JPH1021585A - スタンパ評価方法及び光デイスク製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は、成形後の光デイスクの品質に対する
信頼性を格段と向上し得るスタンパ評価方法及び光デイ
スク製造方法を実現しようとするものである。 【解決手段】一面に記録信号に応じた凹凸パターンを有
し、光デイスクの凹凸パターンが転写されてなる光透過
性の基部の形成時に金型として使用するスタンパを評価
するスタンパ評価方法において、光デイスクの基部と屈
折率が同じ又は近似する硬化性樹脂でなる透過膜を、ス
タンパの一面に凹凸パターンを覆うように積層形成した
後、光デイスクの基部と屈折率が同じ又は近似し、かつ
基部及び透過膜の厚みの差と厚みが同じ又は近似する光
学収差補正用の透過性基板を介して、レーザ光をスタン
パの一面に照射するようにしたことにより、成形後の光
デイスクの品質に対する信頼性を格段と向上し得るスタ
ンパ評価方法を実現することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【目次】以下の順序で本発明を説明する。 発明の属する技術分野 従来の技術（図８） 発明が解決しようとする課題（図９〜図１１） 課題を解決するための手段 発明の実施の形態 （１）２Ｐレジン膜付スタンパの作成方法（図１及び図
２） （２）２Ｐデイスクの作製方法（図３） （３）２Ｐレジン膜付スタンパ評価装置の構成（図４） （４）２Ｐデイスク評価装置の構成（図５） （５）実施例の動作（図６及び図７） （６）実施例の効果 （７）他の実施例 発明の効果

【０００２】

【発明の属する技術分野】本発明はスタンパ評価方法及
び光デイスク製造方法に関し、例えば光デイスク成形時
に金型となるスタンパに形成された凹凸パターンの再生
信号特性を評価する際に適用して好適なものである。

【０００３】

【従来の技術】従来、図８に示すように、ＣＤ（Compac
t Disc）及びＬＤ（Laser Disc）等の光デイスク１は、
ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）及びＰＣ（ポリ
カーボネート）等の透明樹脂を用いて射出成形等により
作製された基板（以下、これを透明基板と呼ぶ）２のピ
ツト面２Ａ上に、スパツタリング又は蒸着等により光の
反射率の高い金属材料（一般的には純アルミニウム）を
所定の厚みで塗布することにより反射膜層３を形成し、
この反射膜層３上にＵＶ硬化樹脂等でなる保護膜層４を
積層することにより形成されている。

【０００４】この場合、透明基板２のピツト面２Ａには
記録信号に応じた凹凸パターン（例えばピツト及び又は
グルーブ等）５が形成されており、この記録信号の再生
は透明基板２のピツト面２Ａの裏面側からレーザ光を照
射し、当該レーザ光が反射膜層３において反射（反射率
は90〔％〕程度）することにより得られる反射光に基づ
いて行われている。

【０００５】このような光デイスク１を成形する方法と
しては、射出成形法、圧縮成形法及び射出圧縮成形法等
があり、このうち射出成形法は、記録信号に応じた所望
の凹凸パターンが表面に形成されたスタンパを含む金型
内に、加熱溶融した透明基板の材料を加圧射出した後冷
却することにより、当該凹凸パターンが反転された凹凸
パターン５を有する光デイスク１を成形する方法であ
る。

【０００６】この射出成形法によれば、光デイスク１の
成形サイクルを比較的短くし得ると共に、透明基板２の
ピツト面２Ａに対する凹凸パターン５の転写性を十分高
くし得、さらには光デイスク１の大量生産に適すること
から、光デイスク１の成形方法の主流となつている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、射出成形法
を用いて光デイスク１を成形する場合、スタンパに形成
された凹凸パターンを透明基板２のピツト面２Ａに完全
に転写することは非常に困難である。すなわち、透明基
板２の材料や成形技術の違いによつて、透明基板２のピ
ツト面２Ａに転写される凹凸パターン５の形状がスタン
パに形成された凹凸パターンの形状から若干変化する。
このため、同一のスタンパを用いて射出成形した複数の
光デイスク１間では、透明基板２の材料や成形技術の相
違によつて再生信号特性が若干異なるという問題があつ
た。

【０００８】従つて、スタンパに形成された凹凸パター
ンの良否を判定するには、成形後の光デイスク１の再生
信号特性を評価する方法が一般的に用いられている。具
体的には、図９に示すように、一般的な光デイスク用に
製造された光ピツクアツプ（レーザ光の波長 780〔n
m〕、対物レンズ１４の開口数（ＮＡ）＝0.45）を有す
る光デイスク評価装置１０を用いて光デイスク１の再生
信号特性を評価する。

【０００９】この光デイスク評価装置１０においては、
例えば半導体レーザでなるレーザ光源１１から出射され
たレーザ光Ｌ１は、ビームスプリツタ１２を通過した
後、コリメータレンズ１３を介して平行光に変換され、
対物レンズ１４に入射される。対物レンズ１４を介した
レーザ光Ｌ１は、光デイスク１の透明基板２のピツト面
２Ａの裏面側から入射され、当該透明基板２を透過して
ピツト面２Ａに集光照射される。この場合、対物レンズ
１４は、レーザ光Ｌ１が透明基板２を透過してピツト面
２Ａに集光照射し得るように、レーザ光Ｌ１の光路上の
所定位置に配置されている。

