JPH1020044A

JPH1020044A - 電子スピン偏極度の計測方法及びその装置

Info

Publication number: JPH1020044A
Application number: JP8179530A
Authority: JP
Inventors: Kazunobu Hayakawa; 和延早川
Original assignee: Kagaku Gijutsu Shinko Jigyodan
Current assignee: Kagaku Gijutsu Shinko Jigyodan
Priority date: 1996-07-09
Filing date: 1996-07-09
Publication date: 1998-01-23
Anticipated expiration: 2016-07-09
Also published as: JP3302569B2

Abstract

(57)【要約】【課題】２次電子の発生場所を表面第１〜第ｎ原子層
に特定して、その２次電子のスピン偏極度を計測可能に
した電子スピン偏極度の計測方法及びその装置を提供す
る。【解決手段】表面の限定された原子層数のスピン偏極
度を計測する方法において、試料としての結晶表面１に
１次電子ビームを照射し、前記結晶表面１から放出され
る２次電子を引き込み電極系５、加速管６を通して加速
して、金散乱標的７に垂直に衝突させ、前記金散乱標的
７の両側に設置した電子検出器１１，１３のカウント数
に基づいて被分析電子線の偏極度を求める。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子スピン偏極度
の計測方法及びその装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】電子線衝撃により強磁性体試料から放出
される２次電子のスピン偏極度Ｐを画像信号として使用
するスピン偏極走査電子顕微鏡（スピンＳＥＭ）の成功
と、その後の磁性材料評価研究への利用の進展、空間分
解能の向上により、「電子スピン」は単なる学術研究の
対象から産業科学領域における計測対象へと進展した。
スピンＳＥＭの次の段階の発展の一つの方向として、表
面の原子層の数を限定して、その限定された原子層だけ
のスピン偏極度を計測可能にすることが表面スピン計測
の発展の一方向と想定される。

【０００３】以下、電子スピン計測の歴史について概観
する。電子スピン計測の研究は、Ｍｏｔｔによる電子ス
ピンを考慮した重い原子核の中心力場による散乱理論
（以下、Ｍｏｔｔ散乱という）、ＤａｖｉｓｓｏｎとＧ
ｅｒｍｅｒが電子の波動性の発見（１９２７）直後に行
った２結晶ＬＥＥＤによるスピン偏極とスピン分析の実
験的試みが最初である。その後、Ｍｏｔｔ散乱理論の実
験的検証、ベータ崩壊電子のスピン偏極現象、低エネル
ギー電子の重原子による散乱とスピン偏極の発生などの
研究の発展を経て、現代のＧａＡｓスピン偏極電子源、
スピンＳＥＭ、スピン偏極ＳＴＭファミリー開発の試み
へと展開しつつある。

【０００４】Ａ．本発明の着想とその背景（１）電子線のスピン偏極スピン１／２のフェルミ粒子の集まりにおいて、各粒子
のスピンは一般には様々な方向を持つことが可能であ
る。各粒子のスピンの方向を全粒子にわたり平均した量
を偏極度Ｐと定義すると、Ｐ＝１／Ｎ・Σ＜σ＞_i …（１）で与えられる。ここで、＜σ＞_iはｉ番目の粒子のスピ
ン状態の期待値、Ｎは全粒子数である。

【０００５】（２）Ｍｏｔｔ散乱の理論の要約１００ｋｅＶ程度の運動エネルギーを持つ電子が、Ａｕ
のような重い原子核により大角度散乱される場合を考え
る（図５参照）。この場合の中心力ポテンシャルは、Ｖ＝ｈ²／８π²ｍ・〔Ｕ（ｒ）＋ｌ・ｓ（ｌ／ｒ・ｄＵ／ｄｒ）〕…（２）で与えられる。ここで、ｌとｓはそれぞれ、散乱される
電子の軌道角運動量ベクトル及びスピン角運動量ベクト
ルである。上記（２）式の角括弧内の第２項がスピン軌
道相互作用である。

【０００６】Ｕ（ｒ）は一般にｌ／ｒの形を持つので、
Ｕ（ｒ）とｄＵ／ｄｒの符号は異なる。したがって、ス
ピン角運動量ｓと軌道角運動量ｌが反平行のとき、上記
（２）式の角括弧内の第２項は、Ｕ（ｒ）と同符号、平
行のときは反対符号になる。図５に示すように、原子核
６１の左側を通り右側に大角度散乱（〜１２０°）され
る電子の軌道角運動量は下向きベクトルであるので、方
向の異なるアップスピン電子の方がダウンスピン電子よ
りも、より大きい角度で散乱される。右側の軌道を通る
電子の軌道角運動量は上向きベクトルなので、状況は逆
転する。なお、６２はスピンを分析する電子線（被分析
電子線）、６３，６４は電子検出器を示している。

