JPH10206891A

JPH10206891A - 表示装置

Info

Publication number: JPH10206891A
Application number: JP9013778A
Authority: JP
Inventors: Hironori Aoki; 宏憲青木
Original assignee: Advanced Display Inc
Current assignee: Advanced Display Inc
Priority date: 1997-01-28
Filing date: 1997-01-28
Publication date: 1998-08-07

Abstract

(57)【要約】【課題】配向不良領域を覆うための開口率の低下、お
よび構成材料、プロセス条件等の制限や歩留まりの低下
による生産性の低下を誘発せずに、画素電極上の保護膜
が除去された、低消費電力、かつ表示品位の高い表示装
置を提供する。【解決手段】透明絶縁性基板１の表面にスイッチング
素子としての薄膜トランジスタおよび画素電極１０が形
成されたアレイ基板上の保護膜８を、写真製版法により
形成されたレジストを用いてパターニングし、保護膜８
の除去領域９を画素電極１０より外側に設けることによ
り、保護膜８に除去領域９を設けることにより生じるる
段差が表示領域である画素電極１０上に形成されないよ
うにする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、例えば液晶等を
表示材料とする表示装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】マトリクス型表示装置は、通常２枚の対
向する基板の間に液晶等の表示材料が挟持され、この表
示材料に選択的に電圧を印加するように構成されてい
る。上記基板の少なくとも一方は、マトリクス状に配列
した透明導電膜からなる画素電極、画素電極に所定の電
圧を印加するためのトランジスタ等のスイッチング素
子、スイッチング素子に信号を与えるための信号線や走
査線、および補助容量が形成されたアレイ基板である。
アレイ基板の表面層には、高い絶縁性を有する保護膜が
形成されるが、表示装置の表示品位の向上および低消費
電力化のために、保護膜はスイッチング素子や信号線、
走査線の上方にのみ形成され、表示領域である画素電極
上の保護膜は除去される。これは、画素電極と画素電極
から電圧を印加される液晶等の表示材料の間に絶縁性を
有する保護膜が介在することにより、表示材料に供給さ
れる電圧の降下や、表示材料に印加する電圧の直流成分
が画素電極上の保護膜に残留することによる残像やフリ
ッカが生じるためである。

【０００３】しかし、従来の表示装置では、保護膜の抜
きパターンが画素電極の内側に設けられているため、保
護膜をパターニングすることにより生じる段差が画素電
極内に形成され、段差近傍では保護膜上に形成される配
向膜の配向処理であるラビング処理が均一に行われず、
配向不良による表示不良が生じ、この配向不良領域を覆
うために開口率を低下させるという問題がある。特開平
５−２０３９８７号公報では、保護膜をパターニングす
るためのエッチングレジストを、基板の裏面側からスイ
ッチング素子や配線等の非透明部をマスクとして露光し
パターン形成することにより、画素電極およびその周辺
の透明部の上方に形成されたレジストを除去し、透明部
の上方に形成された保護膜をすべてエッチング除去する
方法が提案されている。この方法によれば、保護膜をパ
ターニングすることにより生じる段差は画素電極の外側
に形成され、段差による配向不良は画素電極内の表示領
域に影響を与えないため、開口率を低下させずに表示品
位を向上できる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来の
マトリクス型表示装置において、配向不良による表示品
位の低下や開口率の低下を誘発せずに、表示領域である
画素電極上の保護膜を除去する方法として、保護膜をパ
ターニングするためのレジストを、基板上の非透明部を
マスクとして裏面露光による方式でパターン形成するこ
とにより、スイッチング素子や配線等の非透明部の上方
に形成された保護膜のみ残し、画素電極およびその周辺
の透明部の上方に形成された保護膜を除去する方法が提
案されているが、次のような問題点を有する。

【０００５】例えば、図１０に示すように、信号線６と
画素電極１０が同一平面上に形成される構成で、パター
ニング不良により金属やシリコン等の非透明な材質から
なるパターン残さ１１が生じた場合、裏面露光の方式で
はこのパターン残さ１１上の保護膜８は除去されないた
め、後工程において、パターン残さ１１による短絡欠陥
部を修復することができず、歩留まりの低下を招くなど
の問題があった。図１０において、１は透明絶縁性基
板、４はゲート絶縁膜である。

