JPH10209745A - マイクロストリップアンテナ及びその製造方法 - Google Patents
マイクロストリップアンテナ及びその製造方法Info
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- JPH10209745A JPH10209745A JP1413397A JP1413397A JPH10209745A JP H10209745 A JPH10209745 A JP H10209745A JP 1413397 A JP1413397 A JP 1413397A JP 1413397 A JP1413397 A JP 1413397A JP H10209745 A JPH10209745 A JP H10209745A
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- conductor
- radiation conductor
- microstrip antenna
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 軽量で且つ高利得のマイクロストリップアン
テナを提供する。 【解決手段】 シンジオタクチックポリスチレンで形成
される誘電体１の一面に放射導体２を、他の一面に接地
導体３をそれぞれ設ける。放射導体２と接地導体３の間
に短絡部４を設ける。シンジオタクチックポリスチレン
は比重が約１．０と低く、誘電体損失も約０．００１と
低いという特長を有する。
テナを提供する。 【解決手段】 シンジオタクチックポリスチレンで形成
される誘電体１の一面に放射導体２を、他の一面に接地
導体３をそれぞれ設ける。放射導体２と接地導体３の間
に短絡部４を設ける。シンジオタクチックポリスチレン
は比重が約１．０と低く、誘電体損失も約０．００１と
低いという特長を有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、携帯用電話など移
動体通信機器への組み込みに適した小型のマイクロスト
リップアンテナに関するものである。
動体通信機器への組み込みに適した小型のマイクロスト
リップアンテナに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】小型のアンテナとして、マイクロストリ
ップアンテナが従来から提供されている。マイクロスト
リップアンテナは誘電体の一方の片面に放射導体を設け
ると共に誘電体の他方の片面に接地導体を設けることに
よって形成されるものであり、誘電体としては従来から
ＰＰＯ（ポリフェニレンオキサイド）やＰＴＦＥ（ポリ
四フッ化エチレン）によって作製されたものが用いられ
ている。
ップアンテナが従来から提供されている。マイクロスト
リップアンテナは誘電体の一方の片面に放射導体を設け
ると共に誘電体の他方の片面に接地導体を設けることに
よって形成されるものであり、誘電体としては従来から
ＰＰＯ（ポリフェニレンオキサイド）やＰＴＦＥ（ポリ
四フッ化エチレン）によって作製されたものが用いられ
ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ここで、ＰＰＯで誘電
体を作製する場合、ＰＰＯは比重が１．６とＰＴＦＥよ
り小さいので、マイクロストリップアンテナを軽量化す
ることができるが、ＰＰＯは誘電体損失が０．００３と
ＰＴＦＥより大きく、アンテナ利得が低いという問題が
あった。
体を作製する場合、ＰＰＯは比重が１．６とＰＴＦＥよ
り小さいので、マイクロストリップアンテナを軽量化す
ることができるが、ＰＰＯは誘電体損失が０．００３と
ＰＴＦＥより大きく、アンテナ利得が低いという問題が
あった。
【０００４】一方、ＰＴＦＥで誘電体を作製する場合、
ＰＴＦＥは誘電体損失が０．０００１とＰＰＯより低い
ので、高いアンテナ利得を得ることができるが、ＰＴＦ
Ｅは比重が１．６とＰＰＯより高いので、マイクロスト
リップアンテナを軽量化することができないという問題
があり、さらにＰＴＦＥはメッキが難しいのでメッキで
放射導体や接地導体を形成することができず、量産に向
かないという問題もあった。
ＰＴＦＥは誘電体損失が０．０００１とＰＰＯより低い
