JPH10216471A - 半導体製造排ガス除害装置 - Google Patents
半導体製造排ガス除害装置Info
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- JPH10216471A JPH10216471A JP9038318A JP3831897A JPH10216471A JP H10216471 A JPH10216471 A JP H10216471A JP 9038318 A JP9038318 A JP 9038318A JP 3831897 A JP3831897 A JP 3831897A JP H10216471 A JPH10216471 A JP H10216471A
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Abstract
流を発生させて排ガスと空気との混合を促進することに
より反応効率を向上させると共に、除害装置の粉塵堆積
を少なくして通気抵抗の高まりを防止し、粉塵除去作業
の頻度を少なくして生産性を向上させる。 【解決手段】水溶性成分ガス又は加水分解成分ガスの少
なくともいずれか一方と熱分解成分ガスを含む半導体製
造排ガス中の水溶性成分ガス又は/及び加水分解成分ガ
スを除去する水スクラバ(11)と、水洗排ガス中の酸化熱
分解成分ガスを酸化熱分解する酸化加熱分解装置とを有
する。酸化加熱分解装置の反応筒(C)内に水洗排ガスを
下部より上方に向けて導入する導入管(A)の内面又は外
面の少なくともいずれか一方に沿って非接触状態で円周
状に移動する撹拌棒(D),(E)を備えている。
Description
おいて排出される有毒性,可燃性,腐食性を有する半導
体製造排ガスを除害する装置に関するものである。
性、爆発性を有し、概ね金属に対しては腐食性の激しい
半導体製造排ガスは、大量の窒素ガスで希釈した後、排
ガス濃度が爆発下限界以下となるようにし、更に大過剰
の空気と混合してからそのまま大気に放出する方法がと
られていた。
高まりと共に環境行政が厳しくなり、前述のような大気
放出方法は厳しく規制される方向となり、半導体製造排
ガスも積極的に除害しなければならなくなって来た。そ
こで、製造工程においてCVDからの排ガスを大気中に
放出するに当たり、少なくとも有毒なガスの濃度を許容
値以下にまで低減化するために除害装置が用いられる。
V,V族元素の水酸化物、例えばSiH4,PH3,B2H6等があ
り、また製造工程で使用されたが反応しなかったSiH2Cl
2,SiHCl3,Si2H6,TEOS(テトラエトキシシラン)等の
Si化合物も排ガスとなる。
としては、湿式法、吸着法、加熱分解法,燃焼法の4種
の方法に大別することができるが、機能、イニシャルコ
スト、ランニングコスト、必要スペース、安全性等の全
ての点から完全といえる処理法はない。
分解法は作業現場のニーズによく合致し多く採用されて
いる。図2は電熱加熱酸化分解法による現在の排ガス除
害装置の概略断面図である。
の半導体製造装置とはダクト(14)にて連結しており、半
導体製造工程において使用された残留ガス及び半導体製
造工程において使用され、諸々の化学変化を経た排ガス
の集合した半導体製造排ガス(F1)がここに導入される。
されており、その天井部には水を噴射するスプレーノズ
ルが備えられている。スプレーノズルから噴出された霧
状の高圧水により半導体製造排ガス(F1)内の水溶性成分
或いは加水分解成分はスプレー水に接して分解され或い
は溶解して除去される。これにより半導体製造排ガス(F
1)は水洗排ガス(F2)となる。
に一体的に設置されており、両者(13)(16)は水スクラバ
(11)に隣接し且つ水タンク(12)上に設置されている。熱
交換器(13)の一端は連通管(15)で水スクラバ(11)と連通
している。
加熱分解装置(16)の棒状ヒータが設置された加熱分解ゾ
ーンに排出され、空気供給管(17)より送られて来た空気
と混合して加熱分解されて熱分解排ガス(F3)となる。
って水タンク(12)内に流入し、水タンク(12)の天井部分
と水面との間の空間を通って、水洗され且つ熱を奪われ
て低温となり、排気ダクト(18)から清浄排ガス(F4)とし
て排出される。
造排ガス(F1)中の水溶性成分ガス又は/及び加水分解成
分ガスを除去する事ができ、酸化加熱分解装置(16)で水
洗排ガス(F2)中の熱分解成分ガスを熱分解することがで
き、半導体製造現場で発生するあらゆる種類の半導体製
造排ガスの除害に対応することができる。
装置において反応生成物としての粉塵が生成されるの
