JPH1020333A - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置およびその製造方法Info
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- JPH1020333A JPH1020333A JP17610696A JP17610696A JPH1020333A JP H1020333 A JPH1020333 A JP H1020333A JP 17610696 A JP17610696 A JP 17610696A JP 17610696 A JP17610696 A JP 17610696A JP H1020333 A JPH1020333 A JP H1020333A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 検査工程と製品段階での信号線の配線状態を
変化させることにより、信号線の配線抵抗の低減と断線
検査を両立させた液晶表示装置を提供する。 【解決手段】 一対の電極基板と、前記一対の電極基板
間に注入封止される液晶層とを有し、複数の画素がマト
リクス状に配置された液晶表示パネルを具備する液晶表
示装置であって、前記一対の電極基板の少なくとも一方
の電極基板が、前記複数の画素に液晶駆動電圧を供給す
る信号線(8)を有する液晶表示装置において、前記信
号線の中央部に、外部からの制御信号に基づきオンある
いはオフとなるスイッチング素子(8c)を設ける。
変化させることにより、信号線の配線抵抗の低減と断線
検査を両立させた液晶表示装置を提供する。 【解決手段】 一対の電極基板と、前記一対の電極基板
間に注入封止される液晶層とを有し、複数の画素がマト
リクス状に配置された液晶表示パネルを具備する液晶表
示装置であって、前記一対の電極基板の少なくとも一方
の電極基板が、前記複数の画素に液晶駆動電圧を供給す
る信号線(8)を有する液晶表示装置において、前記信
号線の中央部に、外部からの制御信号に基づきオンある
いはオフとなるスイッチング素子(8c)を設ける。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に係
わり、特に、液晶表示パネルの信号線の配線抵抗を低減
させた液晶表示装置に関する。
わり、特に、液晶表示パネルの信号線の配線抵抗を低減
させた液晶表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の液晶表示装置としては、ストライ
プ状のXY電極の交点の画素を駆動する単純マトリクス
型液晶表示装置と、画素毎に能動素子(例えば、薄膜ト
ランジスタ)を有しこの能動素子をスイッチング駆動す
るアクティブマトリクス型液晶表示装置に大別される。
プ状のXY電極の交点の画素を駆動する単純マトリクス
型液晶表示装置と、画素毎に能動素子(例えば、薄膜ト
ランジスタ)を有しこの能動素子をスイッチング駆動す
るアクティブマトリクス型液晶表示装置に大別される。
【0003】従来のアクティブマトリクス型液晶表示装
置に使用されるTFT(ThinFilm Trans
ister)方式の液晶表示パネルにおいては、一対の
電極基板(TFT電極基板およびフィルタ電極基板)の
間に、液晶層が注入封止される。
置に使用されるTFT(ThinFilm Trans
ister)方式の液晶表示パネルにおいては、一対の
電極基板(TFT電極基板およびフィルタ電極基板)の
間に、液晶層が注入封止される。
【0004】そして、前記TFT電極基板に、ゲート電
極、ゲートライン(ゲート信号線)、アモルファスシリ
コン、画素電極、データライン(映像信号線)等が形成
され、前記フィルタ電極基板には、カラーフィルタ、遮
光膜、コモン電極等が形成される。
極、ゲートライン(ゲート信号線)、アモルファスシリ
コン、画素電極、データライン(映像信号線)等が形成
され、前記フィルタ電極基板には、カラーフィルタ、遮
光膜、コモン電極等が形成される。
【0005】図4は、従来のTFT方式の液晶表示パネ
ルにおけるTFT電極基板の1画素とその周辺を示す平
面図である。
ルにおけるTFT電極基板の1画素とその周辺を示す平
面図である。
【0006】図4において、101は画素電極、102
はゲート電極、103はソース電極、104はドレイン
電極、105はアモルファスシリコン、106は薄膜ト
ランジスタ、107はデータライン、108はゲートラ
イン、109は付加容量(Cadd)、110は容量ラ
インである。
はゲート電極、103はソース電極、104はドレイン
電極、105はアモルファスシリコン、106は薄膜ト
ランジスタ、107はデータライン、108はゲートラ