【０００６】また、図１１に示すように、ゲート絶縁膜
８の上もしくは下に補助容量用配線３が配置される場
合、裏面露光の方式では補助容量用配線３上の保護膜８
は残存し、補助容量用配線３の周辺部に保護膜８をパタ
ーニングすることによる段差が形成されるため、補助容
量用配線３と画素電極１０が重なる領域では、画素電極
１０上に段差による配向不良領域１２が生じ、表示不良
となる問題があった。また、裏面露光後に表面側からマ
スクを用いて再度露光を行い、保護膜８による段差を補
助容量用配線３の内側に形成することにより、段差によ
る配向不良領域１２を補助容量用配線３の上方に形成し
表示不良を防止することはできるが、工程数が増加し、
生産性を低下させる。図１１において、１は透明絶縁性
基板、４はゲート絶縁膜である。

【０００７】また、開口率向上を目的としてアレイ基板
上に遮光膜が形成されている場合には、裏面露光の方式
では遮光膜上にも保護膜が残存し、この遮光膜は通常画
素電極と重なり部分を有するため、画素電極上に保護膜
をパターニングすることによる段差が形成され、配向不
良による表示不良領域が画素電極上に生じる問題があっ
た。。さらに、スイッチング素子および各配線上には信
頼性の観点から保護膜は必要であり、裏面露光では配線
自体をマスクとして露光するため、レジスト形成時およ
び保護膜エッチング時の僅かなサイドエッチによっても
配線が露出するため、配線が露出しないようレジストの
形成条件および保護膜のエッチング条件の最適化が必要
であり、特に、走査線と信号線を絶縁するゲート絶縁膜
と保護膜が同一材料である場合には、保護膜のエッチン
グ時のオーバーエッチにより、ゲート絶縁膜が同時にエ
ッチングされ、短絡欠陥が生じる可能性があるため、保
護膜はゲート絶縁膜と異なる材料で形成しなければなら
ないなど、プロセス条件およびアレイ基板の構成に制限
が生じるなどの問題があった。

【０００８】この発明は、上記のような問題を解決する
ためになされたもので、配向不良領域を覆うための開口
率の低下、および構成材料、プロセス条件等に対する制
限や歩留まりの低下による生産性の低下を誘発せずに、
画素電極上の保護膜が除去された、低消費電力、かつ表
示品位の高い表示装置を得ることを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】この発明に係わる表示装
置は、透明絶縁性基板と、制御電極および制御電極配線
と、半導体層と、この半導体層と共に半導体素子を構成
する第一の電極、第一の電極配線、および第二の電極
と、制御電極と上記半導体層の間に形成された絶縁膜
と、第二の電極と電気的に接続された透明導電膜よりな
る画素電極と、画素電極上にこの画素電極より大きい面
積の除去領域を有する保護膜と、透明絶縁性基板と共に
表示材料を挟持する対向電極等を有する対向基板を備え
たものである。また、保護膜に除去領域を設けることに
より生じる段差は、画素電極と制御電極配線あるいは第
一の電極配線の間、および上記画素電極と半導体素子の
間に形成されるものである。

【００１０】また、透明絶縁性基板と、この透明絶縁性
基板上に形成された非透明材よりなる補助容量用配線
と、制御電極および制御電極配線と、半導体層と、この
半導体層と共に半導体素子を構成する第一の電極、第一
の電極配線、および第二の電極と、制御電極と上記半導
体層の間に形成された絶縁膜と、第二の電極と電気的に
接続された透明導電膜よりなる画素電極と、画素電極上
で透明部分に除去領域を有する保護膜と、透明絶縁性基
板と共に表示材料を挟持する対向電極等を有する対向基
板を備え、上記保護膜に除去領域を設けることにより生
じる段差は、画素電極が補助容量用配線と重なる領域で
は補助容量用配線上に形成されるものである。また、透
明絶縁性基板と、この透明絶縁性基板上に形成された遮
光膜と、制御電極および制御電極配線と、半導体層と、
この半導体層と共に半導体素子を構成する第一の電極、
第一の電極配線、および第二の電極と、制御電極と上記
半導体層の間に形成された絶縁膜と、第二の電極と電気
的に接続された透明導電膜よりなる画素電極と、画素電
極上で透明部分に除去領域を有する保護膜と、透明絶縁
性基板と共に表示材料を挟持する対向電極等を有する対
向基板を備え、保護膜に除去領域を設けることにより生
じる段差は、画素電極が遮光膜と重なる領域では遮光膜
上に形成されるものである。