【０００７】以上のように、Ｍｏｔｔ散乱では、散乱面
に垂直なスピンベクトルを持つ電子の散乱に、スピンを
持つことの効果が現れ、後述する（３）式のスピン偏極
度計測へとつながる。現実の計測装置では、散乱標的で
ある金原子は可能な限り薄く、かつ自立できる金薄膜
（〜５０ｎｍ）の形で使用する。

【０００８】（３）スピン偏極度Ｐの計測同一の電子検出特性を持つ２個の電子検出器を、散乱標
的に対して左右同一の散乱角で、散乱標的に対して等し
い散乱距離の位置に設置する。左右検出器の散乱電子検
出に関わるパルス信号出力数をＮ左、Ｎ右とすると、被
分析電子線のスピン偏極度Ｐは、Ｐ＝ｌ／Ｓ・（Ｎ左−Ｎ右）／（Ｎ左＋Ｎ右） …（３）で与えられる。ここで、Ｓはシャーマン関数、または非
対称関数と呼ばれる定数で、被分析電子線の運動エネル
ギーに依存して変化する。

【０００９】（４）本発明にかかる電子スピン計測技術本願発明者は、１９８４年にスピンＳＥＭの原理実験に
成功した。このスピンＳＥＭに使用した電子スピン分析
器は１００ｋＶ−Ｍｏｔｔ散乱型である。（５）反射電子回折における表面波共鳴単結晶の劈開表面、またはシリコン単結晶等の低次結晶
表面を機械化学研磨し、その試料表面を超高真空中で加
熱清浄化した表面を試料として使用する。この試料表面
に１００ｋｅＶ〜数１００ｋｅＶの電子線を小さな視射
角で入射させると、原子レベルで平坦な結晶表面から得
られ、斑点状回折図形の典型的な高速反射電子回折像が
得られる。

【００１０】図６はそのシリコン（００１）表面の反射
電子回折像の１例を示す図であり、その反射電子回折像
を散乱電子線が試料表面で遮られた領域の境目をシャド
ーエッジ（ＳＥ）、試料表面による１次電子線の等角反
射線を鏡面反射（Ｓ）、結晶表面方向に存在し、かつ結
晶表面内に励起された回折線ＳＷを表面波（図６の反射
電子回折像ではシャドーエッジＳＥ線に垂直で、かつ長
く伸びた形状を持ち、入射点ＯとＳを結ぶ線に関して対
称な位置に２個の表面波が観察される）、シャドーエッ
ジＳＥ線に平行な菊池線（００ｈ，ｈ＝４，８）は結晶
表面に平行な結晶格子面で回折された菊池線である。

【００１１】図６に示すように、表面波が励起された反
射電子回折条件を、特に、表面波共鳴条件と呼ぶ。Ｂ．表面波共鳴現象に関する諸付随現象とその考察（１）これまでの研究の総括これまでに観察された表面波共鳴に付随して観察される
諸付随現象の研究を、以下に項目別にまとまる。

【００１２】ＯｖｅｒａｌｌＩｎｔｅｎｓｉｔｙ
Ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ：表面波共鳴条件が成立し、回
折斑点強度が増大している時に、これらの回折斑点のみ
ならず回折像全体の背景散乱強度、温度散漫散乱、菊池
線の強度はともに増大する。特性Ｘ線放出強度の減少：閃亜鉛鉱単結晶劈開面を試
料にした反射電子回折で、Ｚｎ−Ｋ線（８．６ｋｅＶ）
の放出強度が減少することが観測されている。表面波共
鳴現象がある場合には、Ｘ線放出が可能な励起原子は試
料表面の厚さは０．１ｎｍ程度の領域に高密度に生成さ
れるであろう。このエネルギーのＸ線の固体中での平均
吸収距離は数μｍ程度であるので、この場合の特性Ｘ線
は試料で吸収を受けることなく、試料外に放出されると
考えて良い。

