JPH1018056A - リードフレーム用板とその製造方法 - Google Patents
リードフレーム用板とその製造方法Info
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- JPH1018056A JPH1018056A JP8172643A JP17264396A JPH1018056A JP H1018056 A JPH1018056 A JP H1018056A JP 8172643 A JP8172643 A JP 8172643A JP 17264396 A JP17264396 A JP 17264396A JP H1018056 A JPH1018056 A JP H1018056A
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- Laminated Bodies (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＩＣチップを表面に実装し、且つ配線基板上
に接続されるＩＣ素子に内蔵されるリードフレーム用板
に関し、外装メッキにＰｄを用い、該Ｐｄ薄層とＦｅ−
Ｎｉ系合金からなる基板間で局部電池の形成を防ぎ、耐
食性に優れ、低コストのリードフレーム用板とその製造
方法を提供する。 【解決手段】 ３０〜５０wt％のＮｉを含むＦｅ−Ｎｉ
系合金からなる基板２の両面に、ＮｉＡｌ及び/又はＮ
ｉ3Ａｌの薄層４を被覆したリードフレーム用板１。上
記ＮｉＡｌ及び/又はＮｉ3Ａｌの薄層１６の表面にＰｄ
の薄層１８を被覆したリードフレーム用板１０。更に、
３０〜５０wt％Ｎｉを含むＦｅ−Ｎｉ系合金からなる基
板１２の両面に、Ａｌ薄層１３とＮｉ薄層１５とＰｄ薄
層１８を被覆し、この多層板１９を４００〜８００℃に
加熱し、ＡｌとＮｉを相互に拡散させＮｉＡｌ及び/又
はＮｉ3Ａｌの薄層１６を得る工程を有するリードフレ
ーム用板１０の製造方法。
に接続されるＩＣ素子に内蔵されるリードフレーム用板
に関し、外装メッキにＰｄを用い、該Ｐｄ薄層とＦｅ−
Ｎｉ系合金からなる基板間で局部電池の形成を防ぎ、耐
食性に優れ、低コストのリードフレーム用板とその製造
方法を提供する。 【解決手段】 ３０〜５０wt％のＮｉを含むＦｅ−Ｎｉ
系合金からなる基板２の両面に、ＮｉＡｌ及び/又はＮ
ｉ3Ａｌの薄層４を被覆したリードフレーム用板１。上
記ＮｉＡｌ及び/又はＮｉ3Ａｌの薄層１６の表面にＰｄ
の薄層１８を被覆したリードフレーム用板１０。更に、
３０〜５０wt％Ｎｉを含むＦｅ−Ｎｉ系合金からなる基
板１２の両面に、Ａｌ薄層１３とＮｉ薄層１５とＰｄ薄
層１８を被覆し、この多層板１９を４００〜８００℃に
加熱し、ＡｌとＮｉを相互に拡散させＮｉＡｌ及び/又
はＮｉ3Ａｌの薄層１６を得る工程を有するリードフレ
ーム用板１０の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、集積回路(ＩＣ)チ
ップを表面に実装し、且つプリント配線基板上等に接続
されるＩＣ素子に内蔵されるリードフレーム用の板と、
その製造方法に関する。
ップを表面に実装し、且つプリント配線基板上等に接続
されるＩＣ素子に内蔵されるリードフレーム用の板と、
その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術とその問題点】これまで、リードフレーム
用の板は図４(Ａ)のように例えば４２wt％のＮｉを含む
Ｆｅ−Ｎｉ系合金製の厚さ約０．２mmの薄板５０が用い
られている。係る薄板５０を打抜き加工し、同図(Ｂ)の
ようにアイランド５２、インナーリード５４、及びアウ
ターリード５６を形成する。打抜き後のリードフレーム
５８のアイランド５２付近の表面には、Ａｇの内装メッ
キが施される。次に、上記アイランド５２の上面中央に
は、同図(Ｃ)のようにＩＣチップ６０がダイボンディン
グされる。次いで、このＩＣチップ６０と上記インナー
リード５４等の間に、同図(Ｄ)のようにワイヤ６２がボ
ンディングされる。更に、同図(Ｅ)のように上記アイラ
ンド５２やワイヤ６２のボンディング部を包囲するよう
に樹脂のモールディング６４が施される。また、周囲の
上記アウターリード５６の表面には、同図(Ｆ)のように
ハンダ６６が外装メッキされる。そして、係る外装メッ
キされたアウターリード５６を同図(Ｇ)のように、折り
曲げ加工し、所謂ＩＣ素子７０を得る。上記外装メッキ
のハンダ６６は、該ＩＣ素子７０を図示しない配線基板
上等に接続する際に接点となる。
用の板は図４(Ａ)のように例えば４２wt％のＮｉを含む
Ｆｅ−Ｎｉ系合金製の厚さ約０．２mmの薄板５０が用い