【００１１】また、透明絶縁性基板と、透明絶縁性基板
上に形成された透明導電膜よりなる画素電極と、制御電
極および制御電極配線と、半導体層と、この半導体層と
共に半導体素子を構成する第一の電極、第一の電極配線
および第二の電極と、制御電極と半導体層の間に形成さ
れた絶縁膜と、絶縁膜と同一エッチャントによりエッチ
ングできる保護膜と、透明絶縁性基板と共に表示材料を
挟持する対向電極等を有する対向基板を備え、画素電極
上の絶縁膜および保護膜は、画素電極より大きい面積の
除去領域を有すると共に、制御電極配線と第一の電極配
線が絶縁膜を介して交差する領域の絶縁膜と保護膜の残
存パターンは、制御電極配線と第一の電極配線が交差す
る領域より大きい面積を有しているものである。また、
保護膜に除去領域を形成するためのエッチングレジスト
は、透明絶縁性基板の表面側からの一回の露光工程によ
り形成されるものである。

【００１２】

【発明の実施の形態】

実施の形態１．以下、この発明の一実施の形態である表
示装置を図について説明する。図１は本発明の実施の形
態１による表示装置（本実施の形態では液晶表示装置）
のアレイ基板の平面図、図２は図１のＡ−Ａ線に沿った
断面図である。図において、１はガラス基板等の透明絶
縁性基板、２は透明絶縁性基板１上に形成されたゲート
電極を有するゲート配線（走査線）、４はゲート配線２
上に形成されたゲート絶縁膜、５はゲート絶縁膜４を介
してゲート電極上に形成された半導体層（チャネル
層）、６は半導体層５上に形成されたソース電極を有す
るソース配線（信号線）、７は半導体層５上に形成され
たドレイン電極、８は保護膜、９は保護膜８の除去領
域、１０はドレイン電極７と電気的に接続されている画
素電極である。

【００１３】次に、本実施の形態による表示装置の製造
方法について説明する。まず、透明絶縁性基板１の表面
に、スパッタ法あるいは蒸着法によりＣｒやＡｌ等の金
属を成膜した後、写真製版法により形成したレジストを
用いてパターニングし、ゲート電極を有するゲート配線
２を形成する。次に、陽極酸化法あるいはＣＶＤ法によ
りゲート絶縁膜４となる金属酸化膜あるいはシリコン窒
化膜等を形成する。次に、ＣＶＤ法によりアモルファス
シリコンおよびリン等の不純物がドープされたｎ⁺型ア
モルファスシリコンを連続して成膜した後、写真製版法
により形成したレジストを用いて同時にパターニングし
て、半導体層（チャネル層）５を形成する。次に、透明
導電膜としてＩＴＯ等を成膜した後、写真製版法により
形成したレジストを用いてパターニングし、画素電極１
０を形成する。次に、ＣｒやＡｌ等の金属を成膜した
後、写真製版法により形成したレジストを用いてパター
ニングし、ソース電極を有するソース配線（信号線）６
およびドレイン電極７を形成する。