【００１０】また光デイスク１は、回転駆動部（図示せ
ず）の出力軸に取り付けられたターンテーブル１５上に
載置され、当該回転駆動部の回転駆動に応じてターンテ
ーブル１５と一体となつて矢印ａで示す方向又はこれと
は逆方向に回転するようになされている。

【００１１】透明基板２のピツト面２Ａに集光照射され
たレーザ光Ｌ１は、当該ピツト面２Ａの反射膜層３にお
いて凹凸パターン５の有無に応じた光の干渉による光量
変化が生じる。この後、反射膜層３から得られる反射戻
り光Ｌ２は、対物レンズ１４及びコリメータレンズ１３
を順次介してビームスプリツタ１２で反射された後、フ
オトデイテクタ１６に入射される。

【００１２】フオトデイテクタ１６は、反射戻り光Ｌ２
の光量変化を検出した後、当該検出結果でなる電気信号
Ｓ１を評価部１７に送出する。評価部１７は、電気信号
Ｓ１に基づいて凹凸パターン５に応じた記録信号を読み
取り、当該読み取り結果としての再生信号特性を評価す
る。

【００１３】ところが、このように成形後の光デイスク
１の再生信号特性を光デイスク評価装置１０を用いて評
価する方法では、評価結果が否定的であつた場合、光デ
イスク１が不良品となるばかりでなく、当該光デイスク
１を作製するために使用した樹脂材料や作製時間を無駄
にすることになる。このため、光デイスク１を成形する
前段階において、スタンパに形成された凹凸パターンの
再生信号特性を直接評価する方法が提案されている。

【００１４】まず第１の評価方法として、図９との対応
部分に同一符号を付した図１０に示すようなスタンパ評
価装置２０を用いたスタンパ２１の評価方法が提案され
ている。このスタンパ評価装置２０は、図９に示す光デ
イスク評価装置１０と異なり、対物レンズ１４の後段に
透明補正板２２が一体となつて固定部材２３により固定
保持されている。この場合、透明補正板２２は、光デイ
スク１の透明基板２と厚さ及び屈折率が同等でなり、レ
ーザ光Ｌ１が透明基板２を透過してピツト面２Ａに集光
照射し得るように（すなわち対物レンズ１４を介したレ
ーザ光Ｌ１の光学収差を補正し得るように）、対物レン
ズ１４に対する相対位置が予め設定されている。またタ
ーンテーブル１５上には、光デイスク１に代えてスタン
パ２１が載置されている。

【００１５】これにより、スタンパ２１の一面２１Ａに
集光照射されたレーザ光Ｌ１は、当該一面２１Ａにおい
て凹凸パターン２３の有無に応じた光の干渉による光量
変化が生じる。この後、スタンパ２１の一面２１Ａから
得られる反射戻り光Ｌ３は、透明補正板２２、対物レン
ズ１４及びコリメータレンズ１３を順次介してビームス
プリツタ１２で反射された後、フオトデイテクタ１６に
入射される。フオトデイテクタ１６は、反射戻り光Ｌ３
の光量変化を検出した後、当該検出結果でなる電気信号
Ｓ２を評価部１７に送出する。評価部１７は、電気信号
Ｓ２に基づいて凹凸パターン２３に応じた記録信号を読
み取り、当該読み取り結果としての再生信号特性を評価
する。

【００１６】ところで、このように第１の評価方法で
は、レーザ光Ｌ１を反射膜層等を介することなく直接的
にスタンパ２１の一面２１Ａに照射して凹凸パターン２
３に基づく再生信号特性を評価するのに対して、光デイ
スク評価装置１０を用いて光デイスク１の再生信号特性
を評価する方法では、透明基板２のピツト面２Ａの裏面
側からレーザ光Ｌ１を照射して凹凸パターン５に基づく
再生信号特性を評価する。このため、光デイスク評価装
置１０を用いて光デイスク１の再生信号特性を評価する
方法による反射戻り光Ｌ２の波長は、第１の評価方法に
よる反射戻り光Ｌ３の波長に対して、光デイスク１の透
明基板２の屈折率の逆倍数だけ短くなる。

【００１７】従つて、第１の評価方法によつて得られた
肯定的な評価結果は、実際に第１の評価方法によつて肯
定的な評価結果が得られたスタンパ２１を用いて光デイ
スク１を作製した後、当該光デイスク１の再生信号特性
を光デイスク評価装置１０を用いて評価した場合の肯定
的な評価結果と比較して、変調度及びプツシユプル信号
等の再生信号特性値に大きな差が生じることとなる。

【００１８】具体的に、光デイスク１としてコンパクト
デイスク（ＣＤ）を用いた場合について説明する。通
常、コンパクトデイスク１の透明基板２は屈折率ｎ
₁ （＝ 1.5程度）でなり、また反射膜層３から得られる
反射戻り光Ｌ２は空気中において波長λ₀ （＝ 780〔n
m〕程度）でなる。このため反射戻り光Ｌ２の波長λ₁
は、透明基板２を透過することにより当該透明基板２の
屈折率ｎ₁ の逆数倍だけ短くなり、次式

【数１】 で表される。またこのコンパクトデイスク１において
は、凹凸パターン５の溝の深さ（以下、これを凹凸の深
さと呼ぶ）ｄ₁ が反射戻り光Ｌ２の波長の１／４の値で
なるときに変調度が最大となる特性を有する。従つて通
常、コンパクトデイスク１では、その凹凸の深さｄ₁ が
次式