られている。係る薄板５０を打抜き加工し、同図(Ｂ)の
ようにアイランド５２、インナーリード５４、及びアウ
ターリード５６を形成する。打抜き後のリードフレーム
５８のアイランド５２付近の表面には、Ａｇの内装メッ
キが施される。次に、上記アイランド５２の上面中央に
は、同図(Ｃ)のようにＩＣチップ６０がダイボンディン
グされる。次いで、このＩＣチップ６０と上記インナー
リード５４等の間に、同図(Ｄ)のようにワイヤ６２がボ
ンディングされる。更に、同図(Ｅ)のように上記アイラ
ンド５２やワイヤ６２のボンディング部を包囲するよう
に樹脂のモールディング６４が施される。また、周囲の
上記アウターリード５６の表面には、同図(Ｆ)のように
ハンダ６６が外装メッキされる。そして、係る外装メッ
キされたアウターリード５６を同図(Ｇ)のように、折り
曲げ加工し、所謂ＩＣ素子７０を得る。上記外装メッキ
のハンダ６６は、該ＩＣ素子７０を図示しない配線基板
上等に接続する際に接点となる。
【０００３】ところで、環境保護の観点から、Ｐｂの使
用が規制され始めており、リードフレームにおいてもＰ
ｂを含む上記ハンダ６６による外装メッキが敬遠されつ
つある。そこで、前記打抜き後のリードフレーム５８の
表面全体にＰｄをメッキし、アウターリード５６にメッ
キされた上記Ｐｄメッキ層によって、配線基板上等に接
続する際の接点とすることも行われている。しかし、Ｐ
ｄのメッキ層はリードフレームの基板たる前記Ｆｅ−Ｎ
ｉ系合金との間に、電位差が大きいため、局部電池を形
成する。この結果、局部電池の作用によって、リードフ
レームの耐食性が低下し腐食するという問題が生じる。
そこで、係る局部電池の形成を防ぐため、Ｐｄのメッキ
層の下地としてＰｄとの電位差の小さいＡｕ、Ｐｔを予
め被覆することが考えられる。しかし、これらＡｕ、Ｐ
ｔはコストが高いため、実用性に乏しいという別の問題
点を有する。
用が規制され始めており、リードフレームにおいてもＰ
ｂを含む上記ハンダ６６による外装メッキが敬遠されつ
つある。そこで、前記打抜き後のリードフレーム５８の
表面全体にＰｄをメッキし、アウターリード５６にメッ
キされた上記Ｐｄメッキ層によって、配線基板上等に接
続する際の接点とすることも行われている。しかし、Ｐ
ｄのメッキ層はリードフレームの基板たる前記Ｆｅ−Ｎ
ｉ系合金との間に、電位差が大きいため、局部電池を形
成する。この結果、局部電池の作用によって、リードフ
レームの耐食性が低下し腐食するという問題が生じる。
そこで、係る局部電池の形成を防ぐため、Ｐｄのメッキ
層の下地としてＰｄとの電位差の小さいＡｕ、Ｐｔを予
め被覆することが考えられる。しかし、これらＡｕ、Ｐ
ｔはコストが高いため、実用性に乏しいという別の問題
点を有する。
【０００４】
【発明が解決すべき課題】本発明は、前記従来の技術の
問題点を解決し、外装メッキに前記ハンダに替えてＰｄ
を用い、このＰｄのメッキ等が容易に施せ、且つ、Ｐｄ
の薄層と基板との間において前述した局部電池の形成を
防ぎ、耐食性に優れ、しかも低コストで提供可能とする
リードフレーム用板とその製造方法を提案することを目
的とする。
問題点を解決し、外装メッキに前記ハンダに替えてＰｄ
を用い、このＰｄのメッキ等が容易に施せ、且つ、Ｐｄ
の薄層と基板との間において前述した局部電池の形成を
防ぎ、耐食性に優れ、しかも低コストで提供可能とする
リードフレーム用板とその製造方法を提案することを目
的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するため、発明者らの研究の結果、Ｐｄメッキ層の下
地に耐食性に優れ、安価なＮｉ−Ａｌ系の金属間化合物
の薄層を被覆することに、着目してなされたものであ
る。即ち、本発明のリードフレーム用板は、３０〜５０
wt％のＮｉを含むＦｅ−Ｎｉ系合金の基板の両面に、Ｎ
ｉＡｌ及び/又はＮｉ3Ａｌの薄層を被覆したことを特徴
とする。係るＮｉＡｌやＮｉ3Ａｌは、化学的に安定で
耐食性に優れる。また、本発明のリードフレーム用板
は、上記ＮｉＡｌ及び/又はＮｉ3Ａｌの薄層の表面に、
更にＰｄの薄層を被覆したことをも特徴とする。上記の
ＮｉＡｌやＮｉ3Ａｌは、Ｐｄとの間で局部電池を生じ
ず、且つ強固に密着する。上記ＮｉＡｌ及び/又はＮｉ3
Ａｌの薄層の厚さは、２〜１０μｍとされる。２μｍ未
満では耐食性が低下するおそれがあり、１０μｍを越え
ると耐食性は飽和し、且つ製造上の時間が長くなるた
め、上記の範囲とした。上記Ｐｄの薄層の厚さは、０．
１〜０．３μｍとされる。０．１μｍ未満では製造上被
覆することが困難で、接点としての安定性にも欠け、ま
た、０．３μｍを越えると接点の効果は飽和し、コスト
アップに繋がるため上記の範囲とした。
