KR101908615B1 - 가스 분배판 표면들을 개장하기 위한 방법 및 장치 - Google Patents

가스 분배판 표면들을 개장하기 위한 방법 및 장치 Download PDF

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Abstract

본 명세서에 기재된 실시예들은 일반적으로 증착 챔버 또는 에칭 챔버에서 활용되는 가스 분배판 조립체를 개장하기 위한 장치 및 방법들에 관한 것이다. 일 실시예에서, 가스 분배판 조립체를 개장하기 위한 방법이 제공된다. 상기 방법은 복수의 가스 분배공들이 내부에 배치되어 있는 가스 분배판 조립체의 면판을 폴리싱 디바이스의 폴리싱 패드에 대해 압박하는 단계와, 면판과 폴리싱 패드 사이에 상대 운동을 제공하는 단계와, 폴리싱 패드에 대해 면판을 폴리싱하는 단계를 포함한다.

Description

가스 분배판 표면들을 개장하기 위한 방법 및 장치{METHOD AND APPARATUS FOR REFURBISHING GAS DISTRIBUTION PLATE SURFACES}
본 명세서에 기재된 실시예들은 일반적으로 가스 분배판 표면과 같은 반도체 프로세싱 챔버 부품들의 표면들을 개장(refurbishing)하여 그 표면을 처녀(virgin) 상태 또는 준 처녀 상태로 복원하는 기술에 관한 것이다.
반도체 기판들과 같은 기판들 상에 전자 디바이스들을 제조함에 있어서, 다수의 프로세싱 단계들이 활용된다. 예를 들어, 기판들 상에 증착 및 에칭 프로세스들이 실시된다. 기판 위에 배치된 가스 분배판을 통해 챔버로 가스들이 유동된다. 가스 분배판과 기판 사이에 프로세싱 영역이 형성되며, 프로세싱 영역에서 가스들이 열적으로 또는 플라즈마 형성에 의해 해리되어, 물질들을 증착하거나 기판으로부터 제거하게 된다.
프로세싱 중, 프로세싱 구역에 근접해 있는 챔버의 표면들은 증착 또는 에칭제 부산물들로 오염되게 된다. 부품 표면들에서의 오염은 프로세스 파라미터들이 심각한 영향을 받는 지점에 도달할 것이고, 표면들은 세척을 필요로 할 것이다. 부품 표면들에 대한 종래의 세척은, 통상적으로, 부산물들을 제거하기 위해 용제 또는 산으로 표면들을 수동으로 닦아냄으로써, 이루어진다. 이 방법은 매우 노동 집약적이고 시간 소모적이며, 상당한 챔버 다운타임과 비용을 초래한다.
또한, 종래의 세척 기술들에 의하면, 세척 후 부품 표면들이 새로운 표면과 동일하게 기능하지 않을 수 있다. 예를 들어, 플라즈마 프로세스에서 전극으로 활용되는 가스 분배판의 표면은, 신품인 경우, 통상적으로 특정한 표면 조도(surface roughness)를 갖는다. 표면 조도는 가스 분배판의 전기적 특성들에 기여하며, 결국, 프로세싱 조건들과 프로세싱 결과들에 영향을 미친다. 프로세싱 중, 프로세스 화학물에 의해 표면이 공격을 받게 되고, 이로 인해 표면 조도가 변화하고 및/또는 피팅(pitting)이 생성된다. 따라서, 표면을 닦아냄으로써 부산물들이 제거될 수는 있으나, 세척된 표면은 원래의(신품의) 가스 분배판과는 상이한 전기적 특성을 갖게 된다. 따라서, 세척된 가스 분배판은 상이한 프로세싱 결과들을 바람직하지 않게 초래할 것이다.
따라서, 챔버 내의 부품 표면들을 개장하여 그 챔버 부품을 처녀 상태 또는 준 처녀 상태로 복원하는 장치 및 방법이 필요하다.
본 명세서에 기재된 실시예들은 일반적으로 가스 분배판 표면을 처녀 상태 또는 준 처녀 상태로 개장하기 위한 장치 및 방법들에 관한 것이다. 보다 구체적으로는, 증착 챔버 또는 에칭 챔버에서 활용되는 가스 분배판 조립체를 개장하기 위한 장치 및 방법들에 관한 것이다.
일 실시예에서, 가스 분배판 조립체를 개장하기 위한 방법은 복수의 가스 분배공들이 내부에 배치되어 있는 가스 분배판 조립체의 면판을 폴리싱 디바이스의 폴리싱 패드에 대해 압박하는 단계와, 면판과 폴리싱 패드 사이에 상대 운동을 제공하는 단계와, 폴리싱 패드에 대해 면판을 폴리싱하는 단계를 포함한다.
다른 실시예에서, 가스 분배판 조립체를 개장하기 위한 방법은 가스 분배판 조립체의 본체로부터 면판의 제 1 주면을 분리하는 단계와, 면판의 제 2 주면을 약 6μ인치 또는 그보다 더 부드러운 표면 마감으로 폴리싱하는 단계와, 폴리싱된 면판을 진공 분위기에서 열처리하는 단계를 포함한다.
또 다른 실시예에서, 면판에 커플링된 본체를 포함한 가스 분배판 조립체가 제공된다. 본체는 그 내부에 배치된 복수의 제 1 가스 분배공들을 갖는다. 면판은 본체의 복수의 제 1 가스 분배공들과 동축으로 정렬된 복수의 제 2 가스 분배공들을 그 내부에 갖는다. 면판은 본체의 반대쪽을 향하고 있는(facing away) 열처리된 표면을 갖는다. 열처리된 표면은 6μ인치 또는 그보다 더 부드러운 표면 마감을 갖는다.
본 발명의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된 본 발명의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있는데, 이러한 실시예들의 일부는 첨부된 도면들에 예시되어 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 본 발명의 단지 전형적인 실시예들을 도시하는 것이므로, 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 하는데, 이는 본 발명이 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
도 1a는 종래의 가스 분배판 조립체의 단면도이다.
도 1b는 1B-1B 단면선을 따른 도 1a의 가스 분배판 조립체의 개략적인 평면도이다.
도 2는 본 명세서에 기재된 실시예들에 따른 가스 분배판 조립체의 단면도이다.
도 3a는 도 2의 가스 분배판 조립체를 폴리싱하기 위한 개장 방법에서 활용될 수 있는 폴리싱 디바이스의 일 실시예의 평면도를 도시한다.
