JPH10185531A - 高精度パターンの外観の検査方法および装置 - Google Patents

高精度パターンの外観の検査方法および装置

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JPH10185531A
JPH10185531A JP9287303A JP28730397A JPH10185531A JP H10185531 A JPH10185531 A JP H10185531A JP 9287303 A JP9287303 A JP 9287303A JP 28730397 A JP28730397 A JP 28730397A JP H10185531 A JPH10185531 A JP H10185531A
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laser beam
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scanning
laser
laser beams
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毅士 山根
Yukio Ogura
行夫 小椋
Katsuhiko Nakatani
勝彦 中谷
Yoshiaki Aida
善明 相田
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高精度化するレチクルあるいはLSI自身の
パターンの外観検査における検査時間の短縮を可能とす
る外観検査方法および装置を提供する。 【解決手段】 レーザビームを走査させる走査手段12
0、125と、レーザビームを複数に分岐させそれぞれ
を識別するための識別標識を付与する2分割光学系13
0と、分岐し識別標識を付与されたレーザビームを試料
面に照射する照射手段と、試料面より反射する光線およ
び該試料面を透過する光線の少なくとも一方を検出する
画像信号検出手段152〜157、161〜167と、
識別標識によりそれぞれの分岐走査レーザビームを識別
し、検出手段から得られる検出信号を用いて試料面の画
像を得て欠陥検出を行う画像処理ユニット191、画像
表示部192、およびデータ入力部193を有するシス
テム制御部190と、試料182を保持しX軸、Y軸方
向に駆動するXYステージ181とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、試料面の検査方法
と検査装置に関し、特にLSI製造用のレチクルあるい
は、LSI自身のパターンの外観検査に係る外観の検査
方法および装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、LSI製造用のレチクル、あるい
はLSI自身のパターンの外観検査は、金属顕微鏡型の
光学系を2系統設けて、前記パターン中の同形状部分を
同時に観察し、これから得られる2つの画面の差分をと
ることで、欠陥検出を行うことが一般的であった。
【0003】ところが、近年のLSIパターンの微細化
に伴い、光学式観察手段の解像力の限界からこの従来の
方式では対応しきれなくなりつつある。そこで、特開平
6−294750号公報に開示されているような新たな
提案がなされている。すなわち、光源として集束性の良
いレーザ光を用い、該レーザ光を微小スポットに集光し
た上で、前記LSI製造用のパターン等の試料面を走査
し、試料を透過あるいは反射するレーザ光の光量変化か
ら、前記試料面の観察画面を構成する手法が提案されて
いる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
新たな提案は、試料に対してレーザスポットを2次元に
走査して観察画像を得る手法によっている。このため、
従来の1次元、2次元のカメラあるいはこれに相当する
検出器を用いて一括して観察画面を得る手法に比ベ観察
画像の検出時間が大幅に増大する。
【0005】更に、今後のLSI回路規模の拡大、回路
パターンの微細化に伴って求められる検査分解能の高精
度化により、急激なデータ処理量の増加が考えられ、前
記試料面の観察画像の検出時間を短縮する工夫が強く望
まれている。
【0006】本発明の目的は、かかる欠点を解決するた
めになされたものであり、今後、ますます高精度化する
LSI製造用のレチクルあるいは、LSI自身のパター
ン(以下これらを試料と称す。)の外観検査における検
査時間の短縮を可能とする外観検査方法および装置を提
供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の検査方法は、試
料面をレーザビームで検査する検査方法であって、レー
ザビームを複数のレーザビームに分岐させるレーザビー
ム分岐工程と、レーザビームのそれぞれに識別標識を付
与する識別標識付与工程と、試料面を識別標識を付与さ
れた複数のレーザビームで走査する走査工程と、識別標
識を付与された複数のレーザビームの反射光と透過光の
少なくとも一方を用いて試料面の画像を提供する画像処
理工程とを備える。
【0008】また、検査方法が、レーザビームを試料面
上で走査させて、その試料面より反射する光線およびそ
の試料面を透過する光線の少なくとも一方を用いて検査
を行なう高精度パターンの外観検査方法であって、レー
ザビームを偏向走査させる工程と、レーザビームをそれ
ぞれ異なる光軸をもつ複数のレーザビームに分岐させる
レーザビーム分岐工程と、分岐走査レーザビームにそれ
ぞれを識別するための識別標識を付与する識別標識付与
工程と、複数に分岐され識別標識を付与されたレーザビ
ームを試料面に焦点を結ばせて走査させる走査工程と、
試料面から反射したレーザビームおよび試料面を透過し
たレーザビームの少なくとも一方を検出する画像信号検
出工程と、検出工程で検出されたデータから識別標識に
よりそれぞれの分岐走査レーザビームを識別してそれぞ
れに対応する試料面の画像を得る画像処理工程と、検出
工程で得られた試料面の画像と、既に得られている試料
面の画像およびあらかじめ準備された画像情報データベ
ースの少なくとも一方とを比較して、試料面の検査を行
う検査工程とを備えていてもよい。
【0009】レーザビーム分岐工程が、レーザビームを
2分割する工程と、分割された片方のレーザビームの光
軸を傾斜させる工程と、2分割されたレーザビームを合
成する工程とを含んでいてもよく、識別標識が、それぞ
れの分岐走査レーザビームに付与された異なる偏光状態
や、それぞれの分岐走査レーザビームに時分割方式で付
与された光強度の変化であってもよい。
【0010】また、レーザビームが、紫外域の波長を有
することが望ましく、照射工程は、試料面の異なる位置
を、識別標識を付与されたそれぞれのレーザビームが同
時に照射する工程を含んでいてもよい。
【0011】本発明の検査装置は、試料面をレーザビー
ムで検査する検査装置であって、レーザビームの光源
と、レーザビームを複数のレーザビームに分岐させるレ
ーザビーム分岐手段と、レーザビームのそれぞれに識別
標識を付与する識別標識付与手段と、試料面を識別標識
を付与された複数のレーザビームで照射する照射手段
と、試料面より反射する反射光およびその試料面を透過
する透過光の少なくとも一方を検出する検出手段と、そ
れぞれの識別標識を付与された複数のレーザビームを識
別標識により識別し、検出手段から試料面の画像を得
て、その試料面の欠陥検出を行う画像処理ユニットとを
備える。
【0012】また、検査装置が、レーザビームを試料面
上で走査させて、その試料面より反射する光線およびそ
の試料面を透過する光線の少なくとも一方を用いて検査
を行なう高精度パターンの外観検査装置であって、レー
ザビームの光源と、レーザビームを走査させる走査手段
と、レーザビームをそれぞれ異なる光軸をもつ複数のレ
ーザビームに分岐させるレーザビーム分岐手段と、分岐
走査レーザビームにそれぞれを識別する識別標識を付与
するための識別標識付与手段と、分岐し識別標識を付与
されたレーザビームを試料面に焦点を結ばせて照射する
照射手段と、試料面より反射するレーザビームおよびそ
の試料面を透過するレーザビームの少なくとも一方を検
出する画像信号検出手段と、識別標識によりそれぞれの
分岐走査レーザビームを識別し、画像信号検出手段から
得られる検出信号を用いて試料面の画像を得て欠陥検出
を行う画像処理ユニット、所望の画像を表示する画像表
示部、および外部からのデータを入力するための入力部
を有するシステム制御手段と、試料を保持して移動を行
うXYステージとを備えていてもよい。
【0013】レーザビーム分岐手段が、レーザビームを
2分割させる分割手段と、分割された片方のレーザビー
ムの光軸を傾斜させる光軸変更手段と、2分割されたレ
ーザビームを合成する合成手段とを含んでいてもよく、
レーザビームを2分割させる1個の分割手段と、分割さ
れた片方のレーザビームの光軸を傾斜させる1個の光軸
変更手段と、2分割されたレーザビームを合成する1個
の合成手段とを含む単位レーザビーム分割手段の、並列
および直列の少なくともいずれかでの複数の組み合せで
あってもよく、光軸変更手段が、くさび型のガラス板を
含んでいてもよい。
【0014】また、識別標識付与手段で付与される識別
