JPH10154285A - 光電式煙感知器 - Google Patents
光電式煙感知器Info
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- JPH10154285A JPH10154285A JP31443796A JP31443796A JPH10154285A JP H10154285 A JPH10154285 A JP H10154285A JP 31443796 A JP31443796 A JP 31443796A JP 31443796 A JP31443796 A JP 31443796A JP H10154285 A JPH10154285 A JP H10154285A
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- JP
- Japan
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- circuit
- output
- photoelectric conversion
- operational amplifier
- photoelectric
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光電変換回路を集積回路化する場合に、受光
素子にリーク電流がある場合でも集積回路を破壊するこ
とのない光電式煙感知器を提供する。 【解決手段】 光の煙による散乱光Ｘを受光素子２１に
より受光して電気信号に変換する光電変換回路２と，光
電変換回路２の出力電圧をサンプリングし保持するサン
プルホールド回路３と、サンプルホールド回路３の出力
を煙濃度に応じたアナログ信号として出力するアナログ
出力回路４と、前記各回路に間欠動作信号を供給するタ
イミング回路５とを備えてなり、光電変換回路２は、受
光電流を電圧に変換するオペアンプＡ１とその出力に接
続され受光素子２１のリーク電流等の低周波成分を減衰
させるハイパスフィルタを有するようにした光電式煙感
知器において、ハイパスフィルタの出力をスイッチング
素子Ｍ３を介して電源ＶＤＤに接続し、スイッチング素
子Ｍ３のオンオフをタイミング回路５からの間欠動作信
号Ｓにより制御するようにした。
素子にリーク電流がある場合でも集積回路を破壊するこ
とのない光電式煙感知器を提供する。 【解決手段】 光の煙による散乱光Ｘを受光素子２１に
より受光して電気信号に変換する光電変換回路２と，光
電変換回路２の出力電圧をサンプリングし保持するサン
プルホールド回路３と、サンプルホールド回路３の出力
を煙濃度に応じたアナログ信号として出力するアナログ
出力回路４と、前記各回路に間欠動作信号を供給するタ
イミング回路５とを備えてなり、光電変換回路２は、受
光電流を電圧に変換するオペアンプＡ１とその出力に接
続され受光素子２１のリーク電流等の低周波成分を減衰
させるハイパスフィルタを有するようにした光電式煙感
知器において、ハイパスフィルタの出力をスイッチング
素子Ｍ３を介して電源ＶＤＤに接続し、スイッチング素
子Ｍ３のオンオフをタイミング回路５からの間欠動作信
号Ｓにより制御するようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、煙による散乱光を
検出することにより煙を検出する光電式煙感知器に関す
るものである。
検出することにより煙を検出する光電式煙感知器に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の光電式煙感知器は、図３
に示すように、発光回路１と光電変換回路２とサンプル
