JPH10207705A - 半導体記憶装置及びマイクロコンピュータ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電子制御装置が制御データの変更により死蔵
品となってしまうことを回避するのに好適なマイクロコ
ンピュータを提供する。 【解決手段】 プラスチックパッケージ化されたマイコ
ン２内のＥＰＲＯＭ６は、制御データを記憶するための
領域である３つのバンクメモリ２１〜２３と、そののう
ちで最新に制御データが書き込まれたバンクメモリ（以
下、最新バンク）を特定可能な情報を記憶するバンク情
報書込領域２４とを備えている。そして、マイコン２
は、通常時には、上記領域２４内の情報に基づき、最新
バンクがアクセス可能となるようにバンクメモリ２１〜
２３へチップセレクト信号与え、また外部から書込指令
を受けた場合には、データが未書込のバンクメモリに外
部からの新制御データを書き込み上記領域２４内の情報
を更新する。よって、空のバンクメモリに新制御データ
を書き込んでいくことで制御データの変更に対応でき
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、制御プログラム及
びその制御プログラムの実行時に参照されるデータを格
納するための半導体記憶装置と、その半導体記憶装置を
備えたマイクロコンピュータに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、例えば自動車のエンジンやト
ランスミッション等を制御する電子制御装置では、中央
処理装置（ＣＰＵ），不揮発性のリードオンリーメモリ
（ＲＯＭ），及び揮発性のランダムアクセスメモリ（Ｒ
ＡＭ）等からなるマイクロコンピュータを備えており、
そのマイクロコンピュータを構成するＲＯＭに、制御対
象を制御するための制御プログラム（詳しくは、制御プ
ログラムのプログラムコード）と、その制御プログラム
の実行時に制御量等を決定するために参照される制御用
のデータ（以下、制御データともいう）と、を格納する
ようにしている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ここで、この種の電子
制御装置においては、所定の制御仕様に対応する制御プ
ログラム及び制御データを格納したＲＯＭを既に製造し
た後に、その制御内容を変更しなければならない場合が
ある。

【０００４】そして、制御内容の変更が必要な場合に
は、メインの制御プログラムではなく、その実行時に参
照される制御データだけを変更すれば良い場合がほとん
どであるが、このようにＲＯＭの記憶内容の一部である
制御データを変更するだけでも、既に製造してしまった
旧来のＲＯＭは、もはや使用することができない死蔵品
となってしまう。特に、通常、制御データの容量は、制
御プログラムの容量に対して、例えば数十分の一といっ
た程度に小さいものであるが、このような小容量の制御
データを変更するだけでも、旧来のＲＯＭが無駄になっ
てしまうのである。

【０００５】また、旧来の制御プログラム及び制御デー
タが格納されたＲＯＭを、電子制御装置のプリント基板
に実装した後に、制御データを変更しなければならない
事態が生じた場合には、その電子制御装置自体が、死蔵
品になってしまう。一方、上記の問題を解決するために
は、一般的に以下の（Ａ），（Ｂ）の手法が考えられる
が、何れの手法にも欠点がある。

【０００６】（Ａ）まず、ＲＯＭとして、記憶内容を紫
外線の照射によって消去可能なＥＰＲＯＭを用いる手法
が考えられる。即ち、このようにすることで、ＲＯＭを
プリント基板に実装する前であれば、その記憶内容を全
て消去して、制御プログラムと制御データを改めて書き
込むことができ、旧来の制御プログラム及び制御データ
を格納していたＲＯＭが、死蔵品になってしまうことを
防ぐことができる。

【０００７】しかしながら、この手法では、ＲＯＭのパ
ッケージとして、半導体チップに外部から紫外線を照射
可能なガラス窓付きのセラミックパッケージを用いなけ
ればならない。つまり、信頼性が高く且つコストが低い
プラスチックパッケージ（半導体チップを樹脂によりモ
ールドしたパッケージ）を用いることができず、コスト
が高くなってしまうのである。

【０００８】（Ｂ）次に、ＲＯＭとして、記憶内容を電
気的に書き換え可能なＥＥＰＲＯＭやフラッシュＥＥＰ
ＲＯＭ（以下、フラッシュＲＯＭという）を用いると共
に、ＲＯＭをプリント基板に実装した状態で記憶内容を
電気的に書き換えることができる、いわゆるオンボード
書き換えが可能なように装置を構成しておく手法が考え
られる。即ち、このように構成すれば、ＲＯＭをプリン
ト基板に実装してしまった後でも、ＲＯＭに格納される
制御プログラムや制御データを変更することができ、設
計変更に対して柔軟に対応することができる。

【０００９】しかしながら、ＥＥＰＲＯＭやフラッシュ
ＲＯＭでは、やはりコストが高くなってしまい、比較的
小容量な制御データの変更に対する策としては、冗長性
が高すぎるものとなってしまう。尚、例えば特開平２−
３０７２４５号公報には、ＲＯＭの製造時の歩留まりを
向上させるための技術として、製造過程において発生し
た不良メモリセルを、レーザビームでヒューズ素子を溶
断することにより予備のメモリセルに置換する、いわゆ
る冗長回路構成の半導体記憶装置が記載されている。し
かしながら、この技術では、パッケージ化された後のＲ
ＯＭの記憶内容を変更することはできず、よって、設計
変更によりＲＯＭやそのＲＯＭを既に搭載した電子制御
装置が死蔵品となってしまうことは解決することができ
ない。

【００１０】また、前述した問題は、単独でパッケージ
化されたＲＯＭだけではなく、ＲＯＭを内蔵したシング
ルチップマイクロコンピュータについても全く同様であ
る。本発明は、こうした問題に鑑みなされたものであ
り、制御プログラム及びその制御プログラムの実行時に
参照されるデータ（制御データ）を格納するための半導
体記憶装置であって、格納すべき制御データの変更によ
り死蔵品となってしまうことを回避するのに好適な半導
体記憶装置と、その半導体記憶装置を備えたマイクロコ
ンピュータであって、それが実装された電子制御装置が
制御データの変更により死蔵品となってしまうことを回
避するのに好適なマイクロコンピュータとを、提供する
ことを目的としている。

【００１１】

【課題を解決するための手段、及び発明の効果】上記目
的を達成するためになされた請求項１記載の本発明の半
導体記憶装置は、電気的にデータの書き込みが可能なリ
ードオンリーメモリ（以下、ＰＲＯＭともいう）と、切
替手段とを備えており、ＰＲＯＭは、制御プログラムを
記憶するためのプログラム記憶領域と、その制御プログ
ラムの実行時に参照されるデータを記憶するための参照
データ記憶領域と、該参照データ記憶領域とは別に設け
られ、前記制御プログラムの実行時に参照されるデータ
を記憶するための１つ以上の補助データ記憶領域とを有
している。そして、切替手段は、ＰＲＯＭの参照データ
記憶領域及び補助データ記憶領域のうちの何れか１つを
示す選択信号を外部から受けて、ＰＲＯＭの参照データ
記憶領域がアクセスされた場合に実際に応答するＰＲＯ
Ｍ内の記憶領域を、前記選択信号の示す記憶領域に設定
する。

【００１２】次に、このような半導体記憶装置の使用方
法の一例について説明する。 （１）まず、ＲＯＭライタ等の所定の装置を用いて、Ｐ
ＲＯＭのプログラム記憶領域に、制御プログラムを書き
込むと共に、ＰＲＯＭの参照データ記憶領域に、制御プ
ログラムの実行時に参照される制御データを書き込んで
おく。

【００１３】（２）そして、この半導体記憶装置を、Ｃ
ＰＵやＲＡＭ等と共に電子制御装置（詳しくは、そのプ
リント基板）に実装した際には、当該半導体記憶装置の
切替手段に、参照データ記憶領域を示す選択信号が入力
されるようにする。すると、電子制御装置の作動時に、
ＣＰＵがＰＲＯＭのプログラム記憶領域に記憶された制
御プログラムを実行することで、ＰＲＯＭの参照データ
記憶領域にアクセスした場合には、その参照データ記憶
領域に書き込まれた制御データがＣＰＵに読み出されて
使用されることとなり、これによって所定の制御対象を
制御するための制御処理が行われる。