도 3b는 도 2의 가스 분배판 조립체를 폴리싱하기 위한 개장 방법에서 활용될 수 있는 폴리싱 디바이스의 다른 실시예의 평면도이다.
도 4는 도 3b에 도시된 폴리싱 패드로서 활용될 수 있는 폴리싱 물질의 일 실시예의 측단면도이다.
도 5a는 폴리싱 전과 후의 도 2의 가스 분배판 조립체의 표면의 표면 조도를 비교한 그래프이다.
도 5b는 본 명세서에 기재된 바와 같은 개장 방법을 실시하기 전과 후의 가스 분배판 조립체의 표면의 불소 함량을 나타낸다.
도 5c는 본 명세서에 기재된 바와 같은 개장 방법을 실시하기 전과 후의 가스 분배판 조립체의 표면의 알루미늄 함량을 나타낸다.
도 6a는 폴리싱 후의 가스 분배판 조립체를 활용한 에칭률(ER)과 폴리싱되지 않은 가스 분배판 조립체의 에칭률을 비교한 그래프이다.
도 6b는 표준 브레이크 직류(DC) 조건 대 직류 브레이크 쇼트 조건에 대한 에칭률 비교를 나타낸 그래프이다.
이해를 용이하게 하기 위하여, 도면들에서 공통되는 동일한 요소들은 가능한 한 동일한 참조번호들을 사용하여 표시하였다. 일 실시예에 개시된 요소들이 구체적인 언급 없이 다른 실시예들에서도 유리하게 사용될 수 있을 것으로 생각된다.
본 발명의 실시예들은 일반적으로 증착 챔버 또는 에칭 챔버에서 활용되는 가스 분배판 조립체를 개장하기 위한 장치 및 방법들에 관한 것이다. 상기 방법은 가스 분배판 조립체의 표면을 처녀 상태 또는 준 처녀 상태로 복원하는 단계를 포함한다. 특정 실시예들에서, 상기 방법은 증착 챔버들, 에칭 챔버들 또는 다른 플라즈마 프로세싱 챔버들의 다른 부품들에 대해 활용될 수 있다. 본 명세서에 기재된 실시예들은 캘리포니아 산타 클라라에 소재한 Applied Materials, Inc.로부터 입수할 수 있는 ADVANTEDGETM 에칭 시스템과 같은 에칭 시스템 또는 에칭 챔버에 사용되는 부품들에 대해 실시될 수 있다. 본 명세서에서 논의된 실시예들은, 다른 제조 업체들에 의해 판매되는 것들을 포함하여, 다른 프로세싱 시스템들에 사용된 다른 부품들에 대해 실시될 수 있음을 이해하여야 한다.
도 1a는 종래의 가스 분배판 조립체(100)의 단면도이다. 가스 분배판 조립체(100)는 에칭 챔버, 화학 기상 증착(CVD) 챔버, 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD) 챔버 등과 같은 플라즈마 프로세싱 챔버(미도시) 내에 배치될 수 있다. 가스 분배판 조립체(100)는 챔버 내부에서 플라즈마를 형성할 때 전극으로서 기능하도록 무선 주파수 전원(미도시)에 커플링될 수 있다. 가스 분배판 조립체(100)는 화살표들의 방향으로 복수의 가스 분배공(105)들을 통해 프로세스 가스들을 전달하기 위해 활용되는 샤워헤드일 수 있다. 가스 분배공(105)들은 도 1b에 도시된 바와 같은 열들(rows) 또는 원형 링들의 패턴을 형성할 수 있다.
도 1a를 다시 참조하면, 가스 분배판 조립체(100)는 본체(110)와 면판(115)을 포함한다. 본체(110)는 알루미늄 또는 스테인리스 스틸과 같은 전도성 물질로 제조될 수 있다. 본체(110)는 제 1 면(112A) 및 반대측의 제 2 면(112B)을 포함한다. 면판(115)은 본체(110)의 제 2 면(112B) 상에 배치된다. 가스 분배공(105)들은 면판(115) 및 본체(110) 모두를 통해 정렬되어 연장한다. 면판(115)은, 실리콘 탄화물(SiC), 석영, 벌크 이트륨, 이트륨 산화물과 같은 세라믹 물질이거나, 또는 알루미늄과 같은 다른 프로세스 저항 물질일 수 있다. 면판(115)은 제 1 주면(114A)과 제 1 주면(114A) 반대측의 제 2 주면(114B)을 포함한다. 면판(115)은 본체(110)에 대해 접합되거나, 클램핑되거나, 그렇지 않으면, 고정될 수 있다. 일 실시예에서, 면판(115)의 제 1 주면(114A)은 접착제(120)에 의해 본체(110)의 제 2 면(112B)에 접합된다. 가스 분배판 조립체(100)가 단일의 하나로 된(one-piece) 부재로서 한 덩어리의 물질로 형성된 면판(115)과 본체(110)로 구성될 수 있는 것이 가능하다.
면판(115)의 제 2 주면(114B)은 플라즈마 프로세싱 챔버 내의 프로세싱 구역(125)을 대면한다. 다수회의 프로세싱 사이클들 중에, 제 2 주면(114B)은 프로세싱 부산물들로 오염되게 된다. 부산물들은, 후에 제거되어 기판을 오염시킬 수 있는 미립자들을 포함할 수 있다. 또한, 부산물들이 가스 분배공(105)들을 폐색하여, 가스 분배판 조립체(100)를 통한 가스 유동을 제한할 수도 있다. 또한, 제 2 주면(114B)은 열, 프로세스 화학물 및 이온 충격을 받게 되며, 이는 제 2 주면(114B)을 침식시킨다. 따라서, 제 2 주면(114B)의 속성들과 가스 분배판 조립체(100)의 작동이 시간에 따라 변하며, 프로세스 드리프트를 초래한다.
