JPH10189539A - ドライエッチング方法及びドライエッチング装置 - Google Patents

ドライエッチング方法及びドライエッチング装置

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Publication number
JPH10189539A
JPH10189539A JP8340707A JP34070796A JPH10189539A JP H10189539 A JPH10189539 A JP H10189539A JP 8340707 A JP8340707 A JP 8340707A JP 34070796 A JP34070796 A JP 34070796A JP H10189539 A JPH10189539 A JP H10189539A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
microwave
dry etching
workpiece
waveguide
matching device
Prior art date
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Pending
Application number
JP8340707A
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English (en)
Inventor
Yasuaki Yamamichi
泰明 山道
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
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Publication of JPH10189539A publication Critical patent/JPH10189539A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 多様な加工条件においても安定した加工を行
うことができるドライエッチング方法及びドライエッチ
ング装置を提供する。 【解決手段】 ドライエッチング装置1は、μ波発生手
段(マグネトロン16等)と、μ波を処理室20へ導く
導波管17を備える。そして、μ波整合装置15の可動
棒24の駆動機構として、モーター27を有する駆動機
構が設けられている。このμ波の整合装置を、個々の被
加工物の加工条件(レシピ)に合わせて個別に調整でき
るので、処理条件ごとにμ波整合を最適化でき、良好な
プラズマ状態で加工を行うことができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造等に用
いるドライエッチング方法及びドライエッチング装置に
関する。特には、多様な加工条件においても安定した加
工を行うことができるドライエッチング方法及びドライ
エッチング装置に関する。
【0002】
【従来の技術】μ波ドライエッチャーは、プラズマ源と
してμ波を用いるドライエッチング装置である。μ波ド
ライエッチャーは、μ波の整合をとるための整合装置
(スタブチューナーともいう)を備える。
【0003】図2は、従来のμ波エッチャーのスタブチ
ューナー部分の構成を模式的に示す断面図である。図中
には、L字形の導波管117が示されている。同導波管
117の右端にはμ波発生手段であるマグネトロン11
6が接続されており、左下側には、図示せぬ処理室が接
続されている。
【0004】図2のスタブチューナー115は、具体的
には、導波管117の上壁117aから導波管内に差し
込まれた3本のボルト122からなる。導波管117の
上壁117aには、同管117の長手方向に3個ボルト
穴117bが開いている。このボルト穴117bにボル
ト122をネジ込んで、ネジ込み後ナット123を締め
ることによりボルト122の位置を固定している。スタ
ブチューナー115の調整を行う際には、ナット123
を弛めボルトを回して導波管117内へのボルト122
の突き出し量(ボルト頭122aの位置)を変えてい
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上述の従来のスタブチ
ューナー115は、ボルトとナットを手作業によって操
作していたため、その調整には手間と時間がかかってい
た。したがって、スタブチューナー調整は、エッチャー
の立ち上げ時等の特別なタイミングで行うのみであり、
被加工物の加工条件が変わる毎にスタブチューナーを調
整するようなことは行われていなかった。そのため、一
台のエッチャーで多様な被加工物を多様な加工条件で処
理する場合には、十分なμ波整合をとることは困難であ
った。
【0006】本発明は、このような問題に鑑みてなされ
たものであり、多様な加工条件においても安定した加工
を行うことができるドライエッチング方法及びドライエ
ッチング装置を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明のドライエッチング方法は、被加工物をプラ
ズマ化したガス雰囲気中に置いてドライエッチングする
方法であって; プラズマ源としてμ波を用い、 該μ
波の整合装置(スタブチューナー)を、個々の被加工物
の加工条件(レシピ)に合わせて個別に調整することを
特徴とする。処理条件ごとにμ波整合を最適化でき、良
好なプラズマ状態で加工を行うことができる。
【0008】また、本発明のドライエッチング装置は、
被加工物をプラズマ化したガス雰囲気中に置いてドライ
エッチングする装置であって; μ波発生手段と、 同
手段で発生させたμ波を処理室へ導く導波管と、 該μ
波の整合装置と、を備え;該整合装置の駆動機構とし
て、油圧、水圧、空気圧又はモーター等の動力を用いた
駆動機構が設けられていることを特徴とする。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつより具体
的に説明する。図1は、本発明の1実施例に係るμ波ド
ライエッチング装置の構成を模式的に示す図である。
(A)は、全体の構成を示し、(B)は、スタブチュー
ナー部分の詳細構成を示す。図1の中央部には、ドライ
エッチング装置1の処理室20が示されている。この処
理室20の中央部の底には被加工物であるウェハー19
が置かれている。
【0010】処理室20には、排気ポンプ14が接続さ
れており、処理室20内が真空となるように排気してい
る。処理室20の周囲にはコイル21が設置されてお
り、処理室20内に電磁場を形成して、プラズマをウェ
ハー19表面上に閉じ込めている。また、処理室20へ
はエッチング用のガスを供給するガス供給装置13が接
続されている。
【0011】さらに、プラズマ発生源のμ波を処理室2
0へ送り込む導波管17が、処理室20の上方に接続さ
れている。処理室20へと導かれたμ波は処理室内の分
子を励起し解離させプラズマを形成する。導波管17の
反処理室側端には、μ波発生手段であるマグネトロン1
6が接続されている。また、マグネトロン16の出側の
導波管17上部にはスタブチューナー15が設置されて
いる。マグネトロン16から導波管17内に放出された
μ波18は、スタブチューナー15によって整合され
る。マグネトロン16及びコイル21は、それらに接続
されている高周波電源12によって駆動される。
【0012】本実施例のドライエッチング装置のスタブ
チューナー15の詳細について説明する。図1(B)に
おいては、L字形の導波管17が示されている。同導波
管17の右端にはμ波発生手段であるマグネトロン16
が接続されており、左下側には、処理室が接続されてい
る。
【0013】このスタブチューナー15は、導波管17
内に突き出される3本の可動棒24を中心として構成さ
れている。可動棒24は、下端がやや尖った丸棒であ
る。可動棒24は、導波管17の上壁17aに長手方向
に並んで3個開けられた穴17bを貫通して、上下に立
てられている。穴17bの上の可動棒24の周囲にはシ
ール装置23が設けられている。
【0014】可動棒24の上部側面には、平歯車(ラッ
ク)25が上下に延びるように取り付けられている。こ
の平歯車25には、円形の歯車(ピニオン)26が噛み
合っており、歯車26はモーター27によって回転駆動
される。したがって、3本の可動棒24は、個別に各々
のモーター27によって上下に駆動され、3本の可動棒
の下端24aの導波管17中への突き出し量も各々独立
に変えることができる。
【0015】このモーター27のコントロールにより可
動棒24の導波管17内部への突き出し量を処理条件設
定のパラメータのひとつとすることで、それぞれの処理
条件に最も適した可動棒24の導波管17内部への突き
出し量で加工を行うことができるようになる。なお図1
は本発明の一例を示すものであり、可動棒24を動かす
動力はモーター等の電力に限るものではなく、水圧、空
気圧、油圧なども可能である。
【0016】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、処理条件ごとにμ波整合を最適化でき、良好
なプラズマ状態で加工を行うことができるので、多様な
加工条件においても安定した加工を行うことができるド
ライエッチング方法及びドライエッチング装置を提供す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本発明の1実施例に係るμ波ドライエ
ッチング装置の構成を模式的に示す図である。(A)
は、全体の構成を示し、(B)は、スタブチューナー部
分の詳細構成を示す。
【図2】図2は、従来のμ波エッチャーのスタブチュー
ナー部分の構成を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
1…ドライエッチング装置、12…高周波電源、13…
ガス供給装置、14…排気ポンプ、15…スタブチュー
ナー、16…マグネトロン、17…導波管、18…μ
波、19…ウェハー、20…処理室、21…コイル、2
3シール装置、24…可動棒、25…平歯車、26…歯