【数２】 で示す値で転写されるように、転写元となるスタンパの
凹凸パターンの高さが予め設定されている。

【００１９】これに対して、第１の評価方法において
は、波長λ₀ （＝ 780〔nm〕程度）でなるレーザ光Ｌ１
が空気中におけるスタンパ２１の一面２１Ａに照射され
ると共に、スタンパ２１に形成される凹凸パターン２３
の高さ（以下、これを凹凸の高さと呼ぶ）ｈ₁ は、コン
パクトデイスク１における凹凸の深さｄ₁ （＝ 130〔n
m〕）と同じ値になる。従つて、凹凸の高さｈ₁ に対す
る反射戻り光Ｌ３の波長の割合ｘは、空気中の屈折率ｎ
₀ （＝１）とすると、次式

【数３】 で表され、この式（３）に凹凸の高さｈ₁ ＝ 130〔n
m〕、屈折率ｎ₀ ＝１及び波長λ₀ ＝ 780〔nm〕を代入
すると、次式

【数４】 に示すように割合ｘは１／６となり、すなわち凹凸の高
さｈ₁ は反射戻り光Ｌ３の波長に対して１／６の値とな
る。このためスタンパ２１における変調度は、コンパク
トデイスク１における変調度と比較して小さい値とな
る。

【００２０】またプツシユプル信号は、凹凸の高さｈ₁
が反射戻り光Ｌ３の波長に対して１／８の値でなるとき
最大となる。この場合、コンパクトデイスク１は凹凸の
深さｄ₁ が反射戻り光Ｌ２の波長に対して１／４の値に
なるのに対して、スタンパ２１では凹凸の高さｈ₁ が反
射戻り光Ｌ３の波長に対して１／６の値となる。このた
め、スタンパ２１におけるプツシユプル信号は、コンパ
クトデイスク１のプツシユプル信号と比較して格段と大
きい値となる。

【００２１】このようにスタンパ２１における変調度及
びプツシユプル信号等の再生信号特性値と、コンパクト
デイスク１における変調度及びプツシユプル信号等の再
生信号特性値とでは格段と大きな差が生じ、当該差を縮
めるべくスタンパ２１及びコンパクトデイスク１間で変
調度及びプツシユプル信号等の再生信号特性値を相関関
係を有するように調整することは非常に困難となる問題
があつた。

【００２２】次に第２の評価方法として、図９との対応
部分に同一符号を付した図１１に示すようなスタンパ評
価装置３０を用いたスタンパ２１の評価方法が提案され
ている。このスタンパ評価装置３０は、図９に示す光デ
イスク評価装置１０と被評価対象物が異なること以外は
同様の構成でなる。この場合、ターンテーブル１５上に
載置したスタンパ２１には、当該スタンパ２１とほぼ同
一の平面形状でなる透明補正円盤３１が貼り着けられる
と共に、スタンパ２１及び透明補正円盤３１間には透明
な液体でなるグリセリン３２が充填されている。

【００２３】この場合、透明補正円盤３１は光デイスク
１の透明基板２と厚さ及び屈折率が同等でなり、レーザ
光Ｌ１がスタンパ２１の一面２１Ａに集光照射し得るよ
うに、対物レンズ１４に対する相対位置が予め設定され
ている。これにより、透明補正円盤３１を透過してスタ
ンパ２１の一面２１Ａに集光照射されたレーザ光Ｌ１
は、当該一面２１Ａで反射して反射戻り光Ｌ４としてフ
オトデイテクタ１６に入射される。このフオトデイテク
タ１６は反射戻り光Ｌ４の光量変化を検出した後、当該
検出結果でなる電気信号Ｓ３を評価部１７に送出する。
これにより評価部１７は、電気信号Ｓ３に基づいて凹凸
パターン２３に応じた記録信号を読み取り、当該読み取
り結果としての再生信号特性を評価する。

【００２４】ここで、グリセリン３２の屈折率ｎ₂ （＝
1.47）は透明基板２の屈折率ｎ₁ （＝ 1.5程度）とほぼ
同等でなり、またスタンパ２１の一面２１Ａから得られ
る反射戻り光Ｌ４は空気中において波長λ₀ （＝ 780
〔nm〕程度）でなる。このためスタンパ２１の一面２１
Ａから得られる反射戻り光Ｌ４の波長λ₄ は、透明基板
２を透過することにより当該透明基板２の屈折率ｎ₁ の
逆数倍だけ短くなり、次式

【数５】 で表され、コンパクトデイスク１の透明基板２上の反射
膜層３から得られる反射戻り光Ｌ２（図９）とほぼ同じ
値を示すことがわかる。かくして第２の評価方法によれ
ば、スタンパ２１における変調度及びプツシユプル信号
等の再生信号特性値と、コンパクトデイスク１における
変調度及びプツシユプル信号等の再生信号特性値とでは
ほぼ同じ値が得られることとなる。

【００２５】ところが、この第２の評価方法において
は、スタンパ２１が載置されたターンテーブル１５を高
速回転させたとき、当該スタンパ２１及び透明補正円盤
３１間に充填されているグリセリン３２が遠心力によつ
て飛び散るおそれがあり、この場合スタンパ２１に形成
された凹凸パターンの再生信号特性を評価することが非
常に困難となる問題があつた。

