JPH10188861A - 画像表示方法とその装置 - Google Patents

画像表示方法とその装置

Info

Publication number
JPH10188861A
JPH10188861A JP34630296A JP34630296A JPH10188861A JP H10188861 A JPH10188861 A JP H10188861A JP 34630296 A JP34630296 A JP 34630296A JP 34630296 A JP34630296 A JP 34630296A JP H10188861 A JPH10188861 A JP H10188861A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
image display
electron
spacer
phosphors
image
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP34630296A
Other languages
English (en)
Inventor
Naohito Nakamura
尚人 中村
Hideaki Mitsutake
英明 光武
Hidetoshi Suzuki
英俊 鱸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP34630296A priority Critical patent/JPH10188861A/ja
Publication of JPH10188861A publication Critical patent/JPH10188861A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 スペーサを有する平面型の画像表示装置にお
いて、電子放出素子を高密度に安価に実装可能で、高品
質の画像を表示することのできる画像表示方法とその装
置を提供する。 【解決手段】 直交する行列方向において画素が隣接す
る2行2列にR,G,B蛍光体と該蛍光体と同形状の非
発光部(S)とを備え、これらで1画素を構成する。そ
して、それがXY方向に多数連続することで画像表示面
を形成する。スペーサは、ストライプ状のR,G,B蛍
光体を区分しているブラックストライプに隠れるように
設置する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、画像表示方法とそ
の装置、特に、表面伝導型電子放出素子を多数個備える
平面型の画像表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、冷陰極電子放出素子を用いた平面
型の画像表示装置として、図1の断面を示すような装置
が知られている(特開平2−299136号公報)。
【0003】この画像表示装置は、表面伝導型電子放出
素子と呼ばれる冷陰極放出素子を用いたもので、基板3
001上に電子放出素子3005(電極3002、30
03と該電極間に形成された電子放出部3004からな
る)が作製され、該基板3001と対向して配置される
フェースプレート3010は、ガラス板3007の内面
に蛍光面3008が形成されている。蛍光面3008
は、カラー画像形成装置では通常図2に示すようなブラ
ックストライプなどと呼ばれる黒色伝導材3011と蛍
光体3012がガラス板3007上にパターニングされ
た後、ブラックストライプ3011と蛍光体3012の
両者を覆うようにメタルバック3009が形成されて、
構成される。
【0004】ブラックストライプが設けられる目的は、
カラー蛍光面で必要となる三原色蛍光体の、各蛍光体3
012間の塗り分け部を黒くすることで混色等を目立た
なくすることと、蛍光面3008で外光を反射すること
により生じるコントラストの低下を防ぐことなどであ
る。
【0005】また、メタルバック3009の目的は、比
抵抗が、一般に、1010〜1012Ω・cmと高い蛍
光体3012に電荷(電子)が溜まり電位が低下するこ
とを防ぎ、電子ビーム加速用の電圧を印加するための電
極として作用すること、蛍光体の発光のうち装置内側へ
の光を鏡面反射することにより輝度を向上させること、
負イオンの衝突によるダメージからの蛍光体3012の
保護等があり、上記目的に適した材料として通常Alが
用いられる。
【0006】メタルバック3009は、ブラックストラ
イプ3011と蛍光体3012のパターン形成後、フィ
ルミングと呼ばれる処理(有機膜をブラックストライプ
3011と蛍光体3012上に塗布する)の後、Alの
真空装着で形成され、その後有機フィルムの焼成除去に
よって完成するが、メタルバック処理後の蛍光面300
8、特に、メタルバック3009の強度は指で擦るとは
がれる程度に弱い。
【0007】また、電子放出素子3005が形成された
基板3001とフェースプレート3010を、大気から
受ける圧力に対してほぼ一定の間隔に保つために、耐気
圧スペーサ3006が複数個配置されている。
【0008】また、本発明者等は、平面型の画像表示装
置において、スペーサと、フェースプレートとの接合方
法について提案している。図3と図4に代表的な図を示
し、説明する。
【0009】図4の断面を示したフェースプレートにお
いて、スペーサ接合部3013に当たるメタルバック3
009は、作製時に、メタルマスク法等の適当な方法で
パターニングされており、ブラックストライプ3011
が露出している部分が形成されている。
【0010】図3に示すように、ブラックストライプ3
011は線状なので、スペーサ接合部もブラックストラ
イプ3011に沿って、線状に形成される。また、スペ
ーサ3006(図4)も、ブラックストライプ3011
と重なり目立たないようにするため、薄板状のガラスか
ら成る。
【0011】スペーサ3006の固定は、該線状のスペ
ーサ接合部3013に沿ってフリットガラス3014を
ディスペンサー等にて塗布し、ガラス板から成るスペー
サ3006を位置合わせ後、410℃にて10分以上焼
成することにより、固定する。
【0012】次に、スプレー法等により、メタルバック
3009とスペーサ3006の側壁面が電気的に接続さ
れるよう、導電層3015を形成した。
【0013】以上により、スペーサとフェースプレート
との接合部において、位置ずれが起きず、蛍光面やメタ
ルバックが損傷を受けないので、画像形成面が損傷した
り、メタルバックがはがれることがなく、放電等を発生
しにくくすることができた。また、スペーサ3006の
壁面に電子やイオン等の不測の電荷が滞ることがないよ
う、スペーサ3006がスペーサ基材3017の表面に
半導電性膜3016を形成して構成される場合は特に、
スペーサ3006とフェースプレート内面のメタルバッ
ク3009との電気的接続が連続しているため、電場が
滑らかに変化し、電子ビームの起動が安定した。
【0014】ここで、電子放出素子3005として用い
た表面伝導型電子放出素子は、熱陰極素子に対して冷陰
極素子と呼ばれる電子放出素子の一つである。このうち
冷陰極素子としては、たとえば電界放出型素子(以下F
E型と記す)や、金属/絶縁層/金属型放出素子(以下
MIM型と記す)や、表面伝導型放出素子などが知られ
ている。
【0015】FE型の例としては、たとえば、W.P.Dyke
&W.W.Dolan, “Field emission”,Advance in Electron
Physics, 8, 89(1956)や、あるいは、C.A.Spindt, “P
hysical properties of thin-film field emissioncath
odes with molybdenum cones”, J.Appl.Phys., 47,524
8(1976)などが知られている。
【0016】また、MIM型の例としては、たとえば、
C.A.Mead,“Operationof tunnel-emission Devices”,
J.Appl.Phys., 32,646(1961)などが知られている。
【0017】また、表面伝導型放出素子としては、たと
えば、M.I.Elinson,Radio Eng.Electron Phys., 10, 1
290,(1965)や、後述する他の例が知られている。
【0018】表面伝導型放出素子は、基板上に形成され
た小面積の薄膜に、膜面に平行に電流を流すことにより
電子放出が生ずる現象を利用するものである。この表面
伝導型放出素子としては、前記エリンソン等によるSn
O2 薄膜を用いたものの他に、Au薄膜によるもの[G.D
ittmer:“Thin Solid Films”,9,317(1972)]や、In2
O3 /SnO2 薄膜によるもの[M.Hartwell and C.G.Fo
nstad:“IEEE Trans.EDConf.”, 519(1975)]や、カーボ
ン薄膜によるもの[荒木久 他:真空、第26巻、第1
号、22(1983)]等が報告されている。
【0019】これらの表面伝導型放出素子の素子構成の
典型的な例として、図5に前述のM.Hartwellらによる素
子の平面図を示す。同図において、3020は基板で、
3021はスパッタで形成された金属酸化物よりなる導
電性薄膜である。導電性薄膜3021は図示のようにH
字形の平面形状に形成されている。該導電性薄膜302
1に後述の通電フォーミングと呼ばれる通電処理を施す
ことにより、電子放出部3022が形成される。図中の
間隔Lは、0.5〜1[mm],Wは、0.1[mm]
で設定されている。尚、図示の便宜から、電子放出部3
022は導電性薄膜3021の中央に矩形の形状で示し
たが、これは模式的なものであり、実際の電子放出部の
位置や形状を忠実に表現しているわけではない。
【0020】M.Hartwellらによる素子をはじ
めとして、上述の表面伝導型放出素子においては、電子
放出を行う前に導電性薄膜3021に通電フォーミング
と呼ばれる通電処理を施すことにより電子放出部302
2を形成するのが一般的であった。すなわち、通電フォ
ーミングとは、前記導電性薄膜3021の両端に一定の
直流電圧、もしくは、例えば1V/分程度の非常にゆっ
くりとしたレートで昇圧する直流電圧を印加して通電
し、導電性薄膜3021を局所的に破壊もしくは変形も
しくは変質せしめ、電気的に高抵抗な状態の電子放出部
3022を形成することである。
【0021】尚、局所的に破壊もしくは変形もしくは変
質した導電性薄膜3021の一部には、亀裂が発生す
る。前記通電フォーミング後に導電性薄膜3021に適
宜の電圧を印加した場合には、前記亀裂付近において電
子放出が行われる。
