JPH10223542A - 窒化インジウムガリウム半導体の製造方法 - Google Patents
窒化インジウムガリウム半導体の製造方法Info
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- JPH10223542A JPH10223542A JP2533997A JP2533997A JPH10223542A JP H10223542 A JPH10223542 A JP H10223542A JP 2533997 A JP2533997 A JP 2533997A JP 2533997 A JP2533997 A JP 2533997A JP H10223542 A JPH10223542 A JP H10223542A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 この発明は、高品質で結晶性に優れたＩｎＧ
ａＮ膜を安定して製造できる方法を提供することをその
目的とする。 【解決手段】 この発明は、ガリウム源のガスと、イン
ジウム源のガスと、窒素源のガスを原料ガスとして反応
室１内に導入し、有機金属気相成長法により、基板１０
上に窒化インジウムガリウム半導体膜を成長させる窒化
インジウムガリウム半導体の製造方法であって、Ｈ2ま
たはＮ2をキャリアガスとして原料ガスを原料ガスライ
ン５、６から反応室１内に導入すると共に、上層ガスラ
イン７からＨ 2またはＮ2を反応室１内に導入し、反応室
１内の総Ｎ2量に対する総Ｈ2量の比（Ｈ2／Ｎ2）が０よ
り１／５以下になるようにＨ2及びＮ2を導入量を制御す
る。
ａＮ膜を安定して製造できる方法を提供することをその
目的とする。 【解決手段】 この発明は、ガリウム源のガスと、イン
ジウム源のガスと、窒素源のガスを原料ガスとして反応
室１内に導入し、有機金属気相成長法により、基板１０
上に窒化インジウムガリウム半導体膜を成長させる窒化
インジウムガリウム半導体の製造方法であって、Ｈ2ま
たはＮ2をキャリアガスとして原料ガスを原料ガスライ
ン５、６から反応室１内に導入すると共に、上層ガスラ
イン７からＨ 2またはＮ2を反応室１内に導入し、反応室
１内の総Ｎ2量に対する総Ｈ2量の比（Ｈ2／Ｎ2）が０よ
り１／５以下になるようにＨ2及びＮ2を導入量を制御す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、青色発光ダイオ
ード、青色レーザダイオードなど青色の発光デバイスに
用いられる窒化インジウムガリウム半導体の製造方法に
関する。
ード、青色レーザダイオードなど青色の発光デバイスに
用いられる窒化インジウムガリウム半導体の製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】青色発光ダイオード、青色レーザダイオ
ードなど青色の発光デバイスには、窒化ガリウム（Ｇａ
Ｎ）膜、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）膜等の
窒化ガリウム系半導体膜が用いられている。例えば、特
開平６−１７７４２３号公報（ＩＰＣ：Ｈ０１Ｌ ３３
／００）には、窒化ガリウム系化合物半導体を利用した
青色発光デバイスが開示されている。
ードなど青色の発光デバイスには、窒化ガリウム（Ｇａ
Ｎ）膜、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）膜等の
窒化ガリウム系半導体膜が用いられている。例えば、特
開平６−１７７４２３号公報（ＩＰＣ：Ｈ０１Ｌ ３３
／００）には、窒化ガリウム系化合物半導体を利用した
青色発光デバイスが開示されている。
【０００３】上記青色発光デバイスは、ｎ型Ｇａ1-aＡ
ｌaＮ（０≦ａ＜１）層とｐ型ｎ型Ｇａ1-bＡｌbＮ（０
≦ｂ＜１）層との間にｎ型ＩｎxＧａ1-xＮ膜を備えたダ
ブルヘテロ構造で構成されている。即ち、ＩｎxＧａ1-x
Ｎ膜は、２ｅＶ〜３．４ｅＶのバンドギャップを有して
おり、青色波長の光を発光する。
ｌaＮ（０≦ａ＜１）層とｐ型ｎ型Ｇａ1-bＡｌbＮ（０
≦ｂ＜１）層との間にｎ型ＩｎxＧａ1-xＮ膜を備えたダ
ブルヘテロ構造で構成されている。即ち、ＩｎxＧａ1-x
Ｎ膜は、２ｅＶ〜３．４ｅＶのバンドギャップを有して