【００２６】また、スタンパ２１及び透明補正円盤３１
間にグリセリン３２を充填する際、又は透明補正円盤３
１をスタンパ２１から剥離する際に、スタンパ２１の一
面２１Ａを傷つけてしまうおそれがあつた。さらにスタ
ンパ２１の評価後には、次の工程に移行するためにグリ
セリン３２を洗い流さなければならず、作業効率が悪く
なる等の煩雑さがあつた。

【００２７】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、成形後の光デイスクの品質に対する信頼性を格段と
向上し得るスタンパ評価方法及び光デイスク製造方法を
提案しようとするものである。

【００２８】

【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、一面に記録信号に応じた凹凸パタ
ーンを有し、光デイスクの凹凸パターンが転写されてな
る光透過性の基部の形成時に金型として使用するスタン
パを評価するスタンパ評価方法において、光デイスクの
基部と屈折率が同じ又は近似する硬化性樹脂でなる透過
膜を、スタンパの一面に凹凸パターンを覆うように積層
形成した後、光デイスクの基部と屈折率が同じ又は近似
し、かつ基部及び透過膜の厚みの差と厚みが同じ又は近
似する光学収差補正用の透過性基板を介して、レーザ光
をスタンパの一面に照射する。続いて、スタンパの一面
に形成された凹凸パターンから得られる反射光の光量変
化を検出し、当該検出結果に基づいて凹凸パターンから
得られる再生信号特性を評価するようにする。

【００２９】これにより、スタンパを金型として成形さ
れた光デイスクの再生信号特性を評価することなく、ス
タンパの再生信号特性の評価結果に基づいて光デイスク
の再生信号特性を評価することができ、この結果光デイ
スクが不良品であつた場合に当該光デイスクを成形する
ために使用した樹脂材料や作製時間を無駄にするのを回
避し得る。

【００３０】

【発明の実施の形態】以下図面について、本発明の一実
施例を詳述する。

【００３１】（１）２Ｐ（photo polymerization）レジ
ン膜付スタンパの作製方法 まず使用済のガラス板（厚さ6 〔mm〕程度）を酸、アル
カリ又は有機溶剤等を用いて洗浄し、次いでこのガラス
板の一面を酸化セリウム等を用いて極めて平滑に研磨す
ることによりガラス板を再生した後、当該ガラス板を純
水を用いて超音波洗浄により精密洗浄する。この後、ガ
ラス板が載置されたターンテーブルを高速回転すること
により当該ガラス板の一面上に残存する純水を振り切
る。

【００３２】続いてガラス板をレジストコータ内のター
ンテーブル上に載置した後、当該ガラス板の一面上にス
ピンコート法を用いてフオトレジスト（例えばHochst社
製のAZ1350（製品名））を塗布することにより、膜厚 1
50±３〔nm〕程度のレジスト層を形成する。この後、ガ
ラス板を内部温度が60〔℃〕程度に設定された温風乾燥
装置の内部に30〔min 〕程度放置して乾燥させる。この
場合、レジスト層の屈折率は、光デイスクの透明基板
（ポリカーボネート）の屈折率（1.58〜1.59程度）と非
常に近い値に選定されている。

【００３３】続いて、光学カツテイングマシン（例えば
Sony社製のDMC-1200 (製品名））を用いてガラス板の一
面上に形成されたレジスト層に所望の記録信号に基づく
レーザ光を露光して、当該レジスト層に記録信号に応じ
たパターンで潜像を形成する。因みに、光学カツテイン
グマシンにおける露光条件は、線速 1.4〔m/sec 〕程
度、トラツクピツチ 1.6〔μｍ〕程度、プログラム時間
65〔min 〕程度、カツテイングレーザ波長 441.6〔nm〕
及びレーザパワー 0.7〔mW〕程度でなる。

【００３４】さらにガラス板を現像装置内のターンテー
ブル上に載置した後、当該ガラス板を回転しながら、当
該ガラス板のレジスト層上に現像液を散布する。これに
よりガラス板のレジスト層に形成された潜像部分が現像
液によつて溶解され、この結果ガラス板の一面上に残存
するフオトレジスト（以下、これを残存レジストと呼
ぶ）からなる凹凸パターンが形成される。続いてこの残
存レジストの表面及び当該残存レジストを介して露出す
るガラス板の一面上に、無電解メツキ法等によりニツケ
ルをメツキすることにより導電化膜層を形成する。

【００３５】次いで導電化膜層が形成されたガラス板を
電鋳装置に取り付け、当該導電化膜層上に電気メツキ法
を施すことにより、膜厚 300±５〔μｍ〕程度のニツケ
ル電鋳層を積層形成する。この後、このニツケル電鋳層
及び導電化膜層を一体にガラス板からカツタ等を用いて
剥離し、その表面をアセトン等の有機溶剤を用いて洗浄
することにより、スタンパを得ることができる。

【００３６】このスタンパの一面を覆うように、屈折率
1.53でなる透明な感光性樹脂( 以下、これを２Ｐレジン
と呼ぶ）を所定の膜厚で平滑に塗布した後、ＵＶランプ
を用いて紫外線を照射して透過膜としての２Ｐレジン膜
を硬化させることにより、評価用のスタンパ（以下、こ
れを２Ｐレジン膜付スタンパと呼ぶ）を作製することが
できる。このようにして図１に示すような２Ｐレジン膜
付スタンパ４０が作製され、当該２Ｐレジン膜付スタン
パ４０はスタンパ４１の一面４１Ａに形成された凹凸パ
ターン４２が２Ｐレジン膜４３で覆われた構造を有す
る。