【0022】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例においては、CRT等にて良く用いられるストライ
プ状の蛍光面(蛍光体、及び、ブラックストライプから
なる)形状を用いていたため、蛍光面自体の作製は容易
で、かつ、単位面積当たりの蛍光体面積(以降、蛍光体
面積率と呼ぶ)を大きくできるが、電子源が作製された
基板と蛍光面が作製されたフェースプレートが平面状で
対向して配置され、該対向する距離を大気圧に抗して保
持できるようなスペーサを有する平面型の画像表示装置
においては、スペーサを画像表示面内に目立たなくする
ために、該ブラックストライプと重ね合わせる必要があ
り、その位置合わせの精度は高いものが要求され、装置
の作製を困難としていた。
【0023】また、位置合わせ余裕を大きくするために
は、少なくともスペーサが当接する部分のブラックスト
ライプ幅を広くする必要があるが、部分的にブラックス
トライプの幅を変えると画面上非常に目立つため、スペ
ーサを設置するブラックストライプ部は全体的に幅を広
くする必要があり、結局、装置全体の作製余裕を考慮す
ると蛍光体面積率もあまり大きくできないため、高輝度
化に不利となる等の問題があった。
【0024】本発明は、上記従来例に鑑みてなされたも
ので、スペーサを有する平面型の画像表示装置におい
て、電子放出素子を高密度に安価に実装可能で、高品質
の画像を表示することのできる画像表示方法とその装置
を提供することを目的とする。
【0025】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の画像表示方法とその装置は、以下の構成を
備える。即ち、基板上に複数の冷陰極電子放出素子を備
える電子源と、前記基板に対向して配置され、前記複数
の冷陰極電子放出素子から放出された電子の照射を受け
て発光し画像を形成する複数色の蛍光体が内面に塗布さ
れた画像表示面を有するフェースプレートと、前記基板
と前記フェースプレートとの間隔を所定の距離に保持す
るための複数のスペーサとを備える画像表示装置であっ
て、前記画像表示面は、各色ごとに区分された複数色の
蛍光体が成す蛍光体配列が、画像表示面水平方向に沿っ
た行に対し、列が格子状に直交しているか、あるいは斜
めに交差するように構成し、前記蛍光体配列のそれぞれ
隣接する2行2列に、3色の蛍光体と前記スペーサを当
接する領域を一組として配置し、前記一組をカラー画像
表示の最小単位画素とする。
【0026】また、別の発明は、基板上に複数の冷陰極
電子放出素子を備える電子源と、前記基板に対向して配
置され、前記複数の冷陰極電子放出素子から放出された
電子の照射を受けて発光し画像を形成する複数色の蛍光
体が内面に塗布された画像表示面を有するフェースプレ
ートと、前記基板と前記フェースプレートとの間隔を所
定の距離に保持するための複数のスペーサとを備える画
像表示装置における画像表示方法であって、前記画像表
示面は、各色ごとに区分された複数色の蛍光体が成す蛍
光体配列が、画像表示面水平方向に沿った行に対し、列
が格子状に直交しているか、あるいは斜めに交差するよ
うに構成し、前記蛍光体配列のそれぞれ隣接する2行2
列に、3色の蛍光体と前記スペーサを当接する領域を一
組として配置し、前記一組をカラー画像表示の最小単位
画素とする。
【0027】
【発明の実施の形態】はじめに、本発明の実施の形態の
画像表示装置のポイントを要約した後に、その詳細な説
明に入るものとする。
【0028】本発明の実施の形態の画像表示装置は、基
板上に複数の冷陰極電子放出素子が作製されて成る電子
源と、該電子源が作製された基板と対向して配置され、
前記複数の冷陰極電子放出素子から放出された電子の照
射を受けて発光し、画像を形成するR(赤)、G
(緑)、B(青)3原色蛍光体が内面に塗布されたカラ
ー画像表示面を有するフェースプレートと、該電子源が
作製された基板と該フェースプレートとの間隔を所定の
距離に保持するための複数のスペーサとを少なくとも有
する画像表示装置である。
【0029】ここで、前記画像表示面は、各色ごとに区
分された複数の蛍光体が成す配列が、画像表示面水平方
向に沿った行に対し、列が格子状に直交しているか、あ
るいは斜めに交差するように構成されており、かつ、該
直交あるいは斜めに交差した行列状の蛍光体配列のそれ
ぞれ隣接する2行2列に蛍光体R(赤)、G(緑)、B
(青)と、該蛍光体と同一形状の非発光部とからなる4
単位を一組として配置してカラー画像表示の最小単位の
画素とし、該画素が多数連続することで構成されている
ことを特徴とする。
【0030】また、前記スペーサが、画素内の非発光部
において、フェースプレートと当接していることを特徴
とするものであり、冷陰極電子放出素子が基板上に平面
的に作製された電極間に電子放出部を有し、該電極間に
電圧を印加することにより電子放出する素子である画像
表示装置において、前記画素内の非発光部のうちスペー
サが当接している非発光部を挟んで行方向において隣合
う蛍光体に電子を照射するための前記電子放出素子への
電圧印加方向は、行方向に沿って、該スペーサ当接部を
中心に互い向かい合うように、少なくとも該スペーサ当
接部の両側では電圧印加方向が反転していることを特徴
とする。
【0031】さらに、本発明に係る実施の形態では、前
記画素中の非発光部は黒色とすることでコントラストの
向上に効果がある。
【0032】また、本発明に係る実施の形態の電子放出
素子としては、冷陰極型電子放出素子の中でも、特に表
面伝導型電子放出素子であることが望ましい。
【0033】従来のカラー画像表示面は、蛍光体をスト
ライプ状としていた(図3)。
【0034】これに対し、本発明に係る実施の形態おい
ては、図6に示すように、直交する行列方向において画
素が隣接する2行2列にR,G,B蛍光体と該蛍光体と
同形状の非発光部(図中S)とを備える。即ち、図にお
いて○印をつけたR,G,B蛍光体と非発光部Sとで1
画素を構成する(図7のA−A’で区切られた部分)。
そして、それがXY方向に多数連続することで画像表示
面を形成する。
【0035】従来の画像表示面において、スペーサを目
立たないように、フェースプレートに当接するために
は、ストライプ状のR,G,B蛍光体を区分しているブ
ラックストライプ3011に隠れるようにスペーサを設
置すれば良い(図3参照)。そのためには、薄板状のス
ペーサをブラックストライプ3011に沿って設置すれ
ば良いと考えられる。
【0036】しかしながら、例えば、蛍光体に高圧を印
加して輝度の高い表示を行おうとする場合、フェースプ
レートと電子放出素子を作製した基板との距離は数mm
以上は必要であり、その間隔を保持するスペーサは加工
上の歩留まり等を考えると、薄板の厚さとしては、20
0μm程度が望ましい。
【0037】R,G,B間に形成されるブラックストラ
イプ3011は印刷等で形成でき、その幅W2は、10
0μm程度で作製可能である。
【0038】しかしながら、スペーサ接合部(スペーサ
当接部)3013のブラックストライプ幅W1は、上記
薄板の厚さに加えて作製時の位置ずれ余裕(片側Wμm
とする)を考慮しなければならない。また、スペーサは
蛍光体ストライプの何本かあるいはその何十本かおきに
(スペーサの配置数、ピッチ等はスペーサの断面積や、
フェースプレートや素子基板の厚さ等に応じて決められ
る)配置すれば良いが、その部分のブラックストライプ
のみ幅を太くすると画面上目立つため、図のように3原
色の区切りごとに、ブラックストライプ幅を太くしてお
き、そのうちスペーサの必要数等に応じて任意のピッチ
でスペーサを配置するのが望ましい。
【0039】従って、従来のストライプ形状蛍光面にお
ける蛍光体面積率は、蛍光体ストライプ幅を150μm
とし、一画素の大きさが一辺が の正方形とすると、 ((150×3)/(150×3+100×2+(200+2W)))×100 (%) (式1)となる。ここで、例えば、W=25μm とす
れば、一画素の一辺は900μmとなり、蛍光体面積率
は50%となる。
【0040】これに対し、本発明における実施の形態で
は、図6において、 L1=450μm とすると、ブラックストライプ幅は、従来と同様100
μmで作製可能だから、各色蛍光体の一辺L2=350
μmとする。
【0041】本発明における実施の形態では、R,G,
B蛍光体と、該蛍光体と同形状の非発光部の4つを一組
として画素を形成するから、一画素は本実施の形態では
一辺900μmの正方形形状となる。
【0042】蛍光体面積率は、一画素中の蛍光体面積比
率に等しいので、この場合、 (350×350×3)/900×900 =45.4 (%) となる。
【0043】この結果から、本発明に係る実施の形態で
は、画像表示面での蛍光体面積率が減少し、輝度の上か
ら望ましくないように思える。但し、ここで、スペーサ
を設ける時の位置ずれ余裕等を考えなければいけない。
【0044】図6の場合、画素内に非発光部が350μ
m角の大きさで存在し、そこにスペーサを位置合わせ
し、当接させ接合すれば良い。なお、スペーサの形状と
しては、非発光部の形状に合わせ、本実施の形態では、
円柱状か4角柱状が適している。この時、スペーサの位
置合わせ余裕は、例えば、300μmφの円柱状のスペ
ーサを用いた場合、ブラックストライプ部も含めるとX
Y両方向とも、±125μmとなる。このため、スペー
サの位置合わせ余裕が、従来に比べて格段に大きくな
る。
【0045】もし、従来のストライプ形状にて、位置合
わせ余裕幅Wを125μmとすると、蛍光体面積率は、
(式1)から40%となる。但し、この場合は、画素ピ
ッチが1.1mmとなってしまう。また、画素ピッチ9
00μmを維持しながら位置合わせ余裕を100μm以
上とすると、蛍光体面積率はさらに低下するので、実質
上、従来のストライプ状蛍光体配列では無理である。
【0046】逆に、本発明の実施の形態では、位置合わ
せ余裕を25μmとすれば、スペーサ径を500μm
(円柱形状の場合)とすることができ、スペーサの作製
が容易となる。
【0047】このように、本発明に係る実施の形態の、
スペーサの設置を前提とした薄型の画像表示装置では、
スペーサを画素表示上に目立たないように装置内に組み
込むことが従来に比べて非常に簡単となる。
【0048】さらに、本発明に係る実施の形態よる画素
の蛍光体と非発光部の配列構成を用いれば、上述したよ
うに十分なスペーサ設置のための位置余裕を確保しなが
ら、スペーサとの当接部とする画素内の非発光部が、画
像表示面内に多数連続して、各方向から見て、均一に配
置されることになるため(図7参照)、適当な視距離か
ら画面を見た場合、非発光部はほとんど目立たない。
【0049】また、図6、図7に示した実施の形態で
は、画像のコントラストを向上を目的に画像表示面の外
