JPH10156709A - 化学機械研磨用プラテン・コーティング構造および方法 - Google Patents

化学機械研磨用プラテン・コーティング構造および方法

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JPH10156709A
JPH10156709A JP34202697A JP34202697A JPH10156709A JP H10156709 A JPH10156709 A JP H10156709A JP 34202697 A JP34202697 A JP 34202697A JP 34202697 A JP34202697 A JP 34202697A JP H10156709 A JPH10156709 A JP H10156709A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 化学機械的研磨（ＣＭＰ）装置の構成物を腐
食から保護する構造および方法を提供する。 【解決手段】 ＣＭＰ装置構成物を腐食から保護する構
造は、プラテン（３２）の表面全体に形成された耐熱金
属酸化物コーティング層（３３）を含む。好適実施例で
は、耐熱金属酸化物コーティング層（３３）は、プラズ
マ・フレーム・スプレーによって形成されたクロム酸化
物層である。他の実施例では、保護を強化するために、
少なくとも耐熱金属酸化物コーティング層（３３）の孔
（４１）の中に封止層（４２）を形成する。耐熱金属酸
化物コーティング層（３３）は、腐食の恐れがある他の
ＣＭＰ装置の構成物の保護にも適している。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般的に半導体処
理に関し、更に特定すれば、物質を研磨または平面化す
る構造および方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】化学機械研磨（ＣＰＭ：chemical mecha
nical polishing ）は、次の層を堆積する前に、半導体
基板上に形成されている物質層または物質層群を平面化
するために、半導体製造において一般的に用いられてい
る技法である。物質層を平面化する際、半導体基板はＣ
ＭＰ装置上に配置される。ＣＭＰ装置は、プラテン，プ
ラテン上に取り付けられた研磨パッド，およびプラテン
が移動する間半導体基板を研磨パッド上で保持し、移動
させ、回転させる研磨アームを含む。研磨パッド上には
スラリを堆積させる。スラリは、プラテンの運動（例え
ば、回転，軌道運動，または並進）の速度，圧力，およ
び温度と共に、半導体基板から化学的および機械的両面
から物質を除去するように作用する。
【０００３】ＣＭＰ処理では、プラテン構造が平坦であ
り正確な幾何学的形状を有することが重要である。これ
が満たされないと、処理対象基板は、高度な平面性にま
で研磨または平面化されない。加えて、プラテン構造
は、基板を研磨または平面化するために用いられる化学
薬品に対して抵抗力があることも重要である。概略的
に、本発明は、プラテン構造のようなＣＭＰ装置の構成
物表面上に形成し、平面化プロセス環境に対する弾力性
を高めるコーティングに関するものである。
【０００４】図１は、プラテン即ち移動支持部材１２お
よび研磨パッド１３を含む、従来技術のＣＭＰ装置１１
の簡略斜視図を示す。研磨ヘッド即ちキャリア・アセン
ブリ１７（切り欠き図で示す）を有する研磨アーム１４
は、半導体基板，ウエハ，基板，または作業片(work pi
ece)１８を、研磨パッド１３に対して設定された力で保
持する。基板１８は、除去すべき物質層を含む。あるい
は、基板１８自体が研磨対象である。
【０００５】ＣＭＰ装置１１は、更に、スラリを研磨パ
ッド１３上に堆積させるスラリ分与装置２１，および研
磨パッド１３の調整を行う調整用アセンブリ２２も含
む。ＣＭＰ装置１１のようなＣＭＰ製品は、アリゾナ州
PhoenixのIPEC/Planar ，アリゾナ州ChandlerのSpeedf
am，カリフォルニア州 Santa ClaraのApplied Material
s ，およびカリフォルニア州 San Luis ObispoのStrasb
aughのような会社から入手可能である。
【０００６】研磨プロセスの間、プラテン１２および研
磨パッド１３は、矢印２６にしたがって（またはその逆
方向に）回転し、研磨ヘッド１７およびウエハ１８は矢
印２７にしたがって（またはその逆方向に）回転する。
加えて、研磨アーム１４は、研磨パッド１３を横切って
前後に振動する。研磨スラリがスラリ分与装置２１から
分与され、既知の化学的および機械的手段によって、物
質（群）が基板１８から除去される。
【０００７】典型的に、プラテン１２は、アルミニウム
またはステンレス鋼で作られる。アルミニウムは、ステ
ンレス鋼よりも質量が小さく、熱伝達特性が優れてお
り、しかも安価であるので、好ましい。しかしながら、
