JPH10200112A - 半導体回路 - Google Patents
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Abstract
いて半導体回路を構成する場合に、回路を構成する素子
の特性の違いを是正する技術を提供する。 【解決手段】 結晶成長の開始領域の位置と各活性層の
位置との距離が等しくなるように設定する。こうするこ
とで、結晶成長距離の違いによる特性の違いを是正する
ことができる。
Description
結晶性を有する薄膜半導体装置を用いた回路に関する。
形成し、その珪素膜を用いる半導体装置が知られてい
る。近年、この珪素膜を熱或いはレーザーにより結晶化
することにより、結晶性を持たせ高速動作を可能にさせ
る技術が開発されている。
は、800℃や900℃以上というような比較的高温の
加熱処理を利用する。そのため、基板として、上記高温
に耐えうる石英基板を用いている。
板に対して、熱的ダメージがほとんど生じないためガラ
ス基板を用いることが出来る。
は、アクティブマトリクス型の液晶表示装置のアクティ
ブマトリクス回路と周辺駆動回路とを同一基板上に集積
化するために利用されている。即ちアクティブマトリク
ス回路と周辺駆動回路とを同一の基板上にTFTを用い
て形成することが行われている。
やバッファー回路で構成される)以外に発振回路やD/
AコンバータやA/Dコンバータ、更に各種画像処理を
行うデジタル回路を、更に同一基板上に集積化すること
が考えられている。
回路のようにペアとなる薄膜トランジスタの特性が厳密
に一致する必要のある回路構成が必要とされる。
回路(Pチャネル型の薄膜トランジスタとNチャネル型
の薄膜トランジスタを相補型に構成した回路)では、P
チャネル型の薄膜トランジスタとNチャネル型の薄膜ト
ランジスタとの特性が極力一致していることが好まし
い。
ネル型の薄膜トランジスタとNチャネル型の薄膜トラン
ジスタとを作製した場合、Nチャネル型の薄膜トランジ
スタに方が30%〜50%程度移動度が大きなものとな
ってしまう。
路を動作させた場合、Pチャネル型の薄膜トランジスタ
とNチャネル型の薄膜トランジスタにおいて、その動作
のバランスが崩れてしまう事態が生じる。
回路によって必要とされる薄膜トランジスタの特性差を
是正するような技術を提供することを課題とする。
の一つは、絶縁表面を有する基板上に形成された結晶性
珪素膜を活性層とした複数の半導体装置を有する半導体
回路であって、前記活性層を構成する結晶性珪素膜は、
所定の領域から基板に平行な方向に結晶成長した結晶構
造を有し、各半導体装置を構成する活性層と前記所定の
領域との距離が同一または概略同一であることを特徴。
ランジスタとNチャネル型の薄膜トランジスタとを相補
型に組み合わせた半導体回路であって、各薄膜トランジ
スタを構成する活性層は、絶縁表面を有する基板上に形
成された結晶性珪素膜を用いて構成されており、前記活
性層を構成する結晶性珪素膜は、所定の領域から基板に
平行な方向に結晶成長した結晶構造を有し、Pチャネル
型の薄膜トランジスタを構成する活性層と前記所定の領
域との距離をL1 とし、Nチャネル型の薄膜トランジス
タを構成する活性層と前記所定の領域との距離をL2 と
した場合、L1 とL2 とは異なることを特徴とする。
ランジスタの特性とNチャネル型の薄膜トランジスタの
特性を合わせるのであれば、L1 <L2 とする。
ランジスタとNチャネル型の薄膜トランジスタとを相補
型に組み合わせた半導体回路であって、各薄膜トランジ
スタを構成する活性層は、絶縁表面を有する基板上に形
成された結晶性珪素膜を用いて構成されており、前記活
性層を構成する結晶性珪素膜は、所定の領域から基板に
平行な方向に結晶成長した結晶構造を有し、Pチャネル
型の薄膜トランジスタを構成する活性層と前記所定の領
域との距離をL1 とし、Nチャネル型の薄膜トランジス
タを構成する活性層と前記所定の領域との距離をL2 と
した場合、L1 とL2 とを異ならせることにより、両薄
膜トランジスタの特性差を是正していることを特徴とす
る。
る少なくとも2つの薄膜トランジスタを有した半導体回