【００１４】（３）一方、当該半導体記憶装置を電子制
御装置に実装する前に、制御データを変更しなければな
らない事態が生じた場合には、ＰＲＯＭの補助データ記
憶領域に、新たな制御データを書き込む。尚、ＰＲＯＭ
内に複数の補助データ記憶領域を設けている場合には、
そのうちの何れか１つに新たな制御データを書き込む。

【００１５】（４）そして、この半導体記憶装置を電子
制御装置に実装した際には、当該半導体記憶装置の切替
手段に、最新の制御データが書き込まれている補助デー
タ記憶領域（換言すれば、最新に制御データが書き込ま
れた記憶領域）を示す選択信号が入力されるようにす
る。

【００１６】すると、電子制御装置の作動時に、ＣＰＵ
がＰＲＯＭのプログラム記憶領域に記憶された制御プロ
グラムを実行して、ＰＲＯＭの参照データ記憶領域にア
クセスした場合には、この参照データ記憶領域ではな
く、選択信号の示す補助データ記憶領域に書き込まれた
制御データ（即ち、上記（３）の段階で書き込まれた最
新の制御データ）が、ＣＰＵにより読み出されることと
なり、これによって所定の制御対象を新たな制御内容で
制御することができるようになる。

【００１７】（５）また、ＰＲＯＭ内に複数の補助デー
タ記憶領域が設けられており、しかも、上記（４）の段
階の前に、再度、制御データを変更しなければならない
事態が生じた場合には、ＰＲＯＭの複数の補助データ記
憶領域のうちで、未だデータが書き込まれていない補助
データ記憶領域に、新たな制御データを書き込み、その
後、この半導体記憶装置を電子制御装置に実装した際に
は、上記（４）と同様に、当該半導体記憶装置の切替手
段に、最新の制御データが書き込まれている補助データ
記憶領域を示す選択信号が入力されるようにすれば良
い。

【００１８】尚、上記説明では、参照データ記憶領域か
ら先に制御データを書き込むようにしたが、補助データ
記憶領域から先に制御データを書き込むようにしても良
い。つまり、参照データ記憶領域及び補助データ記憶領
域のうちで、制御データを書き込んでいく順番は任意で
ある。

【００１９】このように、本発明の半導体記憶装置によ
れば、参照データ記憶領域及び前記補助データ記憶領域
のうちで、未だデータが書き込まれていない空の記憶領
域に、新たな制御データを次々に追加して書き込んでい
くことにより、制御データの変更に対応することができ
るのである。

【００２０】従って、本発明の半導体記憶装置によれ
ば、格納すべき制御データを変更しなければならない事
態が生じても、その変更に容易に対応することができ、
この結果、当該半導体記憶装置が、制御データの変更に
より死蔵品となってしまうことを回避することができ
る。

【００２１】しかも、本発明の半導体記憶装置によれ
ば、既に書き込まれているデータを消去する必要がない
ため、ＰＲＯＭとして、例えば、一度だけデータの書き
込みが可能ないわゆるワンタイムＰＲＯＭや、半導体チ
ップ自身は紫外線消去式のＥＰＲＯＭであるがプラスチ
ックパッケージ化されたことでデータの書き込みだけが
可能となったＰＲＯＭを用いることができる。このた
め、ガラス窓付きのセラミックパッケージ化されたＥＰ
ＲＯＭ、或いは、電気的にデータの書き換えが可能なＥ
ＥＰＲＯＭやフラッシュＲＯＭを用いることなく、制御
データの変更に対応することが可能となり、延いては、
信頼性と経済性とを確保することができる。

【００２２】尚、本発明は、ＰＲＯＭとして、データの
消去が可能なものを用いることを妨げるものではない。
つまり、本発明の半導体記憶装置によれば、既に書き込
まれたデータを消去するための工程を省くことができる
ため、設計変更時の対応時間を短縮することができるか
らである。

【００２３】ところで、切替手段に選択信号を入力する
ための手法としては、例えば、電子制御装置のプリント
基板にディップスイッチを搭載しておき、このディップ
スイッチの設定により、参照データ記憶領域及び補助デ
ータ記憶領域のうちの何れか１つに対応した信号が切替
手段に印加される、といったものが考えられる。

【００２４】但し、この手法では、電子制御装置の製造
時において、作業者がディップスイッチの設定を行わな
ければならず、作業性に欠ける面もある。そこで、この
問題を解決するためには、請求項２に記載の如く請求項
１に記載の半導体記憶装置に対して、ＰＲＯＭの参照デ
ータ記憶領域及び補助データ記憶領域のうちで、最新に
データが書き込まれた記憶領域を特定可能な書込情報を
記憶するための書込情報記憶手段を設けるようにすれば
良い。

【００２５】そして、このような書込情報記憶手段を備
えた本発明の半導体記憶装置は、以下のように使用する
ことができる。まず、前述した（１），（３），（５）
の各段階で、ＰＲＯＭの参照データ記憶領域及び補助デ
ータ記憶領域のうちの何れかに新たな制御データを書き
込んだ場合には、その都度、上記書込情報記憶手段に、
今回データを書き込んだ記憶領域を特定可能な書込情報
を書き込んでおく。

【００２６】そして、当該半導体記憶装置が搭載される
電子制御装置側では、ＣＰＵが、プログラム記憶領域に
記憶された制御プログラムの実行を開始する前に、書込
情報記憶手段に記憶されている書込情報を読み出して、
その書込情報に基づき、参照データ記憶領域及び補助デ
ータ記憶領域のうちで最新にデータが書き込まれた記憶
領域を特定し、更に、その特定した記憶領域を示す選択
信号を、前記切替手段に与えるようにするのである。

【００２７】こうすれば、作業者によるディップスイッ
チの設定作業に頼ることなく、電子制御装置の作動時に
は、参照データ記憶領域及び補助データ記憶領域のうち
で最新にデータが書き込まれた記憶領域内の制御デー
タ、即ち、変更された最新の制御データが制御に用いら
れることとなり、電子制御装置の製造時における作業性
を向上させることができる。

【００２８】一方、上記書込情報記憶手段は、当該半導
体記憶装置において、ＰＲＯＭとは別の記憶媒体として
設けるようにしても良いが、請求項３に記載のように、
書込情報記憶手段をＰＲＯＭ内の所定の記憶領域として
設けるようにすれば、当該半導体記憶装置をＩＣ化する
上で、他の記憶領域（プログラム記憶領域、参照データ
記憶領域、補助データ記憶領域）とデータ読み出し用回
路やデータ書き込み用回路を共用化することができ、非
常に有利である。また、制御プログラムや制御データを
ＰＲＯＭに書き込むための周辺装置を共用して、書込情
報記憶手段に上記書込情報を書き込むことができる。

【００２９】一方また、請求項４に記載の如く、書込情
報記憶手段に、参照データ記憶領域及び補助データ記憶
領域のうちで、最新にデータが書き込まれた記憶領域と
未だデータが書き込まれていない記憶領域とを特定可能
な情報を、前記書込情報として記憶させるようにすれ
ば、一層大きな効果を得ることができる。

【００３０】即ち、このようにすれば、前述した
（１），（３），（５）の各段階で、ＰＲＯＭの参照デ
ータ記憶領域及び補助データ記憶領域のうちの何れかに
新たな制御データを書き込む前に、上記書込情報記憶手
段から書込情報を読み出すことで、未だ制御データが書
き込まれていない記憶領域を判別することができ、新た
な制御データを確実に書き込むことができるようになる
からである。

【００３１】尚、この請求項４に記載の半導体記憶装置
の場合には、ＰＲＯＭに制御データを書き込んだ後に、
書込情報記憶手段内の書込情報を、今回データの書き込
みを行った記憶領域が最新にデータが書き込まれた記憶
領域であることを示す情報に更新しておけば良い。