決するため、発明者らの研究の結果、Ｐｄメッキ層の下
地に耐食性に優れ、安価なＮｉ−Ａｌ系の金属間化合物
の薄層を被覆することに、着目してなされたものであ
る。即ち、本発明のリードフレーム用板は、３０〜５０
wt％のＮｉを含むＦｅ−Ｎｉ系合金の基板の両面に、Ｎ
ｉＡｌ及び/又はＮｉ3Ａｌの薄層を被覆したことを特徴
とする。係るＮｉＡｌやＮｉ3Ａｌは、化学的に安定で
耐食性に優れる。また、本発明のリードフレーム用板
は、上記ＮｉＡｌ及び/又はＮｉ3Ａｌの薄層の表面に、
更にＰｄの薄層を被覆したことをも特徴とする。上記の
ＮｉＡｌやＮｉ3Ａｌは、Ｐｄとの間で局部電池を生じ
ず、且つ強固に密着する。上記ＮｉＡｌ及び/又はＮｉ3
Ａｌの薄層の厚さは、２〜１０μｍとされる。２μｍ未
満では耐食性が低下するおそれがあり、１０μｍを越え
ると耐食性は飽和し、且つ製造上の時間が長くなるた
め、上記の範囲とした。上記Ｐｄの薄層の厚さは、０．
１〜０．３μｍとされる。０．１μｍ未満では製造上被
覆することが困難で、接点としての安定性にも欠け、ま
た、０．３μｍを越えると接点の効果は飽和し、コスト
アップに繋がるため上記の範囲とした。
【０００６】また、上記リードフレーム用板を得るため
の製造方法は、３０〜５０wt％のＮｉを含むＦｅ−Ｎｉ
系合金の基板の両面にＡｌ薄層を被覆する工程と、この
Ａｌ薄層の表面にＮｉ薄層を被覆する工程と、これらＡ
ｌ及びＮｉ薄層を被覆した積層板を４００〜８００℃に
加熱しＡｌとＮｉを相互に拡散させてＮｉＡｌ及び／又
はＮｉ3Ａｌの薄層を得る工程を有することを特徴とす
る。 拡散処理する際に上記温度範囲としたのは、４０
０℃未満では拡散が不十分になることがあり、８００℃
を越えるとＡｌが溶融化するおそれがあるためである。
更に、上記Ｎｉ薄層の表面にＰｄの薄層を被覆する工程
と、この工程の前又は後に、少なくともＡｌ及びＮｉ薄
層を被覆した積層板を４００〜８００℃に加熱しＡｌと
Ｎｉを相互に拡散させてＮｉＡｌ及び/又はＮｉ3Ａｌの
薄層を得る製造方法をも特徴とする。前記Ｎｉ及びＡｌ
薄層の被覆は、圧延圧接、メッキ、溶射、又は、蒸着の
何れかの方法によって行われる。また、Ｐｄ薄層の被覆
は、メッキによるのが好ましい。しかし、蒸着等によっ
て行うこともできる。
の製造方法は、３０〜５０wt％のＮｉを含むＦｅ−Ｎｉ
系合金の基板の両面にＡｌ薄層を被覆する工程と、この
Ａｌ薄層の表面にＮｉ薄層を被覆する工程と、これらＡ
ｌ及びＮｉ薄層を被覆した積層板を４００〜８００℃に
加熱しＡｌとＮｉを相互に拡散させてＮｉＡｌ及び／又
はＮｉ3Ａｌの薄層を得る工程を有することを特徴とす
る。 拡散処理する際に上記温度範囲としたのは、４０
０℃未満では拡散が不十分になることがあり、８００℃
を越えるとＡｌが溶融化するおそれがあるためである。
更に、上記Ｎｉ薄層の表面にＰｄの薄層を被覆する工程
と、この工程の前又は後に、少なくともＡｌ及びＮｉ薄
層を被覆した積層板を４００〜８００℃に加熱しＡｌと
Ｎｉを相互に拡散させてＮｉＡｌ及び/又はＮｉ3Ａｌの
薄層を得る製造方法をも特徴とする。前記Ｎｉ及びＡｌ
薄層の被覆は、圧延圧接、メッキ、溶射、又は、蒸着の
何れかの方法によって行われる。また、Ｐｄ薄層の被覆
は、メッキによるのが好ましい。しかし、蒸着等によっ
て行うこともできる。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下の本発明の実施に好適な形態
を図面と共に説明する。図１(Ａ)は、前記請求項１に記
載したリードフレーム用板１の部分断面図を示す。中央
の基板２は、厚さ0.15mmの４２wt％のＮｉを含むＦｅ−
Ｎｉ系合金からなる。因みにこの合金の組成は、Ｎｉ；
４２wt％、Ｃ；0.03wt％以下、Ｓｉ;0.5wt％以下、Ｐ；
0.01wt％以下、Ｓ；0.01wt％以下、残部Ｆｅである。こ
の基板２の上下両面には、ＮｉＡｌ及び/又はＮｉ3Ａｌ
の金属間化合物からなる厚さ５μｍの薄層４が被覆され
ている。通常この薄層４内は、ＮｉＡｌ及びＮｉ3Ａｌ
の双方を含み、内側に近い程ＮｉＡｌの濃度が高く、逆
に表面に近い程Ｎｉ3Ａｌの濃度が高くなる所謂傾斜濃
度を有している。 この傾斜濃度を得ることは後述する
製造方法によって可能となる。係る金属間化合物の薄層
４は、化学的に安定な性質を有するので、内部の基板２
を保護すると共に、Ｐｄのような電位的に貴な金属と接
触しても局部電池を形成せず耐食性も高められる。
を図面と共に説明する。図１(Ａ)は、前記請求項１に記
載したリードフレーム用板１の部分断面図を示す。中央
の基板２は、厚さ0.15mmの４２wt％のＮｉを含むＦｅ−
Ｎｉ系合金からなる。因みにこの合金の組成は、Ｎｉ；