ホールド回路３とアナログ出力回路４とタイミング回路
５を備えてなる。光電変換回路２は、発光回路１から照
射された光の煙による散乱光Ｘを受光して電気信号に変
換するものであり、受光素子２１と基準電圧源２２とオ
ペアンプＡ１〜Ａ４と抵抗Ｒ１〜Ｒ５とコンデンサＣ
１、Ｃ２とＰＭＯＳトランジスタＭ１、Ｍ２を有してな
る。受光素子２１に煙による散乱光Ｘが照射されると、
微弱な光電流が流れる。この光電流はオペアンプＡ１と
電流／電圧変換用の抵抗Ｒ１により電圧信号に変換さ
れ、コンデンサＣ２と抵抗Ｒ２とで構成されたハイパス
フィルタによりその信号の低周波成分が減衰され、オペ
アンプＡ２、Ａ３により直流増幅される。オペアンプＡ
２の増幅率は、入力抵抗Ｒ２と帰還抵抗Ｒ３の比率で決
定され、オペアンプＡ３の増幅率は、入力抵抗Ｒ４と帰
還抵抗Ｒ５の比率で決定される。オペアンプＡ３の出力
電圧は、バッファ接続されたオペアンプＡ４に接続され
ており、オペアンプＡ４の出力電圧はオペアンプＡ３の
出力電圧と同じになる。ここで、前記ハイパスフィルタ
は、低周波成分を減衰させるためのものであり、受光素
子２１に流れるリーク電流をカットすることができる。
また、ＰＭＯＳトランジスタＭ１、Ｍ２のゲートには後
述の間欠駆動信号Ｓが入力される。
に示すように、発光回路１と光電変換回路２とサンプル
ホールド回路３とアナログ出力回路４とタイミング回路
５を備えてなる。光電変換回路２は、発光回路１から照
射された光の煙による散乱光Ｘを受光して電気信号に変
換するものであり、受光素子２１と基準電圧源２２とオ
ペアンプＡ１〜Ａ４と抵抗Ｒ１〜Ｒ５とコンデンサＣ
１、Ｃ２とＰＭＯＳトランジスタＭ１、Ｍ２を有してな
る。受光素子２１に煙による散乱光Ｘが照射されると、
微弱な光電流が流れる。この光電流はオペアンプＡ１と
電流／電圧変換用の抵抗Ｒ１により電圧信号に変換さ
れ、コンデンサＣ２と抵抗Ｒ２とで構成されたハイパス
フィルタによりその信号の低周波成分が減衰され、オペ
アンプＡ２、Ａ３により直流増幅される。オペアンプＡ
２の増幅率は、入力抵抗Ｒ２と帰還抵抗Ｒ３の比率で決
定され、オペアンプＡ３の増幅率は、入力抵抗Ｒ４と帰
還抵抗Ｒ５の比率で決定される。オペアンプＡ３の出力
電圧は、バッファ接続されたオペアンプＡ４に接続され
ており、オペアンプＡ４の出力電圧はオペアンプＡ３の
出力電圧と同じになる。ここで、前記ハイパスフィルタ
は、低周波成分を減衰させるためのものであり、受光素
子２１に流れるリーク電流をカットすることができる。
また、ＰＭＯＳトランジスタＭ１、Ｍ２のゲートには後
述の間欠駆動信号Ｓが入力される。
【０００３】サンプルホールド回路３はコンデンサＣ３
とアナログスイッチＡＳとバッファ用のオペアンプＡ５
よりなり、アナログスイッチＡＳがオンしているときの
みオペアンプＡ４の出力がコンデンサＣ３に充電され、
オペアンプＡ４の出力電圧が保持される。コンデンサＣ
３の充電電圧はオペアンプＡ５の出力電圧となる。
とアナログスイッチＡＳとバッファ用のオペアンプＡ５
よりなり、アナログスイッチＡＳがオンしているときの
みオペアンプＡ４の出力がコンデンサＣ３に充電され、
オペアンプＡ４の出力電圧が保持される。コンデンサＣ
３の充電電圧はオペアンプＡ５の出力電圧となる。
【０００４】アナログ出力回路４は、オペアンプＡ６、
抵抗Ｒ６、Ｒ７、定電圧源Ｅよりなり、サンプルホール
ド回路２のオペアンプＡ５の出力電圧を取り込んで、オ
フセット電圧を加えた上でオペアンプＡ６と抵抗Ｒ６、
Ｒ７により直流増幅して出力する。
抵抗Ｒ６、Ｒ７、定電圧源Ｅよりなり、サンプルホール
ド回路２のオペアンプＡ５の出力電圧を取り込んで、オ
フセット電圧を加えた上でオペアンプＡ６と抵抗Ｒ６、