ので、高いアンテナ利得を得ることができるが、ＰＴＦ
Ｅは比重が１．６とＰＰＯより高いので、マイクロスト
リップアンテナを軽量化することができないという問題
があり、さらにＰＴＦＥはメッキが難しいのでメッキで
放射導体や接地導体を形成することができず、量産に向
かないという問題もあった。
【０００５】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、軽量で且つ高利得のマイクロストリップアンテナ
を提供することを目的とし、また量産性高く製造をおこ
なうことができるマイクロストリップアンテナの製造方
法を提供することを目的とするものである。
あり、軽量で且つ高利得のマイクロストリップアンテナ
を提供することを目的とし、また量産性高く製造をおこ
なうことができるマイクロストリップアンテナの製造方
法を提供することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係るマイクロス
トリップアンテナは、シンジオタクチックポリスチレン
で形成される誘電体１の一面に放射導体２を、他の一面
に接地導体３をそれぞれ設け、放射導体２と接地導体３
の間に短絡部４を設けて成ることを特徴とするものであ
る。
トリップアンテナは、シンジオタクチックポリスチレン
で形成される誘電体１の一面に放射導体２を、他の一面
に接地導体３をそれぞれ設け、放射導体２と接地導体３
の間に短絡部４を設けて成ることを特徴とするものであ
る。
【０００７】また請求項２の発明は、フィラーを配合し
たシンジオタクチックポリスチレンで誘電体１を形成し
て成ることを特徴とするものである。また請求項３の発
明は、放射導体２にスリット部５を設けて成ることを特
徴とするものである。本発明に係るマイクロストリップ
アンテナの製造方法は、シンジオタクチックポリスチレ
ンを射出成形して誘電体１を作製する工程と、誘電体１
に金属メッキを施すことによって誘電体１の一面に放射
導体２を、他の一面に接地導体３をそれぞれ形成する工
程を具備することを特徴とするものである。
たシンジオタクチックポリスチレンで誘電体１を形成し
て成ることを特徴とするものである。また請求項３の発
明は、放射導体２にスリット部５を設けて成ることを特
徴とするものである。本発明に係るマイクロストリップ
アンテナの製造方法は、シンジオタクチックポリスチレ
ンを射出成形して誘電体１を作製する工程と、誘電体１
に金属メッキを施すことによって誘電体１の一面に放射
導体２を、他の一面に接地導体３をそれぞれ形成する工
程を具備することを特徴とするものである。
【０００８】本発明に係るマイクロストリップアンテナ
の製造方法は、放射導体２と接地導体３をセットした型
６内にシンジオタクチックポリスチレンを射出成形して
誘電体１を作製すると同時に誘電体１の一面に放射導体
２を、他の一面に接地導体３をそれぞれ一体化する工程
を具備することを特徴とするものである。
の製造方法は、放射導体２と接地導体３をセットした型
６内にシンジオタクチックポリスチレンを射出成形して
誘電体１を作製すると同時に誘電体１の一面に放射導体
２を、他の一面に接地導体３をそれぞれ一体化する工程
を具備することを特徴とするものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。図１は本発明に係るマイクロストリップアンテナ
の実施の形態の一例を示すものであり、板状に形成され
る誘電体１の一面（上面）にパッチ状の放射導体２を設
けると共に誘電体１の他の一面（下面）の全面に接地導
体３を設けてある。放射導体２の端部には給電点９が設
けてある。また誘電体１を貫通して設けたスルーホール
の内周にスルーホルメッキを施すことによって短絡部４
が形成してあり、この短絡部４で放射導体２と接地導体
３とを短絡させてある。さらに誘電体１の面積よりも大
きな面積の金属板で形成される外部接地導体１０が誘電
体１の下面に接地導体３と密着させて接合してあり、接
地導体３とこの外部接地導体１０とでグランドを形成す
るようにしてある。
する。図１は本発明に係るマイクロストリップアンテナ
の実施の形態の一例を示すものであり、板状に形成され
る誘電体１の一面（上面）にパッチ状の放射導体２を設
