JPH1022102A - チップ型正特性サーミスタの製造方法 - Google Patents
チップ型正特性サーミスタの製造方法Info
- Publication number
- JPH1022102A JPH1022102A JP20754796A JP20754796A JPH1022102A JP H1022102 A JPH1022102 A JP H1022102A JP 20754796 A JP20754796 A JP 20754796A JP 20754796 A JP20754796 A JP 20754796A JP H1022102 A JPH1022102 A JP H1022102A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature coefficient
- positive temperature
- coefficient thermistor
- thermistor
- type positive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 過酷な使用条件下でも高い信頼性を有するチ
ップ型正特性サーミスタを大量に生産でき、しかも、サ
ーミスタ素体の小型化にも適用可能なチップ型正特性サ
ーミスタの製造方法を提供する。 【解決手段】 サーミスタ素子の電極形成部を除く素地
全面または電極形成部の一部を含む素地全面にＣＶＤ法
によりＳｉＯ２膜を形成し、得られたＳｉＯ２膜を熱処
理してチップ型正特性サーミスタを製造する。
ップ型正特性サーミスタを大量に生産でき、しかも、サ
ーミスタ素体の小型化にも適用可能なチップ型正特性サ
ーミスタの製造方法を提供する。 【解決手段】 サーミスタ素子の電極形成部を除く素地
全面または電極形成部の一部を含む素地全面にＣＶＤ法
によりＳｉＯ２膜を形成し、得られたＳｉＯ２膜を熱処
理してチップ型正特性サーミスタを製造する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チップ型正特性サ
ーミスタの製造方法に関するものである。さらに詳しく
は、過酷な使用条件下でも高い信頼性を有するチップ型
正特性サーミスタの製造方法に関するものである。
ーミスタの製造方法に関するものである。さらに詳しく
は、過酷な使用条件下でも高い信頼性を有するチップ型
正特性サーミスタの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、特殊なガスの雰囲気中など過酷な
使用条件下でもサーミスタ素体の劣化を防ぎ高い信頼性
を有するチップ型正特性サーミスタとしては、例えば実
公平５−４７４４４号公報によって開示されているよう
に、サーミスタ素体をガラスのコーテイング層で被覆し
たチップ型正特性サーミスタがある。
使用条件下でもサーミスタ素体の劣化を防ぎ高い信頼性
を有するチップ型正特性サーミスタとしては、例えば実
公平５−４７４４４号公報によって開示されているよう
に、サーミスタ素体をガラスのコーテイング層で被覆し
たチップ型正特性サーミスタがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記したチッ
プ型正特性サーミスタの素地全面にコーテイング層を形
成するためには、ガラス粉末のペーストを素体の各面に
スクリーン印刷し、その都度乾燥後、焼き付けるという
手間のかかる工程が必要となり大量生産には適さないと
いうという課題があった。
プ型正特性サーミスタの素地全面にコーテイング層を形
成するためには、ガラス粉末のペーストを素体の各面に
スクリーン印刷し、その都度乾燥後、焼き付けるという
手間のかかる工程が必要となり大量生産には適さないと
いうという課題があった。
【０００４】さらには、スクリーン印刷時にサーミスタ
素体を固定するために使用する治具の精度の限界から小
型なチップ型正特性サーミスタには適用できないという
課題もあった。
素体を固定するために使用する治具の精度の限界から小
型なチップ型正特性サーミスタには適用できないという
課題もあった。
【０００５】したがって、本発明の目的は、過酷な使用
条件下でも高い信頼性を有するチップ型正特性サーミス
タを大量に生産でき、しかも、サーミスタ素体の小型化
にも適用可能なチップ型正特性サーミスタの製造方法を
提供することにある。
条件下でも高い信頼性を有するチップ型正特性サーミス
タを大量に生産でき、しかも、サーミスタ素体の小型化
にも適用可能なチップ型正特性サーミスタの製造方法を
提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上述した本発明の目的
は、サーミスタ素子の電極形成部を除く素地全面または
電極形成部の一部を含む素地全面にＣＶＤ法によりＳｉ
Ｏ２膜を形成する工程と前記工程で得られたＳｉＯ２膜
を熱処理する工程を具備することを特徴とするチップ型
