JPH10214441A - 光磁気ディスク - Google Patents
光磁気ディスクInfo
- Publication number
- JPH10214441A JPH10214441A JP1644497A JP1644497A JPH10214441A JP H10214441 A JPH10214441 A JP H10214441A JP 1644497 A JP1644497 A JP 1644497A JP 1644497 A JP1644497 A JP 1644497A JP H10214441 A JPH10214441 A JP H10214441A
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- Japan
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- magneto
- coercive force
- optical disk
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Abstract
(57)【要約】
【課題】周方向での保磁力ムラがなく、正常なオーバー
ライトができる光磁気ディスクを提供すること。 【解決手段】透明基板２上にメモリ−層４と、記録補助
層５と、下記の磁性材料、キュリ−温度Ｔｃおよび保磁
力Ｈｃである膜厚１００Å以上の制御層６および初期化
層７とを順次積層した光磁気ディスク１。 磁性材料：Ｇｄa Ｄｙb Ｆｅc Ｃｏd （ただしａ＋ｂ＋
ｃ＋ｄ＝１）、０．１５＜ａ＋ｂ＜０．３０、０．０５
≦ｄ≦０．１５、キュリ−温度Ｔｃ：１２０℃≦Ｔｃ≦
１８０℃、保磁力Ｈｃ：２ＫＯｅ≦Ｈｃ≦１０ＫＯｅ
ライトができる光磁気ディスクを提供すること。 【解決手段】透明基板２上にメモリ−層４と、記録補助
層５と、下記の磁性材料、キュリ−温度Ｔｃおよび保磁
力Ｈｃである膜厚１００Å以上の制御層６および初期化
層７とを順次積層した光磁気ディスク１。 磁性材料：Ｇｄa Ｄｙb Ｆｅc Ｃｏd （ただしａ＋ｂ＋
ｃ＋ｄ＝１）、０．１５＜ａ＋ｂ＜０．３０、０．０５
≦ｄ≦０．１５、キュリ−温度Ｔｃ：１２０℃≦Ｔｃ≦
１８０℃、保磁力Ｈｃ：２ＫＯｅ≦Ｈｃ≦１０ＫＯｅ
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はオ−バ−ライト可能
な光磁気ディスクの改良に関するものである。
な光磁気ディスクの改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】国際公開ＷＯ９０／０２４００号によれ
ば、メモリ−層と、記録補助層と、制御層および初期化
層とを順次積層したオ−バ−ライト可能な光磁気ディス
クが提案されている。この光磁気ディスクによれば、初
期化層の膜厚が大きくなると、初期化層の飽和磁化（Ｍ
ｓ）と膜厚（ｔ）との積Ｍｓ×ｔが大きくなるために、
制御層の膜厚を大きくしないと制御層のキュリ−温度に
達しても、初期化層と記録補助層とが交換結合した状態
になっている。
ば、メモリ−層と、記録補助層と、制御層および初期化
層とを順次積層したオ−バ−ライト可能な光磁気ディス
クが提案されている。この光磁気ディスクによれば、初
期化層の膜厚が大きくなると、初期化層の飽和磁化（Ｍ
ｓ）と膜厚（ｔ）との積Ｍｓ×ｔが大きくなるために、
制御層の膜厚を大きくしないと制御層のキュリ−温度に
達しても、初期化層と記録補助層とが交換結合した状態
になっている。
【０００３】すなわち、初期化層の膜厚が２０００Åで
ある場合、制御層はＴｂＤｙＦｅＣｏで構成し、膜厚を
１５０〜２００Åにしなくてはならず、他方、初期化層
の膜厚を２００〜４００Åにした場合には、制御層の膜
厚を１００Å以下にする必要がある（初期化層の膜厚を
