JPH10204508A - 希土類金属粉末製造用原料希土類金属およびそれを用いた希土類金属粉末の製造方法 - Google Patents
希土類金属粉末製造用原料希土類金属およびそれを用いた希土類金属粉末の製造方法Info
- Publication number
- JPH10204508A JPH10204508A JP379697A JP379697A JPH10204508A JP H10204508 A JPH10204508 A JP H10204508A JP 379697 A JP379697 A JP 379697A JP 379697 A JP379697 A JP 379697A JP H10204508 A JPH10204508 A JP H10204508A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- rare earth
- earth metal
- electrode
- producing
- metal powder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
- Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】回転電極法による粉末化において、ハロゲン化
物の残留の少ない、高純度希土類金属粉末を高歩留で得
られる製造方法と、その製造方法の原料となるハロゲン
化物の残留の少ない希土類金属とその精製方法を提供す
る。 【解決手段】 希土類金属を10-2torr以下の真空下で溶
融してフッ素および／または塩素の含有量を500ppm以下
まで脱ガスし、冷却して得た棒状インゴットを電極とし
て、回転電極アトマイズ法により粉末化する希土類金属
粉末の製造方法であり、該製造方法の原料としてフッ素
および／または塩素の含有量が500ppm以下である希土類
金属を選択する。
物の残留の少ない、高純度希土類金属粉末を高歩留で得
られる製造方法と、その製造方法の原料となるハロゲン
化物の残留の少ない希土類金属とその精製方法を提供す
る。 【解決手段】 希土類金属を10-2torr以下の真空下で溶
融してフッ素および／または塩素の含有量を500ppm以下
まで脱ガスし、冷却して得た棒状インゴットを電極とし
て、回転電極アトマイズ法により粉末化する希土類金属
粉末の製造方法であり、該製造方法の原料としてフッ素
および／または塩素の含有量が500ppm以下である希土類
金属を選択する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】粉末焼結用原料、光磁気記録
膜作製用スパッタリングターゲットの原料、磁歪その他
の薄膜作製用ターゲットの原料として有用な希土類金属
粉末の製造方法およびその原料希土類金属に関するもの
である。
膜作製用スパッタリングターゲットの原料、磁歪その他
の薄膜作製用ターゲットの原料として有用な希土類金属
粉末の製造方法およびその原料希土類金属に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】希土類金属粉末の製造方法としては、回
転電極法、ガスアトマイズ法、ディスクアトマイズ法等
が知られているが、高純度、高収率、低コストで製造す
ることが望まれている。ガスアトマイズ法では、多量の
高圧Ａr ガスが必要であり、ルツボ材からの汚染やルツ
ボのノズル穴の閉塞が生じやすいなどの問題があり、ま
たディスクアトマイズ法では同様のルツボやディスクか
らの汚染やノズル穴の閉塞の問題がある。これに対して
回転電極法では、ルツボを使用せず、しかもアークやプ
ラズマなどの高温の熱源を使用するので、蒸気圧の高い
不純物が除去されて高品位の粉末を安定して製造できる
利点がある。しかし、希土類金属は一般に希土類ハロゲ
ン化物をアルカリ金属またはアルカリ土類金属で還元し
て製造される。そのため、得られた希土類金属中には原
料の希土類ハロゲン化物が残留する。この金属を原料と
して粉末化、特に回転電極法で粉末化する場合には、こ
の原料金属棒を回転電極として高速で回転させ、棒の先
端にアークやプラズマガスを吹きつけて溶融し、溶融液
体を遠心力で切線方向に飛散させて粒子化させるが、こ
の時、金属棒の結晶粒界に存在する低融点のハロゲン化
物がまず最初に溶融し、金属粒子の表面を覆って、溶融
ハロゲン化物同士が連なって回転電極金属棒から塊状と