【００３２】ところで、前述した請求項１〜請求項４に
記載の半導体記憶装置では、電子制御装置のプリント基
板に実装された後に、制御データを変更しなければなら
ない事態が生じた場合には、容易に対応することができ
ない面もある。そこで、請求項４に記載の半導体記憶装
置を用いて、請求項５に記載のようなマイクロコンピュ
ータを構成すれば、電子制御装置に実装された後でも、
制御に用いる制御データを変更することができ、この結
果、制御データの変更によって、電子制御装置が死蔵品
となってしまうことを回避することができる。

【００３３】即ち、請求項５に記載のマイクロコンピュ
ータは、請求項４に記載の半導体記憶装置を備えてお
り、通常時には、書込情報記憶手段に記憶されている書
込情報に基づいて、ＰＲＯＭの参照データ記憶領域及び
補助データ記憶領域のうちで最新にデータが書き込まれ
た記憶領域を示す選択信号を切替手段に与えることによ
り、前記最新にデータが書き込まれた記憶領域が参照デ
ータ記憶領域へのアクセスに対し実際に応答する記憶領
域となるようにし、その状態で、ＰＲＯＭのプログラム
記憶領域に記憶された制御プログラムを実行すると共
に、該制御プログラムの実行に伴い参照データ記憶領域
にアクセスしてＰＲＯＭからデータを読み出すことによ
り、所定の制御対象を制御するための制御処理を行う。

【００３４】また、このマイクロコンピュータは、予め
定められた書込指令を受けた場合には、書込情報記憶手
段に記憶されている書込情報に基づき、ＰＲＯＭの参照
データ記憶領域及び補助データ記憶領域のうちで未だデ
ータが書き込まれていない記憶領域を特定して、該特定
した記憶領域を示す選択信号を切替手段に与えることに
より、該特定した記憶領域が参照データ記憶領域へのア
クセスに対し実際に応答する記憶領域となるようにし、
その状態で、参照データ記憶領域にアクセスして外部か
らのデータをＰＲＯＭ内に書き込み、該書き込みの終了
後に、書込情報記憶手段内の書込情報を、前記特定した
記憶領域が最新にデータが書き込まれた記憶領域である
ことを示す情報に更新する。

【００３５】このようなマイクロコンピュータを電子制
御装置のプリント基板に実装した後に、制御データを変
更しなければならない事態が生じた場合には、当該マイ
クロコンピュータに、予め定められた書込指令と新たな
制御データを、外部から入力してやれば良い。

【００３６】すると、ＰＲＯＭの参照データ記憶領域及
び補助データ記憶領域のうちで未だデータが書き込まれ
ていない記憶領域に、上記入力した新たな制御データが
書き込まれ、更に、書込情報記憶手段内の書込情報が、
今回新たな制御データを書き込んだ記憶領域が最新にデ
ータが書き込まれた記憶領域であることを示す情報に更
新される。

【００３７】そして、電子制御装置の作動時において、
マイクロコンピュータが通常の動作を行う場合には、Ｐ
ＲＯＭの参照データ記憶領域及び補助データ記憶領域の
うちで最新にデータの書き込みが行われた記憶領域内の
制御データが読み出されることとなり、これによって所
定の制御対象を最新の制御内容で制御することができる
ようになる。

【００３８】このように請求項５に記載のマイクロコン
ピュータによれば、電子制御装置に実装された後でも、
制御に用いる制御データを変更することができ、この結
果、制御データの変更によって電子制御装置が死蔵品と
なってしまうことを回避することができる。

【００３９】尚、このマイクロコンピュータは、請求項
４に記載の半導体記憶装置と共に１つのパッケージを成
すシングルチップマイクロコンピュータとして構成して
も良いし、また、電子制御装置のプリント基板上で上記
半導体記憶装置と共にマイクロコンピュータを形成する
ように構成しても良い。

【００４０】次に、請求項６に記載のマイクロコンピュ
ータでは、請求項５に記載のマイクロコンピュータに対
して、半導体記憶装置の切替手段が、前記選択信号を記
憶するレジスタを備えている。そして、このマイクロコ
ンピュータによれば、通常時に制御プログラムの実行を
開始する前、或いは、前記書込指令を受けてＰＲＯＭに
外部からのデータを書き込む前に、選択信号を切替手段
に一度出力するだけで、以後は、その出力した選択信号
が示す記憶領域を、参照データ記憶領域へのアクセスに
対し実際に応答する記憶領域として設定することができ
る。このため、実際に応答する記憶領域を設定するのに
必要な処理動作を、最小限にすることができる。

【００４１】また、基本的に、書込情報記憶手段からは
上記選択信号を出力する際にだけ書込情報を読み出せば
良いため、特に、請求項３に記載の如く書込情報記憶手
段がＰＲＯＭ内の所定の記憶領域として設けられている
場合には、書込情報記憶手段としてのＰＲＯＭ内の記憶
領域にリードアクセスする時間を最小限にすることがで
き、有利である。つまり、この種のＰＲＯＭにおいて
は、リードアクセスに伴うバイアス電圧により、データ
の保持期間（即ち、寿命）が短くなってしまう可能性が
あるが、このような可能性を排除することができる。

【００４２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面を用いて説明する。尚、以下の実施形態では、自動
車のエンジンを制御するための電子制御装置に搭載され
るシングルチップマイクロコンピュータについて説明す
るが、本発明は、下記のものに何ら限定されることな
く、本発明の技術的範囲に属する限り、種々の形態を採
り得ることは言うまでもない。

【００４３】［第１実施形態］まず図１は、第１実施形
態のシングルチップマイクロコンピュータ（以下、マイ
コンという）２の内部構成を表すブロック図である。図
１に示すように、マイコン２は、プログラムに従い動作
する周知のＣＰＵ４と、ＣＰＵ４を動作させるのに必要
なプログラム及びデータを格納する不揮発性のＥＰＲＯ
Ｍ６及びマスクＲＯＭ８と、これら各部を接続するアド
レスバス１０及びデータバス１２とを備えている。ま
た、図示はされていないが、マイコン２には、ＣＰＵ４
の演算結果などを一時記憶するためのＲＡＭを始め、外
部との間で信号の入出力を行うためのＩ／Ｏポートやシ
リアル通信ポートなども備えられている。

【００４４】ＥＰＲＯＭ６は、半導体チップ自身は紫外
線の照射によって記憶内容を消去可能なＥＰＲＯＭであ
るが、当該マイコン２がプラスチックパッケージ化され
て紫外線の照射ができなくなったことで、電気的にデー
タの書き込みだけが可能となったＲＯＭである。

【００４５】そして、ＥＰＲＯＭ６の記憶領域は、エン
ジン制御用の制御プログラムを記憶するための領域であ
るメインメモリ２０と、このメインメモリ２０内の制御
プログラムの実行時に参照される制御データを記憶する
ための領域である第１から第３までの３つのバンクメモ
リ２１，２２，２３と、この３つのバンクメモリ２１〜
２３のうちで、最新に制御データが書き込まれたバンク
メモリと未だ制御データが書き込まれていないバンクメ
モリとを特定可能な書込情報を記憶するためのバンク情
報書込領域２４と、に分けられている。

【００４６】ここで、ＥＰＲＯＭ６のメモリアドレス空
間を示す図２のように、第１〜第３のバンクメモリ２１
〜２３の各々は、ＥＰＲＯＭ６の記憶領域のうち、１８
００ｈ番地から２７ＦＦｈ番地までの同一アドレス空間
の４Ｋバイトの領域として設定されている。尚、「ｈ」
は、その「ｈ」の前の文字（０〜９，Ａ〜Ｆ）が１６進
数による表現であることを示している。そして、第１〜
第３のバンクメモリ２１〜２３は、ＣＰＵ４が１８００
ｈ番地から２７ＦＦｈ番地までのアドレスをアクセスし
た際に、第１〜第３のバンクメモリ２１〜２３のうちで
後述するアンド回路３１〜３３からチップセレクト信号
を受けているものだけが、ＣＰＵ４からのアクセスに対
して応答するように構成されている。