アルミニウムは両性(amphoteric)であるので、酸および
アルカリ双方のスラリ混成物による腐食の恐れがある。
腐食は、典型的に、プラテン１２の外縁１５から内側に
向かって発生する。これによってプラテン１２の平面性
が損なわれるため、半導体製造者は、プロセスの調整を
行って、パッド１３およびプラテン１２の外側部分１６
における研磨を避けるようにしなければならない。この
ために、研磨時間が長くなる。また、腐食は、プラテン
１２の寿命を縮めることにより、処理コストの増大およ
びプロセス・ダウン・タイムの増大を招く。加えて、腐
食は粒子を生成し、基板を研磨している間、この粒子が
基板１８に損傷を与える可能性がある。
【０００８】陽極処理(anodizing) は、アルミニウム製
のプラテンを保護するために用いられる１つの技法であ
る。しかしながら、半導体製造者が研磨パッド１３をプ
ラテン１２に取り付け、一致するように縁取りする場
合、パッド１３の縁取りを行うために用いられる機械が
しばしば陽極処理コーティングを傷つけることがある。
その結果、傷ついた領域に腐食が発生し始め、腐食の開
始点周囲の陽極処理コーティングの下に広がり、最終的
に陽極処理コーティングを全てはぎ取ってしまう。この
ように、アルミニウムを基本とする金属は、激しい化学
的な攻撃を受ける恐れがある。
【０００９】別の手法として、フロント・エンド・ツー
ル(front end tool)の製造者が、保護力増強のために、
ポリマ物質（例えば、エポキシ物質）をプラテン１２上
に配したものがある。しかしながら、ポリマ物質には、
表面硬度が低く、特にパッド縁取りプロセスの間に、容
易に傷ついてしまうという欠点がある。また、ポリマ・
コーティングは、熱伝達特性も劣るため、研磨プロセス
に著しい悪影響を与える可能性がある。典型的に、プラ
テン１２は研磨プロセスの間に発生した熱を除去するた
めに、水冷される。ポリマ膜は、パッド１３をプラテン
１２から絶縁するように作用するために、プラテン１２
がパッド１３から熱を除去する機能を低下させる。
【００１０】ステンレス鋼製のプラテンは、ある種のス
ラリ化学薬品では、アルミニウム製プラテンよりも腐食
を受ける可能性は低いが、別のスラリ化学薬品ではなお
も攻撃される場合もある。また、ステンレス鋼製プラテ
ンは、アルミニウム製プラテンよりもはるかに高価であ
る。加えて、その重量のために、ステンレス鋼製プラテ
ンは、一層強力な駆動モータを必要とするため、機材お
よび運転経費の増大を招く。また、ステンレス鋼製プラ
テンは熱伝達特性が劣るので、半導体製造者は、除去速
度を低下させて過度な熱蓄積(heat build-up) を回避す
る等のプロセス変更を行わなければならない。これは、
プロセス・スループットの低下を招く。また、ステンレ
ス鋼製プラテンは、パッド縁取りプロセスの間にも傷が
付く恐れがある。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】現在使用されているス
ラリは、ＣＭＰ装置の構成物と反応し、腐食発生の原因
となる傾向がある。これは、構成物の寿命を縮める。ま
た、腐食の結果、プロセスの汚染や望ましくないプロセ
スのばらつきが生じる。半導体製造者が新しい物質を半
導体製造プロセスに投入する毎に、新たなスラリ化学薬
品が開発されるが、新たなスラリ化学薬品には既存のス
ラリ化学薬品よりも腐食性が強いものがある。したがっ
て、ＣＭＰ装置の構成物がプロセスに関連する腐食を発
生する可能性を低下させる方法および構造が必要とされ
ている。かかる方法および構造は、信頼性および費用有
効性が高くなければならず、しかもＣＭＰプロセスにば
らつきや汚染を引き起こしてはならない。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、化学機械的研
磨（ＣＭＰ）装置の構成物を腐食から保護する構造およ
び方法を提供する。ＣＭＰ装置構成物を腐食から保護す
る構造は、プラテンの表面全体に形成された耐熱金属酸
化物コーティング層を含む。好適実施例では、耐熱金属
酸化物コーティング層は、プラズマ・フレーム・スプレ
ーによって形成されたクロム酸化物層である。他の実施
例では、保護を強化するために、少なくとも耐熱金属酸
化物コーティング層の孔の中に封止層を形成する。耐熱
金属酸化物コーティング層は、腐食の恐れがある他のＣ
ＭＰ装置の構成物の保護にも適している。
【００１３】
【発明の実施の形態】図２は、本発明によるプラテン即
ち支持部材３２の一部の断面図を示す。好ましくは、プ
ラテン３２は、アルミニウム，ステンレス鋼等から成
る。プラテン３２は、その主面３６上またはその全体に
わたって形成または堆積された、コーティング即ち保護
層３３を含む。主面３６は、図１に示した従来技術のプ
ラテン１２と同様に、パッド１３および基板１８を支持
する。
【００１４】好ましくは、コーティング３３は、図２に
示すように、プラテン３２の外側表面３７上に形成す
る。また、好ましくは、コーティング３３は、スラリ物