イン、109は付加容量(Cadd)、110は容量ラ
インである。
【0007】図4に示すように、従来のTFT方式の液
晶表示パネルでは、各画素は隣接する2本のゲートライ
ン108と、隣接する2本のデータライン107との交
差領域(4本の信号線で囲まれた領域)内に配置され、
各画素は、薄膜トランジスタ106と、画素電極101
および付加容量(Cadd)109を含んでいる。
晶表示パネルでは、各画素は隣接する2本のゲートライ
ン108と、隣接する2本のデータライン107との交
差領域(4本の信号線で囲まれた領域)内に配置され、
各画素は、薄膜トランジスタ106と、画素電極101
および付加容量(Cadd)109を含んでいる。
【0008】ゲートライン108は図4では左右方向に
延在し、上下方向に複数本配置され、また、データライ
ン107は図4では上下方向に延在し、左右方向に複数
本配置される。
延在し、上下方向に複数本配置され、また、データライ
ン107は図4では上下方向に延在し、左右方向に複数
本配置される。
【0009】薄膜トランジスタ106は、ゲート電極1
02と、ゲート絶縁膜(図示せず)と、アモルファスシ
リコン105と、ソース電極103と、ドレイン電極1
04とを有する。
02と、ゲート絶縁膜(図示せず)と、アモルファスシ
リコン105と、ソース電極103と、ドレイン電極1
04とを有する。
【0010】ゲート電極102は、ゲートライン108
から垂直方向に突出する形で、ゲートライン108と連
続して一体的に形成され、また、ドレイン電極104は
データライン107に接続され、ソース電極103は画
素電極101に接続される。
から垂直方向に突出する形で、ゲートライン108と連
続して一体的に形成され、また、ドレイン電極104は
データライン107に接続され、ソース電極103は画
素電極101に接続される。
【0011】また、画素電極101が、薄膜トランジス
タ106と接続される端部と反対側の端部で、容量ライ
ン110と重なるように形成されており、画素電極10
1を一方の電極とし、容量ライン110を他方の電極と
する付加容量(Cadd)109を形成する。
タ106と接続される端部と反対側の端部で、容量ライ
ン110と重なるように形成されており、画素電極10
1を一方の電極とし、容量ライン110を他方の電極と
する付加容量(Cadd)109を形成する。
【0012】図5は、従来の単純マトリクス型液晶表示
装置に使用されるSTN(Super Twisted
Nematic)方式の液晶表示パネルの電極構成の
一例を示す図である。
装置に使用されるSTN(Super Twisted
Nematic)方式の液晶表示パネルの電極構成の
一例を示す図である。
【0013】図5において、201は上側のセグメント
電極(データ信号線)、202は下側のセグメント電極
(データ信号線)、203はコモン電極(走査信号線)
である。
電極(データ信号線)、202は下側のセグメント電極
(データ信号線)、203はコモン電極(走査信号線)
である。
【0014】図5に示す液晶表示パネルでは、セグメン
ト電極を、上側のセグメント電極201と下側のセグメ
ント電極202とに分割し、また、上側のセグメント電
極201と直交するコモン電極群と、下側のセグメント
電極202と直交するコモン電極群とを、1フレーム内
に独立に走査することにより、1フレーム内に走査する
コモン電極の数を、セグメント電極を2分割しない場合
よりも1/2に低減し、それにより、コントラストを向
上させるようにしたものである。
ト電極を、上側のセグメント電極201と下側のセグメ
ント電極202とに分割し、また、上側のセグメント電
極201と直交するコモン電極群と、下側のセグメント
電極202と直交するコモン電極群とを、1フレーム内
に独立に走査することにより、1フレーム内に走査する
コモン電極の数を、セグメント電極を2分割しない場合
よりも1/2に低減し、それにより、コントラストを向
上させるようにしたものである。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】前記図4に示すTFT
方式の液晶表示パネルにおいては、信号線の配線幅を小
さくすることにより、画素の開口率を向上させることが
可能となる。
方式の液晶表示パネルにおいては、信号線の配線幅を小
さくすることにより、画素の開口率を向上させることが
可能となる。
【0016】それにより、液晶表示パネルの光透過率を
向上させて、バックライトの消費電力を低減することが
可能となる。
向上させて、バックライトの消費電力を低減することが
可能となる。
【0017】しかしながら、図6に示すように、信号線
10は等価的に、配線抵抗(10a)と配線負荷容量