４２wt％、Ｃ；0.03wt％以下、Ｓｉ;0.5wt％以下、Ｐ；
0.01wt％以下、Ｓ；0.01wt％以下、残部Ｆｅである。こ
の基板２の上下両面には、ＮｉＡｌ及び/又はＮｉ3Ａｌ
の金属間化合物からなる厚さ５μｍの薄層４が被覆され
ている。通常この薄層４内は、ＮｉＡｌ及びＮｉ3Ａｌ
の双方を含み、内側に近い程ＮｉＡｌの濃度が高く、逆
に表面に近い程Ｎｉ3Ａｌの濃度が高くなる所謂傾斜濃
度を有している。 この傾斜濃度を得ることは後述する
製造方法によって可能となる。係る金属間化合物の薄層
４は、化学的に安定な性質を有するので、内部の基板２
を保護すると共に、Ｐｄのような電位的に貴な金属と接
触しても局部電池を形成せず耐食性も高められる。
【０００８】図１(Ｂ)は、前記請求項２に記載したリー
ドフレーム用板１０の部分断面図を示す。中央の基板１
２は、前記と同様の４２wt％のＮｉを含むＦｅ−Ｎｉ系
合金からなる。この基板１２の上下両面には、前記と同
様のＮｉＡｌ及び/又はＮｉ3Ａｌの金属間化合物からな
る薄層１６が被覆されている。更に、この金属間化合物
の薄層１６の表面と、上記基板１２の端面には、Ｐｄの
厚さ0.3μmの薄層１８が後述するメッキ等により被覆さ
れている。係るＰｄの薄層１８は、リードフレームのア
イランドやインナーリードにおいては、ＩＣチップを実
装するための内装メッキ部分となる。また、アウターリ
ードにおいては、配線基板と接続するための外装メッキ
部分となる。更に、Ｐｄの薄層１８は、内側の上記金属
間化合物からなる薄層１６に密着し、且つ、その間にお
いて局部電池を形成せず、安定している。
ドフレーム用板１０の部分断面図を示す。中央の基板１
２は、前記と同様の４２wt％のＮｉを含むＦｅ−Ｎｉ系
合金からなる。この基板１２の上下両面には、前記と同
様のＮｉＡｌ及び/又はＮｉ3Ａｌの金属間化合物からな
る薄層１６が被覆されている。更に、この金属間化合物
の薄層１６の表面と、上記基板１２の端面には、Ｐｄの
厚さ0.3μmの薄層１８が後述するメッキ等により被覆さ
れている。係るＰｄの薄層１８は、リードフレームのア
イランドやインナーリードにおいては、ＩＣチップを実
装するための内装メッキ部分となる。また、アウターリ
ードにおいては、配線基板と接続するための外装メッキ
部分となる。更に、Ｐｄの薄層１８は、内側の上記金属
間化合物からなる薄層１６に密着し、且つ、その間にお
いて局部電池を形成せず、安定している。
【０００９】次に前記リードフレーム用板１０につい
て、本発明の製造方法を説明する。図２は、その製造工
程の概略を示し、同図(Ａ)は厚さ0.2mmの４２wt％のＮ
ｉを含むＦｅ−Ｎｉ系合金からなる基板１２で、その上
下両面に厚さ0.01mmのＡｌの薄板(箔)１３を積層し、圧
延して圧着した。このＡｌの薄板１３を圧着した基板１
２を、冷間圧延(圧化率27.3％×１パス)し、歪み取り焼
鈍(400℃×1分)を行って、同図(Ｂ)に示す厚さ0.16mmの
積層板１４を得た。上記Ａｌ薄板１３の材質は純Ａｌ系
(AA1090)である。上記積層板１４の上下両面に厚さ0.06
mmのＮｉの薄板１５を同様に圧延圧着し、冷間圧延(圧
化率46.4％×１パス)して、歪み取り焼鈍(400℃×２分)
を行い、同図(Ｃ)に示す厚さ0.15mmの積層板１７を得
た。上記Ｎｉ薄板１５の材質も純Ｎｉ系(99.9wt％以上)
である。
て、本発明の製造方法を説明する。図２は、その製造工
程の概略を示し、同図(Ａ)は厚さ0.2mmの４２wt％のＮ
ｉを含むＦｅ−Ｎｉ系合金からなる基板１２で、その上
下両面に厚さ0.01mmのＡｌの薄板(箔)１３を積層し、圧
延して圧着した。このＡｌの薄板１３を圧着した基板１
２を、冷間圧延(圧化率27.3％×１パス)し、歪み取り焼
鈍(400℃×1分)を行って、同図(Ｂ)に示す厚さ0.16mmの
積層板１４を得た。上記Ａｌ薄板１３の材質は純Ａｌ系
(AA1090)である。上記積層板１４の上下両面に厚さ0.06
mmのＮｉの薄板１５を同様に圧延圧着し、冷間圧延(圧
化率46.4％×１パス)して、歪み取り焼鈍(400℃×２分)
を行い、同図(Ｃ)に示す厚さ0.15mmの積層板１７を得
た。上記Ｎｉ薄板１５の材質も純Ｎｉ系(99.9wt％以上)
である。
【００１０】次に、この積層板１７をＰｄメッキ浴中に
て電気メッキし、同図(Ｄ)に示すように表面に厚さ０．
３μｍの均一なＰｄの薄層１８を有する多層板１９を得
た。上記メッキに際して、表面側のＮｉ薄板１５は、Ｐ
ｄの下地として作用する。そして、上記多層板１９をＡ
ｒ(アルコ゛ン)雰囲気中において、600℃に加熱し、10分間保
持した。係る熱処理は、互いに隣接する前記Ａｌの薄板
１３とＮｉの薄板１５との間において、Ａｌ原子はＮｉ