光反射率をなるべく減らす目的で、画素内の非発光部を
ブラックストライプと同じ材料で作製したが、非発光部
を画像表示面内で目立たないようにすることを目的とす
る場合は、本発明の他の実施の形態に示すように該非発
光部を、蛍光体と反射率が近い材料で作製すれば良い
(図22参照)。
【0050】本発明に係る他の実施の形態では、例え
ば、平面型の表面伝導型放出素子の数と蛍光体数を1:
1に対応させてマトリクス状に配置し、2行2列に隣接
する4ドット中の1ドットにスペーサを設置し、そのス
ペーサを挟んで隣接する2つの素子への電圧印加方向を
反転させる構成を備えることで、従来技術にはなかった
以下に示す特有の効果を得ることができる。即ち、 1. 耐大気圧強度向上のために、下広がりの台形型ス
ペーサを用いることができる。
【0051】2. 素子側でのスぺーザの位置合わせ余
裕を大きくとることができる。
【0052】(2)の素子側でスペーサの位置合わせ余
裕が大きいことが効果があるのは、はじめにスペーサを
フェースプレートにフリットで固定(接着)した後、素
子基板にスペーサが固定されたフェースプレートを位置
合わせし、接着する場合の話である。この場合、素子基
板側では、フェースプレート側よりスペーサを設置する
ための余裕が大きいことが望ましい。即ち、このスペー
サの接着工程では、 1. フェースプレートのブラックストライプ上にフリ
ット(接着剤)を塗る。
【0053】2. スペーサをフェースプレート上に接
着する。
【0054】3. 素子基板にフリットを塗る。
【0055】4. 素子基板と、スペーサが固定された
フェースプレートとを位置合わせをした後、スぺーサと
素子基板及びフェースプレートと素子基板を接着する。
という処理工程を経るため、素子側(後からスペーサを
接着する基板側)では、そこまでの工程での誤差を許容
するスペース、即ち、上述の’スペーサの位置合わせ余
裕が大きいことが望ましい。尚、実際はさらに、ブラッ
クストライプの設計誤差、素子の配線の設計誤差など様
々な誤差を許容する必要がある。本発明に係る実施の形
態では、このような誤差を許容するスペースを容易にす
ることが可能となる。
【0056】以上、本発明に係る実施の形態のポイント
を要約した。次に、本発明の実施の形態の詳細な説明を
行う。
【0057】[実施の形態1]図8は、本実施の形態に
用いた表示パネルの一例を示す斜視図であり、内部構造
を示すためにパネルの1部を切り欠いて示している。
【0058】図中、901はスペーサ、1005はリア
プレート、1006は側壁、1007はフェースプレー
トガラスであり、901,1005〜1007により表
示パネルの内部を真空に維持するための気密容器を形成
している。
【0059】気密容器を組み立てるにあたっては、各部
材の接合部に十分な強度と気密性を保持させるため封着
する必要があるが、たとえば、フリットガラスを接合部
に塗布し、大気中あるいは窒素雰囲気中で、摂氏400
〜500度で10分以上焼成することにより封着を達成
した。気密容器内部を真空に排気する方法については後
述する。
【0060】リアプレート1005には、基板1001
が固定されているが、該基板上には表面伝導型放出素子
1002がNxM個形成されている。(N,Mは2以上
の正の整数であり、目的とする表示画素数に応じて適宜
設定される。たとえば、高品位テレビジョンの表示を目
的とした表示装置においては、N=3000,M=10
00以上の数を設定することが望ましい。本実施の形態
においては、N=3072,M=1024とした。) 前記N×M個の表面伝導型放出素子は、M本の行方向配
線1003とN本の列方向配線1004により単純マト
リクス配線されている。前記1001〜1004によっ
て構成される部分をマルチ電子ビーム源と呼ぶ。なお、
マルチ電子ビーム源の製造方法や構造については、後で
詳しく述べる。
【0061】本実施の形態においては、気密容器のリア
プレート1005にマルチ電子ビーム源の基板1001
を固定する構成としたが、マルチ電子ビーム源の基板1
001が十分な強度を有するものである場合には、気密
容器のリアプレートとしてマルチ電子ビーム源の基板1
001自体を用いてもよい。
【0062】また、フェースプレートガラス1007の
下面には、蛍光膜1008が形成されている。本実施の
形態はカラー表示装置であるため、蛍光膜1008の部
分にはCRTの分野で用いられる赤、緑、青、の3原色
の蛍光体が塗り分けられている。各色の蛍光体は、たと
えば、図6に示すように矩形状に塗り分けられており、
さらに、図6に示すように蛍光体と同形状の非発光部
(S)が形成されている。蛍光体のストライプの間、及
び、非発光部には、黒色の導電体1010が設けてあ
る。図6では説明の都合上、非発光部の黒色を薄くし
た。
【0063】蛍光体の境界部に黒色の導電体1010を
設ける目的は、電子ビームの照射位置に多少のずれがあ
っても表示色にずれが生じないようにすることや、外光
の反射を防止して表示コントラストの低下を防ぐこと、
電子ビームによる蛍光膜のチャージアップを防止するこ
となどである。尚、黒色の導電体1010には、黒鉛を
主成分として用いたが、上記の目的に適するものであれ
ばこれ以外の材料を用いてもよい。
【0064】また、蛍光膜1008のリアプレート側の
面には、CRTの分野では公知のメタルバック1009
を設けてある。メタルバック1009を設けた目的は、
蛍光膜1008が発する光の一部を鏡面反射して光利用
率を向上させることや、負イオンの衝突から蛍光膜10
08を保護することや、電子ビーム加速電圧を印加する
ための電極として作用させることや、蛍光膜1008を
励起した電子の導電路として作用させることなどであ
る。メタルバック1009は、蛍光膜1008をフェー
スプレートガラス1007上に形成した後、蛍光膜表面
を平滑化処理し、その上にAlを真空蒸着する方法によ
り形成した。
【0065】また、本実施の形態では用いなかったが、
加速電圧の印加用や蛍光膜の導電性向上を目的として、
フェースプレートガラス1007と蛍光膜1008との
間に、たとえば、ITOを材料とする透明電極を設けて
もよい。
【0066】また、Dx1〜DxM、および、Dy1〜DyN、
およびHvは、当該表示パネルと不図示の電気回路とを
電気的に接続するために設けた気密構造の電気接続用端
子である。Dx1〜DxMはマルチ電子ビーム源の行方向配
線1003と、Dy1〜DyNはマルチ電子ビーム源の列方
向配線1004と、Hvはフェースプレートのメタルバ
ック1009と電気的に接続している。
【0067】また、気密容器内部を真空に排気するに
は、気密容器を組み立てた後、不図示の排気管と真空ポ
ンプとを接続し、気密容器内を10のマイナス7乗[To
rr]程度の真空度まで排気する。その後、排気管を封止
するが、気密容器内の真空度を維持するために、封止の
直前、あるいは、封止後に気密容器内の所定の位置にゲ
ッター膜(不図示)を形成する。ゲッター膜とは、たと
えば、Baを主成分とするゲッター材料をヒータもしく
は高周波加熱により加熱し蒸着して形成した膜であり、
該ゲッター膜の吸着作用により気密容器内は1×10マ
イナス5乗、ないしは、1×10マイナス7乗[Torr]
の真空度に維持される。
【0068】以上、本発明の実施の形態の表示パネルの
基本構成と製法を説明した。
【0069】次に、前記実施の形態の表示パネルに用い
たマルチ電子ビーム源の製造方法について説明する。本
発明に係る実施の形態の画像表示装置に用いるマルチ電
子ビーム源は、表面伝導型放出素子を単純マトリクス配
線した電子源であれば、表面伝導型放出素子の材料や形
状、あるいは、製法に制限はない。
【0070】しかしながら、発明者らは、表面伝導型放
出素子の中では、電子放出部、もしくは、その周辺部を
微粒子膜から形成したものが電子放出特性に優れ、しか
も製造が容易に行えることを見いだしている。
【0071】したがって、高輝度で大画面の画像表示装
置のマルチ電子ビーム源に用いるには、最も好適である
と言える。そこで、上記実施の形態の表示パネルにおい
ては、電子放出部、もしくは、その周辺部を微粒子膜か
ら形成した表面伝導型放出素子を用いた。そこで、まず
好適な表面伝導型放出素子について基本的な構成と製法
および特性を説明し、その後で多数の素子を単純マトリ
クス配線したマルチ電子ビーム源の構造について述べ
る。 (表面伝導型放出素子の好適な素子構成と製法)電子放
出部、もしくは、その周辺部を微粒子膜から形成する表
面伝導型放出素子の代表的な構成には、平面型と垂直型
の2種類があげられる。 (平面型の表面伝導型放出素子)まず最初に、平面型の
表面伝導型放出素子の素子構成と製法について説明す
る。図9(a)(b)に示すのは、平面型の表面伝導型
放出素子の構成を説明するためのそれぞれ平面図および
断面図である。
【0072】図中、1101は基板、1102と110
3は素子電極、1104は導電性薄膜、1105は通電
フォーミング処理により形成した電子放出部、1113
は通電活性化処理により形成した薄膜である。
【0073】基板1101としては、たとえば、石英ガ
ラスや青板ガラスをはじめとする各種ガラス基板や、ア
ルミナをはじめとする各種セラミクス基板、あるいは、
上述の各種基板上に、たとえば、SiO2を材料とする
絶縁層を積層した基板などを用いることができる。
【0074】また、基板1101上に基板面と平行に対
向して設けられた素子電極1102と1103は、導電
性を有する材料によって形成されている。たとえば、N
i,Cr,Au,Mo,W,Pt,Ti,Cu,Pd,
Ag等をはじめとする金属、あるいは、これらの金属の
合金、あるいは、In2O3 −SnO2をはじめとする金
属酸化物、ポリシリコンなどの半導体などの中から適宜
材料を選択して用いればよい。
【0075】電極を形成するには、たとえば、真空蒸着
などの製膜技術とフォトリソグラフィー、エッチングな
どのパターニング技術を組み合わせて用いれば容易に形
成できるが、それ以外の方法(たとえば印刷技術)を用
いて形成してもさしつかえない。
【0076】素子電極1102と1103の形状は、当
該電子放出素子の応用目的に合わせて適宜設計される。
一般的には、電極間隔Lは通常は、数百オングストロー
ムから数百マイクロメータの範囲から適当な数値を選ん
で設計されるが、なかでも、表示装置に応用するために
好ましいのは、数マイクロメータより数十マイクロメー
タの範囲である。また、素子電極の厚さdについては、
通常は数百オングストロームから数マイクロメータの範
囲から適当な数値が選ばれる。
【0077】また、導電性薄膜1104の部分には、微
粒子膜を用いる。ここで述べた微粒子膜とは、構成要素
として多数の微粒子を含んだ膜(島状の集合体も含む)