質に露出される、プラテン３２の表面全体にわたって形
成する。別の実施例では、コーティング３３は、プラテ
ン３２の下面上にも形成する。しかしながら、この面
は、ＣＭＰ装置上におけるその配置のために、通常スラ
リ物質からは保護されている。
【００１５】好適実施例では、プラテン３２の上側の外
縁３９に、面取り部(chamfer) 即ちベベル(bevel) ３８
を形成する。面取り部３８は、とりわけ、コーティング
３３で被覆するのが難しい場合もある、鋭角の縁をなく
すためには好ましい。また、これは、縁による削り取り
(chipping)によって下地のプラテンを露出させ、腐食に
至る潜在的な可能性も抑える。
【００１６】本発明によれば、コーティング３３は、耐
熱金属の酸化物材料または酸化物セラミック材料から成
る。好ましくは、コーティング３３は、クロム酸化物(c
hromiumu-oxide) 層等から成る。コーティング３３を形
成するには、プラズマ・フレーム・スプレー(plasma-fl
ame spray)，熱スプレー(thermal spray) ，化学蒸着
（ＣＶＤ），または上塗り(paint-on)技法を用いる。好
ましくは、コーティング３３は、約０．１２５ミリメー
トル（ｍｍ）から約０．５００ｍｍ（約５ミルから２０
ミル）の範囲の厚さを有する。
【００１７】以下に述べるのは、プラテン３２上にコー
ティング３３を形成するための好適なプロセス・シーケ
ンスである。最初に、面取り部３８をプラテン３２の上
側の外縁３９に形成する。プラテン３２がアルミニウム
から成る場合、陽極処理層が存在するのであれば、それ
を全て除去する。次に、被覆するプラテン３２の表面に
グリット・ブラスト仕上げ(grit blasted)を施し（例え
ば、ガーネット(garnet)を用いて）、プラテン３２の荒
削り(roughen) および清浄化を行う。次に、プラテン３
２上にコーティング３３を堆積する。アルゴン遮蔽にお
けるプラズマ・フレーム・スプレー処理は、コーティン
グ３３を堆積する好適な技法の１つである。何故なら、
この処理は、堆積のために不活性雰囲気を与えるからで
ある。これによって、自然な酸化物の形成が減少し、膜
の接着を促進することになる。
【００１８】プラズマ・フレーム・スプレー技法を用い
る場合、摂氏約１２０度（℃）から約１５０℃の温度に
プラテン３２を維持することが好ましい。METCO P106ク
ロム酸化物またはその同等物（例えば、NORTON328 ）の
ようなクロム酸化物源が適している。METCO P106クロム
酸化物は、ニューヨーク州WestburyのMETCO から入手可
能である。好ましくは、プラズマ・フレーム・スプレー
・プロセスにおいて用いるノズルを頻繁に交換し、プロ
セスの間清浄さを保つことによって、望ましくないコー
ティングの不規則性（例えば、バンプ）の形成を避け
る。プラズマ・フレーム・スプレー処理サービスは、ア
リゾナ州 TempeのAdvanced Materials Technologies In
corporated (AMTI) から入手可能である。
【００１９】コーティング３３を形成した後、超音波漕
においてバージン・アセトンを用いてプラテン３２を清
浄化する。次に、好ましくは図３に示すように、封止層
４２をコーティング３３上に形成し、少なくともコーテ
ィング３３に存在するあらゆる孔４１を埋め、保護の強
化を図る。好ましくは、封止層４２は、METCO から入手
可能なMETCO185封止材のようなパラフィン・ワックスか
ら成る。封止層４２を被着するには、プラテン３２を適
切な温度（METCO185封止材の場合約９５℃）に加熱し、
孔４１が埋められる（典型的に、封止材が消えなくな
り、孔より高く蓄積し始めたときに、孔が埋められたと
する）まで、封止材をコーティング３３上に擦り込む。
好ましくは、プラテンの下側周面，プラテンの中央孔の
周囲，およびプラテンの側面にあるあらゆるキー・ホー
ル周囲を切除し、小さな面取り部を形成する。これらの
面取り部を加えた場合、プラテン３２のこれらの領域
に、封止層４２による封止を再度行う。あるいは、これ
ら追加の面取り部は、コーティング３３を堆積する前に
形成する。
【００２０】一旦封止が行われたなら、プラテン３２を
再度組み立て、冷却固定具(coolingfixture) を取り付
け、ＣＭＰ装置上に配置する。好ましくは、一旦ＣＭＰ
装置上にプラテン３２を配置したなら、脱イオン水中で
約２４時間連続的に洗浄する。
【００２１】コーティング３３に対する１つの重要な必
要条件として、これがプラテン３２に強力に接着しなけ
ればならないことがあげられる。何故なら、パッド１３
は典型的に、圧力感応接着剤（ＰＳＡ：pressure sensi
tive adhesive ）または同様の手段を用いて、プラテン
３２に取り付けられるからである。交換のために磨耗し
たパッドを除去するにはかなりの力が必要である。この
力は、保護コーティングの剥離を起こす可能性がある。