薄板１５中へ、また、Ｎｉ原子はＡｌ薄板１３中へそれ
ぞれ進入して拡散する。そして、相手の元素と結合し
て、ＮｉＡｌ及び/又はＮｉ3Ａｌの金属間化合物とな
る。これらの金属間化合物からなる薄層１６を中間層に
設けたのが、図２(Ｅ)に示すリードフレーム用板１０で
ある。
て電気メッキし、同図(Ｄ)に示すように表面に厚さ０．
３μｍの均一なＰｄの薄層１８を有する多層板１９を得
た。上記メッキに際して、表面側のＮｉ薄板１５は、Ｐ
ｄの下地として作用する。そして、上記多層板１９をＡ
ｒ(アルコ゛ン)雰囲気中において、600℃に加熱し、10分間保
持した。係る熱処理は、互いに隣接する前記Ａｌの薄板
１３とＮｉの薄板１５との間において、Ａｌ原子はＮｉ
薄板１５中へ、また、Ｎｉ原子はＡｌ薄板１３中へそれ
ぞれ進入して拡散する。そして、相手の元素と結合し
て、ＮｉＡｌ及び/又はＮｉ3Ａｌの金属間化合物とな
る。これらの金属間化合物からなる薄層１６を中間層に
設けたのが、図２(Ｅ)に示すリードフレーム用板１０で
ある。
【００１１】尚、ＮｉＡｌ及び/又はＮｉ3Ａｌの薄層１
６中においては、先にＡｌ薄板１３が位置していた内側
に近い程、Ａｌの分布密度が高いためＮｉＡｌを生じ易
いのでその濃度が高く、先にＮｉ薄板１５が位置してい
た表面に近い程、Ｎｉの分布密度が高いためＮｉ3Ａｌ
の濃度が高くなっている。 係る２種類の金属間化合物
の割合は、Ａｌ薄板１３とＮｉ薄板１５の板厚比によっ
て、ある程度制御することができる。前記方法によれ
ば、通常上記２種類の金属間化合物を傾斜濃度を持って
併有することが多い。しかし、本発明においては、片方
の金属間化合物のみでも、耐食性やＰｄとの密着性等の
点で支障はない。少なくともＰｄの薄層１８のすぐ内側
に、厚さ２μｍ以上の前記金属間化合物の薄層が存在し
ていれば、本発明の効果を得ることができる。尚、前記
Ｐｄの薄層１８のメッキは、前記積層板１７の段階で先
に拡散熱処理し、ＮｉＡｌ及び/又はＮｉ3Ａｌの薄層１
６を予め設けた後に行っても良い。
６中においては、先にＡｌ薄板１３が位置していた内側
に近い程、Ａｌの分布密度が高いためＮｉＡｌを生じ易
いのでその濃度が高く、先にＮｉ薄板１５が位置してい
た表面に近い程、Ｎｉの分布密度が高いためＮｉ3Ａｌ
の濃度が高くなっている。 係る２種類の金属間化合物
の割合は、Ａｌ薄板１３とＮｉ薄板１５の板厚比によっ
て、ある程度制御することができる。前記方法によれ
ば、通常上記２種類の金属間化合物を傾斜濃度を持って
併有することが多い。しかし、本発明においては、片方
の金属間化合物のみでも、耐食性やＰｄとの密着性等の
点で支障はない。少なくともＰｄの薄層１８のすぐ内側
に、厚さ２μｍ以上の前記金属間化合物の薄層が存在し
ていれば、本発明の効果を得ることができる。尚、前記
Ｐｄの薄層１８のメッキは、前記積層板１７の段階で先
に拡散熱処理し、ＮｉＡｌ及び/又はＮｉ3Ａｌの薄層１
６を予め設けた後に行っても良い。
【００１２】図３は、本発明のリードフレーム用板を用
いたＩＣ素子を得る製造工程順を示し、同図(Ａ)は、前
記リードフレーム用板１を、同図(Ｂ)はその表面にＰｄ
の薄層１８をメッキした前記リードフレーム用板１０を
示す。このＰｄ薄層１８は、従来の内・外装メッキに相
当するため、予めメッキ済みとなる。次に、このリード
フレーム用板１０を打抜き加工し、同図(Ｃ)のように中
央のアイランド２２、その周囲のインナーリード２４、
外側のアウターリード２６、及び外周の繋ぎ部２８から
なるリードフレーム２０とする。上記アイランド２２の
上面中央には、同図(Ｄ)のようにＩＣチップ３０がダイ
ボンディングされる。このＩＣチップ３０とインナーリ
ード２４との間に、上記Ｐｄ薄層１８を内装メッキとし
て利用し、同図(Ｅ)のように、ワイヤ３２がボンディン
グされる。
いたＩＣ素子を得る製造工程順を示し、同図(Ａ)は、前
記リードフレーム用板１を、同図(Ｂ)はその表面にＰｄ
の薄層１８をメッキした前記リードフレーム用板１０を
示す。このＰｄ薄層１８は、従来の内・外装メッキに相
当するため、予めメッキ済みとなる。次に、このリード
フレーム用板１０を打抜き加工し、同図(Ｃ)のように中
央のアイランド２２、その周囲のインナーリード２４、
外側のアウターリード２６、及び外周の繋ぎ部２８から
なるリードフレーム２０とする。上記アイランド２２の
上面中央には、同図(Ｄ)のようにＩＣチップ３０がダイ
ボンディングされる。このＩＣチップ３０とインナーリ
ード２４との間に、上記Ｐｄ薄層１８を内装メッキとし
て利用し、同図(Ｅ)のように、ワイヤ３２がボンディン
グされる。
【００１３】次いで、同図(Ｆ)のように、上記アイラン
ド２２やワイヤ３２のボンディング部を包むように、樹