のことをさす。微粒子膜を微視的に調べれば、通常は、
個々の微粒子が離間して配置された構造か、あるいは微
粒子が互いに隣接した構造か、あるいは微粒子が互いに
重なり合った構造が観測される。
【0078】微粒子膜に用いた微粒子の粒径は、数オン
グストロームから数千オングストロームの範囲に含まれ
るものであるが、なかでも好ましいのは10オングスト
ロームから200オングストロームの範囲のものであ
る。また、微粒子膜の膜厚は、以下に述べるような諸条
件を考慮して適宜設定される。すなわち、素子電極11
02あるいは1103と電気的に良好に接続するのに必
要な条件、後述する通電フォーミングを良好に行うのに
必要な条件、微粒子膜自身の電気抵抗を後述する適宜の
値にするために必要な条件などである。
【0079】具体的には、数オングストロームから数千
オングストロームの範囲のなかで設定するが、なかでも
好ましいのは10オングストロームから500オングス
トロームの間である。
【0080】また、微粒子膜を形成するのに用いられう
る材料としては、たとえば、Pd,Pt,Ru,Ag,
Au,Ti,In,Cu,Cr,Fe,Zn,Sn,T
a,W,Pb,などをはじめとする金属や、PdO,S
nO2 ,In2O3,PbO,Sb2O3などをはじめとす
る酸化物や、HfB2,ZrB2,LaB6,CeB6,Y
B4,GdB4などをはじめとする硼化物や、TiC,Z
rC,HfC,TaC,SiC,WCなどをはじめとす
る炭化物や、TiN,ZrN,HfNなどをはじめとす
る窒化物や、Si,Geなどをはじめとする半導体や、
カーボンなどがあげられ、これらの中から適宜選択され
る。
【0081】以上述べたように、導電性薄膜1104を
微粒子膜で形成したが、そのシート抵抗値については、
10の3乗から10の7乗[オーム/sq]の範囲に含
まれるよう設定した。
【0082】なお、導電性薄膜1104と素子電極11
02および1103とは、電気的に良好に接続されるの
が望ましいため、互いの一部が重なりあうような構造を
とっている。その重なり方は、図9の例においては、下
から、基板、素子電極、導電性薄膜の順序で積層した
が、場合によっては、下から基板、導電性薄膜、素子電
極の順序で積層してもさしつかえない。
【0083】また、電子放出部1105は、導電性薄膜
1104の一部に形成された亀裂状の部分であり、電気
的には周囲の導電性薄膜よりも高抵抗な性質を有してい
る。亀裂は、導電性薄膜1104に対して、後述する通
電フォーミングの処理を行うことにより形成する。亀裂
内には、数オングストロームから数百オングストローム
の粒径の微粒子を配置する場合がある。なお、実際の電
子放出部の位置や形状を精密かつ正確に図示するのは困
難なため、図9においては模式的に示した。
【0084】また、薄膜1113は、炭素もしくは炭素
化合物よりなる薄膜で、電子放出部1105およびその
近傍を被覆している。薄膜1113は、通電フォーミン
グ処理後に、後述する通電活性化の処理を行うことによ
り形成する。
【0085】薄膜1113は、単結晶グラファイト、多
結晶グラファイト、非晶質カーボン、のいずれかか、も
しくはその混合物であり、膜厚は500[オングストロ
ーム]以下とするが、300[オングストローム]以下
とするのがさらに好ましい。なお、実際の薄膜1113
の位置や形状を精密に図示するのは困難なため、図9に
おいては模式的に示した。また、平面図(図9(a))
においては、薄膜1113の一部を除去した素子を図示
した。
【0086】以上、好ましい素子の基本構成を述べた
が、実施の形態においては以下のような素子を用いた。
【0087】すなわち、基板1101には青板ガラスを
用い、素子電極1102と1103にはNi薄膜を用い
た。素子電極の厚さdは1000[オングストロー
ム]、電極間隔Lは2[マイクロメーター]とした。
【0088】微粒子膜の主要材料としてPdもしくはP
dOを用い、微粒子膜の厚さは約100[オングストロ
ーム]、幅Wは100[マイクロメータ]とした。
【0089】次に、好適な平面型の表面伝導型放出素子
の製造方法について説明する。図10(a)〜(e)
は、表面伝導型放出素子の製造工程を説明するための断
面図で、各部材の表記は図9と同一である。
【0090】1)まず、図10(a)に示すように、基
板1101上に素子電極1102および1103を形成
する。
【0091】形成するにあたっては、あらかじめ、基板
1101を洗剤、純水、有機溶剤を用いて十分に洗浄
後、素子電極の材料を堆積させる。堆積する方法として
は、たとえば、蒸着法やスパッタ法などの真空成膜技術
を用ればよい。
【0092】その後、堆積した電極材料を、フォトリソ
グラフィ・エッチング技術を用いてパターニングし、図
10(a)に示した一対の素子電極(1102と110
3)を形成する。
【0093】2)次に、図10(b)に示すように、導
電性薄膜1104を形成する。
【0094】形成するにあたっては、まず、図10
(a)の基板に有機金属溶液を塗布して乾燥し、加熱焼
成処理して微粒子膜を成膜した後、フォトリソグラフィ
ー・エッチングにより所定の形状にパターニングする。
ここで、有機金属溶液とは、導電性薄膜に用いる微粒子
の材料を主要元素とする有機金属化合物の溶液である。
具体的には、本実施の形態では主要元素としてPdを用
いた。
【0095】尚、実施の形態では塗布方法として、ディ
ッピング法を用いたが、それ以外の、たとえば、スピン
ナー法やスプレー法を用いてもよい。
【0096】また、微粒子膜で作られる導電性薄膜の成
膜方法としては、本実施の形態で用いた有機金属溶液の
塗布による方法以外の、たとえば、真空蒸着法やスパッ
タ法、あるいは、化学的気相堆積法などを用いる場合も
ある。
【0097】3)次に、図10(c)に示すように、フ
ォーミング用電源1110から素子電極1102と11
03の間に適宜の電圧を印加し、通電フォーミング処理
を行って、電子放出部1105を形成する。
【0098】通電フォーミング処理とは、微粒子膜で作
られた導電性薄膜1104に通電を行って、その一部を
適宜に破壊、変形、もしくは変質せしめ、電子放出を行
うのに好適な構造に変化させる処理のことである。微粒
子膜で作られた導電性薄膜のうち電子放出を行うのに好
適な構造に変化した部分(すなわち、電子放出部110
5)においては、薄膜に適当な亀裂が形成されている。
【0099】なお、電子放出部1105が形成される前
と比較すると、形成された後は素子電極1102と11
03の間で計測される電気抵抗は大幅に増加する。
【0100】通電方法をより詳しく説明するために、図
11に、フォーミング用電源1110から印加する適宜
の電圧波形の一例を示す。微粒子膜で作られた導電性薄
膜をフォーミングする場合には、パルス状の電圧が好ま
しく、本実施の形態の場合には、同図に示したようにパ
ルス幅T1の三角波パルスをパルス間隔T2で連続的に
印加した。その際には、三角波パルスの波高値Vpf
を、順次昇圧した。また、電子放出部1105の形成状
況をモニターするためのモニターパルスPmを適宜の間
隔で三角波パルスの間に挿入し、その際に流れる電流を
電流計1111で計測した。
【0101】実施の形態においては、たとえば、10の
マイナス5乗[torr]程度の真空雰囲気下において、た
とえば、パルス幅T1を1[ミリ秒]、パルス間隔T2
を10[ミリ秒]とし、波高値Vpfを1パルスごとに
0.1[V]ずつ昇圧した。そして、三角波を5パルス
印加するたびに1回の割りで、モニタパルスPmを挿入
した。フォーミング処理に悪影響を及ぼすことがないよ
うに、モニタパルスの電圧Vpmは0.1[V]に設定
した。そして、素子電極1102と1103の間の電気
抵抗が1×10の6乗[オーム]になった段階、すなわ
ち、モニタパルス印加時に電流計1111で計測される
電流が1×10のマイナス7乗[A]以下になった段階
で、フォーミング処理にかかわる通電を終了した。
【0102】なお、上記の方法は、本実施の形態の表面
伝導型放出素子に関する好ましい方法であり、たとえ
ば、微粒子膜の材料や膜厚、あるいは、素子電極間隔L
など表面伝導型放出素子の設計を変更した場合には、そ
れに応じて通電の条件を適宜変更するのが望ましい。
【0103】4)次に、図10(d)に示すように、活
性化用電源1112から素子電極1102と1103の
間に適宜の電圧を印加し、通電活性化処理を行って、電
子放出特性の改善を行う。
【0104】通電活性化処理とは、前記通電フォーミン
グ処理により形成された電子放出部1105に適宜の条
件で通電を行って、その近傍に炭素、もしくは、炭素化
合物を堆積せしめる処理のことである。(図において
は、炭素、もしくは炭素化合物よりなる堆積物を部材1
113として模式的に示した。) なお、通電活性化処理を行うことにより、行う前と比較
して、同じ印加電圧における放出電流を典型的には10
0倍以上に増加させることができる。
【0105】具体的には、10のマイナス4乗ないし1
0のマイナス5乗[torr]の範囲内の真空雰囲気中で、
電圧パルスを定期的に印加することにより、真空雰囲気
中に存在する有機化合物を起源とする炭素もしくは炭素
化合物を堆積させる。堆積物1113は、単結晶グラフ
ァイト、多結晶グラファイト、非晶質カーボン、のいず
れかか、もしくはその混合物であり、膜厚は500[オ
ングストローム]以下、より好ましくは300[オング
ストローム]以下である。
【0106】通電方法をより詳しく説明するために、図
12(a)に、活性化用電源1112から印加する適宜
の電圧波形の一例を示す。本実施の形態においては、一
定電圧の矩形波を定期的に印加して通電活性化処理を行
ったが、具体的には,矩形波の電圧Vacは14
[V],パルス幅T3は1[ミリ秒],パルス間隔T4
は10[ミリ秒]とした。
【0107】なお、上述の通電条件は、本実施の形態の
表面伝導型放出素子に関する好ましい条件であり、表面
伝導型放出素子の設計を変更した場合には、それに応じ
て条件を適宜変更するのが望ましい。
【0108】図10(d)に示す1114は、該表面伝
導型放出素子から放出される放出電流Ieを捕捉するた
めのアノード電極で、直流高電圧電源1115および電
流計1116が接続されている。
【0109】なお、基板1101を、表示パネルの中に
組み込んでから活性化処理を行う場合には、表示パネル
の蛍光面をアノード電極1114として用いる。
【0110】活性化用電源1112から電圧を印加する
間、電流計1116で放出電流Ieを計測して通電活性
化処理の進行状況をモニターし、活性化用電源1112
の動作を制御する。電流計1116で計測された放出電
流Ieの一例を、図12(b)に示すが、活性化電源1
112からパルス電圧を印加しはじめると、時間の経過