なって脱落するために得られた希土類金属粉末群には非
球状の巨大粒子やハロゲン化物［フッ素（Ｆ）、塩素
（Ｃｌ）］が多く含まれるようになる。したがって、こ
れらの非球状巨大粒子の除去やこれによる球状粉末化の
歩留低下の問題があった。
転電極法、ガスアトマイズ法、ディスクアトマイズ法等
が知られているが、高純度、高収率、低コストで製造す
ることが望まれている。ガスアトマイズ法では、多量の
高圧Ａr ガスが必要であり、ルツボ材からの汚染やルツ
ボのノズル穴の閉塞が生じやすいなどの問題があり、ま
たディスクアトマイズ法では同様のルツボやディスクか
らの汚染やノズル穴の閉塞の問題がある。これに対して
回転電極法では、ルツボを使用せず、しかもアークやプ
ラズマなどの高温の熱源を使用するので、蒸気圧の高い
不純物が除去されて高品位の粉末を安定して製造できる
利点がある。しかし、希土類金属は一般に希土類ハロゲ
ン化物をアルカリ金属またはアルカリ土類金属で還元し
て製造される。そのため、得られた希土類金属中には原
料の希土類ハロゲン化物が残留する。この金属を原料と
して粉末化、特に回転電極法で粉末化する場合には、こ
の原料金属棒を回転電極として高速で回転させ、棒の先
端にアークやプラズマガスを吹きつけて溶融し、溶融液
体を遠心力で切線方向に飛散させて粒子化させるが、こ
の時、金属棒の結晶粒界に存在する低融点のハロゲン化
物がまず最初に溶融し、金属粒子の表面を覆って、溶融
ハロゲン化物同士が連なって回転電極金属棒から塊状と
なって脱落するために得られた希土類金属粉末群には非
球状の巨大粒子やハロゲン化物［フッ素（Ｆ）、塩素
（Ｃｌ）］が多く含まれるようになる。したがって、こ
れらの非球状巨大粒子の除去やこれによる球状粉末化の
歩留低下の問題があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、回転電極法
によっても、ハロゲン化物の残留の少ない、高純度希土
類金属球状粉末を高歩留で得られる製造方法と、その製
造方法の原料となるハロゲン化物の残留の少ない希土類
金属を提供しようとするものである。
によっても、ハロゲン化物の残留の少ない、高純度希土
類金属球状粉末を高歩留で得られる製造方法と、その製
造方法の原料となるハロゲン化物の残留の少ない希土類
金属を提供しようとするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、希土類金属粉
末の製造方法において、希土類金属を10-2torr以下の真
空下で溶融してＦおよび／またはＣｌの含有量を500ppm
以下まで脱ガスし、冷却して得た棒状インゴットを電極
として、回転電極アトマイズ法により粉末化することを
特徴とするものであり、該製造方法の原料としてＦおよ
び／またはＣｌの含有量が500ppm以下である希土類金属
を選択するものである。本発明による真空下溶融精製方
法により得られた希土類金属を回転電極原料として回転
電極アトマイズ法で粉末化するとハロゲン化物の残留の
少ない高純度希土類金属球状粉末が歩留まりよく得られ
る。
末の製造方法において、希土類金属を10-2torr以下の真
空下で溶融してＦおよび／またはＣｌの含有量を500ppm
以下まで脱ガスし、冷却して得た棒状インゴットを電極
として、回転電極アトマイズ法により粉末化することを
特徴とするものであり、該製造方法の原料としてＦおよ
び／またはＣｌの含有量が500ppm以下である希土類金属
を選択するものである。本発明による真空下溶融精製方
法により得られた希土類金属を回転電極原料として回転
電極アトマイズ法で粉末化するとハロゲン化物の残留の
少ない高純度希土類金属球状粉末が歩留まりよく得られ
る。
【０００５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を詳細
に説明する。希土類金属は一般に希土類ハロゲン化物を
アルカリ金属等で還元して製造するが、得られた希土類
金属中にはハロゲン化物が多く残留していた。従って、
これらの希土類金属から粉末を製造する際に、特に回転
電極法で粉末化する場合には、この原料金属棒を回転電
極として高速で回転させ、棒の先端にアークやプラズマ
ガスを吹きつけて溶融し、溶融液体を遠心力で切線方向
に飛散させて球状粒子化させるが、この時、一般に金属
より低融点のハロゲン化物が金属棒の結晶粒界で溶融
し、金属粒子の表面を覆って、溶融ハロゲン化物同士が