(10b)とからなる分布定数線路と見なせるので、信
号線10の配線幅を小さくすると、信号線10の配線抵
抗(10a)が大きくなる。
10は等価的に、配線抵抗(10a)と配線負荷容量
(10b)とからなる分布定数線路と見なせるので、信
号線10の配線幅を小さくすると、信号線10の配線抵
抗(10a)が大きくなる。
【0018】これにより、信号線10の信号遅延量が増
大するので、画素の書き込み電流が不足し、信号線10
に沿って画素の明るに傾斜が生じる等の問題が生じる。
大するので、画素の書き込み電流が不足し、信号線10
に沿って画素の明るに傾斜が生じる等の問題が生じる。
【0019】これを防止するための一手法として、図7
に示すように、信号線10を中央部で2分割するととも
に、前記2分割された信号線10の両側に配線駆動素子
(ドライバ)2を配置し、それぞれの配線駆動素子2に
より各信号線10を駆動する方法が考えられる。
に示すように、信号線10を中央部で2分割するととも
に、前記2分割された信号線10の両側に配線駆動素子
(ドライバ)2を配置し、それぞれの配線駆動素子2に
より各信号線10を駆動する方法が考えられる。
【0020】なお、図6、図7においては、TFT方式
の液晶表示パネルのゲートライン108を2分割した例
を示しており、信号線10はTFT方式の液晶表示パネ
ルのゲートライン108を示す。
の液晶表示パネルのゲートライン108を2分割した例
を示しており、信号線10はTFT方式の液晶表示パネ
ルのゲートライン108を示す。
【0021】しかしながら、信号線10を2分割して、
前記2分割された信号線10の両側に配線駆動素子2を
配置する方法では、製造工程中に信号線10の端子部を
利用して信号線10の断線検査が行えなず、製品が完成
するまで不良品の選別ができないという問題点があっ
た。
前記2分割された信号線10の両側に配線駆動素子2を
配置する方法では、製造工程中に信号線10の端子部を
利用して信号線10の断線検査が行えなず、製品が完成
するまで不良品の選別ができないという問題点があっ
た。
【0022】また、同様に、前記図5に示すSTN方式
の液晶表示パネルにおいても、セグメント電極を、上側
のセグメント電極201と下側のセグメント電極202
とに分割しているが、この場合においても、製造工程中
に各セグメント電極の端子部を利用して上側のセグメン
ト電極201と下側のセグメント電極202との断線検
査が行えなず、製品が完成するまで不良品の選別ができ
ないという問題点があった。
の液晶表示パネルにおいても、セグメント電極を、上側
のセグメント電極201と下側のセグメント電極202
とに分割しているが、この場合においても、製造工程中
に各セグメント電極の端子部を利用して上側のセグメン
ト電極201と下側のセグメント電極202との断線検
査が行えなず、製品が完成するまで不良品の選別ができ
ないという問題点があった。
【0023】本発明は、前記従来技術の問題点を解決す
るためになされたものであり、本発明の目的は、液晶表
示装置およびその製造方法において、検査工程と製品段
階での信号線の配線状態を変化させることにより、信号
線の配線抵抗の低減と断線検査を両立させることが可能
となる技術を提供することにある。
るためになされたものであり、本発明の目的は、液晶表
示装置およびその製造方法において、検査工程と製品段
階での信号線の配線状態を変化させることにより、信号
線の配線抵抗の低減と断線検査を両立させることが可能
となる技術を提供することにある。
【0024】本発明の前記目的並びにその他の目的及び
新規な特徴は、本明細書の記載及び添付図面によって明
らかにする。
新規な特徴は、本明細書の記載及び添付図面によって明
らかにする。
【0025】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記の通りである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記の通りである。
【0026】(1)一対の電極基板と、前記一対の電極
基板間に注入封止される液晶層とを有し、複数の画素が
マトリクス状に配置された液晶表示パネルを具備する液
晶表示装置であって、前記一対の電極基板の少なくとも
一方の電極基板が、前記複数の画素に液晶駆動電圧を供
給する信号線を有する液晶表示装置において、前記信号
線の中央部に、外部からの制御信号に基づきオンあるい
はオフとなるスイッチング素子を設けたことを特徴とす
る。
基板間に注入封止される液晶層とを有し、複数の画素が
マトリクス状に配置された液晶表示パネルを具備する液
晶表示装置であって、前記一対の電極基板の少なくとも
一方の電極基板が、前記複数の画素に液晶駆動電圧を供