２００〜４００Åにして、成膜時間の短縮、材料費の低
減をはかろうとすると、制御層の膜厚を５０〜１００Å
にする必要がある）。
ある場合、制御層はＴｂＤｙＦｅＣｏで構成し、膜厚を
１５０〜２００Åにしなくてはならず、他方、初期化層
の膜厚を２００〜４００Åにした場合には、制御層の膜
厚を１００Å以下にする必要がある（初期化層の膜厚を
２００〜４００Åにして、成膜時間の短縮、材料費の低
減をはかろうとすると、制御層の膜厚を５０〜１００Å
にする必要がある）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ように制御層の膜厚を１００Å以下に小さくすると、保
磁力Ｈｃが大きくならないで、その値も不安定になり、
とくに多元スパッタリングにより成膜形成した場合には
周方向で保磁力Ｈｃの分布が大きくなるという問題点が
あった。したがって本発明の目的は上記問題点を解決し
て、正常なオーバーライトができるようにした光磁気デ
ィスクを提供することにある。
ように制御層の膜厚を１００Å以下に小さくすると、保
磁力Ｈｃが大きくならないで、その値も不安定になり、
とくに多元スパッタリングにより成膜形成した場合には
周方向で保磁力Ｈｃの分布が大きくなるという問題点が
あった。したがって本発明の目的は上記問題点を解決し
て、正常なオーバーライトができるようにした光磁気デ
ィスクを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の光磁気ディスク
は、透明ディスク基板上にメモリ−層と、記録補助層
と、下記の磁性材料、キュリ−温度Ｔｃおよび保磁力Ｈ
ｃである膜厚１００Å以上の制御層および初期化層とを
順次積層したことを特徴とする。 磁性材料：Ｇｄa Ｄｙb Ｆｅc Ｃｏd （ただしａ＋ｂ＋
ｃ＋ｄ＝１）、０．１５＜ａ＋ｂ＜０．３０、０．０５
≦ｄ≦０．１５、キュリ−温度Ｔｃ：１２０℃≦Ｔｃ≦
１８０℃、保磁力Ｈｃ：２ＫＯｅ≦Ｈｃ≦１０ＫＯｅ
は、透明ディスク基板上にメモリ−層と、記録補助層
と、下記の磁性材料、キュリ−温度Ｔｃおよび保磁力Ｈ
ｃである膜厚１００Å以上の制御層および初期化層とを
順次積層したことを特徴とする。 磁性材料：Ｇｄa Ｄｙb Ｆｅc Ｃｏd （ただしａ＋ｂ＋
ｃ＋ｄ＝１）、０．１５＜ａ＋ｂ＜０．３０、０．０５
≦ｄ≦０．１５、キュリ−温度Ｔｃ：１２０℃≦Ｔｃ≦
１８０℃、保磁力Ｈｃ：２ＫＯｅ≦Ｈｃ≦１０ＫＯｅ
【０００６】
【発明の実施の形態】図１および図２は本発明の光磁気
ディスクの層構造を示す部分断面図である。図１の光磁
気ディスク１によれば、２はポリカーボネート樹脂から
なるディスク状の透明基板、３は保護層、４は垂直磁化
薄膜からなるメモリー層、５は垂直磁化薄膜からなる記
録補助層、６は制御層、７は初期化層である。記録補助
層５と初期化層７とは制御層６のキュリー点温度以下の
温度でもって、その制御層６を介して交換結合してい
る。そして、メモリー層４において、そのビットの向き
でもって情報が記録される。
ディスクの層構造を示す部分断面図である。図１の光磁
気ディスク１によれば、２はポリカーボネート樹脂から
なるディスク状の透明基板、３は保護層、４は垂直磁化
薄膜からなるメモリー層、５は垂直磁化薄膜からなる記
録補助層、６は制御層、７は初期化層である。記録補助
層５と初期化層７とは制御層６のキュリー点温度以下の
温度でもって、その制御層６を介して交換結合してい
る。そして、メモリー層４において、そのビットの向き
でもって情報が記録される。
【０００７】保護層３は窒化ケイ素、サイアロン、チタ
ン、酸化シリコン、窒化アルミ、酸化チタン、酸化タン
タルなどによって形成する。
ン、酸化シリコン、窒化アルミ、酸化チタン、酸化タン
タルなどによって形成する。
【０００８】メモリー層４はキュリー点が低く、室温で