脂によるモールディング３４が施され、ＩＣチップ３０
やワイヤ３２が保護される。最後に、上記アウターリー
ド２６を外周に沿って折り曲げ、且つ、前記外周の繋ぎ
部２８を切断除去すると、同図(Ｇ)のようなＩＣ，ＬＳ
Ｉ素子４０を得る。上記アウターリード２６を拡大する
と、同図(Ｈ)のように、その表面にＰｄの薄層１８を有
するので、上記ＩＣ素子４０を配線基板の上に接続する
際、当該部分のＰｄ薄層１８は従来の外装メッキとして
の役割を果たす。勿論、上記アウターリード２６の表面
に外装メッキを従来同様に個別に施して、配線基板上に
接続することもできる。
ド２２やワイヤ３２のボンディング部を包むように、樹
脂によるモールディング３４が施され、ＩＣチップ３０
やワイヤ３２が保護される。最後に、上記アウターリー
ド２６を外周に沿って折り曲げ、且つ、前記外周の繋ぎ
部２８を切断除去すると、同図(Ｇ)のようなＩＣ，ＬＳ
Ｉ素子４０を得る。上記アウターリード２６を拡大する
と、同図(Ｈ)のように、その表面にＰｄの薄層１８を有
するので、上記ＩＣ素子４０を配線基板の上に接続する
際、当該部分のＰｄ薄層１８は従来の外装メッキとして
の役割を果たす。勿論、上記アウターリード２６の表面
に外装メッキを従来同様に個別に施して、配線基板上に
接続することもできる。
【００１４】次に、前記製造方法によって得られたリー
ドフレーム用板１０(実施例)と、比較例の板を耐食性等
について特性試験を行った。比較例は、リードフレーム
用板１０に用いたものと同じ基板１２(厚さは0.15mm)の
両面に、直に同じ厚さのＰｄをメッキしたＰｄの薄層１
８を有する板である。両方の板の寸法も共通である。先
ず、JIS Z2371に基づく塩水噴霧試験を行った。この試
験は、実施例と比較例の各板に５％塩水をシャワー状に
間欠的に噴霧して、２４時間後までに発生した錆の面積
率を測定した。その結果を表１に示す。また、メッキの
容易さを比較するため、濡れ力を測定した。この試験
は、溶融(約230℃)したハンダ浴に上方から上記各板
を、 それらの下端を同じ長さだけ液面内に入れ、所定
時間経過した後に引き上げる際に、溶けたハンダ浴と各
板の表面が互いに引き合う力が平衡した状態における濡
れ力を測定した。その結果も表１に示す。
ドフレーム用板１０(実施例)と、比較例の板を耐食性等
について特性試験を行った。比較例は、リードフレーム
用板１０に用いたものと同じ基板１２(厚さは0.15mm)の
両面に、直に同じ厚さのＰｄをメッキしたＰｄの薄層１
８を有する板である。両方の板の寸法も共通である。先
ず、JIS Z2371に基づく塩水噴霧試験を行った。この試
験は、実施例と比較例の各板に５％塩水をシャワー状に
間欠的に噴霧して、２４時間後までに発生した錆の面積
率を測定した。その結果を表１に示す。また、メッキの
容易さを比較するため、濡れ力を測定した。この試験
は、溶融(約230℃)したハンダ浴に上方から上記各板
を、 それらの下端を同じ長さだけ液面内に入れ、所定
時間経過した後に引き上げる際に、溶けたハンダ浴と各
板の表面が互いに引き合う力が平衡した状態における濡
れ力を測定した。その結果も表１に示す。
【００１５】
【表１】
【００１６】表１によれば、錆の面積率は、実施例では
３％であったのに対し、比較例では２４％と８倍も認め
られた。この結果から、比較例では表面のＰｄ薄層１８
と基板１２との間に局部電池が形成され、噴霧された塩
水によって錆が著しく進行したものと考えられる。一
方、実施例ではＰｄの薄層１８と基板１２の間に前記Ｎ
ｉＡｌ等の金属間化合物の薄層１６を介在させているた
め、上記局部電池が形成されず、且つ金属間化合物も安
定しているので錆を抑制したものと考えられる。また、
表１によれば、濡れ力は双方とも２．６ｍＮと同じであ
った。この結果から、実施例はメッキの容易さの点で
は、比較例と同様の容易さを有することが理解される。
因みに、メッキの容易さの指標として、濡れ力は１．５
ｍＮ以上必要とされている。以上の試験結果から、実施
例の板は、耐食性に優れると共に、メッキの容易性も併
有するので、リードフレーム用板として使用した場合、
格段に優れた作用を発揮することが容易に理解される。
３％であったのに対し、比較例では２４％と８倍も認め
られた。この結果から、比較例では表面のＰｄ薄層１８
と基板１２との間に局部電池が形成され、噴霧された塩
水によって錆が著しく進行したものと考えられる。一
方、実施例ではＰｄの薄層１８と基板１２の間に前記Ｎ
ｉＡｌ等の金属間化合物の薄層１６を介在させているた
め、上記局部電池が形成されず、且つ金属間化合物も安
定しているので錆を抑制したものと考えられる。また、
表１によれば、濡れ力は双方とも２．６ｍＮと同じであ