【００１４】次に、シリコン窒化膜あるいは金属酸化膜
等の絶縁性を有する膜をＣＶＤ法により形成した後、写
真製版法により形成したレジストを用いてパターンエッ
チングし、除去領域９を有する保護膜８を形成する。こ
のとき、保護膜８の除去領域９は画素電極１０より大き
い領域とし、保護膜８に除去領域９を設けることにより
生じる段差が表示領域である画素電極１０上に形成され
ないようにする。また、図３に示すように、ソース配線
６と画素電極１０の間にパターニング不良等によるパタ
ーン残さ１１が生じ短絡している場合は、保護膜８が画
素電極１０の外側まで除去されているため、保護膜８に
より覆われていない部分のパターン残さ１１を、パター
ン残さ１１に対応したエッチング処理を行うことにより
除去して、短絡欠陥を修復する。このようにして形成さ
れたアレイ基板と、他の透明絶縁性基板上に遮光層、オ
ーバーコート層および対向電極が形成された対向基板の
表面に配向膜を形成後対向させ、この間に液晶等の表示
材料を注入してシール剤で封入すると共に、対向するア
レイ基板と対向基板の外側に偏光板を配置することによ
り液晶パネルを構成する。なお、本実施の形態では、ゲ
ート配線２上にゲート絶縁膜４および半導体層５等が形
成される逆スタガー型の薄膜トランジスタを用いた場合
について説明したが、ゲート配線２がゲート絶縁膜４を
介して半導体層５上に形成される正スタガー型の薄膜ト
ランジスタを用いた場合においても同様の効果が得られ
る。以下の実施の形態においても同様である。

【００１５】この発明によれば、保護膜８の除去領域９
は写真製版工程時に用いるマスクパターンにより任意に
設定することができ、保護膜８の除去領域９を画素電極
１０より外側に設けることにより、保護膜８に除去領域
９を設けることにより生じる段差に起因する配向不良が
画素電極１０上で発生せず、また、パターン残さ１１に
よる画素電極８とソース配線６等の短絡欠陥の修復も可
能である、画素電極１０上の保護膜８が除去された、低
消費電力、かつ表示品位の高い表示装置を得ることがで
きる。

【００１６】実施の形態２．図４はこの発明の実施の形
態２を示す表示装置（本実施の形態では液晶表示装置）
のアレイ基板の平面図、図５は図４のＢ−Ｂ線に沿った
断面図である。図において、３は補助容量用配線、１２
は配向不良領域である。なお、その他の構成は実施の形
態１と同様であるので説明を省略する。次に、本実施の
形態による表示装置の製造方法について説明する。ま
ず、透明絶縁性基板１の表面に、スパッタ法あるいは蒸
着法によりＣｒやＡｌ等の金属を成膜した後、写真製版
法により形成したレジストを用いてパターニングし、ゲ
ート電極を有するゲート配線２および補助容量用配線３
を形成する。次に、実施の形態１と同様の方法により、
ゲート絶縁膜４、半導体層（チャネル層）５、画素電極
１０、ソース電極を有するソース配線（信号線）６およ
びドレイン電極７を順次形成する。

【００１７】次に、シリコン窒化膜あるいは金属酸化膜
等の絶縁性を有する膜をＣＶＤ法により形成した後、写
真製版法により形成したレジストを用いてパターンエッ
チングし、除去領域９を有する保護膜８を形成する。こ
のとき、保護膜８の除去領域９は画素電極１０より大き
い領域とするが、補助容量用配線３の上方には保護膜８
が必要であるため、補助容量用配線３と画素電極１０が
重なる領域では、補助容量用配線３の上方に形成される
保護膜８のパターンを補助容量用配線３のパターンより
小さくして、保護膜８に除去領域９を設けることにより
生じる段差を補助容量用配線３の上方に形成する。その
結果、段差により生じる配向不良領域１２は補助容量用
配線３により遮光され表示不良は生じない。このように
して形成されたアレイ基板と、他の透明絶縁性基板上に
遮光層、オーバーコート層および対向電極が形成された
対向基板の表面に配向膜を形成後対向させ、この間に液
晶等の表示材料を注入してシール剤で封入すると共に、
対向するアレイ基板と対向基板の外側に偏光板を配置す
ることにより液晶パネルを構成する。

【００１８】本実施の形態によれば、実施の形態１と同
様の効果が得られると共に、上層に保護膜８が形成され
る補助容量用配線３等が画素電極８と重なる領域を有す
る場合でも、保護膜８のパターンを補助容量用配線３の
パターンより小さくして、保護膜８に除去領域９を設け
ることにより生じる段差を補助容量用配線３の上方に形
成することにより、段差に起因する配向不良領域１２は
補助容量用配線３で遮光され、表示不良が生じない。