路であって、各薄膜トランジスタを構成する活性層は、
絶縁表面を有する基板上に形成された結晶性珪素膜を用
いて構成されており、前記活性層を構成する結晶性珪素
膜は、所定の領域から基板に平行な方向に結晶成長した
結晶構造を有し、各薄膜トランジスタにおいて、活性層
と前記所定の領域との距離を同じにすることにより各薄
膜トランジスタの特性の違いを是正していることを特徴
とする。
の距離は、各半導体装置または薄膜トランジスタにおい
て、所定の領域の端部から活性層内に形成されるチャネ
ル形成領域の中心までの距離が±10%以内、より好ま
しくは±5%以内である。
ンジスタ(TFT)は、結晶化を助長する元素によっ
て、基板と平行に結晶が横成長した半導体を用いる。そ
して、TFTの動作時において、半導体層中のソース領
域から、チャネル領域を経て、ドレイン領域へと流れる
電流の流れが、結晶の成長方向に沿って形成されたTF
Tを用いる。
記のような高速動作を処理することを要求される回路を
構成することが可能となる。
は、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、I
r、Pt、Cu、Auから選ばれた一種または複種類の
ものを指す。
晶化の模式的な上面図を示す。図1において、1は金属
元素添加領域である。このように帯状に金属元素を添加
することにより、結晶化の成長方向を矢印で示すように
揃えることができる。
ら結晶成長した半導体を用いて、複数のTFTを得よう
とする場合、添加領域1から近い領域(イ)では、結晶
粒は密に成長し、添加領域から遠い領域(ロ)では、結
晶の成長限界点に近いため、その結晶粒は疎となってい
る。
導体層b、cと、遠い領域(ロ)で形成される半導体層
a、dとでは、得られるTFTの特性が異なる。一般的
には、金属元素に近い領域(イ)に形成される半導体層
b、cの方が、遠い領域(ロ)で形成される半導体層
a、dよりも良い特性を得ることが出来る。
に金属元素が高濃度存在するため、特性が悪くなること
も考えられる。また、金属元素の添加濃度を変えたり、
結晶化の時間、温度等の条件を変えることにより、その
成長限界点は変化する。
に成長領域に障害が存在しない時の金属元素による結晶
化の終点を指す。尚、成長限界点は、他の成長領域より
も金属元素が高濃度に存在する。そのため、一般的には
パターニング時に一緒に除去するよう設計する。
cとでは最も近くに存在する金属元素添加領域1までの
離間が異なる。このようにして形成された半導体a、
b、c、dを一つの回路に用いるには、その特性の違い
を考慮して設計する必要がある。
るには、その特性の差を問題としない回路、例えばイン
バータ回路等に用いることが考えられる。
特性を得られる半導体b、cに移動度の小さいP型不純
物を添加し、特性の劣っている半導体a、dに移動度の
大きいN型不純物を添加する。
せてCMOS回路を形成する。こうすることで、CMO
S回路を構成するPチャネル型の薄膜トランジスタとN
チャネルチャネル型の薄膜トランジスタとの特性の違い
を是正することができる。
の金属元素の濃度、添加領域又結晶化の温度等の諸条件
によって、半導体a、dと半導体b、cの特性の違いは
大きく異なることを考慮して条件決めをする必要があ
る。
T特性を要求する場合は、図2に示すように、金属元素
を添加する領域を1、1’、1”のように添加する。こ
こで、添加領域1’は、添加領域1’と半導体aとの離
間が、半導体b、cと添加領域1との離間と等しくなる
ように配置する。同様に、添加領域1’は、添加領域
1’と半導体dとの離間が、半導体b、cと添加領域1
との離間と等しくなるよう配置する。
近くに存在する金属元素添加領域1’との離間、半導体
b及びcとその最も近くに存在する金属元素添加領域1
との離間及び半導体dとその最も近くに存在する金属元
素添加領域1”との離間とを等しくする。
印で示すように結晶は成長し、半導体a、b、c、d
は、等しいTFT特性を有することになる。
スタの特性を一致させる必要がある差動増幅回路等に利
用すると効果がある。
(ハ)で示される領域は、添加領域1からの結晶成長
と、添加領域1’からの結晶成長とがぶつかり形成され