【００４７】また、図２に示すように、メインメモリ２
０は、ＥＰＲＯＭ６の記憶領域のうち、２８００ｈ番地
からＦ７ＦＦｈ番地までの５２Ｋバイトの領域として設
定されている。一方、図２には示されていないが、バン
ク情報書込領域２４は、メインメモリ２０及びバンクメ
モリ２１〜２３以外の２バイト（１６ビット）分の記憶
領域として設定されている。

【００４８】そして、マイコン２が電子制御装置に実装
された初期の状態において、ＥＰＲＯＭ６のメインメモ
リ２０には、エンジン制御用の制御プログラムが既に書
き込まれており、ＥＰＲＯＭ６の第１〜第３のバンクメ
モリ２１〜２３には、第１のバンクメモリ２１だけに、
メインメモリ２０内の制御プログラムの実行時に参照さ
れる制御データが既に書き込まれている。そして更に、
この初期の状態において、ＥＰＲＯＭ６のバンク情報書
込領域２４には、最新に制御データが書き込まれたバン
クメモリが第１のバンクメモリ２１であり、第２と第３
のバンクメモリ２２，２３には未だ制御データが書き込
まれていないことを示す書込情報が既に書き込まれてい
る。

【００４９】尚、本実施形態において、ＥＰＲＯＭ６の
メインメモリ２０と第１のバンクメモリ２１とバンク情
報書込領域２４には、電子制御装置の製造工程において
マイコン２が電子制御装置へ実装される前に、制御プロ
グラムと制御データと上記書込情報とが夫々事前に書き
込まれるのであるが、マイコン２を電子制御装置に実装
してから、制御プログラムなどを書き込むようにしても
良い。

【００５０】また、第１〜第３のバンクメモリ２１〜２
３に書き込まれる制御データは、例えば、図３に示すよ
うな点火時期算出用のデータマップである。即ち、一般
的にエンジンの点火時期は、エンジンの回転速度と吸入
空気量とに基づいて算出された点火進角から最適値が求
められるが、点火進角の計算式は非常に複雑であり、マ
イコン２で全ての演算処理を行うには時間がかかってし
まう。そこで、図３に示すように、エンジンの回転速度
と吸入空気量とに対応する点火進角を、データマップ化
してＥＰＲＯＭ６に格納しておき、そのデータマップか
ら実際のエンジン回転速度と吸入空気量とに対応する点
火進角を読み出す、いわゆるテーブル・ルックアップ方
式を採用することで、複雑な演算処理を行うことなく最
適な点火時期を求めることができるようにするのであ
る。

【００５１】よって、マイコン２のＣＰＵ４がメインメ
モリ２０内の制御プログラムの実行に伴い点火進角を求
める際には、エンジンの回転速度と吸入空気量とに対し
てＥＰＲＯＭ６内の１８００ｈ番地から２７ＦＦｈ番地
までのどのアドレスに格納されたデータ（点火進角）を
読み出すかのアドレス計算だけを行うこととなり、点火
進角を算出するための演算処理を大幅に簡素化すること
ができる。そして、ＥＰＲＯＭ６のメインメモリ２０に
書き込まれる制御プログラムには、上記アドレス計算の
ためのプログラムが含まれているのである。

【００５２】但し、これはあくまでも一例であり、例え
ば、本実施形態のマイコン２がエアコンを制御するため
の電子制御装置に用いられる場合には、ＥＰＲＯＭ６の
メインメモリ２０に、エアコン制御用の制御プログラム
が書き込まれ、また、ＥＰＲＯＭ６の第１〜第３のバン
クメモリ２１〜２３には、エアコンを制御する上で参照
される制御データが書き込まれることとなる。

【００５３】一方、マイコン２に内臓されたマスクＲＯ
Ｍ８は、データの書き換えが不能な不揮発性ＲＯＭであ
り、このマスクＲＯＭ８には、マイコン２のリセット
（初期化）解除の直後に実行されるブートプログラム
が、マイコン２の製造時（換言すれば、マイコン２の電
子制御装置への実装前）に予め格納されている。

【００５４】一方更に、マイコン２には、図１に示すよ
うに、ＣＰＵ４からデータバス１２に出力される１６ビ
ットのデータであって、ＥＰＲＯＭ６の第１〜第３のバ
ンクメモリ２１〜２３のうちの何れを使用するかを示す
選択信号を記憶するリード／ライト可能な１６ビットの
バンクメモリ選択レジスタ２６と、ＣＰＵ４からアドレ
スバス１０に１８００ｈ番地から２７ＦＦｈ番地までの
アドレスが出力された時に、ハイレベルの信号を出力す
るアドレスデコーダ２８と、アドレスデコーダ２８から
ハイレベルの信号が出力されている時に、バンクメモリ
選択レジスタ２６に記憶されている上記選択信号に応じ
て、ＥＰＲＯＭ６の第１〜第３のバンクメモリ２１〜２
３のうちの何れかに前述したチップセレクト信号を出力
する３つのアンド回路３１，３２，３３と、が備えられ
ている。

【００５５】ここで、バンクメモリ選択レジスタ２６の
リセット時の初期値は＃００００ｈであり、図４（ａ）
に示すように、このバンクメモリ選択レジスタ２６で
は、最下位ビットを０ビット目とした場合の１３ビット
目が、第１バンク選択フラグＢ０となっており、最下位
ビットを０ビット目とした場合の１４ビット目が、第２
バンク選択フラグＢ１となっており、最上位ビットであ
る１５ビット目が、第３バンク選択フラグＢ２となって
いる。尚、「＃」は、その後に続く１６進数表現の文字
（０〜９，Ａ〜Ｆ）がデータであることを示している。

【００５６】そして、アンド回路３１は、アドレスデコ
ーダ２８からハイレベルの信号が出力されており、且
つ、バンクメモリ選択レジスタ２６の第１バンク選択フ
ラグ（以下、１３ビット目ともいう）Ｂ０が「１」であ
る時に、第１のバンクメモリ２１へチップセレクト信号
を出力する。また同様に、アンド回路３２は、アドレス
デコーダ２８からハイレベルの信号が出力されており、
且つ、バンクメモリ選択レジスタ２６の第２バンク選択
フラグ（以下、１４ビット目ともいう）Ｂ１が「１」で
ある時に、第２のバンクメモリ２２へチップセレクト信
号を出力し、アンド回路３３は、アドレスデコーダ２８
からハイレベルの信号が出力されており、且つ、バンク
メモリ選択レジスタ２６の第３バンク選択フラグ（以
下、１５ビット目ともいう）Ｂ２が「１」である時に、
第３のバンクメモリ２３へチップセレクト信号を出力す
る。

【００５７】よって、バンクメモリ選択レジスタ２６に
＃２０００ｈを書き込めば、ＣＰＵ４が１８００ｈ番地
から２７ＦＦｈ番地までのアドレスをアクセスした際に
応答するＥＰＲＯＭ６の記憶領域が第１のバンクメモリ
２１となり、バンクメモリ選択レジスタ２６に＃４００
０ｈを書き込めば、ＣＰＵ４が１８００ｈ番地から２７
ＦＦｈ番地までのアドレスをアクセスした際に応答する
ＥＰＲＯＭ６の記憶領域が第２のバンクメモリ２２とな
り、バンクメモリ選択レジスタ２６に＃８０００ｈを書
き込めば、ＣＰＵ４が１８００ｈ番地から２７ＦＦｈ番
地までのアドレスをアクセスした際に応答するＥＰＲＯ
Ｍ６の記憶領域が第３のバンクメモリ２３となる。