Ｒ７により直流増幅して出力する。
【０００５】タイミング回路５は、上記各回路に間欠駆
動信号Ｓを供給しており、各回路では、この間欠駆動信
号により間欠駆動することで消費電流の低減化が行われ
ている。
動信号Ｓを供給しており、各回路では、この間欠駆動信
号により間欠駆動することで消費電流の低減化が行われ
ている。
【０００６】ここで、光電変換回路２のオペアンプＡ１
〜Ａ４は、図３に示すように、インバータＩＮＶ１、Ｉ
ＮＶ２とＰＭＯＳトランジスタＰ１〜Ｐ８、ＮＭＯＳト
ランジスタＮ１〜Ｎ７、コンデンサＣにより構成され、
間欠駆動信号ＳがインバータＩＮＶ１やインバータＩＮ
Ｖ２を介して前記ＰＭＯＳトランジスタやＮＭＯＳトラ
ンジスタのゲートに入力されている。また、基準電圧源
２２は、図４に示すように、ＰＭＯＳトランジスタＰ９
と抵抗Ｒ８、Ｒ９の分圧回路からなり、ＰＭＯＳトラン
ジスタＰ９のゲートには間欠駆動信号Ｓが入力される。
〜Ａ４は、図３に示すように、インバータＩＮＶ１、Ｉ
ＮＶ２とＰＭＯＳトランジスタＰ１〜Ｐ８、ＮＭＯＳト
ランジスタＮ１〜Ｎ７、コンデンサＣにより構成され、
間欠駆動信号ＳがインバータＩＮＶ１やインバータＩＮ
Ｖ２を介して前記ＰＭＯＳトランジスタやＮＭＯＳトラ
ンジスタのゲートに入力されている。また、基準電圧源
２２は、図４に示すように、ＰＭＯＳトランジスタＰ９
と抵抗Ｒ８、Ｒ９の分圧回路からなり、ＰＭＯＳトラン
ジスタＰ９のゲートには間欠駆動信号Ｓが入力される。
【０００７】従って、間欠駆動信号Ｓがローレベルの
時、ＰＭＯＳトランジスタＭ１、Ｍ２がオンするのでオ
ペアンプＡ１〜Ａ３の出力は電源電圧ＶＤＤに引き上げ
られるのでハイレベルになり、オペアンプＡ４の出力
は、ＰＭＯＳトランジスタＰ８及びＮＭＯＳトランジス
タＮ７が共にオフするのでハイインピーダンス状態とな
る。また、基準電圧源２２の電圧Ｖref はＰＭＯＳトラ
ンジスタＰ９がオフするので０Ｖとなる。一方、間欠駆
動信号Ｓがハイレベルの時は、光電変換回路２は動作状
態となり、受光素子２１が散乱光Ｘを受光して電流Ｉを
生じた場合には、オペアンプＡ１の出力はＶref −Ｒ１
×Ｉとなり、オペアンプＡ２の出力は、Ｖre f ＋（Ｒ３
／Ｒ２）×Ｒ１×Ｉとなり、オペアンプＡ３、Ａ４の出
力は、Ｖref−（Ｒ５／Ｒ４）×（Ｒ３／Ｒ２）×Ｒ１
×Ｉとなる。受光素子２１が散乱光Ｘを受光していない
場合には、前記出力は全てＶref になる。
時、ＰＭＯＳトランジスタＭ１、Ｍ２がオンするのでオ
ペアンプＡ１〜Ａ３の出力は電源電圧ＶＤＤに引き上げ
られるのでハイレベルになり、オペアンプＡ４の出力
は、ＰＭＯＳトランジスタＰ８及びＮＭＯＳトランジス
タＮ７が共にオフするのでハイインピーダンス状態とな
る。また、基準電圧源２２の電圧Ｖref はＰＭＯＳトラ
ンジスタＰ９がオフするので０Ｖとなる。一方、間欠駆
動信号Ｓがハイレベルの時は、光電変換回路２は動作状
態となり、受光素子２１が散乱光Ｘを受光して電流Ｉを
生じた場合には、オペアンプＡ１の出力はＶref −Ｒ１
×Ｉとなり、オペアンプＡ２の出力は、Ｖre f ＋（Ｒ３
／Ｒ２）×Ｒ１×Ｉとなり、オペアンプＡ３、Ａ４の出
力は、Ｖref−（Ｒ５／Ｒ４）×（Ｒ３／Ｒ２）×Ｒ１
×Ｉとなる。受光素子２１が散乱光Ｘを受光していない
場合には、前記出力は全てＶref になる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ような光電式煙感知器にあっては、受光素子２１は、散
乱光Ｘを受光していない状態でも、リーク電流Ｉｄが流
れているために、間欠駆動信号Ｓがハイレベルで光電変
換回路２は動作状態の時には、オペアンプＡ１の出力は