とともに放出電流Ieは増加するが、やがて飽和してほ
とんど増加しなくなる。このように、放出電流Ieがほ
ぼ飽和した時点で活性化用電源1112からの電圧印加
を停止し、通電活性化処理を終了する。
【0111】なお、上述の通電条件は、本実施の形態の
表面伝導型放出素子に関する好ましい条件であり、表面
伝導型放出素子の設計を変更した場合には、それに応じ
て条件を適宜変更するのが望ましい。
【0112】以上のようにして、図10(e)に示す平
面型の表面伝導型放出素子を製造した。 (垂直型の表
面伝導型放出素子)次に、電子放出部、もしくは、その
周辺を微粒子膜から形成した表面伝導型放出素子のもう
ひとつの代表的な構成、すなわち、垂直型の表面伝導型
放出素子の構成について説明する。
【0113】図13は、垂直型の基本構成を説明するた
めの模式的な断面図であり、図中の1201は基板、1
202と1203は素子電極、1206は段差形成部
材、1204は微粒子膜を用いた導電性薄膜、1205
は通電フォーミング処理により形成した電子放出部、1
213は通電活性化処理により形成した薄膜である。
【0114】垂直型が先に説明した平面型と異なる点
は、素子電極のうちの片方(1202)が段差形成部材
1206上に設けられており、導電性薄膜1204が段
差形成部材1206の側面を被覆している点にある。
【0115】したがって、前記図9の平面型における素
子電極間隔Lは、垂直型においては段差形成部材120
6の段差高Lsとして設定される。
【0116】なお、基板1201、素子電極1202お
よび1203、微粒子膜を用いた導電性薄膜1204に
ついては、前記平面型の説明中に列挙した材料を同様に
用いることが可能である。また、段差形成部材1206
には、たとえば、SiO2のような電気的に絶縁性の材
料を用いる。
【0117】次に、垂直型の表面伝導型放出素子の製法
について説明する。図14(a)〜(f)は、製造工程
を説明するための断面図で、各部材の表記は図13と同
一である。
【0118】1)まず、図14(a)に示すように、基
板1201上に素子電極1203を形成する。
【0119】2)次に、図14(b)に示すように、段
差形成部材を形成するための絶縁層を積層する。絶縁層
は、たとえばSiO2をスパッタ法で積層すればよい
が、たとえば、真空蒸着法や印刷法などの他の成膜方法
を用いてもよい。
【0120】3)次に、図14(c)に示すように、絶
縁層の上に素子電極1202を形成する。
【0121】4)次に、図14(d)に示すように、絶
縁層の一部を、たとえばエッチング法を用いて除去し、
素子電極1203を露出させる。
【0122】5)次に、図14(e)に示すように、微
粒子膜を用いた導電性薄膜1204を形成する。形成す
るには、前記平面型の場合と同じく、たとえば、塗布法
などの成膜技術を用いればよい。
【0123】6)次に、前記平面型の場合と同じく、通
電フォーミング処理を行い、電子放出部を形成する。
(図10(c)を用いて説明した平面型の通電フォーミ
ング処理と同様の処理を行えばよい。) 7)次に、前記平面型の場合と同じく、通電活性化処理
を行い、電子放出部近傍に炭素もしくは炭素化合物を堆
積させる。(図10(d)を用いて説明した平面型の通
電活性化処理と同様の処理を行えばよい。) 以上のようにして、図14(f)に示す垂直型の表面伝
導型放出素子を製造した。
【0124】(表示装置に用いた表面伝導型放出素子の
特性)以上、平面型と垂直型の表面伝導型放出素子につ
いて素子構成と製法を説明したが、次に表示装置に用い
た素子の特性について述べる。
【0125】図15に、表示装置に用いた素子の、(放
出電流Ie)対(素子印加電圧Vf)特性、および、
(素子電流If)対(素子印加電圧Vf)特性の典型的
な例を示す。
【0126】なお、放出電流Ieは、素子電流Ifに比
べて著しく小さく、同一尺度で図示するのが困難である
うえ、これらの特性は素子の大きさや形状等の設計パラ
メータを変更することにより変化するものであるため、
2本のグラフは各々任意単位で図示した。
【0127】表示装置に用いた素子は、放出電流Ieに
関して以下に述べる3つの特性を有している。
【0128】第一に、ある電圧(これを閾値電圧Vth
と呼ぶ)以上の大きさの電圧を素子に印加すると急激に
放出電流Ieが増加するが、一方、閾値電圧Vth未満
の電圧では放出電流Ieはほとんど検出されない。
【0129】すなわち、放出電流Ieに関して、明確な
閾値電圧Vthを持った非線形素子である。
【0130】第二に、放出電流Ieは素子に印加する電
圧Vfに依存して変化するため、電圧Vfで放出電流I
eの大きさを制御できる。
【0131】第三に、素子に印加する電圧Vfに対して
素子から放出される電流Ieの応答速度が速いため、電
圧Vfを印加する時間の長さによって素子から放出され
る電子の電荷量を制御できる。
【0132】以上のような特性を有するため、表面伝導
型放出素子を表示装置に好適に用いることができた。た
とえば、多数の素子を表示画面の画素に対応して設けた
表示装置において、第一の特性を利用すれば、表示画面
を順次走査して表示を行うことが可能である。すなわ
ち、駆動中の素子には所望の発光輝度に応じて閾値電圧
Vth以上の電圧を適宜印加し、非選択状態の素子には
閾値電圧Vth未満の電圧を印加する。駆動する素子を
順次切り替えてゆくことにより、表示画面を順次走査し
て表示を行うことが可能である。
【0133】また、第二の特性か、または、第三の特性
を利用することにより、発光輝度を制御することができ
るため、諧調表示を行うことが可能である。 (多数素子を単純マトリクス配線したマルチ電子ビーム
源の構造)次に、上述の表面伝導型放出素子を基板上に
配列して単純マトリクス配線したマルチ電子ビーム源の
構造について述べる。
【0134】図16に示すのは、図8の表示パネルに用
いたマルチ電子ビーム源の平面図である。基板上には、
図9で示したものと同様な表面伝導型放出素子が配列さ
れ、これらの素子は行方向配線電極1003と列方向配
線電極1004により単純マトリクス状に配線されてい
る。行方向配線電極1003と列方向配線電極1004
の交差する部分には、電極間に絶縁層(不図示)が形成
されており、電気的な絶縁が保たれている。
【0135】図16のA−A’に沿った断面を、図17
に示す。
【0136】なお、このような構造のマルチ電子源は、
あらかじめ基板上に行方向配線電極1003、列方向配
線電極1004、電極間絶縁層(不図示)、および、表
面伝導型放出素子の素子電極と導電性薄膜を形成した
後、行方向配線電極1003および列方向配線電極10
04を介して、各素子に給電して通電フォーミング処理
と通電活性化処理を行うことにより製造した。
【0137】また、本発明に係る実施の形態では、2行
にわたりR,G,B蛍光体が位置するため、一画素に対
応する電子放出素子の駆動も単純マトリクス配線の2行
分から電子放出させる必要がある。
【0138】最後に、スペーサとフェースプレート及び
リアプレート(あるいは素子基板)との組み立てについ
て、図6、図7、図18を用いて説明する。
【0139】本実施の形態では、スペーサ901の材料
としてソーダライムガラスからなる300μmφ、長さ
4mmのガラス棒を用いた。
【0140】先ず、スペーサ材が所望の位置に立て直し
て接合できるように、適当な治具にセットした後、フェ
ースプレート1011(ガラス1007、蛍光膜100
8、メタルバック1009からなる)との当接部902
にフリットガラスを塗布し、治具によりフェースプレー
トを各スペーサを位置合わせした状態で400〜500
℃で焼成し、フェースプレート1011にスペーサ90
1を固定する。
【0141】その後、前述したように支持枠1006を
介し、フェースプレート1011とリアプレート100
5の接合部にフリットガラスを塗布、焼成し真空容器を
完成する。
【0142】上記において、スペーサ901は画素の非
発光部全てに当接するように配置される必要はなく、容
器が大気圧に耐えるだけの強度を有するよう設計された
数とピッチにより、配置されれば良く、従って、例え
ば、図18に示したように、画素内の非発光部のうち、
スペーサ901が当接していない部分も生じる場合があ
る。但し、各画素に非発光部が等しく存在することは、
画像表示の連続性を保つために必要であった(即ち、画
面上、非発光部が目立ちにくい)。
【0143】なお、支持枠1006の焼成時に、位置決
めしたスペーサが動かないように、各々を接合するため
のフリットガラスは、焼成温度や結晶性を選択する必要
がある。また、支持枠1006とスペーサ901の高さ
は合わせておく必要があるのは言うまでもない。
【0144】上述したように、位置決めされたスペーサ
901は、素子基板上では、例えば、図16の点線円で
示したような位置で素子基板側とは接することになる。
【0145】以上、本発明の第一の実施の形態によれ
ば、スペーサを有する平面型の画像表示装置において、
スペーサの位置合わせが、従来に対し非常に容易になる
上、画像表示上、該スペーサが画像表示面と接合する箇
所が目立ちにくいという利点を有しながら、しかも、蛍
光体面積の画像表示面における割合の低下は最小で済む
ため、輝度の高い画像表示装置が得られる。
【0146】なお、R,G,B蛍光体の配置について
は、図6、図7に示したものに限らず、目的に応じて、
R,G,Bの位置を入れ換えても上述の本発明の効果が
得られる。
【0147】[実施の形態2]次に、本発明の第二の実
施の形態を説明する。
【0148】装置全体の構成は、実施の形態1と同様な
ので省略するが、本実施の形態では平面型の表面伝導型
放出素子を電子放出素子として用いる。
【0149】平面型の表面伝導型放出素子では、図10
(d)に簡単に示しているように、素子から放出された
電子が蛍光面1114に到達するまでに、素子電極の正
極側に偏向される。
【0150】この理由は、表面伝導型放出素子からの電
子放出メカニズムが明確でないため、十分にはわかって
いないが、素子から放出された電子は、放出直後の電子
放出部近傍では、素子電極間の電位差により偏向作用を
受け、蛍光面に到達するまでに位置が素子放出部直上か
ら、素子電極正極側にずれるのであると本発明者等は考
えている。
【0151】この性質を利用して、さらに、スペーサ設
置時の位置ずれ余裕が大きくなり、また、スペーサ断面
積を増やすことで、スペーサ強度を増す目的でなされた
のが本実施の形態である。
【0152】本実施の形態を、以下、図を用いて具体的
に説明する。
【0153】本実施の形態では、画面表示面としては、
実施の形態1と同じで図6、図7に示した形状とした。
【0154】但し、本実施の形態においては、図6、図