給する信号線を有する液晶表示装置において、前記信号
線の中央部に、外部からの制御信号に基づきオンあるい
はオフとなるスイッチング素子を設けたことを特徴とす
る。
【0027】(2)前記(1)の手段において、前記液
晶表示パネルが、能動素子を有するアクティブマトリク
ス型の液晶表示パネルであることを特徴とする。
晶表示パネルが、能動素子を有するアクティブマトリク
ス型の液晶表示パネルであることを特徴とする。
【0028】(3)前記(2)の手段において、前記信
号線が、ゲート信号線であることを特徴とする。
号線が、ゲート信号線であることを特徴とする。
【0029】(4)前記(1)の手段において、前記液
晶表示パネルが、単純マトリクス型の液晶表示パネルで
あることを特徴とする。
晶表示パネルが、単純マトリクス型の液晶表示パネルで
あることを特徴とする。
【0030】(5)一対の電極基板と、前記一対の電極
基板間に注入封止される液晶層とを有し、複数の画素が
マトリクス状に配置された液晶表示パネルを具備する液
晶表示装置であって、前記一対の電極基板の少なくとも
一方の電極基板が、前記複数の画素に液晶駆動電圧を供
給する信号線を有する液晶表示装置の製造方法におい
て、前記一対の電極基板の少なくとも一方の電極基板の
一端から他端まで信号線を形成する工程と、前記信号線
の断線を検査する工程と、前記信号線の断線を検査した
後、前記信号線の中央部を切断する工程とを有すること
を特徴とする。
基板間に注入封止される液晶層とを有し、複数の画素が
マトリクス状に配置された液晶表示パネルを具備する液
晶表示装置であって、前記一対の電極基板の少なくとも
一方の電極基板が、前記複数の画素に液晶駆動電圧を供
給する信号線を有する液晶表示装置の製造方法におい
て、前記一対の電極基板の少なくとも一方の電極基板の
一端から他端まで信号線を形成する工程と、前記信号線
の断線を検査する工程と、前記信号線の断線を検査した
後、前記信号線の中央部を切断する工程とを有すること
を特徴とする。
【0031】(6)前記(5)の手段において、前記液
晶表示パネルが、能動素子を有するアクティブマトリク
ス型の液晶表示パネルであることを特徴とする。
晶表示パネルが、能動素子を有するアクティブマトリク
ス型の液晶表示パネルであることを特徴とする。
【0032】(7)前記(6)の手段において、前記信
号線が、ゲート信号線であることを特徴とする。
号線が、ゲート信号線であることを特徴とする。
【0033】(8)前記(5)の手段において、前記液
晶表示パネルが、単純マトリクス型の液晶表示パネルで
あることを特徴とする。
晶表示パネルが、単純マトリクス型の液晶表示パネルで
あることを特徴とする。
【0034】前記(1)ないし(4)手段によれば、液
晶表示装置において、液晶表示パネルの信号線の中央部
に外部から制御できるスイッチ素子を設け、製造工程中
の断線検査においては、当該信号線の中央部に設けたス
イッチ素子を外部からの制御信号に基づきオンとし、液
晶表示パネルが完成した状態では、当該信号線の中央部
に設けたスイッチ素子を外部からの制御信号に基づきオ
フにするようにしたので、液晶表示パネルの信号線の配
線抵抗を低減できるとともに、信号線の端子部を利用し
て信号線の断線検査を行うことが可能となる。
晶表示装置において、液晶表示パネルの信号線の中央部
に外部から制御できるスイッチ素子を設け、製造工程中
の断線検査においては、当該信号線の中央部に設けたス
イッチ素子を外部からの制御信号に基づきオンとし、液
晶表示パネルが完成した状態では、当該信号線の中央部
に設けたスイッチ素子を外部からの制御信号に基づきオ
フにするようにしたので、液晶表示パネルの信号線の配
線抵抗を低減できるとともに、信号線の端子部を利用し
て信号線の断線検査を行うことが可能となる。
【0035】前記(5)ないし(8)手段によれば、液
晶表示装置の製造方法において、液晶表示パネルの一端
から他端まで信号線を形成し、当該信号線の断線検査を
行った後に、当該信号線の中央部を切断するようにした
ので、液晶表示パネルの信号線の配線抵抗を低減できる
とともに、信号線の端子部を利用して信号線の断線検査
を行うことが可能となる。
晶表示装置の製造方法において、液晶表示パネルの一端
から他端まで信号線を形成し、当該信号線の断線検査を
行った後に、当該信号線の中央部を切断するようにした
ので、液晶表示パネルの信号線の配線抵抗を低減できる
とともに、信号線の端子部を利用して信号線の断線検査
を行うことが可能となる。
【0036】
【発明の実施の形態】以下、本発明の発明の実施の形態
を図面を参照して詳細に説明する。
を図面を参照して詳細に説明する。
【0037】なお、発明の実施の形態を説明するための