【００５８】一方、ＥＰＲＯＭ６において、バンク情報
書込領域２４の製造時の初期値（つまり、データが未だ
書き込まれていない状態での値）は＃ＦＦＦＦｈであ
り、図４（ｂ）に示すように、このバンク情報書込領域
２４では、最下位ビットを０ビット目とした場合の１３
ビット目が、第１のバンクメモリ２１にデータが書き込
まれているか否かを示す第１バンクステータスフラグＳ
０となっており、最下位ビットを０ビット目とした場合
の１４ビット目が、第２のバンクメモリ２２にデータが
書き込まれているか否かを示す第２バンクステータスフ
ラグＳ１となっており、最上位ビットである１５ビット
目が、第３のバンクメモリ２３にデータが書き込まれて
いるか否かを示す第３バンクステータスフラグＳ２とな
っている。

【００５９】そして、本実施形態では、第１のバンクメ
モリ２１に制御データを書き込んだ場合には、バンク情
報書込領域２４の第１バンクステータスフラグ（以下、
１３ビット目ともいう）Ｓ０に「０」を書き込み、その
後、第２のバンクメモリ２２に制御データを書き込んだ
場合には、バンク情報書込領域２４の第２バンクステー
タスフラグ（以下、１４ビット目ともいう）Ｓ１に
「０」を書き込み、更にその後、第３のバンクメモリ２
３に制御データを書き込んだ場合には、バンク情報書込
領域２４の第３バンクステータスフラグ（以下、１５ビ
ット目ともいう）Ｓ２に「０」を書き込むようになって
いる。

【００６０】よって、マイコン２が電子制御装置に実装
された初期の状態であって、第１〜第３のバンクメモリ
２１〜２３のうち第１のバンクメモリ２１だけに制御デ
ータが書き込まれている状態においては、バンク情報書
込領域２４に、書込情報として、１３ビット目（第１バ
ンクステータスフラグ）Ｓ０だけが「０」である＃ＤＦ
ＦＦｈが書き込まれていることとなる。

【００６１】このような本実施形態のマイコン２は、電
子制御装置に実装された状態で、リセット解除に伴い動
作を開始すると、まず、ＣＰＵ４がマスクＲＯＭ８内の
ブートプログラムを実行する。そして、特定の入力端子
に書込指令としての信号が入力されていない通常時に
は、そのブートプログラムにてＥＰＲＯＭ６のメインメ
モリ２０に格納された制御プログラムをコールして、そ
の制御プログラムを実行することにより、エンジンを制
御するための制御処理を行う。

【００６２】一方、マイコン２のＣＰＵ４は、ブートプ
ログラムの実行を開始した際に、上記入力端子に書込指
令としての信号が入力されていると判定すると、ＥＰＲ
ＯＭ６内の制御プログラムをコールすることなくブート
プログラムの実行を続ける。そして、当該マイコン２が
搭載された電子制御装置の外部から送信されて来るデー
タ（即ち、ＥＰＲＯＭ６に書き込むべき新たな制御デー
タ）を受信して、その受信したデータをＥＰＲＯＭ６の
第２あるいは第３のバンクメモリ２２，２３の何れかに
書き込むための処理を行う。

【００６３】そこで次に、マイコン２で実行される処理
の詳細について、図５のフローチャートを用いて説明す
る。尚、図５に示す処理は、マスクＲＯＭ８内のブート
プログラムによって実行される。マイコン２のＣＰＵ４
は、リセットが解除されて動作を開始すると、マスクＲ
ＯＭ８内のブートプログラムを実行し、まずステップ
（以下、単に「Ｓ」と記す）１００にて、書込指令を受
けているか否かを判定する。尚、当該マイコン２が搭載
される電子制御装置は、マイコン２のＥＰＲＯＭ６に新
たな制御データを書き込む際に外部装置と接続され、こ
の外部装置が接続されると、マイコン２の特定の入力端
子に書込指令としてのハイレベルの信号が入力されるよ
うになっている。そこで、Ｓ１００では、上記入力端子
にハイレベルの信号が入力されているか否かを検出し
て、ハイレベルの信号が入力されている場合に、書込指
令を受けていると判定する。

【００６４】ここで、上記Ｓ１００にて、書込指令を受
けていないと判定した場合には、通常動作モードである
と判断して、Ｓ１１０に進む。そして、このＳ１１０に
て、ＥＰＲＯＭ６のバンク情報書込領域２４に格納され
ている書込情報としての１６ビットデータを読み出し、
その読み出したデータに基づいて、バンクメモリ選択レ
ジスタ２６に書き込むべき１６ビットの使用バンク選択
データを作成する。

【００６５】尚、この使用バンク選択データは、バンク
情報書込領域２４に格納されているデータの最上位ビッ
トである１５ビット目Ｓ２と１４ビット目Ｓ１とが両方
共に「１」であり且つ１３ビット目Ｓ０が「０」であれ
ば、制御データが最新に書き込まれたバンクメモリが第
１のバンクメモリ２１であると判断して、使用バンク選
択データを＃２０００ｈとし、バンク情報書込領域２４
に格納されているデータの１５ビット目Ｓ２が「１」で
あり且つ１４ビット目Ｓ１が「０」であれば、制御デー
タが最新に書き込まれたバンクメモリが第２のバンクメ
モリ２２であると判断して、使用バンク選択データを＃
４０００ｈとし、バンク情報書込領域２４に格納されて
いるデータの１５ビット目Ｓ２が「０」であれば、制御
データが最新に書き込まれたバンクメモリが第３のバン
クメモリ２３であると判断して、使用バンク選択データ
を＃８０００ｈとする、といった手順で作成される。

【００６６】そして、続くＳ１２０にて、上記Ｓ１１０
で作成した使用バンク選択データを、バンクメモリ選択
レジスタ２６に書き込み、更に続くＳ１３０にて、ＥＰ
ＲＯＭ６のメインメモリ２０内の制御プログラムへジャ
ンプする。すると、その後は、メインメモリ２０に書き
込まれている制御プログラムが実行されて、エンジンを
制御するための制御処理が行われる。そして、この制御
プログラムの実行に伴いＣＰＵ４がＥＰＲＯＭ６の１８
００ｈ番地から２７ＦＦｈ番地までのアドレスをリード
アクセスした際において、上記Ｓ１２０でバンクメモリ
選択レジスタ２６に＃２０００ｈが書き込まれている場
合には、第１のバンクメモリ２１から制御データが読み
出されることとなり、上記Ｓ１２０でバンクメモリ選択
レジスタ２６に＃４０００ｈが書き込まれている場合に
は、第２のバンクメモリ２２から制御データが読み出さ
れることとなり、上記Ｓ１２０でバンクメモリ選択レジ
スタ２６に＃８０００ｈが書き込まれている場合には、
第３のバンクメモリ２３から制御データが読み出される
こととなる。

【００６７】つまり、第１〜第３のバンクメモリ２１〜
２３のうちで、最新に制御データが書き込まれたバンク
メモリから制御データが読み出されて、エンジンの制御
に用いられることとなる。一方、上記Ｓ１００で書込指
令を受けていると判定した場合には、ＥＰＲＯＭ６に制
御データを書き込む書込動作モードであると判断して、
Ｓ１４０に移行する。そして、このＳ１４０にて、ＥＰ
ＲＯＭ６のバンク情報書込領域２４に格納されている書
込情報としての１６ビットデータを読み出し、その読み
出したデータに基づいて、バンクメモリ選択レジスタ２
６に書き込むべき１６ビットの書込バンク選択データを
作成する。

【００６８】尚、この書込バンク選択データは、バンク
情報書込領域２４に格納されているデータの１５ビット
目Ｓ２と１４ビット目Ｓ１とが両方共に「１」であり且
つ１３ビット目Ｓ０が「０」であれば、次に制御データ
を書き込むべき空のバンクメモリが第２のバンクメモリ
２２であると判断して、書込バンク選択データを＃４０
００ｈとし、バンク情報書込領域２４に格納されている
データの１５ビット目Ｓ２が「１」であり且つ１４ビッ
ト目Ｓ１が「０」であれば、次に制御データを書き込む
べき空のバンクメモリが第３のバンクメモリ２３である
と判断して、書込バンク選択データを＃８０００ｈとす
る、といった手順で作成される。