けると共に誘電体１の他の一面（下面）の全面に接地導
体３を設けてある。放射導体２の端部には給電点９が設
けてある。また誘電体１を貫通して設けたスルーホール
の内周にスルーホルメッキを施すことによって短絡部４
が形成してあり、この短絡部４で放射導体２と接地導体
３とを短絡させてある。さらに誘電体１の面積よりも大
きな面積の金属板で形成される外部接地導体１０が誘電
体１の下面に接地導体３と密着させて接合してあり、接
地導体３とこの外部接地導体１０とでグランドを形成す
るようにしてある。
【００１０】そして本発明では、上記の誘電体１とし
て、シンジオタクチックポリスチレン（以下ＳＰＳと略
称する）で作製したものを用いるものである。ＳＰＳは
ベンゼン環が規則的に交互に配列する分子構造を有する
結晶性の樹脂であり、比重が約１．０と低く、誘電体損
失も約０．００１と比較的低いという特長を有する。Ｓ
ＰＳの比重や誘電体損失を、ＰＰＯやＰＴＦＥと比較す
ると表１に示す通りであり、ＳＰＳはＰＰＯよりもさら
に比重が小さく、誘電体損失についてはＳＰＳはＰＴＦ
Ｅに近い低い数値になっている。従って、ＳＰＳで誘電
体１を作製することによって、軽量で且つアンテナ利得
の高いマイクロストリップアンテナを得ることができる
ものである。
て、シンジオタクチックポリスチレン（以下ＳＰＳと略
称する）で作製したものを用いるものである。ＳＰＳは
ベンゼン環が規則的に交互に配列する分子構造を有する
結晶性の樹脂であり、比重が約１．０と低く、誘電体損
失も約０．００１と比較的低いという特長を有する。Ｓ
ＰＳの比重や誘電体損失を、ＰＰＯやＰＴＦＥと比較す
ると表１に示す通りであり、ＳＰＳはＰＰＯよりもさら
に比重が小さく、誘電体損失についてはＳＰＳはＰＴＦ
Ｅに近い低い数値になっている。従って、ＳＰＳで誘電
体１を作製することによって、軽量で且つアンテナ利得
の高いマイクロストリップアンテナを得ることができる
ものである。
【００１１】
【表１】
【００１２】また、上記のＳＰＳにはフィラーを混合し
て使用することができる。フィラーとして例えばガラス
フィラーを使用すると、ガラスフィラーによる補強効果
で強度の高い誘電体１を作製することができるものであ
る。補強のためにガラスフィラーをＳＰＳに混合する場
合は、ガラスフィラーの配合割合は１５〜３０重量％程
度が好ましい。またＳＰＳにフィラーを混合することに
よって、誘電体１の誘電率を調整することができる。誘
電率を調整するためのフィラーとしてはセラミック粉末
等を用いることができる。
て使用することができる。フィラーとして例えばガラス
フィラーを使用すると、ガラスフィラーによる補強効果
で強度の高い誘電体１を作製することができるものであ
る。補強のためにガラスフィラーをＳＰＳに混合する場
合は、ガラスフィラーの配合割合は１５〜３０重量％程
度が好ましい。またＳＰＳにフィラーを混合することに
よって、誘電体１の誘電率を調整することができる。誘
電率を調整するためのフィラーとしてはセラミック粉末
等を用いることができる。
【００１３】図１の実施の形態にあって、放射導体２に
は細長い切り込みを入れて放射導体２の端縁で一方の端
部が開放されるスリット部５が設けてある。スリット部
５は図１のように１本設ける他、複数本設けるようにし
てもよい。このように放射導体２にスリット部５を設け
ると、放射導体２の周囲長がスリット部５によって長く
なり、受信波長λが長くなる（つまり共振周波数が低く
なる）。従って、同じ周波数に共振させるのであれば、
放射導体２の面積を小さくすることができることにな
り、マイクロストリップアンテナを小型化することが可
能になるものである。
は細長い切り込みを入れて放射導体２の端縁で一方の端
部が開放されるスリット部５が設けてある。スリット部
５は図１のように１本設ける他、複数本設けるようにし
てもよい。このように放射導体２にスリット部５を設け
ると、放射導体２の周囲長がスリット部５によって長く
なり、受信波長λが長くなる（つまり共振周波数が低く
なる）。従って、同じ周波数に共振させるのであれば、
放射導体２の面積を小さくすることができることにな
り、マイクロストリップアンテナを小型化することが可
能になるものである。
【００１４】図２は本発明の実施の形態の他例を示すも