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被加工物をプラズマ化したガス雰囲気中
    に置いてドライエッチングする方法であって;プラズマ
    源としてμ波を用い、 該μ波の整合装置(スタブチューナー)を、個々の被加
    工物の加工条件(レシピ)に合わせて個別に調整するこ
    とを特徴とするドライエッチング方法。
  2. 【請求項2】 被加工物をプラズマ化したガス雰囲気中
    に置いてドライエッチングする装置であって;μ波発生
    手段と、 同手段で発生させたμ波を処理室へ導く導波管と、 該μ波の整合装置と、を備え;該整合装置の駆動機構と
    して、油圧、水圧、空気圧又はモーター等の動力を用い
    た駆動機構が設けられていることを特徴とするドライエ
    ッチング装置。
  3. 【請求項3】 上記μ波整合装置の駆動機構を操作する
    部分を含んだ、加工条件を設定する手段をさらに備え、
    個々の被加工物の加工条件(レシピ)毎にμ波整合装置
    の調整が可能であることを特徴とする請求項2記載のド
    ライエッチング装置。
JP8340707A 1996-12-20 1996-12-20 ドライエッチング方法及びドライエッチング装置 Pending JPH10189539A (ja)

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JP8340707A JPH10189539A (ja) 1996-12-20 1996-12-20 ドライエッチング方法及びドライエッチング装置

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JPH10189539A true JPH10189539A (ja) 1998-07-21

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