【００６９】そして、続くＳ１５０にて、上記Ｓ１４０
で作成した書込バンク選択データを、バンクメモリ選択
レジスタ２６に書き込み、更に続くＳ１６０にて、ＥＰ
ＲＯＭ６に制御データを書き込むためのデータ書込処理
を実行する。このデータ書込処理は、前述した外部装置
から送信されて来る新たな制御データをシリアル通信ポ
ートを介して順次受信すると共に、ＥＰＲＯＭ６の１８
００ｈ番地から２７ＦＦｈ番地までのアドレスを順次ア
クセスして上記受信した制御データをＥＰＲＯＭ６に書
き込んでいく、といった手順で実行される。よって、上
記Ｓ１５０でバンクメモリ選択レジスタ２６に＃４００
０ｈが書き込まれている場合には、第２のバンクメモリ
２２に外部装置からの新たな制御データが書き込まれる
こととなり、上記Ｓ１５０でバンクメモリ選択レジスタ
２６に＃８０００ｈが書き込まれている場合には、第３
のバンクメモリ２３に外部装置からの新たな制御データ
が書き込まれることとなる。

【００７０】そして、このデータ書込処理の実行を終了
すると、Ｓ１７０に進んで、ＥＰＲＯＭ６に今回書き込
んだ制御データを読み出して、外部装置から受信した制
御データと比較（ベリファイ）し、両制御データが一致
していれば、制御データの書き込みに成功したと判定し
てＳ１８０に進む。そして、このＳ１８０にて、バンク
メモリ書込済データを作成し、その作成したバンクメモ
リ書込済データをＥＰＲＯＭ６のバンク情報書込領域２
４に書き込む。

【００７１】尚、バンクメモリ書込済データは、バンク
メモリ選択レジスタ２６の現在値が＃４０００ｈなら
ば、今回、第２のバンクメモリ２２に制御データを書き
込んだことになることから、バンク情報書込領域２４の
１４ビット目Ｓ１に「０」を書き込むためにバンクメモ
リ書込済データを＃ＢＦＦＦｈとし、バンクメモリ選択
レジスタ２６の現在値が＃８０００ｈならば、今回、第
３のバンクメモリ２３に制御データを書き込んだことに
なることから、バンク情報書込領域２４の１５ビット目
Ｓ２に「０」を書き込むためにバンクメモリ書込済デー
タを＃７ＦＦＦｈとする、といった手順で作成される。

【００７２】そして、続くＳ１９０にて、バンク情報書
込領域２４に対するデータ書き込みに成功したか否かを
判定し、成功したと判定した場合には、Ｓ２００に進ん
で、制御データの書き込みに成功した旨を示す成功終了
データを、外部装置へシリアル通信ポートを介して送信
する。すると、外部装置側では、所定の表示部に制御デ
ータの書き込みに成功したことを示すメッセージが表示
される。

【００７３】一方、上記Ｓ１９０にて、バンク情報書込
領域２４に対するデータ書き込みに失敗したと判定した
場合、あるいは、上記Ｓ１７０にて、制御データの書き
込みに失敗したと判定した場合には、Ｓ２１０に移行す
る。そして、このＳ２１０にて、バンクメモリ選択レジ
スタ２６の現在値を読み出して、未だデータが書き込ま
れていないバンクメモリが有るか否かを判定し、肯定判
定した場合には、続くＳ２２０に進んで、書込バンク選
択データを更新して、前述したＳ１５０に戻る。つま
り、Ｓ２１０では、バンクメモリ選択レジスタ２６の現
在値が＃４０００ｈならば、第３のバンクメモリ２３に
は未だデータが書き込まれていないと判定して、書込バ
ンク選択データを＃８０００ｈに設定する。そして、第
３のバンクメモリ２３に制御データを書き込むために、
Ｓ１５０にて、Ｓ２１０で設定した書込バンク選択デー
タをバンクメモリ選択レジスタ２６に書き込み、続くＳ
１６０にて、再度、ＥＰＲＯＭ６に制御データを書き込
むためのデータ書込処理を実行するのである。

【００７４】また、Ｓ２１０にて、未だデータが書き込
まれていないバンクメモリがもはや無いと判定した場合
には、Ｓ２３０に移行して、制御データの書き込みに失
敗した旨を示す失敗終了データを、外部装置へシリアル
通信ポートを介して送信する。すると、外部装置側で
は、所定の表示部に制御データの書き込みに失敗したこ
とを示すメッセージが表示される。

【００７５】つまり、本実施形態のマイコン２では、通
常時には（Ｓ１００：ＮＯ）、ＥＰＲＯＭ６のバンク情
報書込領域２４に書き込まれた書込情報としてのデータ
に基づいて、ＥＰＲＯＭ６の第１〜第３のバンクメモリ
２１〜２３のうちで最新に制御データが書き込まれたバ
ンクメモリを示す使用バンク選択データをバンクメモリ
選択レジスタ２６に書き込むことにより、最新に制御デ
ータが書き込まれたバンクメモリがＥＰＲＯＭ６の１８
００ｈ番地から２７ＦＦｈ番地までのアクセスに対して
応答するようにし（Ｓ１１０，Ｓ１２０）、その状態
で、ＥＰＲＯＭ２のメインメモリ２０に記憶された制御
プログラムを実行すると共に、その制御プログラムの実
行に伴いＥＰＲＯＭ６の１８００ｈ番地から２７ＦＦｈ
番地までの領域にアクセスしてＥＰＲＯＭ６から制御デ
ータを読み出すことにより、エンジンを制御するための
制御処理を行っている（Ｓ１３０）。

【００７６】また、外部装置からの書込指令を受けた場
合には（Ｓ１００：ＹＥＳ）、バンク情報書込領域２４
に書き込まれたデータに基づき、ＥＰＲＯＭ６の第１〜
第３のバンクメモリ２１〜２３のうちで未だデータが書
き込まれていない空のバンクメモリを特定して、その特
定したバンクメモリを示す書込バンク選択データをバン
クメモリ選択レジスタ２６に書き込むことにより、上記
特定したバンクメモリがＥＰＲＯＭ６の１８００ｈ番地
から２７ＦＦｈ番地までのアクセスに対して応答するよ
うにし（Ｓ１４０，Ｓ１５０）、その状態で、ＥＰＲＯ
Ｍ６の１８００ｈ番地から２７ＦＦｈ番地までのアドレ
スを順次アクセスして外部装置からの新たな制御データ
をＥＰＲＯＭ６に書き込み（Ｓ１６０）、その書き込み
が終了した後に、バンク情報書込領域２４内のデータ
を、上記特定したバンクメモリが最新に制御データが書
き込まれたバンクメモリであることを示すデータに更新
するようにしている（Ｓ１８０）。

【００７７】尚、本第１実施形態では、ＥＰＲＯＭ６
が、電気的にデータの書き込みが可能なリードオンリー
メモリに相当し、メインメモリ２０がプログラム記憶領
域に相当し、第１のバンクメモリ２１が参照データ記憶
領域に相当し、第２のバンクメモリ２２と第３のバンク
メモリ２３の各々が、補助データ記憶領域に相当してい
る。また、バンク情報書込領域２４が書込情報記憶手段
に相当している。そして、アドレスデコーダ２８とアン
ド回路３１〜３３、あるいは更にバンクメモリ選択レジ
スタ２６とが切替手段に相当しており、ＥＰＲＯＭ６と
上記切替手段に相当する部分とが、本発明の半導体記憶
装置に相当している。

【００７８】以上のような本実施形態のマイコン２を搭
載した電子制御装置において、ＥＰＲＯＭ６の第１〜第
３のバンクメモリ２１〜２３のうちで第１のバンクメモ
リ２１だけに制御データが書き込まれている初期の状態
では、ＥＰＲＯＭ６のメインメモリ２０に書き込まれた
制御プログラムの実行時に、第１のバンクメモリ２１に
書き込まれた制御データが読み出されてエンジンの制御
に用いられることとなる。

