JPH1015686A - レーザ加工装置 - Google Patents
レーザ加工装置Info
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- JPH1015686A JPH1015686A JP8174470A JP17447096A JPH1015686A JP H1015686 A JPH1015686 A JP H1015686A JP 8174470 A JP8174470 A JP 8174470A JP 17447096 A JP17447096 A JP 17447096A JP H1015686 A JPH1015686 A JP H1015686A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】一工程で可撓性基板の両面が加工でき、加工精
度が良いレーザ加工装置の提供。 【解決手段】加工ステージ２，ＸＹステージ２５，レー
ザ光源２６などで構成されるレーザ加工部に隣接して、
第２加工ステージ２ａ，第２ＸＹステージ４，第２レー
ザ光源５などを設け、レーザ光源２６に隣接して位置セ
ンサ６を設け、加工ステージ２に対する可撓性基板７の
相対位置を計測して不図示の制御コントローラによって
二つのＸＹステージの加工位置データを決定させる。
度が良いレーザ加工装置の提供。 【解決手段】加工ステージ２，ＸＹステージ２５，レー
ザ光源２６などで構成されるレーザ加工部に隣接して、
第２加工ステージ２ａ，第２ＸＹステージ４，第２レー
ザ光源５などを設け、レーザ光源２６に隣接して位置セ
ンサ６を設け、加工ステージ２に対する可撓性基板７の
相対位置を計測して不図示の制御コントローラによって
二つのＸＹステージの加工位置データを決定させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えば薄膜太陽
電池の可撓性基板に積層されたアモルファス半導体膜な
どの各層のパターニングなどに用いるレーザ加工装置に
関する。
電池の可撓性基板に積層されたアモルファス半導体膜な
どの各層のパターニングなどに用いるレーザ加工装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】原料ガスのグロー放電分解や光ＣＶＤに
より形成されるアモルファスシリコン（以下ａ−Ｓｉと
略す）などの非晶質半導体薄膜は、気相成長法で形成で
きるため大面積が可能であり、また、形成温度が低いた
めに樹脂のような可撓性の基板に形成できる特徴が有
る。この非晶質半導体を使用する代表的な薄膜素子とし
て薄膜太陽電池があり、この薄膜太陽電池は結晶太陽電
池に比べ、次に述べるように基板面で容易に直列接続構
造が形成可能との優れた特徴がある。
より形成されるアモルファスシリコン（以下ａ−Ｓｉと
略す）などの非晶質半導体薄膜は、気相成長法で形成で
きるため大面積が可能であり、また、形成温度が低いた
めに樹脂のような可撓性の基板に形成できる特徴が有
る。この非晶質半導体を使用する代表的な薄膜素子とし
て薄膜太陽電池があり、この薄膜太陽電池は結晶太陽電
池に比べ、次に述べるように基板面で容易に直列接続構
造が形成可能との優れた特徴がある。
【０００３】この直列接続構造は、可撓性基板の一面に
形成した非晶質半導体層およびその両面に接する電極層
からなる単位太陽電池の一方の電極層の端部が隣接単位
太陽電池の他方の電極層に接触されてでき上がる。そこ
で、長い可撓性基板上の非晶質半導体層および両電極層
を、単位太陽電池への分離、および単位太陽電池間の接
続用に、可撓性基板の両面をおのおのレーザ加工により
分離加工する。
形成した非晶質半導体層およびその両面に接する電極層
からなる単位太陽電池の一方の電極層の端部が隣接単位
太陽電池の他方の電極層に接触されてでき上がる。そこ
で、長い可撓性基板上の非晶質半導体層および両電極層
を、単位太陽電池への分離、および単位太陽電池間の接
続用に、可撓性基板の両面をおのおのレーザ加工により
分離加工する。
【０００４】しかし、薄膜太陽電池の光の入射側に存在
する電極層は、透明さが必要であり、透明導電材料のこ
の透明電極層はシート抵抗が大きいため、電流が流れる
と電力損失が大きくなる。特開平６−３４２９２４号公
報により公知の薄膜太陽電池は、絶縁性の可撓性基板に
孔を明け、この孔を利用して可撓性基板表面の両電極層