標識が、それぞれの分岐走査レーザビームに付与された
異なる偏光状態であってもよく、それぞれの分岐走査レ
ーザビームに時分割方式で付与された光強度の変化であ
ってもよく、光強度の変化を付与する識別標識付与手段
が、それぞれの分岐したレーザビームにアナログ変調を
与えて光強度を変化させる超音波変調手段と、所定の時
分割方式で変調信号を超音波変調手段に出力する変調信
号発生手段とを有していてもよい。
【0015】レーザビームが、紫外域の波長を有するこ
とが望ましい。
【0016】また、照射手段は、レーザビームとは異な
る波長のフォーカス用レーザビームを試料面に照射し、
その試料面からの反射光を集束させ、その集束光の焦点
位置の変化を検出する焦点位置検出手段と、焦点位置検
出手段の出力に基づいてレーザビームの焦点位置を調整
する焦点位置調整手段とを有していてもよく、焦点位置
検出手段は、2分割受光素子とその反射光の光路の半分
を遮断するナイフエッジとを有していてもよい。
【0017】さらに、XYステージは、X方向にのみ移
動が可能なXステージと、Y方向にのみ移動が可能なY
ステージと、回転のみが可能なθステージとの積層構造
を有することが望ましい。
【0018】レーザ光源から射出されたレーザ光は、レ
ーザビームを複数に分岐させるレーザビーム分岐手段に
より複数に分岐されるので、試料面に同時に複数の分岐
走査レーザビームを照射してそれぞれ所定の範囲を走査
できる。レーザビームを2分割して一方の光軸を傾斜さ
せたあと合成する単位レーザビーム分割手段を、並列お
よび直列の少なくともいずれかで複数を組み合せること
により、奇数を含む所望の数の分岐走査レーザビームを
生成させることができる。
【0019】分岐走査レーザビームにそれぞれを識別す
るための識別標識を付与することによって、試料面より
反射する光線およびその試料面を透過する光線の少なく
とも一方を検出する画像信号検出手段から得られた検出
信号を、識別標識によりそれぞれの分岐走査レーザビー
ムを識別し、短時間で広い試料面の画像を得て欠陥検出
を行うことができる。
【0020】走査レーザビームの照射位置に対し、試料
を保持してX軸、Y軸方向に駆動するXYステージによ
って、試料がX軸方向にスキャンされ、このX軸方向の
1スキャン動作が終了するとY軸方向にステップ送りさ
れ、前回のX軸スキャン方向とは反対方向にスキャンさ
れる動作を繰り返すことにより、複数の分岐走査レーザ
ビームを並べた走査幅で、試料検査対象領域の全面を走
査させることができる。
【0021】
【発明の実施の形態】本発明の第1の実施の形態を図面
により詳細に説明する。図1は本発明の高精度パターン
の外観検査装置のブロック構成図であり、図2は本発明
の第1の実施の形態の検査装置の光学システムの詳細ブ
ロック構成図である。図中符号110は光学システム、
111はレーザ光源、112はアッテネータ、113は
スペーシャルフィルタ、114はシリンドリカルレン
ズ、115はビームスプリッタ、116はパワーモニ
タ、117はリレーレンズ、118は四分の一波長板、
119はレーザビーム、120は第1の偏向走査手段、
121は超音波偏向器、122はビームエキスパンダ、
123は二分の一波長板、125は第2の偏向走査手
段、126は超音波偏向器、128、129はレーザビ
ーム、130は2分割光学系、131はポラライザ、1
32a、132b、132c、132d、132e、1
32fはミラー、133はウエッジ板、134はポララ
イザ、138、139はレーザビーム、141はハーフ
ミラー、142はガルバノミラー、143はミラー、1
44はテレスコープ、145はダイクロイックミラー、
146は対物レンズ、149はレーザビーム、150は
反射光検出部、152、155はポラライザ、153、
156はコンデンサレンズ、154、157は反射光検
出器、160は透過光検出部、161はコレクタレン
ズ、162、165はポラライザ、163、166はコ
ンデンサレンズ、164、167は透過光検出器、17
0はオートフォーカス部、171は光源、172はビー
ムエキスパンダ、173はビームスプリッタ、174は
補正レンズ、175はミラー、176は集光レンズ、1
77は2分割受光素子、178は四分の一波長板、17
9はナイフエッジ、181はXYステージ、182は試
料、190はシステム制御部、191は画像処理ユニッ
ト、191aはデータベース記憶部、191bは画像デ
ータ蓄積部、191cは欠陥情報記憶部、191dは画
像処理制御部、192は表示部、193はデータ入力部
である。
【0022】本発明の高精度パターンの外観検査装置
は、LSI製造用のレチクルやLSI自身に形成されて
いる回路パターンの、形状欠陥、ミスサイズ、位置ず
れ、脱落など、およびレチクルやLSIの表面の異物の
有無を検査する装置である。図1に示すように、照明光
となるレーザ光源111、レーザ光源から出たレーザビ
ーム119を偏向走査する偏向走査手段120、12
5、そのレーザビームを2分割するレーザビーム分岐手
段である2分割光学系130およびその他の光学系とを
含む光学システム110と、検査対象である試料182
を搭載して保持するXYステージ181と、画像処理ユ
ニット191、表示部192およびデータ入力部193
を備えたシステム制御部190とから構成されている。
【0023】XYステージ181は、X軸方向に自動送
りされるXテーブル(図示せず)と、Y軸方向にステッ
プ送りされるYテーブルとから構成され、各テーブルは
ACサーボモータによる回転運動をボールネジで直線運
動に変換する機構(図示せず)により駆動される。
【0024】光学システム110を図2を参照して詳細
に説明する。この光学システム110は、レーザ光を偏
向させて2分割光学系130に送り込む第1の伝送系統
と、2分割光学系130と、2分割光学系からのレーザ
光を試料182に送り込む第2の伝送系統と、反射光検
出部150と、透過光検出部160と、オートフォーカ
ス部170とから構成される。
【0025】第1の伝送系統は照明用のレーザビーム1
19を射出するレーザ光源111と、レーザビーム11
9の出力強度を調整するアッテネータ112と、スペー
シャルフィルタ113と、レーザビーム119を高速で
偏向走査するための超音波偏向器121および126を
含む偏向走査手段120、125(ビームエキスパンダ
122と、二分の一波長板123が含まれている)と、
この偏向走査手段120、125を出たレーザビームを
X軸方向に集束するシリンドリカルレンズ114と、レ
ーザビーム119の進行方向を変えるとともに、その一
部を透過するビームスプリッタ115と、ビームスプリ
ッタ115の透過光を検出しレーザビーム119のアッ
テネータ112を出た側の出力強度を監視するためのパ
ワーモニタ116と、反射光側のリレーレンズ117、
四分の一波長板118とから構成され、ビームスプリッ
タ108により反射されたレーザビーム128を2分割
光学系130に送り込む。
【0026】レーザビームをP偏光、S偏光に分割する
2分割光学系130は、入射したレーザビーム128を
P偏光、S偏光の2レーザビームに分割するためのポラ
ライザ131と、分割された一方のレーザビーム139
の進行方向を変えるミラー132aと、レーザビーム1
39の光軸の方向を変えるために配置されているくさび
型のガラス板から構成されるウエッジ板133と、レー
ザビーム139の進行方向を変えるミラー132bと、
分割された他のレーザビーム128の進行方向を変えて
伝送距離を調整するミラー132c、132d、132
e、132fと、レーザビーム138と他方のレーザビ
ーム139とを合成するポラライザ134とから構成さ
れ、合成されたレーザビーム129を第2の伝送系統に
送り込む。
【0027】第2の伝送系統はレーザビーム129を透
過させるハーフミラー141と、レーザビームの進行方
向を変えるとともにステージスキャンの代りにX軸方向
へのビーム移動を行ない、ある範囲の画像を取得するた
めに使用されるガルバノミラー142およびミラー14
3と、テレスコープ144と、レーザビームを反射させ
て方向を変えるダイクロイックミラー145と対物レン
ズ146とから構成され、レーザビーム149は対物レ
ンズ146により試料182のパターン面上に集束され
る。
【0028】画像信号検出手段の1つである反射光検出
部150には、試料182で反射され元のレーザビーム
の光路を戻る反射レーザ光が、ハーフミラー141で反
射され進路を変更されてポラライザ152に入射する。
【0029】反射光検出部150は、反射レーザ光のP
偏光成分を透過し残りをポラライザ155の方向に反射
するポラライザ152と、ポラライザ152を透過した
P偏光を反射光検出器154の検出面に集束するコンデ
ンサレンズ153と、ポラライザ152で反射した反射
光からS偏光を分離するポラライザ155と、当該S偏
光を反射光検出器157の検出面に集束するコンデンサ
レンズ156とから構成されている。
【0030】画像信号検出手段の他の1つである透過光
検出部160は、試料182を透過した透過レーザ光を
集光するためのコレクタレンズ161と、透過レーザ光
のうちP偏光成分を透過し残りをポラライザ165の方
向に反射するポラライザ162と、ポラライザ162に
よる透過光を透過光検出器164の検出面に集束するコ