のであり、放射導体２を誘電体１の隣合う二面に亘るよ
うに設けてある。すなわち、放射導体２は誘電体１の上
面に設けてあるが、誘電体１の上面から側面と亘るよう
に放射導体２の端部を一体に延長して設けるようにして
ある。このように放射導体２を誘電体１の隣合う二面に
亘るように設けることによって、放射導体２を誘電体１
の一つの面にのみ設ける場合に比べて、誘電体１の一つ
の面での放射導体２の面積を小さくすることができ、誘
電体１の大きさを小さくすることが可能になり、マイク
ロストリップアンテナを小型化することが容易になるも
のである。
のであり、放射導体２を誘電体１の隣合う二面に亘るよ
うに設けてある。すなわち、放射導体２は誘電体１の上
面に設けてあるが、誘電体１の上面から側面と亘るよう
に放射導体２の端部を一体に延長して設けるようにして
ある。このように放射導体２を誘電体１の隣合う二面に
亘るように設けることによって、放射導体２を誘電体１
の一つの面にのみ設ける場合に比べて、誘電体１の一つ
の面での放射導体２の面積を小さくすることができ、誘
電体１の大きさを小さくすることが可能になり、マイク
ロストリップアンテナを小型化することが容易になるも
のである。
【００１５】図３は本発明の実施の形態のさらに他の例
を示すものであり、放射導体２を設ける誘電体１の表面
を凹凸面に形成してある。すなわち、誘電体１の表面を
図３（ａ）のように凹凸面に形成すると、図３（ｂ）に
斜線で示すように放射導体２は凹部１２と凸部１３に沿
って設けられることになり、平坦な面に放射導体２を設
ける場合に比べて、同じ面積の放射導体２を小さいエリ
アで誘電体１に設けることができる。従って、誘電体１
の大きさを小さくすることが可能になり、アンテナを小
型化することが容易になるものである。
を示すものであり、放射導体２を設ける誘電体１の表面
を凹凸面に形成してある。すなわち、誘電体１の表面を
図３（ａ）のように凹凸面に形成すると、図３（ｂ）に
斜線で示すように放射導体２は凹部１２と凸部１３に沿
って設けられることになり、平坦な面に放射導体２を設
ける場合に比べて、同じ面積の放射導体２を小さいエリ
アで誘電体１に設けることができる。従って、誘電体１
の大きさを小さくすることが可能になり、アンテナを小
型化することが容易になるものである。
【００１６】次に、マイクロストリップアンテナの製造
方法について説明する。ＳＰＳは熱可塑性樹脂であり、
射出成形に適している。そこで、まずＳＰＳを射出成形
して誘電体１を板状に成形することができる。またＳＰ
Ｓは金属との密着性が高く、無電解メッキなどでメッキ
を容易に施すことができる。そこで、板状に成形された
誘電体１に金属メッキを施すことによって、誘電体１の
一面（上面）に放射導体２を、他の一面（下面）に接地
導体３をそれぞれ設けることができる。短絡部４は、誘
電体１に孔加工してスルーホールを設けた後に、上記の
ように金属メッキで放射導体２と接地導体３を設ける際
に同時にこのスルーホールに金属メッキを施すことによ
って、形成することができる。スルーホールは誘電体２
を成形した後に孔加工をして形成する他に、誘電体１を
成形する際に同時にスルーホールを形成するようにして
もよい。
方法について説明する。ＳＰＳは熱可塑性樹脂であり、
射出成形に適している。そこで、まずＳＰＳを射出成形
して誘電体１を板状に成形することができる。またＳＰ
Ｓは金属との密着性が高く、無電解メッキなどでメッキ
を容易に施すことができる。そこで、板状に成形された
誘電体１に金属メッキを施すことによって、誘電体１の
一面（上面）に放射導体２を、他の一面（下面）に接地
導体３をそれぞれ設けることができる。短絡部４は、誘
電体１に孔加工してスルーホールを設けた後に、上記の
ように金属メッキで放射導体２と接地導体３を設ける際
に同時にこのスルーホールに金属メッキを施すことによ
って、形成することができる。スルーホールは誘電体２
を成形した後に孔加工をして形成する他に、誘電体１を
成形する際に同時にスルーホールを形成するようにして
もよい。
【００１７】図４は製造方法の他例を示すものであり、
下型６ａと上型６ｂから形成される成形金型６にＳＰＳ
を射出して誘電体１を成形するにあたって、図４（ａ）
のように型６内のキャビティ１４の内面に金属箔や金属
