JPH10190987A - 固体撮像装置の出力回路およびその駆動方法 - Google Patents

固体撮像装置の出力回路およびその駆動方法

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JPH10190987A
JPH10190987A JP8341961A JP34196196A JPH10190987A JP H10190987 A JPH10190987 A JP H10190987A JP 8341961 A JP8341961 A JP 8341961A JP 34196196 A JP34196196 A JP 34196196A JP H10190987 A JPH10190987 A JP H10190987A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】信号電圧増幅回路およびリセットフィードスル
ーレベルクランプ回路を出力回路に内蔵した固体撮像装
置において、ランダムノイズを増加させることなく高速
動作できるようにする。 【解決手段】本発明は、固体撮像装置の出力回路のう
ち、信号電圧増幅回路およびリセットフィードスルーレ
ベルクランプ回路の前段に信号電圧のリセットフィード
スルー期間の信号レベルと信号期間の信号レベルをそれ
ぞれ独立にサンプルホールドするサンプルホールド回路
を設け、信号電圧からリセットフィードスルーノイズを
除去した後に、信号電圧増幅回路とリセットフィードス
ルーレベルクランプ回路を通過させるようにしている。

Description

【発明の詳細な説明】
【発明の属する技術分野】本発明は固体撮像装置に関
し、特に信号電圧増幅回路とランダムノイズ低減のため
リセットフィードスルーレベルクランプ回路を内蔵した
固体撮像装置の動作速度(データレート)向上に関す
る。
【0001】
【従来の技術】近年ファクシミリやイメージスキャナの
低価格化に伴い、光源の低コスト化をはかるため、固体
撮像装置自体の高感度化を目的として同一半導体チップ
上に信号電圧増幅回路を内蔵した固体撮像装置が増加し
ている。図3はこのような信号電圧増幅回路を内蔵した
CCDリニアイメージセンサの全体構成図である。
【0002】図3において、単結晶シリコンなどのN型
半導体基板1の表面部にボロンなどのP型不純物を注入
して形成したPウェル2に、光を信号電荷に変換し、蓄
積する受光部3が1次元のアレイ状に配置されている。
4は信号電荷を受光部3から信号電荷転送部5に一定の
蓄積時間ごとに読み出す信号電荷読み出し部、6は信号
電荷転送部5によって転送されてきた信号電荷を容量C
FJにより順次信号電圧に変換する信号電荷変換部でフロ
ーティングダイオード増幅器型電荷検出装置(FDA)
からなる。7は信号電荷変換部6で検出された後の不要
となった信号電荷を外部に排出するリセットトランジス
タ、8は信号電荷変換部に接続され、所定の信号処理を
行う出力回路の初段ソースホロワアンプ、10は初段ソ
ースホロワアンプ以外の出力回路全体を1つにまとめて
示したものであり、信号電圧増幅回路、ソースホロワ回
路、リセットフィードスルーレベルクランプ回路等から
構成される。
【0003】図4は図3に示したCCDリニアイメージ
センサにおいてリセットパルスφRと転送パルスφ1,
2、信号電荷変換部6の電圧VFJの関係を示すタイミン
グ図である。このタイミング図に示すように信号電荷変
換部6で順次変換される信号電圧VFJは3つの期間から
なる。すなわち、リセットパルスφRがHIGHの状態
になることにより、リセットトランジスタ7がオンして
信号電荷変換部6の電圧が一定レベルVDDにリセットさ
れる期間(リセット期間)、リセットパルスφRがHI
GHからLOWになり、リセットトランジスタ7がオフ
して信号電荷転送部5から信号電荷Qが信号電荷変換部
6に入力されるのを待っている期間(φ1=HIGH、
φ2=LOW;リセットフィードスルー期間)、転送パ
ルスφ1がHIGHからLOWになり、信号電荷転送部
5から信号電荷変換部6に信号電荷Qが入力され、信号
電荷変換部6の容量CFJにより信号電圧VFJ(Q=CFJ
・VFJ)に変換される期間(信号期間)である。
【0004】ここで、VFJのリセット期間の信号電圧レ
ベルVDDとリセットフィードスルー期間の信号電圧には