をそれぞれ基板裏面の接続電極層と接続し、この接続電
極層により集電および単位太陽電池間の接続を電気的に
行って高シート抵抗の透明電極層の電流経路を短縮して
電気抵抗を低減している。
する電極層は、透明さが必要であり、透明導電材料のこ
の透明電極層はシート抵抗が大きいため、電流が流れる
と電力損失が大きくなる。特開平６−３４２９２４号公
報により公知の薄膜太陽電池は、絶縁性の可撓性基板に
孔を明け、この孔を利用して可撓性基板表面の両電極層
をそれぞれ基板裏面の接続電極層と接続し、この接続電
極層により集電および単位太陽電池間の接続を電気的に
行って高シート抵抗の透明電極層の電流経路を短縮して
電気抵抗を低減している。
【０００５】従来のレーザ加工装置の可撓性基板２０の
搬送時の構造を図６に示す。送りローラ３１に巻かれて
いる可撓性基板２０はアイドルローラ３２，アイドルロ
ーラ２７，加工ステージ２２，アイドルローラ４４を経
て、Ｒ方向に回転する駆動ローラ４２と押さえローラ４
４の間を通って巻き取りローラ４３に巻かれる。この中
央部はこの可撓性基板の加工部で、加工ステージ２２は
固定ステージ２１と螺合する送りネジ２３によってガイ
ド棒２４と共にＶ方向に移動され、Ｙｏ方向から送られ
てくる可撓性基板２０が停止すると下方に移動されて可
撓性基板２０を挟んで固定する。下部のＸＹステージ２
５はＸおよびＹ方向に独立に移動され固定されているレ
ーザ光源２６を指定された位置に定め、例えばＹＡＧレ
ーザによって可撓性基板２０を加工する。加工が終了す
ると加工ステージ２２は可撓性基板２０から離れて搬送
の状態になる。
搬送時の構造を図６に示す。送りローラ３１に巻かれて
いる可撓性基板２０はアイドルローラ３２，アイドルロ
ーラ２７，加工ステージ２２，アイドルローラ４４を経
て、Ｒ方向に回転する駆動ローラ４２と押さえローラ４
４の間を通って巻き取りローラ４３に巻かれる。この中
央部はこの可撓性基板の加工部で、加工ステージ２２は
固定ステージ２１と螺合する送りネジ２３によってガイ
ド棒２４と共にＶ方向に移動され、Ｙｏ方向から送られ
てくる可撓性基板２０が停止すると下方に移動されて可
撓性基板２０を挟んで固定する。下部のＸＹステージ２
５はＸおよびＹ方向に独立に移動され固定されているレ
ーザ光源２６を指定された位置に定め、例えばＹＡＧレ
ーザによって可撓性基板２０を加工する。加工が終了す
ると加工ステージ２２は可撓性基板２０から離れて搬送
の状態になる。
【０００６】この構成によると、可撓性基板２０を固定
する加工ステージ２２、および、これに対向するレーザ
光源２６は一対しか備えていないため、一工程にて可撓
性基板２０は片面だけしかレーザ加工ができなかった。
また、この図６の構成によると加工ステージ２２の可撓
性基板２０用の固定箇所が６ケ所で、可撓性基板２０の
状態にかかわらずに固定していた。
する加工ステージ２２、および、これに対向するレーザ
光源２６は一対しか備えていないため、一工程にて可撓
性基板２０は片面だけしかレーザ加工ができなかった。
また、この図６の構成によると加工ステージ２２の可撓
性基板２０用の固定箇所が６ケ所で、可撓性基板２０の
状態にかかわらずに固定していた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述の例では、送りロ
ーラから巻き取りローラまで可撓性基板がレーザ加工さ
れる一工程で基板は片面だけしか加工できなかった。そ
のため裏面を加工する時は、巻き取りローラを送りロー
ラに裏面が加工されるように再度装着してからレーザ加
工をする必要があった。
ーラから巻き取りローラまで可撓性基板がレーザ加工さ
れる一工程で基板は片面だけしか加工できなかった。そ
のため裏面を加工する時は、巻き取りローラを送りロー
ラに裏面が加工されるように再度装着してからレーザ加
工をする必要があった。
【０００８】また、加工される時の可撓性基板がたるん
だりして加工されて単位太陽電池を重ねて接合させる時
に集電用孔や直列接続用孔がずれてしまうこともあっ
た。この発明の課題は、一工程で基板の両面がレーザ加
工でき、寸法精度が良くだせるレーザ加工装置の提供で
ある。
だりして加工されて単位太陽電池を重ねて接合させる時
に集電用孔や直列接続用孔がずれてしまうこともあっ
た。この発明の課題は、一工程で基板の両面がレーザ加
工でき、寸法精度が良くだせるレーザ加工装置の提供で