7に示した画素内の非発光部のうちスペーサが当接して
いる非発光部を挟んで行方向において隣合う蛍光体に電
子を照射するための前記電子放出素子への電圧印加が、
行方向に沿っており(これは実施の形態1も同様)、か
つ、該スペーサ当接部を中心に互いに向かい合うよう
に、少なくとも該スペーサ当接部の両側では電圧印加方
向が反転している。
【0155】上述した、電圧印加方向の反転した素子
は、スペーサ当接部ではない画素内の非発光部を利用す
る。本実施の形態においては、元々、非発光部が画素内
の構成要素として存在するために、スペーサ当接部を中
心とした電圧印加方向の反転は特に作製上の困難はなく
実施可能である。
【0156】図19は、第一実施の形態の図16に対応
する図であるが、電子放出素子に対応する画素も示して
ある。
【0157】このうち、図中Sはスペーサが当接して接
合する非発光部、S’はスペーサが当接しない非発光部
を表す。Gは緑色蛍光体の位置である。
【0158】図19からわかるように、スペーサ当接部
Sの両側で、素子への電圧印加方向(正電極に向かう方
向を正とする)はスペーサ当接部に向かうよう、少なく
とも該スペーサ当接部の両側では電圧印加方向が反転し
ている。このため、図中、スペーサ当接部でない非発光
部S’の下に相当する素子において、電圧印加方向が反
転するように、素子が配線されている。
【0159】図16と図19を比較すると、もともと、
非発光部が画素内に存在する行に対応する素子の行にお
いては、素子は1列おきに作製されているため、列方向
の素子配置を素子/空きの連続から、素子・素子/空き
・空きとするだけで、行方向の電圧印加方向を反転でき
る。具体的には、列方向配線に正電圧を印加し、該列方
向配線と素子の電極との接続をX方向(=行方向)にお
いて反転させれば良い(図19)。
【0160】本実施の形態によれば、スペーサ当接部S
の下の素子部においては、図19に点線で囲まれたTに
示すように実施の形態1より大きな設置余裕が生じる。
これは、位置合わせ誤差の拡大につながり装置の作製が
より容易となる。
【0161】また、位置合わせ誤差が、例えば、実施の
形態1並で十分な場合でも、素子基板側のスペーサ90
1の断面積を図20に示すように拡大できる。
【0162】図20では、スペーサ901に横からの断
面が台形状のスペーサを用いた。この場合、スペーサの
数を減らすことができ、作製が容易となる。
【0163】また、スペーサの数が同じであれば、強度
が増すためフェースプレートやリアプレートをより薄く
でき、装置の軽量化が可能である。
【0164】本実施の形態において、電子ビームが、蛍
光体に到達するまでの偏向量(図20中のD)は、素子
に印加する電圧や、蛍光体に印加する電圧、素子〜蛍光
体間の距離H等により変化するため、蛍光体のピッチ等
に応じて、上記パラメータを可変することで、所望の蛍
光体のピッチ(行方向)に応じて本実施の形態の装置が
作製できる。
【0165】また、本実施の形態も実施の形態1と画素
は同一形状であり、画素内のR,G,Bの配置について
は、図6、図7に示したものに限らず、R,G,Bの入
れ替えを行っても、本実施の形態の効果は減じることな
く得られる。
【0166】[実施の形態3]図21に本発明の第3の
実施の形態の画像表示装置の画像表示面を示す。
【0167】装置全体の構成や作製法は、実施の形態1
と同様なので省略する。
【0168】本実施の形態においては、Y方向の画素列
が行(X−X’)に対して斜めに交差している(Y1−
Y1’)。
【0169】この場合にも、画素は2行2列にR,G,
B蛍光体、及び、該蛍光体と同一形状の発光部で構成さ
れているのは、実施の形態1と同様である。
【0170】但し、電子放出素子は、行・列が直交して
いる場合に比べ、行ごとに半ピッチずつずらして作成す
る必要がある。
【0171】本実施の形態においても、非発光部が存在
する行の構成は前述の実施の形態と同じだから、前述実
施の形態と同様な効果がある。
【0172】さらに、本実施の形態では、3原色蛍光体
がデルタ状に配置されているため、画像表示の方向依存
性がより目立たなくなり、均一な解像度が得られるた
め、鮮明な画像の画像表示装置が得られた。
【0173】[実施の形態4]図22に、本発明の第4
の実施の形態の画像表示装置の画像表示面を示す。装置
全体の構成や作製法は実施の形態1と同様なので省略す
る。
【0174】本実施の形態においては、画素内の非発光
部がブラックストライプと同じ黒色部材からなるのでは
なく、蛍光体と反射率が近い部材を用いた。
【0175】具体的には、灰色のセラミック等を蛍光体
と同程度の粒径(約10μm)とした物を、蛍光体と同
様に印刷バインダーと混ぜ、印刷法で形成した。
【0176】本実施の形態では、非発光部が存在する画
素等の構成は前述の実施の形態と同じだから、前述の実
施の形態と同様な効果がある。
【0177】さらに、本実施の形態では、非発光部が蛍
光体と同様な外光反射率を持つため、非発光部が前述実
施の形態に比し、より目立たない利点があった。
【0178】外光の反射率を減らすと、コントラストが
向上するため、通常は非発光部は黒色部材で作製するの
が適しているが、蛍光体の輝度が十分な場合、コントラ
ストはフェースプレートガラスの透過率を下げることで
外光反射を減らし、向上させることもできるため、本実
施の形態も装置の応用目的に応じて適宜用いることによ
り、より表示品位の高い画像表示装置が得られた。
【0179】図23は、前記説明の表面伝導型放出素子
を電子ビーム源として用いたディスプレイパネルに、た
とえば、テレビジョン放送をはじめとする種々の画像情
報源より提供される画像情報を表示できるように構成し
た多機能表示装置の一例を示すための図である。 図
中、2100はディスプレイパネル、2101はディス
プレイパネルの駆動回路、2102はディスプレイコン
トローラ、2103はマルチプレクサ、2104はデコ
ーダ、2105は入出力インターフェース回路、210
6はCPU、2107は画像生成回路、2108および
2109および2110は画像メモリインターフェース
回路、2111は画像入力インターフェース回路、21
12および2113はTV信号受信回路、2114は入
力部である。
【0180】なお、本表示装置は、たとえばテレビジョ
ン信号のように映像情報と音声情報の両方を含む信号を
受信する場合には、当然、映像の表示と同時に音声を再
生するものであるが、本発明の特徴と直接関係しない音
声情報の受信,分離,再生,処理,記憶などに関する回
路やスピーカなどについては説明を省略する。
【0181】以下、画像信号の流れに沿って各部の機能
を説明してゆく。
【0182】まず、TV信号受信回路2113は、たと
えば、電波や空間光通信などのような無線伝送系を用い
て伝送されるTV画像信号を受信するための回路であ
る。受信するTV信号の方式は特に限られるものではな
く、たとえば、NTSC方式、PAL方式、SECAM
方式などの諸方式でもよい。また、これらよりさらに多
数の走査線よりなるTV信号(たとえばMUSE方式を
はじめとするいわゆる高品位TV)は、大面積化や大画
素数化に適した前記ディスプレイパネルの利点を生かす
のに好適な信号源である。TV信号受信回路2113で
受信されたTV信号は、デコーダ2104に出力され
る。
【0183】また、TV信号受信回路2112は、たと
えば、同軸ケーブルや光ファイバーなどのような有線伝
送系を用いて伝送されるTV画像信号を受信するための
回路である。前記TV信号受信回路2113と同様に、
受信するTV信号の方式は特に限られるものではなく、
また本回路で受信されたTV信号もデコーダ2104に
出力される。
【0184】また、画像入力インターフェース回路21
11は、たとえば、TVカメラや画像読み取りスキャナ
などの画像入力装置から供給される画像信号を取り込む
ための回路で、取り込まれた画像信号はデコーダ210
4に出力される。
【0185】また、画像メモリインターフェース回路2
110は、ビデオテープレコーダ(以下VTRと略す)
に記憶されている画像信号を取り込むための回路で、取
り込まれた画像信号はデコーダ2104に出力される。
【0186】また、画像メモリインターフェース回路2
109は、ビデオディスクに記憶されている画像信号を
取り込むための回路で、取り込まれた画像信号はデコー
ダ2104に出力される。
【0187】また、画像メモリインターフェース回路2
108は、いわゆる静止画ディスクのように、静止画像
データを記憶している装置から画像信号を取り込むため
の回路で、取り込まれた静止画像データはデコーダ21
04に出力される。
【0188】また、入出力インターフェース回路210
5は、本表示装置と、外部のコンピュータもしくはコン
ピュータネットワークもしくはプリンタなどの出力装置
とを接続するための回路である。画像データや文字デー
タ・図形情報の入出力を行うのはもちろんのこと、場合
によっては本表示装置の備えるCPU2106と外部と
の間で制御信号や数値データの入出力などを行うことも
可能である。
【0189】また、画像生成回路2107は、前記入出
力インターフェース回路2105を介して外部から入力
される画像データや文字・図形情報や、あるいは、CP
U2106より出力される画像データや文字・図形情報
に基づき表示用画像データを生成するための回路であ
る。
【0190】本回路の内部には、たとえば、画像データ
や文字・図形情報を蓄積するための書き換え可能メモリ
や、文字コードに対応する画像パターンが記憶されてい
る読みだし専用メモリや、画像処理を行うためのプロセ
ッサなどをはじめとして画像の生成に必要な回路が組み
込まれている。本回路により生成された表示用画像デー
タは、デコーダ2104に出力されるが、場合によって
は、前記入出力インターフェース回路2105を介し
て、外部のコンピュータネットワークやプリンタ入出力
することも可能である。
【0191】また、CPU2106は、主として本表示
装置の動作制御や、表示画像の生成や選択や編集に関わ
る作業を行う。
【0192】たとえば、マルチプレクサ2103に制御
信号を出力し、ディスプレイパネルに表示する画像信号
を適宜選択したり組み合わせたりする。また、その際に
は、表示する画像信号に応じてディスプレイパネルコン
トローラ2102に対して制御信号を発生し、画面表示
周波数や走査方法(たとえば、インターレースかノンイ
ンターレースか)や一画面の走査線の数など表示装置の
動作を適宜制御する。
【0193】また、前記画像生成回路2107に対して
画像データや文字・図形情報を直接出力したり、あるい
は、前記入出力インターフェース回路2105を介して
外部のコンピュータやメモリをアクセスして画像データ
や文字・図形情報を入力する。