おり、青色波長の光を発光する。
【０００４】ところで、ＩｎxＧａ1-xＮ膜を用いて青色
の発光素子を作成せんとすると、そのＩｎ組成（ｘ）を
約０．４〜約０．４５の範囲に調整する必要がある。
の発光素子を作成せんとすると、そのＩｎ組成（ｘ）を
約０．４〜約０．４５の範囲に調整する必要がある。
【０００５】しかしながら、従来の製造方法では、Ｉｎ
組成を多くすると結晶性の良好なものが得られず、この
ため発光素子の発光効率が劣悪なものとなっていた。
組成を多くすると結晶性の良好なものが得られず、この
ため発光素子の発光効率が劣悪なものとなっていた。
【０００６】この問題を解決するために、良好な結晶性
が得られるＩｎ組成の範囲であるｘが約０．０６程度の
ＩｎxＧａ1-xＮ膜を用い、このＩｎxＧａ1-xＮ膜中にＳ
ｉ及びＺｎを添加することが提案されている（特開平６
−２６０６８０号公報（ＩＰＣ：Ｈ０１Ｌ ３３／０
０）参照）。
が得られるＩｎ組成の範囲であるｘが約０．０６程度の
ＩｎxＧａ1-xＮ膜を用い、このＩｎxＧａ1-xＮ膜中にＳ
ｉ及びＺｎを添加することが提案されている（特開平６
−２６０６８０号公報（ＩＰＣ：Ｈ０１Ｌ ３３／０
０）参照）。
【０００７】この構成によれば、ＳｉとＺｎをドープし
たことによりＩｎxＧａ1-xＮ膜中にドナー準位及びアク
セプタ準位が形成され、これらのドナー・アクセプタの
ペア発光により、ドナー−アクセプタ間のエネルギー差
に応じて青色の光を発光する。
たことによりＩｎxＧａ1-xＮ膜中にドナー準位及びアク
セプタ準位が形成され、これらのドナー・アクセプタの
ペア発光により、ドナー−アクセプタ間のエネルギー差
に応じて青色の光を発光する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の発光素子においても、ドナー・アクセプタ間の
ペア発光を利用するために発光スペクトル値の半値幅が
拡がり、色純度が悪くなるという問題があった。
た従来の発光素子においても、ドナー・アクセプタ間の
ペア発光を利用するために発光スペクトル値の半値幅が
拡がり、色純度が悪くなるという問題があった。
【０００９】また、レーザに用いる場合には、バンド間
発光をさせる必要があり、このためＳｉとＺｎをドープ
させたＩｎxＧａ1-xＮ膜はレーザに適用できないという
問題もあった。
発光をさせる必要があり、このためＳｉとＺｎをドープ
させたＩｎxＧａ1-xＮ膜はレーザに適用できないという
問題もあった。
【００１０】この発明は、上述した従来の問題点を解決
するためになされたものにして、ＳｉやＺｎ等のドナー
或いはアクセプタ元素を添加することなく青色の発光が
生じる高品質で結晶性に優れたＩｎxＧａ1-xＮ膜を安定
して製造できる方法を提供することをその目的とする。
するためになされたものにして、ＳｉやＺｎ等のドナー
或いはアクセプタ元素を添加することなく青色の発光が
生じる高品質で結晶性に優れたＩｎxＧａ1-xＮ膜を安定
して製造できる方法を提供することをその目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明は、ガリウム源
のガスと、インジウム源のガスと、窒素源のガスを原料
ガスとして形成室内に導入し、気相成長法により窒化イ
ンジウムガリウム半導体膜を製造する窒化インジウムガ
リウム半導体の製造方法であって、前記窒化インジウム
ガリウム半導体の形成時に水素及び窒素を導入すると共
に、窒素量（Ｎ 2）に対する水素量（Ｈ2）の比（Ｈ2／
Ｎ2）を０より１／５以下の範囲で前記窒化インジウム
ガリウム半導体を製造することを特徴とする。
のガスと、インジウム源のガスと、窒素源のガスを原料
ガスとして形成室内に導入し、気相成長法により窒化イ
ンジウムガリウム半導体膜を製造する窒化インジウムガ
リウム半導体の製造方法であって、前記窒化インジウム
ガリウム半導体の形成時に水素及び窒素を導入すると共
に、窒素量（Ｎ 2）に対する水素量（Ｈ2）の比（Ｈ2／
Ｎ2）を０より１／５以下の範囲で前記窒化インジウム
ガリウム半導体を製造することを特徴とする。
【００１２】特に、前記窒素量（Ｎ2）に対する水素量
（Ｈ2）の比（Ｈ2／Ｎ2）を１／５０以上１／１０以下
に制御するとよい。
（Ｈ2）の比（Ｈ2／Ｎ2）を１／５０以上１／１０以下
に制御するとよい。