【００１３】したがって、表面波共鳴が存在する場合の
表面単位面積当りの励起原子の総数（＝密度）と、表面
波共鳴がない場合に平均吸収距離深さに生成される同一
電子線による励起原子の密度との競り合いになる。この
試料のＺｎ−ＫＸ線の場合には、表面波共鳴が存在する
場合の方が、励起原子の総数が少ないと考えて良いよう
である。

【００１４】オージェ電子放出強度の増大：オージェ
電子を放出する可能性のある励起原子の存在する深さ領
域は上記と同一である。オージェ電子の脱出深さは概
ね、１ｎｍ以下と見積ることができるので、表面波共鳴
が存在する場合には、放出される全てのオージェ電子が
元のエネルギーを保存したまま真空へ放出されるであろ
う。これに対して、表面波共鳴のない場合には、表面層
深さ１ｎｍ領域からだけの強度の寄与になる。この結
果、表面波共鳴のある場合の方がオージェ電子収率は高
くなると言えよう。

【００１５】反射電子回折顕微鏡像のコントラスト：
表面波共鳴のある場合の方が、ない場合に比較してコン
トラストは非常に高くなるとともに、表面の幾何学的微
細構造も鮮明に観察することができる。これは表面波共
鳴がある場合には、局所的表面波共鳴条件の成立、また
はそれが反射電子回折顕微鏡像のコントラスト形成に寄
与しているためと考えられる。

【００１６】Ｗａｎｇの計算機シミュレーションにつ
いては下記（２）を参照のこと。表面の高さ測量への応用：表面波共鳴条件が成立する
条件下で、反射電子線フォログラフィーにより、表面の
高さ測量を０．１ｎｍレベルで計測する試みがある。こ
の方法を使用して、表面にらせん転位が顔を出した時、
転位周辺の表面領域に発生する応力緩和と、それに基づ
く表面格子の盛り上がり変形を実測することに成功し
た。

【００１７】（２）表面波共鳴条件下におけるプロービ
ング電子の結晶表面層における挙動電子線が真空から結
晶に入射する場合、図７（ａ）に示すように、入射電子
線７２は＞１の屈折率となる。このため真空側から結晶
７１に入射した電子線は、結晶７１内に引き込まれるよ
うに屈折する。一方、図７（ｂ）に示すように、結晶７
１内部で散乱回折を受け、結晶表面方向に進む電子線
は、結晶の内側表面（結晶→真空境界）で屈折率＜１と
なる。内表面での視射角が全反射の臨界角より小さい場
合には、全反射を受ける。

【００１８】その結果、プロービング電子は、真空→結
晶表面での（Ｉ）屈折、（II）結晶表面近傍のごく内側
の結晶部分での回折効果と、結晶内→真空界面での（II
I ）全反射の集積結果として、図７（ｃ）に示すよう
に、表面の数原子層にトラップされると考えられる。Ｗ
ａｎｇは計算機シミュレーションにより、プロービング
電子の表面原子層へのトラップ状況を定量的に検討し
た。図８は、結晶表面近傍のプロービング電子の波動関
数分布を、結晶表面方向に進行するプロービング電子の
通過原子層（結晶表面に垂直な原子層）スライス数の関
数として示した。

【００１９】このシミュレーションはＧａＡｓ単結晶劈
開（１１０）表面を例として、１２５ｋｅＶの電子線を
利用して〔００１〕結晶方位の場合について実行され
た。図８（ａ）は表面波共鳴条件が成立している場合、
図８（ｂ）は表面波共鳴条件から外れている場合のシミ
ュレーション結果を示す。それぞれに添付した白丸印
（ＧａＡｓ原子）、黒丸印（Ａｓ原子）の正方面心格子
配列図は一次電子線にほぼ垂直なＧａＡｓ結晶断面の原
子配列を示す。この正方面心格子図の右側の縁線が、結
晶表面の位置を示している。

【００２０】この原子配列図とプロービング電子の波動
関数分布を比較する。図８（ａ）では波動関数分布は表
面第１原子層と、その外側にだけ存在することが明らか
に読み取れる。これに対して、図８（ｂ）の場合には、
結晶表面方向に進行するプロービング電子の通過電子層
数とともに結晶内部へ進入する深さが増加して、図８
（ｂ）の（Ｊ）図では表面第１原子層から第４原子層に
まで達していることがわかる。