Ｖref −Ｒ１×Ｉｄとなり、オペアンプＡ２の出力は、
リーク電流ＩｄがコンデンサＣ２でカットされるので、
Ｖref となる。この状態から間欠駆動信号Ｓがローレベ
ルになったとすると、ＰＭＯＳトランジスタＭ１、Ｍ２
がオンし、オペアンプＡ１の出力、つまりコンデンサＣ
２の一方の電極側の電位はＶＤＤに上がる。この時、コ
ンデンサＣ２の他方の電極側の電位も抵抗Ｒ２、Ｒ３を
介して流れる電流により同じ電圧分だけ上がる。この場
合、コンデンサＣ２の他方の電極側には抵抗Ｒ２、Ｒ３
を介してしか電流が流れないので、その電位はＶＤＤ＋
Ｒ１×Ｉｄとなる。このように、コンデンサＣ２と抵抗
Ｒ２とで構成されたハイパスフィルタの出力点Ｐの電位
は、ＶＤＤ＋Ｒ１×Ｉｄとなる。
ような光電式煙感知器にあっては、受光素子２１は、散
乱光Ｘを受光していない状態でも、リーク電流Ｉｄが流
れているために、間欠駆動信号Ｓがハイレベルで光電変
換回路２は動作状態の時には、オペアンプＡ１の出力は
Ｖref −Ｒ１×Ｉｄとなり、オペアンプＡ２の出力は、
リーク電流ＩｄがコンデンサＣ２でカットされるので、
Ｖref となる。この状態から間欠駆動信号Ｓがローレベ
ルになったとすると、ＰＭＯＳトランジスタＭ１、Ｍ２
がオンし、オペアンプＡ１の出力、つまりコンデンサＣ
２の一方の電極側の電位はＶＤＤに上がる。この時、コ
ンデンサＣ２の他方の電極側の電位も抵抗Ｒ２、Ｒ３を
介して流れる電流により同じ電圧分だけ上がる。この場
合、コンデンサＣ２の他方の電極側には抵抗Ｒ２、Ｒ３
を介してしか電流が流れないので、その電位はＶＤＤ＋
Ｒ１×Ｉｄとなる。このように、コンデンサＣ２と抵抗
Ｒ２とで構成されたハイパスフィルタの出力点Ｐの電位
は、ＶＤＤ＋Ｒ１×Ｉｄとなる。
【０００９】従って、上述のような光電変換回路２を集
積回路化しようとすると、電圧ＶＤＤの設定によって
は、Ｐ点の電位が集積回路の最大定格電圧を超えてしま
い、集積回路が破壊してしまうという問題があった。
積回路化しようとすると、電圧ＶＤＤの設定によって
は、Ｐ点の電位が集積回路の最大定格電圧を超えてしま
い、集積回路が破壊してしまうという問題があった。
【００１０】本発明は、上記の点に鑑みてなしたもので
あり、その目的とするところは、光電変換回路を集積回
路化する場合に、受光素子にリーク電流がある場合でも
集積回路を破壊することのない光電式煙感知器を提供す
ることにある。
あり、その目的とするところは、光電変換回路を集積回
路化する場合に、受光素子にリーク電流がある場合でも
集積回路を破壊することのない光電式煙感知器を提供す
ることにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
発光回路から照射された光の煙による散乱光を受光素子
により受光して電気信号に変換する光電変換回路と、該
光電変換回路の出力電圧をサンプリングし保持するサン
プルホールド回路と、該サンプルホールド回路の出力を
煙濃度に応じたアナログ信号として出力するアナログ出
力回路と、前記各回路に間欠動作信号を供給するタイミ
ング回路とを備えてなり、前記光電変換回路は、受光電
流を電圧に変換するオペアンプと該オペアンプの出力に
接続され前記受光素子のリーク電流等の低周波成分を減
衰させるハイパスフィルタを有するようにした光電式煙
感知器において、前記ハイパスフィルタの出力をスイッ
チング素子を介して電源に接続し、該スイッチング素子
のオンオフを前記タイミング回路からの間欠動作信号に
より制御するようにしたことを特徴とするものである。
発光回路から照射された光の煙による散乱光を受光素子
により受光して電気信号に変換する光電変換回路と、該