【0194】なお、CPU2106は、これ以外の目的
の作業にも関わるものであっても良い。たとえば、パー
ソナルコンピュータやワードプロセッサなどのように、
情報を生成したり処理する機能に直接関わってもよい。
【0195】あるいは、前述したように入出力インター
フェース回路2105を介して外部のコンピュータネッ
トワークと接続し、たとえば数値計算などの作業を外部
機器と協同して行ってもよい。
【0196】また、入力部2114は、前記CPU21
06に使用者が命令やプログラム、あるいはデータなど
を入力するためのものであり、たとえば、キーボードや
マウスのほか、ジョイスティック,バーコードリーダ
ー,音声認識装置など多様な入力機器を用いることが可
能である。
【0197】また、デコーダ2104は、前記2107
ないし2113より入力される種々の画像信号を3原色
信号、または、輝度信号とI信号,Q信号に逆変換する
ための回路である。なお、同図中に点線で示すように、
デコーダ2104は内部に画像メモリを備えるのが望ま
しい。これは、たとえば、MUSE方式をはじめとし
て、逆変換するに際して画像メモリを必要とするような
テレビ信号を扱うためである。また、画像メモリを備え
ることにより、静止画の表示が容易になる、あるいは、
前記画像生成回路2107およびCPU2106と協同
して画像の間引き,補間,拡大,縮小,合成をはじめと
する画像処理や編集が容易に行えるようになるという利
点が生まれるからである。
【0198】また、マルチプレクサ2103は、前記C
PU2106より入力される制御信号に基づき表示画像
を適宜選択するものである。すなわち、マルチプレクサ
2103はデコーダ2104から入力される逆変換され
た画像信号のうちから所望の画像信号を選択して駆動回
路2101に出力する。その場合には、一画面表示時間
内で画像信号を切り替えて選択することにより、いわゆ
る多画面テレビのように、一画面を複数の領域に分けて
領域によって異なる画像を表示することも可能である。
【0199】また、ディスプレイパネルコントローラ2
102は、前記CPU2106より入力される制御信号
に基づき駆動回路2101の動作を制御するための回路
である。
【0200】まず、ディスプレイパネルの基本的な動作
にかかわるものとして、たとえばディスプレイパネルの
駆動用電源(図示せず)の動作シーケンスを制御するた
めの信号を駆動回路2101に対して出力する。また、
ディスプレイパネルの駆動方法に関わるものとして、た
とえば画面表示周波数や走査方法(たとえばインターレ
ースかノンインターレースか)を制御するための信号を
駆動回路2101に対して出力する。
【0201】また、場合によっては、表示画像の輝度や
コントラストや色調やシャープネスといった画質の調整
に関わる制御信号を駆動回路2101に対して出力する
場合もある。
【0202】また、駆動回路2101は、ディスプレイ
パネル2100に印加する駆動信号を発生するための回
路であり、前記マルチプレクサ2103から入力される
画像信号と、前記ディスプレイパネルコントローラ21
02より入力される制御信号に基づいて動作するもので
ある。
【0203】以上、各部の機能を説明したが、図23に
例示した構成により、本表示装置においては多様な画像
情報源より入力される画像情報をディスプレイパネル2
100に表示することが可能である。
【0204】すなわち、テレビジョン放送をはじめとす
る各種の画像信号はデコーダ2104において逆変換さ
れた後、マルチプレクサ2103において適宜選択さ
れ、駆動回路2101に入力される。一方、ディスプレ
イコントローラ2102は、表示する画像信号に応じて
駆動回路2101の動作を制御するための制御信号を発
生する。駆動回路2101は、上記画像信号と制御信号
に基づいてディスプレイパネル2100に駆動信号を印
加する。これにより、ディスプレイパネル2100にお
いて画像が表示される。これらの一連の動作は、CPU
2106により統括的に制御される。
【0205】また、本表示装置においては、デコーダ2
104に内蔵する画像メモリや、画像生成回路2107
およびCPU2106が関与することにより、単に複数
の画像情報の中から選択したものを表示するだけでな
く、表示する画像情報に対して、たとえば、拡大,縮
小,回転,移動,エッジ強調,間引き,補間,色変換,
画像の縦横比変換などをはじめとする画像処理や、合
成,消去,接続,入れ換え,はめ込みなどをはじめとす
る画像編集を行うことも可能である。
【0206】また、本実施の形態の説明では特に触れな
かったが、上記画像処理や画像編集と同様に、音声情報
に関しても処理や編集を行うための専用回路を設けても
よい。
【0207】したがって、本表示装置は、テレビジョン
放送の表示機器,テレビ会議の端末機器,静止画像およ
び動画像を扱う画像編集機器,コンピュータの端末機
器,ワードプロセッサをはじめとする事務用端末機器,
ゲーム機などの機能を一台で兼ね備えることが可能で、
産業用あるいは民生用として極めて応用範囲が広い。
【0208】なお、図23は、表面伝導型放出素子を電
子ビーム源とするディスプレイパネルを用いた表示装置
の構成の一例を示したにすぎず、これのみに限定される
ものではないことは言うまでもない。たとえば、図23
の構成要素のうち使用目的上必要のない機能に関わる回
路は省いても差し支えない。
【0209】また、これとは逆に、使用目的によっては
さらに構成要素を追加してもよい。たとえば、本表示装
置をテレビ電話機として応用する場合には、テレビカメ
ラ,音声マイク,照明機,モデムを含む送受信回路など
を構成要素に追加するのが好適である。
【0210】本表示装置においては、とりわけ表面伝導
型放出素子を電子ビーム源とするディスプレイパネルが
容易に薄形化できるため、表示装置全体の奥行きを小さ
くすることが可能である。それに加えて、表面伝導型放
出素子を電子ビーム源とするディスプレイパネルは大画
面化が容易で輝度が高く視野角特性にも優れるため、本
表示装置は臨場感あふれ迫力に富んだ画像を視認性良く
表示する事が可能である。
【0211】なお、本発明は、複数の機器(例えばホス
トコンピュータ,インタフェイス機器,リーダ,プリン
タなど)から構成されるシステムに適用しても、一つの
機器からなる装置(例えば、複写機,ファクシミリ装置
など)に適用してもよい。
【0212】以上説明したように本発明に係る実施の形
態によれば、基板上に複数の冷陰極電子放出素子が作製
されて成る電子源と、該電子源が作製された基板と対向
して配置され、前記複数の冷陰極電子放出素子から放出
された電子の照射を受けて発光し画像を形成するR
(赤)、G(緑)、B(青)3原色蛍光体が内面に塗布
されたカラー画像表示面を有すフェースプレートと、該
電子源が作製された基板と該フェースプレートとの間隔
を所定の距離に保持するための複数のスペーサとを少な
くとも有する画像表示装置において、前記画像表示面
は、各色ごとに区分された複数の蛍光体が成す配列が、
画像表示面水平方向に沿った行に対し、列が格子状に直
交しているか、あるいは斜めに交差するように構成され
ており、かつ、該直交あるいは斜めに交差した行列状の
蛍光体配列のそれぞれ隣接する2行2列に蛍光体R
(赤)、G(緑)、B(青)と、該蛍光体と同一形状の
非発光部とからなる4単位を一組として配置してカラー
画像表示の最小単位の画素とし、該画素が多数連続する
ことで構成されていることにより、また、前記スペーサ
が、前記画素内の非発光部において、フェースプレート
と当接しており、前記画素内の非発光部のうちスペーサ
が当接している非発光部を挟んで行方向において隣合う
蛍光体に電子を照射するための前記電子放出素子への電
圧印加方向は、行方向に沿って、該スペーサ当接部を中
心に互い向かい合うように、少なくとも該スペーサ当接
部の両側では電圧印加方向が反転していることとするこ
とにより、スペーサを必要とする平面型の画像表示装置
において、該スペーサの位置合わせ余裕を大きくでき、
装置の作製の容易となる効果があった。
【0213】また、画像表示にスペーサ当接部を目立た
なく配置できるため、表示品位の高い画像表示装置が得
られる効果があった。
【0214】さらに、スペーサ当接部の位置合わせ時の
余裕を十分とっても蛍光体面積を小さくする必要が無
く、装置の高輝度化に効果があった。
【0215】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ス
ペーサを有する平面型の画像表示装置において、電子放
出素子を高密度に安価に実装可能で、高品質の画像を表
示することができる。
【0216】
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の冷陰極素子を用いた平面画像表示装置の
断面図である。
【図2】従来の冷陰極素子を用いた平面画像表示装置の
蛍光面の図である。
【図3】従来の冷陰極素子を用いた平面画像表示装置の
スペーサ設置を行うための蛍光面の図である。
【図4】従来のスペーサとフェースプレート内面との接
合法を示す図である。
【図5】従来の表面伝導型放出素子の一例を示す図であ
る。
【図6】本発明の第一の実施の形態の画像表示装置の画
素を示す画像表示面の拡大図である。
【図7】本発明の第一の実施の形態の画像表示装置の画
像表示面の図である。
【図8】本発明の第1の実施の形態である画像表示装置
の表示パネルの一部を切り欠いて示した斜視図である。
【図9】第1の実施の形態で用いた平面型の表面伝導型
放出素子の平面(a)及び断面形状(b)を示す図であ
る。
【図10】平面型の表面伝導型放出素子の製造行程を示
す断面図である。
【図11】通電フォーミング処理の際の印加電圧波形を
示す図である。
【図12】通電活性化処理の際の印加電圧波形(a)
と、通電活性化処理の際の放出電流Ieの変化(b)を
示す図である。
【図13】第1の実施の形態で用いた垂直型の表面伝導
型放出素子の断面図である。
【図14】垂直型の表面伝導型放出素子の製造工程を示
す断面図である。
【図15】第1の実施の形態で用いた表面伝導型放出素
子の典型的な特性を示すグラフ図である。
【図16】第1の実施の形態で用いたマルチ電子ビーム
源の基板の平面図である。
【図17】第1の実施の形態で用いたマルチ電子ビーム
源の基板の一部断面図である。
【図18】本発明の第一の実施の形態の画像表示装置の
断面図である。
【図19】本発明の第二の実施の形態の画像表示装置の
電子放出素子と画像表示面との対応を説明するための図
である。
【図20】本発明の第二の実施の形態の画像表示装置の
断面図である。
【図21】本発明の第三の実施の形態の画像表示装置の
画像表示面の図である。