板で作製される放射導体２と接地導体３をセットしてお
き、この型６にＳＰＳを射出して誘電体１を射出成形す
る際に、同時に誘電体１の一面（上面）に放射導体２
を、他の一面（下面）に接地導体３をそれぞれ密着させ
るようにしたものであり、上型６ｂを下型６ａから外し
て型６を開くことによって、図４（ｂ）のように放射導
体２と接地導体３が接着された誘電体１を型６から脱型
することができる。ＳＰＳは金属との密着性が高いの
で、このように誘電体１を成形する際に同時に放射導体
２と接地導体３を接着させて設けることができるもので
ある。
下型６ａと上型６ｂから形成される成形金型６にＳＰＳ
を射出して誘電体１を成形するにあたって、図４（ａ）
のように型６内のキャビティ１４の内面に金属箔や金属
板で作製される放射導体２と接地導体３をセットしてお
き、この型６にＳＰＳを射出して誘電体１を射出成形す
る際に、同時に誘電体１の一面（上面）に放射導体２
を、他の一面（下面）に接地導体３をそれぞれ密着させ
るようにしたものであり、上型６ｂを下型６ａから外し
て型６を開くことによって、図４（ｂ）のように放射導
体２と接地導体３が接着された誘電体１を型６から脱型
することができる。ＳＰＳは金属との密着性が高いの
で、このように誘電体１を成形する際に同時に放射導体
２と接地導体３を接着させて設けることができるもので
ある。
【００１８】
（実施例１）ＳＰＳを射出成形することによってスルー
ホールを貫通形成した誘電体１を作製し、この誘電体１
に無電解銅メッキを行なうことによって、誘電体１の上
面と下面にそれぞれ放射導体２と接地導体３を設けると
共に、スルーホールに銅メッキを施して短絡部４を形成
した。またリン青銅をＬ字形に曲げた板を放射導体２に
半田付けして給電点９を形成した。そして誘電体１の下
面に真鍮板で形成される外部接地導体１０を接合するこ
とによって、図１に示すマイクロストリップアンテナを
得た。
ホールを貫通形成した誘電体１を作製し、この誘電体１
に無電解銅メッキを行なうことによって、誘電体１の上
面と下面にそれぞれ放射導体２と接地導体３を設けると
共に、スルーホールに銅メッキを施して短絡部４を形成
した。またリン青銅をＬ字形に曲げた板を放射導体２に
半田付けして給電点９を形成した。そして誘電体１の下
面に真鍮板で形成される外部接地導体１０を接合するこ
とによって、図１に示すマイクロストリップアンテナを
得た。
【００１９】図５にこのマイクロストリップアンテナの
インピーダンス特性を示す。図５において（ａ）はスミ
スチャート、（ｂ）は周波数に対するＶＳＷＲ（電圧定
在波比）を示す図であって、横軸が周波数を、縦軸がＶ
ＳＷＲを示す。図５（ａ）のスミスチャートは周波数７
１８ＭＨｚから９１８ＭＨｚの間を掃引したときの軌跡
を示しており、図５（ａ）（ｂ）においてマーカ１は周
波数８７４ＭＨｚ、ＶＳＷＲ１．０５、マーカ２は周波
数８６３ＭＨｚ、ＶＳＷＲ２．９９、マーカ３は周波数
８８６ＭＨｚ、ＶＳＷＲ２．９８である。また図６にこ
のマイクロストリップアンテナのアンテナの指向特性を
示す。図５及び図６にみられるように、実施例１のマイ
クロストリップアンテナは共振周波数が８７４ＭＨｚで
ピーク利得が＋０．２ｄＢｄであり、十分に実用に耐え
るものである。
インピーダンス特性を示す。図５において（ａ）はスミ
スチャート、（ｂ）は周波数に対するＶＳＷＲ（電圧定
在波比）を示す図であって、横軸が周波数を、縦軸がＶ
ＳＷＲを示す。図５（ａ）のスミスチャートは周波数７
１８ＭＨｚから９１８ＭＨｚの間を掃引したときの軌跡
を示しており、図５（ａ）（ｂ）においてマーカ１は周
波数８７４ＭＨｚ、ＶＳＷＲ１．０５、マーカ２は周波
数８６３ＭＨｚ、ＶＳＷＲ２．９９、マーカ３は周波数
８８６ＭＨｚ、ＶＳＷＲ２．９８である。また図６にこ
のマイクロストリップアンテナのアンテナの指向特性を
示す。図５及び図６にみられるように、実施例１のマイ
クロストリップアンテナは共振周波数が８７４ＭＨｚで
ピーク利得が＋０．２ｄＢｄであり、十分に実用に耐え
るものである。
【００２０】（比較例１）ＰＰＯ積層板を用いて誘電体
１を作製し、誘電体１の上面と下面に銅箔を積層して放
射導体２と接地導体３を設けた。また誘電体１に孔加工