ンデンサレンズ163と、透過光検出器164と、ポラ
ライザ162の反射光からS偏光を分離するポラライザ
165と、分離されたS偏光を透過光検出器167の検
出面に集束するコンデンサレンズ166と、透過光検出
器167とから構成されている。
【0031】オートフォーカス部170は、He−Ne
レーザ(波長632.8nm)等の直線偏光レーザ光を
使用するオートフォーカス用光源171と、オートフォ
ーカス用光源171から照射されたレーザビームを拡大
するビームエキスパンダ172と、オートフォーカス用
光源171から射出されたレーザビームを透過し、試料
182から反射して同一光路を戻ってきた反射光を2分
割受光素子177の方向に反射するビームスプリッタ1
73と、直線偏光を円偏光に変換する四分の一波長板1
78と、透過した拡大されたレーザビームが対物レンズ
146透過後レーザビーム149と同一平面に焦点を結
ぶようにする補正レンズ174と、ダイクロイックミラ
ー145を透過させてレーザビーム129とともに試料
182に照射させるとともに試料182からの反射光を
ビームスプリッタ173に反射させるためのミラー17
5と、ビームスプリッタ173で反射した反射光を集光
する集光レンズ176と、ナイフエッジ179と、2分
割受光素子177とから構成されている。
【0032】画像処理ユニット191は、試料182か
らの反射光、透過光より各検出器によって検出された検
出信号を受信し、受信した検出信号から画像を生成し、
順次記憶するとともに、レチクルに形成されている回路
パターンであるダイ同士の比較により検査をする場合に
用いられる既に検査された参照ダイの画像データを蓄積
しておく画像データ蓄積部191bと、ダイとダイのデ
ータベースとの比較検査をする場合にデータベースから
得られる対応する画像データを蓄積しておくためのデー
タベース記憶部191aと、検査の結果の欠陥情報を記
憶する欠陥情報記憶部191cおよび、画像処理ユニッ
ト内各部のデジタル動作を統轄制御し外部機器とインタ
ーフェースするための画像処理制御部191dとから構
成される。
【0033】表示部192は画像や欠陥情報等の表示を
し、オペレータ等に欠陥内容を知らせるためのものであ
り、CRT等のデイスプレーが使用される。また、後述
するデータ入力部193からの入力を編集する際の表示
用等にも利用される。
【0034】データ入力部193は、前述したデータベ
ースの入力用や、表示部192の表示内容の指示等のマ
ン−マシンのインタフェース用に使用され、通常はキー
ボードが使用される。
【0035】次に、本発明の第1の実施の形態の動作に
ついて説明する。使用するレーザビームは集束性即ち試
料182上でのスポットサイズをいかに小さくするかを
考慮すると、より短波長の紫外域の波長が望ましいが、
360nm以下の波長帯では使用できるレンズ材が極端
に限られ収差の小さい対物レンズを製作することが極め
て困難になること、レーザビームを偏向操作する手段の
製作も難しいことから本実施例では波長が363.8n
mのArレーザのUV光を用いて良好な結果が得られ
た。
【0036】照明光となるレーザ光源111から出たレ
ーザビーム119は、偏向走査手段120、125でY
方向に偏向走査された後、2分割光学系130によりP
偏光、S偏光に分割されXYステージに保持されている
検査対象の試料182に照射される。
【0037】図3を参照する。図3は本発明の第1の実
施の形態の偏向走査のタイミングチャートであり、図中
符号301は1回目Yスキャン開始信号、302は2回
目Yスキャン開始信号、305は1回目走査中信号、3
06は2回目走査中信号、307はY軸偏向走査信号、
308はY軸偏向走査信号の0レベルである。
【0038】図4は第1の実施の形態の試料面上の走査
レーザビームの走査状態を示す説明図であり、(a)は
走査状態の模式図、(b)はY軸偏向走査信号と経過時
間とのグラフである。符号310は走査領域1、311
は第1のビームの走査領域1−1、312は第2のビー
ムの走査領域1−2、411は第1のビームのスポット
開始位置、412、413はスポット位置、414は1
回目終了位置、415は2回目開始位置、421は第2
のビームのスポット開始位置、422、423はスポッ
ト位置、424は1回目終了位置、425は2回目開始
位置である。
【0039】図3において、偏向走査手段120、12
5の超音波偏向器121、126にはY軸偏向走査信号
307で示すような駆動信号が印加される。クロックパ
ルスCLKに同期をとって、X軸ステージが所定の位置
に来た時に1回目Yスキャン開始信号301が生成し、
1回目Yスキャン開始信号301から1回目走査中信号
305が生成され、また、Y軸偏向走査信号307で示
される駆動信号が生成される。1回目走査中信号305
がON中、2分岐されたレーザビームが各々、試料18
2の走査領域1−1および走査領域1−2のパターン面
上を偏向走査し画像データをサンプリングする。
【0040】走査領域1の走査が終了するタイミング
で、1回目Y走査中信号305がOFFすると、Y軸偏
向走査信号307はY軸偏向走査信号の0レベル308
まで速やかに戻り、2回目Yスキャン開始信号302に
より2回目走査中信号306がONするまで待機する。
待機の時間は、できる限り短時間に設定される。
【0041】図4において、試料182のパターン面上
でのレーザビームのスポットの動きを説明すると、2分
岐された各レーザビームは、初めスポット位置411、
および421に位置しており、Y軸偏向走査信号307
により順次、矢印Aの方向に移動する。Y軸走査信号3
07は直線ではなく図4(b)に示すように各スポット
位置でステップ状に増加する。
【0042】1回目走査中信号305がOFFとなるタ
イミングは、各レーザビームが領域1のY軸方向走査の
終了位置414および424の位置に偏向走査されたタ
イミングに設定される。1回目走査中信号305がOF
Fすると、Y軸偏向走査信号307はY軸偏向走査信号
の0レベル308まで速やかに戻るので、各レーザビー
ムも照射開始位置に戻り、XYステージ181のX軸方
向への移動により2回目の偏向走査開始位置415、お
よび425となり、2回目Yスキャン開始信号302に
より2回目走査中信号306がONするまで待機する。
【0043】2回目Yスキャン中信号306がONする
と、1回目Yスキャンの場合と同様にY軸偏向走査信号
307を発生し偏向器に印加される。以降、同様の動作
が走査領域1の全面に対して所定回数、繰り返し行われ
る。
【0044】図5は本発明の第1の実施の形態の偏向走
査信号の発生回路のブロック構成図であり、図中符号3
31はクロックパルス、332はカウンタ、333はメ
モリ、334はD/A変換器、335は増幅器である。
【0045】偏向走査手段120、125に入力するY
軸偏向走査信号307は、図5を参照するとクロックパ
ルスCLK331の入力数をカウントするカウンタ33
2、クロックの一定数をカウントするたびに加算した累
積値を出力する演算処理を行うメモリ333、メモリ3
33のデイジタル出力を入力としアナログ値に変換する
D/A変換器334および増幅器335の出力から生成
される。
【0046】図6はXYステージの模式的動作説明図で
あり、(a)はXYステージの斜視図、(b)は本発明
の第1の実施の形態の動作、(c)は従来例の動作を示
す。図中符号181はXYステージ、186はXステー
ジ、187はYステージ、188はθステージ、31
0、610は1回目の走査領域、320は2回目の走査
領域、340は走査レーザビーム照射位置、341はP
偏向走査レーザビーム、341aはPビーム端部、34
2はS偏向走査レーザビーム、342bはSビーム端
部、382、682は試料、383、683は第1の検
査領域、384、684は第2の検査領域、385、6
85は第3の検査領域、386、387は試料端部であ
る。
【0047】図6(b)を参照すると、XYステージ1
81は試料382を搭載しX軸に沿って一方向に移動
し、試料端部387が走査レーザビーム照射位置340
の位置に到達したとき停止し、図6(b)に示す1回目
走査領域310のX軸方向送りが終了する。
【0048】この位置340は固定位置であり、この位
置で2分岐されたレーザビームはそれぞれY方向に走査
され、例えば、P偏光走査レーザビーム341、S偏光
走査レーザビーム342となる。なお、説明に便利なよ
うにレーザビーム341の一端341a、レーザビーム
342の一端342bは離して表示しているが、実際は
オーバラップするように各レーザビーム341および3
42の走査幅が設定される。
【0049】次に、XYステージ181はY方向(矢印
Aの方向)に2ステップ送られた後、前と反対のX軸方
向に送られ、2回目走査領域320のX軸方向送りが開
始し、検査対象の試料端部386が走査レーザビーム照
射位置340の位置に到達したとき停止する。
【0050】図6(b)には図示しないが、3回目、4
回目など多回目走査領域がある場合は、検査対象の試料
全面にわたり走査レーザビーム341、342が走査さ
れるようにX軸方向にスキャン、Y軸方向にステップ送
り駆動される。
【0051】この間、レーザビーム119の出力強度
は、パワーモニタ116で常時監視されており、このパ
ワーモニタ116の検出信号を利用しアッテネータ11