【００２１】Ｗａｎｇのこの結果を要約すると、プロー
ビング電子の波動関数分布は、表面波共鳴条件が成立し
ている時は、ほぼ表面第１原子層、及び真空側にだけに
局在する。表面波共鳴条件から外れている場合には、
（Ｉ）プロービング電子の結晶表面に沿った進行ととも
に第ｎ原子層にまで進入すると規定できること、（II）
電子の進入深さは表面に平行な原子層単位で進行するこ
とがわかる。

【００２２】

【発明が解決しようとする課題】上記した単結晶表面に
おける反射電子回折現象で、プロービング電子の進入深
さを制御する方法を用いることにより、この結晶試料か
ら発生する２次電子は、プロービング電子が存在する原
子層からだけ発生／放出される。更に、スピン偏極２次
電子の源として試料内に磁性を担うスピン偏極が存在す
る強磁性体を採用することによって、２次電子の発生場
所を表面第１〜第ｎ原子層に特定して、その２次電子の
スピン偏極度を計測することができる。

【００２３】このように、本発明は、反射電子回折条件
を制御して２次電子の発生場所を表面第１〜第ｎ原子層
に特定して、その２次電子のスピン偏極度を計測可能に
した電子スピン偏極度の計測方法及びその装置を提供す
ることを目的とする。

【００２４】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、〔１〕表面から深さ方向に積層された原子層において、
表面から深さ方向の原子層の限定された原子層数のスピ
ン偏極度を計測する方法において、試料としての結晶表
面に１次電子ビームを照射し、前記結晶表面から放出さ
れる２次電子を引き込み電極系、加速管を通して加速し
て、金散乱標的に垂直に衝突させ、前記金散乱標的の両
側に設置した電子検出器のカウント数に基づいて被分析
電子線の偏極度を求めるようにしたものである。

【００２５】〔２〕上記〔１〕記載の電子スピン偏極度
の計測方法において、表面波共鳴で前記結晶表面の第１
原子層をピックアップするようにしたものである。〔３〕上記〔１〕記載の電子スピン偏極度の計測方法に
おいて、前記結晶表面は反射電子回折で表面波共鳴が生
起する結晶表面である。〔４〕上記〔１〕記載の電子スピン偏極度の計測方法に
おいて、前記結晶表面の結晶とスピン規則格子の形成過
程と、結晶とスピン規則格子の崩壊過程の両方を計測す
るようにしたものである。

【００２６】〔５〕表面の限定された原子層数のスピン
偏極度を計測する装置において、１次電子ビーム照射手
段と、この１次電子ビームが照射される試料としての結
晶表面と、この結晶表面から放出される２次電子を引き
込み、分析する電子スピン分析装置とを備え、この電子
スピン分析装置は前記結晶表面から放出される２次電子
を引き込み電極系、加速管を通して加速して、金散乱標
的に垂直に衝突させ、両側に設置した電子検出器のカウ
ント数に基づいて被分析電子線の偏極度を求めるように
したものである。

【００２７】〔６〕上記〔５〕記載の電子スピン偏極度
の計測装置において、更に、分子線エピタキシャル蒸着
装置を備えるようにしたものである。

【００２８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら詳細に説明する。図１は本発明の
実施例を示す反射電子回折−電子スピン計測複合装置の
概略構成図である。図１に示すように、この複合装置で
は、一次電子線コラム２は、最大エネルギー３０ｋｅＶ
を採用した。一次電子線の方向と電子スピン分析装置４
の加速管６の円筒軸は垂直に配置して、両者の中心軸が
試料１表面位置で直交する配置とした。なお、５は引き
込み電極系、７は金散乱標的、８は耐電圧容器、９は蛍
光性スクリーン、１１，１３は電子検出器である。

【００２９】この複合装置の真空は、イオンスパッタポ
ンプを主排気ポンプにより達成し、到達圧力は１×１０
^-10Ｔｏｒｒ以下である。この複合装置にはＭＢＥ（分
子線エピタキシャル）蒸着装置（図示なし）も付属して
いる。図２は本発明の実施例を示す複合装置に搭載した
電子スピン分析装置の断面図である。