全図において、同一機能を有するものは同一符号を付
け、その繰り返しの説明は省略する。
全図において、同一機能を有するものは同一符号を付
け、その繰り返しの説明は省略する。
【0038】[発明の実施の形態1]図1は、本発明の
一発明の実施の形態(発明の実施の形態1)であるアク
ティブマトリクス型液晶表示装置に使用されるTFT
(Thin Film Transister)方式の
液晶表示パネルのゲートラインの概略構成を示す平面図
である。
一発明の実施の形態(発明の実施の形態1)であるアク
ティブマトリクス型液晶表示装置に使用されるTFT
(Thin Film Transister)方式の
液晶表示パネルのゲートラインの概略構成を示す平面図
である。
【0039】図1において、1はガラス基板、8はゲー
トライン、8aは配線抵抗、8bは配線負荷容量、8c
はスイッチング素子である。
トライン、8aは配線抵抗、8bは配線負荷容量、8c
はスイッチング素子である。
【0040】なお、図1において、ゲートライン8は分
布定数線路の形で表現されている。
布定数線路の形で表現されている。
【0041】本発明の実施の形態1の液晶表示パネルで
は、フォトリソグラフィ技術を用いて、ガラス基板1上
にゲートライン8と、ゲートライン8の中央部にスイッ
チング素子(8c)を形成する。
は、フォトリソグラフィ技術を用いて、ガラス基板1上
にゲートライン8と、ゲートライン8の中央部にスイッ
チング素子(8c)を形成する。
【0042】即ち、本発明の実施の形態1の液晶表示パ
ネルでは、スイッチング素子(8c)を介して、ゲート
ライン8が2分割される。
ネルでは、スイッチング素子(8c)を介して、ゲート
ライン8が2分割される。
【0043】そして、ゲートライン8の断線検査を行う
場合には、図1(a)に示すように、外部からの制御信
号により前記スイッチング素子(8c)をオンとし、2
分割されたゲートライン8を電気的に接続するこことに
より、ゲートライン8の端子部を利用して断線検査を行
うことが可能となる。
場合には、図1(a)に示すように、外部からの制御信
号により前記スイッチング素子(8c)をオンとし、2
分割されたゲートライン8を電気的に接続するこことに
より、ゲートライン8の端子部を利用して断線検査を行
うことが可能となる。
【0044】また、図1(b)に示すように、断線検査
終了後に、外部からの制御信号に基づいて前記スイッチ
ング素子(8c)をオフとすることにより、前記ゲート
ライン8の中央部を切断し、前記ゲートライン8を2分
割する。
終了後に、外部からの制御信号に基づいて前記スイッチ
ング素子(8c)をオフとすることにより、前記ゲート
ライン8の中央部を切断し、前記ゲートライン8を2分
割する。
【0045】その上で、前記2分割されたゲートライン
8の両側に配線駆動素子(ドライバ)2を配置し、それ
ぞれの配線駆動素子2により各ゲートラインに液晶駆動
電圧を供給する。
8の両側に配線駆動素子(ドライバ)2を配置し、それ
ぞれの配線駆動素子2により各ゲートラインに液晶駆動
電圧を供給する。
【0046】この場合に、前記ゲートライン8の材料と
しては、アルミニウム(Al)、クロム(Cr)等を使
用することができる。
しては、アルミニウム(Al)、クロム(Cr)等を使
用することができる。
【0047】図1に示すスイッチング素子(8c)は、
従来のTFT方式の液晶表示パネルの薄膜トランジスタ
と同様に構成することができる。
従来のTFT方式の液晶表示パネルの薄膜トランジスタ
と同様に構成することができる。
【0048】図2は、図1に示すスイッチング素子(8
c)の一例の概略構成を示す断面図である。
c)の一例の概略構成を示す断面図である。
【0049】図2において、1はガラス基板、3はゲー
ト電極、4はソース電極、5はドレイン電極、6はアモ
ルファスシリコン、7は第1の絶縁膜、8はゲートライ
ン、9は第2の絶縁膜である。
ト電極、4はソース電極、5はドレイン電極、6はアモ
ルファスシリコン、7は第1の絶縁膜、8はゲートライ
ン、9は第2の絶縁膜である。
【0050】ここで、第1の絶縁膜7は、スイッチング
素子(8c)のゲート酸化膜を構成し、また、第2の絶
縁膜9は、液晶表示パネルの薄膜トランジスタのゲート
酸化膜を構成する。
素子(8c)のゲート酸化膜を構成し、また、第2の絶
縁膜9は、液晶表示パネルの薄膜トランジスタのゲート
酸化膜を構成する。
【0051】本発明の実施の形態1の液晶表示パネルに
よれば、ゲートライン8の配線抵抗(8a)を約半分で
きるので、ゲートライン8の配線幅を半分にすることが
可能となり、画素の開口率、あるいは、レイアウト効率
を向上させることが可能となる。
よれば、ゲートライン8の配線抵抗(8a)を約半分で