してスルーホールを設けると共にスルーホールの内周に
銅メッキを施すことによって短絡部４を形成した。また
リン青銅をＬ字形に曲げた板を放射導体２に半田付けし
て給電点９を形成した。そして誘電体１の下面に真鍮板
で形成される外部接地導体１０を接合することによっ
て、図１と同じ構造のマイクロストリップアンテナを得
た。
１を作製し、誘電体１の上面と下面に銅箔を積層して放
射導体２と接地導体３を設けた。また誘電体１に孔加工
してスルーホールを設けると共にスルーホールの内周に
銅メッキを施すことによって短絡部４を形成した。また
リン青銅をＬ字形に曲げた板を放射導体２に半田付けし
て給電点９を形成した。そして誘電体１の下面に真鍮板
で形成される外部接地導体１０を接合することによっ
て、図１と同じ構造のマイクロストリップアンテナを得
た。
【００２１】図７にこのマイクロストリップアンテナの
インピーダンス特性を示す。図７（ａ）のスミスチャー
トは周波数７１８ＭＨｚから９１８ＭＨｚの間を掃引し
たときの軌跡を示しており、図７（ａ）（ｂ）において
マーカ１は周波数８２５ＭＨｚ、ＶＳＷＲ１．２２、マ
ーカ２は周波数８１３ＭＨｚ、ＶＳＷＲ３．００、マー
カ３は周波数８３８ＭＨｚ、ＶＳＷＲ３．００である。
また図８にこのマイクロストリップアンテナのアンテナ
の指向特性を示す。図７及び図８にみられるように、比
較例１のマイクロストリップアンテナは共振周波数が８
２５ＭＨｚでピーク利得が−０．３ｄＢｄである。従っ
て、ピーク利得は実施例１のものよりも０．５ｄＢ低い
ものである。
インピーダンス特性を示す。図７（ａ）のスミスチャー
トは周波数７１８ＭＨｚから９１８ＭＨｚの間を掃引し
たときの軌跡を示しており、図７（ａ）（ｂ）において
マーカ１は周波数８２５ＭＨｚ、ＶＳＷＲ１．２２、マ
ーカ２は周波数８１３ＭＨｚ、ＶＳＷＲ３．００、マー
カ３は周波数８３８ＭＨｚ、ＶＳＷＲ３．００である。
また図８にこのマイクロストリップアンテナのアンテナ
の指向特性を示す。図７及び図８にみられるように、比
較例１のマイクロストリップアンテナは共振周波数が８
２５ＭＨｚでピーク利得が−０．３ｄＢｄである。従っ
て、ピーク利得は実施例１のものよりも０．５ｄＢ低い
ものである。
【００２２】
【発明の効果】上記のように本発明は、シンジオタクチ
ックポリスチレン（ＳＰＳ）で形成される誘電体によっ
てマイクロストリップアンテナを作製するようにしたの
で、ＳＰＳは比重が約１．０と低く、誘電体損失も約
０．００１と低いという特長を有するものであり、軽量
で且つアンテナ利得の高いマイクロストリップアンテナ
を得ることができるものである。
ックポリスチレン（ＳＰＳ）で形成される誘電体によっ
てマイクロストリップアンテナを作製するようにしたの
で、ＳＰＳは比重が約１．０と低く、誘電体損失も約
０．００１と低いという特長を有するものであり、軽量
で且つアンテナ利得の高いマイクロストリップアンテナ
を得ることができるものである。
【００２３】また請求項２の発明は、フィラーを配合し
たシンジオタクチックポリスチレンで誘電体を形成する
ようにしたので、フィラーによって誘電体を補強した
り、フィラーによって誘電体の誘電率を調整したりする
ことができるものである。また請求項３の発明は、放射
導体にスリット部を設けるようにしたので、スリット部
によって放射導体の周囲長を長くすることができ、この
ぶん放射導体の面積を小さくすることが可能になって、
小型化することが容易になるものである。
たシンジオタクチックポリスチレンで誘電体を形成する
ようにしたので、フィラーによって誘電体を補強した
り、フィラーによって誘電体の誘電率を調整したりする
ことができるものである。また請求項３の発明は、放射
導体にスリット部を設けるようにしたので、スリット部
によって放射導体の周囲長を長くすることができ、この
ぶん放射導体の面積を小さくすることが可能になって、
小型化することが容易になるものである。
【００２４】本発明のマイクロストリップアンテナの製
造方法は、ＳＰＳを射出成形して誘電体を作製する工程
と、誘電体に金属メッキを施すことによって誘電体の一
面に放射導体を、他の一面に接地導体をそれぞれ形成す
る工程を具備するものであり、金属との密着性が良好な
ＳＰＳの誘電体にメッキで放射導体や接地導体を形成す
