない。そのため、半導体レ−ザバ−から切り出され
る半導体レ−ザ素子は高い信頼性を有したものになる。
護膜形成治具によれば、半導体レ−ザバ−を第１の溝に
収納する際、第２の溝上に発光領域を位置させることが
できるので、発光領域が傷ついたり、破損したりするこ
とがない。そのため、半導体レ−ザバ−から切り出され
る半導体レ−ザ素子は高い信頼性を有したものになる。
【図１】（ａ）は、本発明の半導体レ−ザ素子の端面保
護膜形成治具の斜視図、（ｂ）は、（ａ）の上から見た
平面図、（ｃ）は、図１の横から見た側面図、（ｄ）
は、図１（ｂ）のＡＡ断面図である。
護膜形成治具の斜視図、（ｂ）は、（ａ）の上から見た
平面図、（ｃ）は、図１の横から見た側面図、（ｄ）
は、図１（ｂ）のＡＡ断面図である。
【図２】半導体レ−ザバ−の斜視図である。
【図３】本発明の半導体レ−ザ素子の端面保護膜を形成
する製造工程の第１工程図である。
する製造工程の第１工程図である。
【図４】本発明の半導体レ−ザバ−を収納した半導体レ
−ザ素子の端面保護膜形成治具上に同形状の半導体レ−
ザ素子の端面保護膜形成治具を載置させた図である。
−ザ素子の端面保護膜形成治具上に同形状の半導体レ−
ザ素子の端面保護膜形成治具を載置させた図である。
【図５】本発明の半導体レ−ザ素子の端面保護膜を形成
する製造工程の第２工程図である。
する製造工程の第２工程図である。
【図６】本発明の半導体レ−ザ素子の端面保護膜を形成
する製造工程の第３工程図である。
する製造工程の第３工程図である。
【図７】（ａ）は、従来の半導体レ−ザ素子の端面保護
膜形成治具の斜視図、（ｂ）は、（ａ）のＢＢ断面図で
ある。
膜形成治具の斜視図、（ｂ）は、（ａ）のＢＢ断面図で
ある。
１、１′…端面保護膜形成治具、２…基板、２ａ…上
面、２ｂ、２ｃ…側面、３Ａ、３Ｂ、３Ｃ…溝、３
ａ1、３ｂ1、３ｃ1…一端、３ａ2、３ｂ2、３ｃ2…くび
れ部、３ａ3、３ｂ3、３ｃ3…一端、４Ａ、４Ｂ、４Ｃ
…開口部、５…溝、６、７、８…側壁、９、１０…貫通
穴、１１…半導体レ−ザバ−、１２…半導体基板、１
３、１４…電極、１５…発光領域、１６…半導体レ−ザ
素子、１７、１８…突き棒
面、２ｂ、２ｃ…側面、３Ａ、３Ｂ、３Ｃ…溝、３
ａ1、３ｂ1、３ｃ1…一端、３ａ2、３ｂ2、３ｃ2…くび
れ部、３ａ3、３ｂ3、３ｃ3…一端、４Ａ、４Ｂ、４Ｃ
…開口部、５…溝、６、７、８…側壁、９、１０…貫通
穴、１１…半導体レ−ザバ−、１２…半導体基板、１
３、１４…電極、１５…発光領域、１６…半導体レ−ザ
素子、１７、１８…突き棒
Claims (3)
- 【請求項１】矩形状の基板上面の一方の側面より他方の
側面に向かって所定の溝深さで形成された第１の溝と、
前記第１の溝に連接しており、かつ、前記第１の溝より
深い溝深さで形成された第２の溝とを有したことを特徴
とする半導体レ−ザ素子の端面保護膜形成治具。 - 【請求項２】前記第１の溝を互いに平行になるように複
数個設けたことを特徴とする請求項１記載の半導体レ−
ザ素子の端面保護膜形成治具。 - 【請求項３】前記第１の溝に複数個の貫通穴を設けたこ
とを特徴とする請求項１及び請求項２記載の半導体レ−
ザ素子の端面保護膜形成治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3311697A JPH10223977A (ja) | 1997-01-31 | 1997-01-31 | 半導体レ−ザ素子の端面保護膜形成治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3311697A JPH10223977A (ja) | 1997-01-31 | 1997-01-31 | 半導体レ−ザ素子の端面保護膜形成治具 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10223977A true JPH10223977A (ja) | 1998-08-21 |
Family
ID=12377678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3311697A Pending JPH10223977A (ja) | 1997-01-31 | 1997-01-31 | 半導体レ−ザ素子の端面保護膜形成治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10223977A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100769399B1 (ko) | 2006-02-17 | 2007-10-22 | 엘에스전선 주식회사 | 레이저 다이오드의 벽개면 코팅을 위한 지그장치 및 그스페이서 구조 |
| JP2017130575A (ja) * | 2016-01-21 | 2017-07-27 | 株式会社ディスコ | 治具及び治具を用いた加工方法 |
-
1997
- 1997-01-31 JP JP3311697A patent/JPH10223977A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100769399B1 (ko) | 2006-02-17 | 2007-10-22 | 엘에스전선 주식회사 | 레이저 다이오드의 벽개면 코팅을 위한 지그장치 및 그스페이서 구조 |
| JP2017130575A (ja) * | 2016-01-21 | 2017-07-27 | 株式会社ディスコ | 治具及び治具を用いた加工方法 |
| CN106992138A (zh) * | 2016-01-21 | 2017-07-28 | 株式会社迪思科 | 治具和使用了治具的加工方法 |
| TWI704642B (zh) * | 2016-01-21 | 2020-09-11 | 日商迪思科股份有限公司 | 治具及使用治具的加工方法 |
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