きるので、ゲートライン8の配線幅を半分にすることが
可能となり、画素の開口率、あるいは、レイアウト効率
を向上させることが可能となる。
【0052】それにより、液晶表示パネルの光透過率を
向上させて、バックライトの消費電力を低減することが
可能となる。
向上させて、バックライトの消費電力を低減することが
可能となる。
【0053】[発明の実施の形態2]図3は、本発明の
他の発明の実施の形態(発明の実施の形態2)であるア
クティブマトリクス型液晶表示装置に使用されるTFT
方式の液晶表示パネルのゲートラインの概略構成を示す
平面図である。
他の発明の実施の形態(発明の実施の形態2)であるア
クティブマトリクス型液晶表示装置に使用されるTFT
方式の液晶表示パネルのゲートラインの概略構成を示す
平面図である。
【0054】図3において、1はガラス基板、8はゲー
トライン、8aは配線抵抗、8bは配線負荷容量であ
る。
トライン、8aは配線抵抗、8bは配線負荷容量であ
る。
【0055】なお、図3においても、ゲートライン8は
分布定数線路の形で表現されている。
分布定数線路の形で表現されている。
【0056】本発明の実施の形態2の液晶表示パネルで
は、フォトリソグラフィ技術を用いて、ガラス基板1上
にゲートライン8を一直線上にガラス基板1の一端から
他端まで形成する。
は、フォトリソグラフィ技術を用いて、ガラス基板1上
にゲートライン8を一直線上にガラス基板1の一端から
他端まで形成する。
【0057】次に、図3(a)に示すように断線線検査
工程において、この一直線上に形成されたゲートライン
8の端子部を利用して断線検査を行う。
工程において、この一直線上に形成されたゲートライン
8の端子部を利用して断線検査を行う。
【0058】次に、図3(b)に示すように、断線検査
工程後に、レーザーにより、前記ゲートライン8の中央
部を切断し、前記ゲートライン8を2分割する。
工程後に、レーザーにより、前記ゲートライン8の中央
部を切断し、前記ゲートライン8を2分割する。
【0059】その上で、前記2分割されたゲートライン
8の両側に配線駆動素子(ゲートドライバ)2を配置
し、それぞれの配線駆動素子2により各ゲートラインに
液晶駆動電圧を供給する。
8の両側に配線駆動素子(ゲートドライバ)2を配置
し、それぞれの配線駆動素子2により各ゲートラインに
液晶駆動電圧を供給する。
【0060】本発明の実施の形態2の液晶表示パネルに
おいても、ゲートライン8の配線抵抗(8a)を約半分
にできるので、ゲートライン8の配線幅を半分にするこ
とが可能となり、画素の開口率、あるいは、レイアウト
効率を向上させることが可能となる。
おいても、ゲートライン8の配線抵抗(8a)を約半分
にできるので、ゲートライン8の配線幅を半分にするこ
とが可能となり、画素の開口率、あるいは、レイアウト
効率を向上させることが可能となる。
【0061】それにより、液晶表示パネルの光透過率を
向上させて、バックライトの消費電力を低減することが
可能となる。
向上させて、バックライトの消費電力を低減することが
可能となる。
【0062】なお、前記各発明の実施の形態では、TF
T方式の液晶表示パネルのゲートライン8に本発明を適
用した発明の実施の形態について説明したが、これに限
定されず、本発明は、他の信号線、例えば、データライ
ン等にも適用可能であることはいうまでもない。
T方式の液晶表示パネルのゲートライン8に本発明を適
用した発明の実施の形態について説明したが、これに限
定されず、本発明は、他の信号線、例えば、データライ
ン等にも適用可能であることはいうまでもない。
【0063】さらに、本発明は、単純マトリクス型液晶
表示装置に使用されるSTN方式の液晶表示パネルの信
号線、例えば、図5に示すセグメント電極にも適用可能
であることはいうまでもない。
表示装置に使用されるSTN方式の液晶表示パネルの信
号線、例えば、図5に示すセグメント電極にも適用可能
であることはいうまでもない。
【0064】以上、本発明を発明の実施の形態に基づき
具体的に説明したが、本発明は、前記発明の実施の形態
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更し得ることは言うまでもない。
具体的に説明したが、本発明は、前記発明の実施の形態
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更し得ることは言うまでもない。
【0065】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記の通りである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記の通りである。