【００１９】実施の形態３．図６はこの発明の実施の形
態３を示す表示装置（本実施の形態では液晶表示装置）
のアレイ基板の平面図、図７は図６のＣ−Ｃ線に沿った
断面図である。図において、１３はアレイ基板に形成さ
れた遮光膜である。なお、その他の構成は実施の形態１
と同様であるので説明を省略する。次に、本実施の形態
による表示装置の製造方法について説明する。まず、透
明絶縁性基板１の表面に、ＣｒやＡｌ等の金属膜あるい
は有機膜等遮光性を有する膜を形成した後、写真製版法
により形成したレジストを用いてパターニングし、遮光
膜１３を形成する。次に、実施の形態１と同様の方法に
より、ゲート電極を有するゲート配線２、ゲート絶縁膜
４、半導体層（チャネル層）５、画素電極１０、ソース
電極を有するソース配線（信号線）６およびドレイン電
極７を順次形成する。

【００２０】次に、シリコン窒化膜あるいは金属酸化膜
等の絶縁性を有する膜をＣＶＤ法により形成した後、写
真製版法により形成したレジストを用いてパターンエッ
チングし、除去領域９を有する保護膜８を形成する。こ
のとき、保護膜８の除去領域９は画素電極１０より大き
い領域とするが、遮光膜１３が画素電極１０と重なる領
域では、保護膜８に除去領域９を設けることにより生じ
る段差を遮光層１３の上方に形成する。このようにして
形成されたアレイ基板と、他の透明絶縁性基板上に遮光
層、オーバーコート層および対向電極が形成された対向
基板の表面に配向膜を形成後対向させ、この間に液晶等
の表示材料を注入してシール剤で封入すると共に、対向
するアレイ基板と対向基板の外側に偏光板を配置する事
により液晶パネルを構成する。

【００２１】本実施の形態によれば、実施の形態１と同
様の効果が得られると共に、アレイ基板側に遮光層１３
が形成され画素電極８と重なる領域を有する場合でも、
保護膜８に除去領域９を設けることにより生じる段差を
遮光層１３の上方に形成することにより、段差に起因す
る配向不良領域１２は遮光層１３で遮光され、表示不良
が生じない。

【００２２】実施の形態４．図８はこの発明の実施の形
態４を示す表示装置（本実施の形態では液晶表示装置）
のアレイ基板の平面図、図９は図８のＤ−Ｄ線に沿った
断面図である。なお、図中の符号は実施の形態１と同様
であるので説明を省略する。

【００２３】次に、本実施の形態による表示装置の製造
方法について説明する。まず、透明絶縁性基板１の表面
に、スパッタ法あるいは蒸着法によりＣｒやＡｌ等の金
属を成膜した後、写真製版法により形成したレジストを
用いてパターニングし、ゲート電極を有するゲート配線
２を形成する。次に、透明導電膜としてＩＴＯ等を成膜
した後、写真製版法により形成したレジストを用いてパ
ターニングし、画素電極１０を形成する。次に、陽極酸
化法あるいはＣＶＤ法によりゲート絶縁膜４となる金属
酸化膜あるいはシリコン窒化膜等を形成する。次に、Ｃ
ＶＤ法によりアモルファスシリコンおよびリン等の不純
物がドープされたｎ⁺型アモルファスシリコンを連続し
て成膜した後、写真製版法により形成したレジストを用
いて同時にパターニングして、半導体層（チャネル層）
５を形成する。次に、画素電極８上のゲート絶縁膜４
に、後に形成されるドレイン電極６と画素電極８を電気
的に接続するためのコンタクトホール（図示せず）を形
成する。次に、ＣｒやＡｌ等の金属を成膜した後、写真
製版法により形成したレジストを用いてパターニング
し、ソース電極を有するソース配線（信号線）６および
ドレイン電極７を形成する。