【００３０】この図に示すように、この電子スピン分析
装置４は、先行技術で示した高速Ｍｏｔｔ散乱法の原理
に基づく。試料１（図１参照）から放出される２次電子
を、多段加速管６を通して１００ｋｅＶに加速して約５
０ｎｍ厚さの金散乱標的７に垂直に衝突させ、±１２０
°方向に設置した２個の電子検出器１１，１３のカウン
ト数Ｎ左とＮ右の値から、下記の式によって被分析電子
線の偏極度Ｐを求める。すなわち、Ｐ＝１／Ｓ・（カウ
ント数Ｎ左−カウント数Ｎ右）／（カウント数Ｎ左＋カ
ウント数Ｎ右）の式によって被分析電子線の偏極度Ｐを
求める。

【００３１】＋１００ｋＶの空間に設置されている電子
検出器１１，１３の出力信号は増幅後、電子／光変換に
より、光パルスに変換後、光ファイバーで信号を接地レ
ベルで伝送して、接地レベルでパルス計測を行い、接地
レベルで信号を取得することができるようにしている。
図２に示す電子スピン分析装置４の下部のノーズ部は、
試料１から放出される被分析電子を多段加速管６へ導く
ための引き込み電極系５である。この部分は、引き込み
電極、偏向器、集束アインツエルレンズがシリーズに配
列されている。

【００３２】図２に示す電子スピン分析装置４の上部の
最外側チャンバは、エポキシ樹脂製の耐電圧容器８であ
る。これは実験者が＋１００ｋＶ電子スピン分析装置の
ごく近傍で安全に実験作業を行うことを保証している。
図２に示す電子スピン分析装置４の構造は、様々な工夫
を凝らすことで、当初装置に比べて高さを１／２、直径
を６／１０に縮小することができた。因みに、耐電圧容
器８の高さＬ₁は４００ｍｍ、引き込み電極系５（下部
のノーズ部）の高さＬ₂は３２２．８ｍｍである。

【００３３】その結果、体積を２／１０に縮小し、装置
の大幅な軽量化を図ることに成功した。これにより、加
速管６の円筒軸を、重力方向に対して斜めにした空間配
置で、スピン分析装置を稼動させることも可能になり、
使い方と用途が著しく拡大すると考えられる。

【００３４】次に、本発明の反射電子回折−電子スピン
計測複合装置を用いた強磁性体表面のスピン偏極度計測
方法について説明する。図３は本発明の実施例を示す強
磁性体表面のスピン偏極度計測を行うための装置の概略
構成図、図４はその強磁性体表面のスピン偏極度計測方
法の説明図である。

【００３５】図３において、２１は試料としての結晶表
面、２２はＭＢＥソースであり、結晶表面２１上にＭＢ
Ｅ蒸着を行いながら、強磁性体表面のスピン偏極度計測
を行うことができる。３０は電子ビームコラムであり、
電子銃３１、コンデンサレンズ３２、走査用偏向電極３
３などを有している。４０は電子スピン分析装置であ
り、引き込み電極系４１により、試料としての結晶表面
２１から放出される被分析電子３４を加速管４２へ導
き、加速管４２を通して１００ｋｅＶに加速して、約５
０ｎｍ厚さの金散乱標的４３に垂直に衝突させ、±１２
０°方向に設置した２個の電子検出器４４，４５にて、
電子スピン分析を行うようにしている。なお、３５は蛍
光性スクリーンである。

【００３６】以下、その強磁性体表面のスピン偏極度計
測方法を図４を参照しながら説明する。（１）まず、図４（ａ）に示すように、非磁性単結晶基
板５１に１原子層相当程度の磁性原子５２を堆積する。
この段階では、電子及びスピンはランダムな配列であ
る。

【００３７】（２）次に、図４（ｂ）に示すように、非
磁性単結晶基板５１の温度を制御して、堆積した磁性原
子５２を非磁性単結晶基板５１結晶表面に対してエピタ
キシャル成長させる。つまり、堆積した磁性原子５２の
結晶化を行う。（３）次に、図４（ｃ）に示すように、堆積した磁性原
子５２を、原子５２のスピンを整列する操作を工夫し
て、表面に１原子層のスピン規則格子５２Ａを形成させ
る。

【００３８】そこで、堆積した磁性原子５２の結晶格子
形成は反射電子回折でモニターする。スピン規則格子５
２Ａの形成確認は、電子線励起で堆積原子層から発生す
る２次電子のスピン偏極度でモニターする。ここでは、
結晶とスピン規則格子の形成過程と、崩壊過程の両方を
計測することを想定している。

【００３９】この強磁性体表面のスピン偏極度計測の
（１）極限性と、（２）それに基づく制約について説明
する。（１）表面波共鳴で第１原子層だけをピックアップする
ことができる。（２）反射電子回折で表面波共鳴を起こすことができる
結晶表面であることが必要である。