る粒界である。この粒界(ハ)は、結晶の成長方向が乱
れているため、また、金属元素の濃度も比較的高濃度に
なっているため、TFTの半導体として用いることは極
力避けるべきである。なお図中では省略しているが、半
導体cとdの間にも粒界は形成されている。
c、dを用いて回路を作製すると、全ての半導体の特性
が揃った回路を構成することができる。つまり、同一の
入力波形に対して、同一の出力波形を出力することが可
能となる。
て、図3にそのマスクパターンを示す。ここで、アクテ
ィブマトリクス型の表示装置のソースドライバー回路の
一部を構成する(ニ)で示されるインバータ回路と、
(ホ)で示されるアナログスイッチ回路とを同時に形成
する。その等価回路図を図4に示す。
(ニ)は、P型半導体eとN型半導体g、P型半導体f
とN型半導体hで構成される二つの組み合わせが形成さ
れている。また、アナログスイッチ回路も同様に、N型
半導体iとP型半導体k、N型半導体jとP型半導体l
の二つの組み合わせが構成されている。
構成される回路とアナログスイッチ回路(ホ)のiとk
で構成される回路は連結している。
構成される回路とアナログスイッチ回路(ホ)のjとl
で構成される回路は連結している。
示している。半導体e、f、g、hは、添加領域1か
ら、添加領域1に対して垂直の方向に結晶成長した結晶
構造を有している。
半導体eとf又gとhの特性は異なり、半導体f、hの
方が半導体e、gよりも優れた特性を有している。
路と、fとhで形成されるインバータ回路とには、TF
T特性の相互均一性を殊更必要とするものではないの
で、添加領域は1だけで十分である。
は、結晶性半導体iとj、kとlのTFT特性に均一性
を要求される。そのため、半導体i、kに近接して、金
属元素添加領域1’を形成する。このように添加領域
1’を形成することにより、半導体i、kとj、lの結
晶化に寄与する二つの金属元素添加領域1、1’までの
距離を等しくする。つまり、半導体iとj、kとlのT
FT特性を等しくすることができる。
属元素添加領域と最終的にチャネル形成領域となる領域
の中心との距離を基準とする。そして、そろった特性が
要求される複数の半導体装置においては、各半導体装置
におけるこの距離が±10%以内、より好ましくは±5
%以内となるようにすることが望ましい。もちろん、要
求される特性の許容誤差が大きければ、この限りではな
い。
ら入ってくる入力信号を、インバータ回路(二)で反転
させる。そして、その信号を23、23’を通じて珪素
膜k、lのゲイトに入力する。また、配線20、20’
から入ってくる入力信号を、配線22、22’を通じ珪
素膜i、jのゲイトに入力する。
グスイッチ回路(ホ)はオン状態になり、ビデオ信号線
32の信号を配線25、35、36を通じて配線37か
らソース線へと出力する。また、ビデオ信号線33の信
号を配線25’、35’、36’を通じて配線37’が
らソース線へと出力する。以下に、実施例としてこの回
路の作製工程を説明する。
状態においては、存在していない。しかしながらこの領
域は下記のような理由によりその位置を判別することが
できる。
は、アロイ化しており、エッチングの際に他の領域に比
較して速いレートでエッチングされる。このため、下地
の基板表面が一部削られた状態とる。従って、この下地
が一部エッチングされた状態の領域(凹状になってい
る)が金属元素を導入した領域であると判別することが
できる。
一つを示す。図5、6に、図3の直線の断面の作製工
程図を示す。また、図7、8に、図3の直線の断面の
作製工程図を示す。
板上に、下地膜3として酸化珪素膜を3000Å厚さに
成膜する。なお、石英基板の表面の平滑性が良く、また
洗浄を十分にするのであれば、この下地膜3は特に必要
ない。
とが現状においては好ましい選択となるが、加熱処理温
度に耐える基板であれば、石英に限定されるものではな
い。
素膜11を減圧熱CVD法でもって、500Åの厚さに
成膜する。
厚さに成膜し、それをパターニングすることにより、5
で示されるマスクを形成する。このマスクは図5Aで
は、1で示される、図7Aでは、1、1’で示される金