【００３７】ここで、２Ｐレジン膜付スタンパ４０のス
タンパ４１の一面４１Ａに記録信号に応じた凹凸パター
ン４２を記録する際、スタンパ４１の一面４１Ａの記録
領域を環状に分割して複数のゾーンＺＯ１、ＺＯ２、Ｚ
Ｏ３……を形成し、図２に示すように各ゾーン毎にレー
ザパワーの出力を切り換えて記録信号に基づく凹凸パタ
ーン４２を記録する（すなわちゾーニングする）ことに
より、記録領域を有効に使用してスタンパ４１の各ゾー
ン毎に再生信号特性の変化したものを形成することがで
き、かくして１枚のスタンパ４１で種々の再生信号特性
を得ることができる。

【００３８】（２）２Ｐデイスクの作製方法 ここで図３は２Ｐデイスク５０を示し、当該２Ｐデイス
ク５０は、図１に示す２Ｐレジン膜付スタンパ４０の作
製過程において得られたスタンパ４１を金型として成形
される。以下、この２Ｐデイスク５０の作製方法につい
て説明する。まず上述したスタンパ４１の一面を覆うよ
うに第１の基部としての２Ｐレジン膜４３を所定の膜厚
で平滑に塗布した後、当該２Ｐレジン膜４３の一面４３
Ａに膜厚 1.2〔mm〕かつ屈折率1.49のＰＭＭＡ（ポリメ
チルメタクリレート）でなる第２の基部としての透明補
正円盤５１を密着させて、当該透明補正円盤５１及び２
Ｐレジン膜４３間に泡やゴミ等が侵入するのを防止す
る。

【００３９】続いて、透明補正円盤５１及び２Ｐレジン
膜４３にＵＶランプを用いて紫外線を照射することによ
り２Ｐレジン膜４３を硬化させた後、スタンパ４１を剥
離する。次いで、２Ｐレジン膜４３の他面４３Ｂに転写
されてなる凹凸パターン５２を覆うように、当該他面４
３Ｂにアルミニウム反射膜５３を蒸着した後、当該アル
ミニウム反射膜５３上に重ねて保護膜５４を塗布するこ
とにより２Ｐデイスク５０を作製する。

【００４０】（３）２Ｐレジン膜付スタンパ評価装置の
構成 図１０との対応部分に同一符号を付して示す図４におい
て、２Ｐレジン膜付スタンパ評価装置（Sony社製 OPS-1
90（製品名））６０は、上述した工程により作製された
２Ｐレジン膜付スタンパ４０（図１）の凹凸パターン４
２にレーザ光Ｌ１を照射することにより得られる反射戻
り光Ｌ５に基づいて当該凹凸パターン４２の再生信号特
性を評価する。

【００４１】この２Ｐレジン膜付スタンパ評価装置６０
は、従来のスタンパ評価装置２０（図１０）とほぼ同様
の構成を有し、一般的な光デイスク用に製造された光ピ
ツクアツプ（レーザ光Ｌ１の波長 780〔nm〕、対物レン
ズ１４の開口率（ＮＡ）＝0.45）に透明補正板２２が付
加された光学系と、評価部１７とで構成されている。

【００４２】この場合、透過性基板としての透明補正板
２２の厚さは 1.2〔mm〕（コンパクトデイスク基板の厚
さ）でなり、またその屈折率は光デイスクの透明基板の
材料として最も多く用いられているポリカーボネートの
屈折率（1.58〜1.59程度）と非常に近い値（1.57）に選
定されている。さらに透明補正板２２は、対物レンズ１
４の後段におけるレーザ光Ｌ１の光路上の所定位置から
当該光路外の所定位置までスライド自在に設けられてい
る。

【００４３】この２Ｐレジン膜付スタンパ評価装置６０
を用いて２Ｐレジン膜付スタンパ４０の再生信号特性を
評価する場合には、ターンテーブル１５上に２Ｐレジン
膜付スタンパ４０を載置すると共に、透明補正板２２を
対物レンズ１４の後段におけるレーザ光Ｌ１の光路上の
所定位置に位置決めしておく。

【００４４】これにより、対物レンズ１４を介して所定
のビーム径に集光されたレーザ光Ｌ１は、透明補正板２
２によつて光学収差が補正された後、２Ｐレジン膜４３
を透過して２Ｐレジン膜付スタンパ４０の一面４０Ａに
集光照射される。この後、２Ｐレジン膜付スタンパ４０
の一面４０Ａで反射した反射戻り光Ｌ５がフオトデイテ
クタ１６に入射され、当該フオトデイテクタ１６は反射
戻り光Ｌ５の光量変化を検出した後、当該検出結果でな
る電気信号Ｓ４を評価部１７に送出する。これにより評
価部１７は、電気信号Ｓ４に基づいて凹凸パターン４２
に応じた記録信号を読み取り、当該読み取り結果として
の再生信号特性を評価する。

【００４５】（４）２Ｐデイスク評価装置の構成 図４との対応部分に同一符号を付して示す図５におい
て、２Ｐデイスク評価装置７０は、図４に示す２Ｐレジ
ン膜付スタンパ評価装置６０と同一構成からなる。この
２Ｐデイスク評価装置７０を用いて２Ｐデイスク５０の
再生信号特性を評価する場合には、ターンテーブル１５
上に２Ｐデイスク５０を載置すると共に、透明補正板２
２を対物レンズ１４の後段におけるレーザ光Ｌ１の光路
外の所定位置までスライド移動させておく。