の保磁力が大きい磁性材からなり、たとえばＴｂＤｙＦ
ｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏがあげられる。また、記録補
助層５はメモリー層４と比べて相対的にキュリー点が高
く、室温での保磁力が小さい磁性材からなり、たとえば
ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏがあげられる。そ
して、メモリー層４と記録補助層５とは磁気的に交換結
合しており、室温でメモリー層４の磁化の向きは変化せ
ず、記録補助層５の磁化のみを所要とおりの向きにする
ことができる。上記初期化層７は、たとえばＴｂＣｏ、
ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、
ＴｂＤｙＦｅＣｏからなる。
の保磁力が大きい磁性材からなり、たとえばＴｂＤｙＦ
ｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏがあげられる。また、記録補
助層５はメモリー層４と比べて相対的にキュリー点が高
く、室温での保磁力が小さい磁性材からなり、たとえば
ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏがあげられる。そ
して、メモリー層４と記録補助層５とは磁気的に交換結
合しており、室温でメモリー層４の磁化の向きは変化せ
ず、記録補助層５の磁化のみを所要とおりの向きにする
ことができる。上記初期化層７は、たとえばＴｂＣｏ、
ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、
ＴｂＤｙＦｅＣｏからなる。
【０００９】さらに図２の光磁気ディスク１ａにおいて
は、メモリー層４と記録補助層５との間に中間層８を設
けている。この中間層８は双方の層４、５に比べて相対
的に垂直磁気異方性が小さい層であって、その磁性材と
して、たとえばＧｄＴｂＦｅ（Ｃｏ）、ＧｄＤｙＦｅ
（Ｃｏ）があげられる。
は、メモリー層４と記録補助層５との間に中間層８を設
けている。この中間層８は双方の層４、５に比べて相対
的に垂直磁気異方性が小さい層であって、その磁性材と
して、たとえばＧｄＴｂＦｅ（Ｃｏ）、ＧｄＤｙＦｅ
（Ｃｏ）があげられる。
【００１０】上記構成の光磁気ディスク１、１ａに対し
て、初期化層７の上に誘電体層や、たとえばアルミニウ
ムからなる保護層、紫外線硬化型樹脂からなる保護樹脂
層とを順次積層してもよい。この誘電体層は窒化ケイ
素、サイアロン、チタン、酸化シリコン、窒化アルミ、
酸化チタン、酸化タンタルなどによって形成する。保護
層についてはＡｌ、Ｔｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｃ
ｒ、Ｎｉの少なくとも１種の金属もしくは合金によって
形成する。
て、初期化層７の上に誘電体層や、たとえばアルミニウ
ムからなる保護層、紫外線硬化型樹脂からなる保護樹脂
層とを順次積層してもよい。この誘電体層は窒化ケイ
素、サイアロン、チタン、酸化シリコン、窒化アルミ、
酸化チタン、酸化タンタルなどによって形成する。保護
層についてはＡｌ、Ｔｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｃ
ｒ、Ｎｉの少なくとも１種の金属もしくは合金によって
形成する。
【００１１】そして、本発明の光磁気ディスク１、１ａ
において、制御層６をＧｄＤｙＦｅＣｏにより構成し、
そして、下記のとおり設定したことが特徴である。膜厚
については、１００Å以上として、１００Å未満の場合
には、オーバーライトの特性において周方向のムラが発
生しやすくなる。
において、制御層６をＧｄＤｙＦｅＣｏにより構成し、
そして、下記のとおり設定したことが特徴である。膜厚