2をレーザパワー制御装置(図示せず)により制御して
レーザビーム119の出力強度を一定に保持している。
【0052】上述した動作は、システム制御部190に
より他の構成要素の動作と連動して行われる。
【0053】なお、従来技術においては、図6(c)に
示すように、本発明の如き2分割したレーザビームを使
用していないので、1回目走査領域は本発明に係る1回
目走査領域の2分の1の走査幅であり、X軸方向の移動
は同様であるがY方向の送りは1ステップ送りとならざ
るを得ない。従って、本発明に比ベ当然に検査対象の試
料の検査時間は2倍ほど余計にかかることになる。言い
換えれば、本発明は従来技術に比ベて、検査時間が2分
の1となり大きな効果を得ることができる。
【0054】図2を参照して光学システム110の動作
について詳細を説明する。UV−Arレーザを使用した
レーザ光源111から照射されたレーザビーム119
は、アッテネータ112で出力強度が調整された後、ス
ペーシャルフィルタ113を透過して超音波偏向器12
1および126の一対の組み合わせによる偏向走査手段
により検査画像のY方向〔図6(b)参照〕)に偏向走
査される。超音波偏向器126を出たレーザビームはシ
リンドリカルレンズ114でX軸方向に集束される。Y
軸方向には超音波偏向器126自身の集束作用により、
シリンドリカルレンズ114と同一焦点位置に集光され
る。次に、ビームスプリッタ115を介してリレーレン
ズ117、四分の一波長板118を透過し、レーザビー
ムの2分割光学系130により分岐される。
【0055】ビームスプリッタ115を透過したレーザ
ビームは、パワーモニタ116で受光されレーザビーム
の強度変化を監視する。
【0056】2分割光学系130に入射したレーザビー
ムは四分の一波長板118により円偏光状態であり、ポ
ラライザ131によりP偏光、S偏光の2レーザビーム
に分岐される。分岐された一方のレーザビーム139は
ミラー132aを介してウエッジ板133によりその光
軸の方向が変えられた後、ミラー132bを介してポラ
ライザ134に入射する。
【0057】他方のレーザビーム138は伝送距離調整
用のミラー132c、132d、132e、132fを
介してポラライザ134に入射する。ポラライザ134
では、ポラライザ131で2分岐されたレーザビーム1
38と139の両レーザビームが合成される。この合成
レーザビームはP偏光、S偏光から成っている。
【0058】この両レーザビーム間では互いにわずかに
異なる光軸方向を持っている。この光軸方向の相違はウ
エッジ板133の傾きを調整することにより図6(b)
に示す試料182上の走査領域幅相当で両レーザビーム
が分離されるように調整される。レーザビームを検査試
料面上に集光させた状態では、例えばウエッジ板133
の17′の傾きが検査試料面上で0.05μm程度の位
置変化となり、極めて精度良く調整できる。このよう
に、レーザビームのY方向変更手段が1系統にもかかわ
らず、試料182上の2つの領域を同時にスキャンし、
並列処理することができる。
【0059】2分割光学系130からでたレーザビーム
129はハーフミラー141を透過し、ガルバノミラー
142、ミラー143で反射されてテレスコープ144
に入射する。ガルバノミラー142は、レーザビームの
進行方向を変えるとともにステージスキャンの代りにX
軸方向へのビーム移動を行ない、ある範囲の画像を取得
するためにも使用される。レチクルパターンの検査を行
う場合には、後述のようにレチクルを搭載したXYステ
ージ181をX方向に移動させることにより画像を取得
している。
【0060】テレスコープ144より出射したレーザビ
ームは、ダイクロイックミラー145で反射され、該レ
ーザビームと後述するダイクロイックミラー145を透
過したオートフォーカス用のレーザビームとが混合した
上で、対物レンズ146に入射する。
【0061】テレスコープ144により検査対象の試料
182上のレーザビームの走査スポットの大きさおよび
走査範囲を変化させることができるので、検出可能な欠
陥の最小値を選択できる。また、走査スポットサイズに
比例して走査範囲の長さを大きくするように、テレスコ
ープ144のレンズ系を設計することが可能である。テ
レスコープ144を出たレーザビームは対物レンズ14
6により試料182の面上に集束される。
【0062】レーザ光源111から射出され試料182
に照射されたレーザビーム119は、試料182のパタ
ーン面から一部が反射され元のレーザビームの光路を戻
るが、ハーフミラー141により反射され反射光検出部
150のポラライザ152の方向に向って進む。この反
射レーザ光がポラライザ152に入射し、ポラライザ1
52を透過したP偏光は、コンデンサレンズ153によ
り集束されて反射光検出器154に受光される。一方、
ポラライザ152で反射した反射光はポラライザ155
により、S偏光がコンデンサレンズ156に入射し集束
されて反射光検出器157に受光される。
【0063】一方試料182を透過した透過レーザ光は
コレクタレンズ161で集光され、ポラライザ162で
P偏光が透過しコンデンサレンズ163により集束され
て透過光検出器164に受光される。他方、ポラライザ
162で反射されたレーザビームはポラライザ165に
より、S偏光が反射されコンデンサレンズ166に入射
し集束されて透過光検出器167に受光される。
【0064】オートフォーカス部170のHe−Neレ
ーザ(波長632.8nmの直線偏光のレーザ)等を使
用するオートフォーカス用光源171から照射されたレ
ーザビームは、所望のビーム径を得るためのビームエキ
スパンダ172、ビームスプリッタ173、四分の一波
長板178、補正レンズ174、光路の向きを替えるミ
ラー175、ダイクロイックミラー145を通り、対物
レンズ146により、試料182の面に照射される。試
料182の面で反射された反射光は、試料182への入
射方向と反対方向に戻り、ダイクロイックミラー145
を透過しミラー175で反射されて進行方向を変え、さ
らに四分の一波長板178の作用によりビームスプリッ
タ173で反射され集光レンズ176で集束され2分割
受光素子177に入射する。2分割受光素子177の前
には、光路の半分を遮るようにいわゆるナイフエッジ1
79と呼ばれる遮光板が配置されている。
【0065】ナイフエッジ179は、試料182表面が
合焦点位置にある場合にのみ、2分割受光素子の表面で
戻りHe−Neレーザ光が焦点を結び、かつ両方の受光
面に均等にHe−Neレーザ光が入射するように調整さ
れる。試料182の表面の高さ方向の変化があった場
合、戻りレーザ光の焦点位置が変わり、ナイフエッジ1
79によりその光路の一部が遮られるため、2分割受光
素子177の各受光面の入射光量がアンバランスにな
る。その差分を検出信号として取り出し、対物レンズ1
46を駆動するサーボ機構(図示せず)により、対物レ
ンズ146の上下位置を変えて、照明用のレーザ光源1
11からのレーザビームと、オートフォーカス用のレー
ザ光源171からのレーザビームとを試料面上に焦点が
合致するように対物レンズ146の上下方向の位置調整
フィードバック制御が行われる。
【0066】本実施例にて、パターン外観検査用レーザ
光源111とは異なる波長帯のレーザ光をオートフォー
カス用として使用するのは次のような理由による。本発
明の適用を考えている高精度なパターンの検査において
は、試料182表面上でのレーザのスポットサイズを波
長オーダまで小さく絞ることが求められるが、このため
には対物レンズ146のNAを相等程度大きくしなけれ
ばならない。高NAの対物レンズでは必然的に焦点深度
が浅くなる。本実施例の場合も、オートフォーカスの必
要追従精度は0.05μmである。これだけの精度を達
成するためには、オートフォーカスのディテクタである
2分割受光素子177での信号の差分が明瞭に検出でき
ることが鍵となる。2分割受光素子177として、実用
に耐えるものが半導体素子しかないことを考えると、半
導体素子の受光感度の低いUV光を使用するのは得策で
はなく、充分に感度の高い波長帯であるHe−Neレー
ザの使用が有利である。
【0067】次に、図6を参照して検査中のXYステー
ジ181の動作について説明する。レチクルなどの試料
182は図6(a)に示されるようなX、Y、θ方向の
3自由度を有するXYステージ181上に設置されてい
る。本実施の形態ではXYステージ181はステージ1
86、Yステージ187、θステージ188の順に積層
された構造を有し、X方向に走行しながら検査画像を取
得するものとして説明する。
【0068】試料182は、図示されていない搬送機構
によりステージ181上に位置決めされ、固定保持され
る。次に試料182上のパターンとステージのX方向と
の角度誤差を合わせるために、θステージ188を動か
し、いわゆるアライメント調整を行う。θステージ18
8を採用することによりステージのX、Y補間動作など
で行うのに比べ高精度が維持できる。
【0069】検査時のステージ181の動作は次の通り
である。まず、Xステージ186を等速度で自動送り
し、その間定められた検査領域383、384、385
の範囲内を過ぎるまで、Yステージ187は停止位置決
め状態を維持しアライメント補間動作は行わない。Xス
テージ186が検査領域385を過ぎ、停止したところ