ある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明は、加工部と、
可撓性基板を加工部に送る送りローラと、制御コントロ
ーラと、可撓性基板を加工部から巻き取る巻き取りロー
ラと、で構成され、加工部は、可撓性基板が固定される
加工ステージと、この加工ステージに対向して配置され
るＸＹステージと、このＸＹステージに固定されるレー
ザ光源と、で構成され、ＸＹステージは制御コントロー
ラ内のおのおのの加工データによって可撓性基板を加工
する位置にレーザ光源を移動し、間欠搬送される可撓性
基板が停止時に加工されるレーザ加工装置において、加
工部は第１加工部に加えて第２加工部が隣接して設けら
れ、第１加工部と第２加工部は可撓性基板の表裏をおの
おの加工する構造である。
可撓性基板を加工部に送る送りローラと、制御コントロ
ーラと、可撓性基板を加工部から巻き取る巻き取りロー
ラと、で構成され、加工部は、可撓性基板が固定される
加工ステージと、この加工ステージに対向して配置され
るＸＹステージと、このＸＹステージに固定されるレー
ザ光源と、で構成され、ＸＹステージは制御コントロー
ラ内のおのおのの加工データによって可撓性基板を加工
する位置にレーザ光源を移動し、間欠搬送される可撓性
基板が停止時に加工されるレーザ加工装置において、加
工部は第１加工部に加えて第２加工部が隣接して設けら
れ、第１加工部と第２加工部は可撓性基板の表裏をおの
おの加工する構造である。
【００１０】請求項２の発明は、加工部と、可撓性基板
を加工部に送る送りローラと、制御コントローラと、可
撓性基板を加工部から巻き取る巻き取りローラと、で構
成され、加工部は、可撓性基板が固定される加工ステー
ジと、この加工ステージに対向して配置されるＸＹステ
ージと、このＸＹステージに固定されるレーザ光源と、
で構成され、ＸＹステージは制御コントローラ内のおの
おのの加工データによって可撓性基板を加工する位置に
レーザ光源を移動し、間欠搬送される可撓性基板が停止
時に加工されるレーザ加工装置において、加工部は第１
加工部に加えて第２加工部が第１加工部の下または上に
設けられ、可撓性基板は折り返しローラによって第１加
工部から反転されて第２加工部に搬送される構造であ
る。
を加工部に送る送りローラと、制御コントローラと、可
撓性基板を加工部から巻き取る巻き取りローラと、で構
成され、加工部は、可撓性基板が固定される加工ステー
ジと、この加工ステージに対向して配置されるＸＹステ
ージと、このＸＹステージに固定されるレーザ光源と、
で構成され、ＸＹステージは制御コントローラ内のおの
おのの加工データによって可撓性基板を加工する位置に
レーザ光源を移動し、間欠搬送される可撓性基板が停止
時に加工されるレーザ加工装置において、加工部は第１
加工部に加えて第２加工部が第１加工部の下または上に
設けられ、可撓性基板は折り返しローラによって第１加
工部から反転されて第２加工部に搬送される構造であ
る。
【００１１】請求項３の発明は、請求項１または請求項
２に記載のレーザ加工装置において、第１加工部はこの
第１レーザ光源に隣接する所に位置センサが設けられ、
可撓性基板は基準マーカが設けられ、位置センサは第１
加工部の第１加工ステージと可撓性基板の基準マーカと
の相対ＸＹ位置を計測し、制御コントローラは、第１加
工部の第１ＸＹステージ用の第１加工補正データを記憶
できる第１記憶部と、第２加工部の第２ＸＹステージ用
の第２加工補正データを記憶できる第２記憶部と、が設
けられ、前記相対ＸＹ位置から第１加工補正データを第
１記憶部に、第２加工補正データを第２記憶部に記憶さ
せる構成である。
２に記載のレーザ加工装置において、第１加工部はこの
第１レーザ光源に隣接する所に位置センサが設けられ、
可撓性基板は基準マーカが設けられ、位置センサは第１
加工部の第１加工ステージと可撓性基板の基準マーカと
の相対ＸＹ位置を計測し、制御コントローラは、第１加
工部の第１ＸＹステージ用の第１加工補正データを記憶
できる第１記憶部と、第２加工部の第２ＸＹステージ用
の第２加工補正データを記憶できる第２記憶部と、が設
けられ、前記相対ＸＹ位置から第１加工補正データを第
１記憶部に、第２加工補正データを第２記憶部に記憶さ
せる構成である。
【００１２】請求項４の発明は、請求項１ないし請求項
３のいずれかに記載のレーザ加工装置において、第１加
工ステージと第２加工ステージは、材質がレーザ光を吸
収しない耐熱性樹脂で有り、可撓性基板の両端に接する