連なって回転電極から脱落するために得られた希土類金
属粉末群には巨大粒子やハロゲン化物が多く含まれてい
た。
に説明する。希土類金属は一般に希土類ハロゲン化物を
アルカリ金属等で還元して製造するが、得られた希土類
金属中にはハロゲン化物が多く残留していた。従って、
これらの希土類金属から粉末を製造する際に、特に回転
電極法で粉末化する場合には、この原料金属棒を回転電
極として高速で回転させ、棒の先端にアークやプラズマ
ガスを吹きつけて溶融し、溶融液体を遠心力で切線方向
に飛散させて球状粒子化させるが、この時、一般に金属
より低融点のハロゲン化物が金属棒の結晶粒界で溶融
し、金属粒子の表面を覆って、溶融ハロゲン化物同士が
連なって回転電極から脱落するために得られた希土類金
属粉末群には巨大粒子やハロゲン化物が多く含まれてい
た。
【０００６】このような問題点を解決するために、先ず
粉末の原料となる希土類金属に着目し、希土類金属中に
残留しているハロゲン化物を減らす精製方法を検討し
た。そこで原料となる希土類金属を１×10-2torr以下の
真空下で溶融してＦおよび／またはＣl の含有量を500p
pm以下まで脱ガスし、冷却して得た棒状インゴットを電
極として、回転電極アトマイズ法により粉末化すると、
粒径が 250μm 以下の微粉が95重量％以上の歩留で得ら
れ、粉末中のＦおよび／またはＣｌ含有量は500ppm以下
であった。この真空下溶融精製法においては、真空度を
１×10-2torr以下の高真空を維持することが必要で、１
×10-2torr以上の低真空下では脱ハロゲンが十分進ま
ず、また残存する空気中の酸素により酸化物が生成する
ようになる。
粉末の原料となる希土類金属に着目し、希土類金属中に
残留しているハロゲン化物を減らす精製方法を検討し
た。そこで原料となる希土類金属を１×10-2torr以下の
真空下で溶融してＦおよび／またはＣl の含有量を500p
pm以下まで脱ガスし、冷却して得た棒状インゴットを電
極として、回転電極アトマイズ法により粉末化すると、
粒径が 250μm 以下の微粉が95重量％以上の歩留で得ら
れ、粉末中のＦおよび／またはＣｌ含有量は500ppm以下
であった。この真空下溶融精製法においては、真空度を
１×10-2torr以下の高真空を維持することが必要で、１
×10-2torr以上の低真空下では脱ハロゲンが十分進ま
ず、また残存する空気中の酸素により酸化物が生成する
ようになる。
【０００７】ここで回転電極アトマイズ法とは、図１
（ａ）に示したように、希土類金属棒を電極１として電
極回転モーターにセット４した後に、図１（ｂ）に示し
たように、チャンバー３内を真空引き後、Ａr などの不
活性雰囲気とし、電極１を回転数3,000 〜20,000rpm で
回転させながら、電極先端にプラズマ、アーク等の熱源
２から熱エネルギーを放射して電極先端を溶融させて、
遠心力で溶融粒子６を切線方向に飛散させ、冷却固化し
た希土類金属粉末を粉末回収容器５内に回収するという
ものである。この際、従来技術の場合は、図２に示した
ように、未溶融金属粒子が溶融ハロゲン化物で連なって
脱落した巨大粒子７が生じてしまう。 熱源となるプラ
ズマは、例えばＡr ガスやＨｅガスを電離して発生させ
る。又、その他の熱源としてアーク等もある。本発明の
適用範囲は、希土類元素として、Ｙを含むLa、Ce、Pr、Nd、
Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、YbおよびLuから成る群から選
択される１種または２種以上の合金である。
（ａ）に示したように、希土類金属棒を電極１として電
極回転モーターにセット４した後に、図１（ｂ）に示し
たように、チャンバー３内を真空引き後、Ａr などの不
活性雰囲気とし、電極１を回転数3,000 〜20,000rpm で
回転させながら、電極先端にプラズマ、アーク等の熱源
２から熱エネルギーを放射して電極先端を溶融させて、
遠心力で溶融粒子６を切線方向に飛散させ、冷却固化し
た希土類金属粉末を粉末回収容器５内に回収するという
ものである。この際、従来技術の場合は、図２に示した
ように、未溶融金属粒子が溶融ハロゲン化物で連なって
脱落した巨大粒子７が生じてしまう。 熱源となるプラ
ズマは、例えばＡr ガスやＨｅガスを電離して発生させ
る。又、その他の熱源としてアーク等もある。本発明の
適用範囲は、希土類元素として、Ｙを含むLa、Ce、Pr、Nd、
Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、YbおよびLuから成る群から選
択される１種または２種以上の合金である。
【０００８】
【実施例】以下、実施例と比較例を挙げて本発明の具体
的な実施の形態を説明する。 （実施例１）Ｔb メタル（Ｆ：1250ppm 、Ｃl ：50ppm
以下 ）を高周波溶解炉で１×10-4torrの真空下溶解
し、融点（1356℃）より50℃高めに30分間保持した後、
冷却して電極インゴットを得た。該Ｔb インゴットのＦ
は320ppm、Ｃl は50ppm 以下であった。このＴb インゴ
ットを電極として回転電極アトマイズ法で粉末化したと
ころ、粒径250 μm 以下の粉末の歩留は97重量％、Ｆは
300ppm、Ｃl は50ppm 以下であった。
的な実施の形態を説明する。 （実施例１）Ｔb メタル（Ｆ：1250ppm 、Ｃl ：50ppm
以下 ）を高周波溶解炉で１×10-4torrの真空下溶解
し、融点（1356℃）より50℃高めに30分間保持した後、
冷却して電極インゴットを得た。該Ｔb インゴットのＦ
は320ppm、Ｃl は50ppm 以下であった。このＴb インゴ
ットを電極として回転電極アトマイズ法で粉末化したと
ころ、粒径250 μm 以下の粉末の歩留は97重量％、Ｆは
300ppm、Ｃl は50ppm 以下であった。
【０００９】（実施例２）Ｇd メタル（Ｆ：50ppm 以
下、Ｃl ：1100ppm ）を高周波溶解炉で真空３×10-4to
rrの下溶解し、融点（1312℃）より50℃高めに１時間保
持した後、冷却して電極インゴットを得た。該Ｇd イン
ゴットのＦは50ppm 以下、Ｃl は120ppmであった。この
Ｔb インゴットを電極として回転電極アトマイズ法で粉
末化したところ、粒径250 μm 以下の粉末の歩留は96重
量％、Ｆは50ppm 以下、Ｃl は100ppmであった。
下、Ｃl ：1100ppm ）を高周波溶解炉で真空３×10-4to
rrの下溶解し、融点（1312℃）より50℃高めに１時間保
持した後、冷却して電極インゴットを得た。該Ｇd イン
ゴットのＦは50ppm 以下、Ｃl は120ppmであった。この
Ｔb インゴットを電極として回転電極アトマイズ法で粉
末化したところ、粒径250 μm 以下の粉末の歩留は96重
量％、Ｆは50ppm 以下、Ｃl は100ppmであった。
【００１０】（実施例３）Ｔb メタル（前出）を電子ビ
ームで真空１×10-6torrの下溶解し、融点（前出）より
50℃高めに10分間保持した後、冷却して電極インゴット
を得た。該Ｔb インゴットのＦとＣl とは共に50ppm 以
下であった。このＴb インゴットを電極として回転電極
アトマイズ法で粉末化したところ、粒径250 μm 以下の
粉末の歩留は98重量％、ＦとＣl とは共に50ppm 以下で
あった。
ームで真空１×10-6torrの下溶解し、融点（前出）より
50℃高めに10分間保持した後、冷却して電極インゴット
を得た。該Ｔb インゴットのＦとＣl とは共に50ppm 以
下であった。このＴb インゴットを電極として回転電極
アトマイズ法で粉末化したところ、粒径250 μm 以下の
粉末の歩留は98重量％、ＦとＣl とは共に50ppm 以下で
あった。
【００１１】（比較例１）Ｔb メタル（Ｆ：1250ppm 、
Ｃl ：50ppm 以下）を直接電極として回転電極アトマイ
ズ法で粉末化したところ、粒径250 μm 以下の粉末の歩
留は57重量％で、粒径１〜３mmの粗大粒が多量に発生し
た。粉末のＦは1200ppm 、Ｃl は50ppm 以下であった。
Ｃl ：50ppm 以下）を直接電極として回転電極アトマイ
ズ法で粉末化したところ、粒径250 μm 以下の粉末の歩
留は57重量％で、粒径１〜３mmの粗大粒が多量に発生し
た。粉末のＦは1200ppm 、Ｃl は50ppm 以下であった。
【００１２】（比較例２）Ｇd メタル（Ｆ：50ppm 以
下、Ｃl ：1100ppm ）を直接電極として回転電極アトマ
イズ法で粉末化したところ、粒径250 μm 以下の粉末の
歩留は43重量％で、粒径１〜３mmの粗大粒が多量に発生
した。粉末のＦは50ppm 以下、Ｃl は1050ppm であっ
た。
下、Ｃl ：1100ppm ）を直接電極として回転電極アトマ
イズ法で粉末化したところ、粒径250 μm 以下の粉末の