で、Yステージ187をステップ送りし、再度Xステー
ジ186を前回とは逆方向に等速自動送りする。
【0070】Xステージ186が等速移動中、Y軸方向
に超音波偏向器121、126でUV−Arレーザビー
ムを検査領域383、384、385上を繰り返しスキ
ャンし、上述の反射光検出部150、透過光検出部16
0で信号を受光することで検査用の画像を取得してい
る。
【0071】各ステージは、サーボモータによる回転運
動をボールねじで直線運動に変換する機構により駆動さ
れる。
【0072】最後に信号処理の方法について説明する。
画像処理ユニット191では、試料182からの透過
光、反射光による各検出器からのそれぞれの検出信号を
受信し、受信した検出信号から画像データを生成し、画
像データ蓄積部191bに記憶する。通常形状欠陥、ミ
スサイズなどのいわゆるパターンの外観欠陥を検査する
場合には、透過光による画像のみ、異物の検査をする場
合には、反射光による画像のみを使用することが多い。
同一レチクル上に同じ回路パターンが複数形成されてい
る場合に、それぞれの回路パターンの相当する部分の検
査画像同士を比較して検査する方法、即ちダイ同士の比
較により検査をするいわゆるダイ−ダイ検査と呼ばれて
いる方法を取る場合には、検出器により取得した画像デ
ータと、既に検査されて画像データ蓄積部191bに記
憶されている同一の特徴を有する参照ダイの画像データ
とを比較し、不一致が発見されると欠陥情報としてその
欠陥の位置、欠陥画像データ、参照データが欠陥情報記
憶部191cに記憶される。
【0073】一方、ダイとデータベースとの比較検査を
する場合には、検査対象のダイの画像データとこれに対
応するデータベース記憶部191bから得られる画像情
報とを比較することにより欠陥が検出され欠陥情報が記
憶される。
【0074】表示部192では、画像や欠陥情報等の表
示をし、オペレータ等に欠陥内容を知らせる。
【0075】次に、本発明の第2の実施の形態について
図面に基づき説明する。図7は本発明の第2の実施の形
態の高精度パターンの外観検査装置の光学システムの詳
細ブロック構成図である。図中符号711はレーザ光
源、712はアッテネータ、713はスペーシャルフィ
ルタ、714はシリンドリカルレンズ、715はビーム
スプリッタ、716はパワーモニタ、717はリレーレ
ンズ、718は四分の一波長板、719はレーザビー
ム、721は超音波偏向器、722はビームエキスパン
ダ、723は二分の一波長板、726は超音波偏向器、
728、729はレーザビーム、730は2分割光学
系、731はビームスップリッタ、732a、732
b、732c、732d、732e、732fはミラ
ー、734はプリズム、735、736は超音波変調
器、738、739はレーザビーム、741はハーフミ
ラー、742はガルバノミラー、743はミラー、74
4はテレスコープ、745はダイクロイックミラー、7
46は対物レンズ、749はレーザビーム、750は反
射光検出部、753はコンデンサレンズ、754は反射
光検出器、760は透過光検出部、761はコレクタレ
ンズ、763はコンデンサレンズ、764は透過光検出
器、770はオートフォーカス部、771は光源、77
2はビームエキスパンダ、773はビームスプリッタ、
774は補正レンズ、775はミラー、776は集光レ
ンズ、777は2分割受光素子、778は四分の一波長
板、779はナイフエッジ、782は試料である。
【0076】第2の実施の形態の第1の実施の形態との
違いは、図7を参照すると、第一に、2分割光学系73
0にある。すなわち、第1の実施の形態における図2の
2分割光学系130のポラライザ131は、ビームスプ
リッタ731に置き換えられ、また、ポラライザ134
は分岐したレーザビーム738、739を合成するプリ
ズム734に置き換えられる。さらに分岐された両レー
ザビーム738および739の光路中には超音波変調器
735、736が配置される。
【0077】第2に、反射光検出部750では、図2に
記載のポラライザ152、155は不要となり、1組の
コンデンサレンズ753、反射光検出器754とからな
る。透過光検出部760では、図2に記載のポラライザ
162、165は不要となり、コレクタレンズ761、
コンデンサレンズ763、透過光検出器764のみから
なる。その他の構成は図2と全く同様であり、説明を省
略する。
【0078】第2の実施の形態の動作につき第1の実施
の形態との相違点を中心に説明する。図7を参照する
と、レーザ光源711から照射されたレーザビーム71
9はビームスプリッタ715で進路を変え、2分割光学
系730に入射する。
【0079】2分割光学系730に入射したレーザビー
ム728はビームスプリッタ731により、レーザビー
ム738および739の2つに分割される。
【0080】レーザビーム738は超音波変調器73
5、レーザビーム739は超音波変調器736によりそ
れぞれアナログ変調を受け、それぞれ光としての強度の
変化を受ける。このアナログ変調は後に説明するように
時分割方式で行われる。
【0081】図8は本発明の第2の実施の形態の偏向走
査のタイミングチャートであり、図中符号801は1回
目Yスキャン開始信号、802は2回目Yスキャン開始
信号、805は1回目走査中信号、806は2回目走査
中信号、807はY軸偏向走査信号、808はY軸偏向
走査信号の0レベル、811は第1ビーム変調信号
(a)、812は第2ビーム変調信号(b)である。
【0082】1回目走査領域1の2分岐されたそれぞれ
の走査領域に対応し、第1のビームの走査領域には1−
1変調信号aのタイミングで超音波変調器735が第1
ビーム変調信号811を出力し、第2のビームの走査領
域には1−2変調信号bのタイミングで超音波変調器7
36が第2ビーム変調信号812を出力して変調動作を
行う。
【0083】図7のレーザビーム739は、ウエッジ板
733によってその傾きを変えられる。この傾きは第1
の実施の形態で説明したと同様に、図6(a)に示す試
料382の走査領域の幅相当で調整される。
【0084】アナログ変調された両レーザビームは合成
用プリズム734により合成され、第1の実施の形態で
説明したと同様に試料782に照射される。
【0085】試料782の面上での走査レーザビームの
動作を図8、9、10を参照して説明する。
【0086】図9は、第2の実施の形態の試料面上の走
査レーザビームの走査状態を示す説明図であり、(a)
は走査状態の模式図、(b)はY軸偏向走査信号と経過
時間とのグラフである。図10は第2の実施の形態の走
査領域、変調信号およびY軸偏向走査信号との対応関係
を示す模式図である。図中符号810は走査領域1、8
11は第1のビームの走査領域1−1、812は第2の
ビームの走査領域1−2、911は第1のビームのスポ
ット開始位置、912、913、914、915、91
6、917はスポット位置、918は1回目終了位置、
919は2回目開始位置、921は第2のビームのスポ
ット開始位置、922、923、924、925、92
6、927はスポット位置、928は1回目終了位置、
929は2回目開始位置である。
【0087】2分岐された各レーザビームは、初めスポ
ット位置911、および921に位置しており、Y軸偏
向走査信号807により順次、矢印Aの方向に移動す
る。この間、2分岐されたレーザビームは上述のように
各々交互に変調を受けるので、試料782のパターン面
上の走査領域1−1、および1−2に照射されたレーザ
ビーム強度の強弱が交互に現れることになる。
【0088】図9中で大線の円911、913、91
5、917、919等は強度の強いレーザビーム、細線
の円912、914、916、918等は強度がほぼゼ
ロのレーザビームであることを示している。
【0089】説明のために、便宜的に走査領域1−1側
のレーザビームをP偏光、走査領域1−2側のレーザビ
ームをS偏光とする。走査領域1−1に対応するP偏光
のレーザビームが円911、913、915、917等
の位置にあるとき、言い替えると図8の1回目Y軸走査
中信号805がONで第1ビーム変調信号811の1−
1変調信号aが○Nのときに、図7の反射光検出部75
0により検出される反射光が試料782の走査領域1−
1に対応する反射光検出信号となる。
【0090】このとき、同時に走査領域1−2からもS
偏光のレーザビームの反射光が反射光検出部750によ
り検出されるが、細線の円921、923、927等に
対応するほぼゼロに等しい強度のレーザビームであるの
で、その反射検出信号は走査領域1−1からの大きい反
射検出信号とは識別される。
【0091】走査領域1−2に対応するS偏光のレーザ
ビームが円922、924、926、928の位置にあ
るとき、言い替えると図8の1回目Y軸走査中信号80
7がONで第2ビーム変調信号812の1−2変調信号
bがONのときに、反射光検出部750により検出され
る反射光が、試料782の走査領域1−2に対応する反
射光検出信号となる。このとき同時に走査領域1−1か
らもP偏光のレーザビームの反射光が反射光検出部75
0により検出されるが、細線の円912、914、91
6、918等に対応するほぼゼロの強度のレーザビーム
であるので、その反射検出信号は走査領域1−2からの
強度の大きい反射検出信号とは識別される。