【0066】(1)本発明によれば、液晶表示装置にお
いて、液晶表示パネルの信号線の中央部に外部から制御
できるスイッチ素子を設け、当該スイッチング素子をオ
ンとすることにより信号線の断線検査を行い、当該スイ
ッチング素子をオフとすることにより、信号線を2分割
するようにしたので、信号線の配線抵抗を低減できると
ともに、信号線の端子部を利用して信号線の断線検査を
行うことが可能となる。
いて、液晶表示パネルの信号線の中央部に外部から制御
できるスイッチ素子を設け、当該スイッチング素子をオ
ンとすることにより信号線の断線検査を行い、当該スイ
ッチング素子をオフとすることにより、信号線を2分割
するようにしたので、信号線の配線抵抗を低減できると
ともに、信号線の端子部を利用して信号線の断線検査を
行うことが可能となる。
【0067】(2)本発明によれば、液晶表示装置の製
造方法において、液晶表示パネルの信号線を一直線上に
形成し、信号線の断線検査を行った後に、信号線の中央
部を切断して、信号線を2分割するようにしたので、信
号線の配線抵抗を低減できるとともに、信号線の端子部
を利用して信号線の断線検査を行うことが可能となる。
造方法において、液晶表示パネルの信号線を一直線上に
形成し、信号線の断線検査を行った後に、信号線の中央
部を切断して、信号線を2分割するようにしたので、信
号線の配線抵抗を低減できるとともに、信号線の端子部
を利用して信号線の断線検査を行うことが可能となる。
【0068】(3)本発明によれば、液晶表示装置にお
いて、信号線の配線幅を小さくすることができるので、
画素の開口率、または、レイアウト効率を向上させるこ
とが可能となり、これにより、消費電力を低減させるこ
とが可能となる。
いて、信号線の配線幅を小さくすることができるので、
画素の開口率、または、レイアウト効率を向上させるこ
とが可能となり、これにより、消費電力を低減させるこ
とが可能となる。
【図1】本発明の一発明の実施の形態(発明の実施の形
態1)であるアクティブマトリクス型液晶表示装置に使
用されるTFT(Thin Film Transis
ter)方式の液晶表示パネルのゲートラインの概略構
成を示す平面図である。
態1)であるアクティブマトリクス型液晶表示装置に使
用されるTFT(Thin Film Transis
ter)方式の液晶表示パネルのゲートラインの概略構
成を示す平面図である。
【図2】図1に示すスイッチング素子(8c)の一例の
概略構成を示す断面図である。
概略構成を示す断面図である。
【図3】本発明の他の発明の実施の形態(発明の実施の
形態2)であるアクティブマトリクス型液晶表示装置に
使用されるTFT方式の液晶表示パネルのゲートライン
の概略構成を示す平面図である。
形態2)であるアクティブマトリクス型液晶表示装置に
使用されるTFT方式の液晶表示パネルのゲートライン
の概略構成を示す平面図である。
【図4】従来のTFT方式の液晶表示パネルにおけるT
FT電極基板の1画素とその周辺を示す平面図である。
FT電極基板の1画素とその周辺を示す平面図である。
【図5】従来の単純マトリクス型液晶表示装置に使用さ
れるSTN(Super Twisted Nemat
ic)方式の液晶表示パネルの電極構成の一例を示す図
である。
れるSTN(Super Twisted Nemat
ic)方式の液晶表示パネルの電極構成の一例を示す図
である。
【図6】液晶表示パネルの信号線の等化回路を示す回路
図である。
図である。
【図7】液晶表示パネルの信号線の配線抵抗を低減させ
るために、信号線を中央部で2分割した液晶表示パネル
を示す図である。
るために、信号線を中央部で2分割した液晶表示パネル
を示す図である。
1…ガラス基板、2…配線駆動素子、3,102…ゲー
ト電極、4,103…ソース電極、5,104…ドレイ
ン電極、6,105…アモルファスシリコン、7…第1
の絶縁膜、8,108…ゲートライン、8a,10a…
配線抵抗、8b,10b…配線負荷容量、8c…スイッ
チング素子、9…第2の絶縁膜、10…信号線、101
…画素電極、106…薄膜トランジスタ、107…デー
タライン、109…付加容量(Cadd)、110…容
量ライン、201…上側のセグメント電極、202…下
側のセグメント電極、203…コモン電極。
ト電極、4,103…ソース電極、5,104…ドレイ
ン電極、6,105…アモルファスシリコン、7…第1
の絶縁膜、8,108…ゲートライン、8a,10a…
配線抵抗、8b,10b…配線負荷容量、8c…スイッ
チング素子、9…第2の絶縁膜、10…信号線、101
…画素電極、106…薄膜トランジスタ、107…デー
タライン、109…付加容量(Cadd)、110…容