上述のプロセスを用いて形成したプラズマ・フレーム・
スプレー・クロム酸化物サンプルに対して、接着検査を
行った。ＣＭＰ処理に適したＰＳＡ物質を用いて、CR P
olitexパッド材をサンプルに取り付けた。検査の結果、
コーティング形成直後の剥離検査では、平均２５．５オ
ンス／半インチ（標準偏差１．８５），コーティング形
成後２４時間経過時における剥離検査では、平均３０．
５ｏｚ／半インチ（標準偏差１．５），および１８時間
スラリに浸漬した後の剥離検査では、平均１９．０ｏｚ
／半インチ（標準偏差０．４５）が示された。これらの
結果は、コーティング３３がプラテン３２に強力に接着
することを示すものである。
【００２２】また、プラズマ・フレーム・スプレー・ク
ロム酸化物コーティングおよびパラフィン・ワックス封
止材は、卓越した熱伝達特性を与えることもわかった。
耐熱金属の酸化物のような酸化物セラミック物質には絶
縁性があるので、このような熱伝達特性が得られること
は期待されていなかった。また、プラズマ・フレーム・
スプレー・クロム酸化物コーティングは、スラリ化学薬
品内に存在するほぼ全ての元素に対して抵抗力がある。
加えて、コーティングは、高い表面硬度を有するので、
パッド縁取りプロセスによる損傷にも抵抗力がある。更
に、コーティング３３に傷が付いた場合、プラズマ・フ
レーム・スプレー・プロセスを用いてプラテン３２を再
加工すればよく、コーティング全体を剥ぎ取る必要はな
い。これにより、再処理コストを節約することができ
る。
【００２３】図４は、本発明によるＣＭＰ装置の構成物
を示す拡大断面図である。構成物５２は、アルミニウ
ム，ステンレス鋼等のような金属から成る。構成物５２
の例には、搬送装置（図１に示すもののような），調整
装置（図１に示すもののような）等が含まれる。コーテ
ィング３３を構成物５２上に堆積することにより、処理
の間スラリに露出される表面を保護する。コーティング
３３を形成するには、上述の技法を用いる。
【００２４】以上の説明から、金属製のＣＭＰ装置構成
物に強力に接着し、スラリ化学薬品内に存在するほぼ全
ての元素に対して抵抗力があり、良好な熱伝達特性を与
え、高い表面硬度を有する、耐熱金属酸化物のコーティ
ングが提供されたことが認められよう。加えて、プラズ
マ・フレーム・スプレー技法を用いたコーティングの被
着は、費用有効性が高い方法である。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来技術によるＣＭＰ装置の斜視図
【図２】本発明によるプラテン構造の一部の断面図。
【図３】本発明によるプラテン構造の一部の付加的な実
施例を示す図。
【図４】本発明によるＣＭＰ装置の一部の別の実施例を
示す図。
【符号の説明】
１１ ＣＭＰ装置 １２ プラテン １３ 研磨パッド １４ 研磨アーム １７ 研磨ヘッド １８ 基板 ２１ スラリ分与装置 ２２ 調整用アセンブリ ３２ プラテン ３３ コーティング ３６ 主面 ３７ 外側表面 ３８ 面取り部 ３９ 外縁 ４１ 孔 ４２ 封止層 ５２ 構成物

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】プラテン・コーティング構造であって：第
    １主面（３６）を有するプラテン（３２）；および前記
    第１主面上に形成されたコーティング（３３）であっ
    て、耐熱金属酸化物から成る前記コーティング（３
    ３）；から成ることを特徴とするプラテン・コーティン
    グ構造。
  2. 【請求項２】基板から物質を除去する方法であって：基
    板（１８）を用意する段階；主面（３６）と、該主面
    （３６）上に形成された酸化物セラミック・コーティン
    グ（３３）とを含むプラテン（３２）を有するＣＭＰ装
    置上に、前記基板を配置する段階；および前記ＣＭＰ装
    置を用いて、前記基板（１８）から物質を除去する段
    階；から成ることを特徴とする方法。
  3. 【請求項３】ＣＭＰ装置であって：研磨スラリに露出さ
    れた場合腐食の恐れがある表面を有する金属構成物（５
    ２）；および前記表面上に形成された耐熱金属酸化物保
    護層（３３）；から成ることを特徴とするＣＭＰ装置。
JP34202697A 1996-12-02 1997-11-27 化学機械研磨用プラテン・コーティング構造および方法 Pending JPH10156709A (ja)

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US755870 1996-12-02
US08/755,870 US5743788A (en) 1996-12-02 1996-12-02 Platen coating structure for chemical mechanical polishing and method