正特性サーミスタの製造方法によって達成される。
は、サーミスタ素子の電極形成部を除く素地全面または
電極形成部の一部を含む素地全面にＣＶＤ法によりＳｉ
Ｏ２膜を形成する工程と前記工程で得られたＳｉＯ２膜
を熱処理する工程を具備することを特徴とするチップ型
正特性サーミスタの製造方法によって達成される。
【０００７】また、前記ＳｉＯ２膜を熱処理する工程が
５００℃以上で、かつ電極焼き付け温度以下でなされる
ことを特徴とするチップ型正特性サーミスタの製造方法
によって達成される。
５００℃以上で、かつ電極焼き付け温度以下でなされる
ことを特徴とするチップ型正特性サーミスタの製造方法
によって達成される。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明によるチップ型正特性サー
ミスタの製造方法では、サーミスタ素地全面にＳｉＯ２
膜を形成する工程としてＣＶＤ法を採用した。これによ
り、素地全面（４面）を一度でコーテイング層で被覆す
ることができ、コスト面の改善が可能となった。さらに
は、サーミスタ素体の小型化にも適用可能となった。
ミスタの製造方法では、サーミスタ素地全面にＳｉＯ２
膜を形成する工程としてＣＶＤ法を採用した。これによ
り、素地全面（４面）を一度でコーテイング層で被覆す
ることができ、コスト面の改善が可能となった。さらに
は、サーミスタ素体の小型化にも適用可能となった。
【０００９】次に、前記ＣＶＤ工程で得られたＳｉＯ２
膜を電極焼き付け温度以下で熱処理をした。ここで、Ｓ
ｉＯ２膜を熱処理する理由は、ＳｉＯ２膜の緻密化を図
り過酷な使用条件下でも高い信頼性を確保するためであ
り、熱処理しなかったチップ型正特性サーミスタから
は、信頼性が高いものが得られなかった。
膜を電極焼き付け温度以下で熱処理をした。ここで、Ｓ
ｉＯ２膜を熱処理する理由は、ＳｉＯ２膜の緻密化を図
り過酷な使用条件下でも高い信頼性を確保するためであ
り、熱処理しなかったチップ型正特性サーミスタから
は、信頼性が高いものが得られなかった。
【００１０】また、前記ＳｉＯ２膜を熱処理する工程が
５００℃以上で、かつ電極焼き付け温度以下でなされる
理由は、５００℃より低い温度では、ＳｉＯ２膜の緻密
化が充分になされないからであり、電極焼き付け温度よ
り高い温度で熱処理を行うと電極形成部が劣化してサー
ミスタの抵抗値が異常に高くなり、不具合が発生するか
らである。ここで、電極として一般的なＡｇ電極を使用
する場合は、６５０℃以下で熱処理することが好まし
い。
５００℃以上で、かつ電極焼き付け温度以下でなされる
理由は、５００℃より低い温度では、ＳｉＯ２膜の緻密
化が充分になされないからであり、電極焼き付け温度よ
り高い温度で熱処理を行うと電極形成部が劣化してサー
ミスタの抵抗値が異常に高くなり、不具合が発生するか
らである。ここで、電極として一般的なＡｇ電極を使用
する場合は、６５０℃以下で熱処理することが好まし
い。
【００１１】以下、本発明を具体的な実施例により、さ
らに詳しく説明する。
らに詳しく説明する。
【００１２】
実施例 厚さ１ｍｍの板状のサーミスタ素体の上下面にＡｇを主
成分とする導電性ペーストを印刷後、６５０℃で１０分
間焼き付けてＡｇ電極を形成した。これを、０．５ｍｍ
角に切断して小型なチップ型サーミスタ素子を得た。次
に、得られたサーミスタ素子の電極面を粘着テープ等で
マスキングし、ＳｉＯ２源としてＳｉＨ４およびＯ２ガ
スを用い、減圧下で加熱しながらＣＶＤ法によりサーミ
スタ素子の電極形成部を除く素地全面にＳｉＯ２膜を形
成した。
成分とする導電性ペーストを印刷後、６５０℃で１０分
間焼き付けてＡｇ電極を形成した。これを、０．５ｍｍ
角に切断して小型なチップ型サーミスタ素子を得た。次
に、得られたサーミスタ素子の電極面を粘着テープ等で
マスキングし、ＳｉＯ２源としてＳｉＨ４およびＯ２ガ
スを用い、減圧下で加熱しながらＣＶＤ法によりサーミ
スタ素子の電極形成部を除く素地全面にＳｉＯ２膜を形
成した。
【００１３】次に、マスキングを除去し、６２０℃で５
時間熱処理してチップ型正特性サーミスタを得た。
時間熱処理してチップ型正特性サーミスタを得た。
【００１４】比較例 熱処理温度を４５０℃および６６０℃とする以外は実施
例と同様にしてチップ型正特性サーミスタを得た。
例と同様にしてチップ型正特性サーミスタを得た。
【００１５】次に、実施例及び比較例で得られたチップ
型正特性サーミスタを２５０℃、減圧（３×１０−４ｔ
ｏｒｒ）の条件下で９０分間保持後、冷却するという信
頼性試験を行った結果を表１にまとめて示す。
型正特性サーミスタを２５０℃、減圧（３×１０−４ｔ
ｏｒｒ）の条件下で９０分間保持後、冷却するという信
頼性試験を行った結果を表１にまとめて示す。
【００１６】
【表１】
【００１７】表１の結果から、本願発明による実施例
は、信頼性試験後も抵抗値の変化量は約３％程度減少す
るにとどまったが、熱処理温度４５０℃の比較例は約７
０％も抵抗値が減少した。このことは、実施例によるＳ