ることができ、量産性高く製造をおこなうことができる
ものである。
造方法は、ＳＰＳを射出成形して誘電体を作製する工程
と、誘電体に金属メッキを施すことによって誘電体の一
面に放射導体を、他の一面に接地導体をそれぞれ形成す
る工程を具備するものであり、金属との密着性が良好な
ＳＰＳの誘電体にメッキで放射導体や接地導体を形成す
ることができ、量産性高く製造をおこなうことができる
ものである。
【００２５】また本発明のマイクロストリップアンテナ
の製造方法は、放射導体と接地導体をセットした型内に
シンジオタクチックポリスチレンを射出成形して誘電体
を作製すると同時に誘電体の一面に放射導体を、他の一
面に接地導体をそれぞれ一体化する工程を具備するもの
であり、金属との密着性が良好なＳＰＳの誘電体に成形
の際に同時に放射導体や接地導体を形成することがで
き、量産性高く製造をおこなうことができるものであ
る。
の製造方法は、放射導体と接地導体をセットした型内に
シンジオタクチックポリスチレンを射出成形して誘電体
を作製すると同時に誘電体の一面に放射導体を、他の一
面に接地導体をそれぞれ一体化する工程を具備するもの
であり、金属との密着性が良好なＳＰＳの誘電体に成形
の際に同時に放射導体や接地導体を形成することがで
き、量産性高く製造をおこなうことができるものであ
る。
【図１】本発明のマイクロストリップアンテナの実施の
形態の一例を示すものであり、（ａ）は斜視図、（ｂ）
は一部の拡大した側面図である。
形態の一例を示すものであり、（ａ）は斜視図、（ｂ）
は一部の拡大した側面図である。
【図２】本発明のマイクロストリップアンテナの実施の
形態の他例を示す一部の斜視図である。
形態の他例を示す一部の斜視図である。
【図３】本発明のマイクロストリップアンテナの実施の
形態のさらに他例を示すものであり、（ａ）は誘電体の
正面図、（ｂ）は誘電体の一部の斜視図である。
形態のさらに他例を示すものであり、（ａ）は誘電体の
正面図、（ｂ）は誘電体の一部の斜視図である。
【図４】本発明のマイクロストリップアンテナの製造方
法の実施の形態の一例を示すものであり、（ａ），
（ｂ）はそれぞれ断面図である。
法の実施の形態の一例を示すものであり、（ａ），
（ｂ）はそれぞれ断面図である。
【図５】実施例１のマイクロストリップアンテナのイン
ピーダンス特性を示すものであり、（ａ）はスミスチャ
ート、（ｂ）は周波数とＶＳＷＲの関係を示すグラフで
ある。
ピーダンス特性を示すものであり、（ａ）はスミスチャ
ート、（ｂ）は周波数とＶＳＷＲの関係を示すグラフで
ある。
【図６】実施例１のマイクロストリップアンテナの指向
特性を示すアンテナ放射パターンである。
特性を示すアンテナ放射パターンである。
【図７】比較例１のマイクロストリップアンテナのイン
ピーダンス特性を示すものであり、（ａ）はスミスチャ
ート、（ｂ）は周波数とＶＳＷＲの関係を示すグラフで
ある。
ピーダンス特性を示すものであり、（ａ）はスミスチャ
ート、（ｂ）は周波数とＶＳＷＲの関係を示すグラフで
ある。
【図８】比較例１のマイクロストリップアンテナの指向
特性を示すアンテナ放射パターンである。
特性を示すアンテナ放射パターンである。
【符号の説明】 １ 誘電率 ２ 放射導体 ３ 接地導体 ４ 短絡部 ５ スリット ６ 型
Claims (5)
- 【請求項１】 シンジオタクチックポリスチレンで形成
される誘電体の一面に放射導体を、他の一面に接地導体
をそれぞれ設け、放射導体と接地導体の間に短絡部を設
けて成ることを特徴とするマイクロストリップアンテ
ナ。 - 【請求項２】 フィラーを配合したシンジオタクチック
ポリスチレンで誘電体を形成して成ることを特徴とする
請求項１に記載のマイクロストリップアンテナ。 - 【請求項３】 放射導体にスリット部を設けて成ること
を特徴とする請求項１に記載のマイクロストリップアン
テナ。 - 【請求項４】 シンジオタクチックポリスチレンを射出
成形して誘電体を作製する工程と、誘電体に金属メッキ
を施すことによって誘電体の一面に放射導体を、他の一
面に接地導体をそれぞれ形成する工程を具備することを
特徴とするマイクロストリップアンテナの製造方法。 - 【請求項５】 放射導体と接地導体をセットした型内に