【００２４】次に、シリコン窒化膜あるいは金属酸化膜
等の絶縁性を有する膜をＣＶＤ法により形成した後、写
真製版法により形成したレジストを用いてゲート絶縁膜
４と同時にパターンエッチングし、除去領域９を有する
保護膜８、およびゲート絶縁膜４にも同じパターンの除
去領域を形成する。このとき、ゲート絶縁膜４および保
護膜８の除去領域９は画素電極１０より大きい領域とす
るが、ゲート配線２がゲート絶縁膜４を介してソース配
線６と交差する領域等ゲート絶縁膜４により絶縁性が保
持されている領域では、ゲート絶縁膜４および保護膜８
のエッチング時のオーバーエッチングにより、ゲート絶
縁膜４により絶縁性が保持されている領域に短絡欠陥を
生じる可能性がある。このため、ゲート配線２とソース
配線６がゲート絶縁膜４を介して交差する領域等ではゲ
ート絶縁膜４および保護膜８の残存パターンを、ゲート
配線２とソース配線６が交差して重なる領域よりも大き
く形成する。また、ゲート配線２と画素電極１０の間に
パターニング不良等によるパターン残さが生じ短絡して
いる場合は、保護膜８が画素電極１０の外側まで除去さ
れているため、保護膜８により覆われていない部分のパ
ターン残さを、パターン残さに対応したエッチング処理
を行うことにより除去して、短絡欠陥を修復する。この
ようにして形成されたアレイ基板と、他の透明絶縁性基
板上に遮光層、オーバーコート層および対向電極が形成
された対向基板の表面に配向膜を形成後対向させ、この
間に液晶等の表示材料を注入してシール剤で封入すると
共に、対向するアレイ基板と対向基板の外側に偏光板を
配置することにより液晶パネルを構成する。

【００２５】本実施の形態によれば、実施の形態１と同
様の効果が得られると共に、ゲート絶縁膜４と保護膜８
が同一材料もしくは同一エッチャントによりエッチング
される材料で形成されている場合でも、ゲート配線２が
ゲート絶縁膜４を介してソース配線６と交差する領域等
ゲート絶縁膜４により絶縁性が保持されている領域上の
保護膜８の残存パターンを、ゲート配線２とソース配線
６が交差して重なる領域よりも大きく形成することによ
り、保護膜８のオーバーエッチングにより、ゲート絶縁
膜４により絶縁性が保持されている領域のゲート絶縁膜
４がエッチングされ短絡欠陥が生じるのを防止できる。

【００２６】

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、保護
膜の除去領域を写真製版工程時に用いるマスクパターン
により任意に設定することができるため、保護膜の除去
領域を画素電極より大きい領域とし、保護膜に除去領域
を設けることにより生じる段差を表示領域である画素電
極の外側、あるいは、画素電極が配線等の非透明領域と
重なり部分を有し、その上方に保護膜が形成される場合
には、非透明領域の上方に段差を設けることにより、段
差に起因する配向不良は表示品位を低下させない。その
結果、画素電極上の保護膜を除去して、低消費電力、か
つ表示品位の高い表示装置を提供することができる。ま
た、画素電極上の保護膜は画素電極の外側まで除去され
るため、画素電極と同一平面上に形成される配線と画素
電極がパターン残さ等により短絡している場合、保護膜
が除去されている領域で短絡欠陥の修復を行うことがで
きるため歩留まりが向上し、また、画素電極上の保護膜
を除去することにより、新たにアレイ基板の構成材料や
プロセス条件に対する制限は生じないため、表示装置の
生産性を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施の形態１による表示装置のア
レイ基板を示す平面図である。