【0092】本実施の形態は、前述したごとく変調信号
に同期した反射光検出手段を採用しており第1の実施の
形態に示した反射光検出部29でのP偏光、S偏光の分
離手段は不要となっており、レーザ光の偏光状態によら
ず2分岐されたレーザビームでの2箇所の同時検出が可
能である。
【0093】また、偏光を利用して2分岐する光学系に
適用することも可能であり、その場合は、よりS/N比
の良好な検出が可能である。
【0094】図10に変調信号a,bと、走査領域1−
1、および1−2、Y軸偏向走査信号907との対応関
係がさらに詳細に示されている。
【0095】試料782の透過光は、図7の透過光検出
部760のコレクタレンズ761、コンデンサレンズ7
63を透過して透過光検出器764により検出される。
透過光信号の検出方法は、反射光検出信号の検出につき
前述したと同様に行われるので説明を省略する。
【0096】また、他の動作は第1の実施例で前述した
ものと同様であるので説明は省略する。
【0097】第3の実施の形態について図11を参照し
て説明する。図11は本発明の第3の実施の形態の高精
度パターンの外観検査装置のレーザビームを4分割する
光学系の概略ブロック構成図である。図中符号1120
は第1の2分割光学系、1121はビームスプリッタ、
1122はミラー、1123はウエッジ板、1127、
1128、1129はレーザビーム、1130は第2の
2分割光学系、1133はウエッジ板、1135は超音
波変調器、1140は合成光学系、1141はミラー、
1142は合成プリズム、1149はレーザビームであ
る。
【0098】第3の実施の形態は、ビームスプリッタ1
121、ミラー1122、ウエッジ板1123からなる
第1の2分割光学系1120と、第2の実施の形態にて
説明したと同様の第2の2分割光学系1130を2式
と、ミラー1141、合成プリズム1142を含む2分
岐されたレーザビームを合成する合成光学系1140と
から構成される。
【0099】第3の実施の形態の動作について説明す
る。図11を参照すると、レーザビーム1129は第1
の2分割光学系1120により2分岐される。分岐され
たレーザビーム1127、1128はそれぞれ異なる第
2の2分割光学系1130に入射し、それぞれがさらに
2分岐されたレーザビームとなる。つまり、レーザビー
ム1129は4分岐されてそれぞれ加工された後に合成
用プリズム1149により合成されてレーザビーム11
49となり、試料1282(図12)に照射される。
【0100】このときのレーザビームの分岐後の状態を
説明すると、レーザビーム1129は、第1の2分割光
学系1120により2分岐され、一方のレーザビーム1
127の光路はウエッジ板1123により他方のレーザ
ビーム1128の光路に対して傾けられ両レーザビーム
間の位置が変えられて、それぞれが異なる第2の2分割
光学系1130に入射する。この両レーザビーム間の位
置の変化量は、レーザビーム1127が試料1282の
走査領域の1−1の領域、他方のレーザビーム1128
が試料1282の走査領域の1−3の領域を走査できる
分離幅に調整される。
【0101】傾きを与えられたレーザビーム1127は
第2の2分割光学系1130で更に2分岐されるが、こ
のとき一方の分岐レーザビームは第2の2分割光学系1
130のウエッジ板1133により他方のレーザビーム
に対して走査領域1−1相当の領域幅だけ分離され走査
領域の1−2の領域を走査できるように傾きが調整され
て両レーザビーム間の位置が決められる。この結果、レ
ーザビーム1127は2分岐され、2分岐されたレーザ
ビームの一方が走査領域1−1、他方のレーザビームは
走査領域1−2を走査するできるようになる。
【0102】また、第1の2分割光学系1120により
分岐されたもう一方のレーザビーム1128も他方の分
岐レーザビーム1127について前述したと同様に、相
互の位置がウエッジ板1133により同様に調整され、
走査領域1−3および1−4に照射される。すなわち、
当該4分岐されたレーザビームは各々、走査領域1の4
分割された領域1−1、1−2、1−3、1−4に対応
して照射される。
【0103】4分岐されたレーザビームはそれぞれの第
2の2分割光学系1130のプリズム1134と、合成
光学系1140とにより合成されてレーザビーム114
9となり、試料1282の面上の照射される。2分割光
学系内の合計4光路は超音波変調器1135によって時
分割方式でそれぞれ異なるタイミングでアナログ変調を
受け光としての強度の変化を受ける。
【0104】図12は本発明の第3の実施の形態のXY
ステージの模式的動作説明図であり、図中符号1210
は1回目の走査領域、1220は2回目の走査領域、1
227aは第1のレーザビーム、1227bは第2のレ
ーザビーム、1228aは第3のレーザビーム、122
8bは第4のレーザビーム、1282は試料、1283
は第1の検査領域、1284は第2の検査領域、128
5は第3の検査領域である。
【0105】走査領域1−1にはレーザビーム1127
の分岐した一方がレーザビーム1227a、走査領域1
−2にはレーザビーム1127の分岐した他方が122
7bのように走査される。走査領域1−3にはレーザビ
ーム1128の分岐した一方が1128a、走査領域1
−4にはレーザビーム1128の分岐した他方が112
8bのように走査される。
【0106】なお、分岐レーザビーム1127および1
128と走査領域との対応関係がこの関係と逆の場合で
も同様の効果があることはいうまでもない。
【0107】前述のように、レーザビームは4分割され
て試料1282の面上に照射される。このときの各分割
されたレーザビームは上述のようにそれぞれアナログ変
調されるが、その様子を図13、図14に示している。
【0108】図13は本発明の第3の実施の形態の偏向
走査のタイミングチャートであり、図中符号1301は
1回目Yスキャン開始信号、1302は2回目Yスキャ
ン開始信号、1305は1回目走査中信号、1306は
2回目走査中信号、1307はY軸偏向走査信号、13
08はY軸偏向走査信号の0レベル、1311は第1ビ
ーム変調信号、1312は第2ビーム変調信号、131
3は第3ビーム変調信号、1314は第4ビーム変調信
号である。
【0109】図14は第3の実施の形態の試料面上の走
査レーザビームの走査状態を示す模式図であり、図中符
号1210は走査領域1、1401は第1のビームのス
ポット開始位置、1402、1403、1404、14
07、1408、1409は弱スポット位置、140
5、1406は強スポット位置、1410は1回目終了
位置、1411は2回目開始位置、1421は第2のビ
ームのスポット開始位置、1423、1424、142
5、1426、1428、1429は弱スポット位置、
1422、1427は強スポット位置、1430は1回
目終了位置、1431は2回目開始位置である。
【0110】図13を参照すると、走査領域1−1に照
射されるレーザビームは第1ビーム変調信号1311で
ある1−1変調信号aのタイミング、走査領域1−2に
照射されるレーザビームは第2ビーム変調信号1312
である1−2変調信号bのタイミング、走査領域1−3
に照射されるレーザビームは第3ビーム変調信号131
3である1−3変調信号cのタイミング、走査領域1−
4に照射されるレーザビームは第4ビーム変調信号13
14である1−4変調信号dのタイミングでアナログ変
調される。
【0111】図14は、上述の変調を受けた各レーザビ
ームのスポットが試料16の面上で動作する状態を示し
ている。図14の4分岐の場合は、図9で説明した2分
岐レーザビームが4分岐レーザビームとなることによる
だけの変化なので詳細の説明は省略する。
【0112】図14に示すように、走査領域1−1では
変調信号aのタイミングに相当する大線の円1401、
1405、1406、1410、1411等で強いレー
ザビーム、他のタイミングではほぼ強度がゼロとなる弱
いレーザビームが試料1282の面上に照射される。走
査領域1−2では変調信号bのタイミングに相当する大
線の円1422、1427等で強いレーザビーム、他の
タイミングではほぼ強度がゼロとなる弱いレーザビーム
が照射される。
【0113】同様に走査領域1−3では変調信号cのタ
イミング、走査領域1−4は変調信号dのタイミングで
強いレーザビームが照射され、他のタイミングではほぼ
強度がゼロとなる弱いレーザビームが照射される。
【0114】試料1282からの反射光の信号の識別
は、各分岐したレーザビームに対する変調のタイミング
が2分割から4分割に変わるだけで、第2の実施の形態
で前述したと同様な方法により行われる。
【0115】簡単に説明すると、図13の時分割による
変調タイミング信号a,b,c,dおよび1回目走査中
信号1305を使用して検出される。図13の1回目走
査中信号1305での変調信号aのタイミングでの反射
光検出信号は、図12の走査領域1−1からの反射光検
出信号、変調信号bに相当するタイミングでの反射光検
出信号は走査領域1−2からの反射光検出信号、変調信
号cのタイミングでの反射光検出信号は走査領域1−3
からの反射光検出信号、変調信号dのタイミングでの反
射光検出信号は走査領域1−4からの反射光検出信号と
して各々識別して検出される。
【0116】走査領域2に関しては、2回目走査中信号