った。この結果から、実施例はメッキの容易さの点で
は、比較例と同様の容易さを有することが理解される。
因みに、メッキの容易さの指標として、濡れ力は１．５
ｍＮ以上必要とされている。以上の試験結果から、実施
例の板は、耐食性に優れると共に、メッキの容易性も併
有するので、リードフレーム用板として使用した場合、
格段に優れた作用を発揮することが容易に理解される。
【００１７】本発明は、以上の各形態に限定されるもの
ではない。基板の材質について、前記の４２wt％Ｎｉ−
Ｆｅ合金は、ＩＣチップのＳｉ基板と熱膨張率が同様な
点で優れているが、最も低膨張の３６wt％Ｎｉ−Ｆｅ合
金(インバ)や、４０〜５０wt％Ｎｉ−Ｆｅ合金(ＰＢパ
ーマロイ)、低廉な３２wt％Ｎｉ−Ｆｅ合金、又はこれ
らにＣｕ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｎｂ等を１〜４wt％程度添
加したＦｅ−Ｎｉ系合金を用いることもできる。また、
ＡｌやＮｉの薄板も前記金属間化合物を生成可能であれ
ば、前記形態の純Ａｌ系等に限らず、Ａｌ又はＮｉをベ
ースとする各種の合金を使用できる。更に、Ｐｄの薄層
もＰｄをベースとする合金、特に白金族元素を添加した
ものを用いたり、Ｐｄの被覆方法も溶融メッキ、化学気
相メッキ、又は溶射を用いることもできる。また、Ａｌ
とＮｉの薄層の被覆は、基板の両面に各々１層ずつに限
らず、２層ずつを被覆しても良く、或いは、Ａｌの両側
にＮｉを積層したものを両面に被覆することもできる。
ではない。基板の材質について、前記の４２wt％Ｎｉ−
Ｆｅ合金は、ＩＣチップのＳｉ基板と熱膨張率が同様な
点で優れているが、最も低膨張の３６wt％Ｎｉ−Ｆｅ合
金(インバ)や、４０〜５０wt％Ｎｉ−Ｆｅ合金(ＰＢパ
ーマロイ)、低廉な３２wt％Ｎｉ−Ｆｅ合金、又はこれ
らにＣｕ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｎｂ等を１〜４wt％程度添
加したＦｅ−Ｎｉ系合金を用いることもできる。また、
ＡｌやＮｉの薄板も前記金属間化合物を生成可能であれ
ば、前記形態の純Ａｌ系等に限らず、Ａｌ又はＮｉをベ
ースとする各種の合金を使用できる。更に、Ｐｄの薄層
もＰｄをベースとする合金、特に白金族元素を添加した
ものを用いたり、Ｐｄの被覆方法も溶融メッキ、化学気
相メッキ、又は溶射を用いることもできる。また、Ａｌ
とＮｉの薄層の被覆は、基板の両面に各々１層ずつに限
らず、２層ずつを被覆しても良く、或いは、Ａｌの両側
にＮｉを積層したものを両面に被覆することもできる。
【００１８】
【発明の効果】以上のように請求項１の発明によれば、
基板の両面にＮｉＡｌ等の金属間化合物の薄層を被覆し
たので、その表面にＰｄの薄層をメッキ等にて被覆して
も局部電池を形成せず、耐食性に優れると共に、請求項
５の製造方法と相まって安価にリードフレーム用板を提
供することができる。また、請求項２の発明によれば、
上記ＮｉＡｌ等の金属間化合物の薄層の表面に更にＰｄ
の薄層を被覆したので、上記の耐食性と共に、このＰｄ
薄層が内・外装メッキを兼ねることもでき、請求項６の
製造方法と相まって安価にリードフレーム用板を提供す
ることができる。
基板の両面にＮｉＡｌ等の金属間化合物の薄層を被覆し
たので、その表面にＰｄの薄層をメッキ等にて被覆して
も局部電池を形成せず、耐食性に優れると共に、請求項
５の製造方法と相まって安価にリードフレーム用板を提
供することができる。また、請求項２の発明によれば、
上記ＮｉＡｌ等の金属間化合物の薄層の表面に更にＰｄ
の薄層を被覆したので、上記の耐食性と共に、このＰｄ
薄層が内・外装メッキを兼ねることもでき、請求項６の
製造方法と相まって安価にリードフレーム用板を提供す
ることができる。
【００１９】請求項５の製造方法の発明によれば、簡単
な工程により基板の両面にＮｉＡｌ等の金属間化合物の
薄層を被覆したリードフレーム用板を量産でき、安価に
提供することが可能になる。更に、請求項６の製造方法
の発明では、上記に加え、Ｎｉの薄層がＰｄメッキの下
地層をも兼ねることができ、Ｐｄの薄層を強固に被覆し
たリードフレーム用板を提供することができる。
な工程により基板の両面にＮｉＡｌ等の金属間化合物の
薄層を被覆したリードフレーム用板を量産でき、安価に
提供することが可能になる。更に、請求項６の製造方法
の発明では、上記に加え、Ｎｉの薄層がＰｄメッキの下
地層をも兼ねることができ、Ｐｄの薄層を強固に被覆し
たリードフレーム用板を提供することができる。
【図１】(Ａ)は本発明のリードフレーム用板の一つの形
態の断面図、(Ｂ)は別の形態の断面図である。
態の断面図、(Ｂ)は別の形態の断面図である。