については、１００Å以上として、１００Å未満の場合
には、オーバーライトの特性において周方向のムラが発
生しやすくなる。
【００１２】また、制御層６はＧｄa Ｄｙb Ｆｅc Ｃｏ
d （ただしａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１）で構成し、０．１５＜
ａ＋ｂ＜０．３０、好適には０．２０＜ａ＋ｂ＜０．２
５、さらに０．０５≦ｄ≦０．１５、好適には０．１０
≦ｄ≦０．１２になるように組成比を決定する。そし
て、キュリ−温度Ｔｃを１２０℃≦Ｔｃ≦１８０℃に、
保磁力Ｈｃを２ＫＯｅ≦Ｈｃ≦１０ＫＯｅにする。
d （ただしａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１）で構成し、０．１５＜
ａ＋ｂ＜０．３０、好適には０．２０＜ａ＋ｂ＜０．２
５、さらに０．０５≦ｄ≦０．１５、好適には０．１０
≦ｄ≦０．１２になるように組成比を決定する。そし
て、キュリ−温度Ｔｃを１２０℃≦Ｔｃ≦１８０℃に、
保磁力Ｈｃを２ＫＯｅ≦Ｈｃ≦１０ＫＯｅにする。
【００１３】ａ＋ｂが０．１５以下の場合には、制御層
６のキュリー温度が上げられなくなって低くなり、ａ＋
ｂが０．３０以上の場合には、そのキュリー温度が高く
なりすぎる。さらにキュリ−温度Ｔｃが１２０℃未満の
場合には、記録補助層５と初期化層７の磁気的切断がロ
ウパワーとなり、１８０℃を越えると、かかる磁気的な
切断がハイパワーとなる。さらにまた、保磁力Ｈｃが２
ＫＯｅ未満の場合には、室温でも記録補助層５と初期化
層７との交換結合が不可となり、１０ＫＯｅを越える
と、交換結合が周方向でムラになるやすくなる。
６のキュリー温度が上げられなくなって低くなり、ａ＋
ｂが０．３０以上の場合には、そのキュリー温度が高く
なりすぎる。さらにキュリ−温度Ｔｃが１２０℃未満の
場合には、記録補助層５と初期化層７の磁気的切断がロ
ウパワーとなり、１８０℃を越えると、かかる磁気的な
切断がハイパワーとなる。さらにまた、保磁力Ｈｃが２
ＫＯｅ未満の場合には、室温でも記録補助層５と初期化
層７との交換結合が不可となり、１０ＫＯｅを越える
と、交換結合が周方向でムラになるやすくなる。
【００１４】上記構成の光磁気光磁気ディスク１、１ａ
については、たとえば波長７８０ｎｍのレーザービーム
を透明基板１を通して照射し、オーバーライトをおこな
う。
については、たとえば波長７８０ｎｍのレーザービーム
を透明基板１を通して照射し、オーバーライトをおこな
う。
【００１５】これら各層の作成方法については、保護樹
脂層を塗布法でもって成膜する以外は、いずれもスパッ
タリング法などの薄膜形成手段でもって成膜することが
できる。
脂層を塗布法でもって成膜する以外は、いずれもスパッ
タリング法などの薄膜形成手段でもって成膜することが
できる。
【００１６】かくして上記構成の光磁気光磁気ディスク
１、１ａによれば、制御層６をＧｄＤｙＦｅＣｏにより
構成し、そして、上述のとおり設定したことで、その保
磁力Ｈｃを大きくして、かつ各ロット間で安定化させ、
多元スパッタリングにより成膜形成した場合でも周方向
で保磁力Ｈｃの分布が大きくならない程度に薄くするこ
とができた。
１、１ａによれば、制御層６をＧｄＤｙＦｅＣｏにより
構成し、そして、上述のとおり設定したことで、その保
磁力Ｈｃを大きくして、かつ各ロット間で安定化させ、
多元スパッタリングにより成膜形成した場合でも周方向
で保磁力Ｈｃの分布が大きくならない程度に薄くするこ
とができた。
【００１７】
【実施例】つぎに本発明の実施例を詳述する。光磁気デ
ィスク１は、ポリカーボネート樹脂からなる透明基板２
の上にアルミナ、イットリアを含む窒化ケイ素からなる
保護層３と、Ｔｂ0.21Ｆｅ0.79からなるメモリー層４