柔らかなグリッパと、このグリッパを可撓性基板に押圧
させる押圧具と、押圧された可撓性基板をグリッパで張
らせる引張り具と、が設けられ、可撓性基板はグリッパ
による押圧・引張りによって張られる構造である。
３のいずれかに記載のレーザ加工装置において、第１加
工ステージと第２加工ステージは、材質がレーザ光を吸
収しない耐熱性樹脂で有り、可撓性基板の両端に接する
柔らかなグリッパと、このグリッパを可撓性基板に押圧
させる押圧具と、押圧された可撓性基板をグリッパで張
らせる引張り具と、が設けられ、可撓性基板はグリッパ
による押圧・引張りによって張られる構造である。
【００１３】請求項５の発明は、請求項４に記載のレー
ザ加工装置において、第１加工ステージと第２加工ステ
ージは、密閉した枠が周囲に形成され、枠内に複数の吸
引孔がある吸着板が設けられ、可撓性基板は第１加工ス
テージと第２加工ステージのグリッパによる押圧・引張
りと負圧による吸着によって吸着板に密着される構造で
ある。
ザ加工装置において、第１加工ステージと第２加工ステ
ージは、密閉した枠が周囲に形成され、枠内に複数の吸
引孔がある吸着板が設けられ、可撓性基板は第１加工ス
テージと第２加工ステージのグリッパによる押圧・引張
りと負圧による吸着によって吸着板に密着される構造で
ある。
【００１４】請求項６の発明は、請求項４または請求項
５に記載のレーザ加工装置において、耐熱性樹脂はテト
ラフルオロエチレンまたはパークルオロアルキルビニル
エーテル共重合体で有り、グリッパはゴム材で有り、押
圧具と引張り具は機械式アクチュエータの構造である。
５に記載のレーザ加工装置において、耐熱性樹脂はテト
ラフルオロエチレンまたはパークルオロアルキルビニル
エーテル共重合体で有り、グリッパはゴム材で有り、押
圧具と引張り具は機械式アクチュエータの構造である。
【００１５】
【発明の実施の形態】この発明は、従来のＸＹステージ
とレーザ光源の一組みに同じＸＹステージとレーザ光源
の一組みを加え、可撓性基板に張力を加えて伸ばした上
で加工するレーザ加工装置である。
とレーザ光源の一組みに同じＸＹステージとレーザ光源
の一組みを加え、可撓性基板に張力を加えて伸ばした上
で加工するレーザ加工装置である。
【００１６】
実施例１：図１は図６の送りローラ部分と巻き取りロー
ラ部分を略したこのレーザ加工装置の構成であり、図２
はここで用いる可撓性基板７の説明図で、(a)は可撓性
基板７の平面図、同図(b) はそのＡ部の拡大図である。
可撓性基板７は、耐熱性のポリイミドフィルムで厚さは
50μｍであり、この長手方向に直列接続用孔７ｃと集電
用孔７ｂの列が等間隔で明けられている。この可撓性基
板７に、図２(a) に示すようにマスク成膜される銀電
極，ａ−Ｓｉ膜，透明電極の酸化インジウム膜からなる
薄膜太陽電池が複数の薄膜太陽電池領域７ａとして形成
されており、薄膜太陽電池領域７ａ毎の外周に複数の基
準マーク７ｋが加工されている。
ラ部分を略したこのレーザ加工装置の構成であり、図２
はここで用いる可撓性基板７の説明図で、(a)は可撓性
基板７の平面図、同図(b) はそのＡ部の拡大図である。
可撓性基板７は、耐熱性のポリイミドフィルムで厚さは
50μｍであり、この長手方向に直列接続用孔７ｃと集電
用孔７ｂの列が等間隔で明けられている。この可撓性基
板７に、図２(a) に示すようにマスク成膜される銀電
極，ａ−Ｓｉ膜，透明電極の酸化インジウム膜からなる
薄膜太陽電池が複数の薄膜太陽電池領域７ａとして形成
されており、薄膜太陽電池領域７ａ毎の外周に複数の基
準マーク７ｋが加工されている。
【００１７】図１にて、図６と同じ機構は同じ番号を付
け、特に後記する第２加工部との混乱を無くすため、第
１の語を付し、説明を略す。この第１加工ステージ２は
図４で説明する加工ステージであり、また、第１ＸＹス
テージ２５は可撓性基板７の基準マーカ７ｋを検出でき
る位置センサ６が固定される。この第１加工部に隣接し
て第２加工部が設けられ、第２固定ステージ１のネジ孔
と螺合する第２送りネジ３によって可撓性基板７を固定
できる第２加工ステージ２ａ、及び、第２ＸＹステージ
４と第２レーザ光源５で構成される。この構成は、図６
の加工ステージ２２以外は機能が同じ物の上下を逆にし
ただけの構造のため説明を略す。
け、特に後記する第２加工部との混乱を無くすため、第
１の語を付し、説明を略す。この第１加工ステージ２は