【図２】この発明の実施の形態１による表示装置のア
レイ基板を示す断面図である。

【図３】この発明の実施の形態１による表示装置のア
レイ基板を示す断面図である。

【図４】この発明の実施の形態２による表示装置のア
レイ基板を示す平面図である。

【図５】この発明の実施の形態２による表示装置のア
レイ基板を示す断面図である。

【図６】この発明の実施の形態３による表示装置のア
レイ基板を示す平面図である。

【図７】この発明の実施の形態３による表示装置のア
レイ基板を示す断面図である。

【図８】この発明の実施の形態４による表示装置のア
レイ基板を示す平面図である。

【図９】この発明の実施の形態４による表示装置のア
レイ基板を示す断面図である。

【図１０】従来のこの種表示装置のアレイ基板を示す
断面図である。

【図１１】従来の他の表示装置のアレイ基板を示す断
面図である。

【符号の説明】

１透明絶縁性基板、２ゲート配線（走査線）、３
補助容量用配線、４ゲート絶縁膜、５半導体層（チ
ャネル層）、６ソース配線（信号線）、７ドレイン
電極、８保護膜、９除去領域、１０画素電極、１
１パターン残さ、１２配向不良領域、１３遮光
膜。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透明絶縁性基板と、制御電極および制御
電極配線と、半導体層と、この半導体層と共に半導体素
子を構成する第一の電極、第一の電極配線、および第二
の電極と、上記制御電極と上記半導体層の間に形成され
た絶縁膜と、上記第二の電極と電気的に接続された透明
導電膜よりなる画素電極と、上記画素電極上にこの画素
電極より大きい面積の除去領域を有する保護膜と、上記
透明絶縁性基板と共に表示材料を挟持する対向電極等を
有する対向基板を備えたことを特徴とする表示装置。
【請求項２】保護膜に除去領域を設けることにより生
じる段差は、画素電極と制御電極配線あるいは第一の電
極配線の間、および上記画素電極と半導体素子の間に形
成されることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項３】透明絶縁性基板と、この透明絶縁性基板
上に形成された非透明材よりなる補助容量用配線と、制
御電極および制御電極配線と、半導体層と、この半導体
層と共に半導体素子を構成する第一の電極、第一の電極
配線、および第二の電極と、上記制御電極と上記半導体
層の間に形成された絶縁膜と、上記第二の電極と電気的
に接続された透明導電膜よりなる画素電極と、上記画素
電極上で透明部分に除去領域を有する保護膜と、上記透
明絶縁性基板と共に表示材料を挟持する対向電極等を有
する対向基板を備え、上記保護膜に除去領域を設けるこ
とにより生じる段差は、上記画素電極が上記補助容量用
配線と重なる領域では上記補助容量用配線上に形成され
ることを特徴とする表示装置。
【請求項４】透明絶縁性基板と、この透明絶縁性基板
上に形成された遮光膜と、制御電極および制御電極配線
と、半導体層と、この半導体層と共に半導体素子を構成
する第一の電極、第一の電極配線、および第二の電極
と、上記制御電極と上記半導体層の間に形成された絶縁
膜と、上記第二の電極と電気的に接続された透明導電膜
よりなる画素電極と、上記画素電極上で透明部分に除去
領域を有する保護膜と、上記透明絶縁性基板と共に表示
材料を挟持する対向電極等を有する対向基板を備え、上
記保護膜に除去領域を設けることにより生じる段差は、
上記画素電極が上記遮光膜と重なる領域では上記遮光膜
上に形成されることを特徴とする表示装置。
【請求項５】透明絶縁性基板と、上記透明絶縁性基板
上に形成された透明導電膜よりなる画素電極と、制御電
極および制御電極配線と、半導体層と、この半導体層と
共に半導体素子を構成する第一の電極、第一の電極配線
および第二の電極と、上記制御電極と上記半導体層の間
に形成された絶縁膜と、上記絶縁膜と同一エッチャント
によりエッチングできる保護膜と、上記透明絶縁性基板
と共に表示材料を挟持する対向電極等を有する対向基板
を備え、上記画素電極上の上記絶縁膜および上記保護膜
は、上記画素電極より大きい面積の除去領域を有すると
共に、上記制御電極配線と上記第一の電極配線が上記絶
縁膜を介して交差する領域の上記絶縁膜と上記保護膜の
残存パターンは、上記制御電極配線と上記第一の電極配
線が交差する領域より大きい面積を有していることを特
徴とする表示装置。
【請求項６】保護膜に除去領域を形成するためのエッ
チングレジストは、透明絶縁性基板の表面側からの一回
の露光工程により形成されることを特徴とする請求項１
〜５のいずれか一項記載の表示装置。