シンジオタクチックポリスチレンを射出成形して誘電体
を作製すると同時に誘電体の一面に放射導体を、他の一
面に接地導体をそれぞれ一体化する工程を具備すること
を特徴とするマイクロストリップアンテナの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1413397A JPH10209745A (ja) | 1997-01-28 | 1997-01-28 | マイクロストリップアンテナ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1413397A JPH10209745A (ja) | 1997-01-28 | 1997-01-28 | マイクロストリップアンテナ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10209745A true JPH10209745A (ja) | 1998-08-07 |
Family
ID=11852645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1413397A Withdrawn JPH10209745A (ja) | 1997-01-28 | 1997-01-28 | マイクロストリップアンテナ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10209745A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001143531A (ja) * | 1999-11-18 | 2001-05-25 | Murata Mfg Co Ltd | 複合誘電体材料およびこの複合誘電体材料を使用した誘電体アンテナ |
| US6539608B2 (en) * | 1996-06-25 | 2003-04-01 | Nortel Networks Limited | Antenna dielectric |
| WO2006080222A1 (ja) * | 2005-01-26 | 2006-08-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | アンテナ装置 |
| JP2007503798A (ja) * | 2003-06-13 | 2007-02-22 | モトローラ・インコーポレイテッド | 自動製造用小型ｐｉｆａアンテナ |
| JP2009213125A (ja) * | 2008-02-08 | 2009-09-17 | Furukawa Electric Co Ltd:The | レーダ装置用アンテナおよびその製造方法 |
-
1997
- 1997-01-28 JP JP1413397A patent/JPH10209745A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6539608B2 (en) * | 1996-06-25 | 2003-04-01 | Nortel Networks Limited | Antenna dielectric |
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| JP4505904B2 (ja) * | 1999-11-18 | 2010-07-21 | 株式会社村田製作所 | 誘電体アンテナの製造方法 |
| JP2007503798A (ja) * | 2003-06-13 | 2007-02-22 | モトローラ・インコーポレイテッド | 自動製造用小型ｐｉｆａアンテナ |
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| JP2009213125A (ja) * | 2008-02-08 | 2009-09-17 | Furukawa Electric Co Ltd:The | レーダ装置用アンテナおよびその製造方法 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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