歩留は43重量％で、粒径１〜３mmの粗大粒が多量に発生
した。粉末のＦは50ppm 以下、Ｃl は1050ppm であっ
た。
【００１３】
【発明の効果】本発明によれば、回転電極アトマイズ法
による粉末化において、原料希土類金属中のハロゲン化
物を脱ガス化したことにより高純度の希土類金属粉末を
高歩留で得ることができ、産業上その利用価値は極めて
高い。
による粉末化において、原料希土類金属中のハロゲン化
物を脱ガス化したことにより高純度の希土類金属粉末を
高歩留で得ることができ、産業上その利用価値は極めて
高い。
【図１】回転電極アトマイズ装置の概要断面図で、
（ａ）は電極回転モーターに回転電極をセットした工
程、（ｂ）はアトマイズ工程をそれぞれ示した図であ
る。
（ａ）は電極回転モーターに回転電極をセットした工
程、（ｂ）はアトマイズ工程をそれぞれ示した図であ
る。
【図２】従来の技術による回転電極アトマイズ法の説明
図である。
図である。
１ 回転電極 ４ 電極回転モーター ７
巨大粒子 ２ 熱源 ５ 粉末回収容器 ３ チャンバー ６ 溶融粒子
巨大粒子 ２ 熱源 ５ 粉末回収容器 ３ チャンバー ６ 溶融粒子
Claims (2)
- 【請求項１】希土類金属を10-2torr以下の真空下で溶融
して得た、フッ素および／または塩素の含有量が500ppm
以下であることを特徴とする希土類金属粉末製造用原料
希土類金属。 - 【請求項２】希土類金属を10-2torr以下の真空下で溶融
してフッ素および／または塩素の含有量を500ppm以下ま
で脱ガスし、冷却して得た棒状インゴットを電極とし
て、回転電極アトマイズ法により粉末化することを特徴
とする希土類金属粉末の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP379697A JPH10204508A (ja) | 1997-01-13 | 1997-01-13 | 希土類金属粉末製造用原料希土類金属およびそれを用いた希土類金属粉末の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP379697A JPH10204508A (ja) | 1997-01-13 | 1997-01-13 | 希土類金属粉末製造用原料希土類金属およびそれを用いた希土類金属粉末の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10204508A true JPH10204508A (ja) | 1998-08-04 |
Family
ID=11567166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP379697A Pending JPH10204508A (ja) | 1997-01-13 | 1997-01-13 | 希土類金属粉末製造用原料希土類金属およびそれを用いた希土類金属粉末の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10204508A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1739196A1 (en) * | 2005-06-29 | 2007-01-03 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Rare earth metal member of high surface purity and making method |
| JP2015120981A (ja) * | 2007-03-30 | 2015-07-02 | エイティーアイ・プロパティーズ・インコーポレーテッド | ワイヤ放電イオンプラズマ電子エミッタを含む溶解炉 |
| US10232434B2 (en) | 2000-11-15 | 2019-03-19 | Ati Properties Llc | Refining and casting apparatus and method |
-
1997
- 1997-01-13 JP JP379697A patent/JPH10204508A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10232434B2 (en) | 2000-11-15 | 2019-03-19 | Ati Properties Llc | Refining and casting apparatus and method |