（膜厚４００Å）と、Ｇｄ0.05Ｄｙ0.25Ｆｅ0.62Ｃｏ
0.08からなる記録補助層５（膜厚４５０Å）、制御層
６、Ｔｂ0.27Ｃｏ0.73からなる初期化層７を多元スパッ
タリングにより順次積層した。
ィスク１は、ポリカーボネート樹脂からなる透明基板２
の上にアルミナ、イットリアを含む窒化ケイ素からなる
保護層３と、Ｔｂ0.21Ｆｅ0.79からなるメモリー層４
（膜厚４００Å）と、Ｇｄ0.05Ｄｙ0.25Ｆｅ0.62Ｃｏ
0.08からなる記録補助層５（膜厚４５０Å）、制御層
６、Ｔｂ0.27Ｃｏ0.73からなる初期化層７を多元スパッ
タリングにより順次積層した。
【００１８】そして、上記制御層６について、ＴｂＤｙ
Ｆｅから磁性層と、ＧｄＤｙＦｅＣｏから磁性層の２種
類に対して、それぞれ膜厚を変えるとともに、初期化層
７の膜厚も変えることで、オーバーライトの可否を測定
した。○印は正常にオーバーライトができた場合であ
り、×はオーバーライトができなかった場合であり、さ
らに△印はオーバーライトが可能な部位と、不可能な部
位が存在する場合である。
Ｆｅから磁性層と、ＧｄＤｙＦｅＣｏから磁性層の２種
類に対して、それぞれ膜厚を変えるとともに、初期化層
７の膜厚も変えることで、オーバーライトの可否を測定
した。○印は正常にオーバーライトができた場合であ
り、×はオーバーライトができなかった場合であり、さ
らに△印はオーバーライトが可能な部位と、不可能な部
位が存在する場合である。
【００１９】なお、オーバーライトの測定条件は、バイ
アス磁界１００（Ｏｅ）、ライトとイレース用レーザー
パワーを４ｍＷと８ｍＷ、周波数２ＭＨｚ、デューティ
５０％、波長８３０ｎｍ、線速８ｍ／秒、再生レーザー
パワー１．５ｍＷである。
アス磁界１００（Ｏｅ）、ライトとイレース用レーザー
パワーを４ｍＷと８ｍＷ、周波数２ＭＨｚ、デューティ
５０％、波長８３０ｎｍ、線速８ｍ／秒、再生レーザー
パワー１．５ｍＷである。
【００２０】
【表１】
【００２１】同表から明らかなとおり、本発明の光磁気
ディスク１（試料Ｎｏ．１〜３、５〜７）については、
制御層６の膜厚が１００Å以上であるとオーバーライト
が正常にできた。これに対して、膜厚が５０Åである試
料Ｎｏ．４、８では、オーバーライトができなかった。
さらにＴｂＤｙＦｅから制御層６を使用した場合には、
試料Ｎｏ．９、１０のように初期化層７の膜厚を２００
０Åにまで厚くするとオーバーライトができたが、その
他の試料では十分に満足し得るオーバーライトができな
かった。
ディスク１（試料Ｎｏ．１〜３、５〜７）については、
制御層６の膜厚が１００Å以上であるとオーバーライト
が正常にできた。これに対して、膜厚が５０Åである試
料Ｎｏ．４、８では、オーバーライトができなかった。
さらにＴｂＤｙＦｅから制御層６を使用した場合には、
試料Ｎｏ．９、１０のように初期化層７の膜厚を２００
０Åにまで厚くするとオーバーライトができたが、その
他の試料では十分に満足し得るオーバーライトができな
かった。
【００２２】つぎに試料Ｎｏ．７について、Ｇｄa Ｄｙ
b Ｆｅc Ｃｏd のａ＋ｂ、およびｄの値を変えること
で、オーバーライトの可否を測定したところ、図３に示
すような結果が得られた。同図において、横軸はａ＋ｂ
であり、縦軸はｄであり、それぞれの値を変えた各試料
を作製し、それぞれのオーバーライトの可否を測定した
ところ、図３に示すような結果が得られた。
b Ｆｅc Ｃｏd のａ＋ｂ、およびｄの値を変えること
で、オーバーライトの可否を測定したところ、図３に示
すような結果が得られた。同図において、横軸はａ＋ｂ
であり、縦軸はｄであり、それぞれの値を変えた各試料
を作製し、それぞれのオーバーライトの可否を測定した
ところ、図３に示すような結果が得られた。
【００２３】この結果から明らかなとおり、０．１５＜
ａ＋ｂ＜０．３０、０．０５≦ｄ≦０．１５の範囲内で