【図２】(Ａ)乃至(Ｅ)は、本発明のリードフレーム用板
の製造工程を示す概略断面図である。
の製造工程を示す概略断面図である。
【図３】(Ａ)乃至(Ｇ)は、本発明のリードフレーム用板
を用いたＩＣ素子の製造工程を示す概略図である。
（Ｈ）は（Ｇ）中の一点鎖線内の拡大断面図である。
を用いたＩＣ素子の製造工程を示す概略図である。
（Ｈ）は（Ｇ）中の一点鎖線内の拡大断面図である。
【図４】(Ａ)乃至(Ｇ)は、従来のリードフレーム用板を
用いたＩＣ素子の製造工程を示す概略図である。
用いたＩＣ素子の製造工程を示す概略図である。
１，１０……………………リードフレーム用板 ２，１２……………………基板 ４，１６……………………ＮｉＡｌ及び／又はＮｉ3Ａ
ｌの薄層 １８…………………………Ｐｄの薄層 １３…………………………Ａｌ薄層 １５…………………………Ｎｉ薄層
ｌの薄層 １８…………………………Ｐｄの薄層 １３…………………………Ａｌ薄層 １５…………………………Ｎｉ薄層
【表１】
Claims (6)
- 【請求項１】 ３０〜５０wt％のＮｉを含むＦｅ−Ｎｉ
系合金の基板の両面に、ＮｉＡｌ及び/又はＮｉ3Ａｌの
薄層を被覆したことを特徴とするリードフレーム用板。 - 【請求項２】 ３０〜５０wt％のＮｉを含むＦｅ−Ｎｉ
系合金の基板の両面に、ＮｉＡｌ及び/又はＮｉ3Ａｌの
薄層を被覆すると共に、これらの表面にＰｄの薄層を被
覆したことを特徴とするリードフレーム用板。 - 【請求項３】 前記ＮｉＡｌ及び/又はＮｉ3Ａｌの薄層
の厚さが、２〜１０μｍである請求項１又は２に記載の
リードフレーム用板。 - 【請求項４】 前記Ｐｄの薄層の厚さが、０．１〜０．
３μｍである請求項２又は３に記載のリードフレーム用
板。 - 【請求項５】 ３０〜５０wt％のＮｉを含むＦｅ−Ｎｉ
系合金の基板の両面にＡｌ薄層を被覆する工程と、この
Ａｌ薄層の表面にＮｉ薄層を被覆する工程と、これらＡ
ｌ及びＮｉ薄層を被覆した積層板を４００〜８００℃に
加熱しＡｌとＮｉを相互に拡散させてＮｉＡｌ及び/又
はＮｉ3Ａｌの薄層を得る工程を有することを特徴とす
るリードフレーム用板の製造方法。 - 【請求項６】 ３０〜５０wt％のＮｉを含むＦｅ−Ｎｉ
系合金の基板の両面にＡｌ薄層を被覆する工程と、この
Ａｌ薄層の表面にＮｉ薄層を被覆する工程と、このＮｉ
薄層の表面にＰｄの薄層を被覆する工程と、このＰｄの
薄層を被覆する工程の前又は後に、少なくともＡｌ及び
Ｎｉ薄層を被覆した積層板を４００〜８００℃に加熱し
ＡｌとＮｉを相互に拡散させてＮｉＡｌ及び/又はＮｉ3
Ａｌの薄層を得る工程を有することを特徴とするリード
フレーム用板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8172643A JPH1018056A (ja) | 1996-07-02 | 1996-07-02 | リードフレーム用板とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8172643A JPH1018056A (ja) | 1996-07-02 | 1996-07-02 | リードフレーム用板とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1018056A true JPH1018056A (ja) | 1998-01-20 |
Family
ID=15945693
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8172643A Withdrawn JPH1018056A (ja) | 1996-07-02 | 1996-07-02 | リードフレーム用板とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1018056A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100380650C (zh) * | 2000-02-18 | 2008-04-09 | 株式会社日立制作所 | 半导体集成电路器件及其制造方法 |
-
1996
- 1996-07-02 JP JP8172643A patent/JPH1018056A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100380650C (zh) * | 2000-02-18 | 2008-04-09 | 株式会社日立制作所 | 半导体集成电路器件及其制造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030902 |