属元素添加領域に開口が形成されている。この開口が形
成されている領域においては、非晶質珪素膜11が露呈
する。
及び手前方向に長手方向を有する細長い長方形を有して
いる。この金属元素添加領域1、1’の幅は20μm以
上とするのが適当である。またその長手方向の長さは必
要とする長さでもって形成すればよい。
1’の離間は、その間にTFTを作製することとそのマ
ージンを考慮して設計する。一般的には、結晶の成長距
離はは50〜200μmであるので、その離間は、80
〜300μmの範囲で選択される。本実施例では、その
離間は100μmとする。
元素を含んだ酢酸ニッケル溶液を塗布する。そして図示
しないスピナーを用いてスピンドライを行い余分な溶液
を除去する。ニッケル元素の導入量は、上記溶液中にお
けるニッケル元素の含有濃度で制御することができる。
Aの点線6で示されるような状態で存在した状態が得ら
れる。この状態では、ニッケル元素が金属元素添加領域
1、1’において、非晶質珪素膜の一部に選択的に接し
て保持された状態が得られる。
を用いて行ってもよい。この場合、ニッケル元素の溶液
を塗布する場合に比較して、ニッケル元素の導入位置を
より精度よく制御することができる。したがって、ニッ
ケル元素の導入領域の幅が数μmあるいはそれ以下の極
めて狭い場合や、導入領域の形状が複雑な場合に特に有
効である。
い窒素雰囲気中(また窒素雰囲気中)において、500
℃〜630℃、例えば600℃、8時間の加熱処理を行
う。すると、図5B及び図7Bの矢印で示すように、基
板2と平行な方向への結晶成長が進行する。
た金属元素添加領域1、1’の領域から周囲に向かって
進行する。この基板に平行な方向への結晶成長を横成長
またはラテラル成長と称する。
晶性珪素膜の表面は、従来の低温ポリシリコンや高温ポ
リシリコンに比較して非常に平滑性の良いものが得られ
る。これは、結晶粒界の延在する方向が概略そろってい
ることに起因すると考えられる。
る珪素膜は、その表面の凹凸は±100Å以上ある。し
かし、本実施例で示すような横成長をさせた場合は、そ
の表面の凹凸は±30Å以下であることが観察されてい
る。この凹凸は、ゲイト絶縁膜との間の界面特性を悪化
させるものであり、極力小さいものであることが好まし
い。
ては、この横成長を100μm以上にわたって行わすこ
とができる。こうして横成長した領域を有する珪素膜1
2、12’を得る。
℃〜1100℃(上限は基板の耐熱性で規制される)で
行うことができる。ある程度の横成長距離を確保するの
であれば、加熱処理の温度を600℃以上とすることが
好ましい。しかし、それ以上に温度を上げることによる
結晶成長距離や結晶性の向上はそれ程大きくない。(従
って、経済性や工程の簡略化を考慮した場合、600℃
〜650℃程度の加熱処理で十分である)
めの酸化珪素膜でなるマスク5を除去する。
に偏在している。特に、金属元素添加領域1、1’とそ
の近辺及び結晶成長の先端部分においては、ニッケル元
素が比較的高濃度に存在している。
の領域を避けることが重要となる。即ち、活性層中に上
記ニッケル元素が偏在した領域が存在しないようにする
ことが重要である。そのため、活性層と金属元素添加領
域とは、少なくとも10μm以上離れている必要があ
る。
ては、結晶のぶつかりによって形成される粒界が、その
中心付近に形成されているため、後に半導体i、jをパ
ターニングする際に、その間に少なくとも10μm以上
のマージンを必要とする。
行なってもよい。即ち、レーザー光の照射により、さら
に結晶化を助長させてもよい。このレーザー光の照射
は、膜中に存在するニッケル元素の固まりを分散させ、
後にニッケル元素を除去し易くする効果を有している。
なお、この段階でレーザー光の照射を行っても、さらに
横成長が進行することはない。
するエキシマレーザーを利用することができる。例え
ば、KrFエキシマレーザー(波長248nm)やXe
Clエキシマレーザー(波長308nm)を利用するこ
とができる。
例えばHClを3体積%含んだ酸素雰囲気中において、
950℃の加熱処理を行い、熱酸化膜7を200Åの厚
さに成膜する。(図5C、図7C)
従い、膜中の不安定な結合状態を有する珪素元素が熱酸