| EP1739196A1 (en) * | 2005-06-29 | 2007-01-03 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Rare earth metal member of high surface purity and making method |
| US7674427B2 (en) | 2005-06-29 | 2010-03-09 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Rare earth metal member and making method |
| JP2015120981A (ja) * | 2007-03-30 | 2015-07-02 | エイティーアイ・プロパティーズ・インコーポレーテッド | ワイヤ放電イオンプラズマ電子エミッタを含む溶解炉 |
| US9453681B2 (en) | 2007-03-30 | 2016-09-27 | Ati Properties Llc | Melting furnace including wire-discharge ion plasma electron emitter |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Sun et al. | Review of the methods for production of spherical Ti and Ti alloy powder | |
| JP4044348B2 (ja) | 溶射用球状粒子および溶射部材 | |
| EP1239055B1 (en) | Thermal spray spherical particles, and sprayed components | |
| US8911529B2 (en) | Low cost processing to produce spherical titanium and titanium alloy powder | |
| JP3314728B2 (ja) | 多結晶ＭｇＯ蒸着材 | |
| JP4382812B2 (ja) | 高純度一酸化ニオブ（ＮｂＯ）の製造及びそれから作ったコンデンサ製品 | |
| JP2008179892A (ja) | ＡｌＲｕスパッタリングターゲットの製造方法 | |
| JP2006037238A (ja) | 溶射用球状粒子の製造方法 | |
| JP2004091843A (ja) | 高純度高融点金属粉末の製造方法 | |
| JP2001342506A (ja) | 粉末原料の製造方法およびターゲット材の製造方法 | |
| JPH10204508A (ja) | 希土類金属粉末製造用原料希土類金属およびそれを用いた希土類金属粉末の製造方法 | |
| CN100531971C (zh) | 一种两相钛合金粉末的制备方法 | |
| JP2001123206A (ja) | 希土類金属電極及び回転電極アトマイズ法により得られる希土類金属粉末 | |
| JPH0778263B2 (ja) | 中圧電子ビーム炉 | |
| JPH0331405A (ja) | 金属粉末の製造方法及びその装置 | |
| JPH0119448B2 (ja) | ||
| JPS63210206A (ja) | 金属粉末製造装置 | |
| KR20210067740A (ko) | 이송식 아크 플라즈마를 이용한 티타늄계 분말의 제조 방법 | |
| KR101065211B1 (ko) | 기계적 저에너지 분쇄공정을 이용한 초미세 비정질 분말의제조 방법 | |
| JPH0641618A (ja) | 活性金属粉末の連続製造方法およびその装置 | |
| JPH04232260A (ja) | Ｗ−Ｔｉ合金ターゲットおよび製造方法 | |
| JPS61145828A (ja) | スパツタリングタ−ゲツトとその製造方法 | |
| JP3244332B2 (ja) | 希土類金属球状粒子の製造方法およびその装置 | |
| JP2580523B2 (ja) | 二ホウ化チタン単結晶の育成法 | |
| JPS63145703A (ja) | 粉末製造装置 |