【図22】本発明の第四の実施の形態の画像表示装置の
画像表示面の図である。
【図23】本発明の実施の形態である画像表示装置を用
いた多機能画像表示装置のブロック図である。

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板上に複数の冷陰極電子放出素子を備
    える電子源と、 前記基板に対向して配置され、前記複数の冷陰極電子放
    出素子から放出された電子の照射を受けて発光し画像を
    形成する複数色の蛍光体が内面に塗布された画像表示面
    を有するフェースプレートと、 前記基板と前記フェースプレートとの間隔を所定の距離
    に保持するための複数のスペーサとを備える画像表示装
    置であって、 前記画像表示面は、各色ごとに区分された複数色の蛍光
    体が成す蛍光体配列が、画像表示面水平方向に沿った行
    に対し、列が格子状に直交しているか、あるいは斜めに
    交差するように構成し、 前記蛍光体配列のそれぞれ隣接する2行2列に、3色の
    蛍光体と前記スペーサを当接する領域を一組として配置
    し、前記一組をカラー画像表示の最小単位画素とするこ
    とを特徴とする画像表示装置。
  2. 【請求項2】 前記複数色の蛍光体は、R(赤)、G
    (緑)、B(青)の蛍光体であることを特徴とする請求
    項1に記載の画像表示装置。
  3. 【請求項3】 前記スペーサが当接する領域を挟んで隣
    合う蛍光体に電子を照射するための前記電子放出素子へ
    の電圧印加方向は反転していることを特徴とする請求項
    1に記載の画像表示装置。
  4. 【請求項4】 前記冷陰極電子放出素子は、表面伝導型
    電子放出素子であることを特徴とする請求項1に記載の
    画像表示装置。
  5. 【請求項5】 前記スペーサを当接する領域は、黒色部
    材を備えることを特徴とする請求項1に記載の画像表示
    装置。
  6. 【請求項6】 基板上に複数の冷陰極電子放出素子を備
    える電子源と、 前記基板に対向して配置され、前記複数の冷陰極電子放
    出素子から放出された電子の照射を受けて発光し画像を
    形成する複数色の蛍光体が内面に塗布された画像表示面
    を有するフェースプレートと、前記基板と前記フェース
    プレートとの間隔を所定の距離に保持するための複数の
    スペーサとを備える画像表示装置における画像表示方法
    であって、 前記画像表示面は、各色ごとに区分された複数色の蛍光
    体が成す蛍光体配列が、画像表示面水平方向に沿った行
    に対し、列が格子状に直交しているか、あるいは斜めに
    交差するように構成し、前記蛍光体配列のそれぞれ隣接
    する2行2列に、3色の蛍光体と前記スペーサを当接す
    る領域を一組として配置し、前記一組をカラー画像表示
    の最小単位画素とすることを特徴とする画像表示方法。
  7. 【請求項7】 前記複数色の蛍光体は、R(赤)、G
    (緑)、B(青)の蛍光体であることを特徴とする請求
    項6に記載の画像表示方法。
  8. 【請求項8】 前記スペーサが当接する領域を挟んで隣
    合う蛍光体に電子を照射するための前記電子放出素子へ
    の電圧印加方向は反転していることを特徴とする請求項
    6に記載の画像表示方法。
  9. 【請求項9】 前記冷陰極電子放出素子は、表面伝導型
    電子放出素子であることを特徴とする請求項6に記載の
    画像表示方法。
  10. 【請求項10】 前記スペーサを当接する領域は、黒色
    部材を備えることを特徴とする請求項6に記載の画像表
    示方法。
JP34630296A 1996-12-25 1996-12-25 画像表示方法とその装置 Withdrawn JPH10188861A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP34630296A JPH10188861A (ja) 1996-12-25 1996-12-25 画像表示方法とその装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP34630296A JPH10188861A (ja) 1996-12-25 1996-12-25 画像表示方法とその装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10188861A true JPH10188861A (ja) 1998-07-21

Family

ID=18382484

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP34630296A Withdrawn JPH10188861A (ja) 1996-12-25 1996-12-25 画像表示方法とその装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH10188861A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100403081B1 (ko) * 2001-04-18 2003-10-30 엘지전자 주식회사 전계방출형 표시소자의 셀 및 스페이서 구조
US6879096B1 (en) 1999-03-05 2005-04-12 Canon Kabushiki Kaisha Image formation apparatus
KR20050077960A (ko) * 2004-01-30 2005-08-04 삼성에스디아이 주식회사 전계 방출 표시장치
US6929524B2 (en) 1999-03-04 2005-08-16 Canon Kabushiki Kaisha Vacuum envelope with spacer and image display apparatus
US7138761B2 (en) * 2001-11-23 2006-11-21 Lg Electronics Inc. Field emission display and driving method thereof
KR100689558B1 (ko) * 2000-12-23 2007-03-09 엘지전자 주식회사 전계방출소자의 전극구조

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6929524B2 (en) 1999-03-04 2005-08-16 Canon Kabushiki Kaisha Vacuum envelope with spacer and image display apparatus
US6879096B1 (en) 1999-03-05 2005-04-12 Canon Kabushiki Kaisha Image formation apparatus
US7157850B2 (en) 1999-03-05 2007-01-02 Canon Kabushiki Kaisha Image formation apparatus having electrically conductive spacer and external frame
US7323814B2 (en) 1999-03-05 2008-01-29 Canon Kabushiki Kaisha Image formation apparatus having fluorescent material and black material
US7737617B2 (en) 1999-03-05 2010-06-15 Canon Kabushiki Kaisha Image formation apparatus having getters spacers and wires
KR100689558B1 (ko) * 2000-12-23 2007-03-09 엘지전자 주식회사 전계방출소자의 전극구조
KR100403081B1 (ko) * 2001-04-18 2003-10-30 엘지전자 주식회사 전계방출형 표시소자의 셀 및 스페이서 구조
US7138761B2 (en) * 2001-11-23 2006-11-21 Lg Electronics Inc. Field emission display and driving method thereof
KR20050077960A (ko) * 2004-01-30 2005-08-04 삼성에스디아이 주식회사 전계 방출 표시장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3305166B2 (ja) 電子線装置
JPH11288249A (ja) 画像形成方法及び装置
JPH09190783A (ja) 画像形成装置
JPH10188861A (ja) 画像表示方法とその装置
JPH1039825A (ja) 電子発生装置、画像表示装置およびそれらの駆動回路、駆動方法
JP3305245B2 (ja) 画像形成装置
JP2000148081A (ja) 電子源と前記電子源を用いた画像形成装置
JP3472016B2 (ja) マルチ電子ビーム源の駆動回路及びそれを用いた画像形成装置
JP3323706B2 (ja) 電子源の製造方法及び装置及び画像表示装置の製造方法
JP3274345B2 (ja) 画像表示装置及び前記装置における画像表示方法
JPH11288246A (ja) 画像表示装置及び該装置における表示制御方法
JP3299062B2 (ja) 電子源の駆動装置及び該電子源を用いた画像形成装置
JP2866312B2 (ja) 電子源及びそれを用いた画像形成装置と、それらの製造方法
JP3236465B2 (ja) 表示装置
JP3258525B2 (ja) 画像表示装置
JP3258524B2 (ja) 画像表示装置
JPH08212944A (ja) 画像形成装置および電子ビーム発生源
JP3554312B2 (ja) 電子線装置
JPH09199063A (ja) 画像形成装置
JP3382450B2 (ja) 電子源の駆動装置と前記電子源を用いた画像表示装置
JP2000098968A (ja) 画像形成方法及び装置
JPH11327485A (ja) 表示装置
JP2000250465A (ja) 画像形成装置及びその制御方法及び画像表示装置及び方法
JPH10106457A (ja) 画像形成装置
JPH11176362A (ja) 画像形成方法及び装置

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20040302