예를 들어, 가스 분배판 조립체(100)가 신품인 경우, 제 2 주면(114B)은, 예시에 불과하며 제한적이지 않은, 약 20μ인치 미만 또는 그와 동일할 수 있는 "설계상" 평균 표면 조도(Ra)를 포함할 수 있다. 에칭 프로세스에서, 에칭제 화학물과 이온들이 제 2 주면(114B)을 공격하여, 제 2 주면(114B)을 더 거칠어지게 한다. 일 예에서, 다수회의 프로세싱 사이클들 이후에, 제 2 주면(114B)의 평균 표면 조도가 약 30μ인치 내지 약 1,000μ인치의 조도(Ra)로 증가할 수 있다. 제 2 주면(114B)의 조도의 변화는, 제 2 주면(114B)의 조도가 플라즈마의 전기적 특성들에 영향을 미치기 때문에, 플라즈마 적용시 프로세스 드리프트를 초래할 수 있다. 상이한 플라즈마 특성들이 에칭률의 드리프트를 초래하기 때문에, 플라즈마 특성들의 변화는 유해하다. 에칭률의 드리프트는 웨이퍼 대 웨이퍼의 불균일성과 아울러 웨이퍼내 불균일성을 초래할 수 있다. 불균일성은 챔버의 처리량에 상당한 영향을 미친다.
제 2 주면(114B)을 닦아냄으로써 제 2 주면(114B)으로부터 부산물들을 제거할 수는 있으나, 닦아내는 것은 제 2 주면(114B)의 과도한 조도를 제거하는 것은 아니다. 본 발명자들은, 임의의 부산물들을 제거하여 제 2 주면(114B)을 새로운 또는 미사용의 가스 분배판과 동일한 표면 조도(예컨대, Ra)로 복원하기 위해, 제 2 주면(114B)이 세척될 수 있는 개장 프로세스를 발견하였다. 개장 프로세스는 가스 분배판 조립체(100)의 제 2 주면(114B)을 처녀 상태 또는 준 처녀 상태로 복원하여 프로세스 드리프트를 실질적으로 제거한다. 또한, 개장 방법은 가스 분배판 조립체들 간의 편차를 실질적으로 제거하여, 그에 따라 상이한 가스 분배판 조립체들을 이용하여 제조된 제품들 간의 편차를 줄인다.
가스 분배판 조립체(100)가 챔버로부터 제거되면, 가스 분배판 조립체(100)는 개장을 위해 준비될 수 있다. 일 실시예에서, 면판(115)의 적어도 제 2 주면(114B)은 개장 프로세스에서 평탄화되거나 폴리싱된다. 일부 실시예들에서, 가스 분배판 조립체(100)의 본체(110)로부터 면판(115)이 제거되어 개장 프로세스를 거치게 된다. 다른 실시예들에서, 가스 분배판 조립체(100)와 면판(115)은 일체형 유닛으로서 개장된다. 일부 실시예들에서, 폴리싱 파편이 가스 분배공(105)들로 유입되지 않도록, 가스 분배공(105)들이 폐쇄된다. 일 실시예에서, 가스 분배공(105)들은 고체 물질로 폐쇄된다. 다른 실시예들에서, 압축 가스, 가압 유체 또는 이들의 조합들이 가스 분배공(105)들에 제공되거나 이들을 통하여 유동된다. 폴리싱 후, 면판(115) 및/또는 가스 분배판 조립체(100)는 잔여 폴리싱 파편을 제거하기 위해 세척되며, 열처리되고, 베이크 아웃되며, 배송 준비된다.
개장 프로세스의 일 실시예에서, 점착제(120)의 제거를 포함할 수 있는 분리 과정에 의해 본체(110)로부터 면판(115)이 제거된다. 분리 과정은 화학적이거나 열적일 수 있다. 화학적 분리에 의하면, 개장 프로세스 후, 동일한 본체(110)가 면판(115)에 재부착될 수 있다. 열적 분리는 면판(115)의 제거중에 본체(110)를 종종 손상시키며, 이에 따라, 개장 프로세스 후, 원래의 본체(110)가 폐기되고 새로운 본체(110)가 면판(115)에 부착된다. 면판(115)은 분리 후 산욕(acid bath), 예컨대, HF 배스를 이용하여 세척될 수 있다.
면판(115)은 제 2 주면(114B)으로부터 물질을 제거하는 폴리싱 디바이스 내에서 프로세싱될 수 있다. 폴리싱 디바이스는 연마 툴, 화학적 기계적 폴리서, 랩핑 툴, 또는 후술하는 바와 같이 원하는 표면 마감(RA)을 얻기 위해 적합한 다른 툴일 수 있다. 일 실시예에서, 면판(115)의 제 1 주면(114A)과 제 2 주면(114B) 중 하나 또는 모두가 폴리싱 디바이스에서 폴리싱될 수 있다. 예를 들어, 부산물들을 제거하고 제 2 주면(114B)을 원하는 조도(Ra)로 평탄화하기 위해, 슬러리 및/또는 탈이온수(DIW)가 존재하는 상태에서 폴리싱 디바이스의 폴리싱 표면에 대해 면판(115)의 제 2 주면(114B)이 압박될 수 있다. 또한, 가스 분배판 조립체(100)의 본체(110)의 제 2 면(112B)에 대한 제 1 주면(114A)의 재접합을 준비하기 위해, 면판(115)의 제 1 주면(114A)이 평탄화될 수 있다. 이하에서 더 설명한 바와 같이, 폴리싱 디바이스는 평면형, 오목형 또는 볼록형 중 하나인 프로파일을 면판(115)의 제 2 주면(114B)에 생성하도록 구성될 수 있다.
일 실시예에서, 면판(115)의 제 2 주면(114B)은 원하는 조도(Ra)로 폴리싱된다. 일 실시예에서, 폴리싱 프로세스는 면판(115)으로부터 약 25미크론(㎛) 내지 약 50㎛의 물질을 제거한다. 다른 실시예에서, 폴리싱 프로세스는 면판(115)으로부터 최대 약 254㎛ 까지의 또는 그 초과의 물질을 제거한다. 면판(115)의 폴리싱 종점은 시한이 있을 수 있지만, 일 실시예에서 그 종점은 통상적으로 제 2 주면(114B)의 원하는 마감(Ra)에 좌우된다. 따라서, 면판(115)으로부터 제거되는 물질은 제 2 주면(114B)에서 바람직한 임의의 비-평탄도와 아울러 원하는 마감에 좌우될 수 있다. 일 실시예에서, 제 2 주면(114B)의 원하는 마감(즉, 표면 RA)은 약 20μ인치 미만이다. 일 실시예에서, 제 2 주면(114B)의 원하는 마감(즉, 표면 RA)은 약 10μ인치 또는 그보다 더 부드럽다. 표면 RA가 약 6μ인치 또는 그보다 더 부드러운 경우, 가령 약 4μ인치 또는 그보다 더 부드러운 경우, 제 2 주면(114B)이 보다 우수한 미립자 성능을 갖는 것으로 밝혀졌다.