図４で説明する加工ステージであり、また、第１ＸＹス
テージ２５は可撓性基板７の基準マーカ７ｋを検出でき
る位置センサ６が固定される。この第１加工部に隣接し
て第２加工部が設けられ、第２固定ステージ１のネジ孔
と螺合する第２送りネジ３によって可撓性基板７を固定
できる第２加工ステージ２ａ、及び、第２ＸＹステージ
４と第２レーザ光源５で構成される。この構成は、図６
の加工ステージ２２以外は機能が同じ物の上下を逆にし
ただけの構造のため説明を略す。
【００１８】可撓性基板７は矢印Ｙｏから送られ、アイ
ドルローラ２７と２つの加工ステージを経て矢印Ｙｈ方
向に間欠して強制移動させられ、位置センサ６によって
測定された第一加工ステージ２との位置関係から不図示
の制御コントローラが位置補正の演算結果を２つのＸＹ
ステージに送って各レーザで表裏が加工される。図３
は、この制御コントローラ８の構成図である。可撓性基
板７の薄膜太陽電池領域７ａにレーザ加工させる加工デ
ータは、まず、作業者によって表面パターンと裏面パタ
ーンに関する加工データ，及び薄膜太陽電池領域７ａに
関するプロセスデータ等の共通データが基礎データ８ｃ
として制御コントローラ８に入力される。そして、第１
加工ステージ２に対する基準マーカ７ｋの最低２ケ所を
位置センサ６で測定後、この結果を制御コントローラ８
に伝える。制御コントローラ８では、補正量検出８ａか
ら補正量格納８ｂにデータを格納後、基礎データ８ｃと
共に演算部８ｄで演算した結果を表面加工補正データ８
ｒ，裏面加工補正データ８ｈとし、第１ＸＹステージ２
５，第２ＸＹステージ４用に記憶する。これにより一台
の制御コントローラ８で２台のＸＹステージを制御でき
る。
ドルローラ２７と２つの加工ステージを経て矢印Ｙｈ方
向に間欠して強制移動させられ、位置センサ６によって
測定された第一加工ステージ２との位置関係から不図示
の制御コントローラが位置補正の演算結果を２つのＸＹ
ステージに送って各レーザで表裏が加工される。図３
は、この制御コントローラ８の構成図である。可撓性基
板７の薄膜太陽電池領域７ａにレーザ加工させる加工デ
ータは、まず、作業者によって表面パターンと裏面パタ
ーンに関する加工データ，及び薄膜太陽電池領域７ａに
関するプロセスデータ等の共通データが基礎データ８ｃ
として制御コントローラ８に入力される。そして、第１
加工ステージ２に対する基準マーカ７ｋの最低２ケ所を
位置センサ６で測定後、この結果を制御コントローラ８
に伝える。制御コントローラ８では、補正量検出８ａか
ら補正量格納８ｂにデータを格納後、基礎データ８ｃと
共に演算部８ｄで演算した結果を表面加工補正データ８
ｒ，裏面加工補正データ８ｈとし、第１ＸＹステージ２
５，第２ＸＹステージ４用に記憶する。これにより一台
の制御コントローラ８で２台のＸＹステージを制御でき
る。
【００１９】図４は図１の第１加工ステージ２及び第２
加工ステージ２ａの実施例である。第１加工ステージ２
および第２加工ステージ２ａは、レーザ光を吸収しない
材質、たとえば耐熱樹脂テトラフルオロエチレンやＰＦ
Ａと略すパークルオロアルキルビニルエーテル共重合体
に分散して明けられた複数の吸引孔が有る吸着板１２を
同材質で覆うような構造であり、外部から吸引ホース１
３で可撓性基板７を真空吸着できる。また、可撓性基板
７の両端を搬送方向に直交する方向に引っ張り力を発生
させるための押圧具１５，及び、この押圧具１５によっ
て可撓性基板７を張らせる引張り具１４が加工ステージ
２に固定されている。更に可撓性基板７に接触する部位
には、可撓性基板７に傷を生じさせない硬度がショア硬
さで５０から６０程度の、軟らかなシリコンゴムや天然
ゴム他の材質のグリッパー１７がグリップベース１６を
介して押圧具１５に設けられている。ここで、引張り具
１４及び押圧具１５はリニア又は回転式のアクチュエー
タを用い、これは空圧式でも電動式でも良い。
加工ステージ２ａの実施例である。第１加工ステージ２
および第２加工ステージ２ａは、レーザ光を吸収しない
材質、たとえば耐熱樹脂テトラフルオロエチレンやＰＦ
Ａと略すパークルオロアルキルビニルエーテル共重合体
に分散して明けられた複数の吸引孔が有る吸着板１２を
同材質で覆うような構造であり、外部から吸引ホース１
３で可撓性基板７を真空吸着できる。また、可撓性基板
７の両端を搬送方向に直交する方向に引っ張り力を発生
させるための押圧具１５，及び、この押圧具１５によっ
て可撓性基板７を張らせる引張り具１４が加工ステージ