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EP (1) EP0850725B1 (ja)
JP (1) JPH10156709A (ja)
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DE (1) DE69716866T2 (ja)
TW (1) TW351835B (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000288918A (ja) * 1999-04-02 2000-10-17 Applied Materials Inc パターン面を備える改良型ｃｍｐプラテン
KR100810893B1 (ko) 2003-12-31 2008-03-07 동부일렉트로닉스 주식회사 씨엠피 장비용 평면 코팅 장치
JP2022534384A (ja) * 2019-05-31 2022-07-29 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 研磨プラテン及び研磨プラテンの製造方法

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5964413A (en) * 1997-11-05 1999-10-12 Mok; Peter Apparatus for dispensing slurry
JPH11333703A (ja) * 1998-05-28 1999-12-07 Speedfam-Ipec Co Ltd ポリッシング加工機
JPH11347921A (ja) * 1998-06-05 1999-12-21 Memc Kk シリコンウェーハの研磨方法
US6036586A (en) * 1998-07-29 2000-03-14 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for reducing removal forces for CMP pads
US20040053566A1 (en) * 2001-01-12 2004-03-18 Applied Materials, Inc. CMP platen with patterned surface
FR2791917B1 (fr) * 1999-04-06 2001-06-22 Prec Machines Outils Procede de realisation d'une machine a rectifier de precision du type comprenant un bati et machine a rectifier de precision correspondante
US6468135B1 (en) 1999-04-30 2002-10-22 International Business Machines Corporation Method and apparatus for multiphase chemical mechanical polishing
US6363599B1 (en) 1999-08-04 2002-04-02 Komag, Inc. Method for manufacturing a magnetic disk including a glass substrate
AU7851000A (en) * 1999-10-08 2001-04-23 Speed-Fam-Ipec Corporation Optimal offset, pad size and pad shape for cmp buffing and polishing
US6793561B2 (en) 1999-10-14 2004-09-21 International Business Machines Corporation Removable/disposable platen top
US6422921B1 (en) 1999-10-22 2002-07-23 Applied Materials, Inc. Heat activated detachable polishing pad
US6203417B1 (en) 1999-11-05 2001-03-20 Speedfam-Ipec Corporation Chemical mechanical polishing tool components with improved corrosion resistance
US6264536B1 (en) * 2000-02-01 2001-07-24 Lucent Technologies Inc. Reducing polish platen corrosion during integrated circuit fabrication
US6599175B2 (en) 2001-08-06 2003-07-29 Speedfam-Ipeca Corporation Apparatus for distributing a fluid through a polishing pad