【００７９】これに対し、マイコン２を電子制御装置に
実装した後に、制御データを変更しなければならない事
態が生じた場合には、当該電子制御装置に外部装置を接
続して、マイコン２に、書込指令を入力すると共に新た
な制御データを送信してやれば良い。

【００８０】すると、図５のＳ１４０以降の処理が実行
されることにより、ＥＰＲＯＭの第１〜第３のバンクメ
モリ２１〜２３のうちで未だデータが書き込まれていな
い第２のバンクメモリ２２に、外部装置からの新たな制
御データが書き込まれ、更に、バンク情報書込領域２４
内のデータが、第２のバンクメモリ２２が最新に制御デ
ータが書き込まれたバンクメモリであることを示すデー
タに更新される。

【００８１】また更に、その後、制御データを変更しな
ければならない事態が生じた場合には、上記１回目の変
更時と同様の作業を行うことで、今度はＥＰＲＯＭの第
３のバンクメモリ２３に外部装置からの新たな制御デー
タが書き込まれ、更に、バンク情報書込領域２４内のデ
ータが、第３のバンクメモリ２３が最新に制御データが
書き込まれたバンクメモリであることを示すデータに更
新される。

【００８２】そして、このように第２のバンクメモリ２
２あるいは第３のバンクメモリ２３に新たな制御データ
が書き込まれた後に、マイコン２が通常の動作を行った
場合には、ＥＰＲＯＭ６の３つのバンクメモリ２１〜２
３のうちで、最新に制御データの書き込みが行われたバ
ンクメモリ内の制御データが読み出されることとなり、
このため、エンジンを最新の制御内容で制御することが
できるようになるのである。

【００８３】このように本実施形態のマイコン２によれ
ば、電子制御装置に実装された後でも、制御に用いる制
御データを簡単に変更することができ、この結果、制御
データの変更によって電子制御装置が死蔵品となってし
まうことを回避することができる。

【００８４】しかも、本実施形態のマイコン２によれ
ば、３つのバンクメモリ２１〜２３のうちで未だデータ
が書き込まれていない空のバンクメモリに、新たな制御
データを次々に追加して書き込んでいくことにより、制
御データの変更に対応するようにしているため、ガラス
窓付きのセラミックパッケージを用いることなく、ま
た、電気的にデータの書き換えが可能なＥＥＰＲＯＭや
フラッシュＲＯＭを用いることなく、制御データの変更
に対応することが可能となり、延いては、信頼性と経済
性とを確保することができる。

【００８５】また、本実施形態のマイコン２では、最新
に制御データが書き込まれたバンクメモリと未だデータ
が書き込まれていないバンクメモリとを特定するための
データを記憶するバンク情報書込領域２４を、ＥＰＲＯ
Ｍ６内に設けるようにしているため、ＥＰＲＯＭ６内の
他の記憶領域（メインメモリ２０及びバンクメモリ２１
〜２３）とデータを読み出すための回路やデータを書き
込むための回路を共用化することができ、回路面積（即
ち、半導体チップのサイズ）を小さく抑えることができ
る。

【００８６】一方更に、本実施形態のマイコン２では、
バンクメモリ選択レジスタ２６を設けると共に、リセッ
ト解除の直後に１度だけバンク情報書込領域２４からデ
ータを読み出して（Ｓ１１０又はＳ１４０）、そのデー
タに基づき、３つのバンクメモリ２１〜２３のうちでア
クセス可能となるバンクメモリを選択するためのデータ
を、バンクメモリ選択レジスタ２６に書き込むようにし
ている。このため、バンク情報書込領域２４にリードア
クセスする時間を最小限にすることができ、延いては、
リードアクセスに伴うバイアス電圧によってバンク情報
書込領域２４のデータの保持期間が短くなってしまう可
能性を排除することができる。

【００８７】尚、ＥＰＲＯＭ６におけるメインメモリ２
０とバンクメモリ２１〜２３との記憶容量の比率は、制
御プログラムと制御データの容量比に応じて、適宜決定
することができる。また、上記実施形態では、ＥＰＲＯ
Ｍ６内のバンクメモリの数が３つであったが、その数も
適宜決定することができる。

【００８８】［第２実施形態］次に、第２実施形態のマ
イコンは、前述した第１実施形態のマイコン２に対し
て、以下の及びの点で異なっている。 まず、図６に示すように、第２実施形態のマイコン４
０は、第１実施形態のマイコン２に対して、アドレスデ
コーダ２８及びアンド回路３１〜３３の代わりに、アド
レス変換回路４２を備えている。

【００８９】次に、第２実施形態のマイコン４０で
は、ＥＰＲＯＭ６のメモリアドレス空間が、図７に示す
ように設定されている。即ち、メインメモリ２０は、第
１実施形態のマイコン２と同様に、ＥＰＲＯＭ６の記憶
領域のうちで２８００ｈ番地からＦ７ＦＦｈ番地までの
５２Ｋバイトの領域として設定されているが、第１のバ
ンクメモリ２１は、１８００ｈ番地から２７ＦＦｈ番地
までの４Ｋバイトの領域として設定され、第２のバンク
メモリ２２は、０８００ｈ番地から１７ＦＦｈ番地まで
の４Ｋバイトの領域として設定され、第３のバンクメモ
リ２３は、００００ｈ番地から０７ＦＦｈ番地までとＦ
８００ｈ番地からＦＦＦＦｈ番地までからなる合計４Ｋ
バイトの領域として設定されている。

【００９０】そして、本第２実施形態のマイコン４０に
備えられたアドレス変換回路４２は、ＣＰＵ４がアドレ
スバス１０に１８００ｈ番地から２７ＦＦｈ番地までの
アドレスを出力した際に、そのアドレスを以下の（ａ）
〜（ｃ）ように変換してＥＰＲＯＭ６へ出力する。

【００９１】（ａ）バンクメモリ選択レジスタ２６の１
５ビット目Ｂ２と１４ビット目Ｂ１と１３ビット目Ｂ０
とが「Ｂ２＝０，Ｂ１＝０，Ｂ０＝１」である場合に
は、ＣＰＵ４からアドレスバス１０に出力された１８０
０ｈ番地から２７ＦＦｈ番地までのアドレスを、そのま
まＥＰＲＯＭ６に出力する。

【００９２】（ｂ）バンクメモリ選択レジスタ２６の１
５ビット目Ｂ２と１４ビット目Ｂ１と１３ビット目Ｂ０
とが「Ｂ２＝０，Ｂ１＝１，Ｂ０＝０」である場合に
は、ＣＰＵ４からアドレスバス１０に出力された１８０
０ｈ番地から２７ＦＦｈ番地までのアドレスを、０８０
０ｈ番地から１７ＦＦｈ番地までのアドレスに変換して
ＥＰＲＯＭ６に出力する。

【００９３】（ｃ）バンクメモリ選択レジスタ２６の１
５ビット目Ｂ２と１４ビット目Ｂ１と１３ビット目Ｂ０
とが「Ｂ２＝１，Ｂ１＝０，Ｂ０＝０」である場合に
は、ＣＰＵ４からアドレスバス１０に出力された１８０
０ｈ番地から１ＦＦＦｈ番地までのアドレスを、０００
０ｈ番地から０７ＦＦｈ番地までのアドレスに変換して
ＥＰＲＯＭ６に出力し、ＣＰＵ４からアドレスバス１０
に出力された２０００ｈ番地から２７ＦＦｈ番地までの
アドレスを、Ｆ８００ｈ番地からＦＦＦＦｈ番地までの
アドレスに変換してＥＰＲＯＭ６に出力する。