1306と、変調信号a,b,c,dを利用して同様に
反射光検出信号が識別して検出される。図示していない
が、走査領域3、4・・・がある場合も同様にして反射
光検出信号が識別して検出される。透過光の信号の識別
も同様に行なわれるので説明は省略する。
【0117】図15は本発明の第4の実施の形態の高精
度パターンの外観検査装置のレーザビームを8分割する
光学系の概略ブロック構成図である。図中符号1520
は第1の2分割光学系、1521はビームスプリッタ、
1522はミラー、1523はウエッジ板、1529は
レーザビーム、1530は第2の2分割光学系、154
0は合成光学系、1549はレーザビームである。
【0118】図15に示すように、更にレーザビーム1
529を8分岐したレーザビーム1549とする構成も
可能であり、更にまた10分岐、12分岐・・・とする
ことも可能である。
【0119】また、奇数分岐も可能である。この場合
は、例えば、5分岐ならば図15のミラー1522のレ
ーザビームを次ぎの第1の2分割光学系1520および
2分割光学系1530を通さずに、他の分岐レーザビー
ムと合成すれば良い。
【0120】さらに、第2の実施の形態の手法と、偏光
を利用する第1の実施の形態の方法との組み合わせを使
用することも可能であり、本発明にはこのような変形も
含むものである。
【0121】なお、オートフォーカス用の検出器には前
面にナイフエッジを配置した2分割受光素子177を使
用するいわゆるナイフエッジ法で記載したが、4分割受
光素子を用いるいわゆる非点収差法を用いてもよい。
【0122】
【発明の効果】第1の効果は、超音波偏向器とレーザビ
ーム2分割の手法とを組み合わせる検査方法により、従
来、単位時間あたり500ポイントの画像信号検出に留
まっていたところを、2倍の1000ポイントまで拡大
することができる。複数分割を行うことにより更に、単
位あたり画像処理のポイント数を増加できるので、LS
I製造用のレチクル等の欠陥検査時間を短縮でき生産性
向上に寄与できる。ひいては、LSI自体のコスト低減
にも著しい効果をもたらすものである。
【0123】第2の効果は、光源として波長が363.
8nmのUV光を使用することにより、従来の欠陥検出
の分解能約0.3μmに比ベ、欠陥サイズで0.1μm
が実現できるので、従来に比ベ高精度のパターンの欠陥
検出が可能となる。このことは、近年のLSI製造用の
レチクル等の微細化傾向に対して極めて有効な検査手法
を提供できることになる。
【0124】第3の効果は、オートフォーカス用光源と
して照明用のレーザ光源とは異なる独立した波長の異な
るHe−Neレーザ(波長632.8nm)等を使用し
ている。従来の同一レーザ光源をオートフォーカス用光
源に共用する手法に比ベて光軸調整等が容易でありオー
トフォーカスの検出精度も向上する効果をもたらす。第
4の効果は、X、Y、θ方向の3自由度を有するステー
ジを用いることにより試料のアライメント調整が高精度
で行われることである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の高精度パターンの外観検査装置のブロ
ック構成図である。
【図2】本発明の第1の実施の形態の検査装置の光学シ
ステムの詳細ブロック構成図である。
【図3】本発明の第1の実施の形態の偏向走査のタイミ
ングチャートである。
【図4】本発明の第1の実施の形態の試料面上の走査レ
ーザビームの走査状態を示す説明図である。(a)は走
査状態の模式図である。(b)はY軸偏向走査信号と経
過時間とのグラフである。
【図5】本発明の第1の実施の形態の偏向走査信号の発
生回路のブロック構成図である。
【図6】XYステージの模式的動作説明図である。
(a)はXYステージの斜視図である。(b)は本発明
の第1の実施の形態の動作を示す。(c)は従来例の動
作を示す。
【図7】本発明の第2の実施の形態の高精度パターンの
外観検査装置の光学システムの詳細ブロック構成図であ
る。
【図8】本発明の第2の実施の形態の偏向走査のタイミ
ングチャートである。
【図9】第2の実施の形態の試料面上の走査レーザビー
ムの走査状態を示す説明図である。(a)は走査状態の
模式図である。(b)はY軸偏向走査信号と経過時間と
のグラフである。
【図10】第2の実施の形態の走査領域、変調信号およ
びY軸偏向走査信号との対応関係を示す模式図である。
【図11】本発明の第3の実施の形態の高精度パターン
の外観検査装置のレーザビームを4分割する光学系の概
略ブロック構成図である。
【図12】本発明の第3の実施の形態のXYステージの
模式的動作説明図である。
【図13】本発明の第3の実施の形態の偏向走査のタイ
ミングチャートである。
【図14】本発明の第3の実施の形態の試料面上の走査
レーザビームの走査状態を示す模式図である。
【図15】本発明の第4の実施の形態の高精度パターン
の外観検査装置のレーザビームを8分割する光学系の概
略ブロック構成図である。
【符号の説明】
110 光学システム 111、711 レーザ光源 112、712 アッテネータ 113、713 スペーシャルフィルタ 114、714 シリンドリカルレンズ 115、715 ビームスプリッタ 116、716 パワーモニタ 117、717 リレーレンズ 118、718 四分の一波長板 119、719 レーザビーム 120 第1の偏向走査手段 121 超音波偏向器 122、722 ビームエキスパンダ 123、723 二分の一波長板 125 第2の偏向走査手段 126、726 超音波偏向器 128、129、728、729 レーザビーム 130、730 2分割光学系 131 ポラライザ 132a、132b、132c、132d、132e、
132f、732a、732b、732c、732d、
732e、732f ミラー 133、734、1133 ウエッジ板 134 ポラライザ 138、139、738、739 レーザビーム 141、741 ハーフミラー 142、742 ガルバノミラー 143、743 ミラー 144、744 テレスコープ 145、745 ダイクロイックミラー 146、746 対物レンズ 149、749 レーザビーム 150、750 反射光検出部 152、155 ポラライザ 153、156、753 コンデンサレンズ 154、157、754 反射光検出器 160、760 透過光検出部 161、761 コレクタレンズ 162、165 ポラライザ 163、166、763 コンデンサレンズ 164、167、764 透過光検出器 170、770 オートフォーカス部 171、771 光源 172、772 ビームエキスパンダ 173、773 ビームスプリッタ 174、774 補正レンズ 175、775 ミラー 176、776 集光レンズ 177、777 2分割受光素子 178、778 四分の一波長板 179、779 ナイフエッジ 181 XYステージ 182、382、682、1282 試料 186 Xステージ 187 Yステージ 188 θステージ 190 システム制御部 191 画像処理ユニット 191a データベース記憶部 191b 画像データ蓄積部 191c 欠陥情報記憶部 191d 画像処理制御部 192 表示部 193 データ入力部 301、801、1301 1回目Yスキャン開始信
号 302、802、1302 2回目Yスキャン開始信
号 305、805、1305 1回目走査中信号 306、806、1306 2回目走査中信号 307、807、907、1307 Y軸偏向走査信
号 308、808、1308 Y軸偏向走査信号の0レ
ベル 310、610、810、1410 走査領域1 311、811、 第1のビームの走査領域1−1 312、812、 第2のビームの走査領域1−2 320 2回目の走査領域 331 クロックパルス 332 カウンタ 333 メモリ 334 D/A変換器 335 増幅器 340 走査レーザビーム照射位置 341 P偏向走査レーザビーム 341a Pビーム端部 342 S偏向走査レーザビーム 342b Sビーム端部 383、683、1283 第1の検査領域 384、684、1284 第2の検査領域 385、685、1285 第3の検査領域 386、387 試料端部 411、911、1401 第1のビームのスポット
開始位置 412、413、912、913、914、915、9
16、917 スポット位置 414、918、1410 1回目終了位置 415、919、1411 2回目開始位置 421、921、1421 第2のビームのスポット
開始位置 422、423、922、923、924、925、9
26、927 スポット位置 424、928、1430 1回目終了位置 425、929、1431 2回目開始位置 731 ビームスプリッタ 734 プリズム 735、736、1135 超音波変調器 811、1311 第1ビーム変調信号 812、1312 第2ビーム変調信号 1120、1520 第1の2分割光学系 1121、1521 ビームスプリッタ 1122、1522 ミラー 1123、1523 ウエッジ板 1127、1128、1529 レーザビーム 1130、1530 第2の2分割光学系 1140、1540 合成光学系 1141 ミラー 1142 合成プリズム 1149、1549 レーザビーム 1210 1回目走査領域 1220 2回目走査領域 1227a、1227b、1228a、1228b