２に固定されている。更に可撓性基板７に接触する部位
には、可撓性基板７に傷を生じさせない硬度がショア硬
さで５０から６０程度の、軟らかなシリコンゴムや天然
ゴム他の材質のグリッパー１７がグリップベース１６を
介して押圧具１５に設けられている。ここで、引張り具
１４及び押圧具１５はリニア又は回転式のアクチュエー
タを用い、これは空圧式でも電動式でも良い。
【００２０】この構成によると、可撓性基板７が張られ
て吸引されるため、吸着板１２に密着して表面と裏面が
別の所でほぼ同時にレーザ加工されて、高精度で加工時
間の短いレーザ加工装置を提供できる。請求項４はこの
構造にて、吸引の機能を除いて可撓性基板７が張られる
構造である。 実施例２：図５は、図６の送りローラ部分と巻き取りロ
ーラ部分を略した他の実施例のレーザ加工装置の構成図
である。図１と異なる点は、第１加工部と同じ構成の第
２加工部を第１加工部の下部に設け、折り返しローラ１
９を設けた点である。図１と同じ機能は同じ番号を付
け、説明を略す。
て吸引されるため、吸着板１２に密着して表面と裏面が
別の所でほぼ同時にレーザ加工されて、高精度で加工時
間の短いレーザ加工装置を提供できる。請求項４はこの
構造にて、吸引の機能を除いて可撓性基板７が張られる
構造である。 実施例２：図５は、図６の送りローラ部分と巻き取りロ
ーラ部分を略した他の実施例のレーザ加工装置の構成図
である。図１と異なる点は、第１加工部と同じ構成の第
２加工部を第１加工部の下部に設け、折り返しローラ１
９を設けた点である。図１と同じ機能は同じ番号を付
け、説明を略す。
【００２１】この構成と、図３，図４の構成によって可
撓性基板７が張られて吸引されるため、吸着板１２に密
着して表面と裏面が別の所でほぼ同時にレーザ加工され
て、高精度で加工時間は短く、据え付け面積が少なくて
すむレーザ加工装置を提供できる。
撓性基板７が張られて吸引されるため、吸着板１２に密
着して表面と裏面が別の所でほぼ同時にレーザ加工され
て、高精度で加工時間は短く、据え付け面積が少なくて
すむレーザ加工装置を提供できる。
【００２２】
１）この発明によれば、可撓性基板の裏面用加工部を設
けたため、両面加工の時間を従来の半分にすることがで
き、従来は必要であったローラの再段取りが不要になっ
て安価な加工部品を提供できる。（請求項１ないし６） ２）この発明によれば、第２加工部を第１加工部の下ま
たは上に、巻き取り部を送りローラ部の下または上に配
置したため、従来の設置面積より少ない面積にすること
ができる。（請求項２ないし６） ３）この発明によれば、可撓性基板に基準マークを付
し、第１ＸＹステージに位置センサを設け、制御コント
ロールに表面と裏面の加工補正データ用の記憶部を設け
たため、表裏のパターンの位置精度が従来より極めて良
いレーザ加工装置を提供できる。（請求項３ないし６） ４）この発明によれば、可撓性基板を張った状態で加工
できるため、寸法精度が更に良いレーザ加工装置を提供
できる。（請求項４，５，６） ５）この発明によれば、可撓性基板を張り、かつ吸引さ
れた状態で加工できるため、寸法精度が極めて良いレー
ザ加工装置を提供できる。（請求項５，６） ６）請求項６のこの発明によれば、加工ステージに耐熱
性の材料を、グリッパにゴム材を、引張り具と押圧具に
アクチュエータを用いたため、長期にわたって加工精度
を維持できるレーザ加工装置を提供できる。
けたため、両面加工の時間を従来の半分にすることがで
き、従来は必要であったローラの再段取りが不要になっ
て安価な加工部品を提供できる。（請求項１ないし６） ２）この発明によれば、第２加工部を第１加工部の下ま
たは上に、巻き取り部を送りローラ部の下または上に配
置したため、従来の設置面積より少ない面積にすること
ができる。（請求項２ないし６） ３）この発明によれば、可撓性基板に基準マークを付
し、第１ＸＹステージに位置センサを設け、制御コント
ロールに表面と裏面の加工補正データ用の記憶部を設け
たため、表裏のパターンの位置精度が従来より極めて良
いレーザ加工装置を提供できる。（請求項３ないし６） ４）この発明によれば、可撓性基板を張った状態で加工
できるため、寸法精度が更に良いレーザ加工装置を提供
できる。（請求項４，５，６） ５）この発明によれば、可撓性基板を張り、かつ吸引さ
れた状態で加工できるため、寸法精度が極めて良いレー