化膜の形成に利用される。そして、膜中の欠陥が減少
し、より高い結晶性を得ることができる。
作用により膜中よりニッケル元素のゲッタリングが行わ
れる。この工程で、珪素膜12、12’中にも若干の塩
素が添加される。
ッケル元素が取り込まれることになる。そして相対的に
珪素膜12、12’中のニッケル元素は減少する。こう
して図5C、図7Cに示す状態を得る。
を除去する。こうして、ニッケル元素の含有濃度を減少
させた結晶性珪素膜12、12’を得る。
1に示すように一方向に結晶構造が延在した(この方向
は結晶成長方向に一致する)構造を有している。即ち、
細長い円柱状の結晶体が複数の一方向に延在した結晶粒
界を介して、複数平行に並んでいるような構造を有して
いる。そして、金属元素添加領域に近い領域では結晶が
密に、遠い領域では比較的疎に形成されている。
2’は、図2に示すように二つの結晶成長がぶつかるこ
とにより、大部分において、結晶が密な領域を均一に有
する構造を得ている。即ち、金属元素添加領域1、1’
の極近辺と、結晶成長がぶつかることにより形成される
粒界とを除く領域で結晶の均一性を有している。
長領域でなるパターンを形成する。図5Dの島状の領域
13が後に半導体e及びfの活性層となる。また、図7
Dの島状の領域113が後に半導体iの、113’が半
導体jの活性層となる。
結ぶ方向と結晶成長方向とが一致または概略一致するよ
うにパターンの位置取りを行う。こうすることで、キャ
リアの移動する方向と結晶格子が連続して延在する方向
とを合わせることができ、結果として高い特性のTFT
を得ることができる。
ターンを形成後に熱酸化膜8、108、108’を30
0Åの厚さに成膜する。この熱酸化膜は、HClを0.
1〜10体積%、例えば3体積%含有した酸素雰囲気中
において、950℃の加熱処理を行うことによって得
る。
場合と同様の効果を得ることができる。なお、この熱酸
化膜8、108、108’は、TFTのゲイト絶縁膜の
一部となる。
共にゲイト絶縁膜を構成する酸化珪素膜9、109、1
09’を1000Åの厚さにプラズマCVD法により成
膜する。(図6E、図8E)
を先に形成したが、パターン13、113、113’を
形成後、プラズマCVD法で酸化珪素膜を形成してか
ら、加熱処理を行い熱酸化膜を酸化珪素膜と珪素膜の間
に形成する方法も選択できる。この方法を選択すると、
ゲイト絶縁膜と珪素膜との界面における界面準位を下げ
ることができる。
度は、現状では1×1014原子個/cm3 〜5×1018原
子個/cm3 程度となるが、低いほど好ましい。熱酸化膜
のゲッタリング条件を詰めれば、この濃度の上限は5×
1017原子個/cm3 程度まで低減できる。この濃度の計
測は、SIMS(2次イオン分析方法)を利用して計測
できる。
ウム膜をスパッタ法で4000Åの厚さに成膜する。こ
のアルミニウム膜中には、スカンジウムを0.2 重量%含
有させる。
せるのは、後の工程において、ヒロックやウィスカーが
発生することを抑制するためである。ヒロックやウィス
カーというのは、加熱の際のアルミニウムの異常成長に
起因する針状あるいは刺状の突起部のことである。
アルミウニム以外にタンタル(Ta)、多量にリン
(P)がドープされた多結晶シリコン、タングステンの
シリサイド(WSi)、またはリンドープされた多結晶
シリコンとタングステンのシリサイドの積層また混成し
た構造としてもよい。
緻密な陽極酸化膜を形成する。この陽極酸化膜は、3%
の酒石酸を含んだエチレングルコール溶液を電解溶液と
し、アルミニウム膜を陽極、白金を陰極として行う。こ
の工程においては、アルミニウム膜上に緻密な膜質を有
する陽極酸化膜を100Åの厚さに成膜する。
れるレジストマスクとの密着性を向上させる役割を有し
ている。
加電圧によって制御することができる。
てこのレジストマスクを利用して、図6F及び図8Fに
示すように、アルミニウム膜を21、21’、22、2
2’、23、23’で示されるパターンにパターニング
する。
3%のシュウ酸水溶液を電解溶液として用いる。この電
解溶液中において、アルミニウムのパターン21、2
1’、22、22’、23、23’を陽極とした陽極酸