レーザビーム 1313 第3ビーム変調信号 1314 第4ビーム変調信号 1402、1403、1404、1407、1408、
1409、1423、1424、1425、1426、
1428、1429 弱スポット位置 1405、1406、1422、1427 強スポッ
ト位置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小椋 行夫 東京都港区芝五丁目7番1号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 中谷 勝彦 東京都港区芝五丁目7番1号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 相田 善明 東京都世田谷区新町三丁目5番3号 昭和 オプトロニクス株式会社内

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 試料面をレーザビームで検査する検査方
    法であって、 前記レーザビームを複数のレーザビームに分岐させるレ
    ーザビーム分岐工程と、 前記レーザビームのそれぞれに識別標識を付与する識別
    標識付与工程と、 前記試料面を識別標識を付与された複数の前記レーザビ
    ームで走査する走査工程と、 識別標識を付与された複数の前記レーザビームの反射光
    と透過光の少なくとも一方を用いて前記試料面の画像を
    提供する画像処理工程と、を備える検査方法。
  2. 【請求項2】 前記検査方法が、レーザビームを試料面
    上で走査させて、該試料面より反射する光線および該試
    料面を透過する光線の少なくとも一方を用いて検査を行
    なう高精度パターンの外観の検査方法であって、 前記レーザビームを偏向走査させる工程と、 前記レーザビームをそれぞれ異なる光軸をもつ複数のレ
    ーザビームに分岐させるレーザビーム分岐工程と、 前記分岐走査レーザビームにそれぞれを識別するための
    識別標識を付与する識別標識付与工程と、 複数に分岐され識別標識を付与された前記レーザビーム
    を前記試料面に焦点を結ばせて所定の手順で走査させる
    走査工程と、 前記試料面から反射した前記レーザビームおよび前記試
    料面を透過した前記レーザビームの少なくとも一方を検
    出する画像信号検出工程と、 前記検出工程で検出されたデータから前記識別標識によ
    りそれぞれの前記分岐走査レーザビームを識別してそれ
    ぞれに対応する前記試料面の画像を得る画像処理工程
    と、 前記検出工程で得られた前記試料面の画像と、既に得ら
    れている試料面の画像およびあらかじめ準備された画像
    情報データベースの少なくとも一方とを比較して、前記
    試料面の検査を行う検査工程と、を備える請求項1に記
    載の検査方法。
  3. 【請求項3】 前記レーザビーム分岐工程が、前記レー
    ザビームを2分割する工程と、分割された片方の前記レ
    ーザビームの光軸を傾斜させる工程と、2分割された前
    記レーザビームを合成する工程とを含む請求項1または
    請求項2に記載の検査方法。
  4. 【請求項4】 前記識別標識が、それぞれの前記分岐走
    査レーザビームに付与された異なる偏光状態である請求
    項1または請求項2に記載の検査方法。
  5. 【請求項5】 前記識別標識が、それぞれの前記分岐走
    査レーザビームに時分割方式で付与された光強度の変化
    である請求項1または請求項2に記載の検査方法。
  6. 【請求項6】 前記レーザビームが、紫外域の波長を有
    する請求項1または請求項2に記載の検査方法。
  7. 【請求項7】 前記照射工程は、前記試料面の異なる位
    置を、識別標識を付与されたそれぞれの前記レーザビー
    ムが同時に照射する工程を含む請求項1または請求項2
    に記載の検査方法。
  8. 【請求項8】 試料面をレーザビームで検査する検査装
    置であって、 前記レーザビームの光源と、 前記レーザビームを複数のレーザビームに分岐させるレ
    ーザビーム分岐手段と、 前記レーザビームのそれぞれに識別標識を付与する識別
    標識付与手段と、 前記試料面を識別標識を付与された複数の前記レーザビ
    ームで照射する照射手段と、 前記試料面より反射する反射光および該試料面を透過す
    る透過光の少なくとも一方を検出する検出手段と、 それぞれの識別標識を付与された複数の前記レーザビー
    ムを前記識別標識により識別し、前記検出手段から前記
    試料面の画像を得て、該試料面の欠陥検出を行う画像処
    理ユニットと、を備える検査装置。
  9. 【請求項9】 前記検査装置が、レーザビームを試料面
    上で走査させて、該試料面より反射する光線および該試
    料面を透過する光線の少なくとも一方を用いて検査を行
    なう高精度パターンの外観の検査装置であって、 前記レーザビームの光源と、 前記レーザビームを走査させる走査手段と、 前記レーザビームをそれぞれ異なる光軸をもつ複数のレ
    ーザビームに分岐させるレーザビーム分岐手段と、 前記分岐走査レーザビームにそれぞれを識別するための
    識別標識を付与する識別標識付与手段と、 分岐し識別標識を付与された前記レーザビームを前記試
    料面に焦点を結ばせて照射する照射手段と、 前記試料面より反射する前記レーザビームおよび該試料
    面を透過する前記レーザビームの少なくとも一方を検出
    する画像信号検出手段と、 前記識別標識によりそれぞれの前記分岐走査レーザビー
    ムを識別し、前記画像信号検出手段から得られる検出信
    号を用いて試料面の画像を得て、既に得られている試料
    面画像およびあらかじめ準備された画像情報データベー
    スの少なくともいずれか一方と比較することで欠陥検出
    を行う画像処理ユニット、所望の画像を表示する画像表
    示部、および外部からのデータを入力するための入力部
    を有するシステム制御手段と、 前記試料を保持して移動を行うXYステージと、を備え
    る検査装置。
  10. 【請求項10】 前記レーザビーム分岐手段が、前記レ
    ーザビームを2分割させる分割手段と、分割された片方
    の前記レーザビームの光軸を傾斜させる光軸変更手段
    と、2分割された前記レーザビームを合成する合成手段
    とを含む請求項8または請求項9に記載の検査装置。
  11. 【請求項11】 前記レーザビーム分岐手段が、前記レ
    ーザビームを2分割させる1個の分割手段と、分割され
    た片方の前記レーザビームの光軸を傾斜させる1個の光
    軸変更手段と、2分割された前記レーザビームを合成す
    る1個の合成手段とを含む単位レーザビーム分割手段
    の、並列および直列の少なくともいずれかでの複数の組
    み合せである請求項8または請求項9に記載の検査装
    置。
  12. 【請求項12】 前記光軸変更手段が、くさび型のガラ
    ス板を含む請求項10または11に記載の検査装置。
  13. 【請求項13】 前記識別標識付与手段で付与される前
    記識別標識が、それぞれの前記分岐走査レーザビームに
    付与された異なる偏光状態である請求項8または請求項
    9に記載の検査装置。
  14. 【請求項14】 前記識別標識付与手段で付与される前
    記識別標識が、それぞれの前記分岐走査レーザビームに
    時分割方式で付与された光強度の変化である請求項8ま
    たは請求項9に記載の検査装置。
  15. 【請求項15】 前記識別標識である光強度の変化を付
    与する前記識別標識付与手段が、それぞれの分岐した前
    記レーザビームにアナログ変調を与えて光強度を変化さ
    せる超音波変調手段と、所定の時分割方式で変調信号を
    前記超音波変調手段に出力する変調信号発生手段とを有
    する請求項14に記載の高精度パターンの外観の検査装
    置。
  16. 【請求項16】 前記レーザビームが、紫外域の波長を
    有する請求項8または請求項9に記載の検査装置。
  17. 【請求項17】 前記照射手段は、前記レーザビームと
    は異なる波長のフォーカス用レーザビームを前記試料面
    に照射し、該試料面からの反射光を集束させ、該集束光
    の焦点位置の変化を検出する焦点位置検出手段と、前記
    焦点位置検出手段の出力に基づいて前記レーザビームの
    焦点位置を調整する焦点位置調整手段とを有する請求項
    8または請求項9に記載の検査装置。
  18. 【請求項18】 前記焦点位置検出手段は、2分割受光
    素子と該反射光の光路の半分を遮断するナイフエッジと
    を有する請求項17に記載の検査装置。
  19. 【請求項19】 前記XYステージは、X方向にのみ移
    動が可能なXステージと、Y方向にのみ移動が可能なY
    ステージと、回転のみが可能なθステージとの積層構造
    を有する請求項8または請求項9に記載の検査装置。
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