【００１３】また、前記気相成長法として有機金属気相
成長法を用いるとよい。
成長法を用いるとよい。
【００１４】前記水素及び／又は窒素は、前記原料ガス
のキャリアガスとして形成室内に導入するように構成す
ればよい。
のキャリアガスとして形成室内に導入するように構成す
ればよい。
【００１５】前記原料ガスを前記基板の表面に平行に導
入すると共に、前記水素及び／又は窒素を前記原料ガス
の上層となるように導入すればよい。
入すると共に、前記水素及び／又は窒素を前記原料ガス
の上層となるように導入すればよい。
【００１６】上記のように、形成室内の窒素量（Ｎ2）
に対する水素量（Ｈ2）の比（Ｈ2／Ｎ2）を制御するこ
とで、成膜したＩｎxＧａ1-xＮ膜は、フォトルミネッセ
ンスにより青色の発光波長を含む３６５ｎｍ〜５３５ｎ
ｍの範囲で発光ピークが測定され、良好な結晶性を有す
るＩｎxＧａ1-xＮ膜が得られていることが分かった。
に対する水素量（Ｈ2）の比（Ｈ2／Ｎ2）を制御するこ
とで、成膜したＩｎxＧａ1-xＮ膜は、フォトルミネッセ
ンスにより青色の発光波長を含む３６５ｎｍ〜５３５ｎ
ｍの範囲で発光ピークが測定され、良好な結晶性を有す
るＩｎxＧａ1-xＮ膜が得られていることが分かった。
【００１７】特に、形成室内の窒素量（Ｎ2）に対する
水素量（Ｈ2）の比（Ｈ2／Ｎ2）が１／５０以上１／１
０以下の場合には、製造したＩｎxＧａ1-xＮ膜をフォト
ルミネッセンスで測定したところ、欠陥や不純物による
ピークは観察されずに、３６５ｎｍ〜５３５ｎｍの青色
領域に単一の発光ピークを測定することができた。しか
も表面にＩｎのドロップレットの発生は全くなく、結晶
性の良好なＩｎＧａＮ膜が得られた。
水素量（Ｈ2）の比（Ｈ2／Ｎ2）が１／５０以上１／１
０以下の場合には、製造したＩｎxＧａ1-xＮ膜をフォト
ルミネッセンスで測定したところ、欠陥や不純物による
ピークは観察されずに、３６５ｎｍ〜５３５ｎｍの青色
領域に単一の発光ピークを測定することができた。しか
も表面にＩｎのドロップレットの発生は全くなく、結晶
性の良好なＩｎＧａＮ膜が得られた。
【００１８】また、本発明の製造方法により成膜したＩ
ｎxＧａ1-xＮ膜を用いた発光素子の半値幅は、約３０ｎ
ｍとＳｉ及びＺｎを添加したものに比べ約半分であっ
た。
ｎxＧａ1-xＮ膜を用いた発光素子の半値幅は、約３０ｎ
ｍとＳｉ及びＺｎを添加したものに比べ約半分であっ
た。
【００１９】
【実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図面を参
照して説明する。図１は、この発明の製造方法に使用し
たＭＯＣＶＤ装置の主要部の構成を示す概略断面図であ
る。
照して説明する。図１は、この発明の製造方法に使用し
たＭＯＣＶＤ装置の主要部の構成を示す概略断面図であ
る。
【００２０】形成室１内にはサファイア基板１０を載置
するサセプタ１１が設けられている。尚、この基板１０
としては、予めＧａ1-X-YＡｌYＩｎxＮ（０≦Ｘ＜１，
０≦Ｙ＜１）が形成された基板を用いてもよい。この形
成室１は図示しない真空ポンプにより所定の真空度に排
気される。また、サセプタ１１は高周波コイルなどによ
り所定の成長温度に加熱されるようになっている。
するサセプタ１１が設けられている。尚、この基板１０
としては、予めＧａ1-X-YＡｌYＩｎxＮ（０≦Ｘ＜１，
０≦Ｙ＜１）が形成された基板を用いてもよい。この形
成室１は図示しない真空ポンプにより所定の真空度に排
気される。また、サセプタ１１は高周波コイルなどによ
り所定の成長温度に加熱されるようになっている。
【００２１】そして、形成室１内には、原料ガス供給ラ
イン５、６より原料ガスが基板の表面に平行に供給され
ると共に、その原料ガス供給ライン５、６より上層に配
置された上層流ガスライン７より水素及び／又は窒素ガ
スが供給される。この上層流ガスライン７は、バルブ７
１、７２を介して、水素（Ｈ2）ガスボンベ、窒素
（Ｎ2）ガスボンベに接続されている。この上層流ガス
ライン７から供給されるガスにより、原料ガスを基板１
０面に押圧し、原料ガスを基板１０に接触させる。従っ
て、本実施例の形態にあっては、基板１０の表面に平行
に、下層流ガスとなる原料ガスと、上層ガスとの２層の
ガス流が導入された２層流方式のＭＯＣＶＤ流を用いて
いる。