電位差が発生する。(以下これをリセットフィードスル
ーノイズと言う。)このリセットフィードスルーノイズ
は次のような原因で発生する。
【0005】リセットトランジスタのゲート電極と信
号電荷変換部6の間のカップリング容量CP によって、
リセットパルスφRがHIGHからLOWに変化する際
に発生するカップリングノイズによるもの。
【0006】リセットトランジスタ7を構成するMO
S型トランジスタにおいて、リセットトランジスタをオ
ンしてVFJの電位をVDDにセットする際に、リセットト
ランジスタのチャネルの熱雑音がVFJのレベルに重畳さ
れることにより、リセット直後のVFJのレベルが変動す
るランダムノイズによるもの。
【0007】リセットトランジスタ7がオンからオフ
の状態に変化する際、リセットトランジスタのチャネル
に存在していた電子の一部が信号電荷変換部6に振り分
けられることによって発生するランダムノイズによるも
の。
【0008】このような原因で発生したリセットフィー
ドスルーノイズは信号電圧VFJのうち400〜500m
Vの値をしめ、また、その値は1画素期間(=リセット
期間+リセットフィードスルー期間+信号期間)ごとに
数mV〜10mV程度ランダムに変わるため、固体撮像
装置のランダムノイズの原因の1つとなる。
【0009】図5は、図3における初段ソースホロワを
除く出力回路10の構成を示す1例である。図5におい
て、信号電荷Qから変換された信号電圧VFJは、初段ソ
ースホロワ通過後、単数もしくは複数のソースホロワを
通した後、単数もしくは複数のインバータ(通常はN型
MOSインバータ)からなる信号電圧増幅回路11によ
って増幅される。12はクランプパルスφCLを用いて、
信号電圧のリセットフィードスルー期間を1画素ごとに
一定値VC にクランプするためのリセットフィードスル
ークランプ回路である。通常、このような信号電圧増幅
回路を内蔵した固体撮像装置では、上述したリセットト
ランジスタおよび信号電荷変換部で発生するランダムノ
イズに加えて出力回路のMOSトランジスタから発生す
るランダムノイズを低減する必要があるため、図5に示
すように、リセットフィードスルーレベルクランプ回路
12を設ける必要があり、また、このリセットフィード
スルーレベルクランプ回路12は、リセットフィードス
ルーレベルクランプ回路以後の出力回路においてなるべ
く出力アンプ起因のランダムノイズを発生させないよう
にするため、出力回路のなるべく後段に設ける必要があ
る。
【0010】図6は図5において、出力回路各段の信号
波形およびリセットフィードスルーレベルクランプ回路
の動作を示すタイミング図である。リセットフィードス
ルークランプパルスφCLは、リセットフィードスルーレ
ベルクランプ回路12の直前の信号波形(信号電圧)V
2に対し、そのリセットフィードスルー期間TRF2 の間
にHIGHとなり、信号電圧V3はそのリセットフィー
ドスルー期間がクランプレベルVC に固定され、この結
果、上述したようなランダムノイズが低減される。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述した
ような信号電圧増幅回路を内蔵した固体撮像装置の場
合、リセットフィードスルーノイズが多段のソースホロ
ワおよびインバータを通過する際に遅延し、この影響で
リセットフィードスルー期間が減少し、高いデータレー
トで固体撮像装置を動作させることが困難になるという
欠点がある。この様子を数値をもとに具体的に説明す
る。
【0012】図6においてTRFFJ、TRF1 、TRF2 はそ
れぞれ出力回路各段の信号波形(信号電圧)において、
リセットフィードスルー期間を示す。ここで上述したよ
うに信号電荷変換部における出力電圧VFJのリセットフ
ィードスルーノイズを400mVとする。また、信号電
圧VFJは、信号電圧増幅回路のアンプゲインを10倍と
し、最終的な信号電圧VOUT をFAXやスキャナで通常
用いる出力レベルである1.0V程度にするためには1
00mVとなる。さて、ソースホロワおよび多段のイン
バータからなる信号電圧増幅回路全体の遅延時間を10
0mVあたり約5nSとすると、信号電圧増幅回路11
通過後の出力電圧V2において、そのリセットフィード
スルーノイズは4Vであるから、遅延時間は(4V/1
00mV)×5nS=200nSとなって、TRF2 はT