ザ加工装置を提供できる。（請求項５，６） ６）請求項６のこの発明によれば、加工ステージに耐熱
性の材料を、グリッパにゴム材を、引張り具と押圧具に
アクチュエータを用いたため、長期にわたって加工精度
を維持できるレーザ加工装置を提供できる。
【図１】この発明の実施例の、送りローラ部と巻き取り
ローラ部を略した構成図
ローラ部を略した構成図
【図２】この発明の実施例の可撓性基板の説明図の、
(a) は平面図、(b) は(a) のＡ部の拡大図
(a) は平面図、(b) は(a) のＡ部の拡大図
【図３】この発明の実施例の制御コントローラの構成図
【図４】この発明の実施例の加工ステージの構成図
【図５】この発明の他の実施例の、送りローラ部と巻き
取りローラ部を略した構成図
取りローラ部を略した構成図
【図６】従来のレーザ加工装置の構成図
１ 第２固定ステージ ２ 第１加工ステージ ２ａ 第２加工ステージ ３ 第２送りネジ ４ 第２ＸＹステージ ５ 第２レーザ光源 ６ 位置センサ ７ 可撓性基板 ７ｋ 基準マーカ １２ 吸着板 １４ 引張り具 １９ グリッパ ２２ 加工ステージ ３１ 送りローラ ４２ 駆動ローラ ４３ 巻き取りローラ
Claims (6)
- 【請求項１】加工部と、可撓性基板を加工部に送る送り
ローラと、制御コントローラと、可撓性基板を加工部か
ら巻き取る巻き取りローラと、で構成され、加工部は、
可撓性基板が固定される加工ステージと、この加工ステ
ージに対向して配置されるＸＹステージと、このＸＹス
テージに固定されるレーザ光源と、で構成され、 ＸＹステージは、制御コントローラ内のおのおのの加工
データによって可撓性基板を加工する位置にレーザ光源
を移動し、 間欠搬送される可撓性基板が停止時に加工されるレーザ
加工装置において、 加工部は、第１加工部に加えて第２加工部が隣接して設
けられ、 第１加工部と第２加工部は、可撓性基板の表裏をおのお
の加工する構造を特徴とするレーザ加工装置。 - 【請求項２】加工部と、可撓性基板を加工部に送る送り
ローラと、制御コントローラと、可撓性基板を加工部か
ら巻き取る巻き取りローラと、で構成され、加工部は、
可撓性基板が固定される加工ステージと、この加工ステ
ージに対向して配置されるＸＹステージと、このＸＹス
テージに固定されるレーザ光源と、で構成され、 ＸＹステージは、制御コントローラ内のおのおのの加工
データによって可撓性基板を加工する位置にレーザ光源
を移動し、 間欠搬送される可撓性基板が停止時に加工されるレーザ
加工装置において、 加工部は、第１加工部に加えて第２加工部が第１加工部
の下または上に設けられ、 可撓性基板は、折り返しローラによって第１加工部から
反転されて第２加工部に搬送されることを特徴とするレ
ーザ加工装置。 - 【請求項３】請求項１または請求項２に記載のレーザ加
工装置において、 第１加工部は、この第１レーザ光源に隣接する所に位置
センサが設けられ、 可撓性基板は、基準マーカが設けられ、 位置センサは、第１加工部の第１加工ステージと可撓性
基板の基準マーカとの相対ＸＹ位置を計測し、 制御コントローラは、第１加工部の第１ＸＹステージ用
の第１加工補正データを記憶できる第１記憶部と、第２
加工部の第２ＸＹステージ用の第２加工補正データを記
憶できる第２記憶部と、が設けられ、前記相対ＸＹ位置
から第１加工補正データを第１記憶部に、第２加工補正
データを第２記憶部に記憶させることを特徴とするレー
ザ加工装置。 - 【請求項４】請求項１ないし請求項３のいずれかに記載
のレーザ加工装置において、 第１加工ステージと第２加工ステージは、材質がレーザ
光を吸収しない耐熱性樹脂で有り、可撓性基板の両端に
接する柔らかなグリッパと、このグリッパを可撓性基板
に押圧させる押圧具と、押圧された可撓性基板をグリッ
パで張らせる引張り具と、が設けられ、 可撓性基板は、グリッパによる押圧・引張りによって張
られることを特徴とするレーザ加工装置。 - 【請求項５】請求項４に記載のレーザ加工装置におい
て、 第１加工ステージと第２加工ステージは、密閉した枠が
周囲に形成され、枠内に複数の吸引孔がある吸着板が設
けられ、 可撓性基板は、グリッパによる押圧・引張りと第１加工
ステージと第２加工ステージの負圧による吸着とによっ
て吸着板に密着されることを特徴とするレーザ加工装
置。 - 【請求項６】請求項４または請求項５に記載のレーザ加
工装置において、 耐熱性樹脂は、テトラフルオロエチレンまたはパークル
オロアルキルビニルエーテル共重合体で有り、グリッパ