イン５、６より原料ガスが基板の表面に平行に供給され
ると共に、その原料ガス供給ライン５、６より上層に配
置された上層流ガスライン７より水素及び／又は窒素ガ
スが供給される。この上層流ガスライン７は、バルブ７
１、７２を介して、水素（Ｈ2）ガスボンベ、窒素
（Ｎ2）ガスボンベに接続されている。この上層流ガス
ライン７から供給されるガスにより、原料ガスを基板１
０面に押圧し、原料ガスを基板１０に接触させる。従っ
て、本実施例の形態にあっては、基板１０の表面に平行
に、下層流ガスとなる原料ガスと、上層ガスとの２層の
ガス流が導入された２層流方式のＭＯＣＶＤ流を用いて
いる。
【００２２】また、水素（Ｈ2）ガスボンベ、窒素
（Ｎ2）ガスボンベからのガスがバルブ５１及び５２を
介して原料ガス供給ライン５に与えられる。バルブ５
１、５２を介して与えられる水素（Ｈ2）ガス及び／又
は窒素（Ｎ2）ガスはキャリアガスとして用いられる。
（Ｎ2）ガスボンベからのガスがバルブ５１及び５２を
介して原料ガス供給ライン５に与えられる。バルブ５
１、５２を介して与えられる水素（Ｈ2）ガス及び／又
は窒素（Ｎ2）ガスはキャリアガスとして用いられる。
【００２３】ＴＭＧ２、ＴＭＩ３、ＴＥＧ４の有機金属
化合物ソースは、微量のバブリングガスにより気化さ
れ、バルブ２１、３１、４１を介して原料ガス供給ライ
ン５に与えられる。バブリングガスはバルブ２２、２
３、３２、３３、４２、４３によりその供給が制御され
る。
化合物ソースは、微量のバブリングガスにより気化さ
れ、バルブ２１、３１、４１を介して原料ガス供給ライ
ン５に与えられる。バブリングガスはバルブ２２、２
３、３２、３３、４２、４３によりその供給が制御され
る。
【００２４】原料ガスとしてのアンモニア（ＮＨ3）ガ
スはバルブ６１を介して原料ガスライン６から形成室１
内に供給される。
スはバルブ６１を介して原料ガスライン６から形成室１
内に供給される。
【００２５】上記のように構成されたＭＯＣＶＤ装置を
用いて、表１に示す反応条件でサファイア基板１０上に
ＩｎxＧａ1-xＮ膜を成長させた。
用いて、表１に示す反応条件でサファイア基板１０上に
ＩｎxＧａ1-xＮ膜を成長させた。
【００２６】
【表１】
【００２７】上記表１の条件でサンプルを作成し、Ｉｎ
xＧａ1-xＮ膜の表面を顕微鏡で観察すると共に、フォト
ルミネッセンスにより発光スペクトルを観察し、膜の良
否を判定した結果を図２に示す。尚、成長温度が９００
℃以上ではＩｎxＧａ1-xＮ組成が１％以下と低くなるた
め実用的ではないので、成長温度は９００℃までとし
た。また、結晶性は温度が高くなるほどよくなるので、
成長温度７５０度以下では成長させていない。
xＧａ1-xＮ膜の表面を顕微鏡で観察すると共に、フォト
ルミネッセンスにより発光スペクトルを観察し、膜の良
否を判定した結果を図２に示す。尚、成長温度が９００
℃以上ではＩｎxＧａ1-xＮ組成が１％以下と低くなるた
め実用的ではないので、成長温度は９００℃までとし
た。また、結晶性は温度が高くなるほどよくなるので、
成長温度７５０度以下では成長させていない。
【００２８】図２より、形成室１内にキャリアガス或い
は上層ガスとして導入される総窒素量（Ｎ2）に対する
総水素量（Ｈ2）の比（Ｈ2／Ｎ2）が１／５を越えると
全ての成長温度でＩｎのドロップレットが発生し、結晶
性の良くないＩｎxＧａ1-xＮ膜しか得られなかった。こ
れに対し、総窒素量に対する総水素量の比（Ｈ2／Ｎ2）
を１／５以下として成長させたＩｎxＧａ1-xＮ膜では、
その成長速度に応じてフォトルミネッセンスにより青色
の発光波長を含む３６５〜５３５ｎｍの領域に発光ピー
クが測定され、良好な結晶性のＩｎxＧａ1-xＮ膜が得ら
れていることがわかった。さらに上記比（Ｈ2／Ｎ2）を
１／１０以下とすることで、全ての成長温度で結晶性の
ＩｎxＧａ1-xＮ膜が得られると共に、Ｉｎのドロップレ
ットが発生することもなかった。
は上層ガスとして導入される総窒素量（Ｎ2）に対する
総水素量（Ｈ2）の比（Ｈ2／Ｎ2）が１／５を越えると
全ての成長温度でＩｎのドロップレットが発生し、結晶
性の良くないＩｎxＧａ1-xＮ膜しか得られなかった。こ
れに対し、総窒素量に対する総水素量の比（Ｈ2／Ｎ2）
を１／５以下として成長させたＩｎxＧａ1-xＮ膜では、