US7040957B2 (en) * 2002-08-14 2006-05-09 Novellus Systems Inc. Platen and manifold for polishing workpieces
US6951504B2 (en) * 2003-03-20 2005-10-04 3M Innovative Properties Company Abrasive article with agglomerates and method of use
JP5065574B2 (ja) * 2005-01-12 2012-11-07 住友電気工業株式会社 ＧａＮ基板の研磨方法
CN102380818A (zh) * 2010-09-01 2012-03-21 无锡华润上华半导体有限公司 化学机械研磨方法和研磨设备
US9719166B2 (en) 2011-06-21 2017-08-01 Spts Technologies Limited Method of supporting a workpiece during physical vapour deposition
GB201110476D0 (en) * 2011-06-21 2011-08-03 Spp Process Technology Systems Uk Ltd A method of supporting a workpiece during physical vapour deposition
CN103659576A (zh) * 2012-09-20 2014-03-26 苏州赫瑞特电子专用设备科技有限公司 一种单面研磨抛光机的研磨抛光盘
CN103276214B (zh) * 2013-05-30 2014-11-19 上海交通大学 利用电镀废水制备防腐蚀涂层的方法
US11397139B2 (en) * 2017-02-27 2022-07-26 Leco Corporation Metallographic grinder and components thereof
US20200381262A1 (en) * 2017-03-24 2020-12-03 Axus Technology, Llc Atmospheric plasma in wafer processing system optimization
CN115488754A (zh) * 2022-09-30 2022-12-20 上海芯物科技有限公司 Cmp自动贴膜装置及方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5855562A (ja) * 1981-09-28 1983-04-01 Hitachi Ltd 研磨皿とその製造方法
GB9010833D0 (en) * 1990-05-15 1990-07-04 Electrotech Research Limited Workpiece support
WO1995029039A1 (fr) * 1994-04-22 1995-11-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Plaque support de surface de meulage separable et appareil associe
US5558717A (en) * 1994-11-30 1996-09-24 Applied Materials CVD Processing chamber
US5533923A (en) * 1995-04-10 1996-07-09 Applied Materials, Inc. Chemical-mechanical polishing pad providing polishing unformity

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000288918A (ja) * 1999-04-02 2000-10-17 Applied Materials Inc パターン面を備える改良型ｃｍｐプラテン
JP4489903B2 (ja) * 1999-04-02 2010-06-23 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド パターン面を備える改良型ｃｍｐプラテン
KR100810893B1 (ko) 2003-12-31 2008-03-07 동부일렉트로닉스 주식회사 씨엠피 장비용 평면 코팅 장치
JP2022534384A (ja) * 2019-05-31 2022-07-29 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 研磨プラテン及び研磨プラテンの製造方法

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