면판(115)의 제 1 주면(114A)과 제 2 주면(114B) 중 하나 또는 모두가 원하는 Ra 및/또는 평탄도로 폴리싱된 후, 면판(115)이 세척될 수 있다. 면판(115)은 용제들, 산욕, 전력 세정(power washing) 및/또는 DIW로 세정 중 하나 또는 둘 이상을 이용하여 세척될 수 있다. 가스 분배판 조립체(100)의 본체(110)의 제 2 면(112B)은 분리 과정으로부터 남은 임의의 잔여 접착제(120)를 제거하기 위해 세척될 수 있다. 일 실시예에서, 면판(115)은 폴리싱 후 산욕으로, 예컨대, HF 배스에서 세척된다. 가스 분배판 조립체(100)의 본체(110)는 또한 용제들, 산욕, 전력 세정 및/또는 DIW로 세정 중 하나 이상을 이용하여 세척될 수 있다.
본체(110)의 제 2 면(112B)에 면판(115)을 재접합하기 전에, 면판(115)은 열처리된다. 일 실시예에서, 면판(115)은 진공 로에서 열처리된다. 진공 로의 온도들은 면판(115)의 열처리중에 약 1,200℃ 내지 약 1,300℃의 범위일 수 있다. SiC로 구성된(comprised for) 면판(115)을 열처리함으로써, 미립자 셰딩(shedding)의 상당한 저감이 얻어지는 것으로 밝혀졌다. 미립자 셰딩의 저감은 폴리싱으로 인해 변화된 상태로부터 처녀 SiC 표면의 상태와 유사한 상태로 다시 면판의 표면 구조(morphology)가 복원되었기 때문이라고 생각된다. 면판(115)의 표면 구조가 복원되었을 지라도 모든 피팅이 제거될 수는 없기 때문에, 면판(115)으로부터의 상당량의 물질이 제거되고, 폴리싱되며, 열처리된 후에라도, 면판(115)은 플라즈마 노출 흔적을 여전히 나타낼 것이다.
열처리 후, 면판(115)은 HF 배스와 같은 산욕을 이용하여 세척될 수 있다. 면판(115)은 초음파 여기를 이용하여 세척될 수 있다.
그 다음, 면판(115)은 본체(110)의 제 2 면(112B)에 재접합될 수 있다. 그리고, 가스 분배판 조립체(100)의 면판(115)과 본체(110)에 존재할 수 있는 임의의 잔여 폴리싱 부산물들을 제거하기 위해, 전력 세정 및 DIW로 세정 중 하나 또는 조합을 이용하여, 개장된 면판(115)이 부착되어 있는 본체(110)가 더 세척될 수 있다. 그리고, 개장된 면판(115)을 구비하고 있는 가스 분배판 조립체(100)가 베이크 아웃되고, 배송을 위해 포장될 수 있다.
개장 프로세스의 다른 실시예에서, 가스 분배판 조립체(100)의 본체(110)와 면판(115)은 일체형 유닛으로서 개장된다. 본체(110)와 부착된 면판(115)을 폴리싱하면, 분리가 필요하지 않으며, 개장 방법의 비용을 약 60% 까지 절감한다. 면판(115)의 제 2 주면(114B)이 폴리싱 디바이스의 폴리싱 표면을 대면하도록, 가스 분배판 조립체(100)의 본체(110)가 폴리싱 디바이스에 커플링된다. 일 실시예에서, 폴리싱 디바이스의 폴리싱 표면에 슬러리 및/또는 DIW가 제공된다. 일 양태에서, 슬러리 및/또는 DIW는 면판(115)의 제 2 주면(114B)으로부터의 물질 제거를 향상시키기 위해 활용된다. 다른 양태에서, 슬러리 및/또는 DIW는 가스 분배판 조립체(100)의 가스 분배공(105)들을 통해 폴리싱 패드의 폴리싱 표면으로 유동됨으로써, 가스 분배공(105)들의 폐색(clogging)을 방지할 수 있다. 다른 실시예에서, 슬러리 및/또는 폴리싱 부산물들이 가스 분배공(105)들로 유입되지 않도록 하기 위해, 폐색 물질(blocker material)이 사용된다.
도 2는 개장을 위해 준비되고 사용된 가스 분배판 조립체(100)를 도시하고 있다. 도 2에 도시된 가스 분배판 조립체(100)는, 제 2 주면(114B)에서 면판(115)을 빠져나가는 가스 분배공(105)들의 적어도 일부에 폐색 물질(205)이 배치된 것을 제외하고, 도 1a에 도시된 가스 분배판 조립체(100)와 유사하다. 또한, 가스 분배판 조립체(100)의 제 2 주면의 표면 조도(RA)는, 프로세싱으로부터의 침식으로 인해, 약 30μ인치 내지 약 1,000μ인치 또는 그 초과일 수 있다. 가스 분배공(105)들은 본체(110)에 형성된 복수의 제 1 가스 분배공(210)과, 면판(115)에 형성된 복수의 제 2 가스 분배공(215)들을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 복수의 제 1 가스 분배공(210)들은, 면판(115)이 본체(110)에 커플링될 때, 복수의 제 2 가스 분배공(215)들과 실질적으로 동축으로 정렬된다. 제 2 주면(114B)으로부터 가스 분배공(105)들로 유체들의 유동, 프로세싱 부산물들 및 슬러리가 유입되지 않도록 하기 위해, 폐색 물질(205)이 활용되어 가스 분배공(105)들을 적어도 부분적으로 충진한다. 폐색 물질(205)은 폴리싱 프로세스 중에 존재할 수 있는 슬러리 화학물 및/또는 DIW에 대해 실질적으로 저항하는 임의의 물질일 수 있다. 또한, 폐색 물질(205)은 폴리싱 프로세스 후 쉽게 제거되는 물질이어야 한다. 일 실시예에서, 폐색 물질(205)은 물 또는 화학 용제로 용해할 수 있는 경화가능한 에멀젼이다. 일 실시예에서, 폐색 물질은 저항 에멀젼, 예컨대, 미국 미네소타 덜루스에 소재한 IKONICS® Corp.으로부터 입수할 수 있는 SBXTM 액체 저항 에멀젼이다.