RFFJより約200nS短くなる。一方、通常のMOSト
ランジスタでリセットフィードスルーレベルクランプ回
路を構成し、正常に動作させるためには、リセットフィ
ードスルーレベルクランプパルスφCLのパルス幅(HI
GHの期間=TCL)はTRF2 とのタイミングマージンも
含めて少なくとも50nS程度必要となる。従って、こ
のような信号電圧増幅回路を内蔵した固体撮像装置の場
合、VRFFJとして少なくとも200+50=250nS
程度の期間を確保する必要がある。また、リセットトラ
ンジスタについてもそのパルス幅は少なくとも30nS
程度必要であるため、信号電荷変換部でのリセット期間
とリセットフィードスルー期間はあわせて少なくとも2
80nS程度必要となる。また、信号期間も上述したソ
ースホロワおよび多段のインバータからなる信号電圧増
幅回路11による遅延の影響を受け、信号電圧増幅回路
11通過後の出力電圧V2においてその信号電圧は1V
であるから、遅延時間は(1V/100mV)×5nS
=50nSとなって最終的な信号期間のうち信号電圧V
OUT が安定して得られるTSIG は信号電荷変換部での信
号期間TSIGFJ の信号電圧が安定して得られる期間より
も50nS短くなる。従って、信号電荷変換部において
信号期間に含まれる、リセットフィードスルー期間から
信号期間への過渡期約40nSと、固体撮像装置に外部
で接続される信号処理回路でのサンプルホールド等各種
パルスを印加するための期間として50nS程度を合わ
せて考慮すると、信号期間TSIGFJ は少なくとも50+
40+50=140nS程度必要となる。以上より、1
画素期間はこの両者を加えて280+140nS=42
0nS、すなわちデータレート2.38MHzとなっ
て、これがデータレートの上限となる。
【0013】このようなリセットフィードスルーノイズ
の影響をなくすため、信号電荷変換部の後段で完全にリ
セットフィードスルーノイズを取り除いた公知例が特開
平5−284428にある。
【0014】図7はその全体構成図、図8はその駆動方
法を示すタイミング図である。図7および図8におい
て、それぞれの符号は本発明の符号と混同を防ぐため、
すべて100番を加算した形で示してある。(例 特開
平5−284428での1番は本明細書では101番と
してある。)本公知例では、1画素期間からリセットフ
ィードスルーノイズを完全になくし、信号期間だけをで
きるだけのばすために、リセットフィードスルー期間t
pと信号期間tsおよびその両者の過渡期をふくめてサ
ンプリングし、最終的に信号期間の電圧レベルVsを保
持するようにしている。
【0015】しかしながらこの公知例で示された方法で
は、信号期間のみを増加させるため、リセットフィード
スルー期間の増加にはつながらず、信号電圧増幅回路を
内蔵し、信号電圧増幅回路の後段でリセットフィードス
ルーレベルをクランプする構成の固体撮像装置では十分
なクランプ期間がとれない。また、従来例と同様にリセ
ットフィードスルー期間と信号期間の過渡期を含み、こ
の過渡期は転送パルスφ1,2の駆動タイミングや電荷
転送部を構成するシフトレジスタの入力容量によって変
動するため信号期間の変動をまねく場合がある。
【0016】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、光を信
号電荷に変換し蓄積する受光部と、前記受光部に隣接し
た信号電荷転送部と、前記受光部からの信号電荷を隣接
した信号電荷転送部に読み出す信号電荷読み出し部と、
前記信号電荷転送部で転送された信号電荷を信号電圧に
変換する信号電荷変換部からなる固体撮像装置と同一半
導体基板上に形成された固体撮像装置の出力回路あっ
て、電圧増幅回路と、信号電圧のリセットフィードスル
ー期間の信号レベルを一定電圧にクランプするクランプ
回路と、前記電圧増幅回路および前記クランプ回路の前
段に信号電圧のリセットフィードスルー期間の信号レベ
ルと信号期間の信号レベルをそれぞれ独立にサンプルホ
ールドするサンプルホールド回路を設けたことにより、
前記信号電圧増幅回路および前記クランプ回路に入力さ
れる出力信号はリセット期間とリセットフィードスルー
期間の信号電圧差(リセットフィードスルーノイズ)が
なく、なおかつ前記リセットフィードスルー期間の信号
レベルの長さを自由に変えることができるので、信号電
圧増幅回路が内蔵され、なおかつランダムノイズ低減の