その成長速度に応じてフォトルミネッセンスにより青色
の発光波長を含む３６５〜５３５ｎｍの領域に発光ピー
クが測定され、良好な結晶性のＩｎxＧａ1-xＮ膜が得ら
れていることがわかった。さらに上記比（Ｈ2／Ｎ2）を
１／１０以下とすることで、全ての成長温度で結晶性の
ＩｎxＧａ1-xＮ膜が得られると共に、Ｉｎのドロップレ
ットが発生することもなかった。
【００２９】また、上記製造方法により成長させたＩｎ
xＧａ1-xＮ膜を用いた発光素子の半値幅は約３０ｎｍで
あり、Ｓｉ及びＺｎを添加したものに比べて約半分であ
った。
xＧａ1-xＮ膜を用いた発光素子の半値幅は約３０ｎｍで
あり、Ｓｉ及びＺｎを添加したものに比べて約半分であ
った。
【００３０】また、総窒素量に対する総水素量の比（Ｈ
2／Ｎ2）が０より１／５０の範囲にあっては、結晶性の
ＩｎxＧａ1-xＮ膜が得られるものの、その表面が荒れた
り、不純物の混入に因るものと考えられる不所望の発光
ピークが観察された。また、発光ピークの経時劣化も観
察され、この範囲で形成されたＩｎxＧａ1-xＮ膜は結晶
性を有するものの、その結晶性があまり良好でないこと
がわかった。
2／Ｎ2）が０より１／５０の範囲にあっては、結晶性の
ＩｎxＧａ1-xＮ膜が得られるものの、その表面が荒れた
り、不純物の混入に因るものと考えられる不所望の発光
ピークが観察された。また、発光ピークの経時劣化も観
察され、この範囲で形成されたＩｎxＧａ1-xＮ膜は結晶
性を有するものの、その結晶性があまり良好でないこと
がわかった。
【００３１】上記のことから形成室１内の総窒素量（Ｎ
2）に対する総水素量（Ｈ2）の比（Ｈ2／Ｎ2）が０より
１／５以下になるように水素及び窒素の導入量を制御す
ることで結晶性のＩｎxＧａ1-xＮ膜を得ることができ
る。さらに、１／５０以上１／１０以下になるように水
素及び窒素の導入量を制御することで良好な結晶性を有
するＩｎxＧａ1-xＮ膜を得られることが分かる。
2）に対する総水素量（Ｈ2）の比（Ｈ2／Ｎ2）が０より
１／５以下になるように水素及び窒素の導入量を制御す
ることで結晶性のＩｎxＧａ1-xＮ膜を得ることができ
る。さらに、１／５０以上１／１０以下になるように水
素及び窒素の導入量を制御することで良好な結晶性を有
するＩｎxＧａ1-xＮ膜を得られることが分かる。
【００３２】このように、本発明により製造したＩｎx
Ｇａ1-xＮ膜を用いることで、色純度が良好な発光素子
が提供できると共に、レーザへの適用も可能となる。
Ｇａ1-xＮ膜を用いることで、色純度が良好な発光素子
が提供できると共に、レーザへの適用も可能となる。
【００３３】尚、本発明はＭＯＣＶＤ法を用いたもので
あれば、本実施の形態で説明した２層流方式以外の方式
を用いたものにも適用することができる。
あれば、本実施の形態で説明した２層流方式以外の方式
を用いたものにも適用することができる。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、この発明は、気相
成長法により、ＩｎxＧａ1-xＮ膜を形成する際に、形成
室内の窒素量（Ｎ2）に対する水素量（Ｈ2）の比（Ｈ2
／Ｎ2）を制御することで、良好な結晶性を有する青色
発光のＩｎxＧａ1-xＮ膜を得ることができる。
成長法により、ＩｎxＧａ1-xＮ膜を形成する際に、形成
室内の窒素量（Ｎ2）に対する水素量（Ｈ2）の比（Ｈ2
／Ｎ2）を制御することで、良好な結晶性を有する青色
発光のＩｎxＧａ1-xＮ膜を得ることができる。
【００３５】また、この発明により製造したＩｎxＧａ
1-xＮ膜を用いることで、色純度が良好な発光素子を提
供できると共に、レーザへの適用も可能となる。
1-xＮ膜を用いることで、色純度が良好な発光素子を提
供できると共に、レーザへの適用も可能となる。
【図１】この発明の製造方法に使用したＭＯＣＶＤ装置
の主要部の構成を示す概略断面図である。
の主要部の構成を示す概略断面図である。
【図２】この発明によるＩｎＧａＮ膜の結晶性とＨ2／
Ｎ2比との関係を示す図である。
Ｎ2比との関係を示す図である。
１ 形成室 ２、３、４ 有機化合物ソース ５、６ 原料供給ライン ７ 上層流ガスライン １０ 基板 １１ サセプタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 八木 克己 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 ガリウム源のガスと、インジウム源のガ