일 실시예에서, 가스 분배판 조립체(100) 및/또는 면판(115)의 가스 분배공(105)들로 슬러리가 유입되지 않도록 하여 면판(115)을 폴리싱하는 방법은, 도 2에 도시된 바와 같이, 폐색 물질(205)을 도포하여 가스 분배공(105)들 내부로 액체 에멀젼 또는 폐색제를 스퀴지(squeegee)하는 단계를 포함한다. 면판(115)의 제 2 주면(114B)이 폴리싱될 경우에는, 면판(115)의 제 2 주면(114B) 상의 가스 분배공(105)들에 폐색 물질(205)이 도포될 수 있다. 다른 실시예(미도시)에서, 면판(115)의 양면들이 폴리싱될 경우에는, 면판(115)의 제 1 주면(114A)과 제 2 주면(114B) 모두에 폐색 물질(205)이 도포될 수 있다.
폐색 물질(205)은 기계적 수단 또는 수동적 수단을 사용하여 도포될 수 있다. 일 실시예에서, 매우 정확하게 그리고 제어된 양으로 액체 폐색 물질(205)을 가스 분배공(105)들에 분배하기 위해 도포기 머신이 이용될 수 있다. 다른 실시예에서, 스퀴지를 활용한 머신이 액체 폐색 물질(205)을 도포하기 위해 사용될 수 있다. 폐색 물질(205)은 또한 가스 분배공(105)들에 수동으로 스퀴지될 수도 있다.
면판(115)의 표면(들)에 폐색 물질(205)을 도포한 후, 표면(들)에 남아 있는 과다한 액체 폐색 물질(205)이 닦일 수 있다. 과다한 폐색 물질(205)을 제거하기 위해 DIW가 활용될 수 있다. 일부 실시예들에서, 폐색 물질(205)은 자외선(UV) 광 또는 열로 경화될 수 있다. 따라서, 노출되어 경화하기 전에, 표면(들)에 남아 있는 과다한 액체 폐색 물질(205)이 세정되고 및/또는 닦여야 한다. 폐색 물질(205)이 경화되는 경우, 면판(115)이 폴리싱될 수 있다.
도 3a는 면판(115)을 폴리싱하기 위한 개장 방법에서 활용될 수 있는 폴리싱 디바이스(300)의 일 실시예의 평면도를 도시한다. 폴리싱 디바이스(300)는 랩핑 머신 또는 화학적 기계적 폴리서일 수 있다. 도 3a에 도시된 기판(303)은 폴리싱 디바이스(300)의 폴리싱 패드(305) 위에 배치되어 있다. 도 3a에 도시된 평면도에서, 기판(303)은 면판(115)의 제 1 주면(114A) 또는 제 2 주면(114B), 또는 가스 분배판 조립체(100)의 본체(110)의 제 1 면(112A) 중 어느 하나일 수 있다. 폴리싱 디바이스(300)는 폴리싱 패드(305)를 지지하는 회전가능한 플래튼, 플래튼을 회전시키는 모터, 유체 전달 디바이스(310A, 310B)들을 가진 종래의 폴리싱 장치일 수 있다. 원형 폴리싱 패드를 활용하고 있는 폴리싱 디바이스(300)가 도시되어 있으나, 선형 벨트들 및 웨브(web) 시스템들과 같은 다른 폴리싱 디바이스들이 또한 활용될 수도 있다. 폴리싱 패드(305)는 폴리우레탄, 폴리카보네이트, 플루오로폴리머들, PTFE, PTFA, 폴리페닐렌 설파이드(PPS) 또는 이들의 조합들과 같은 고분자 물질, 또는 기판 표면들을 폴리싱하는 데 사용되는 다른 폴리싱 물질들을 포함할 수 있다.
기판(303)이 면판(115) 단독이거나, 가스 분배판 조립체(100)와 면판(115)이 함께인지에 관계없이, 폴리싱하고자 하는 표면(즉, (이 도면에는 도시되지 않은)면판(115)의 제 1 주면(114A) 또는 제 2 주면(114B))이 폴리싱 패드(305)에 접촉하도록, 기판(303)의 표면이 배치된다. 기판(303)은, 폴리싱 패드(305)에 근접한 위치에 기판(303)을 유지하는 캐리어 디바이스(미도시)에 커플링될 수 있다. 또한 캐리어 디바이스는 기판(303)의 회전을 용이하게 하기 위해 모터로 구동될(motorized) 수도 있다. 캐리어 디바이스는, 또한 기판(303)이 폴리싱 패드(305)에 대해 제어가능하게 압박될 수 있도록, 기판(303)에 제어가능한 하향력을 제공하기 위한 액추에이터에 커플링될 수도 있다. 또한, 캐리어 디바이스는 선형 운동 또는 원호 운동으로 폴리싱 패드(305)에 대해 측방향으로 기판(303)을 이동시키도록 구성될 수 있다.
기판(303)으로부터 물질을 제거하기 위해, 폴리싱 패드(305)는 화살표로 도시된 바와 같이 반시계 방향과 같은 제 1 방향으로 회전될 수 있다. 기판(303)은 반시계 방향이거나 시계 방향일 수 있는 제 2 방향으로 회전될 수 있다. 일 실시예에서, 폴리싱 패드(305)는 제 1 방향으로 회전되는 반면, 기판(303)은 제 1 방향과는 반대인 제 2 방향으로 회전한다. 폴리싱하는 동안, 슬러리, 또는 연마제들이 혼입되거나 혼입되지 않은 다른 폴리싱 화합물과 같은 화학 조성물이 유체 전달 디바이스(310A)에 의해 폴리싱 패드(305)에 제공될 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 유체 전달 디바이스(310B)에 의해 폴리싱 패드(305)에 탈이온수(DIW)가 제공될 수 있다. 폐색 물질(205)이 활용되지 않는 실시예들에서, 가스 분배공(105)들로 폴리싱 파편이 유입되지 않도록 하기 위해, 슬러리 및/또는 DIW가 가스 분배공(105)들을 통해 폴리싱 패드(305)에 도포될 수 있다. 대안적으로 또는 부가적으로, 가스 분배공(105)들로 폴리싱 파편이 유입되지 않도록 하기 위해, 공기 또는 다른 가스들이 가스 분배공(105)들을 통해 유동될 수 있다.