ためリセットフィードスルーレベルクランプ回路が内蔵
された固体撮像装置において、その動作速度(データレ
ート)を向上させることができる。
【0017】
【発明の実施の形態】次に、本発明について図面を参照
して説明する。図1−(a)は本発明の固体撮像装置の
出力回路図である。(固体撮像装置の全体構成は図3に
示した従来例と同じ。) 図1−(a)において8〜12は図5に示した従来例と
同一である。13はリセットフィードスルーノイズ除去
回路であって、リセットフィードスルー期間の電圧レベ
ルをサンプルホールドするためのトランジスタとコンデ
ンサ(容量CSHCA)および信号期間の電圧レベルをサン
プルホールドするためのトランジスタとコンデンサ(容
量CSHCB)からなり、それぞれサンプルホールドパルス
φSHCAおよびφSHCBが所定のタイミングで印加される。
【0018】図1−(b)は図1−(a)に示した本発
明のタイミング図である。信号電荷変換部6で信号電荷
Qから変換された信号電圧VFJは、リセットフィードス
ルーノイズ除去回路13においてまずサンプルホールド
パルスφSHCAによってそのリセットフィードスルーレベ
ルがサンプリングされ(φSHCAがLOWからHIGHに
なった時)、そのまま保持される。(φSHCAがHIGH
からLOWになった時)続いてサンプルホールドパルス
φSHCBによってその信号期間の電圧レベルがサンプリン
グされ(φSHCBがLOWからHIGHになった時)、そ
のまま保持される。(φSHCBがHIGHからLOWにな
った時)この一連の動作により、出力電圧V0はリセッ
トフィードスルーノイズの全くない信号波形となる。な
お、ここでV0においてリセットフィードスルー期間t
RFはパルスφSHCAの立ち下がりからパルスφSHCBの立ち
上がりの期間となる。同様に、信号期間tSIG はφSHCB
の立ち下がりからパルスφSHCAの立ち上がり期間とな
り、両者とも外部から自由にその期間を変えることがで
きる。この出力電圧V0は、以下従来例と同一の出力回
路を通して出力(VOUT )される。こで従来例との比較
のため、上述した従来例と同様に信号電圧増幅回路のア
ンプゲインを10倍、出力(VOUT )を1V、ソースホ
ロワおよび多段のインバータからなる信号電圧増幅回路
全体の遅延時間を100mVあたり約5nSとすると、
リセットフィードスルー期間および信号期間の遅延はと
もに(1V/100mV)×5nS=50nSとなる。
またリセットフィードスルーレベルクランプパルスφCL
のパルス幅は従来例と同様に、タイミングマージンも含
めて50nS程度である。従ってV0でのリセットフィ
ードスルー期間tRFとしては50+50=100nSと
なる。また、信号期間としては従来例で説明したように
固体撮像装置外部で接続される信号処理回路でのサンプ
ルホールド等の各種パルスのための期間として50nS
程度必要となる。従ってV0での信号期間tSIG は50
+50=100nSとなる。従って、リセットフィード
スルーノイズ除去回路13での出力電圧V0としては、
これらにサンプルホールドパルスφSHCAおよびφSHCBの
パルス幅約30nSずつを加えて、少なくとも100+
100+30+30=260nS、すなわち3.85M
Hzとなって従来例より約1.6倍高速動作が可能とな
る。
【0019】図2−(a)は本発明の別の実施例であ
る。第1の実施例と基本構成は同じであるが、リセット
フィードスルーノイズ除去回路13を1つのサンプルホ
ールドトランジスタおよびコンデンサ(容量CSHC )の
みで構成している点が第1の実施例と異なる。図2−
(b)は図2−(a)で示した実施例のタイミング図で
ある。1つのサンプルホールドパルスφSHC が信号電荷
変換部6の信号電圧VFJのリセットフィードスルー期間
および信号期間に順次印加され、出力電圧V0を得る。
以下の動作および効果は第1の実施例と全く同様であ
る。この実施例ではサンプルホールドパルスφSHC はリ
セットパルスφRや第1の実施例で示したサンプルホー
ルドパルスφSHCAおよびφSHCBの2倍の駆動周波数が必
要になるが、リセットフィードスルーノイズ除去回路1
3の構成を第1の実施例より簡単にできる。
【0020】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
