JP2010056024A - スピン偏極電子源 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】スピン偏極電子源として、フェリ磁性体の酸化鉄ウィスカーを用いる。特には、当該フェリ磁性体の酸化鉄の種類が、マグネタイト又はマグヘマイトであり、ウィスカーの直径が、10nm〜2μmであることを特徴とする。
【選択図】図4
Description
一方で、マグネタイト(Fe3O4)とマグヘマイト(γ-Fe2O3)はフェリ磁性体であり、それらの薄膜からスピン偏極電子が放出されることは公知である。このような酸化鉄の薄膜の偏極電子源は、上述した蒸着磁性薄膜と同様にバッファー層原子の拡散による磁気特性の劣化という問題点があったため、スピン偏極電子源としては実用化されていない。
(1) フェリ磁性体の酸化鉄ウイスカーを電子源とすることを特徴とするスピン偏極電子源。
(2) 前記フェリ磁性体の酸化鉄が、マグネタイト又はマグヘマイトであることを特徴とする(1)に記載のスピン偏極電子源。
(3) 前記酸化鉄ウイスカーの直径が、10nmから2μmであることを特徴とする、上記(1)又は(2)に記載のスピン偏極電子源。
本発明で言うフェリ磁性体の酸化鉄とは、マグネタイト(Fe3O4)、及び、マグヘマイト(γ−Fe2O3)を指すが、それ以外に、マグネタイト又はマグヘマイトに鉄と酸素以外の原子を高だか10at%含む酸化鉄も本願発明に使用することができる。鉄と酸素以外の不純物原子を10at%以上含むと、結晶内の相当量の欠陥により、ウィスカーの強度が低下する弊害が起こるため、好ましくない。また、鉄と酸素以外の原子を含む場合は、望ましくは8at%以下、理想的には0.5at%以下のものが、強度保持の面でより好ましい。
多数本のウィスカーから一本を選択する方法としては、機械的に一本のウィスカーを抽出移植する方法と、偏極電子放出時に、絞りによって放出サイトを選択する方法とがある。具体的には、前者の場合収束イオンビーム加工装置内で、拡大像を観察しながら一本のウィスカーを切断、抽出し、他の電極の先端に移植、接着する。後者の場合ではスピン偏極測定装置内で、陰極にセットされた複数のウィスカーから放出される電子の分布像を観察しながら、一箇所の放出サイトにプローブホールを合わせて、絞り込めば良い。
発明者らの研究で、ウイスカーの直径の範囲10nmから2μmの範囲において、マグネタイトウィスカーは比較的太いものができやすく、マグヘマイトウィスカーは比較的細いものができやすい。スピン偏極電子源としては、ウィスカーが単結晶であるということが必要十分条件である。したがってウィスカーの寸法は成長する寸法に従う。
以上のべた方法によって作成されるウィスカーは、透過型電子顕微鏡による元素分析と電子線回折によって、いずれも特定の結晶方位が成長した単結晶であることが判っている(非特許文献1、2)。
po2=exp(ΔG0/RT) ・・・・・・(1)式
ΔG0(J/mol)は酸化物質の酸化前と酸化後のギブスの自由エネルギーの変化分で、酸素分子の係数を1とする鉄の酸化反応式を
aFe+O2=bFexOy ・・・・・・(2)式
と表すと(a,bは反応係数、x,yは鉄酸化物の組成比)、ΔG0は
ΔG0=bμFexOy―aμFe―μO2 ・・・・・・(3)式
と表される。右辺のμ[J/mol]はそれぞれの物質の化学ポテンシャルである。
したがってマグネタイトウィスカーとマグヘマイトウィスカーとを作り分けるためには、図1の製造工程の所定の温度において、図5から読み取れるマグヘマイトの平行酸素分圧曲線よりも、酸素の分圧を高く設定すれば、マグヘマイトウィスカーが生成する。もしその際マグネタイトが存在していたら、酸化が進行してマグヘマイトに改質される。マグヘマイト平行酸素分圧曲線とマグネタイトの平行酸素分圧曲線との間の値に、酸素の分圧を設定すれば、マグネタイトウィスカーを得ることができる。平衡解離圧力po2の詳細な値を算出するための各温度での化学ポテンシャルμFexOy、μFe、μO2は、文献等に記載されている値を使用すればよい(例えば、非特許文献3等、参照)。
尚、上ではTEMでの構成例を示したが、本発明のスピン偏極電子源は、走査型電子顕微鏡(SEM)や、加速器電子源としても使用できる。