光電変換回路の出力電圧をサンプリングし保持するサン
プルホールド回路と、該サンプルホールド回路の出力を
煙濃度に応じたアナログ信号として出力するアナログ出
力回路と、前記各回路に間欠動作信号を供給するタイミ
ング回路とを備えてなり、前記光電変換回路は、受光電
流を電圧に変換するオペアンプと該オペアンプの出力に
接続され前記受光素子のリーク電流等の低周波成分を減
衰させるハイパスフィルタを有するようにした光電式煙
感知器において、前記ハイパスフィルタの出力をスイッ
チング素子を介して電源に接続し、該スイッチング素子
のオンオフを前記タイミング回路からの間欠動作信号に
より制御するようにしたことを特徴とするものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態の一例
を図面に基づき説明する。図１は、本発明の実施の形態
の一例に係る光電式煙感知器の概略構成を示す回路図で
ある。本実施形態の光電式煙感知器は、図２で示した従
来の光電式煙感知器において、光電変換回路２にスイッ
チング素子としてのＰＭＯＳトランジスタＭ３を付加し
た構成になっている。つまり、コンデンサＣ２と抵抗Ｒ
２とで構成されたハイパスフィルタの出力点Ｐと電源電
圧ＶＤＤとの間に、ＰＭＯＳトランジスタＭ３のドレイ
ンとソースを各々接続し、ゲートに間欠駆動信号Ｓを入
力するようにしたものである。従って、間欠駆動信号Ｓ
がハイレベルで光電変換回路２が動作状態の時には、Ｐ
ＭＯＳトランジスタＭ３はオフ状態であり、間欠駆動信
号Ｓがローレベルで光電変換回路２が非動作状態の時に
は、ＰＭＯＳトランジスタＭ３はオン状態である。
を図面に基づき説明する。図１は、本発明の実施の形態
の一例に係る光電式煙感知器の概略構成を示す回路図で
ある。本実施形態の光電式煙感知器は、図２で示した従
来の光電式煙感知器において、光電変換回路２にスイッ
チング素子としてのＰＭＯＳトランジスタＭ３を付加し
た構成になっている。つまり、コンデンサＣ２と抵抗Ｒ
２とで構成されたハイパスフィルタの出力点Ｐと電源電
圧ＶＤＤとの間に、ＰＭＯＳトランジスタＭ３のドレイ
ンとソースを各々接続し、ゲートに間欠駆動信号Ｓを入
力するようにしたものである。従って、間欠駆動信号Ｓ
がハイレベルで光電変換回路２が動作状態の時には、Ｐ
ＭＯＳトランジスタＭ３はオフ状態であり、間欠駆動信
号Ｓがローレベルで光電変換回路２が非動作状態の時に
は、ＰＭＯＳトランジスタＭ３はオン状態である。
【００１３】次に、本実施形態の動作を説明する。今、
間欠駆動信号Ｓがハイレベルで光電変換回路２が動作状
態の時には、ＰＭＯＳトランジスタＭ３はオフ状態とな
っており、受光素子２１にリーク電流Ｉｄが流れている
と、オペアンプＡ１の出力電圧は、Ｖref −Ｒ１×Ｉｄ
となる。また、この時のハイパスフィルタの出力点Ｐの
電位はＶref である。この状態から受光素子２１が煙に
よる散乱光Ｘを受光して受光電流Ｉが流れると、オペア
ンプＡ１の出力電圧は、Ｖref −Ｒ１×（Ｉ＋Ｉｄ）と
なり、出力点Ｐの電位はＶref −Ｒ１×Ｉとなる。煙に
よる散乱光Ｘの受光がなくなると、再び前述の状態に戻
る。
間欠駆動信号Ｓがハイレベルで光電変換回路２が動作状
態の時には、ＰＭＯＳトランジスタＭ３はオフ状態とな
っており、受光素子２１にリーク電流Ｉｄが流れている
と、オペアンプＡ１の出力電圧は、Ｖref −Ｒ１×Ｉｄ
となる。また、この時のハイパスフィルタの出力点Ｐの
電位はＶref である。この状態から受光素子２１が煙に
よる散乱光Ｘを受光して受光電流Ｉが流れると、オペア
ンプＡ１の出力電圧は、Ｖref −Ｒ１×（Ｉ＋Ｉｄ）と
なり、出力点Ｐの電位はＶref −Ｒ１×Ｉとなる。煙に