光を信号電荷に変換し蓄積する受光部と、前記受光部に
隣接した信号電荷転送部と、前記受光部からの信号電荷
を隣接した信号電荷転送部に読み出す信号電荷読み出し
部と、前記信号電荷転送部で転送された信号電荷を信号
電圧に変換する信号電荷変換部からなる固体撮像装置と
同一半導体基板上に形成された固体撮像装置の出力回路
あって、電圧増幅回路と、信号電圧のリセットフィード
スルー期間の信号レベルを一定電圧にクランプするクラ
ンプ回路と、前記電圧増幅回路および前記クランプ回路
の前段に信号電圧のリセットフィードスルー期間の信号
レベルと信号期間の信号レベルをそれぞれ独立にサンプ
ルホールドするサンプルホールド回路を設けたことによ
り、前記信号電圧増幅回路および前記クランプ回路に入
力される出力信号にはリセット期間とリセットフィード
スルー期間の信号電圧差(リセットフィードスルーノイ
ズ)がなく、なおかつ前記リセットフィードスルー期間
の信号レベルの長さを自由に変えることができるので、
信号電圧増幅回路が内蔵され、なおかつランダムノイズ
低減のためリセットフィードスルーレベルクランプ回路
が内蔵された固体撮像装置において、その動作速度(デ
ータレート)を向上させることができる。
【0021】具体的には、上述したように従来のリセッ
トフィードスルーレベルクランプ回路と信号電圧増幅回
路を内蔵した固体撮像装置より、約1.6倍以上の高速
動作が可能となる。これは内蔵する信号電圧増幅回路の
遅延時間が大きくなればなるほど効果的であることは明
白であろう。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)本発明の固体撮像装置の出力回路図。 (b)本発明の固体撮像装置のタイミング図。
【図2】(a)本発明の固体撮像装置の出力回路図(別
の実施例)。 (b)本発明の固体撮像装置のタイミング図(別の実施
例)。
【図3】固体撮像装置の全体構成図。
【図4】図3における各点の信号波形を示すタイミング
図。
【図5】図3の固体撮像装置において出力回路の構成を
示す図。
【図6】図5における各点の信号波形を示すタイミング
図。
【図7】特開平5−284428における図1から引
用。
【図8】特開平5−284428における図2から引
用。
【符号の説明】
1 N型基板 2 Pウェル 3 受光部 4 信号電荷読み出し部 5 信号電荷転送部 6 信号電荷変換部 7 リセットトランジスタ 8 出力回路の初段ソースホロワ 10 出力回路(初段ソースホロワを除く) 11 信号電圧増幅回路 12 リセットフィードスルーレベルクランプ回路 13 リセットフィードスルーノイズ除去回路

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光を信号電荷に変換し蓄積する受光部
    と、前記受光部に隣接した信号電荷転送部と、前記受光
    部からの信号電荷を隣接した信号電荷転送部に読み出す
    信号電荷読み出し部と、前記信号電荷転送部で転送され
    た信号電荷を信号電圧に変換する信号電荷変換部からな
    る固体撮像装置と同一半導体基板上に形成された固体撮
    像装置の出力回路あって、電圧増幅回路と、信号電圧の
    リセットフィードスルー期間の信号レベルを一定電圧に
    クランプするクランプ回路と、前記電圧増幅回路および
    前記クランプ回路の前段に信号電圧のリセットフィード
    スルー期間の信号レベルと信号期間の信号レベルをそれ
    ぞれ独立にサンプルホールドするサンプルホールド回路
    を設けたことを特徴とする固体撮像装置の出力回路。
  2. 【請求項2】 特許請求の範囲第1項において、前記信
    号電荷変換部はフローティングダイオード増幅器型電荷
    検出装置からなることを特徴とする固体撮像装置の出力
    回路。
  3. 【請求項3】 特許請求の範囲第1項において、前記サ
    ンプルホールド回路には、出力信号の1画素ごとに、出
    力信号のリセットフィードスルー期間の信号レベルと信
    号期間の信号レベルをそれぞれ独立にサンプルホールド
    するサンプルホールドパルスを印加することを特徴とす
    る固体撮像装置の出力回路の駆動方法。
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