化を行うことにより、18で示される多孔質状の陽極酸
化膜が形成される。
レジストマスク10が存在する関係で、アルミニウムパ
ターンの側面に選択的に陽極酸化膜18が形成される。
成長させることができる。ここでは、その膜厚を600
0Åとする。なお、その成長距離は、陽極酸化時間によ
って制御することができる。
に再度の緻密な陽極酸化膜の形成を行う。即ち、前述し
た3%の酒石酸を含んだエチレングルコール溶液を電解
溶液とした陽極酸化を再び行う。
膜18中に電解溶液が進入する関係から、19で示され
るように緻密な膜質を有する陽極酸化膜が形成される。
0Åとする。この膜厚の制御は印加電圧によって行う。
(図6G、図8G)
109’をエッチングする。また同時に熱酸化膜8、1
08、108’をエッチングする。このエッチングはド
ライエッチングを利用する。そして酢酸と硝酸とリン酸
とを混合した混酸を用いて多孔質状の陽極酸化膜18を
除去する。
は、図8の半導体i、jからNチャネル型の薄膜トラン
ジスタを、図6の半導体e、fからPチャネル型の薄膜
トランジスタを作製する。
クを図6の半導体e、f上に形成し、P(リン)イオン
の添加を防止する。この状態で、全面にPイオンの注入
をプラズマドーピング法でもって行う。
ビードープがされる114、114’、115、11
5’の領域とライトドープがされる117、117’の
領域が形成される。これは、残存した酸化珪素膜109
が半透過なマスクとして機能し、注入されたイオンの一
部がそこで遮蔽されるからである。
トマスクを除去する。そして、半導体i、jの上にレジ
ストマスクを形成する。そして、Pチャネル型の薄膜ト
ランジスタを作製するためにB(ボロン)イオンの注入
をプラズマドーピング法でもって行う。
スクが形成されているため、Bイオンの注入を防ぐこと
ができる。
る14、15、15’の領域とライトドープがされる1
7、17’の領域が形成される。これは、残存した酸化
珪素膜9が半透過なマスクとして機能し、注入されたイ
オンの一部がそこで遮蔽されるからである。
強光)の照射を行うことにより、不純物イオンが注入さ
れた領域の活性化を行う。
6とP型のドレイン領域15、低濃度不純物領域17及
び半導体fと共通のソース領域14が自己整合的に形成
される。また、半導体fには、チャネル形成領域16’
とP型のドレイン領域15’、低濃度不純物領域17’
及び半導体eと共通のソース領域14’が自己整合的に
形成される。(図6H)
6とN型のソース領域114、ドレイン領域115、低
濃度不純物領域117が自己整合的に形成される。ま
た、半導体jには、チャネル形成領域116’とN型の
ソース領域114’、ドレイン領域115’、低濃度不
純物領域117’が自己整合的に形成される。(図8
H)
00Å以上というように厚くした場合、その膜厚でもっ
てチャネル形成領域16、16’、116、116’の
外側にオフセットゲイト領域を形成することができる。
は形成されているが、その寸法が小さいのでその存在に
よる寄与が小さく、また図面が煩雑になるので図中には
記載していない。
000Å以上というように厚く形成するのには、200
V以上の印加電圧が必要とされるので、再現性や安全性
に関して、注意が必要である。
たは窒化珪素膜、またはその積層膜を形成する。層間絶
縁膜としては、酸化珪素膜または窒化珪素膜上に樹脂材
料でなる層を用いてもよい。
導体eのドレイン電極34と半導体fと共通のソース電
極30と半導体fのドレイン電極34’の形成を行う。
こうして図6Iに示す薄膜トランジスタが完成する。
レイン電極35とソース電極36及び、半導体jのドレ
イン電極35’とソース電極36’の形成を行う。
従来には得られなかった極めて高いものを得ることがで
きる。
T)で、移動度が200〜300(cm2/Vs)、S値が75
〜90(mV/dec)(VD =1V)という高性能なものが得ら
れる。PTFT(Pチャネル型のTFT)で120〜1
80(cm2/Vs)、S値が75〜100(mV/dec)(VD =1
V)という高性能なものを得ることができる。なおこの
場合のチャネル長(活性層上のゲイト電極幅)Lは0.