【００４６】これにより、対物レンズ１４を介して所定
のビーム径に集光されたレーザ光Ｌ１は、透明補正円盤
５１及び２Ｐレジン膜４３を透過してアルミニウム反射
膜５３上に球面収差がほとんどなく集光照射される。こ
の後、アルミニウム反射膜５３上で反射した反射戻り光
Ｌ６がフオトデイテクタ１６に入射され、当該フオトデ
イテクタ１６は反射戻り光Ｌ６の光量変化を検出した
後、当該検出結果でなる電気信号Ｓ５を評価部１７に送
出する。これにより評価部１７は、電気信号Ｓ５に基づ
いて凹凸パターン５２に応じた記録信号を読み取り、当
該読み取り結果としての再生信号特性を評価する。

【００４７】このようにゾーンＺＯ１〜ＺＯ５毎に記録
信号に応じた凹凸パターン５２が記録された２Ｐデイス
ク５０を成形し、当該２Ｐデイスク５０の再生信号特性
をそれぞれゾーンＺＯ１〜ＺＯ５毎に評価する。

【００４８】（５）実施例の動作 以上の構成において、２Ｐレジン膜付スタンパ４０及び
２Ｐデイスク５０についての評価結果をそれぞれ図６及
び図７に示す。ここでＪＩＳ規格によれば、ＣＤについ
て、クロストークは50〔％〕未満となるように設定する
必要があり、また最短ピツト（３Ｔ）の変調度Ｉ₃ は
0.3〜0.7 の間の値、及び最長ピツト（１１Ｔ）の変調
度Ｉ₁₁は 0.6以上の値を示す必要がある。さらにプツシ
ユプル信号のエラーレベル（Radial offset 感度) は、
0.04〜0.07／0.1 〔μｍ〕を満たす必要がある。

【００４９】このように図６によれば、２Ｐデイスク５
０の評価結果は全てのゾーンにおいてＪＩＳ規格内であ
り、このことは各ゾーン毎に切り換えたレーザパワーの
マージンがそれぞれ十分大きいことを表している。また
図７によれば、２Ｐレジン膜付スタンパ４０の評価結果
は各ゾーン毎に２Ｐデイスク５０の評価結果とほぼ同じ
傾向を示す。

【００５０】因みに、２Ｐデイスク５０の評価結果に比
べて２Ｐレジン膜付スタンパ４０の評価結果では、変調
度Ｉ₃ 及びＩ₁₁並びにプツシユプル信号のエラーレベル
が若干低い値を示すが、これは２Ｐデイスク５０の透明
補正円盤（ポリカーボネート）５１の屈折率1.49と、ス
タンパ評価装置６０内の透明補正板２２の屈折率1.57と
の違いによるものと考えられる。

【００５１】この結果、２Ｐレジン膜付スタンパ４０の
評価結果と２Ｐデイスク５０の評価結果との相関関係を
取るとき、すなわち２Ｐデイスク５０の評価結果を表わ
す再生信号特性値をそれぞれ規格値の基準として２Ｐレ
ジン膜付スタンパ４０の評価結果を表わす再生信号特性
値の相関値をとるとき、これらはそれぞれ規格範囲内で
あると判定することができる。なお、２Ｐレジン膜付ス
タンパ４０の評価結果のうちプツシユプル信号について
は若干留意する必要がある。

【００５２】従つて、２Ｐレジン膜付スタンパ４０の評
価結果に基づいて、２Ｐデイスク５０の評価結果を判定
することができ、かくして２Ｐデイスク５０の変調度及
びプツシユプル信号等の再生信号特性値を評価する必要
がなくて済む。

【００５３】これにより、２Ｐデイスク５０を成形する
前段階で当該２Ｐデイスク５０の再生信号特性を評価す
ることができるため、２Ｐデイスク５０の再生信号特性
の評価結果が否定的であつた場合に当該２Ｐデイスク５
０を成形するために使用した樹脂材料や作製時間を無駄
にするのを回避し得る。さらに同一の２Ｐレジン膜付ス
タンパ４０を金型として複数の２Ｐデイスク５０を成形
した場合でも、基板材料や成形技術により各デイスク間
で再生信号特性が異なるのを回避し得る。

【００５４】また２Ｐレジン膜付スタンパ評価装置６０
においては、透明補正板２２の屈折率及び厚みが一般的
な光デイスク１の透明基板２（図８）とほぼ同等でなる
ことから、従来の光デイスク用の光ピツクアツプが設け
られたスタンパ評価装置３０（図１１）にスライド移動
自在な透明補正板２２を付加したものを用いて、２Ｐレ
ジン膜付スタンパ４０の凹凸パターン５２に応じた記録
信号を読み取ることができる。従つて、２Ｐレジン膜付
スタンパ評価装置６０の光学系を安価でかつ簡易に構成
することができる。

【００５５】また２Ｐレジン膜付スタンパ４０は、通常
のスタンパ４１の一面４１Ａに形成された凹凸パターン
４２を覆うように２Ｐレジン膜４３を平滑に塗布した
後、ＵＶランプを用いて紫外線を照射して２Ｐレジン膜
４３を硬化させるのみで作製することができ、この結
果、光デイスク１の透明基板２を透過して得られる反射
戻り光Ｌ２の波長が当該透明基板２の屈折率の逆数倍だ
け短くなり得る（図９）のと同等の効果を得ることがで
きる。