도 3b는 기판(303)을 폴리싱하기 위한 개장 방법에서 활용될 수 있는 폴리싱 패드(315)를 가진 폴리싱 디바이스(300)의 다른 실시예의 평면도이다. 도 3b에 도시된 평면도에서, 기판(303)은 면판(115)의 제 1 주면(114A) 또는 제 2 주면(114B), 또는 가스 분배판 조립체(100)의 본체(110)의 제 1 면(112A) 중 어느 하나일 수 있다. 폴리싱 디바이스(300)는 폴리싱 패드(315)에 대해 기판(303)을 지지하는 도 3a에 기재된 바와 같은 캐리어 디바이스(미도시)를 포함한다. 도 3a에 기재한 바와 같이, 폴리싱하고자 하는 표면(즉, (이 도면에는 도시되지 않은)면판(115)의 제 1 주면(114A) 또는 제 2 주면(114B))이 폴리싱 패드(315)에 접촉하도록, 기판(303)의 표면이 배치된다.
본 실시예의 폴리싱 패드(315)는 폴리싱 패드(315)의 폴리싱 표면에 분산된 복수의 연마 미립자(325)들을 포함한다. 연마 미립자(325)들은 세라믹 미립자들, 다이아몬드 미립자들 또는 이들의 조합들일 수 있다. 폴리싱 패드(315)는, 또한 폴리싱 패드(315)의 폴리싱 표면으로부터 폴리싱 부산물들 및 파편을 제거하는 데 도움이 되도록 그루브(330)들을 포함할 수도 있다. 연마 미립자들 및/또는 그루브형 표면들을 가진 다른 폴리싱 패드들이 활용될 수도 있지만, 일 실시예에서, 상기 폴리싱 패드(315)는 미국 미네소타 세인트 폴에 소재한 3M® Company로부터 입수할 수 있는 TRIZACTTM이란 명칭으로 판매되는 폴리싱 패드를 포함한다. 폴리싱 패드(315)는 기판(303)을 폴리싱하기 전에 컨디셔너 디바이스(320)로 컨디셔닝될 수 있다. 컨디셔너 디바이스(320)는 연마 미립자(325)들을 노출시키기 위해 폴리싱 패드(315)의 표면의 일부를 제거하고 및/또는 작동하는 연마 디스크를 포함한다. 연마 미립자(325)들은 폴리싱되는 기판(303)의 표면(즉, (이 도면에는 도시되지 않은)면판(115)의 제 1 주면(114A) 또는 제 2 주면(114B))으로부터 물질을 제거하는 데 도움이 된다.
도 4는 도 3b에 도시된 폴리싱 패드(315)로서 활용될 수 있는 폴리싱 물질(400)의 일 실시예의 측단면도이다. 폴리싱 물질(400)은 채널(410)들 사이에 형성된 복수의 융기된 피쳐(405)들을 포함한다. 채널(410)들은 융기된 피쳐(405)들이 격자로 배열되도록 그루브(330)들과 교차할 수 있다. 융기된 피쳐(405)들은 내부에 연마 미립자(325)들이 배치되어 있다. 일 실시예에서, 연마 미립자(325)들은 다이아몬드 미립자들이다. 다이아몬드 미립자들은 특정 크기일 수 있거나, 다이아몬드 그릿 크기들의 조합들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 다이아몬드의 크기는, A300, A160, A80, A45, A30, A20, A10, A6, A5, A3 또는 이들의 조합들일 수 있다. 융기된 피쳐(405)들은, 융기된 피쳐(405)들에 대해 기계적 강도를 제공하는 백킹 물질(415)에 커플링될 수 있다. 폴리싱 물질(400)에 형성된 채널(410)들 및/또는 그루브(330)의 구성은, 당해 채널(410)들 및/또는 그루브(330)들 내에서 유동하는 유체에 의해 파편이 플러싱되기 때문에, 폴리싱 파편의 제거에 도움이 될 수 있다. 이러한 방식으로, 폴리싱 물질(400)의 표면으로부터 폴리싱 파편이 쉽게 제거되어, 면판(115)의 가스 분배공(105)들 속으로 가해지지 않는다. 폐색 물질(205)이 활용되는 경우, 채널(410)들 및/또는 그루브(330)들은, 폴리싱 물질(400)로부터 멀리 기판(303)을 들어올리지 않고, 슬러리와 폴리싱 파편이 기판(303) 아래로부터 쉽게 유출되도록 허용한다.
폴리싱하는 도중에, 폴리싱 표면을 개장하여 연마 미립자(325)들을 노출하기 위해 폴리싱 패드(315)의 폴리싱 표면이 컨디셔닝될 수 있다. 폴리싱 패드(315)의 폴리싱 표면으로부터 폴리싱 파편의 제거를 돕기 위해, 슬러리 또는 DIW가 유체 전달 디바이스(310A)에 의해 폴리싱 패드(315)에 제공될 수 있다. 폐색 물질(205)이 활용되지 않는 실시예들에서, 가스 분배공(105)들로 폴리싱 파편이 유입되지 않도록 하기 위해, 유체(들)가 가스 분배공(105)들을 통해 폴리싱 패드(315)에 도포될 수 있다. 적당한 유체들은 DIW, 질소, 공기 또는 다른 가스들을 포함한다.
도 2a 및 도 2b에 기재된 바와 같은 폴리싱 패드(305) 또는 폴리싱 패드(315)를 사용하는 폴리싱 디바이스(300)에서 면판(115)이 폴리싱될 수 있다. 면판(115)의 제 2 주면(114B)이 폴리싱되어야 하는 실시예들에서, 제 2 주면(114B)이 열 및/또는 에칭제 화학물들에 대한 노출로부터 왜곡되어, 제 2 주면(114B)이 평탄하지 않을 수 있다. 제 2 주면(114B)이 평면이 아닌 경우, 폴리싱 패드(305 또는 315)는 면판(115)의 제 2 주면(114B)의 전체가 폴리싱 패드(305 또는 315)와 접촉하도록 보장하기 위해 시밍(shimmed)될 필요가 있을 수 있다. 면판(115)의 적어도 제 2 주면(114B) 상에 평면, 오목면 또는 볼록면을 생성하는 방식으로 폴리싱 패드(305 또는 315)가 또한 시밍될 수도 있다. 폴리싱 프로세스의 일부가 완료된 후, 시밍이 채용될 수 있다. 심(shim)들의 위치는, 효과적으로 폴리싱되지 않고 있는 영역들을 보상하기 위해, 기판(303)의 시각적 검사를 통해 결정될 수 있다.