量ライン、201…上側のセグメント電極、202…下
側のセグメント電極、203…コモン電極。
Claims (8)
- 【請求項1】 一対の電極基板と、前記一対の電極基板
間に注入封止される液晶層とを有し、複数の画素がマト
リクス状に配置された液晶表示パネルを具備する液晶表
示装置であって、前記一対の電極基板の少なくとも一方
の電極基板が、前記複数の画素に液晶駆動電圧を供給す
る信号線を有する液晶表示装置において、 前記信号線
の中央部に、外部からの制御信号に基づきオンあるいは
オフとなるスイッチング素子を設けたことを特徴とする
液晶表示装置。 - 【請求項2】 前記液晶表示パネルが、能動素子を有す
るアクティブマトリクス型の液晶表示パネルであること
を特徴とする請求項1に記載された液晶表示装置。 - 【請求項3】 前記信号線が、ゲート信号線であること
を特徴とする請求項2に記載された液晶表示装置。 - 【請求項4】 前記液晶表示パネルが、単純マトリクス
型の液晶表示パネルであることを特徴とする請求項1に
記載された液晶表示装置。 - 【請求項5】 一対の電極基板と、前記一対の電極基板
間に注入封止される液晶層とを有し、複数の画素がマト
リクス状に配置された液晶表示パネルを具備する液晶表
示装置であって、前記一対の電極基板の少なくとも一方
の電極基板が、前記複数の画素に液晶駆動電圧を供給す
る信号線を有する液晶表示装置の製造方法において、 前記一対の電極基板の少なくとも一方の電極基板の一端
から他端まで信号線を形成する工程と、前記信号線の断
線を検査する工程と、前記信号線の断線を検査した後、
前記信号線の中央部を切断する工程とを有することを特
徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項6】 前記液晶表示パネルが、能動素子を有す
るアクティブマトリクス型の液晶表示パネルであること
を特徴とする請求項5に記載された液晶表示装置の製造
方法。 - 【請求項7】 前記信号線が、ゲート信号線であること
を特徴とする請求項6に記載された液晶表示装置の製造
方法。 - 【請求項8】 前記液晶表示パネルが、単純マトリクス
型の液晶表示パネルであることを特徴とする請求項5に
記載された液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17610696A JPH1020333A (ja) | 1996-07-05 | 1996-07-05 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17610696A JPH1020333A (ja) | 1996-07-05 | 1996-07-05 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1020333A true JPH1020333A (ja) | 1998-01-23 |
Family
ID=16007804
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17610696A Pending JPH1020333A (ja) | 1996-07-05 | 1996-07-05 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1020333A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001210228A (ja) * | 2000-01-31 | 2001-08-03 | Toray Ind Inc | プラズマディスプレイ用部材の製造方法およびプラズマディスプレイ用部材ならびにそれを用いたプラズマディスプレイ。 |
-
1996
- 1996-07-05 JP JP17610696A patent/JPH1020333A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001210228A (ja) * | 2000-01-31 | 2001-08-03 | Toray Ind Inc | プラズマディスプレイ用部材の製造方法およびプラズマディスプレイ用部材ならびにそれを用いたプラズマディスプレイ。 |
JP4519236B2 (ja) * | 2000-01-31 | 2010-08-04 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイ用部材の製造方法およびプラズマディスプレイ用部材ならびにそれを用いたプラズマディスプレイ。 |
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