6μmである。
が3.3〜5Vにおいて、リングオシレータレベルで1
GHz、シフトレジスタレベルで100MHzの動作を
行わすことができる。
する結晶性珪素膜を利用した薄膜トランジスタは、その
結晶構造に起因して短チャネル効果が現れにくいという
特徴がある。また基板として絶縁体を利用するので基板
の容量の問題がなく、高速動作に適するという特徴もあ
る。
MOS型トランジスタにおいては、スケーリング則とい
うものがあった。これは、所定に法則に従ってトランジ
スタに寸法を小さくすれば、これまた所定の法則に従っ
てトランジスタの性能が高くなるというものである。
においては、このスケーリング則に従って、トランジス
タの性能を高めることが困難になってきている。
にチャネル長を短くすればするほど、チャネルの横に不
純物のドーピングをしたりする細かな工夫が必要にな
り、作製工程上の困難性が増大するという点を挙げるこ
とができる。
結晶性珪素膜を用いた場合には、必要とする特性を上記
のスケーリング則に従わない寸法で得ることができる。
考えられる。 (1)チャネルにおいてキャリアの移動する方向に柱状
の結晶体の延在方向を合わせることにより、短チャネル
効果が抑制される。 (2)基板に絶縁体を利用することで、容量の問題が大
きく抑制される。 (3)ゲイト電極にアルミニウムを利用できるので、高
速動作に有利である。
とができる。即ち、一つ一つに柱状の結晶構造体は、不
活性な結晶粒界により仕切られているが、この結晶粒界
部分では、エネルギーにレベルが高いので、キャリアは
結晶体の延在方向にその移動が寄生される。また同様な
考え方により、ソース及びドレイン領域からのチャネル
内部への空乏層の広がりも抑制される。このことが、短
チャネル効果の抑制になっていると考えられる。
な例としては、以下のような例を挙げることができる。
ゲイト絶縁膜の厚さが100Åでなければならないとこ
ろ、本明細書で開示するような結晶性珪素膜を用いた場
合、ゲイト絶縁膜の厚さを300Åとして、同じ特性を
得ることができる。その結果耐静電気特性を高くでき
る。
うな要因であると理解される。
チャネル長に関しても従来のスケーリング則よりも緩い
条件(1ランク下の条件)でもって、所定の特性を得る
ことができる。
面積にわたって低コストで作製する場合に有用なことで
ある。
チャネル長L=0.35μmとすると、駆動できる最高
周波数(カットオフ周波数)は、上記のチャネル長L=
0.6μmのものより約4倍、L=2μmのものより、
約50倍の高速駆動が期待できる。
この作製方法に限定されるものではない。また、図3、
4に示す回路も本発明の一例に過ぎず、本明細書で開示
した内容に従うならば特定の回路に限定されるものでは
ない。
結晶成長にレーザー光の照射を組み合わせた場合の例を
示す。
(B)に示す加熱処理の条件を600℃、8時間とし
て、その後に得られた結晶性珪素膜に対してレーザー光
の照射を行う。
熱酸化膜の形成は行わない。この場合、最高プロセス温
度を600℃とすることができるので、基板としてガラ
ス基板を利用することができる。
な位置取りで活性層a〜dを形成する場合において、a
をNチャネル型の薄膜トランジスタの活性層とし、bを
Pチャネル型の薄膜トランジスタの活性層とする。そし
て、2つの薄膜トランジスタを相補型に構成する。
ンジスタに移動度を抑える構成とし、Pチャネル型の薄
膜トランジスタに移動度を高くする構成とすることがで
き、結果として、2つの薄膜トランジスタ間の特性差を
抑制することができる。
示した構成を逆スタガ型の薄膜トランジスタで構成す
る。実施例1で示したプレナー型の薄膜トランジスタに
変えて、逆スタガ型の薄膜トランジスタとしても、同様
の効果を得ることができる。
イト電極として、ゲイト電極に耐熱性の高い材料、例え
ばリンが多量にドープされた多結晶シリコンを利用する
ことは、高性能な薄膜トランジスタを得るために有効で
ある。
を用いることによって、従来の薄膜トランジスタでは成