よる散乱光Ｘの受光がなくなると、再び前述の状態に戻
る。
【００１４】ここで、間欠駆動信号Ｓがローレベルにな
ると、光電変換回路２は非動作状態となり、ＰＭＯＳト
ランジスタＭ１〜Ｍ３はオン状態となる。オペアンプＡ
１の出力はＰＭＯＳトランジスタＭ１を介して電源電圧
ＶＤＤに接続されているので、その電位はＶＤＤとな
る。この時のハイパスフィルタの出力点Ｐは、ＰＭＯＳ
トランジスタＭ３を介して電源電圧ＶＤＤに接続されて
いるので、その電位もＶＤＤとなる。
ると、光電変換回路２は非動作状態となり、ＰＭＯＳト
ランジスタＭ１〜Ｍ３はオン状態となる。オペアンプＡ
１の出力はＰＭＯＳトランジスタＭ１を介して電源電圧
ＶＤＤに接続されているので、その電位はＶＤＤとな
る。この時のハイパスフィルタの出力点Ｐは、ＰＭＯＳ
トランジスタＭ３を介して電源電圧ＶＤＤに接続されて
いるので、その電位もＶＤＤとなる。
【００１５】従って、本実施形態によれば、ハイパスフ
ィルタの出力点Ｐの電位は、受光素子２１のリーク電流
Ｉｄによらず、電源電圧ＶＤＤを超えることがなくなる
ので、本実施形態の光電式煙感知器によれば、光電変換
回路２を集積回路化する場合に、受光素子２１にリーク
電流Ｉｄがある場合でも集積回路を破壊することがなく
なるのである。
ィルタの出力点Ｐの電位は、受光素子２１のリーク電流
Ｉｄによらず、電源電圧ＶＤＤを超えることがなくなる
ので、本実施形態の光電式煙感知器によれば、光電変換
回路２を集積回路化する場合に、受光素子２１にリーク
電流Ｉｄがある場合でも集積回路を破壊することがなく
なるのである。
【００１６】
【発明の効果】以上のように、請求項１の発明によれ
ば、発光回路から照射された光の煙による散乱光を受光
素子により受光して電気信号に変換する光電変換回路
と、該光電変換回路の出力電圧をサンプリングし保持す
るサンプルホールド回路と、該サンプルホールド回路の
出力を煙濃度に応じたアナログ信号として出力するアナ
ログ出力回路と、前記各回路に間欠動作信号を供給する
タイミング回路とを備えてなり、前記光電変換回路は、
受光電流を電圧に変換するオペアンプと該オペアンプの
出力に接続され前記受光素子のリーク電流等の低周波成
分を減衰させるハイパスフィルタを有するようにした光
電式煙感知器において、前記ハイパスフィルタの出力を
スイッチング素子を介して電源に接続し、該スイッチン
グ素子のオンオフを前記タイミング回路からの間欠動作
信号により制御するようにしたので、光電変換回路を集
積回路化する場合に、受光素子にリーク電流がある場合
でも集積回路を破壊することのない光電式煙感知器が提
供できた。
ば、発光回路から照射された光の煙による散乱光を受光
素子により受光して電気信号に変換する光電変換回路
と、該光電変換回路の出力電圧をサンプリングし保持す
るサンプルホールド回路と、該サンプルホールド回路の
出力を煙濃度に応じたアナログ信号として出力するアナ
ログ出力回路と、前記各回路に間欠動作信号を供給する
タイミング回路とを備えてなり、前記光電変換回路は、
受光電流を電圧に変換するオペアンプと該オペアンプの
出力に接続され前記受光素子のリーク電流等の低周波成
分を減衰させるハイパスフィルタを有するようにした光
電式煙感知器において、前記ハイパスフィルタの出力を
スイッチング素子を介して電源に接続し、該スイッチン
グ素子のオンオフを前記タイミング回路からの間欠動作
信号により制御するようにしたので、光電変換回路を集
積回路化する場合に、受光素子にリーク電流がある場合
でも集積回路を破壊することのない光電式煙感知器が提
供できた。
【図１】本発明の一実施形態に係る光電式煙感知器の概
略構成を示す回路図である。
略構成を示す回路図である。