大気開放中で図1に示す装置でウィスカーの成長を行った。穴14とテーパー穴17の直径を20mmとし、0.1mm厚のSUS304箔を基板10とし、プロパン―酸素予混合炎18でテーパー穴17より該基板を加熱し、該基板中心部が700℃の状態で15分間熱酸化した。その結果、炎の当たっているのとは反対の基板表面の、直径1cmの円状の範囲に図2に示すように直径約50nm〜2マイクロメートル、長さ約0.2mmのウイスカーが多数本観測された。これらのウイスカーを、透過型電子顕微鏡で構造解析したところ、<110>方位に成長したマグネタイト単結晶であることがわかった。
直径0.2mm長さ5mmのSUS304線を基板とし、電気炉中の石英管(内径4cm、長さ70cm)内でウィスカーを以下の条件で生成させた。アルゴン、酸素ガスと水蒸気の混合気体を標準状態で毎分15ml流し、排気流量を調整し気体の圧力を500Paに保ち、酸素分圧を150Pa、水蒸気分圧を100Paとした状態で、5分間で室温から750℃に昇温し、30分間その温度に保った。その後ガスを止め、石英管内を真空にして自然放冷させた。その結果、直径10nm〜100nm, 長さ約200nm〜1マイクロメートルの酸化鉄ウィスカーが、SUS線全体に多数本成長した。これらのウィスカーを透過電子顕微鏡で構造解析したところ、それぞれが<110>方位に成長したマグヘマイト単結晶であることがわかった。
SUS線から生えている多数のマグヘマイトウィスカー先端の電子放出箇所のFEM像を観察しながら、直径約30nm、長さ約1マイクロメートルの一本のウィスカー先端箇所にプローブホールを合わせて、そこから800Vで引き出された電子の偏極度を測定した。その結果室温において20%のスピン偏極度が測定された。
この測定後、この電子源を室温かつ湿度20%の大気デシケータ内に6ヶ月間保管した。6ヶ月後にこの電子源を取り出して、上記と同様の測定を行ったところ、20%の偏極度が測定され、磁気特性の耐久性に優れていることが確認できた。
厚さ1μmのGaAs単結晶の片面にCs -O多重層を形成し、電気陰性度を負(NEA)とした。この電子源を図6に示すビューポート106付き真空容器107装置のスピン偏極電子源用素子108に取り付ける。101は励起用光源で、半導体レーザー102と1/4波長板104とからなる。電子源を108に取り付ける際は、該光源と反対側の表面にCs -O多重層面がくるように配置する。さらに収束レンズ111および90度静電偏向電極112を縦スピン偏極 電子線113の出射側に取り付けてある。このような構成によれば、半導体レーザー102から放射された光103は1/4波長板104で円偏光105となり、ビューポート106から真空容器107内に入射し、ガラス板109を通してGa As単結晶110に当たる。この光によって厚さ1μmのGa As単結晶110内部に励起されたスピン偏極 電子は、その平均自由行程がおよそ1μmであることにより、NEA化された表面から容易に真空中へ放出され、それによって励起用光源101の反対側に縦スピン偏極電子線113が得られ、収束レンズ111および90度静電偏向電極112を通過後、横スピン偏極電子線114が得られた。このとき、この電子源のスピン偏極度は50%であった。次に、この電子源を室温かつ湿度20%の大気デシケータ内に6ヶ月間保管した後、上記と同様にして偏極電子線を取り出そうとしたところ、電子源のCs -O多重層が、デシケータ内で保管中に、大気中の酸素に侵食されて、NEA表面でなくなったために、偏極電子線を得ることができなかった。
11 ウィスカー発生面
12 加熱面
13 蓋円盤
14 穴
15 台
16 ドーナツ状円盤
17 テーパー穴
18 炎
19 バーナー
101 励起用光源
102 半導体レーザー
103 レーザー光
104 1/4波長板
105 円偏光ビーム
106 ヴューポート
107 真空容器
108 スピン偏極 電子源用素子
109 ガラス板
110 Ga As単結晶
111 収束レンズ
112 90度静電偏向光電極
113 縦スピン偏極 電子線
114 横スピン偏極 電子線
115 Ga As単結晶
21 スピン偏極電子源
22 被測定試料
23 コイル
Claims (3)
- フェリ磁性体の酸化鉄ウィスカーを電子源とすることを特徴とするスピン偏極電子源。
- 前記フェリ磁性体の酸化鉄の種類が、マグネタイト又はマグヘマイトであることを特徴とする請求項1に記載のスピン偏極電子源。
- 前記酸化鉄ウィスカーの直径が、10nm〜2μmであることを特徴とする請求項1又は2に記載のスピン偏極電子源。
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