で、ある程度粉塵が溜まると一時停止して粉塵を取り除
く清掃作業をしなければならない点である。
加熱ゾーン)の中に直管状又はU字状の電気ヒータを複
数本設置し、排ガスと酸化燃焼用空気とを導入する。こ
の場合、排ガスと酸化燃焼用空気がヒータの存在を介し
て乱流を起こし撹拌混合の上、酸化分解により除害され
る。
物の粉塵がヒータ表面やヒータ間の空間に堆積して通気
抵抗を高めることになる。その結果、除害効率が下が
り、過剰の電気エネルギーの付加が必要となる。
置を一旦停止して解体し、粉塵を除去する必要がある。
このことは半導体製造の生産性を落とすことにつなが
り、生産コスト等の種々の点で不利となる。
排ガスを燃焼用空気と共に合計1000リットル/minの風量
で電気ヒータ表面温度750°に接触させて酸化分解させ
た場合、下記の式にしたがって、1分間あたり2.7gのSiO2
粉塵が反応筒内で生成される。 SiH4 + 2O2 → SiO2 + 2H2O この条件下で除害装置を稼働させると、反応筒内の粉塵
の除去は例えば2週間に1度程度の頻度で行う必要があ
る。
害において反応を規制する要因として、供給空気量、反
応系内に付与されるエネルギー量(電熱ヒータの表面温
度)、反応筒内を移動するガスの容量速度(反応筒を通
過させる風量)があるが、それ以外に排ガスと空気との
乱流による混合の具合が影響する。すなわち、排ガスと
空気とが層流移動していると反応効率が下がるので、乱
流により両者を混合することが反応効率を高めるうえで
重要である。特に、電熱加熱酸化分解法では、ガス燃焼
法の場合のように火炎燃焼による強い乱流を得ることが
できないので、十分な気流撹拌のためには別途乱流を起
こさせる手段が必要となる。
障害物を配することが有効であるが、このような障害物
の存在は通気抵抗を高くしてしまうと共に、反応により
生成した粉塵を堆積しやすく、これにより通気抵抗が増
加するという悪循環を招くことになるので好ましくな
い。
ガスの除害装置において、反応筒内で乱流を発生させて
排ガスと空気との混合を促進することにより反応効率を
向上させると共に、除害装置内の粉塵堆積を少なくして
通気抵抗の高まりを防止し、粉塵除去作業の頻度を少な
くして生産性を向上させることが望まれている。
スの除害装置は、水溶性成分ガス又は加水分解成分ガス
の少なくともいずれか一方と熱分解成分ガスを含む半導
体製造排ガス中の水溶性成分ガス又は/及び加水分解成
分ガスを除去する水スクラバ(11)と、水洗排ガス中の熱
分解成分ガスを酸化熱分解する酸化加熱分解装置とを有
し、酸化加熱分解装置の反応筒(C)内に水洗排ガスを下
部より上方に向けて導入する筒状のガス導入管(A)の内
面又は外面の少なくともいずれか一方に沿って非接触状
態で円周状に移動する撹拌棒(D),(E)を備えていること
を特徴とする。
において、撹拌棒(D),(E)は鉄合金製又はセラミック製
であり、撹拌棒(D),(E)の本数は1本以上6本以下であ
ることを特徴とすることを特徴とする。
の除害装置の加熱分解装置の概略構成図である。水スク
ラバ等の基本構成は図2と同様の構成である。図1にお
いて(C)は反応筒であり、(1),(2)は断熱材、(3)は電気
ヒータである。
成分を随伴しているので、先述のように水スクラバでそ
れらを水洗除去して、水不溶性のSiH4のような熱分
解性ガスを熱交換機能を有したガス導入管(A)より導入
させる。(4)はガス導入管(A)の導入口である。
風量に対し理論的に酸化分解に要する量以上の過剰空気
を吹き込む。その結果、ガス導入管(A)の上端付近にお
いて熱分解性ガスと空気が混合し、酸化反応を起こす。
ここで、図2の場合と異なり、直接反応筒(C)内に空気
を吹き込んだのは、後述のように反応筒(C)内において
熱分解性ガスと空気を効率良く混合することができるた
め、あえて両者の接触距離を長くして混合させる必要が
ないからである。
反応筒(C)空間にまで及び、反応により生成したSiO2
等の粉塵がガス導入管(A)の上部や、反応筒(C)とガス導
入管(A)との間の空間に付着,堆積し、このまま放置す
れば先述のように通気抵抗が高くなる。
面又はその両方に対し、僅かな間隔を持たせた撹拌棒
(D),(E)を配し、それぞれの撹拌棒(D),(E)の上端を装置
上部に備えられたモータ(6)と回転軸(7)を介して接続さ
れた回転板(8)に取り付けている。
適宜調整すればよいが、1mm〜2mmが好適であっ
た。また、撹拌棒(D),(E)の材質もSUSが好適である
が、耐熱性があり、十分な機械強度,熱衝撃強度の得ら
れる材質であれば他の材質、例えばアルミナ,ムライト
等のセラミック等を使用することができる。