スと、窒素源のガスを原料ガスとして形成室内に導入
し、気相成長法により窒化インジウムガリウム半導体膜
を製造する窒化インジウムガリウム半導体の製造方法で
あって、前記窒化インジウムガリウム半導体の形成時に
水素及び窒素を導入すると共に、窒素量（Ｎ2）に対す
る水素量（Ｈ2）の比（Ｈ2／Ｎ2）を０より１／５以下
の範囲で前記窒化インジウムガリウム半導体を製造する
ことを特徴とする窒化インジウムガリウム半導体の製造
方法。 - 【請求項２】 前記窒素量（Ｎ2）に対する水素量
（Ｈ2）の比（Ｈ2／Ｎ2）を１／５０以上１／１０以下
とすることを特徴とする請求項１に記載の窒化インジウ
ムガリウム半導体の製造方法。 - 【請求項３】 前記気相成長法として有機金属気相成長
法を用いることを特徴とする請求項１又は２に記載の窒
化インジウムガリウム半導体の製造方法。 - 【請求項４】 前記水素及び／又は窒素は、前記原料ガ
スのキャリアガスとして形成室内に導入されることを特
徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の窒化イン
ジウムガリウム半導体の製造方法。 - 【請求項５】 前記原料ガスを前記基板の表面に平行に
導入すると共に、前記水素及び／又は窒素を前記原料ガ
スの上層となるように導入することを特徴とする請求項
４に記載の窒化インジウムガリウム半導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2533997A JP3316406B2 (ja) | 1997-02-07 | 1997-02-07 | 窒化インジウムガリウム半導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2533997A JP3316406B2 (ja) | 1997-02-07 | 1997-02-07 | 窒化インジウムガリウム半導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10223542A true JPH10223542A (ja) | 1998-08-21 |
| JP3316406B2 JP3316406B2 (ja) | 2002-08-19 |
Family
ID=12163159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2533997A Expired - Lifetime JP3316406B2 (ja) | 1997-02-07 | 1997-02-07 | 窒化インジウムガリウム半導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3316406B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009170542A (ja) * | 2008-01-11 | 2009-07-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | エピタキシャルウエハを作製する方法、及びエピタキシャルウエハ |
| WO2010100689A1 (ja) * | 2009-03-03 | 2010-09-10 | パナソニック株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法、および半導体発光素子 |
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1997
- 1997-02-07 JP JP2533997A patent/JP3316406B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| CN102318039A (zh) * | 2009-03-03 | 2012-01-11 | 松下电器产业株式会社 | 氮化镓系化合物半导体的制造方法和半导体发光元件 |
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