【００９４】よって、本第２実施形態のマイコン４０に
おいても、第１実施形態のマイコン２と全く同様に、バ
ンクメモリ選択レジスタ２６に＃２０００ｈが書き込ま
れている場合には、ＣＰＵ４が１８００ｈ番地から２７
ＦＦｈ番地までのアドレスをアクセスした際に応答する
ＥＰＲＯＭ６の記憶領域が第１のバンクメモリ２１とな
り、バンクメモリ選択レジスタ２６に＃４０００ｈが書
き込まれている場合には、ＣＰＵ４が１８００ｈ番地か
ら２７ＦＦｈ番地までのアドレスをアクセスした際に応
答するＥＰＲＯＭ６の記憶領域が第２のバンクメモリ２
２となり、バンクメモリ選択レジスタ２６に＃８０００
ｈが書き込まれている場合には、ＣＰＵ４が１８００ｈ
番地から２７ＦＦｈ番地までのアドレスをアクセスした
際に応答するＥＰＲＯＭ６の記憶領域が第３のバンクメ
モリ２３となる。

【００９５】従って、本第２実施形態のマイコン４０に
よっても、前述した第１実施形態のマイコン２による効
果と全く同じ効果を得ることができる。尚、本第２実施
形態では、アドレス変換回路４２あるいは更にバンクメ
モリ選択レジスタ２６が切替手段に相当しており、ＥＰ
ＲＯＭ６と上記切替手段に相当する部分とが、本発明の
半導体記憶装置に相当している。

【００９６】［その他］前述した第１実施形態のマイコ
ン２は、ＥＰＲＯＭ６とアドレスデコーダ２８及びアン
ド回路３１〜３３とからなる半導体記憶装置（以下、半
導体記憶装置Ａという）を、ＣＰＵ４などと共に１つの
パッケージに納めたシングルチップマイクロコンピュー
タであった。また、第２実施形態のマイコン４０も、Ｅ
ＰＲＯＭ６とアドレス変換回路４２とからなる半導体記
憶装置（以下、半導体記憶装置Ｂという）を、ＣＰＵ４
などと共に１つのパッケージに納めたシングルチップマ
イクロコンピュータであった。

【００９７】これに対し、上記半導体記憶装置Ａ，Ｂだ
けを１つのパッケージに納めて、電子制御装置のプリン
ト基板上で前述したマイコン２，４０を形成するように
しても良い。また、上記半導体記憶装置Ａ，Ｂだけを１
つのパッケージに納めて製造した場合には、「課題を解
決するための手段、及び発明の効果」の項で請求項１，
２，４に記載の半導体記憶装置について説明したように
使用することができる。

【００９８】尚、例えば半導体記憶装置Ｂの場合には、
「課題を解決するための手段、及び発明の効果」の項の
説明において、プログラム記憶領域をメインメモリ２０
と読み替え、参照データ記憶領域を第１のバンクメモリ
２１と読み替え、補助データ記憶領域を第２のバンクメ
モリ２２あるいは第３のバンクメモリ２３と読み替え、
切替手段をアドレス変換回路４２と読み替え、書込情報
記憶手段をバンク情報書込領域２４と読み替えること
で、その使用方法が概ね明らかになるため、詳しい説明
は省略する。

【００９９】そして、上記半導体記憶装置Ａ，Ｂによれ
ば、格納すべき制御データを変更しなければならない事
態が生じても、その変更に容易に対応することができ、
当該半導体記憶装置Ａ，Ｂが、制御データの変更により
死蔵品となってしまうことを回避することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 第１実施形態のシングルチップマイクロコン
ピュータの内部構成を表すブロック図である。

【図２】 図１のＥＰＲＯＭのメモリアドレス空間を説
明する説明図である。

【図３】 図１のＥＰＲＯＭの第１〜第３のバンクメモ
リに記憶される制御データを説明する説明図である。

【図４】 図１のバンクメモリ選択レジスタ及びバンク
情報書込領域を説明する説明図である。

【図５】 第１実施形態のシングルチップマイクロコン
ピュータで実行される処理を表すフローチャートであ
る。

【図６】 第２実施形態のシングルチップマイクロコン
ピュータの内部構成を表すブロック図である。

【図７】 図６のＥＰＲＯＭのメモリアドレス空間を説
明する説明図である。

【符号の説明】

２，４０…シングルチップマイクロコンピュータ（マイ
コン） ４…ＣＰＵ ６…ＥＰＲＯＭ ８…マスクＲＯＭ １０…アドレ
スバス １２…データバス ２０…メインメモリ ２１…第
１のバンクメモリ ２２…第２のバンクメモリ ２３…第３のバンクメモ
リ ２４…バンク情報書込領域 ２６…バンクメモリ選択
レジスタ ２８…アドレスデコーダ ３１，３２，３３…アンド
回路 ４２…アドレス変換回路

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電気的にデータの書き込みが可能であ
   り、制御プログラムを記憶するためのプログラム記憶領
   域、前記制御プログラムの実行時に参照されるデータを
   記憶するための参照データ記憶領域、及び該参照データ
   記憶領域とは別に設けられ、前記制御プログラムの実行
   時に参照されるデータを記憶するための１つ以上の補助
   データ記憶領域を有するリードオンリーメモリと、 該電気的にデータの書き込みが可能なリードオンリーメ
   モリの前記参照データ記憶領域及び前記補助データ記憶
   領域のうちの何れか１つを示す選択信号を外部から受け
   て、前記参照データ記憶領域がアクセスされた場合に実
   際に応答する前記リードオンリーメモリ内の記憶領域
   を、前記選択信号の示す記憶領域に設定する切替手段
   と、 を備えたことを特徴とする半導体記憶装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の半導体記憶装置におい
   て、 前記参照データ記憶領域及び前記補助データ記憶領域の
   うちで、最新にデータが書き込まれた記憶領域を特定可
   能な書込情報を記憶するための書込情報記憶手段を備え
   ていること、 を特徴とする半導体記憶装置。
3. 【請求項３】 請求項２に記載の半導体記憶装置におい
   て、 前記書込情報記憶手段は、前記リードオンリーメモリ内
   の所定の記憶領域として設けられていること、 を特徴とする半導体記憶装置。
4. 【請求項４】 請求項２又は請求項３に記載の半導体記
   憶装置において、 前記書込情報記憶手段には、前記参照データ記憶領域及
   び前記補助データ記憶領域のうちで、最新にデータが書
   き込まれた記憶領域と未だデータが書き込まれていない
   記憶領域とを特定可能な情報が、前記書込情報として記
   憶されること、 を特徴とする半導体記憶装置。
5. 【請求項５】 請求項４に記載の半導体記憶装置を備え
   たマイクロコンピュータであって、 通常時には、前記書込情報記憶手段に記憶されている前
   記書込情報に基づいて、前記参照データ記憶領域及び前
   記補助データ記憶領域のうちで最新にデータが書き込ま
   れた記憶領域を示す前記選択信号を前記切替手段に与え
   ることにより、前記最新にデータが書き込まれた記憶領
   域が前記参照データ記憶領域へのアクセスに対し実際に
   応答する記憶領域となるようにし、その状態で、前記プ
   ログラム記憶領域に記憶された制御プログラムを実行す
   ると共に、該制御プログラムの実行に伴い前記参照デー
   タ記憶領域にアクセスして前記リードオンリーメモリか
   らデータを読み出すことにより、所定の制御対象を制御
   するための制御処理を行い、 予め定められた書込指令を受けた場合には、前記書込情
   報記憶手段に記憶されている前記書込情報に基づき、前
   記参照データ記憶領域及び前記補助データ記憶領域のう
   ちで未だデータが書き込まれていない記憶領域を特定し
   て、該特定した記憶領域を示す前記選択信号を前記切替
   手段に与えることにより、該特定した記憶領域が前記参
   照データ記憶領域へのアクセスに対し実際に応答する記
   憶領域となるようにし、その状態で、前記参照データ記
   憶領域にアクセスして外部からのデータを前記リードオ
   ンリーメモリ内に書き込み、該書き込みの終了後に、前
   記書込情報記憶手段内の前記書込情報を、前記特定した
   記憶領域が最新にデータが書き込まれた記憶領域である
   ことを示す情報に更新すること、 を特徴とするマイクロコンピュータ。
6. 【請求項６】 請求項５に記載のマイクロコンピュータ
   において、 前記切替手段は、前記選択信号を記憶するレジスタを備
   えていること、 を特徴とするマイクロコンピュータ。