【００５６】さらに２Ｐレジン膜４３はスタンパ４１に
硬化しているため、スタンパ４１が載置されたターンテ
ーブル１５を高速回転させたとき、２Ｐレジン膜４３が
遠心力によつて飛び散るのを防止することができると共
に、スタンパ４１の保護膜としての役割も果たすことが
できる。

【００５７】（６）実施例の効果 以上の構成によれば、２Ｐレジン膜付スタンパ評価装置
６０において、従来の光デイスク用の光ピツクアツプ内
における対物レンズ１４の後段に、２Ｐレジン膜付スタ
ンパ４０を金型として得られる２Ｐデイスク５０の透明
補正円盤５１とほぼ同等でなる屈折率及び厚みを有する
透明補正板２２を設けると共に、２Ｐデイスク５０と共
通する２Ｐレジン膜４３がスタンパ４１の一面４１Ａに
形成された凹凸パターン４２を覆うように当該一面４１
Ａに塗布されてなる２Ｐレジン膜付スタンパ４０を設け
たことにより、２Ｐデイスク５０の再生信号特性を評価
することなく、２Ｐレジン膜付スタンパ４０の再生信号
特性の評価結果に基づいて２Ｐデイスク５０の再生信号
特性を評価することができ、この結果２Ｐデイスク５０
が不良品であつた場合に当該２Ｐデイスク５０を成形す
るために使用した樹脂材料や作製時間を無駄にするのを
回避し得、かくして成形後の２Ｐデイスク５０の品質に
対する信頼性を格段と向上し得る。

【００５８】（７）他の実施例 なお上述の実施例においては、２Ｐレジン膜付スタンパ
４０を作製するにあたつて、スタンパ４１の一面４１Ａ
に形成された凹凸パターン４２を覆うように透過膜とし
ての２Ｐレジン膜４３を塗布するようにした場合につい
て述べたが、本発明はこれに限らず、２Ｐレジン膜４３
の屈折率（1.53）と同一の屈折率を有する透過膜であれ
ば種々の感光性樹脂及び熱硬化型樹脂等を適用しても良
い。この場合、実験結果によれば、２Ｐレジン膜４３の
屈折率は、一般的な光デイスクの基部として用いられる
ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）の屈折率（1.58
〜1.59程度）との差が 0.2以下であれば良い。このこと
は、２Ｐデイスク５０の第１の基部としての２Ｐレジン
膜４３についても上述と同様である。

【００５９】また上述の実施例においては、対物レンズ
１４の後段に透過性基板としての透明補正板２２を配置
するようにした場合について述べたが、本発明はこれに
限らず、透明補正板２２の屈折率（1.57）と同じ又は近
似する屈折率を有する種々の材質でなる基板を適用して
も良い。この場合、実験結果によれば、透明補正板２２
の屈折率は、２Ｐデイスク５０の第２の基部としての透
明補正円盤５１の屈折率（1.49）との差が 0.1以下であ
れば良い。

【００６０】さらに上述の実施例においては、透過性基
板としての透明補正板２２の厚みを、２Ｐデイスク５０
の第２の基部としての透明補正円盤５１の厚みと同じ又
は近似するようにした場合について述べたが、本発明は
これに限らず、一般的な光デイスクの厚みが 1.2〔mm〕
であることを考慮して、透明補正板２２の厚みは透明補
正円盤５１の厚みに対して差分が 0.1〔mm〕以下であれ
ば良い。

【００６１】さらに上述の実施例においては、光デイス
ク１としてコンパクトデイスク（ＣＤ）に本発明を適用
した場合について述べたが、本発明はこれに限らず、例
えば種々のピツト又はグルーブを有するＭＤ（Mini Dis
c ）、ＭＯ（Magnet Optical）及びＤＶＤ（ Digital V
ersatile Disc ）等に適用しても良い。

【００６２】さらに上述の実施例においては、成形後の
２Ｐデイスク５０を、第１の基部でなる２Ｐレジン膜４
３と第２の基部でなる透明補正円盤５１とを密着させた
ものを用いた場合について述べたが、本発明はこれに限
らず、成形後の光デイスクを透過膜（２Ｐレジン膜４
３）及び透過性基板（透明補正板２２）の厚みの和とほ
ぼ同等な厚みを有すると共に、当該透過膜及び透過性基
板と屈折率がほぼ同等な屈折率を有する単一の基部（図
示せず）で構成するようにしても良い。

【００６３】

【発明の効果】上述のように本発明によれば、一面に記
録信号に応じた凹凸パターンを有し、光デイスクの凹凸
パターンが転写されてなる光透過性の基部の形成時に金
型として使用するスタンパを評価するスタンパ評価方法
において、光デイスクの基部と屈折率が同じ又は近似す
る硬化性樹脂でなる透過膜を、スタンパの一面に凹凸パ
ターンを覆うように積層形成した後、光デイスクの基部
と屈折率が同じ又は近似し、かつ基部及び透過膜の厚み
の差と厚みが同じ又は近似する光学収差補正用の透過性
基板を介して、レーザ光をスタンパの一面に照射するよ
うにしたことにより、スタンパを金型として得られる光
デイスクの再生信号特性を評価することなく、スタンパ
の再生信号特性の評価結果に基づいて光デイスクの再生
信号特性を評価することができ、かくして、成形後の光
デイスクの品質に対する信頼性を格段と向上し得るスタ
ンパ評価方法を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例による２Ｐレジン膜付スタンパの構成を
示す断面図である。