일 실시예에서, 면판(115)의 제 1 주면(114A) 및/또는 제 2 주면(114B)의 원하는 조도(Ra)에 따라, 면판(115)의 폴리싱이 시간이 맞춰지고(timed) 및/또는 결정될 수 있다. 일 실시예에서, 폴리싱 프로세스는 면판(115)으로부터 약 25미크론(㎛) 내지 약 50㎛의 물질을 제거한다. 다른 실시예에서, 폴리싱 프로세스는 면판(115)으로부터 최대 약 254㎛ 또는 그 초과의 물질을 제거한다. 면판(115)의 폴리싱 종점은 시간이 맞춰지지만, 일 실시예에서 그 종점은 통상적으로 제 2 주면(114B)의 원하는 마감에 따라 좌우된다. 따라서, 면판(115)으로부터 제거되는 물질은 제 2 주면(114B)에서 바람직한 임의의 비-평탄도와 아울러 바람직한 마감에 좌우될 수 있다. 일 실시예에서, 제 2 주면(114B)의 바람직한 마감(즉, 표면 RA)은 약 20μ인치 미만이다. 일 실시예에서, 제 2 주면(114B)의 바람직한 마감(즉, 표면 RA)은 약 10μ인치이거나 또는 그보다 더 부드럽다. 표면 RA가 약 6μ인치 또는 그보다 더 부드러운 경우, 가령 약 4μ인치 또는 그보다 더 부드러운 경우, 제 2 주면(114B)은 보다 우수한 미립자 성능을 갖는 것으로 밝혀졌다.
폴리싱 후, 면판(115)은 세척될 수 있다. 면판(115)의 가스 분배공(105)들을 충진하기 위해 폐색 물질(205)이 활용된 경우, 폐색 물질(205)은 제거되어야 한다. 가스 분배공(105)들에서 폐색 물질(205)을 제거하기 위해, 리무버가 활용된다. 면판(115)이 단독으로 폴리싱되는 경우, 또는 폴리싱중에 가스 분배판 조립체(100)의 본체(110)가 면판(115)에 부착되어 있는 경우, 면판(115), 또는 가스 분배판 조립체(100)의 본체(110)와 면판(115)이 리무버에 침지된다. 침지 프로세스는 수시간이 소요될 수 있다. 적당한 리무버들은 아세톤 또는 다른 적당한 용제들 또는 스트리퍼들일 수 있다. 미국 미네소타 덜루스에 소재한 IKONICS® Corp.으로부터 상업적으로 입수가능한 리무버가 입수가능하다. 폐색 물질(205)이 수용성인 경우, 리무버로서 물이 사용된다.
침지 프로세스 후, 면판(115)이 파워 세정될 수 있다. 파워 세정은, 면판(115)의 적어도 제 2 주면(114B)에 가압된 DIW를 도포하여 가스 분배공(105)들로부터 폐색 물질(205)을 제거하도록, 실시될 수 있다. 가압된 DIW는 가스 분배공(105)들을 퍼징하여 임의의 남아 있는 폐색 물질(205)을 제거하기 위해 사용된다. 또한, 가스 분배공(105)들에서 잔여 폐색 물질(205)이 완전히 세척되기 전까지, 수회의 침지 및 퍼징 사이클들이 실시될 필요가 있을 수 있다.
배송을 위해 가스 분배판 조립체(100)를 준비하기 전에, 면판(115)이 열처리된다. 일 실시예에서, 면판(115)은 진공 로에서 열처리된다. 진공 로의 온도들은 면판(115)의 열처리동안 약 1,200℃ 내지 약 1,300℃의 범위일 수 있다. SiC로 구성된 면판(115)을 열처리함으로써, 미립자 셰딩의 상당한 저감이 얻어지는 것으로 밝혀졌다. 미립자 셰딩의 저감은 폴리싱으로 인해 변화된 상태로부터 처녀 SiC 표면의 상태와 유사한 상태로 다시 면판의 표면 구조가 복원되었기 때문이라고 생각된다.
열처리 후, 가스 분배판 조립체(100)는 배송을 위해 준비된다. 폴리싱 프로세스를 위해 면판(115)에 가스 분배판 조립체(100)의 본체(110)가 부착된 경우, 가스 분배판 조립체(100)는 파워 세정 후 완전히 세척되며, 베이크 아웃되어 포장될 수 있다. 면판(115)이 단독으로 폴리싱된 경우, 본체(110)의 제 2 면(112B)이 면판(115)에 대한 커플링을 위해 준비될 수 있다. 접합을 용이하게 하기 위해, 면판(115)의 제 1 주면(114A)과 본체(110)의 제 2 면(112B) 사이에 새로운 접착제(120)가 도포된다. 접합 후, 가스 분배판 조립체(100)는 베이크 아웃되어 배송을 위해 포장될 수 있다.
본 명세서에 기재된 바와 같은 개장 방법의 실시예들은 제 2 주면(114B)을 신품의 가스 분배판의 표면 조도와 동일한 표면 조도로 실질적으로 복원한다. 일 실시예에서, 제 2 주면(114B)은 개장 방법 후의 사양의 범위 이내이며, 약 20Ra 또는 그 미만의 표면 조도를 포함한다. 또한, AlFx와 같은 미립자 오염을 유발할 수 있는 증착, 세척 또는 에칭 부산물들이 폴리싱 중에 면판(115)으로부터 제거됨으로써, 가스 분배판 조립체(100)를 수동으로 닦아낼 필요가 없도록 한다. 따라서, 개장된 가스 분배판 조립체(100)가 챔버 내로 장착될 수 있으며, 그 가스 분배판 조립체(100)의 전기적 특성들은, 마치 가스 분배판 조립체(100)가 신품인 것처럼, 기능할 수 있다.
도 5a는 면판(115)의 폴리싱 전과 후의 제 2 주면(114B)의 표면 조도를 비교한 그래프이다. 라인(505)은 본 명세서에 기재된 바와 같은 개장 방법을 실시하기 전의 제 2 주면(114B)의 (㎛ 단위의) 표면 조도이다. 라인(510)은 본 명세서에 기재된 바와 같은 가스 분배판 조립체(100)가 개장된 후의 제 2 주면(114B)의 (㎛ 단위의) 표면 조도이다.