は、ゴム材で有り、 押圧具と引張り具は、機械式アクチュエータで有ること
を特徴とするレーザ加工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8174470A JPH1015686A (ja) | 1996-07-04 | 1996-07-04 | レーザ加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8174470A JPH1015686A (ja) | 1996-07-04 | 1996-07-04 | レーザ加工装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1015686A true JPH1015686A (ja) | 1998-01-20 |
Family
ID=15979052
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8174470A Pending JPH1015686A (ja) | 1996-07-04 | 1996-07-04 | レーザ加工装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1015686A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011525720A (ja) * | 2008-06-25 | 2011-09-22 | アテツク・ホールデイング・アクチエンゲゼルシヤフト | 太陽電池モジュールを構造化する装置 |
| DE102011082885A1 (de) | 2010-09-17 | 2012-03-22 | Fuji Electric Co., Ltd. | Laserstrukturierungsvorrichtung und Laserstrukturierungsverfahren |
| WO2013058124A1 (ja) * | 2011-10-19 | 2013-04-25 | 東レエンジニアリング株式会社 | レーザビーム加工装置及び方法並びに薄膜太陽電池の製造装置及び方法 |
| KR101378619B1 (ko) * | 2011-07-13 | 2014-03-28 | 춘-하오 리 | 레이저 가공머신 |
| WO2017217316A1 (ja) * | 2016-06-17 | 2017-12-21 | 株式会社日本マイクロニクス | シート状デバイス、シート状二次電池の製造方法、及び製造装置 |
| WO2018030111A1 (ja) * | 2016-08-10 | 2018-02-15 | 株式会社日本マイクロニクス | 製造装置、及び製造方法 |
| CN117884769A (zh) * | 2024-03-04 | 2024-04-16 | 武汉市朴田电器有限公司 | 一种空调面板激光打标设备 |
-
1996
- 1996-07-04 JP JP8174470A patent/JPH1015686A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011525720A (ja) * | 2008-06-25 | 2011-09-22 | アテツク・ホールデイング・アクチエンゲゼルシヤフト | 太陽電池モジュールを構造化する装置 |
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| US8420449B2 (en) | 2010-09-17 | 2013-04-16 | Fuji Electric Co., Ltd. | Laser patterning apparatus and laser patterning method |
| KR101378619B1 (ko) * | 2011-07-13 | 2014-03-28 | 춘-하오 리 | 레이저 가공머신 |
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| CN117884769A (zh) * | 2024-03-04 | 2024-04-16 | 武汉市朴田电器有限公司 | 一种空调面板激光打标设备 |
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