ｉＯ２膜の緻密化が充分になされ、外気と遮断されて特
性が変化しなかったためと考えられる。
は、信頼性試験後も抵抗値の変化量は約３％程度減少す
るにとどまったが、熱処理温度４５０℃の比較例は約７
０％も抵抗値が減少した。このことは、実施例によるＳ
ｉＯ２膜の緻密化が充分になされ、外気と遮断されて特
性が変化しなかったためと考えられる。
【００１８】
【発明の効果】過酷な使用条件下でも高い信頼性を有す
るチップ型正特性サーミスタを大量に生産でき、しか
も、サーミスタ素体の小型化にも適用できる効果があ
る。
るチップ型正特性サーミスタを大量に生産でき、しか
も、サーミスタ素体の小型化にも適用できる効果があ
る。
Claims (2)
- 【請求項１】 サーミスタ素子の電極形成部を除く素地
全面または電極形成部の一部を含む素地全面にＣＶＤ法
によりＳｉＯ２膜を形成する工程と前記工程で得られた
ＳｉＯ２膜を熱処理する工程を具備することを特徴とす
るチップ型正特性サーミスタの製造方法。 - 【請求項２】 ＳｉＯ２膜を熱処理する工程が５００℃
以上で、かつ電極焼き付け温度以下でなされることを特
徴とする請求項１記載のチップ型正特性サーミスタの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20754796A JPH1022102A (ja) | 1996-07-03 | 1996-07-03 | チップ型正特性サーミスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20754796A JPH1022102A (ja) | 1996-07-03 | 1996-07-03 | チップ型正特性サーミスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1022102A true JPH1022102A (ja) | 1998-01-23 |
Family
ID=16541548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20754796A Pending JPH1022102A (ja) | 1996-07-03 | 1996-07-03 | チップ型正特性サーミスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1022102A (ja) |
-
1996
- 1996-07-03 JP JP20754796A patent/JPH1022102A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH06290989A (ja) | チップ状回路部品 | |
| JPH1022102A (ja) | チップ型正特性サーミスタの製造方法 | |
| JPH04282802A (ja) | セラミック電子部品の製造法 | |
| JP3130972B2 (ja) | セラミック基板およびその製造方法 | |
| JPH0640064A (ja) | グレーズドセラミック基板の製造方法 | |
| JPS5884405A (ja) | 薄膜サ−ミスタの製造方法 | |
| JP2000025259A (ja) | サーマルヘッド用グレーズ基板及びその製造方法 | |
| JP2537606B2 (ja) | セラミツクヒ−タ | |
| JPS5871603A (ja) | 薄膜サ−ミスタの製造方法 | |
| JP2001206767A (ja) | 圧電磁器およびその製造方法 | |
| JP2816828B2 (ja) | グレーズドセラミックス基板の製造方法 | |
| JPS63301482A (ja) | セラミックヒ−タ−の製造方法 | |
| JP2002260832A (ja) | セラミックヒーター及びこれを用いたウエハ加熱装置 | |
| JPH11162717A (ja) | 厚膜抵抗体の形成方法 | |
| JPH05315105A (ja) | Ｐｔｃヒータの製造方法 | |
| KR20200101011A (ko) | 면상 발열체, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 히터 | |
| JPH0344007A (ja) | 薄膜抵抗体の製造方法 | |
| JPH02296764A (ja) | 磁器製造法 | |
| JP2003197351A (ja) | 窒化セラミックヒーター | |
| JPH01220404A (ja) | 薄膜サーミスタ | |
| JPS5931239B2 (ja) | 薄膜回路素子の製造方法 | |
| JPH04291701A (ja) | 正特性半導体磁器素子の製造方法 | |
| JPS62110286A (ja) | 遠赤外線放射体 | |
| JPS6110893A (ja) | 発熱体 | |
| JPS6347123B2 (ja) |