しえなかった高性能の回路を作製することが可能にな
る。
の違いによって、結晶性が異なることを利用することに
より、異なった導電性を有する薄膜トランジスタの特性
を均一化することが可能となる。
型のアクティブマトリクス型の液晶表示装置の、アクテ
ィブマトリクス回路と同一基板に形成される周辺回路を
構成するのみでなく、他にEL(エレクトロルミネセン
ス)素子を用いた表示装置、その他薄膜トランジスタを
用いた種々の回路にて利用することが可能である。
化膜 20 ゲイト配線 21、21’ ゲイト配線 22、22’ ゲイト配線 23、23’ ゲイト配線 25、25’ ゲイト配線 27 層間絶縁膜 30 ソース配線 31 ソース配線 32 ビデオ信号線 33 ビデオ信号線 34、34’ 配線 35、35’ 配線 36、36’ 配線 37、37’ 配線
Claims (7)
- 【請求項1】絶縁表面を有する基板上に形成された結晶
性珪素膜を活性層とした複数の半導体装置を有する半導
体回路であって、 前記活性層を構成する結晶性珪素膜は、所定の領域から
基板に平行な方向に結晶成長した結晶構造を有し、 各半導体装置を構成する活性層と前記所定の領域との距
離が同一または概略同一であることを特徴とする半導体
回路。 - 【請求項2】請求項1において、活性層と所定の領域と
の距離は、各半導体装置において、所定の領域の端部か
ら活性層内に形成されるチャネル形成領域の中心までの
距離が±10%以内であることを特徴とする半導体回
路。 - 【請求項3】Pチャネル型の薄膜トランジスタとNチャ
ネル型の薄膜トランジスタとを相補型に組み合わせた半
導体回路であって、 各薄膜トランジスタを構成する活性層は、絶縁表面を有
する基板上に形成された結晶性珪素膜を用いて構成され
ており、 前記活性層を構成する結晶性珪素膜は、所定の領域から
基板に平行な方向に結晶成長した結晶構造を有し、 Pチャネル型の薄膜トランジスタを構成する活性層と前
記所定の領域との距離をL1 とし、 Nチャネル型の薄膜トランジスタを構成する活性層と前
記所定の領域との距離をL2 とした場合、 L1 とL2 とは異なることを特徴とする半導体回路。 - 【請求項4】請求項3において、L1 <L2 であること
を特徴とする半導体回路。 - 【請求項5】Pチャネル型の薄膜トランジスタとNチャ
ネル型の薄膜トランジスタとを相補型に組み合わせた半
導体回路であって、 各薄膜トランジスタを構成する活性層は、絶縁表面を有
する基板上に形成された結晶性珪素膜を用いて構成され
ており、 前記活性層を構成する結晶性珪素膜は、所定の領域から
基板に平行な方向に結晶成長した結晶構造を有し、 Pチャネル型の薄膜トランジスタを構成する活性層と前
記所定の領域との距離をL1 とし、 Nチャネル型の薄膜トランジスタを構成する活性層と前
記所定の領域との距離をL2 とした場合、 L1 とL2 とを異ならせることにより、両薄膜トランジ
スタの特性差を是正していることを特徴とする半導体回
路。 - 【請求項6】同一の特性を要求される少なくとも2つの
薄膜トランジスタを有した半導体回路であって、 各薄膜トランジスタを構成する活性層は、絶縁表面を有
する基板上に形成された結晶性珪素膜を用いて構成され
ており、 前記活性層を構成する結晶性珪素膜は、所定の領域から
基板に平行な方向に結晶成長した結晶構造を有し、 各薄膜トランジスタにおいて、活性層と前記所定の領域
との距離を同一または概略同一にすることにより各薄膜
トランジスタの特性の違いを是正していることを特徴と
する半導体回路。 - 【請求項7】請求項6において、活性層と所定の領域と
の距離は、各薄膜トランジスタにおいて、所定の領域の
端部から活性層内に形成されるチャネル形成領域の中心
までの距離が±10%以内であることを特徴とする半導
体回路。
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