도 5b 및 도 5c는 본 명세서에 기재된 바와 같은 개장 방법 이전과 개장 방법 이후의 제 2 주면(114B)의 화학물 오염 결과들을 나타내는 그래프들이다. 도 5b는 라인(515)에서 개장 방법 실시 전의 불소 함량을 나타내고, 라인(520)에서 개장 방법 실시 후의 불소 함량을 나타낸다. 도 5c는 라인(525)에서 개장 방법 실시 전의 알루미늄 함량을 나타내고, 라인(530)에서 개장 방법 실시 후의 알루미늄 함량을 나타낸다. 도시된 바와 같이, 제 2 주면(114B)은 임의의 불소 또는 알루미늄 원소들을 전혀 포함하지 않고, 실리콘과 탄소 원소들만 포함한다.
도 6a는 폴리싱 후의 가스 분배판을 활용한 에칭률(ER)과 폴리싱되지 않은 가스 분배판의 에칭률을 비교한 그래프이다. 도 6b는 본 명세서에 기재된 실시예들에 따라 개장된 가스 분배판을 이용한 에칭률(ER)을 나타낸 그래프이다. 도 6b는 표준 브레이크 직류(DC) 조건 대 직류 브레이크 쇼트 조건에 대한 에칭률 비교를 나타낸 그래프이다. 직류 브레이크 쇼트 조건에서는, 에칭률이 3772Å/min 내지 4022Å/min으로 증가하였다.
본 명세서에 기재된 실시예들은 면판(115)의 제 2 주면(114B)을 신품의 가스 분배판의 표면 조도와 동일한 표면 조도로 실질적으로 복원한다. 또한, AlFx와 같은 미립자 오염을 유발할 수 있는 증착, 세척 또는 에칭 부산물들이 면판(115)으로부터 완전히 제거된다. 이 개장 방법은 표면 구조를 중앙에서 가장자리까지 균일한 신품 재료처럼 보이도록 완전히 변화시킨다. 따라서, 개장된 가스 분배판 조립체(100)는 챔버 속에 설치될 수 있으며, 그 가스 분배판 조립체(100)의 전기적 특성들은, 마치 가스 분배판 조립체(100)가 신품인 것처럼, 기능할 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 실시예들에 관한 것이나, 본 발명의 기본적인 범위를 벗어나지 않고 다른 실시예 및 추가적인 실시예들이 안출될 수 있다.

Claims (20)

  1. 가스 분배판 조립체를 개장하기 위한 방법으로서,
    가스 분배판 조립체의 면판 내에 배치되는 복수의 가스 분배공들을 폐색 물질로 충진하는 단계;
    상기 면판을 폴리싱 디바이스의 폴리싱 패드에 대해 압박하는 단계;
    상기 면판과 상기 폴리싱 패드 사이에 상대 운동을 제공하는 단계;
    상기 폴리싱 패드에 대해 상기 면판을 폴리싱하는 단계;
    상기 폴리싱하는 단계 후에, 상기 폐색 물질을 용제에 노출시킴으로써 상기 폐색 물질을 제거하는 단계; 및
    상기 폐색 물질을 제거하는 단계 후에, 폴리싱된 상기 면판을 열처리하는 단계;를 포함하는,
    가스 분배판 조립체를 개장하기 위한 방법.
  2. 가스 분배판 조립체를 개장하기 위한 방법으로서,
    복수의 가스 분배공들을 가지는 가스 분배판 조립체의 면판을 폴리싱 디바이스의 폴리싱 패드에 대해 압박하는 단계;
    상기 면판과 상기 폴리싱 패드 사이에 상대 운동을 제공하는 단계;
    상기 폴리싱 패드에 대해 상기 면판을 폴리싱하는 단계; 및
    폴리싱하는 단계 동안에 상기 폴리싱 패드를 향하는 방향으로 상기 복수의 가스 분배공들을 통해 유체를 유동시키는 단계;를 포함하는,
    가스 분배판 조립체를 개장하기 위한 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 폴리싱하는 단계 전에 상기 폐색 물질이 경화되는,
    가스 분배판 조립체를 개장하기 위한 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 면판은 폴리싱하는 단계 동안에 상기 가스 분배판 조립체의 본체에 커플링되는,
    가스 분배판 조립체를 개장하기 위한 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    세척 후 상기 가스 분배판 조립체의 본체에 상기 면판을 접합하는 단계를 더 포함하는,
    가스 분배판 조립체를 개장하기 위한 방법.
  6. 가스 분배판 조립체를 개장하기 위한 방법으로서,
    상기 가스 분배판 조립체의 면판 내에 배치되는 복수의 가스 분배공들을 폐색 물질로 충진하는 단계;
    상기 가스 분배판 조립체의 본체로부터 상기 면판의 제 1 주면을 분리하는 단계;
    상기 면판의 제 2 주면을 6μ인치 또는 그보다 더 부드러운 표면 마감(surface finish)으로 폴리싱하는 단계;
    상기 폴리싱하는 단계 후에, 상기 폐색 물질을 용제에 노출시킴으로써 상기 폐색 물질을 제거하는 단계; 및
    상기 폐색 물질을 제거하는 단계 후에, 폴리싱된 상기 면판을 진공 분위기에서 열처리하는 단계;를 포함하는,
    가스 분배판 조립체를 개장하기 위한 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 열처리하는 단계는,
    상기 면판을 1,200℃ 내지 1,300℃로 가열하는 단계를 더 포함하는,
    가스 분배판 조립체를 개장하기 위한 방법.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 폐색 물질이 상기 면판의 제 1 주면과 제 2 주면에 도포되는,
    가스 분배판 조립체를 개장하기 위한 방법.
  9. 제 6 항에 있어서,
    열처리하는 단계 전에, 폴리싱된 상기 면판을 산욕으로 세척하는 단계를 더 포함하는,
    가스 분배판 조립체를 개장하기 위한 방법.
  10. 제 6 항에 있어서,
    상기 분리하는 단계는 상기 본체로부터 상기 면판을 화학적으로 분리하는 단계를 더 포함하는,
    가스 분배판 조립체를 개장하기 위한 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    세척 후 상기 가스 분배판 조립체의 상기 본체에 상기 면판의 상기 제 1 주면을 접합하는 단계를 더 포함하는,
    가스 분배판 조립체를 개장하기 위한 방법.
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