あれば、周方向で保磁力Ｈｃの分布が大きくならず、オ
ーバーライトが正常にできたことがわかる。
ａ＋ｂ＜０．３０、０．０５≦ｄ≦０．１５の範囲内で
あれば、周方向で保磁力Ｈｃの分布が大きくならず、オ
ーバーライトが正常にできたことがわかる。
【００２４】なお、本発明の各試料はいずれもキュリ−
温度Ｔｃが１２０〜１８０℃の範囲内にあり、しかも、
保磁力Ｈｃが２ＫＯｅ〜１０ＫＯｅの範囲内にあること
を確認した。
温度Ｔｃが１２０〜１８０℃の範囲内にあり、しかも、
保磁力Ｈｃが２ＫＯｅ〜１０ＫＯｅの範囲内にあること
を確認した。
【００２５】
【発明の効果】以上のとおり、本発明の光磁気ディスク
によれば、１００Å以上の膜厚の制御層を磁性材料Ｇｄ
ＤｙＦｅＣｏで、かつ所定の組成比にして、さらにキュ
リ−温度および保磁力も所定の範囲に設定することで、
周方向での保磁力ムラがなくなり、その結果、正常なオ
ーバーライトができる高性能かつ高信頼性の光磁気ディ
スクが提供できた。
によれば、１００Å以上の膜厚の制御層を磁性材料Ｇｄ
ＤｙＦｅＣｏで、かつ所定の組成比にして、さらにキュ
リ−温度および保磁力も所定の範囲に設定することで、
周方向での保磁力ムラがなくなり、その結果、正常なオ
ーバーライトができる高性能かつ高信頼性の光磁気ディ
スクが提供できた。
【図１】本発明の光磁気ディスクの層構造を示す部分断
面図である。
面図である。
【図２】本発明の他の光磁気ディスクの層構造を示す部
分断面図である。
分断面図である。
【図３】ＧｄＤｙＦｅＣｏ制御層の組成比率を変えて、
オーバーライト可否を測定したプロット図である。
オーバーライト可否を測定したプロット図である。
１、１ａ 光磁気ディスク ２ 透明基板 ３ 保護層 ４ メモリー層 ５ 記録補助層 ６ 制御層 ７ 初期化層 ８ 中間層
Claims (1)
- 【請求項１】 透明ディスク基板上にメモリ−層と、記
録補助層と、下記の磁性材料、キュリ−温度Ｔｃおよび
保磁力Ｈｃである膜厚１００Å以上の制御層および初期
化層とを順次積層したことを特徴とする光磁気ディス
ク。 磁性材料：Ｇｄa Ｄｙb Ｆｅc Ｃｏd （ただしａ＋ｂ＋
ｃ＋ｄ＝１） ０．１５＜ａ＋ｂ＜０．３０ ０．０５≦ｄ≦０．１５ キュリ−温度Ｔｃ：１２０℃≦Ｔｃ≦１８０℃ 保磁力Ｈｃ：２ＫＯｅ≦Ｈｃ≦１０ＫＯｅ
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1644497A JPH10214441A (ja) | 1997-01-30 | 1997-01-30 | 光磁気ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1644497A JPH10214441A (ja) | 1997-01-30 | 1997-01-30 | 光磁気ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10214441A true JPH10214441A (ja) | 1998-08-11 |
Family
ID=11916419
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1644497A Pending JPH10214441A (ja) | 1997-01-30 | 1997-01-30 | 光磁気ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10214441A (ja) |
-
1997
- 1997-01-30 JP JP1644497A patent/JPH10214441A/ja active Pending
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