【図２】各ゾーンに応じたレーザパワーの出力を示す図
表である。

【図３】実施例による２Ｐデイスクの構成を示す断面図
である。

【図４】実施例による２Ｐレジン膜付スタンパ評価装置
の構成を示すブロツク図である。

【図５】実施例による２Ｐデイスク評価装置の構成を示
すブロツク図である。

【図６】２Ｐレジン膜付スタンパの再生信号特性の評価
結果を示す図表である。

【図７】２Ｐデイスクの再生信号特性の評価結果を示す
図表である。

【図８】従来の光デイスクの構成を示す部分的断面図で
ある。

【図９】従来の光デイスク評価装置の構成を示すブロツ
ク図である。

【図１０】従来のスタンパ評価装置の構成を示すブロツ
ク図である。

【図１１】従来のスタンパ評価装置の構成を示すブロツ
ク図である。

【符号の説明】

１１……レーザ光源、１２……ビームスプリツタ、１３
……コリメータレンズ、１４……対物レンズ、１５……
ターンテーブル、１６……デイテクタ、１７……評価
部、２２……透明補正板、４０……２Ｐレジン膜付スタ
ンパ、４１……スタンパ、４２……凹凸パターン、４３
……２Ｐレジン膜、５０……２Ｐデイスク、５１……透
明補正円盤、５２……凹凸パターン、５３……アルミニ
ウム反射膜、５４……保護膜、６０……２Ｐレジン膜付
スタンパ評価装置、７０……２Ｐデイスク評価装置。

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】一面に記録信号に応じた凹凸パターンを有
   し、光デイスクの上記凹凸パターンが転写されてなる光
   透過性の基部の形成時に金型として使用するスタンパを
   評価するスタンパ評価方法において、 上記光デイスクの上記基部と屈折率が同じ又は近似する
   硬化性樹脂でなる透過膜を、上記スタンパの上記一面に
   上記凹凸パターンを覆うように積層形成する第１のステ
   ツプと、 上記光デイスクの上記基部と屈折率が同じ又は近似し、
   かつ上記基部及び上記透過膜の厚みの差と厚みが同じ又
   は近似する光学収差補正用の透過性基板を介して、レー
   ザ光を上記スタンパの上記一面に照射する第２のステツ
   プと、 上記スタンパの上記一面に形成された上記凹凸パターン
   から得られる反射光の光量変化を検出し、当該検出結果
   に基づいて上記凹凸パターンから得られる再生信号特性
   を評価する第３のステツプとを具えることを特徴とする
   スタンパ評価方法。
2. 【請求項２】上記透過性基板は、上記レーザ光の光路上
   及び光路外を移動自在に設けられたことを特徴とする請
   求項１に記載のスタンパ評価方法。
3. 【請求項３】上記透過性基板の屈折率と上記光デイスク
   の上記基部の屈折率との差は 0.1以下でなることを特徴
   とする請求項１に記載のスタンパ評価方法。
4. 【請求項４】上記透過膜及び上記透過性基板の厚みの和
   と、上記光デイスクの上記基部の厚みとの差が 0.1〔m
   m〕以下でなることを特徴とする請求項１に記載のスタ
   ンパ評価方法。
5. 【請求項５】一面に記録信号に応じた凹凸パターンを有
   するスタンパを金型として光デイスクを成形する光デイ
   スク製造方法において、 上記光デイスクの上記凹凸パターンが転写されてなる硬
   化性樹脂でなる透過膜を、上記スタンパの上記一面に上
   記凹凸パターンを覆うように積層形成することにより光
   透過性の第１の基部を形成する第１のステツプと、 上記光デイスクの上記第１の基部と屈折率が同じ又は近
   似し、かつ所定の厚みを有する光学収差補正用の透過性
   基板を介して、レーザ光を上記スタンパの上記一面に照
   射する第２のステツプと、 上記スタンパの上記一面に形成された上記凹凸パターン
   から得られる反射光の光量変化を検出し、当該検出結果
   に基づいて上記凹凸パターンから得られる再生信号特性
   を評価する第３のステツプと、 上記評価結果が肯定的なときに、上記スタンパの上記一
   面に形成された上記第１の基部に、上記透過性基板と厚
   み及び屈折率が同じ又は近似する第２の基部を積層する
   第４のステツプと、 上記第１の基部から上記スタンパを剥離した後、当該第
   １の基部に金属性の反射膜及び光透過性の保護膜を順次
   積層形成する第５のステツプとを具えることを特徴とす
   る光デイスク製造方法。
6. 【請求項６】上記透過性基板は、上記レーザ光の光路上
   及び光路外を移動自在に設けられたことを特徴とする請
   求項５に記載の光デイスク製造方法。
7. 【請求項７】上記透過性基板の屈折率と上記光デイスク
   の上記第２の基部の屈折率との差は0.1以下でなること
   を特徴とする請求項５に記載の光デイスク製造方法。
8. 【請求項８】上記第１の基部の屈折率と上記光デイスク
   の上記第２の基部の屈折率との差は0.2以下でなること
   を特徴とする請求項５に記載の光デイスク製造方法。
9. 【請求項９】上記透過性基板の厚みと上記光デイスクの
   上記第２の基部の厚みとの差が 0.1〔mm〕以下でなるこ
   とを特徴とする請求項５に記載の光デイスク製造方法。