【図２】従来例に係る光電式煙感知器の概略構成を示す
回路図である。
回路図である。
【図３】光電変換回路に使用されるオペアンプの回路図
である。
である。
【図４】光電変換回路に使用される基準電圧源の回路図
である。
である。
１ 発光回路 ２ 光電変換回路 ３ サンプルホールド回路 ４ アナログ出力回路 ５ タイミング回路 ２１ 受光素子 ２２ 基準電圧源 Ａ１〜Ａ６ オペアンプ ＡＳ アナログスイッチ Ｒ１〜Ｒ９ 抵抗 Ｍ１〜Ｍ３ ＰＭＯＳトランジスタ Ｐ１〜Ｐ９ ＰＭＯＳトランジスタ Ｎ１〜Ｎ７ ＮＭＯＳトランジスタ Ｃ、Ｃ１〜Ｃ３ コンデンサ Ｅ 定電圧源
Claims (1)
- 【請求項１】 発光回路から照射された光の煙による散
乱光を受光素子により受光して電気信号に変換する光電
変換回路と、該光電変換回路の出力電圧をサンプリング
し保持するサンプルホールド回路と、該サンプルホール
ド回路の出力を煙濃度に応じたアナログ信号として出力
するアナログ出力回路と、前記各回路に間欠動作信号を
供給するタイミング回路とを備えてなり、前記光電変換
回路は、受光電流を電圧に変換するオペアンプと該オペ
アンプの出力に接続され前記受光素子のリーク電流等の
低周波成分を減衰させるハイパスフィルタを有するよう
にした光電式煙感知器において、前記ハイパスフィルタ
の出力をスイッチング素子を介して電源に接続し、該ス
イッチング素子のオンオフを前記タイミング回路からの
間欠動作信号により制御するようにしたことを特徴とす
る光電式煙感知器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31443796A JPH10154285A (ja) | 1996-11-26 | 1996-11-26 | 光電式煙感知器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31443796A JPH10154285A (ja) | 1996-11-26 | 1996-11-26 | 光電式煙感知器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10154285A true JPH10154285A (ja) | 1998-06-09 |
Family
ID=18053355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31443796A Pending JPH10154285A (ja) | 1996-11-26 | 1996-11-26 | 光電式煙感知器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10154285A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009131119A1 (ja) * | 2008-04-24 | 2009-10-29 | パナソニック電工株式会社 | 煙感知器 |
| JP2009282955A (ja) * | 2008-04-24 | 2009-12-03 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 煙感知器 |
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1996
- 1996-11-26 JP JP31443796A patent/JPH10154285A/ja active Pending
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