はガス成分(組成)や濃度,風量等に応じて適宜変更す
ればよい。したがって、配置として導入管の内側の内側
撹拌棒のみを有する場合や、導入管の外側の外撹拌棒の
みを有する場合や、内側撹拌棒と外撹拌棒の両方を有し
ている場合がある。撹拌棒の回転に伴う乱流により空気
とガスとがすばやく混合される効果は、煙を導入した試
験で目視により確認することができた。
考えられる。撹拌棒の本数は1〜6本程度が好適であ
る。本数が多いほど、ガスの通過空間を狭めることにな
ると共に、熱歪による変形によりガス導入管壁との接触
の危険性も増すからである。
付けられた各撹拌棒(D),(E)が同心円状に回転する。す
なわち、内側撹拌棒(D)は筒状のガス導入管(A)の内面に
対し約1〜2mmの間隔を保ちつつガス導入管(A)内側
で内面に沿って回転し、外側撹拌棒(E)は導入管(A)の外
面に対し約1〜2mmの間隔を保ちつつガス導入管(A)
外側で外面に沿って回転する。
熱分解性ガスと空気が混合され、反応が効率よく行われ
る。また、各撹拌棒(D),(E)がガス導入管(A)上部の内外
面に付着した粉塵を掻き落とすため、ガス導入管(A)上
部における粉塵の堆積を抑制し通気抵抗の増大を防止す
ることができる。掻き落とされた粉塵は、ガス排出口
(5)等を通って下部の水タンク(12)内に落ち、循環水の
排水とともに排水口から外部に排出される。
具体的に説明する。 [実施例1]概要は上記した通りであるが、本実施例で
は内側撹拌棒(D)と外側撹拌棒(E)の両方を備えている。
内側撹拌棒(D)はガス導入管(A)の内面に対し約2mmの
間隔を持たせて配され、外側撹拌棒(E)はガス導入管(A)
の外面に対し約2mmの間隔を持たせて配されている。
内側撹拌棒(D)と外側撹拌棒(E)の本数は各2本とした。
柱よりなり、内側撹拌棒(D)の長さは300mm、外側
撹拌棒(E)の長さは600mmとした。モータ(6)による
撹拌棒(D),(E)の回転速度は30rpmとした。
ダー状の反応筒内壁表面温度を700℃に設定した状態
で、中心部に設置したガス導入管(A)を通して濃度10
00ppmのSiH4,残部N2からなる混合ガス100
0リットル/minを下方から上方に向けて導入した。
トル/minを導入し、ガス導入管(A)の上端で熱分解
性ガスと空気とを接触させた。同時に撹拌棒の回転によ
りガス導入管(A)上部の内外層において熱分解性ガスと
空気とを混合撹拌し、乱流下でSiH4は酸化分解さ
れ、SiO2を発生した。処理後の放出ガス中にはSi
H4は検知されなかった。
10分当たり27g生成したが、その間に通気抵抗を測
定した結果、ガス導入前の段階で6mmAq(mmH2O)、
除害作業経過5時間後で10mmAqであり、除害作業
の前後においてあまり変化はなかった。
降温させ、ガス導入を停止した後に装置を解体して内部
を目視観察したところ、ガス導入管上部を中心にSiO
2粉塵は極く薄く白色を示す程度であり、堆積状態は認
められなかった。
よりなり、長さ200mmの内側撹拌棒(D)3本を導入
管(B)内壁から2mmの間隔を開けて配した。外側撹拌
棒(E)は使用しなかった。
m,B2H6が10ppm,残部がN2からなる混合ガス
を600リットル/minでガス導入管の下方から上方
に向けて導入した。また、空気を30リットル/min
の割合で供給した。
よる撹拌棒(D)の回転数は25rpmとした。
1ppmが確認されたが、PH3とB 2H6は検出可能値
以下であった。
であったが、除害処理5時間後は8mmAqであり、ほ
とんど変化がなかった。また、装置稼働10時間経過後
に加熱を停止して降温させ、ガス導入を停止した後に装
置を解体して内部を目視観察したところ、ガス導入管上
部を中心にSiO2粉塵は極く薄く白色を示す程度であ
り、堆積状態は認められなかった。
を使用しない以外は実施例1と同一条件で除害装置を稼
働させてSiH4の除害試験を行った。その間における
放出ガス中の残存SiH4は3〜8ppmに達した。通
気抵抗はガス導入前の段階で6mmAq、除害作業経過
5時間後で45mmAqであり、除害作業の前後におい
て大きく増えていることがわかる。
降温させ、ガス導入を停止した後に装置を解体して内部
を目視観察したところ、ガス導入管(A)上部は殆どSi
O2粉塵の堆積で詰まっており、ガス導入管の外側と反
応筒内壁との間の空間にもSiO2粉塵が綿菓子状に付
着していた。逆に、下部の水タンクからの排水は粉塵に
より濁った程度の状態に止まった。
製造排ガスの除害装置において、反応筒のガス導入管内
外で乱流を発生させて排ガスと空気との混合を促進する