【００４０】このように、本発明によれば、電子線を利
用するスピン分析装置としては、表面の第１層の感度は
極限であり、それを十分に活かして電子スピン計測を行
うことができる。また、本発明によれば、上記実施例に
限定されることなく、以下のような利用形態を有する。

【００４１】（１）磁性薄膜の観察を行うことができ
る。（２）非磁性物質等の表面の遊離スピン計測が可能であ
る。なお、本発明は上記実施例に限定されるものではな
く、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、
これらを本発明の範囲から排除するものではない。

【００４２】

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。２次
電子の発生場所を表面第１〜第ｎ原子層に特定して、そ
の２次電子のスピン偏極度を計測することができる。

【００４３】特に、電子線を使用して、磁性体表面の第
一原子層のスピン偏極度を計測することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例を示す反射電子回折−電子スピ
ン計測複合装置の概略構成図である。

【図２】本発明の実施例を示す複合装置に搭載した電子
スピン分析装置の断面図である。

【図３】本発明の実施例を示す強磁性体表面のスピン偏
極度計測を行うための装置の概略構成図である。

【図４】本発明の実施例を示す非磁性体結晶表面上に堆
積した強磁性体原子のスピン偏極に関わるスピン偏極度
計測方法の説明図である。

【図５】電子スピン分析方法の説明図である。

【図６】シリコン（００１）表面のＲＨＥＥＤ像を示す
図である。

【図７】電子線の結晶表面での反射、回折状態を示す図
である。

【図８】ＲＨＥＥＤにおける結晶表面近傍でのプロービ
ング電子の存在位置分布を示す図である。

【符号の説明】１，２１試料２一次電子線コラム４，４０電子スピン分析装置５，４１引き込み電極系６，４２加速管７，４３金散乱標的８耐電圧容器１１，１３，４４，４５電子検出器２１試料としての結晶表面２２ＭＢＥソース３０電子ビームコラム３１電子銃３２コンデンサレンズ３３走査用偏向電極３４被分析電子３５蛍光性スクリーン４０電子スピン分析装置５１非磁性単結晶基板５２１原子層相当程度の磁性原子５２Ａスピン規則格子

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】表面から深さ方向に積層された原子層に
おいて、表面から深さ方向の原子層の限定された原子層
数のスピン偏極度を計測する方法において、（ａ）試料
としての結晶表面に１次電子ビームを照射し、（ｂ）前
記結晶表面から放出される２次電子を引き込み電極系、
加速管を通して加速して、金散乱標的に垂直に衝突さ
せ、（ｃ）前記金散乱標的の両側に設置した電子検出器
のカウント数に基づいて被分析電子線の偏極度を求める
ことを特徴とする電子スピン偏極度の計測方法。
【請求項２】請求項１記載の電子スピン偏極度の計測
方法において、表面波共鳴で前記結晶表面の第１原子層
をピックアップすることを特徴とする電子スピン偏極度
の計測方法。
【請求項３】請求項１記載の電子スピン偏極度の計測
方法において、前記結晶表面は反射電子回折で表面波共
鳴が生起する結晶表面であることを特徴とする電子スピ
ン偏極度の計測方法。
【請求項４】請求項１記載の電子スピン偏極度の計測
方法において、前記結晶表面での結晶とスピン規則格子
の形成過程と、結晶とスピン規則格子の崩壊過程の両方
を計測することを特徴とする電子スピン偏極度の計測方
法。
【請求項５】表面の限定された原子層数のスピン偏極
度を計測する装置において、（ａ）１次電子ビーム照射
手段と、（ｂ）該１次電子ビームが照射される試料とし
ての結晶表面と、（ｃ）該結晶表面から放出される２次
電子を引き込み、分析する電子スピン分析装置とを備
え、（ｄ）該電子スピン分析装置は前記結晶表面から放
出される２次電子を引き込み電極系、加速管を通して加
速して、金散乱標的に垂直に衝突させ、両側に設置した
電子検出器のカウント数に基づいて被分析電子線の偏極
度を求めることを特徴とする電子スピン偏極度の計測装
置。
【請求項６】請求項５記載の電子スピン偏極度の計測
装置において、更に、分子線エピタキシャル蒸着装置を
備えることを特徴とする電子スピン偏極度の計測装置。