ことにより反応効率を向上させると共に、除害装置の粉
塵堆積を少なくして通気抵抗の高まりを防止し、粉塵除
去作業の頻度を少なくして生産性を向上させることがで
きた。
置の概略断面図。
Claims (2)
- 【請求項1】 水溶性成分ガス又は加水分解成分ガスの
少なくともいずれか一方と酸化熱分解成分ガスを含む半
導体製造排ガス中の水溶性成分ガス又は/及び加水分解
成分ガスを除去する水スクラバと、水洗排ガス中の酸化
熱分解成分ガスを酸化熱分解する酸化加熱分解装置とを
有する半導体製造排ガス除害装置であって、 酸化加熱分解装置の反応筒内に水洗排ガスを下部より上
方に向けて導入する筒状のガス導入管の内面又は外面の
少なくともいずれか一方に沿って非接触状態で円周状に
移動する撹拌棒を備えていることを特徴とする半導体製
造排ガス除害装置。 - 【請求項2】 撹拌棒は鉄合金製又はセラミック製であ
り、撹拌棒の本数は1本以上6本以下であることを特徴
とする請求項1の半導体製造排ガス除害装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03831897A JP3625978B2 (ja) | 1997-02-05 | 1997-02-05 | 半導体製造排ガス除害装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03831897A JP3625978B2 (ja) | 1997-02-05 | 1997-02-05 | 半導体製造排ガス除害装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10216471A true JPH10216471A (ja) | 1998-08-18 |
JP3625978B2 JP3625978B2 (ja) | 2005-03-02 |
Family
ID=12521945
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP03831897A Expired - Lifetime JP3625978B2 (ja) | 1997-02-05 | 1997-02-05 | 半導体製造排ガス除害装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3625978B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006150282A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Kanken Techno Co Ltd | 半導体製造装置の排ガス除害装置 |
JP2010099571A (ja) * | 2008-10-22 | 2010-05-06 | Edwards Kk | 除害装置 |
JP2011528991A (ja) * | 2008-07-28 | 2011-12-01 | 洪福 王 | 多機能撹拌機 |
JP2016527467A (ja) * | 2013-07-17 | 2016-09-08 | エドワーズ リミテッド | 放射バーナ用ヘッドアセンブリ |
-
1997
- 1997-02-05 JP JP03831897A patent/JP3625978B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006150282A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Kanken Techno Co Ltd | 半導体製造装置の排ガス除害装置 |
JP2011528991A (ja) * | 2008-07-28 | 2011-12-01 | 洪福 王 | 多機能撹拌機 |
JP2010099571A (ja) * | 2008-10-22 | 2010-05-06 | Edwards Kk | 除害装置 |
JP2016527467A (ja) * | 2013-07-17 | 2016-09-08 | エドワーズ リミテッド | 放射バーナ用ヘッドアセンブリ |
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---|---|
JP3625978B2 (ja) | 2005-03-02 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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